Electromagnetic\r\ncompatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and measurement techniques - Surge\r\nimmunity
\r\n\r\nLời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 8241-4-5:2009 được xây dựng\r\ntrên cơ sở soát xét, chuyển đổi tiêu chuẩn ngành TCN 68-209:2002 "Tương\r\nthích điện từ (EMC) - Miễn nhiễm đối với các xung - Phương pháp đo và thử"\r\ncủa Bộ Bưu chính, Viễn thông (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông).
\r\n\r\nTCVN 8241-4-5:2009 hoàn toàn tương\r\nđương IEC 61000-4-5:2005.
\r\n\r\nTCVN 8241-4-5:2009 do Viện Khoa học\r\nKỹ thuật Bưu điện xây dựng, Bộ Thông tin và Truyền thông đề nghị, Tổng cục Tiêu\r\nchuẩn Đo lường Chất lượng thẩm định, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\n\r\n\r\n
TƯƠNG\r\nTHÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) - PHẦN 4-5: PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ - MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI XUNG
\r\n\r\nElectromagnetic\r\ncompatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and measurement techniques - Surge\r\nimmunity
\r\n\r\n\r\n\r\nTiêu chuẩn này quy định các yêu cầu\r\nvề khả năng miễn nhiễm, các phương pháp thử, mức thử khuyến cáo cho thiết bị\r\nđối với các xung đơn cực do hiện tượng quá áp tạo ra khi đóng ngắt mạch hoặc do\r\nsét đánh. Các mức thử khác nhau áp dụng đối với môi trường và các điều kiện lắp\r\nđặt khác nhau. Các yêu cầu này áp dụng cho thiết bị điện và điện tử.
\r\n\r\nMục đích của tiêu chuẩn này là\r\nthiết lập một chuẩn chung để đánh giá khả năng miễn nhiễm của thiết bị điện,\r\nđiện tử khi thiết bị chịu tác động của các nguồn nhiễu.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Tiêu chuẩn này là tiêu\r\nchuẩn cơ bản dành cho các cơ quan quản lý sản phẩm sử dụng. Các cơ quan quản lý\r\nsản phẩm có trách nhiệm quyết định có áp dụng tiêu chuẩn thử nghiệm miễn nhiễm\r\nnày hay không, và nếu áp dụng, cơ quan này có trách nhiệm quyết định các mức\r\nthử và tiêu chí chất lượng phù hợp.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này qui định:
\r\n\r\n- Các mức thử;
\r\n\r\n- Thiết bị thử;
\r\n\r\n- Cấu hình thử;
\r\n\r\n- Quy trình thử.
\r\n\r\nNhiệm vụ của phép thử trong phòng\r\nthử là xác định phản ứng của EUT đối với những xung điện áp do ảnh hưởng của\r\nhoạt động đóng ngắt mạch và sét ở các mức đe dọa nhất định, trong các điều kiện\r\nhoạt động xác định.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này không nhằm vào việc\r\nthử khả năng chịu đựng điện áp cao của lớp cách điện của EUT cũng như các ảnh\r\nhưởng do sét đánh trực tiếp.
\r\n\r\n\r\n\r\nIEC 60050(161), international\r\nElectrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic compatibility\r\n(Từ vựng kỹ thuật điện tử quốc tế - Chương 161: Tương thích điện từ)
\r\n\r\nIEC 60060-1, High-voltage test\r\ntechniques - Part 1: General definitions and test requirements (Kỹ thuật thử\r\nđiện áp cao - Phần 1: Định nghĩa tổng quan và yêu cầu đo thử).
\r\n\r\nIEC 60469-1, Pulse techniques and\r\napparatus - Part 1: Pulse terms and definitions (Các kỹ thuật xung và thiết\r\nbị - Phần 1: Thuật ngữ và định nghĩa về xung).
\r\n\r\n\r\n\r\n3.1. Thiết bị thác (avalanche\r\ndevice)
\r\n\r\nThiết bị như điốt, bộ phận hãm ống\r\nga, hoặc các thành phần khác được thiết kế để làm giảm điện áp và dẫn điện ở\r\nđiện áp xác định.
\r\n\r\nHiệu chuẩn (calibration)
\r\n\r\nTập hợp các hoạt động thiết lập,\r\nbằng cách tham chiếu đến các tiêu chuẩn, quan hệ đã có giữa dấu hiệu và kết quả\r\ncủa phép đo trong các điều kiện xác định.
\r\n\r\n[IEV 311-01-09]
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Thuật ngữ này dựa trên\r\nphương pháp "không chắc chắn"
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Quan hệ giữa dấu hiệu\r\nvà kết quả của phép đo có thể biểu diễn bằng đồ thị hiệu chuẩn.
\r\n\r\n3.3. Thiết bị kẹp (clamping\r\ndevice)
\r\n\r\nThiết bị như điốt, varistor hoặc\r\ncác thành phần khác được thiết kế để ngăn chặn điện áp vượt quá một giá trị xác\r\nđịnh.
\r\n\r\n3.4. Bộ tạo sóng kết hợp (combination\r\nwave generator)
\r\n\r\nBộ tạo sóng với dạng sóng điện áp\r\nhở mạch 1,2/50 ms hoặc 10/700
3.5. Mạch ghép (coupling\r\nnetwork)
\r\n\r\nMạch điện dùng để chuyển năng lượng\r\ntừ một mạch này đến một mạch khác.
\r\n\r\n3.6. Mạch tách (decoupling\r\nnetwork)
\r\n\r\nMạch điện dùng để ngăn không cho\r\ncác xung đưa vào EUT làm ảnh hưởng đến các dụng cụ, thiết bị hay hệ thống khác\r\nkhông được thử.
\r\n\r\n3.7. Độ rộng xung (duration)
\r\n\r\nTrị số tuyệt đối của khoảng thời\r\ngian mà dạng sóng hay đặc trưng của sóng còn tồn tại hay tiếp diễn.
\r\n\r\n[IEC 60469-1]
\r\n\r\n3.8. Trở kháng ra hiệu dụng (của\r\nmột bộ tạo xung sét) (efective output impedance (of a surge generator))
\r\n\r\nTỉ số giữa điện áp đỉnh hở mạch và\r\ndòng điện đỉnh ngắn mạch.
\r\n\r\n3.9. Hệ thống trang thiết bị\r\nđiện (electrical installation)
\r\n\r\nMột tổ hợp các thiết bị điện thực\r\nhiện một hay nhiều mục đích cụ thể, có các đặc tính liên quan với nhau.
\r\n\r\n[IEV 826-10-01]
\r\n\r\n3.10. EUT (Equipment Under\r\nTest)
\r\n\r\nThiết bị được thử.
\r\n\r\n3.11. Độ rộng sườn trước (front\r\ntime)
\r\n\r\nXung điện áp (surge voltage): độ\r\nrộng sườn trước T1 của một xung điện áp là tham số được xác định\r\nbằng 1,67 lần khoảng thời gian T giữa hai thời điểm khi xung đạt 30% và 90% giá\r\ntrị đỉnh (xem Hình 2 và 5).
\r\n\r\nXung dòng điện (surge current): độ\r\nrộng sườn trước T1 của một xung dòng điện là tham số được xác định\r\nbằng 1,25 lần khoảng thời gian T giữa hai thời điểm khi xung đạt 10% và 90% giá\r\ntrị đỉnh (xem Hình 3 và 6).
\r\n\r\n[IEC 60060-1, 24.3 sửa đổi]
\r\n\r\n3.12. Đất chuẩn (ground\r\n(reference))
\r\n\r\nPhần đất được xem như là dẫn điện,\r\nđiện thế của được quy ước bằng 0, dùng bên ngoài vùng ảnh hưởng của bất kỳ hệ\r\nthống tiếp đất nào.
\r\n\r\n[IEV 195-01-01]
\r\n\r\n3.13. Đường dây thông tin tốc độ\r\ncao (high-speed communication lines)
\r\n\r\nĐường dây vào/ra hoạt động ở tần số\r\ntruyền trên 100 kHz.
\r\n\r\n3.14. Miễn nhiễm (immunity)
\r\n\r\nKhả năng hoạt động của một dụng cụ,\r\nthiết bị hay một hệ thống mà không bị suy giảm chất lượng khi có nhiễu điện từ.
\r\n\r\n[IEV 161-01-20]
\r\n\r\n3.15. Các đường dây liên kết (interconnection\r\nlines)
\r\n\r\nCác đường dây I/O (vào/ra) và các\r\nđường dây thông tin.
\r\n\r\n3.16. Bảo vệ sơ cấp (primary\r\nprotection)
\r\n\r\nBiện pháp để ngăn không cho phần\r\nlớn năng lượng gây nguy hiểm truyền qua một giao diện đã được chỉ định.
\r\n\r\n3.17. Thời gian tăng (rise\r\ntime)
\r\n\r\nKhoảng thời gian giữa các thời điểm\r\nmà tại đó giá trị tức thời của xung lần đầu tiên đạt giới hạn dưới và sau đó là\r\ngiới hạn trên được quy định.
\r\n\r\n[IEV 161-02-05]
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu không có quy định\r\nkhác, các giá trị này là 10% và 90% của biên độ xung.
\r\n\r\n3.18. Bảo vệ thứ cấp (secondary\r\nprotection)
\r\n\r\nBiện pháp triệt tiêu phần năng\r\nlượng dư sau phần bảo vệ sơ cấp. Nó có thể là một thiết bị đặc biệt hoặc một\r\nđặc tính vốn có của EUT.
\r\n\r\n3.19. Xung (surge)
\r\n\r\nSóng đột biến điện áp, dòng điện\r\nhoặc công suất, lan truyền dọc theo đường dây hoặc mạch điện và được đặc trưng\r\nbởi sự tăng rất nhanh sau đó là giảm chậm.
\r\n\r\n[IEV 161-08-11 sửa đổi]
\r\n\r\n3.20. Đường dây đối xứng (symmetrical\r\nlines)
\r\n\r\nĐôi dây dẫn đối xứng có suy hao\r\nchuyển đổi từ chế độ chênh lệch sang chế độ chung lớn hơn 20 dB.
\r\n\r\n3.21. Hệ thống (system)
\r\n\r\nMột tập hợp các phần tử có quan hệ\r\nvới nhau được thiết lập để đạt được một mục đích cho trước bằng cách thực hiện\r\nmột chức năng cụ thể.
\r\n\r\n[IEV 351-11-01 sửa đổi]
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Hệ thống được xem là\r\ncách ly với môi trường và các hệ thống ngoài khác bởi một mặt phẳng giả định,\r\nmặt phẳng này ngăn cách liên kết giữa chúng và hệ thống đang xét. Qua các liên\r\nkết này, hệ thống bị ảnh hưởng bởi môi trường bên ngoài và các hệ thống khác;\r\nhoặc ngược lại.
\r\n\r\n3.22. Thời gian để biên độ xung\r\ngiảm đi một nửa (T2) (time to half-value)
\r\n\r\nTham số được xác định bằng khoảng\r\nthời gian giữa thời điểm gốc ảo O1 và thời điểm khi biên độ xung\r\n(điện áp hoặc dòng điện) giảm xuống còn một nửa giá trị đỉnh.
\r\n\r\n[IEV 60060-1, 18.1.6 sửa đổi]
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thời gian để biên độ\r\nxung giảm đi một nửa (T2) của xung sét là một tham số ảo.
\r\n\r\n3.23. Đột biến (transient)
\r\n\r\nHiện tượng hoặc đại lượng biến đổi\r\ngiữa hai trạng thái ổn định liên tiếp trong khoảng thời gian rất ngắn so với\r\nkhoảng thời gian quan sát.
\r\n\r\n[IEV 161-02-01]
\r\n\r\n3.24. Kiểm tra (verification)
\r\n\r\nMột tập hợp các hoạt động được dùng\r\nđể kiểm soát hệ thống thiết bị thử (ví dụ bộ tạo tín hiệu thử và cáp kết nối)\r\nđể chứng minh rằng hệ thống thử đang hoạt động trong phạm vi chỉ tiêu kỹ thuật\r\nđưa ra trong điều 6.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Các phương pháp được\r\ndùng cho việc kiểm tra có thể khác phương pháp dùng cho hiệu chuẩn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Quy trình nêu trong\r\n6.1.2 và 6.2.2 là biện pháp đảm bảo bộ tạo tín hiệu thử vận hành đúng, và hình\r\nthành lại cấu hình thử vì vậy dạng sóng xác định được thực hiện cho EUT.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Trong tiêu chuẩn EMC\r\ncơ bản này, định nghĩa này khác định nghĩa đưa ra trong IEV 311-01-13.
\r\n\r\n3.25. Gốc ảo (O1) (virtual\r\nOrigin)
\r\n\r\nĐối với xung sét dạng sóng điện áp,\r\ngốc ảo là giao điểm của đường thẳng vẽ qua giá trị 30% và 90% biên độ với trục\r\nthời gian. Đối với sét dạng sóng dòng, gốc ảo là giao điểm của đường thẳng vẽ\r\nqua 10% và 90% giá trị biên độ với trục thời gian.
\r\n\r\n\r\n\r\n4.1. Đột biến do đóng ngắt hệ\r\nthống nguồn
\r\n\r\nHiện tượng đột biến do đóng ngắt hệ\r\nthống nguồn có thể chia thành các đột biến liên quan tới:
\r\n\r\na) Nhiễu sinh ra do đóng ngắt hệ\r\nthống nguồn chính, ví dụ đóng ngắt bằng tụ.
\r\n\r\nb) Hoạt động đóng ngắt phụ ở gần\r\nthiết bị hoặc do sự thay đổi tải trong hệ thống phân phối nguồn.
\r\n\r\nc) Hiện tượng cộng hưởng trong các\r\nmạch có các linh kiện đóng ngắt như thyristor.
\r\n\r\nd) Các hư hỏng của hệ thống như\r\nhiện tượng chập mạch, hiện tượng phóng tia lửa điện tới hệ thống tiếp đất của\r\ncông trình.
\r\n\r\n4.2. Đột biến do sét
\r\n\r\nSét tạo ra các xung điện áp theo\r\nnhững cơ chế chủ yếu sau:
\r\n\r\na) Sét đánh trực tiếp vào mạch\r\nngoài (mạch ở ngoài nhà trạm) phóng dòng điện lớn qua điện trở đất hoặc trở\r\nkháng mạch ngoài tạo ra các điện áp;
\r\n\r\nb) Sét đánh gián tiếp (sét đánh\r\ngiữa hoặc trong các đám mây hay đánh gần các vật thể tạo ra các trường điện từ)\r\nsinh ra điện áp/dòng điện cảm ứng trên các dây dẫn ở bên ngoài hoặc bên trong\r\ntòa nhà;
\r\n\r\nc) Sét đánh trực tiếp xuống đất gần\r\ncông trình, sinh ra dòng điện trong hệ thống tiếp đất của công trình đó;
\r\n\r\nSự thay đổi nhanh của điện áp và\r\ndòng điện xảy ra khi thiết bị bảo vệ được kích hoạt có thể gây ra nhiễu điện từ\r\nvào các thiết bị gần đó.
\r\n\r\n4.3. Mô phỏng hiện tường đột\r\nbiến
\r\n\r\nCác đặc tính của bộ tạo tín hiệu\r\nthử phải sao cho có thể mô phỏng được các hiện tượng nêu trên một cách sát thực\r\nnhất.
\r\n\r\nNếu nguồn nhiễu ở trong cùng một\r\nmạch, ví dụ trong mạch cung cấp nguồn (ghép trực tiếp) thì bộ tạo tín hiệu thử\r\ncó thể mô phỏng một nguồn trở kháng thấp tại các cổng của EUT.
\r\n\r\nNếu nguồn nhiễu không ở trong cùng\r\nmột mạch (ghép gián tiếp) như các cổng của thiết bị chịu nhiễu thì bộ tạo tín\r\nhiệu thử có thể mô phỏng một nguồn trở kháng cao hơn.
\r\n\r\n\r\n\r\nDải các mức thử ưu tiên được nêu\r\ntrong Bảng 1.
\r\n\r\nBảng\r\n1 - Các mức thử
\r\n\r\n| \r\n Mức \r\n | \r\n \r\n Điện\r\n áp thử hở mạch ± 10%, kV \r\n | \r\n
| \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n
| \r\n 2 \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n
| \r\n 3 \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n
| \r\n 4 \r\n | \r\n \r\n 4,0 \r\n | \r\n
| \r\n X \r\n | \r\n \r\n đặc\r\n biệt \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: X có thể là bất kỳ mức\r\n nào trên, dưới hoặc giữa các mức khác. Mức này có thể được quy định trong\r\n tiêu chuẩn sản phẩm. \r\n | \r\n |
Các mức thử phải được lựa chọn theo\r\ncác điều kiện lắp đặt. Việc phân loại điều kiện lắp đặt được trình bày trong\r\nđiều B.3.
\r\n\r\nThiết bị được thử phải đảm bảo thỏa\r\nmãn đối với tất cả các mức điện áp thấp hơn mức thử được chọn (xem 8.2).
\r\n\r\nĐể lựa chọn các mức thử đối với các\r\ngiao diện khác nhau, xem Phụ lục A.
\r\n\r\n\r\n\r\nCó hai kiểu bộ tạo sóng kết hợp\r\nđược quy định. Mỗi loại có ứng dụng cụ thể riêng, phụ thuộc vào loại cổng được\r\nthử (xem điều 7). Bộ tạo sóng kết hợp 10/700 ms\r\ndùng để thử các cổng dùng cho kết nối tới các đường dây thông tin đối xứng. Bộ\r\ntạo sóng kết hợp 1,2/50 ms dùng trong\r\ntất cả các trường hợp khác, và cụ thể là đối với các cổng thử cho đường nguồn\r\nvà các kết nối tín hiệu khoảng cách ngắn.
\r\n\r\n6.1. Bộ tạo sóng kết hợp 1,2/50
Mục đích của tiêu chuẩn này là dạng\r\nsóng ra đáp ứng các chỉ tiêu kỹ thuật ở điểm mà chúng tác động tới EUT. Dạng\r\nsóng được xác định với điện áp hở mạch và dòng điện ngắn mạch và do đó được đo\r\nđạc mà không cần kết nối với EUT. Trong trường hợp một nguồn AC hoặc DC cung\r\ncấp cho sản phẩm mà xung sét tác động tới đường cấp nguồn AC hoặc DC, đầu ra\r\nphải được xác định như trong Bảng 6 và 7. Trong trường hợp xung sét tác động\r\ntrực tiếp tới kết cuối đầu ra của bộ tạo sóng, dạng sóng phải được xác định như\r\ntrong Bảng 2. Dạng sóng không đáp ứng đồng thời các chỉ tiêu kỹ thuật cả ở đầu\r\nra bộ tạo sóng và đầu ra mạch tách/ghép, nhưng chỉ áp dụng cho EUT. Đặc tính kỹ\r\nthuật của dạng sóng được đáp ứng mà không cần kết nối tới EUT.
\r\n\r\nBộ tạo sóng này dùng để tạo một\r\nxung sét có: độ rộng sườn trước của điện áp hở mạch là 1,2
U: Nguồn điện áp cao
\r\n\r\nRc: Điện trở nạp
\r\n\r\nCc: Tụ lưu trữ năng\r\nlượng
\r\n\r\nRs: Điện trở định dạng\r\nđộ rộng xung
\r\n\r\nRm: Điện trở phối hợp\r\ntrở kháng
\r\n\r\nLr: Cuộn cảm định dạng\r\nthời gian tăng
\r\n\r\nHình\r\n1 - Sơ đồ nguyên lý bộ tạo sóng kết hợp (1,2/50 ms - 8/20 ms)
\r\n\r\nThông thường, trở kháng đầu ra hiệu\r\ndụng của bộ tạo sóng được xác định bằng cách tính tỷ số giữa điện áp đầu ra hở\r\nmạch (giá trị đỉnh) và dòng điện ngắn mạch (giá trị đỉnh). Đối với bộ tạo sóng\r\nnày, trở kháng đầu ra hiệu dụng là 2 W.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Dạng sóng điện áp và\r\ndòng điện là một hàm của trở kháng đầu vào EUT. Khi đưa xung vào thiết bị, trở\r\nkháng này có thể thay đổi do hiệu quả hoạt động của thiết bị bảo vệ hoặc do sự\r\nphóng điện hoặc đánh hỏng các linh kiện khi thiết bị bảo vệ không hoạt động\r\nhoặc không có thiết bị bảo vệ. Vì vậy, cả sóng điện áp 1,2/50
6.1.1. Các đặc tính và chỉ tiêu\r\nkỹ thuật của bộ tạo sóng kết hợp
\r\n\r\n| \r\n Cực tính \r\n | \r\n \r\n Dương và âm \r\n | \r\n
| \r\n Dịch pha \r\n | \r\n \r\n Trong một dải 00 tới\r\n 3600 so với góc pha của điện áp đường AC cấp cho EUT, với sai số ±\r\n 10% \r\n | \r\n
| \r\n Tốc độ lặp lại \r\n | \r\n \r\n Ít nhất 1 lần/phút \r\n | \r\n
| \r\n Điện áp đỉnh đầu ra hở mạch \r\n | \r\n \r\n Điều chỉnh từ 0,5 kV tới mức thử\r\n yêu cầu \r\n | \r\n
| \r\n Dạng sóng của xung áp \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 2 và Hình 2 \r\n | \r\n
| \r\n Dung sai điện áp đầu ra hở mạch \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 3 \r\n | \r\n
| \r\n Dòng điện đỉnh đầu ra ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n Phụ thuộc điện áp đỉnh đầu ra hở\r\n mạch (xem Bảng 2 và 3) \r\n | \r\n
| \r\n Dạng sóng của xung dòng \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 2 và Hình 3 \r\n | \r\n
| \r\n Dung sai dòng điện đầu ra ngắn\r\n mạch \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 3 \r\n | \r\n
| \r\n Trở kháng đầu ra hiệu dụng \r\n | \r\n \r\n 2 W\r\n ± 10% \r\n | \r\n
Bảng\r\n2 - Định nghĩa các tham số dạng sóng 1,2/50 ms - 8/20 ms
\r\n\r\n| \r\n Định\r\n nghĩa \r\n | \r\n \r\n Theo\r\n IEC 60060-1 \r\n | \r\n \r\n Theo\r\n IEC 60469-1 \r\n | \r\n ||
| \r\n Độ\r\n rộng sườn trước, ms \r\n | \r\n \r\n Thời\r\n gian để biên độ xung giảm đi một nửa, ms \r\n | \r\n \r\n Thời\r\n gian tăng (10%-90%), ms \r\n | \r\n \r\n Độ\r\n rộng xung (50%-50%), ms \r\n | \r\n |
| \r\n Điện\r\n áp hở mạch \r\n | \r\n \r\n 1,2\r\n ± 3% \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ± 20% \r\n | \r\n \r\n 1 ±\r\n 30% \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ± 20% \r\n | \r\n
| \r\n Dòng\r\n điện ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n 8 ±\r\n 20% \r\n | \r\n \r\n 20\r\n ± 20% \r\n | \r\n \r\n 6,4\r\n ± 20% \r\n | \r\n \r\n 16\r\n ± 20% \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: Trong các tiêu chuẩn\r\n IEC, các dạng sóng 1,2/50 ms và 8/20 Cả hai định nghĩa này đều phù hợp\r\n với tiêu chuẩn này và mô tả một bộ tạo tín hiệu. \r\n | \r\n ||||
Bảng\r\n3 - Quan hệ giữa điện áp đỉnh hở mạch và dòng điện đỉnh ngắn mạch
\r\n\r\n| \r\n Điện\r\n áp đỉnh hở mạch ± 10% \r\n | \r\n \r\n Dòng\r\n điện đỉnh ngắn mạch ± 10% \r\n | \r\n
| \r\n 0,5\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 0,25\r\n kA \r\n | \r\n
| \r\n 1,0\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 0,5\r\n kA \r\n | \r\n
| \r\n 2,0\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 1,0\r\n kA \r\n | \r\n
| \r\n 4,0\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 2,0\r\n kA \r\n | \r\n
Dòng điện đỉnh ngắn mạch phải như\r\nthể hiện trong Bảng 3 khi điện áp đỉnh hở mạch được quy định.
\r\n\r\nBộ tạo tín hiệu với đầu ra tự do\r\nphải được sử dụng.
\r\n\r\nĐộ\r\nrộng sườn trước: T1 = 1,67 x T = 1,2 ms\r\n± 30%
\r\n\r\nThời\r\ngian để biên độ xung giảm đi một nửa: T2 = 50
CHÚ THÍCH: Dạng sóng điện áp hở\r\nmạch ở đầu ra của mạch tách/ghép có thể chậm sau đáng kể, theo đường cong như\r\ntrên Hình 3.
\r\n\r\nHình\r\n2 - Dạng sóng điện áp hở mạch (1,2/50 ms)\r\nở đầu ra của bộ tạo sóng không có CDN kết nối (định nghĩa dạng sóng theo IEC\r\n60060-1)
\r\n\r\nĐộ\r\nrộng sườn trước: T1 = 1,25 x T = 8 ms\r\n± 20%
\r\n\r\nThời\r\ngian để biên độ xung giảm đi một nửa: T2 = 20
CHÚ THÍCH: Đặc tính chậm sau 30%\r\nchỉ áp dụng tại đầu ra của bộ tạo sóng. Tại đầu ra của mạch tách/ghép sẽ không\r\ncó giới hạn về chậm sau hay vượt trước.
\r\n\r\nHình\r\n3 - Dạng sóng dòng điện ngắn mạch (8/20 ms)\r\nở đầu ra của bộ tạo sóng không có CDN kết nối (định nghĩa dạng sóng theo IEC\r\n60060-1)
\r\n\r\n6.1.2. Hiệu chuẩn bộ tạo sóng
\r\n\r\nĐể so sánh kết quả thử của các bộ\r\ntạo sóng thử khác nhau, bộ tạo sóng thử phải được hiệu chuẩn định kỳ. Do đó,\r\nquy trình sau đây là cần thiết để đo các đặc tính thiết yếu nhất của bộ tạo\r\nsóng thử.
\r\n\r\nĐầu ra bộ tạo sóng thử phải được\r\nnối tới hệ thống đo có độ rộng băng tần và thang điện áp đủ lớn để kiểm tra các\r\nđặc tính của dạng sóng.
\r\n\r\nCác đặc tính của bộ tạo sóng phải\r\nđược đo ở các điều kiện hở mạch (tải lớn hơn hoặc bằng 10 k
Các định nghĩa dạng sóng và các\r\nthông số chất lượng quy định trong 6.1.1 và 6.1.2 tương ứng phải được đáp ứng\r\ntại đầu ra của bộ tạo sóng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Khi thêm một điện trở\r\nbên trong hoặc bên ngoài vào đầu ra của bộ tạo sóng để tăng trở kháng nguồn\r\nhiệu dụng từ 2 W lên ví dụ 42
CHÚ THÍCH 2: Các đặc tính của bộ\r\ntạo sóng kết hợp trong điều này có thể được dùng cho mục đích kiểm tra.
\r\n\r\n6.2. Bộ tạo sóng kết hợp 10/700
Bộ tạo sóng kết hợp 10/700
Sơ đồ mạch của bộ tạo sóng được cho\r\ntrong Hình 4. Trị số của các thành phần được lựa chọn sao cho bộ tạo sóng tạo\r\nra được dạng xung 10/700 ms.
\r\n\r\nU: Nguồn điện áp cao
\r\n\r\nRc: Điện trở nạp
\r\n\r\nCc: Tụ lưu trữ năng\r\nlượng
\r\n\r\nRs: Điện trở định dạng\r\nđộ rộng xung
\r\n\r\nRm: Điện trở phối hợp\r\ntrở kháng
\r\n\r\nCs: Tụ điện định dạng\r\nthời gian tăng
\r\n\r\nS1: Khóa đóng khi dùng\r\ncác điện trở phối hợp trở kháng ngoài
\r\n\r\nHình\r\n4 - Sơ đồ nguyên lý mạch điện của bộ tạo sóng kết hợp (10/700
6.2.1. Các đặc tính và chỉ tiêu\r\nkỹ thuật của bộ tạo sóng
\r\n\r\n| \r\n Cực tính \r\n | \r\n \r\n Dương / âm \r\n | \r\n
| \r\n Tốc độ lặp lại \r\n | \r\n \r\n Ít nhất 1 lần/phút \r\n | \r\n
| \r\n Điện áp đỉnh đầu ra hở mạch \r\n | \r\n \r\n Điều chỉnh từ 0,5 kV tới mức thử\r\n yêu cầu \r\n | \r\n
| \r\n Dạng sóng của xung áp \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 4 và Hình 5 \r\n | \r\n
| \r\n Dung sai điện áp đầu ra hở mạch \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 5 \r\n | \r\n
| \r\n Dòng điện đỉnh đầu ra ngắn mạch: \r\n | \r\n \r\n Phụ thuộc điện áp đỉnh đầu ra hở\r\n mạch (xem Bảng 4 và 5) \r\n | \r\n
| \r\n Dung sai dòng điện đầu ra ngắn\r\n mạch \r\n | \r\n \r\n Xem Bảng 5 \r\n | \r\n
| \r\n Trở kháng đầu ra hiệu dụng \r\n | \r\n \r\n 40 W\r\n ± 10% đối với chỉ đầu ra bộ tạo sóng \r\n | \r\n
CHÚ THÍCH: Trở kháng ra hiệu dụng\r\nbao gồm các điện trở 15 W (Rm1)\r\nvà 25 W (Rm2) bên trong.\r\nĐiện trở Rm2 có thể bỏ qua, mắc song song hoặc ngắn mạch và được\r\nthay thế bởi các điện trở ghép bên ngoài khi dùng ghép nhiều - xem Hình 14.
\r\n\r\nĐộ\r\nrộng sườn trước: T1 = 1,67 x T = 10 ms\r\n± 30%
\r\n\r\nThời\r\ngian để biên độ xung giảm đi một nửa: T2 = 700
Hình\r\n5 - Dạng sóng điện áp hở mạch (10/700 ms)\r\n(định nghĩa dạng sóng theo IEC 60060-1)
\r\n\r\nĐộ\r\nrộng sườn trước: T1 = 1,25 x T = 5 ms\r\n± 20%
\r\n\r\nThời\r\ngian để biên độ xung giảm đi một nửa: T2 = 320
CHÚ THÍCH: Theo IEC 60060-1 chỉ\r\ntiêu kỹ thuật của dạng sóng định nghĩa là 5/320 ms,\r\ntrong khi theo IEC 60469-1 định nghĩa là 4/300 ms.\r\nNgoài ra, dạng sóng này được đo với chuyển mạch S1 trong Hình 4 được mở.
\r\n\r\nHình\r\n6 - Dạng sóng dòng điện ngắn mạch (5/320 ms)\r\n(định nghĩa dạng sóng theo IEC 60060-1)
\r\n\r\nBảng\r\n4 - Các định nghĩa tham số dạng sóng 10/700 ms - 5/320 ms
\r\n\r\n| \r\n Định\r\n nghĩa \r\n | \r\n \r\n Theo\r\n Khuyến nghị ITU-T loạt K và IEC 60060-1 \r\n | \r\n \r\n Theo\r\n IEC 60469-1 \r\n | \r\n ||
| \r\n Độ\r\n rộng sườn trước, ms \r\n | \r\n \r\n Thời\r\n gian để biên độ xung giảm đi một nửa, ms \r\n | \r\n \r\n Thời\r\n gian tăng (10%-90%), ms \r\n | \r\n \r\n Độ\r\n rộng xung (50%-50%), ms \r\n | \r\n |
| \r\n Điện\r\n áp hở mạch \r\n | \r\n \r\n 10\r\n ± 30% \r\n | \r\n \r\n 700\r\n ± 20% \r\n | \r\n \r\n 6,5\r\n ± 30% \r\n | \r\n \r\n 700\r\n ± 20% \r\n | \r\n
| \r\n Dòng\r\n điện ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n 5 ±\r\n 20% \r\n | \r\n \r\n 320\r\n ± 20% \r\n | \r\n \r\n 4 ±\r\n 20% \r\n | \r\n \r\n 300\r\n ± 20% \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: Trong các tiêu chuẩn\r\n hiện tại của IEC và ITU-T, dạng sóng 10/700 ms\r\n thường được định nghĩa theo IEC 60060-1 như trong Hình 5 và Hình 6. Các\r\n khuyến nghị khác của IEC được dựa trên các định nghĩa về dạng sóng theo IEC\r\n 60469-1 như trong Bảng 4. \r\nCả hai định nghĩa này đều phù hợp\r\n với tiêu chuẩn này và chỉ mô tả một bộ tạo tín hiệu. \r\n | \r\n ||||
Bảng\r\n5 - Quan hệ giữa điện áp đỉnh hở mạch và dòng điện đỉnh ngắn mạch
\r\n\r\n| \r\n Điện\r\n áp đỉnh hở mạch ± 10% \r\n | \r\n \r\n Dòng\r\n điện đỉnh ngắn mạch ± 10% \r\n | \r\n
| \r\n 0,5\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 1,25\r\n A \r\n | \r\n
| \r\n 1,0\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 25\r\n A \r\n | \r\n
| \r\n 2,0\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 50\r\n A \r\n | \r\n
| \r\n 4,0\r\n kV \r\n | \r\n \r\n 100\r\n A \r\n | \r\n
CHÚ THÍCH: Dòng điện đỉnh ngắn mạch\r\nđược đo khi chuyển mạch S1 của Hình 4 mở.
\r\n\r\nDòng điện đỉnh ngắn mạch được thể\r\nhiện trong Bảng 5 khi điện áp đỉnh hở mạch là quy định.
\r\n\r\n6.2.2. Hiệu chuẩn bộ tạo sóng
\r\n\r\nĐể so sánh kết quả thử của các bộ\r\ntạo sóng khác nhau, các bộ tạo sóng phải được hiệu chuẩn định kỳ. Để thực hiện\r\nđiều này, cần đo các đặc tính chính của bộ tạo sóng dùng các thủ tục sau:
\r\n\r\nĐầu ra của bộ tạo sóng phải kết nối\r\ntới hệ thống đo với đủ băng thông và điện áp để giám sát đặc tính dạng sóng.
\r\n\r\nCác đặc tính của bộ tạo sóng phải\r\nđược đo với điều kiện hở mạch (tải lớn hơn hoặc bằng 10 k
Tất cả định nghĩa dạng sóng cũng\r\nnhư tham số chất lượng đưa ra trong 6.2.1 và 6.2.2 phải được đáp ứng ở đầu ra\r\ncủa bộ tạo sóng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các đặc tính của bộ tạo\r\nsóng kết hợp trong mục này có thể được dùng cho việc kiểm tra.
\r\n\r\n6.3. Các mạch tách/ghép
\r\n\r\nMỗi mạch tách ghép (CDN) gồm một\r\nmạch tách và một mạch ghép như biểu diễn trên các Hình 7 đến 15.
\r\n\r\nHình\r\n7 - Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường\r\nAC/DC; ghép dây-dây (theo 7.2)
\r\n\r\nHình\r\n8 - Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường\r\nAC/DC; ghép dây-đất (theo 7.2)
\r\n\r\nHình\r\n9 - Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC\r\n(3 pha); ghép dây L3-dây L1 (theo 7.2)
\r\n\r\nDùng\r\nchuyển mạch S2 để lựa chọn thử riêng từng đường.
\r\n\r\nHình\r\n10 - Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC\r\n(3 pha); ghép dây L3-đất (theo 7.2); đầu ra bộ tạo sóng được nối đất
\r\n\r\n1)\r\nKhóa S1
\r\n\r\n*\r\ndây - đất: vị trí 0
\r\n\r\n*\r\ndây - dây: vị trí 1 đến 4
\r\n\r\n2)\r\nKhóa S2
\r\n\r\n*\r\nTrong quá trình thử đặt ở vị trí từ 1 đến 4 nhưng không cùng vị trí với khóa S1
\r\n\r\n3) L\r\n= 20 mH, RL là thành phần điện trở của cuộn dây L
\r\n\r\nHình\r\n11 - Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây nối không đối xứng không có\r\nlớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo 7.3), ghép qua các tụ
\r\n\r\n1)\r\nKhóa S1
\r\n\r\n*\r\ndây - đất: vị trí 0
\r\n\r\n*\r\ndây - dây: vị trí 1 đến 4
\r\n\r\n2)\r\nKhóa S2
\r\n\r\n*\r\nTrong quá trình thử đặt ở vị trí từ 1 đến 4 nhưng không cùng vị trí với khóa S1
\r\n\r\n3) L\r\n= 20 mH, RL là thành phần điện trở của cuộn dây L
\r\n\r\nHình\r\n12 - Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây không đối xứng, không có lớp\r\nche chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo 7.3), ghép qua các bộ triệt xung
\r\n\r\n1)\r\nKhóa 1
\r\n\r\n*\r\ndây - đất: vị trí 0
\r\n\r\n*\r\ndây - dây: vị trí 1 đến 4
\r\n\r\n2)\r\nKhóa 2
\r\n\r\n*\r\nTrong quá trình thử đặt ở vị trí từ 1 đến 4 nhưng không cùng vị trí với khóa S1
\r\n\r\n3) L\r\n= 20 mH, RL là thành phần điện trở của cuộn dây L
\r\n\r\nHình\r\n13 - Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây nối không đối xứng, không có\r\nlớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo 7.3), ghép qua mạch giới hạn.
\r\n\r\nTính Rm2 khi dùng CWG\r\n(Bộ tạo sóng 1,2/50 ms)
\r\n\r\nVí dụ với n = 4;
\r\n\r\nRm2 = 4 x 40
Tính Rm2 khi sử dụng\r\nCWG (Bộ tạo sóng 10/700 ms)
\r\n\r\nĐiện trở phối hợp trong Rm2\r\n(25 W) được thay thế bởi điện trở ngoài\r\nRm2 = n x 25 W trên mỗi dây\r\n(cho n dây dẫn, n ³ 2).
\r\n\r\nVí dụ với n = 4:
\r\n\r\nRm2 = 4 x 25
L = 20 mH, dòng bù có thể gồm tất\r\ncả 4 cuộn hoặc chỉ các cặp biểu diễn trên hình bị ảnh hưởng
\r\n\r\nRL: có giá trị phụ thuộc\r\nvào việc suy hao tín hiệu truyền dẫn
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các bộ triệt xung có thể\r\nđược thay thế bởi một mạch hạn chế như trên Hình 13.
\r\n\r\nHình\r\n14 - Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây đối xứng, không có lớp che\r\nchắn (các đường dây thông tin); ghép dây-dây/dây-đất (theo 7.4), ghép qua các\r\nbộ triệt xung
\r\n\r\nBiểu tượng dạng như ổ cắm trên hình\r\nvẽ là các điểm kết nối.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: L2 là 4 cuộn cảm bù\r\ndòng để tránh sự bão hòa của cuộn dây do nguồn nuôi ảo. Hơn nữa L2 có thành\r\nphần điện trở thấp. Ví dụ các điện trở << 1 W nối song song với L2 có thể làm giảm điện trở tổng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: RA và RB\r\ncó giá trị thấp nhất có thể để chống dao động hoặc vang.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: RC và RD\r\nlà các điện trở cách ly có giá trị 80 W.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 4: Không khuyến nghị dùng\r\nsơ đồ này với dạng sóng hình sin 10/700 ms\r\ncác cuộn cảm sẽ giống như bão hòa.
\r\n\r\nHình\r\n15 - Ví dụ về mạch tách/ghép cho đường dây thông tin tốc độ cao đối xứng dùng\r\nxung 1,2/50 ms
\r\n\r\nTrên đường cấp nguồn AC hoặc DC,\r\nmạch tách cung cấp trở kháng ngược cao đối với dạng sóng xung nhưng đồng thời,\r\ncho phép dòng DC hoặc AC chính chảy tới EUT. Trở kháng ngược cho phép dạng sóng\r\náp ở đầu ra của mạch tách/ghép và ngăn chặn dòng xung sét quay trở vào nguồn AC\r\nhoặc DC. Các tụ điện áp cao được dùng như là phần tử ghép, độ lớn cho phép toàn\r\nbộ khoảng thời gian tồn tại của xung được ghép tới EUT. Mạch tách/ghép đối với\r\ncác đường cấp nguồn AC hoặc DC phải được thiết kế sao cho điện áp mở mạch và\r\ndòng điện ngắn mạch phù hợp các yêu cầu chịu đựng ở Bảng 6 và 7.
\r\n\r\nĐối với các đường thông tin và I/O,\r\ncác trở kháng của mạch tách sẽ giới hạn băng thông khả dụng truyền dữ liệu.\r\nĐiều 6.3.4 mô tả một thủ tục dùng trong trường hợp không thực hiện được phép\r\nthử với mạch tách/ghép ở nơi đó. Các phần tử ghép có thể là các tụ điện, trong\r\ntrường hợp tải của đường dây là điện dung (6.3.2.1), hoặc bộ triệt xung\r\n(6.3.2.2 và 6.3.2.3). Khi ghép với các dây nối, dạng sóng có thể bị méo do cơ\r\nchế ghép như mô tả ở 6.3.2.
\r\n\r\nMỗi mạch tách/ghép phải thỏa mãn\r\ncác yêu cầu từ 6.3.1 đến 6.3.3. Cách dùng tùy theo biểu đồ sau:
\r\n\r\n6.3.1. Mạch tách/ghép dùng cho\r\ncác mạch cung cấp nguồn AC/DC
\r\n\r\nPhải kiểm tra độ rộng sườn trước và\r\nthời gian để biên độ xung giảm xuống một nửa đối với điện áp ở các điều kiện hở\r\nmạch và dòng điện ở các điều kiện ngắn mạch ở cổng ra của EUT. Đặc tính chậm\r\nsau 30% chỉ áp dụng tại đầu ra của bộ tạo sóng. Ở đầu ra của mạch tách/ghép\r\nkhông có giới hạn về chậm sau hoặc vượt trước. Đầu ra của bộ tạo tín hiệu thử\r\nhoặc mạch ghép của nó phải được nối tới hệ thống đo có độ rộng băng tần và\r\nthang điện áp đủ lớn để kiểm tra dạng sóng điện áp hở mạch.
\r\n\r\nĐối với việc ghép dây-dây, xung phải\r\nđược ghép qua tụ 18 mF như trên Hình 7\r\nvà 9.
\r\n\r\nĐối với việc ghép dây-đất, xung\r\nphải được ghép qua tụ 9 mF và một điện\r\ntrở 10 W mắc nối tiếp, như trên Hình 8\r\nvà 10.
\r\n\r\nĐiện cảm ghép phải được lựa chọn\r\ntheo nhà sản xuất để điện áp rơi AC ở kết nối EUT của mạng tách/ghép ít hơn 10%\r\nở dòng định mức xác định, nhưng không được vượt quá 1,5 mH.
\r\n\r\nĐể hạn chế điện áp rơi không mong\r\nmuốn trong mạng tách/ghép, giá trị phần tử tách thường phải giảm đối với mạch\r\ntách/ghép ở > 25 A. Đối với trường hợp này, "thời gian để giảm nửa biên\r\nđộ" của dạng sóng điện áp hở mạch có thể giảm theo Bảng 6 và 7 dưới đây:
\r\n\r\nBảng\r\n6 - Đặc tính dạng sóng điện áp ở cổng EUT của mạch tách/ghép
\r\n\r\n| \r\n Tham\r\n số xung điện áp trong điều kiện hở mạch \r\n | \r\n \r\n Trở\r\n kháng ghép \r\n | \r\n |
| \r\n 18\r\n mF \r\n | \r\n \r\n 9\r\n mF + 10 | \r\n |
| \r\n Độ rộng sườn trước \r\n | \r\n \r\n 1,2\r\n ms ± 30% \r\n | \r\n \r\n 1,2\r\n ms ± 30% \r\n | \r\n
| \r\n Thời gian biên độ xung giảm một\r\n nửa: \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Dòng danh định < 25 A \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ms + 10 ms/-10 ms \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ms + 10 ms/-25 ms \r\n | \r\n
| \r\n Dòng danh định 25 A - 60 A \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ms + 10 ms/-15 ms \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ms + 10 ms/-30 ms \r\n | \r\n
| \r\n Dòng danh định 60 A - 100 A \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ms + 10 ms/-20 ms \r\n | \r\n \r\n 50\r\n ms + 10 ms/-35 ms \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: Đo các tham số xung\r\n điện áp phải thực hiện với điều kiện hở mạch cổng vào cấp nguồn của mạch\r\n tách/ghép \r\n | \r\n ||
Bảng\r\n7 - Đặc tính dạng sóng dòng điện ở cổng EUT của mạch tách/ghép
\r\n\r\n| \r\n Tham\r\n số xung dòng điện trong điều kiện ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n Trở\r\n kháng ghép \r\n | \r\n |
| \r\n 18\r\n mF \r\n | \r\n \r\n 9\r\n mF + 10 | \r\n |
| \r\n Độ rộng sườn trước \r\n | \r\n \r\n 8 | \r\n \r\n 2,5\r\n ms ± 30% \r\n | \r\n
| \r\n Thời gian biên độ xung giảm một\r\n nửa \r\n | \r\n \r\n 20\r\n ms ± 20% \r\n | \r\n \r\n 25\r\n ms ± 30% \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: Việc đo các tham số\r\n xung dòng điện phải thực hiện trong điều kiện hở mạch cổng vào cấp nguồn của\r\n mạch tách/ghép \r\n | \r\n ||
CHÚ THÍCH: Đối với các EUT có dòng\r\nđiện đầu vào danh định trên 100 A, việc ghép trực tiếp xung vào EUT không được\r\ncấp nguồn không dùng mạch tách/ghép là phương pháp thử hợp lý. Tiêu chí không\r\nthực hiện được trong điều 9 chỉ áp dụng cho thiết bị cấp nguồn, tuy nhiên nếu\r\nmột EUT được thử trong điều kiện không cấp nguồn, khoản d) trong điều 9 phải áp\r\ndụng sau khi bật EUT trở lại. Từng phép thử EUT (ví dụ khối điều khiển đơn lẻ)\r\nđược chấp nhận khi không thể thử toàn bộ hệ thống do dòng điện AC chính yêu cầu\r\nlớn hơn 100 A.
\r\n\r\nĐiện áp xung dư trên các đầu vào\r\ncấp nguồn của mạch tách khi đã ngắt EUT không được vượt quá 15% điện áp thử\r\nhoặc hai lần điện áp đỉnh danh định của mạch tách/ghép (chọn giá trị lớn hơn).
\r\n\r\nĐiện áp xung dư trên các đường dây\r\nchưa ghép xung không được vượt quá 15% điện áp thử lớn nhất khi ngắt đã EUT và\r\nhở mạch đầu vào mạch tách/ghép.
\r\n\r\nCác đặc tính nói trên đối với hệ\r\nthống nguồn 1 pha (pha, trung tính, đất bảo vệ) cũng đúng đối với hệ thống\r\nnguồn 3 pha (các dây pha, trung tính và đất bảo vệ).
\r\n\r\n6.3.2. Mạch tách/ghép dùng cho\r\ncác đường dây liên kết
\r\n\r\nPhương pháp ghép được lựa chọn tùy\r\ntheo chức năng của mạch và các điều kiện hoạt động. Điều này phải được quy định\r\ntrong tài liệu kỹ thuật sản phẩm.
\r\n\r\nViệc sử dụng mạch tách ghép dùng\r\nphương pháp ghép điện dung có thể không cho các kết quả giống như ghép qua bộ\r\ntriệt xung. Nếu dùng phương pháp riêng, cần xác định rõ trong tiêu chuẩn sản\r\nphẩm. Trong trường hợp này, phương pháp ghép được sử dụng cần được ghi trong\r\nbiên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nCó thể sử dụng các điện cảm bù dòng\r\ntrong mạch tách nếu đường tín hiệu là đối xứng.
\r\n\r\n6.3.2.1. Phương pháp ghép điện dung
\r\n\r\nKhi không có ảnh hưởng đến việc\r\nliên lạc trên dây, phương pháp ghép điện dung là phương pháp rất thích hợp đối\r\nvới các mạch I/O có dây không cân bằng, không có lớp che chắn. Việc thử được\r\nthực hiện theo Hình 11 đối với phương pháp ghép kiểu dây-dây và phương pháp\r\nghép kiểu dây-đất.
\r\n\r\nCác đặc tính chủ yếu của mạch\r\ntách/ghép điện dung:
\r\n\r\n- Phần tử ghép: R = 40
- Cuộn cảm tách: L = 20 mH.
\r\n\r\n6.3.2.2. Phương pháp ghép qua thiết\r\nbị giới hạn
\r\n\r\nPhương pháp này có thể được dùng\r\ntrong trường hợp không thể thực hiện ghép điện dung do các vấn đề chức năng gây\r\nra khi nối các tụ với EUT (xem Hình 11). Một số thiết bị giới hạn có điện dung\r\nkí sinh thấp cho phép kết nối tới nhiều loại đường dây I/O.
\r\n\r\nKhi ghép dùng thiết bị giới hạn, tụ\r\nđiện trong Hình 11 được thay thế bởi thiết bị hoặc mạch giới hạn đơn như trên\r\nHình 13.
\r\n\r\nĐiện áp giới hạn của thiết bị phải\r\nđược chọn đủ thấp nhưng cao hơn điện áp làm việc lớn nhất của đường dây được thử.
\r\n\r\nCác đặc tính chủ yếu của mạch\r\nghép/tách dùng thiết bị giới hạn:
\r\n\r\n- Điện trở ghép, R = 40
- Cuộn cảm tách, L = 20 mH.
\r\n\r\nDạng xung ở đầu ra EUT của thiết bị\r\nkẹp phụ thuộc vào biên độ xung và đặc tính của chính thiết bị kẹp; vì vậy,\r\nkhông thể xác định dạng sóng và dung sai.
\r\n\r\n6.3.2.3. Các phương pháp ghép dùng\r\nthiết bị thác
\r\n\r\nPhương pháp này được dùng trong\r\ntrường hợp không thể ghép điện dung do các vấn đề về chức năng gây ra khi nối\r\ncác tụ điện với EUT (xem Hình 11). Các thiết bị thác silic hoặc các bộ triệt\r\nxung phóng khí có điện dung kí sinh thấp cho phép kết nối tới hầu hết các loại\r\nđường dây I/O. Tuy nhiên các bộ triệt xung khí có khí tiêu biểu có điện áp đốt\r\ncháy cao vì vậy sẽ ảnh hưởng tới dạng sóng xung ghép.
\r\n\r\nHình 12 biểu diễn phương pháp ghép\r\ndùng bộ triệt xung.
\r\n\r\nĐiện áp hoạt động của bộ triệt xung\r\nphải được lựa chọn đủ thấp nhưng cao hơn điện áp làm việc cao nhất của đường\r\ndây được thử.
\r\n\r\nCác đặc tính được khuyến nghị của\r\nmạch tách ghép:
\r\n\r\n- Trở kháng ghép: R = 40
- Điện cảm tách: L = 20 mH.
\r\n\r\nDạng xung ở đầu ra EUT của thiết bị\r\nthác phụ thuộc vào biên độ xung và đặc tính của chính thiết bị thác; vì vậy,\r\nkhông thể xác định dạng sóng và dung sai.
\r\n\r\n6.3.3. Mạch tách/ghép dùng bộ\r\ntriệt xung dùng cho đường dây đối xứng
\r\n\r\nViệc ghép dùng bộ triệt xung là\r\nphương pháp ghép thích hợp cho các mạch đối xứng không có che chắn (mạch thông\r\ntin), như trên Hình 14.
\r\n\r\nMạch ghép cũng có nhiệm vụ phân\r\nchia dòng xung trong trường hợp cáp nhiều sợi.
\r\n\r\nVì vậy, điện trở Rm2\r\ntrong mạch ghép có n dây ghép phải là n x 40 W\r\n(với n ³ 2. Rm2 không được\r\nvượt quá 250 W.
\r\n\r\nVí dụ 1: Đối với các xung 1,2/50
Ví dụ 2: Đối với các xung 10/700
Các đặc tính chủ yếu của mạch\r\ntách/ghép:
\r\n\r\n- Trở kháng ghép: Rm2\r\ncộng với trở kháng của bộ triệt xung.
\r\n\r\n- Điện cảm tách: L = 20 mH.
\r\n\r\nDạng xung ở đầu ra EUT của bộ triệt\r\nxung phụ thuộc biên độ xung và các đặc tính của chính bộ triệt xung; vì vậy,\r\nkhông thể xác định dạng sóng và dung sai.
\r\n\r\n6.3.4. Mạch tách/ghép dùng cho\r\ncác đường dây thông tin tốc độ cao.
\r\n\r\nDo ràng buộc về mặt vật lý, hầu hết\r\ncác mạch tách/ghép bị giới hạn tần số làm việc lên tới khoảng 100 kHz. Trong\r\ncác trường hợp đó không có mạch tách/ghép thích hợp cho mục đích thương mại,\r\ncác xung phải được dùng trực tiếp cho cổng dữ liệu thông tin tốc độ cao.
\r\n\r\nPhương pháp ghép phải được chọn\r\ntheo chức năng của mạch và điều kiện làm việc. Điều này phải xác định trong chỉ\r\ntiêu của sản phẩm.
\r\n\r\nNếu không ảnh hưởng tới việc truyền\r\ntin, có thể dùng mạch tách ghép như trên Hình 15 cho các đường dây tốc độ cao.
\r\n\r\n\r\n\r\nNếu một trong số các phương pháp\r\nghép chỉ ra trong điều này được dùng cho lý do thực tế, các phương pháp khác\r\n(phù hợp cho trường hợp cụ thể) phải được phát triển bởi tiểu ban về sản phẩm\r\nvà các kết quả tương ứng phải được thay thế cho các tiêu chuẩn về sản phẩm hoặc\r\nhọ sản phẩm. Điều này cũng cần thiết để xác định chỉ tiêu kỹ thuật.
\r\n\r\n7.1. Thiết bị thử
\r\n\r\nCấu hình thử bao gồm các thiết bị\r\nchủ yếu sau:
\r\n\r\n- Thiết bị được thử (EUT);
\r\n\r\n- Thiết bị phụ trợ (AE) khi yêu\r\ncầu;
\r\n\r\n- Cáp (chủng loại và chiều dài theo\r\nquy định);
\r\n\r\n- Thiết bị ghép;
\r\n\r\n- Bộ tạo sóng kết hợp;
\r\n\r\n- Mạch tách/các thiết bị bảo vệ;
\r\n\r\n- Đất chuẩn với hình dạng tấm kim\r\nloại phù hợp đối các trường hợp tần số cao (ví dụ: ghép qua bộ triệt xung có\r\nkhí) và đối với các phép thử cho đường dây có che chắn như mô tả trong 7.6.1\r\ndưới đây và Hình 17. Kết nối tới đất chuẩn chỉ yêu cầu khi EUT được lắp đặt\r\nthông thường.
\r\n\r\n7.2. Cấu hình thử đối với cổng\r\nnguồn của EUT
\r\n\r\nXung 1,2/50 ms được đưa vào các cực nguồn của EUT qua mạch ghép điện dung\r\n(xem Hình 7, 8, 9 và 10). Phải sử dụng các mạch tách để không làm ảnh hưởng đến\r\ncác thiết bị không được thử có chung dây nguồn và để có trở kháng tách đối với\r\nsóng xung đủ lớn để sóng xung theo quy định có thể đi vào các dây cần thử.
\r\n\r\nNếu không có quy định khác, dây nối\r\ngiữa EUT và mạch tách/ghép phải nhỏ hơn hoặc bằng 2 m.
\r\n\r\nĐối với mục đích của tiêu chuẩn\r\nnày, các cổng nguồn được thử chỉ là các cổng kết nối trực tiếp tới nguồn AC\r\nchính hoặc hệ thống cấp nguồn DC.
\r\n\r\nĐối với các sản phẩm cách ly kép\r\nkhông có dây PE hoặc nối đất bên ngoài, phép thử phải được thực hiện theo cách\r\ngiống như các sản phẩm nối đất nhưng không có bất kỳ kết nối đất bên ngoài nào.\r\nNếu không có khả năng kết nối tới đất, phép thử dây-đất có thể được bỏ qua.
\r\n\r\n7.3. Cấu hình thử đối với các\r\nđường dây liên kết không đối xứng, không có che chắn
\r\n\r\nThông thường, xung được đưa vào\r\nđường dây bằng phương pháp ghép điện dung (Hình 11). Mạch tách/ghép không được\r\nảnh hưởng đến điều kiện hoạt động của các mạch được thử.
\r\n\r\nMột cấu hình thử khác đưa ra trên\r\nHình 12 và 13 dùng cho các mạch có tốc độ truyền dẫn cao hơn. Việc lựa chọn\r\nphương pháp ghép tùy theo tải điện dung tương ứng với tần số truyền dẫn. Sự lựa\r\nchọn này giảm tải điện dung trên EUT và phù hợp hơn cho các mạch tần số cao.
\r\n\r\nNếu không có quy định khác, dây nối\r\ngiữa EUT và mạch tách/ghép phải nhỏ hơn hoặc bằng 2 m.
\r\n\r\n7.4. Cấu hình thử đối với các\r\nđường dây thông tin liên kết đối xứng, không có che chắn
\r\n\r\nThông thường người ta không sử dụng\r\nphương pháp ghép điện dung đối với các mạch thông tin/liên kết cân bằng (xem\r\nHình 14). Trong trường hợp này, việc ghép thực hiện qua các bộ triệt xung. Các\r\nmức thử thấp hơn điện áp đánh lửa của các bộ triệt xung được ghép (khoảng 300 V\r\nđối với bộ triệt xung 90 V) không được quy định (trừ trường hợp thiết bị bảo vệ\r\nthứ cấp không có các bộ triệt xung có khí).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần xem xét hai cấu hình\r\nthử sau:
\r\n\r\na) Cấu hình thử đối với phép thử\r\nkhả năng miễn nhiễm mức thiết bị, chỉ có thiết bị bảo vệ thứ cấp tại EUT, với\r\nmức thử thấp, ví dụ 0,5 kV hoặc 1 kV;
\r\n\r\nb) Cấu hình thử đối với phép thử\r\nkhả năng miễn nhiễm mức hệ thống, có thiết bị bảo vệ sơ cấp bổ sung, với mức\r\nthử cao hơn, ví dụ 2 kV hoặc 4 kV.
\r\n\r\nNếu không có quy định khác, dây nối\r\ngiữa EUT và mạch tách/ghép phải nhỏ hơn hoặc bằng 2 m.
\r\n\r\n7.5. Cấu hình thử đối với các\r\nđường dây thông tin tốc độ cao
\r\n\r\nCấu hình thử này dùng khi các mạch\r\ntách/ghép, ví dụ như trình bày trong Hình 15, không thể dùng do tốc độ dữ liệu\r\ncao hoặc tần số truyền dẫn cao.
\r\n\r\nTrước khi thử, cổng phải hoạt động\r\nchính xác; kết nối bên ngoài phải được gỡ bỏ và xung sét đưa trực tiếp vào các\r\ncực của cổng không qua mạch tách/ghép. Sau tác động của xung, cổng vẫn phải\r\nhoạt động chính xác.
\r\n\r\nEUT phải hoạt động đúng chức năng\r\ntrong suốt phép thử với cổng bị ngắt kết nối, tuy nhiên chú ý rằng một vài EUT\r\ncó thể cố gắng tắt hoặc ngắt kết nối cổng truyền tin bên trong nếu đường dữ\r\nliệu/truyền tin bị mất. Nếu có thể, biện pháp cần thực hiện là giữ cổng dữ\r\nliệu/truyền tin ở trạng thái tích cực trong khi thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các mạch tách/ghép gồm\r\ncác phần tử lọc thông thấp để hạn chế các thành phần tần số cao của xung, nhưng\r\ncho qua tín hiệu và nguồn tần số thấp hơn. Khi tần số tín hiệu mong muốn vượt\r\nquá 100 kHz hoặc tốc độ dữ liệu vượt quá 100 kbit/s, các thành phần của bộ lọc\r\nsẽ làm giảm đáng kể các tín hiệu mong muốn.
\r\n\r\n7.6. Cấu hình thử đối với các\r\nđường dây có che chắn
\r\n\r\nTrong trường hợp các đường dây có\r\nche chắn, có thể không sử dụng được mạch tách /ghép. Trường hợp này dùng cấu\r\nhình trong 7.6.1 hoặc 7.6.2.
\r\n\r\n7.6.1. Dùng trực tiếp
\r\n\r\nEUT được cách ly với đất và xung\r\nđưa vào vỏ kim loại của EUT; đầu cuối (hoặc thiết bị phụ trợ) ở cổng thử được\r\nnối đất. Phép thử này áp dụng cho thiết bị có cáp được che chắn đơn hoặc đa\r\n(xem Hình 16 và 17).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đất chuẩn trên Hình 16\r\nhoặc 17 tượng trưng cho trở kháng chuẩn thấp, thích hợp hơn thực hiện bởi cáp\r\nhoặc bảng đất.
\r\n\r\nTất cả các kết nối tới EUT khác\r\ncổng được thử phải được cách ly với đất bằng biện pháp phù hợp như biến áp cách\r\nly hoặc mạch tách/ghép phù hợp. Độ dài cáp giữa cổng được thử và thiết bị ghép\r\ntới điểm cuối khác của cáp (AE trên Hình 16 và 17) phải ngắn hơn độ dài tối đa\r\ncho phép theo đặc tính của EUT, hoặc 20 m. Khi độ dài lớn hơn 1 m, cáp phải\r\nđược bó lại sao cho không sinh ra độ tự cảm.
\r\n\r\nCác quy tắc đưa xung sét vào đường\r\ndây có che chắn:
\r\n\r\na) Vỏ che chắn tiếp đất ở cả hai\r\nđầu
\r\n\r\n- Việc đưa xung thử vào vỏ che chắn\r\nphải thực hiện theo Hình 16.
\r\n\r\nb) Vỏ che chắn tiếp đất ở một\r\nđầu
\r\n\r\n- Phép thử phải thực hiện theo Hình\r\n17. Nếu theo lắp đặt vỏ che chắn được nối chỉ ở thiết bị phụ trợ, phép thử phải\r\nđược thực hiện theo cấu hình này nhưng với bộ tạo sóng vẫn nối tới mặt EUT như\r\nHình 17. Nếu chiều dài cáp cho phép, cáp phải cách bảng đất hoặc khay cáp 0,1\r\nm.
\r\n\r\nMức thử đưa vào vỏ che chắn với trở\r\nkháng nguồn tạo sóng 2 W.
\r\n\r\nĐối với các sản phẩm không có vỏ\r\nkim loại, xung sét đưa trực tiếp vào cáp được che chắn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Có thể cấp nguồn cho EUT\r\nhoặc/và AE thông qua mạch tách như trên Hình 7, khác với qua biến áp cách ly\r\nnhư đã trình bày. Trong trường hợp này, kết nối đất bảo vệ của EUT phải được hở\r\nmạch.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Ví dụ cấu hình này\r\ncũng áp dụng cho cấp nguồn DC cho EUT.
\r\n\r\nHình\r\n16 - Ví dụ về cấu hình thử đối với các phép thử đường dây có lớp che chắn (theo\r\n7.6) và hiện tượng chênh lệch điện thế (theo 7.7)
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Có thể cấp nguồn cho\r\nEUT hoặc/và AE thông qua mạch tách như trên Hình 7, khác với qua biến áp cách\r\nly như đã trình bày. Trong trường hợp này, nối đất bảo vệ của EUT phải được hở\r\nmạch.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Ví dụ cấu hình này\r\ncũng áp dụng cho cấp nguồn DC cho EUT.
\r\n\r\nHình\r\n17 - Ví dụ về cấu hình thử đối với các phép thử đường dây có lớp che chắn chỉ\r\nnối đất một đầu (theo 7.6) và hiện tượng chênh lệch điện thế (theo 7.7).
\r\n\r\n7.6.2. Lựa chọn phương pháp ghép\r\ncho phép thử cáp đơn trong cấu hình che chắn nhiều lớp.
\r\n\r\nCác xung được đưa vào vỏ thiết bị\r\ntới cáp nối được thử bởi một dây như Hình 18. Phương pháp ghép này dùng cho dây\r\ncáp được che chắn nhiều lớp với nhiều kết nối đất, giữa 2 hoặc nhiều EUT (hoặc\r\nmột EUT và AE) trong cấu hình thử, để đưa xung tới cáp hoặc bó cáp. Nếu cáp\r\nđược bó trong khi lắp đặt thì chúng phải được thử theo bó.
\r\n\r\nĐộ dài cáp giữa cổng thử và thiết\r\nbị đi kèm tới đầu còn lại của cáp phải nhỏ hơn độ dài lớn nhất cho phép theo\r\nchỉ tiêu kỹ thuật của EUT, hoặc 20 m. Khi độ dài cáp lớn hơn 1 m, phần độ dài\r\nvượt quá của cáp phải được bó ở phần giữa của cáp với các bó dài 30 cm - 40 cm.\r\nNếu không thể thực hiện do kích thước cáp hoặc độ cứng, hoặc do việc thử đang\r\nthực hiện tại lúc lắp đặt, cách bố trí cáp phải được ghi trong biên bản thử.
\r\n\r\nĐất\r\nchuẩn
\r\n\r\nKí hiệu:
\r\n\r\nLT Giao diện đường tín hiệu được\r\nthử
\r\n\r\nLN Giao diện đường tín hiệu không\r\ncó dự định thử
\r\n\r\nIW dây dẫn tín hiệu thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cấu hình thử này cũng áp\r\ndụng đối với cấp nguồn DC cho EUT.
\r\n\r\nCác đặc tính của cấu hình thử: (AE\r\nphải nối GND)
\r\n\r\nBộ tạo tín hiệu thử đặt gần EUT;
\r\n\r\nĐầu ra chung của bộ tạo sóng được\r\nnối tới kết cấu của EUT;
\r\n\r\nXung đầu ra của bộ tạo sóng đưa tới\r\nAE thông qua đường dây được cách ly sát bề mặt giao diện cáp giữa EUT và AE.\r\nKhông giới hạn tiết diện của cáp.
\r\n\r\nVới ILT = I và ILN\r\n<< I, dóng bơm tổng sẽ chạy trên vỏ của cáp thử (hiệu ứng kề gần).
\r\n\r\nChiều dài của cáp phải được chọn\r\nphù hợp với cấu hình lắp đặt với độ dài tối đa là 20 m.
\r\n\r\nCáp được thử phải đặt cách nền đất\r\nhoặc bề mặt vỏ che chắn ít nhất là 1 m.
\r\n\r\nCáp không được thử phải đặt cách\r\ncáp được thử và nền đất hoặc bề mặt vỏ che chắn ít nhất là 0,4 m để tránh tạo\r\nđường dẫn dòng điện về.
\r\n\r\nHình\r\n18 - Phương pháp ghép và cấu hình thử đối với các phép thử đường dây có che\r\nchắn và hiện tượng chênh lệch điện áp, đặc biệt trong cấu hình dây dẫn cáp\r\nnhiều sợi có che chắn
\r\n\r\n7.7. Cấu hình thử đối với hiện\r\ntượng chênh lệch điện thế
\r\n\r\nTrong phép thử mức hệ thống. Nếu\r\ncần thử đối với các hiện tượng chênh lệch điện thế để mô phỏng các điện áp có\r\nthể xuất hiện giữa phần dẫn bên ngoài/khung bên trong hệ thống, ví dụ dòng dò,\r\nsụt áp hoặc sét. Các phép thử phải được thực hiện theo Hình 16 đối với các hệ\r\nthống dùng dây nối có lớp che chắn (lớp che chắn nối đất ở cả hai đầu) và theo\r\nHình 17 đối với các hệ thống dùng đường dây không có lớp che chắn hoặc có lớp\r\nche chắn nhưng lớp che chắn chỉ nối đất ở một đầu.
\r\n\r\n7.8. Các điều kiện thực hiện\r\nphép thử
\r\n\r\nCác điều kiện thử và các điều kiện\r\nlắp đặt thiết bị phải tuân theo chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm và bao gồm:
\r\n\r\n- Cấu hình thử (phần cứng);
\r\n\r\n- Quy trình thử (phần mềm).
\r\n\r\n\r\n\r\n8.1. Các điều kiện chuẩn của\r\nphòng thử
\r\n\r\nĐể giảm thiểu ảnh hưởng của các yếu\r\ntố môi trường đến kết quả phép thử, phép thử phải được thực hiện ở các điều\r\nkiện điện từ và khí hậu chuẩn quy định trong 8.1.1 và 8.1.2.
\r\n\r\n8.1.1. Điều kiện khí hậu
\r\n\r\nTrừ khi có chỉ định khác trong tiêu\r\nchuẩn chung, tiêu chuẩn họ sản phẩm hoặc tiêu chuẩn sản phẩm, các điều kiện khí\r\nhậu trong phòng thử nghiệm phải nằm trong giới hạn xác định cho hoạt động của\r\nEUT và thiết bị thử do nhà sản xuất quy định.
\r\n\r\nKhông được thực hiện các phép thử\r\nnếu độ ẩm tương đối quá cao gây ra đọng nước trên EUT hoặc thiết bị thử.
\r\n\r\n8.1.2. Điều kiện điện từ
\r\n\r\nMôi trường điện từ trong phòng thử\r\nkhông được gây ảnh hưởng đến kết quả của phép thử.
\r\n\r\n8.2. Thực hiện phép thử trong\r\nphòng thử
\r\n\r\nThực hiện kiểm tra các bộ tạo tín\r\nhiệu và mạch tách/ghép trước khi thử. Việc kiểm tra chỉ tiêu kỹ thuật có thể\r\nđược giới hạn trong việc có xung và điện áp và/hoặc dòng của xung.
\r\n\r\nCác đặc tính và chỉ tiêu kỹ thuật\r\ncủa bộ tạo tín hiệu phải tuân thủ quy định trong 6.1.1 và 6.2.1; việc hiệu\r\nchuẩn các bộ tạo tín hiệu phải được thực hiện theo các quy định trong 6.1.2 và\r\n6.2.2 (thường là mỗi năm một lần).
\r\n\r\nPhép thử phải được thực hiện theo\r\nkế hoạch thử, trong đó phải quy định cấu hình thử, bao gồm:
\r\n\r\n- mức thử (điện áp) (xem Phụ lục\r\nA);
\r\n\r\n- số lượng xung thử:
\r\n\r\nTrừ khi có quy định khác xác định\r\ntrong tiêu chuẩn của sản phẩm, số lượng xung thử là:
\r\n\r\n- đối với các cổng nguồn DC và dây\r\nliên kết, 5 xung dương và 5 xung âm;
\r\n\r\n- đối với các cổng nguồn AC, 5 xung\r\ndương và 5 xung âm mỗi xung ở 00, 900, 1800 và\r\n2700;
\r\n\r\n- tốc độ lặp lại: lớn nhất là 1\r\nphút;
\r\n\r\n- các điều kiện hoạt động đặc trưng\r\ncủa EUT;
\r\n\r\n- vị trí mà xung được đưa vào.
\r\n\r\nCác cổng nguồn (AC hoặc DC) có thể\r\nlà các cổng vào hoặc cổng ra.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Khuyến cáo đưa các\r\nxung vào các cổng ra trong những trường hợp các xung dường như đi vào EUT qua\r\nnhững cổng ra này (ví dụ khi chuyển mạch tải có công suất tiêu thụ lớn).
\r\n\r\nXung đưa vào các cổng vào/ra DC điện\r\náp thấp (≤ 60 V) không áp dụng trong trường hợp mạch thứ cấp (cách ly với cổng\r\nnguồn AC chính) không chịu đột biến điện áp (ví dụ: tiếp đất tốt, các mạch thứ\r\ncấp DC có tụ lọc mà độ gợn sóng đỉnh-đỉnh nhỏ hơn 10% thành phần một chiều)
\r\n\r\nTrong trường hợp một số mạch tương\r\ntự, có thể thực hiện phép số mạch được chọn.
\r\n\r\nNếu thực hiện thử ở tốc độ nhanh\r\nhơn 1 lần/phút gây ra lỗi còn các phép thử ở tốc độ 1 lần/phút thì không, thực\r\nhiện phép thử ở tốc độ 1 lần/phút.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Cơ quan quản lý sản\r\nphẩm có thể lựa chọn các góc pha khác nhau và có thể tăng hoặc giảm số xung\r\ntrong một pha nếu phù hợp với sản phẩm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Phần lớn các thiết bị\r\nbảo vệ trong điều kiện sử dụng bình thường có khả năng chịu công suất trung\r\nbình thấp mặc dù công suất đỉnh hoặc khả năng xử lý năng lượng đỉnh có thể giải\r\nquyết các trường hợp dòng cao. Do vậy thời gian giữa hai xung tùy thuộc vào các\r\nthiết bị bảo vệ gắn trong EUT.
\r\n\r\nChế độ thực hiện các phép thử được\r\ntrình bày trong điều B.2.
\r\n\r\nKhi thử dây nối đất, nếu không có\r\nchỉ định khác, các dây được thử riêng lần lượt.
\r\n\r\nThủ tục thử cũng phải được xem xét\r\ncùng với các đặc tính điện áp - dòng điện phi tuyến của thiết bị được thử. Vì\r\nvậy, điện áp thử phải tăng từng bước đến mức thử đã được quy định trong tiêu\r\nchuẩn sản phẩm hoặc kế hoạch thử. Thiết bị được thử phải thỏa mãn các phép thử\r\nvới tất cả các mức thấp hơn và bằng mức thử đã chọn.
\r\n\r\nĐể thử các thiết bị bảo vệ thứ cấp,\r\nđiện áp đầu ra bộ tạo sóng phải tăng đến mức điện áp đánh thủng của bộ bảo vệ\r\nsơ cấp (trường hợp xấu nhất).
\r\n\r\nNếu không có nguồn tín hiệu thật,\r\ncó thể mô phỏng.
\r\n\r\nĐối với phép thử nghiệm thu, phải\r\nsử dụng các thiết bị chưa từng phải chịu các tác động xung hoặc phải thay thế\r\ncác thiết bị bảo vệ.
\r\n\r\n9. Đánh giá kết\r\nquả thử nghiệm
\r\n\r\nKết quả thử nghiệm phải được phân\r\nloại dựa trên sự suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng của thiết bị thử, có tính\r\nđến mức chỉ tiêu xác định bởi nhà sản xuất hoặc đối tượng yêu cầu thử, hoặc\r\nthỏa thuận giữa nhà sản xuất và khách hàng về sản phẩm. Các phân loại sau được\r\nkhuyến nghị:
\r\n\r\na) chỉ tiêu kỹ thuật danh định nằm\r\ntrong giới hạn xác định bởi nhà sản xuất, đối tượng yêu cầu thử hoặc khách\r\nhàng;
\r\n\r\nb) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức\r\nnăng tạm thời nhưng có thể tự phục hồi chỉ tiêu danh định sau khi kết thúc phép\r\nthử mà không cần sự can thiệp của người khai thác;
\r\n\r\nc) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức\r\nnăng tạm thời, khôi phục lại nhờ tác động của người khai thác;
\r\n\r\nd) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức\r\nnăng, không có khả năng khôi phục do hư hỏng phần cứng, phần mềm hoặc mất dữ\r\nliệu.
\r\n\r\nTài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất\r\ncó thể xác định một số ảnh hưởng tới EUT được coi là không quan trọng và do đó\r\nchấp nhận được.
\r\n\r\nViệc phân loại nêu trên có thể được\r\ndùng như một hướng dẫn tính toán chỉ tiêu chất lượng, bởi các cơ quan quản lý\r\ntiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm và họ sản phẩm, hoặc như là một mẫu thỏa\r\nthuận về chỉ tiêu chất lượng giữa nhà sản xuất và khách hàng, ví dụ trong\r\ntrường hợp không có tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm hoặc họ sản phẩm phù\r\nhợp.
\r\n\r\n\r\n\r\nBiên bản thử nghiệm phải bao gồm\r\ntất cả các thông tin cần thiết để tái tạo phép thử. Cụ thể, các thông tin sau\r\nphải được ghi lại:
\r\n\r\n- các khoản xác định trong kế hoạch\r\nthử theo yêu cầu ở điều 8 của tiêu chuẩn này;
\r\n\r\n- nhận dạng EUT và bất kỳ thiết bị\r\nliên quan, ví dụ tên hiệu, loại sản phẩm, số hiệu;
\r\n\r\n- nhận dạng thiết bị thử, ví dụ tên\r\nhiệu, loại sản phẩm, số hiệu;
\r\n\r\n- các điều kiện môi trường đặc biệt\r\nmà phép thử thực hiện, ví dụ vỏ được che chắn;
\r\n\r\n- các điều kiện cụ thể cần thiết để\r\nthực hiện phép thử;
\r\n\r\n- mức chất lượng quy định bởi nhà\r\nsản xuất, đối tượng yêu cầu và khách hàng;
\r\n\r\n- chỉ tiêu chất lượng được xác định\r\ntrong tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm hoặc họ sản phẩm;
\r\n\r\n- các ảnh hưởng trên EUT trong và\r\nsau khi thực hiện phép thử thử nhiễu, và khoảng thời gian ảnh hưởng;
\r\n\r\n- cơ sở để quyết định đạt/không đạt\r\n(dựa trên tiêu chí chất lượng được xác định trong tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn\r\nsản phẩm hoặc họ sản phẩm, hoặc thỏa thuận giữa nhà sản xuất và khách hàng);
\r\n\r\n- các điều kiện sử dụng cụ thể (ví\r\ndụ độ dài hoặc kiểu cáp, che chắn hoặc tiếp đất, hoặc điều kiện hoạt động của\r\nEUT) được yêu cầu phải tuân thủ;
\r\n\r\n- cấu hình thử (phần cứng);
\r\n\r\n- cấu hình thử (phần mềm).
\r\n\r\nEUT phải đảm bảo không trở nên nguy\r\nhiểm hay mất an toàn khi được thử theo các quy định trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n\r\n\r\n
(tham\r\nkhảo)
\r\n\r\nViệc lựa chọn mức thử phải dựa trên\r\ncác điều kiện lắp đặt thiết bị. Trừ khi có quy định khác trong tiêu chuẩn sản\r\nphẩm hoặc tiêu chuẩn họ sản phẩm, nên sử dụng Bảng A.1 cùng các thông tin trong\r\nB.3, Phụ lục B với các loại môi trường lắp đặt:
\r\n\r\nLoại 0: Môi trường điện được bảo\r\nvệ tốt, thường là bên trong một phòng đặc biệt.
\r\n\r\nLoại 1: Môi trường điện được bảo\r\nvệ một phần.
\r\n\r\nLoại 2: Môi trường điện trong đó\r\ncác cáp đều được cách ly tốt, thậm chí cả các đoạn cáp ngắn.
\r\n\r\nLoại 3: Môi trường điện trong đó\r\ncáp nguồn và viễn thông đi song song với nhau.
\r\n\r\nLoại 4: Môi trường điện trong đó\r\ncác đường dây liên kết được đặt bên ngoài, dọc theo cáp nguồn và cáp dùng cho\r\ncả các mạch điện, điện tử.
\r\n\r\nLoại 5: Môi trường điện dành cho\r\ncác thiết bị điện tử nối với cáp viễn thông và đường dây điện lực trên cao ở\r\nkhu vực có mật độ dân cư thấp.
\r\n\r\nLoại x: Các điều kiện đặc biệt\r\nquy định trong tài liệu kỹ thuật sản phẩm.
\r\n\r\nCác thông tin bổ sung khác được\r\ntrình bày trong Phụ lục B.
\r\n\r\nĐể đánh giá khả năng miễn nhiễm mức\r\nhệ thống có thể thực hiện một số biện pháp bảo vệ bổ sung phù hợp với các điều\r\nkiện lắp đặt thực tế, ví dụ như bảo vệ sơ cấp.
\r\n\r\nViệc sử dụng xung sét (và các bộ\r\ntạo tín hiệu thử) đối với các môi trường khác nhau như sau:
\r\n\r\nLoại 1 đến 4: 1,2/50
Loại 5: 1,2/50
Loại 1 tới 5: 10/700
Trở kháng nguồn phải được đưa ra\r\ntrong các hình vẽ cấu hình thử.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Bảng\r\nA.1 – Lựa chọn mức thử (theo điều kiện lắp đặt)
\r\n\r\n| \r\n Loại\r\n môi trường lắp đặt \r\n | \r\n \r\n Mức\r\n thử (kV) \r\n | \r\n |||||||||||
| \r\n Nguồn\r\n điện AC và I/O AC nối trực tiếp tới mạch chính \r\nChế\r\n độ ghép \r\n | \r\n \r\n Nguồn\r\n điện AC và I/O AC không nối trực tiếp tới mạch chính \r\nChế\r\n độ ghép \r\n | \r\n \r\n Nguồn\r\n DC và I/O DC kết nối trực tiếp tới \r\nChế\r\n độ ghép \r\n | \r\n \r\n Dây/mạch\r\n không cân bằng d,f \r\nChế\r\n độ ghép \r\n | \r\n \r\n Dây/mạch\r\n cân bằng d,f \r\nChế\r\n độ ghép \r\n | \r\n \r\n I/O\r\n được che chắn và các dây thông tinf \r\nChế\r\n độ ghép \r\n | \r\n |||||||
| \r\n dây-dây \r\n | \r\n \r\n dây-đất \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n | \r\n \r\n dây-đất \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n | \r\n \r\n dây-đất \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n | \r\n \r\n dây-đất \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n | \r\n \r\n tất\r\n cả các dây-đất \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n | \r\n \r\n dây-đất \r\n | \r\n |
| \r\n 0 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n
| \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n
| \r\n 2 \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n
| \r\n 3 \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n \r\n 1,0e \r\n | \r\n \r\n 2,0b,e \r\n | \r\n \r\n 1,0e \r\n | \r\n \r\n 2,0b,e \r\n | \r\n \r\n 1,0c \r\n | \r\n \r\n 2,0b,c \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 2,0b,c \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 2,0c \r\n | \r\n
| \r\n 4 \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n \r\n 4,0b \r\n | \r\n \r\n 2,0e \r\n | \r\n \r\n 4,0b,e \r\n | \r\n \r\n 2,0e \r\n | \r\n \r\n 4,0b,e \r\n | \r\n \r\n 2,0c \r\n | \r\n \r\n 4,0b,c \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 2,0b,c \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 4,0c \r\n | \r\n
| \r\n 5 \r\n | \r\n \r\n a \r\n | \r\n \r\n a \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n \r\n 4,0b \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n \r\n 4,0b \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n \r\n 4,0b \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 4,0b \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n 4,0c \r\n | \r\n
| \r\n a Tùy theo loại nguồn điện cung\r\n cấp. \r\nb Thường được thử khi có bảo vệ\r\n sơ cấp. \r\nc Các mức thử có thể thấp hơn mức\r\n 1 nếu độ dài cáp ngắn hơn hoặc bằng 10 m \r\nd Không thử với cáp nối ngắn hơn\r\n 10 m \r\ne Nếu quy định bảo vệ luồng lên\r\n từ EUT, phép thử phải phù hợp với mức bảo vệ khi nơi đó không có bảo vệ. \r\nf Các đường dây thông tin tốc độ\r\n cao có thể bao gồm đường dây thông tin và hoặc I/O không cân bằng, cân bằng,\r\n được che chắn \r\nNA: không dùng (not applicable) \r\n | \r\n ||||||||||||
\r\n\r\n
(tham\r\nkhảo)
\r\n\r\nB.1. Trở kháng nguồn
\r\n\r\nViệc lựa chọn trở kháng nguồn của\r\nbộ tạo tín hiệu phụ thuộc vào:
\r\n\r\n- Loại cáp/dây dẫn/đường dây (nguồn\r\nAC, nguồn DC, dây nối…);
\r\n\r\n- Chiều dài của cáp/đường dây;
\r\n\r\n- Các điều kiện trong/ngoài nhà\r\ntrạm;
\r\n\r\n- Việc đưa các điện áp thử vào (dây\r\n- dây hay dây - đất).
\r\n\r\nMức trở kháng 2
Mức trở kháng 12
Mức trở kháng 42
Ở một số nước (ví dụ, ở Mỹ), các\r\ntiêu chuẩn đối với đường dây AC yêu cầu các phép thử phải được thực hiện theo\r\nHình 8 và Hình 10 với trở kháng 2 W;\r\nđây là một phép thử khó thực hiện hơn.
\r\n\r\nB.2. Áp dụng các phép thử
\r\n\r\nCó hai loại phép thử khác nhau cần\r\nđược phân biệt: phép thử khả năng miễn nhiễm mức thiết bị và phép thử khả năng\r\nmiễn nhiễm mức hệ thống.
\r\n\r\nB.2.1. Khả năng miễn nhiễm mức\r\nthiết bị
\r\n\r\nPhép thử được thực hiện đối với một\r\nEUT riêng lẻ trong phòng thử. Khi đó, khả năng miễn nhiễm của EUT gọi là khả\r\nnăng miễn nhiễm mức thiết bị.
\r\n\r\nĐiện áp thử không được vượt quá\r\nđiện áp chịu đựng đã quy định của lớp cách điện.
\r\n\r\nB.2.2. Khả năng miễn nhiễm mức\r\nhệ thống
\r\n\r\nPhạm vi mức thử ưu tiên được đưa ra\r\ntrong Bảng A1. Các giá trị này chỉ minh họa và không thiết lập khuyến nghị hoặc\r\nyêu cầu. Các giá trị được chọn chỉ cho mục đích giải thích và không đưa ra\r\nkhuyến nghị thực tế.
\r\n\r\nPhép thử thực hiện trong phòng thử\r\nđối với EUT. Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị không đảm bảo khả năng miễn nhiễm\r\ncủa hệ thống trong mọi trường hợp. Như vậy, nên sử dụng phép thử mức hệ thống\r\nvì nó mô phỏng các điều kiện lắp đặt thực tế. Điều kiện lắp đặt được mô phỏng\r\nbao gồm các EUT riêng lẻ và các thiết bị bảo vệ (các SPD) nếu ứng dụng hệ thống\r\nhoặc người vận hành mạng/hệ thống yêu cầu. Loại và chiều dài thực của dây nối\r\ncó thể ảnh hưởng tới mức bảo vệ toàn bộ hệ thống.
\r\n\r\nViệc thêm vào SPD bên ngoài không\r\nmà không được kết hợp với các SPD khác bên trong có thể không ảnh hưởng, giảm\r\nảnh hưởng trên toàn bộ bảo vệ hệ thống, hoặc tăng sự bảo vệ hệ thống.
\r\n\r\nCác thông tin bổ sung có thể tìm\r\nthấy trong loạt tiêu chuẩn thiết bị bảo vệ xung IEC 61643 và IEC 62305 (Bảo vệ\r\nchống lại xung điện từ của sét).
\r\n\r\nMục đích của phép thử là mô phỏng\r\ncàng giống các điều kiện lắp đặt thực tế của EUT càng tốt.
\r\n\r\nTrường hợp thử khả năng miễn nhiễm\r\ntrong điều kiện lắp đặt thực tế, mức thử điện áp cao hơn có thể được sử dụng,\r\nnhưng mức năng lượng phải được hạn chế theo đặc tính giới hạn dòng của thiết bị\r\nbảo vệ.
\r\n\r\nPhép thử mức hệ thống cũng phải chỉ\r\nra rằng các ảnh hưởng thứ cấp được tạo ra bởi các thiết bị bảo vệ (sự thay đổi\r\ndạng sóng, chế độ, biên độ điện áp hoặc dòng điện) không gây ra các ảnh hưởng\r\nxấu đến EUT. Để kiểm tra không có hư hỏng nào trong EUT với một điện áp thử cụ\r\nthể, cần thực hiện các phép thử với các điện áp thử tăng nhanh đến giá trị yêu\r\ncầu. Điện áp thử cụ thể này được quyết định bởi các điểm hoạt động của các linh\r\nkiện bảo vệ hoặc thiết bị bảo vệ trong EUT (xem IEC 61643-21 6.2.1.8).
\r\n\r\nB.3. Phân loại môi trường lắp\r\nđặt
\r\n\r\nLoại 0: Môi trường điện được bảo\r\nvệ tốt, thường là bên trong một phòng đặc biệt.
\r\n\r\nTất cả các loại cáp nhập trạm đều được\r\nbảo vệ chống quá áp (sơ cấp và thứ cấp). Các bộ phận của thiết bị điện tử được\r\nnối với nhau bằng một hệ thống tiếp đất hợp lý, về cơ bản không bị ảnh hưởng\r\nkhi lắp đặt hệ thống thiết bị nguồn hay sét đánh.
\r\n\r\nThiết bị điện từ có hệ thống cung\r\ncấp nguồn riêng (xem Bảng A.1).
\r\n\r\nĐiện áp xung có thể không vượt quá\r\n25 V.
\r\n\r\nLoại 1: Môi trường điện được bảo\r\nvệ một phần
\r\n\r\nTất cả các loại cáp vào phòng này\r\nđều được bảo vệ chống quá áp (sơ cấp).
\r\n\r\nCác bộ phận của thiết bị điện tử\r\nđược nối với nhau bằng một mạng dây đất, về cơ bản không bị ảnh hưởng khi lắp\r\nđặt hệ thống thiết bị nguồn hay do sét đánh.
\r\n\r\nThiết bị điện tử có hệ thống cung\r\ncấp nguồn hoàn toàn cách ly với các thiết bị khác.
\r\n\r\nCác thao tác đóng ngắt có thể tạo\r\nra các điện áp nhiễu trong phòng.
\r\n\r\nĐiện áp xung có thể không vượt quá\r\n500 V.
\r\n\r\nLoại 2: Môi trường điện trong đó\r\ncác sợi cáp đều được cách ly thậm chí cả các đoạn cáp ngắn.
\r\n\r\nHệ thống thiết bị được nối đất qua\r\nmột dây đất cách ly đến hệ thống tiếp đất của nguồn điện, hệ thống này có thể\r\nphải chịu các điện áp nhiễu được tạo ra ngay trong hệ thống hoặc do sét đánh.\r\nHệ thống cung cấp nguồn cho thiết bị điện tử được cách ly với các mạch khác,\r\nchủ yếu là bằng một biến áp đặc biệt dùng cho hệ thống nguồn.
\r\n\r\nTrong hệ thống này có các mạch chưa\r\nđược bảo vệ, nhưng chúng có số lượng hạn chế và đã được cách ly hợp lý.
\r\n\r\nĐiện áp xung có thể không vượt quá\r\n1 kV.
\r\n\r\nLoại 3: Môi trường điện trong đó\r\ncác sợi cáp nguồn và viễn thông đi song song với nhau
\r\n\r\nHệ thống thiết bị được nối với hệ\r\nthống tiếp đất chung của nguồn điện, hệ thống này có thể phải chịu các điện áp\r\nnhiễu được tạo ra do việc lắp đặt thiết bị hoặc do sét đánh.
\r\n\r\nDòng điện do lỗi đất, các thao tác\r\nđóng ngắt và sét đánh trong hệ thống nguồn có thể tạo ra các điện áp nhiễu\r\ntương đối lớn trong hệ thống tiếp đất. Thiết bị điện tử đã được bảo vệ và thiết\r\nbị điện có độ nhạy thấp được nối với cùng một hệ thống nguồn. Cáp nối có thể có\r\nmột phần ngoài trời, nhưng chúng phải gần với hệ thống tiếp đất.
\r\n\r\nTrong hệ thống thiết bị có các tải\r\nđiện cảm không được triệt xung và thường không có sự cách ly giữa các loại cáp\r\nkhác nhau.
\r\n\r\nĐiện áp xung có thể không vượt quá\r\n2 kV.
\r\n\r\nLoại 4: Môi trường điện trong đó\r\ncác đường dây nối ra ngoài đi cùng cáp điện lực và cáp thường dùng cho cả các\r\nmạch điện và điện tử.
\r\n\r\nHệ thống thiết bị được nối với hệ\r\nthống tiếp đất của nguồn điện, hệ thống này có thể phải chịu các điện áp nhiễu\r\nđược tạo ra do việc lắp đặt thiết bị hoặc do sét đánh.
\r\n\r\nDòng điện trong dải kA do lỗi đất,\r\ncác thao tác đóng ngắt và sét đánh trong hệ thống nguồn có thể tạo ra các điện\r\náp nhiễu tương đối lớn trong hệ thống tiếp đất. Thiết bị điện tử và thiết bị\r\nđiện có thể dùng chung một hệ thống nguồn. Cáp nối được đi ngoài trời, ngay cả\r\nđối với thiết bị có điện áp cao.
\r\n\r\nTrường hợp đặc biệt của môi trường\r\nnày là khi thiết bị điện tử được nối đến mạng viễn thông trong khu vực có mật\r\nđộ dân cư cao. Trong môi trường loại này, không có mạng tiếp đất được xây dựng\r\ncó tính hệ thống ở bên ngoài thiết bị được thử mà hệ thống tiếp đất chỉ bao gồm\r\ncác ống nước, cáp…
\r\n\r\nĐiện áp xung có thể không vượt quá\r\n4 kV.
\r\n\r\nLoại 5: Môi trường điện dành cho\r\ncác thiết bị điện tử nối với cáp viễn thông và đường dây điện lực trên cao ở\r\nkhu vực có mật độ dân cư thấp.
\r\n\r\nTất cả các đường dây và cáp đều\r\nđược bảo vệ chống quá áp (sơ cấp). Phía ngoài thiết bị điện tử không có hệ\r\nthống tiếp đất động (công trình không được bảo vệ). Điện áp nhiễu do các lỗi\r\nđất (dòng điện đến 10 kA) và do sét đánh (dòng điện đến 100 kA) có thể rất cao.
\r\n\r\nYêu cầu của loại môi trường này\r\nđược quy định bởi mức thử 4 (xem Phụ lục A).
\r\n\r\nLoại x: Các điều kiện đặc biệt\r\nđược quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật của sản phẩm.
\r\n\r\nB.4. Khả năng miễn nhiễm mức\r\nthiết bị tại các cổng nối với mạng điện
\r\n\r\nMức miễn nhiễm tối thiểu đối với\r\nkết nối vào mạng điện công cộng là:
\r\n\r\n- Ghép dây - dây: 0,5 kV (cấu hình\r\nthử theo Hình 7 và 9).
\r\n\r\n- Ghép dây - đất: 1,0 kV (cấu hình\r\nthử theo Hình 8 và 10).
\r\n\r\nB.5. Khả năng miễn nhiễm mức\r\nthiết bị tại các cổng nối với các đường dây liên kết
\r\n\r\nCác phép thử đối với hiện tượng\r\nxung trên các mạch nối chỉ cần thực hiện đối với các kết nối bên ngoài (phía\r\nngoài khung giá/nhà thiết bị).
\r\n\r\nNếu có thể thực hiện thử khả năng\r\nmiễn nhiễm mức hệ thống (EUT có cáp đã được nối), thì không cần thử khả năng\r\nmiễn nhiễm mức thiết bị (ví dụ, các cổng vào/ra tín hiệu hoặc điều khiển) đặc\r\nbiệt là trong trường hợp vỏ của cáp nối được coi là một phần của các biện pháp\r\nbảo vệ. Nếu việc lắp đặt thiết bị không được thực hiện bởi nhà sản xuất thiết\r\nbị, phải quy định điện áp có thể chấp nhận đối với các đầu vào/đầu ra của EUT.
\r\n\r\nNhà sản xuất thiết bị cần kiểm tra\r\nthiết bị trên cơ sở các mức thử đã được quy định để khẳng định khả năng miễn\r\nnhiễm mức thiết bị, ví dụ mức thử 0,5 kV đối với EUT có bảo vệ thứ cấp tại các\r\ncổng. Sau đó, người sử dụng hoặc người có trách nhiệm đối với hệ thống thiết bị\r\ncần áp dụng các biện pháp (như che chắn, liên kết, tiếp đất bảo vệ) để đảm bảo\r\nđiện áp nhiễu gây ra do sét không vượt quá mức nhiễm đã chọn.
\r\n\r\n\r\n\r\n
(Tham\r\nkhảo)
\r\n\r\nTiêu chuẩn này mô tả các phép thử\r\nxác định miễn nhiễm xung dòng và xung áp đối với thiết bị và hệ thống điện tử.\r\nThiết bị hoặc hệ thống được thử được xem như hộp đen và kết quả của phép thử\r\nđược đánh giá theo các tiêu chí sau:
\r\n\r\na) chỉ tiêu danh định;
\r\n\r\nb) mất chức năng hoặc suy giảm chỉ\r\ntiêu tạm thời nhưng có thể tự phục hồi chỉ tiêu danh định sau khi kết thúc phép\r\nthử mà không cần sự can thiệp của người khai thác;
\r\n\r\nc) mất chức năng hoặc suy giảm chỉ\r\ntiêu tạm thời, khôi phục lại nhờ tác động của người khai thác;
\r\n\r\nd) mất chức năng với hư hỏng lâu\r\ndài của thiết bị (có nghĩa là không đạt qua thử nghiệm).
\r\n\r\nTrong khi các phép thử trong tiêu\r\nchuẩn này đánh giá đầy đủ các ảnh hưởng của xung dòng thấp trên hệ thống và\r\nthiết bị điện tử, thì các tiêu chuẩn khác không đề cập đến mất chức năng tạm\r\nthời, nhưng lại đề cập nhiều hơn đến hư hỏng thực hoặc hư hỏng thiết bị.
\r\n\r\nIEC 60664-1 đề cập tới cách ly cho\r\nthiết bị trong hệ thống điện áp thấp và IEC 61643-1 là tiêu chuẩn thử đối với\r\nthiết bị bảo vệ xung nối tới mạng cấp nguồn điện áp thấp. Ngoài ra cả hai tiêu\r\nchuẩn đề cập tới ảnh hưởng của quá áp tạm thời trên thiết bị. Tiêu chuẩn này và\r\ncác tiêu chuẩn khác trong họ tiêu chuẩn 61000 không xét ảnh hưởng của quá áp\r\ntạm thời trên thiết bị hoặc hệ thống.
\r\n\r\nHư hỏng lâu dài là khó chấp nhận,\r\nvì nó dẫn đến hệ thống ngừng hoạt động và chi phí sửa chữa hoặc thay thế. Loại\r\như hỏng này thường do thiếu hoặc không có thiết bị bảo vệ xung, do đó cho phép\r\nđiện áp cao và xung dòng quá mức đi vòng quanh thiết bị, gây ra lỗi vận hành,\r\như hỏng các thành phần, đánh thủng vĩnh viễn lớp cách ly và rủi ro về lửa, khói\r\nhoặc điện. Tuy nhiên, cũng gây ra mất chức năng hoặc suy giảm chức năng của\r\nthiết bị hoặc hệ thống, đặc biệt nếu thiết bị hoặc hệ thống là quan trọng và\r\nphải vận hành trong suốt quá trình hoạt động của xung.
\r\n\r\nĐối với các phép thử trong tiêu\r\nchuẩn này, mức điện áp thử (phân loại lắp đặt) và dòng sét sẽ ảnh hưởng trực\r\ntiếp lên đáp ứng của thiết bị. Trạng thái cơ bản, mức điện áp xung càng cao suy\r\ngiảm hoặc mất chức năng càng dễ xảy ra, trừ khi thiết bị được thiết kế để với\r\nmiễn nhiễm xung thích hợp.
\r\n\r\nĐể thử thiết bị bảo vệ xung (SPDs)\r\ndùng trên hệ thống điện áp thấp, IEC 61643-1, phép thử loại III, xác định một\r\nbộ lọc kết hợp với trở kháng ra hiệu dụng là 2 W,\r\ncung cấp dạng xung dòng ngắn mạch 8/20 ms\r\nvà xung áp hở mạch 1,2/50 ms. Tiêu\r\nchuẩn này cũng dùng bộ tạo sóng đó cho phép thử miễn nhiễm xung đối với thiết\r\nbị và hệ thống cấp nguồn nhưng với các phần tử ghép khác. Ý nghĩa của mức thử\r\nđiện áp (phân loại lắp đặt) của tiêu chuẩn này và điện áp đỉnh hở mạch U
Việc thử miễn nhiễm của thiết bị\r\nhoặc hệ thống có thể đạt được bằng cách xây dựng các thành phần hoặc thiết bị\r\nchống sét (SPDs). Một trong tiêu chí lựa chọn quan trọng đối với SPD là mức\r\nđiện áp bảo vệ, Up, được xác định và mô tả trong IEC 61643-1. Tham\r\nsố này có thể liên quan tới điện áp chịu đựng của thiết bị Uw theo\r\nIEC 60664-1 và là điện áp lớn nhất ở hai cực của SPD trong suốt phép thử trong\r\nđiều kiện cụ thể. Up chỉ dùng trong IEC 61643-12 kết hợp với điện áp\r\nchịu đựng của thiết bị Uw. Mức điện áp bảo vệ ở một sự kiện có thể\r\nso sánh cần thấp hơn mức điện áp miễn nhiễm ở sự kiện đó của thiết bị được thử\r\ntheo tiêu chuẩn này nhưng không được dùng ở thời điểm hiện tại bởi vì dạng sóng\r\ncủa hai tiêu chuẩn không được so sánh thường xuyên.
\r\n\r\nNhìn chung, mức miễn nhiễm với xung\r\ncủa thiết bị theo tiêu chuẩn này thấp hơn mức chịu đựng của lớp cách ly theo\r\nIEC 60664-1, tuy nhiên cần chấp nhận đối với các ảnh hưởng quá áp tạm thời theo\r\nIEC 60364-4-44 trên SPD có mức bảo vệ quá thấp. Hoàn toàn có thể chọn một SPD\r\nbảo vệ thiết bị khỏi lỗi này, duy trì hoạt động trong khi có xung và chống lại\r\nhầu hết quá áp tạm thời.
\r\n\r\n\r\n\r\n
MỤC\r\nLỤC
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3. Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\n4. Tổng quan
\r\n\r\n4.1. Đột biến do đóng ngắt hệ thống\r\nnguồn
\r\n\r\n4.2. Đột biến do sét
\r\n\r\n4.3. Mô phỏng hiện tượng đột biến
\r\n\r\n5. Các mức thử
\r\n\r\n6. Thiết bị thử
\r\n\r\n6.1. Bộ tạo sóng kết hợp 1,2/50
6.2. Bộ tạo sóng kết hợp 10/700
6.3. Các mạch tách/ghép
\r\n\r\n7. Cấu hình thử
\r\n\r\n7.1. Thiết bị thử
\r\n\r\n7.2. Cấu hình thử đối với cổng\r\nnguồn của EUT
\r\n\r\n7.3. Cấu hình thử đối với các đường\r\ndây liên kết không đối xứng, không có che chắn
\r\n\r\n7.4. Cấu hình thử đối với các đường\r\ndây thông tin liên kết đối xứng, không có che chắn
\r\n\r\n7.5. Cấu hình thử đối với các đường\r\ndây thông tin tốc độ cao
\r\n\r\n7.6. Cấu hình thử đối với các đường\r\ndây có che chắn
\r\n\r\n7.7. Cấu hình thử đối với hiện\r\ntượng chênh lệch điện thế
\r\n\r\n7.8. Các điều kiện thực hiện phép\r\nthử
\r\n\r\n8. Quy trình thử
\r\n\r\n8.1. Các điều kiện chuẩn của phòng\r\nthử
\r\n\r\n8.2. Thực hiện phép thử trong phòng\r\nthử
\r\n\r\n9. Đánh giá kết quả thử nghiệm
\r\n\r\n10. Biên bản thử nghiệm
\r\n\r\nPhụ lục A (Tham khảo) Lựa chọn bộ\r\ntạo tín hiệu thử và mức thử
\r\n\r\nPhụ lục B (Tham khảo) Một số chú\r\nthích
\r\n\r\nPhụ lục C (Tham khảo) Miễn nhiễm\r\nđối với thiết bị kết nối tới mạng điện áp thấp
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) về tương thích điện từ (EMC) – Phần 4-5 : Phương pháp đo và thử – Miễn nhiễm đối với xung đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) về tương thích điện từ (EMC) – Phần 4-5 : Phương pháp đo và thử – Miễn nhiễm đối với xung
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN8241-4-5:2009 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2009-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |