Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 8241-4-3:2009 được xây dựng trên cơ sở\r\nsoát xét, chuyển đổi tiêu chuẩn ngành TCN 68-194:2000 "Tương thích điện từ\r\n(EMC) - Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến - Phương pháp đo và\r\nthử" của Tổng cục Bưu điện (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông).
\r\n\r\nTCVN 8241-4-3:2009 hoàn toàn tương đương IEC\r\n61000-4-3:2006.
\r\n\r\nTCVN 8241-4-3:2009 do Viện Khoa học Kỹ thuật\r\nBưu điện xây dựng, Bộ Thông tin và Truyền thông đề nghị, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo\r\nlường Chất lượng thẩm định, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này áp dụng yêu cầu miễn nhiễm của\r\nthiết bị điện và điện tử đối với năng lượng phát xạ điện từ. Tiêu chuẩn này\r\nthiết lập các mức thử và các quy trình thử cần thiết.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này thiết lập một chuẩn chung để\r\nđánh giá khả năng miễn nhiễm của thiết bị điện và điện tử khi chịu ảnh hưởng\r\ncủa trường điện từ phát xạ tần số vô tuyến.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Tiêu chuẩn này là tiêu chuẩn EMC\r\ncơ bản dùng cho các cơ quan quản lý sản phẩm. Các cơ quan quản lý sản phẩm có\r\ntrách nhiệm quyết định việc có áp dụng tiêu chuẩn đo thử miễn nhiễm này hay\r\nkhông, và nếu áp dụng, các cơ quan quản lý sản phẩm có trách nhiệm quyết định\r\ncác mức thử phù hợp và các tiêu chí chất lượng.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này đề cập đến các phép thử miễn\r\nnhiễm liên quan đến việc bảo vệ chống lại ảnh hưởng của trường điện từ tần số\r\nvô tuyến từ một nguồn bất kỳ.
\r\n\r\nMột số quy định riêng được xác định cho bảo\r\nvệ chống lại phát xạ tần số vô tuyến từ các máy điện thoại vô tuyến số và các\r\nthiết bị phát RF khác.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Các phương pháp thử trong tiêu\r\nchuẩn nhằm xác định mức độ ảnh hưởng của nhiễu phát xạ tới thiết bị được kiểm\r\ntra. Sự mô phỏng và phép đo mức nhiễu phát xạ trong tiêu chuẩn này là chưa đủ\r\nchính xác thỏa đáng để đánh giá một cách định lượng các ảnh hưởng. Các phương\r\npháp thử được xây dựng với mục đích cơ bản là đảm bảo khả năng tái tạo lại kết\r\nquả, với các thiết bị thử khác nhau, để phân tích định tính các ảnh hưởng.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này đưa ra phép thử độc lập. Không\r\nsử dụng các phép thử khác để thay thế khi cần xác định sự tuân thủ tiêu chuẩn\r\nnày.
\r\n\r\n\r\n\r\nIEC 60050 (161), International\r\nElectrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic Compatibiltiy (Từ\r\nvựng kỹ thuật điện tử quốc tế - Chương 161: Tương thích điện từ).
\r\n\r\nTCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2005),\r\nTương thích điện từ (EMC) - Phần 4-6: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm đối\r\nvới nhiễu dẫn tần số vô tuyến.
\r\n\r\n\r\n\r\n3.1
\r\n\r\nĐiều chế biên độ
Quá trình thay đổi biên độ của một sóng mang\r\ntheo một quy luật xác định.
\r\n\r\n3.2
\r\n\r\nBuồng không phản xạ
Buồng có vỏ chắn mà mặt trong được phủ bằng\r\nvật liệu hấp thụ sóng vô tuyến để giảm phản xạ.
\r\n\r\n3.2.1
\r\n\r\nBuồng không phản xạ hoàn toàn
Buồng không phản xạ có vỏ chắn, các bề mặt\r\nbên trong đều được phủ hoàn toàn bằng vật liệu hấp thụ.
\r\n\r\n3.2.2
\r\n\r\nBuồng bán phản xạ
Buồng không phản xạ có vỏ chắn, các bề mặt\r\nbên trong đều được phủ bằng vật liệu hấp thụ ngoại trừ mặt sàn (có thể là mặt\r\nphản xạ).
\r\n\r\n3.2.3
\r\n\r\nBuồng bán phản xạ cải tiến
Buồng bán phản xạ có thêm các tấm hấp thụ đặt\r\ntrên mặt sàn.
\r\n\r\n3.3
\r\n\r\nAnten (antenna)
\r\n\r\nBộ chuyển đổi có chức năng phát xạ năng lượng\r\ntần số vô tuyến vào không gian từ một nguồn tín hiệu hoặc thu một trường điện\r\ntừ tới và chuyển đổi thành một tín hiệu điện.
\r\n\r\n3.4
\r\n\r\nBalun (balun)
\r\n\r\nThiết bị chuyển đổi một tín hiệu điện áp\r\nkhông cân bằng thành một tín hiệu điện áp cân bằng hoặc ngược lại.
\r\n\r\n[IEV 161-04-34]
\r\n\r\n3.5
\r\n\r\nSóng liên tục (CW)
Sóng điện từ mà các dao động liên tiếp của nó\r\nlà đồng dạng dưới những điều kiện ổn định. Sóng điện từ này có thể bị tạm ngắt\r\nhoặc được điều chế để mang thông tin.
\r\n\r\n3.6 Sóng điện từ
Năng lượng phát xạ được tạo ra do sự dao động\r\ncủa hạt mang điện, được đặc tính hóa bằng sự dao động của các trường điện từ.
\r\n\r\n3.7
\r\n\r\nTrường xa (far field)
\r\n\r\nVùng mà trong đó mật độ thông lượng công suất\r\ntừ một anten tuân theo luật nghịch đảo bình phương của khoảng cách.
\r\n\r\nVới một anten lưỡng cực thì trường xa tương\r\nứng với các khoảng cách lớn hơn λ/2π, trong đó λ là bước sóng phát xạ.
\r\n\r\n3.8
\r\n\r\nCường độ trường
Khái niệm "cường độ trường" chỉ áp\r\ndụng cho các phép đo thực hiện tại trường xa. Phép đo có thể là thành phần điện\r\nhoặc thành phần từ của trường và có thể biểu diễn theo đơn vị V/m, A/m hoặc\r\nW/m2 (bất kỳ đơn vị nào trong đó cũng có thể biểu đổi thành đơn vị\r\nkhác bằng công thức).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Với những phép đo thực hiện tại\r\ntrường gần, thì khái niệm "cường độ điện trường" hoặc "cường độ\r\ntừ trường" được sử dụng tương ứng với phép đo trường điện hay trường từ.\r\nTrong vùng trường gần mối quan hệ giữa cường độ điện trường, cường độ từ trường\r\nvà khoảng cách là rất phức tạp và khó dự đoán, việc xác định tùy thuộc vào cấu\r\nhình đặc trưng của đối tượng được kiểm tra. Thường thì không thể xác định được\r\nmối quan hệ về pha giữa không gian và thời gian của các thành phần khác nhau\r\ncủa trường phức hợp và tương tự như vậy cũng không thể xác định được mật độ\r\nthông lượng công suất của trường.
\r\n\r\n3.9
\r\n\r\nBăng tần (frequency band)
\r\n\r\nDải tần số liên tục giữa hai giới hạn.
\r\n\r\n3.10
\r\n\r\nEc
\r\n\r\nCường độ trường áp dụng cho việc hiệu chuẩn.
\r\n\r\n3.11
\r\n\r\nEt
\r\n\r\nCường độ trường sóng mang áp dụng cho đo thử.
\r\n\r\n3.12
\r\n\r\nRọi toàn phần
Phương pháp thử trong đó bề mặt của EUT đang\r\nđược kiểm tra vừa khít hoàn toàn với vùng trường đồng nhất.
\r\n\r\n3.13
\r\n\r\nThiết bị mang trên người
Tất cả các thiết bị mang theo người khi sử\r\ndụng, ví dụ như thiết bị bỏ túi, các thiết bị điện tử phụ trợ kèm theo và các\r\nthiết bị điện tử cấy ghép vào cơ thể.
\r\n\r\n3.14
\r\n\r\nPhương pháp cửa sổ độc lập
Phương pháp thử (sử dụng vùng trường đồng\r\nnhất có kích thước 0,5 m x 0,5 m) trong đó bề mặt được thử của EUT không trùng\r\nkhít hoàn toàn trong vùng trường đồng nhất.
\r\n\r\nCó thể áp dụng phương pháp thử này đối với\r\ntần số thử trên 1 GHz.
\r\n\r\n3.15
\r\n\r\nTrường cảm ứng
Trường điện và/hoặc trường từ tại khoảng cách\r\nd < λ/2π, trong đó λ là bước sóng. Kích thước vật lý của nguồn phải nhỏ hơn\r\nnhiều so với khoảng cách d.
\r\n\r\n3.16
\r\n\r\nThiết bị phát xạ tần số vô tuyến có chủ định
Thiết bị phát xạ tần số vô tuyến có chủ định\r\nlà thiết bị phát trường điện từ một cách có chủ định. Ví dụ các máy điện thoại\r\ndi động số và các thiết bị phát thanh khác.
\r\n\r\n3.17
\r\n\r\nĐẳng hướng (isotropic)
\r\n\r\nĐẳng hướng nghĩa là có các giá trị bằng nhau\r\ntrong tất cả mọi hướng.
\r\n\r\n3.18
\r\n\r\nGiá trị RMS cực đại
Giá trị RMS ngắn hạn lớn nhất của một tín\r\nhiệu tần số vô tuyến (RF) được điều chế trong khoảng thời gian quan sát của một\r\nchu kỳ điều chế. Giá trị RMS ngắn hạn được xác định qua một chu kỳ sóng mang\r\nđơn. Ví dụ trong Hình 1b), điện áp RMS cực đại là:
\r\n\r\nVmaximum RMS =
3.19
\r\n\r\nĐiều chế đường bao thay đổi
Phương thức điều chế RF trong đó biên độ của\r\nsóng mang thay đổi chậm theo thời gian khi so sánh với chu kỳ của bản thân sóng\r\nmang. Ví dụ như cơ thể điều biên thông thường và TDMA.
\r\n\r\n3.20
\r\n\r\nPc
\r\n\r\nCông suất cần để thiết lập việc hiệu chuẩn\r\ncường độ trường.
\r\n\r\n3.21
\r\n\r\nRọi từng phần
Phương pháp thử sử dụng vùng trường đồng nhất\r\nđược định cỡ tối thiểu là 1,5 m x 1,5 m trong đó bề mặt EUT đang được kiểm tra\r\nkhông vừa khít hoàn toàn trong vùng trường đồng nhất.
\r\n\r\nCó thể áp dụng phương pháp thử này đối với\r\nmọi tần số.
\r\n\r\n3.22
\r\n\r\nPhân cực (polarization)
\r\n\r\nSự định hướng véctơ trường điện của trường\r\nphát xạ.
\r\n\r\n3.23
\r\n\r\nBuồng có vỏ chắn
Buồng có vỏ bằng kim loại đặc hoặc dạng lưới,\r\nđược thiết kế riêng để cách ly bên trong buồng với môi trường điện từ bên\r\nngoài. Mục đích chính là ngăn các trường điện từ bên ngoài làm suy giảm chất\r\nlượng phép thử và ngăn sự phát xạ bên trong gây nhiễu làm ảnh hưởng đến các\r\nhoạt động bên ngoài.
\r\n\r\n3.24
\r\n\r\nQuét (sweep)
\r\n\r\nSự thay đổi tần số liên tục hoặc theo bước\r\ntrong một dải tần số.
\r\n\r\n3.25
\r\n\r\nĐa truy nhập phân chia theo thời gian (TDMA)
Một phương thức điều chế ghép kênh theo thời\r\ngian, trong đó một số các kênh thông tin riêng rẽ được thép trên cùng một sóng\r\nmang tại một tần số được ấn định. Mỗi kênh được ấn định một khe thời gian,\r\ntrong khe thời gian đó thông tin được phát đi như một xung công suất RF khi\r\nkênh hoạt động. Nếu kênh không hoạt động thì không có xung nào được phát đi, do\r\nđó đường bao sóng mang không cố định. Trong khoảng thời gian phát xung tín hiệu\r\nthì biên độ là một hằng số và sóng mang RF được điều chế tần số hoặc pha.
\r\n\r\n3.26
\r\n\r\nThiết bị thu phát
Thiết bị tổ hợp cả hai chức năng thu và phát\r\nvô tuyến.
\r\n\r\n3.27
\r\n\r\nVùng trường đồng nhất UFA
Một mặt phẳng trường thẳng đứng về mặt lý\r\nthuyết sử dụng khi hiệu chuẩn trường trong đó sự biến thiên của trường thấp ở\r\nmức có thể chấp nhận được.
\r\n\r\nMục đích của hiệu chuẩn trường là đảm bảo\r\ntính hợp lệ của kết quả của phép thử. Xem 6.2.
\r\n\r\n\r\n\r\nĐa số thiết bị điện tử, theo một vài cách nào\r\nđó, bị ảnh hưởng bởi bức xạ điện từ. Bức xạ này thông thường được tạo ra bởi\r\nnhững nguồn điện từ có mục đích chung như các máy thu phát sóng vô tuyến cầm\r\ntay nhỏ được sử dụng bởi nhân viên an ninh, bảo dưỡng, vận hành, các máy thu\r\nphát truyền hình và phát thanh ở các trạm cố định, các máy thu phát vô tuyến\r\ntrên xe cộ và từ nhiều loại nguồn điện từ công nghiệp.
\r\n\r\nTrong những năm gần đây, đã có sự tăng đáng\r\nkể trong việc sử dụng các máy điện thoại vô tuyến và các thiết bị phát xạ RF\r\nkhác hoạt động tại các tần số trong khoảng 0,8 GHz và 6 GHz. Rất nhiều thiết bị\r\nnày sử dụng kỹ thuật điều chế đường bao thay đổi (như TDMA). Xem 5.2.
\r\n\r\nBên cạnh năng lượng điện từ được tạo ra một\r\ncách có tính toán, còn có các bức xạ gây ra bởi các thiết bị như máy hàn,\r\nthyristor, đèn huỳnh quang, các tải cảm ứng hoạt động chuyển mạch… Phần lớn\r\nnhững can nhiễu này thể hiện là nhiễu dẫn điện và liên quan đến các tiêu chuẩn\r\nTCVN 8241-4 (IEC 61000-4). Các phương pháp được thực hiện để ngăn chặn các hiệu\r\nứng từ các trường điện từ thông thường là làm giảm hiệu ứng từ những nguồn này.
\r\n\r\nMôi trường điện từ được quyết định bởi cường\r\nđộ của trường điện từ. Cường độ trường không đo được dễ dàng nếu thiết bị đo\r\nphức tạp và cũng không dễ tính toán qua các phương trình và công thức cổ điển\r\nbởi hiệu ứng của các cấu trúc xung quanh hoặc trạng thái gần kề của các thiết\r\nbị khác sẽ làm méo và/hoặc phản xạ các sóng điện từ.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác mức thử được quy định trong Bảng 1.
\r\n\r\n
\r\nvà các thiết bị phát tần số vô tuyến
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: X là mức mở và cường độ trường\r\n kết hợp có thể là bất kỳ giá trị nào. Mức này có thể được cho trong chỉ tiêu\r\n kỹ thuật thiết bị. \r\n | \r\n |
Tiêu chuẩn này không đưa ra mức thử đơn lẻ áp\r\ndụng cho toàn bộ dải tần. Vì vậy phải lựa chọn các mức thử thích hợp cho mỗi\r\ndải tần để thử cũng như các dải tần cần thử. Xem Phụ lục E để lựa chọn mức thử.
\r\n\r\nTrong Bảng 1 là các giá trị cường độ trường\r\ncủa tín hiệu chưa điều chế. Khi thực hiện phép thử, tín hiệu này được điều biên\r\nvới độ sâu điều chế 80% bằng sóng hình sin tần số 1 kHz (xem Hình 1). Điều 8 mô\r\ntả chi tiết trình tự thực hiện phép thử.
\r\n\r\n5.1 Các mức thử với mục đích chung
\r\n\r\nCác phép thử được thực hiện liên tục trên\r\ntoàn bộ dải tần từ 80 MHz đến 1 000 MHz.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Cơ quan quản lý sản phẩm có thể\r\nquyết định chọn tần số chuyển đổi thấp hơn hoặc cao hơn 80 MHz giữa TCVN\r\n8241-4-3 (IEC 61000-4-3) và TCVN 8241-4-6 (IEC 61000-4-6) (xem Phụ lục G).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Cơ quan quản lý sản phẩm có thể\r\nchọn các phương thức điều chế khác cho thiết bị cần thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: TCVN 8241-4-6 (IEC 61000-4-6)\r\ncũng xác định các phương pháp thử miễn nhiễm của thiết bị điện và điện tử đối\r\nvới năng lượng điện từ bức xạ. Tiêu chuẩn này bao hàm các tần số dưới 80 MHz.
\r\n\r\n5.2 Các mức thử khả năng chống nhiễu vô tuyến\r\nphát xạ từ các máy điện thoại vô tuyến số và các thiết bị phát tần số vô tuyến\r\nkhác.
\r\n\r\nCác mức thử được thực hiện trong dải tần từ\r\n800 MHz đến 960 MHz và từ 1,4 GHz đến 6,0 GHz.
\r\n\r\nCác tần số hoặc băng tần được lựa chọn để thử\r\nphải nằm trong khoảng tần số mà các điện thoại vô tuyến di động và các thiết bị\r\nphát tần số vô tuyến có chủ định khác hoạt động. Không nhất thiết phải tiến\r\nhành phép thử một cách liên tục trên toàn bộ dải băng tần từ 1,4 GHz đến 6 GHz.\r\nTrong dải tần các máy điện thoại vô tuyến di động và các thiết bị phát tần số\r\nvô tuyến có chủ định hoạt động, có thể áp dụng các mức thử cụ thể trong từng\r\ndải tần hoạt động tương ứng.
\r\n\r\nNếu sản phẩm thiết bị được chế tạo chỉ nhằm\r\nthỏa mãn những yêu cầu của một quốc gia nào đó, thì có thể giảm dải tần thực\r\nhiện phép thử từ 1,4 GHz tới 6,0 GHz xuống tới các dải tần được ấn định cho máy\r\nđiện thoại di động số ở những quốc gia đó. Trong trường hợp này dải tần thực\r\nhiện phép thử phải được ghi trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Phụ lục A giải thích về việc\r\nquyết định sử dụng điều chế sóng hình sin trong các phép thử với mục đích chống\r\nnhiễu vô tuyến phát xạ từ các máy điện thoại vô tuyến số và các thiết bị phát\r\ntần số vô tuyến có chủ định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Phụ lục E hướng dẫn lựa chọn các\r\nmức thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Các dải tần của phép thử đối với\r\nBảng 2 là các dải tần thường được ấn định cho các máy điện thoại vô tuyến số\r\n(Phụ lục G liệt kê các tần số được ấn định cho các máy điện thoại vô tuyến số\r\nđược biết cho đến nay).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 4: Các ảnh hưởng tại tần số trên\r\n800 MHz chủ yếu từ các hệ thống điện thoại vô tuyến và các máy phát tần số vô\r\ntuyến có chủ định. Các hệ thống khác hoạt động trong dải tần này (ví dụ các\r\nmạng LAN vô tuyến hoạt động tại tần số 2,4 GHz) thường có công suất rất thấp\r\n(điển hình là thấp hơn 100 mW), vì vậy rất ít có khả năng gây ảnh hưởng.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác loại thiết bị sau được khuyến nghị sử\r\ndụng trong phép thử:
\r\n\r\n- Buồng không phản xạ: phải có kích thước\r\nphù hợp để duy trì được trường đồng nhất theo mọi chiều liên quan đến thiết bị\r\nđược kiểm tra (EUT). Có thể sử dụng các mặt hấp thụ phụ trợ để giảm phản xạ\r\ntrong buồng.
\r\n\r\n- Các bộ lọc EMI: phải đảm bảo các bộ\r\nlọc này không được gây hiệu ứng cộng hưởng phụ trên các đường dây nối tới nó.
\r\n\r\n- Máy phát tín hiệu RF: có băng tần\r\nđáp ứng được yêu cầu và có thể được điều biên bằng một sóng hình sin tần số 1\r\nkHz với độ sâu điều chế 80 %. Máy phát tín hiệu RF có thể điều khiển nhân công\r\n(ví dụ tần số, biên độ, chỉ số điều chế), hoặc trong trường hợp là máy phát\r\ntổng hợp RF, máy phát phải có khả năng lập trình thời gian dừng và bước tần số.
\r\n\r\nNếu cần thiết có thể phải sử dụng các bộ lọc\r\nthông thấp hoặc các bộ lọc thông băng để ngăn các ảnh hưởng của nhiễu hài.
\r\n\r\n- Các bộ khuếch đại công suất: Khuếch\r\nđại tín hiệu (không điều chế hoặc điều chế) để đáp ứng được mức thử theo yêu\r\ncầu. Các hài do bộ khuếch đại công suất tạo ra phải đảm bảo là bất kỳ cường độ\r\ntrường nào được đo trong vùng trường đồng nhất tại mỗi tần số hài phải thấp hơn\r\n6 dB so với cường độ trường tại tần số cơ sở (xem Phụ lục D).
\r\n\r\n- Các anten phát (xem Phụ lục B): là\r\ncác anten biconical, anten chu kỳ logarit, anten râu hoặc các anten phân cực\r\ntuyến tính thỏa mãn những yêu cầu về tần số.
\r\n\r\n- Bộ cảm biến trường đẳng hướng với bộ khuếch\r\nđại và bộ ghép quang điện của chúng có đủ khả năng miễn nhiễm đối với trường\r\nđược đo, đồng thời có đường nối bằng sợi quan tới thiết bị chỉ thị bên ngoài\r\nbuồng đo. Cũng có thể sử dụng các đường truyền tín hiệu khác với bộ lọc thích\r\nhợp.
\r\n\r\n- Thiết bị phụ trợ để ghi các mức công suất\r\ncần thiết đối với cường độ trường theo yêu cầu và để điều khiển mức phát cho\r\nphép thử. Cần phải chú ý đến khả năng miễn nhiễm của thiết bị phụ trợ.
\r\n\r\n6.1 Mô tả phương tiện thử
\r\n\r\nDo tạo ra các trường có cường độ lớn nên các\r\nphép thử phải được thực hiện trong buồng có vỏ chắn để không gây nhiễu ảnh hưởng\r\ntới các hệ thống thông tin vô tuyến bên ngoài. Ngoài ra, hầu hết các thiết bị\r\nđo đều rất nhạy với trường điện từ xung quanh khi tiến hành thử nên buồng có vỏ\r\nchắn sẽ tạo ra "sự cách ly" cần thiết giữa EUT và thiết bị đo. Phải\r\nđảm bảo rằng việc đấu nối cáp qua buồng có vỏ chắn không những làm suy giảm\r\nthỏa đáng nhiễu dẫn và nhiễu phát xạ mà còn duy trì được tính nguyên vẹn của\r\nđáp ứng công suất và tín hiệu của EUT.
\r\n\r\nThiết bị thử bao gồm một buồng thử có vỏ chắn\r\nvới lớp phủ chất hấp thụ, buồng thử phải đủ lớn để chứa được EUT và vẫn cho\r\nphép kiểm soát được cường độ trường. Các buồng thử bao gồm các loại buồng không\r\nphản xạ hoặc buồng bán phản xạ cải tiến như ví dụ trong Hình 2. Các buồng có vỏ\r\nchắn khác chứa các thiết bị tạo trường thử, thiết bị giám sát và các thiết bị\r\nkích thích EUT (nếu có).
\r\n\r\nBuồng không phản xạ thường ít có hiệu quả tại\r\ncác tần số thấp nên phải đặc biệt quan tâm đến tính đồng nhất của trường tại\r\ncác tần số này. Hướng dẫn cụ thể cho trong Phụ lục C.
\r\n\r\n6.2 Hiệu chuẩn trường điện từ
\r\n\r\nMục đích của việc hiệu chuẩn trường là đảm\r\nbảo độ đồng nhất của trường trên mẫu thử để có kết quả chính xác. Tiêu chuẩn\r\nnày sử dụng khái niệm vùng trường đồng nhất (UFA, xem Hình 3), là một mặt phẳng\r\nthẳng đứng giả thuyết của trường, trong đó sự chênh lệch là nhỏ chấp nhận được.\r\nTrong một quy trình (hiểu chuẩn trường) thông thường, các thiết bị thử sẽ tạo\r\nra vùng trường đồng nhất này. Cùng lúc đó xác định dữ liệu để tạo ra cường độ\r\ntrường theo yêu cầu phục vụ cho phép thử. Hiệu chuẩn trường coi là đạt nếu các\r\nbề mặt riêng lẻ (kể cả cáp) của EUT nằm trong vùng bao phủ của UFA.
\r\n\r\nThực hiện hiệu chuẩn trường mà không có EUT\r\n(xem Hình 3). Trong quá trình này, xác định được mối quan hệ giữa cường độ\r\ntrường nằm trong UFA và công suất đặt vào anten. Do đó, công suất phát được\r\ntính dựa vào mối quan hệ này và giá trị cường độ trường thu được. Hiệu chuẩn\r\nđược coi là đạt nếu cấu hình phép thử không thay đổi trong toàn bộ phép thử.\r\nGhi lại vị trí chính xác của anten phát và dây cáp vì một sự dịch chuyển nhỏ\r\ncũng có thể gây ảnh hưởng đáng kể đến trường. Do đó phải tiến hành phép thử\r\nmiễn nhiễm tại các vị trí giống nhau.
\r\n\r\nCông việc hiệu chuẩn cần được tiến hành hàng\r\nnăm và mỗi khi có sự thay đổi cấu hình vỏ chắn (như đặt lại tấm hấp thụ, di chuyển\r\nvùng đồng nhất, thay đổi thiết bị…). Trước mỗi đợt đo thử (xem điều 8) phải\r\nkiểm tra sự hợp lệ của việc hiệu chuẩn.
\r\n\r\nAnten phát phải được đặt tại khoảng cách đủ\r\nlớn để vùng hiệu chuẩn nằm gọn trong độ rộng búp của trường phát. Bộ cảm biến\r\ntrường phải đặt cách anten phát ít nhất là 1 m. Thông thường, khoảng cách giữa\r\nanten phát và UFA là 3 m (xem Hình 3). Kích thước này tính từ tâm của anten\r\nbiconical hoặc từ đầu mút phía trước của anten chu kỳ logarit hoặc anten kết\r\nhợp, hoặc từ gờ trước của anten râu hoặc anten dẫn sóng 2 đỉnh. Biên bản thử\r\nnghiệm và hồ sơ hiệu chuẩn phải ghi lại khoảng cách này.
\r\n\r\nDiện tích của UFA tối thiểu phải là 1,5 m x\r\n1,5 m ở độ cao tối thiểu 0,8 m phía trên mặt đất trừ trường hợp EUT và các dây\r\ndẫn của nó nằm gọn trong một mặt phẳng nhỏ hơn nhưng diện tích của UFA không được\r\nnhỏ hơn 0,5 m x 0,5 m. Khi thực hiện phép thử bề mặt được chiếu xạ của EUT phải\r\ntrùng khớp với mặt phẳng này (xem Hình 5 và 6).
\r\n\r\nĐể xác lập độ khắt khe của phép thử, đối với\r\nEUT và các dây dẫn của nó mà phải được thử gần với mặt đất chuẩn, cường độ của\r\ntrường cũng được ghi tại độ cao 0,4 m. Dữ liệu này phải ghi lại trong hồ sơ\r\nhiệu chuẩn nhưng không dùng khi xem xét sự thích hợp của thiết bị thử cũng như\r\ncơ sở dữ liệu hiệu chuẩn.
\r\n\r\nDo sự phản xạ của mặt sàn trong buồng bán\r\nphản xạ nên rất khó để thiết lập một trường đồng nhất gần với mặt đất chuẩn. Để\r\ngiải quyết vấn đề này, có thể phủ lên mặt đất chuẩn vật liệu hấp thụ phụ thêm\r\n(xem Hình 2).
\r\n\r\nVùng trường đồng nhất được chia thành các mắt\r\nlưới với khoảng cách mắt lưới là 0,5 m (xem ví dụ ở Hình 4 với vùng trường đồng\r\nnhất có kích thước 1,5 m x 1,5 m). Tại mỗi tần số, trường được coi là đồng nhất\r\nnếu số các điểm mắt lưới có biên độ trường nằm trong khoảng từ -0 dB tới +6 dB\r\ncủa giá trị danh định là trên 75 % (ví dụ có ít nhất 12 trong 16 điểm được đo\r\ncủa trường đồng nhất kích thước 1,5 m x 1,5 m nằm trong dung sai cho phép). Đối\r\nvới vùng trường nhất có kích thước 0,5 m x 0,5 m thì cường độ trường của tất cả\r\n4 điểm mắt lưới phải nằm trong mức dung sai này.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Tại các tần số khác nhau, các\r\nđiểm đo khác nhau có thể nằm trong mức dung sai cho phép.
\r\n\r\nĐể đảm bảo rằng cường độ trường không nằm\r\ndưới mức danh định, mức dung sai phải trong khoảng từ -0 dB tới +6 dB là mức\r\ngiá trị tối thiểu phải đạt trong các thiết bị đo thử thực tế.
\r\n\r\nỞ dải tần dưới 1 GHz, cho phép mức dung sai\r\nlớn hơn +6 dB đến +10 dB và không nhỏ hơn -0 dB nhưng chỉ với tối đa là 3% các\r\ntần số của phép thử. Mức dung sai thực tế trong phép thử phải được ghi trong\r\nbiên bản thử nghiệm. Trong trường hợp có sự không đồng nhất thì sử dụng mức\r\ndung sai từ -0 dB đến +6 dB.
\r\n\r\nNếu mặt cần chiếu xạ của EUT có kích thước\r\nlớn hơn 1,5 m x 1,5 m và kích thước của vùng trường đồng nhất không đáp ứng\r\nđược thì mặt cần chiếu xạ sẽ được rọi bằng một loạt phép thử (rọi rừng phần).\r\nHoặc là:
\r\n\r\n- Thực hiện hiệu chuẩn tại các vị trí anten\r\nphát xạ khác nhau để các vùng đồng nhất kết hợp lại bao phủ được toàn bộ bề mặt\r\ncần chiếu xạ của EUT, và phải tiến hành đo thử EUT cùng với anten lần lượt tại\r\ncác vị trí này;
\r\n\r\n- hoặc dịch chuyển EUT đến các vị trí khác để\r\nmỗi phần của nó nằm trọn trong vùng đồng nhất trong ít nhất một phép thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Mỗi vị trí anten yêu cầu hiệu\r\nchuẩn trường đầy đủ.
\r\n\r\nBảng 2 đưa ra khái nhiệm về rọi toàn phần và\r\nrọi từng phần cũng như cần áp dụng khi nào và ở đâu.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Dưới 1 GHz \r\n | \r\n \r\n Kích thước vùng đồng nhất tối thiểu 0,5 m x\r\n 0,5 m \r\nKích thước vùng đồng nhất có các cạnh là\r\n bội các mắt lưới 0,5 m (ví dụ 0,5 m x 0,5 m; 0,5 m x 1,0 m; 1,0 m x 1,0 m…) \r\nHiệu chuẩn trong các vùng mắt lưới kích\r\n thước 0,5 m x 0,5 m. \r\n75 % các điểm hiệu chuẩn phải thỏa mãn chỉ\r\n tiêu kỹ thuật nếu kích thước vùng đồng nhất lớn hơn 0,5 m x 0,5 m. Đối với\r\n vùng đồng nhất có kích thước 0,5 m x 0,5 m thì cả 4 điểm mắt lưới (100%)\r\n phải thỏa mãn chỉ tiêu kỹ thuật. \r\n | \r\n \r\n RỌI TỪNG PHẦN Kích thước vùng đồng nhất tối thiểu 1,5 m x\r\n 1,5 m \r\nKích thước vùng đồng nhất có các cạnh là\r\n bội các mắt lưới 0,5 m (ví dụ 1,5 m x 1,5m; 1,5 m x 2,0 m; 2,0 m x 2,0 m…) \r\nHiệu chuẩn trong các vùng mắt lưới kích\r\n thước 0,5 m x 0,5 m. \r\n75% các điểm hiệu chuẩn phải thỏa mãn chỉ\r\n tiêu kỹ thuật. \r\n\r\n | \r\n
| \r\n Trên 1 GHz \r\n | \r\n \r\n Kích thước vùng đồng nhất tối thiểu 0,5 m x\r\n 0,5 m. \r\nKích thước vùng đồng nhất có các cạnh là\r\n bội các mắt lưới 0,5 m (ví dụ 0,5 m x 0,5 m; 0,5 m x 1,0 m; 1,0 m x 1,0 m…) \r\nHiệu chuẩn trong các vùng mắt lưới kích\r\n thước 0,5 m x 0,5 m. \r\n75% các điểm hiệu chuẩn phải thỏa mãn chỉ\r\n tiêu kỹ thuật nếu kích thước vùng đồng nhất lớn hơn 0,5 m x 0,5 m. Đối với\r\n vùng đồng nhất có kích thước 0,5 m x 0,5 m thì cả 4 điểm mắt lưới (100 %)\r\n phải thỏa mãn chỉ tiêu kỹ thuật. \r\n | \r\n \r\n PHƯƠNG PHÁP CỬA SỔ ĐỘC LẬP \r\nCửa sổ 0,5 m x 0,5 m (xem Phụ lục H) \r\nRỌI TỪNG PHẦN \r\nCửa sổ kích thước 1,5 m x 1,5 m hoặc lớn\r\n hơn với số gia 0,5 m (ví dụ 1,5 m x 2,0 m; 2,0 m x 2,0 m…) \r\nHiệu chuẩn trong các vùng mắt lưới kích\r\n thước 0,5 m x 0,5 m. \r\n75 % các điểm hiệu chuẩn phải thỏa mãn chỉ\r\n tiêu kỹ thuật nếu kích thước vùng đồng nhất lớn hơn 0,5 m x 0,5 m. Đối với\r\n vùng đồng nhất có kích thước 0,5 m x 0,5 m thì cả 4 điểm mắt lưới (100%) phải\r\n thỏa mãn chỉ tiêu kỹ thuật. \r\n | \r\n
Nếu các yêu cầu trong điều này chỉ thỏa mãn\r\nđến một tần số giới hạn nào đó (cao hơn 1 GHz), ví dụ do độ rộng búp sóng của\r\nanten không đủ để rọi toàn bộ EUT, thì đối với các tần số cao hơn tần số đó, có\r\nthể sử dụng phương pháp thay thế (phương pháp cửa sổ độc lập) như được mô tả\r\ntrong Phụ lục H.
\r\n\r\nNói chung khi thiết lập cấu hình thử phải\r\nthực hiện hiệu chuẩn trường trong các buồng không phản xạ và buồng bán phản xạ\r\nnhư được mô tả trong Hình 7. Phải luôn luôn thực hiện hiệu chuẩn với sóng mang\r\nchưa điều chế đối với cả phân cực ngang và phân cực đứng theo các bước dưới\r\nđây. Phải đảm bảo rằng các bộ khuếch đại có thể kiểm soát được điều chế và\r\nkhông bị bão hòa trong quá trình đo thử. Thông thường, để đảm bảo các bộ khuếch\r\nđại không bị bão hòa trong quá trình đo thử, phải tiến hành hiệu chuẩn trường\r\nvới cường độ trường tối thiểu bằng 1,8 lần cường độ trường cần đưa vào EUT.\r\nCường độ trường hiệu chuẩn được biểu thị bằng Ec. Chỉ sử dụng Ec\r\ntrong khi hiệu chuẩn trường. Cường độ trường thử Et không được vượt\r\nquá Ec/1,8.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Có thể sử dụng các phương pháp\r\nkhác để tránh bão hòa.
\r\n\r\nDưới đây mô tả 2 phương pháp hiệu chuẩn khác\r\nbiệt sử dụng vùng trường đồng nhất có kích thước 1,5 m x 1,5 m (16 điểm mắt\r\nlưới) để ví dụ. Các phương pháp này đều tạo ra cùng một tính đồng nhất cho\r\ntrường.
\r\n\r\n6.2.1 Phương pháp hiệu chuẩn cường độ không\r\nđổi
\r\n\r\nPhải thiết lập và đo cường độ trường không\r\nđổi của trường đồng nhất thông qua bộ cảm biến trường bằng cách điều chỉnh công\r\nsuất tương ứng. Bộ cảm biến trường được hiệu chuẩn tại từng tần số và lần lượt\r\ntại mỗi điểm trong 16 điểm (xem Hình 4) sử dụng các kích thước nấc được cho\r\ntrong Điều 8.
\r\n\r\nCông suất cần để thiết lập cường độ trường\r\ntheo yêu cầu phải được đo theo chỉ dẫn trong Hình 7 và hiệu chỉnh về dBm đối\r\nvới 16 điểm.
\r\n\r\nĐối với phân cực ngang và phân cực đứng, thực\r\nhiện các bước sau:
\r\n\r\na) Đặt cảm biến trường tại một trong 16 điểm\r\ncủa lưới (xem Hình 4), điều chỉnh tần số của đầu ra máy phát tín hiệu đến tần\r\nsố thấp nhất trong dải tần số đo thử (ví dụ 80 MHz).
\r\n\r\nb) Điều chỉnh mức công suất đưa vào anten\r\nphát sao cho đạt được cường độ trường bằng cường độ trường hiệu chuẩn Ec.\r\nGhi lại giá trị công suất đọc được.
\r\n\r\nc) Tăng tần số với bước tăng tối đa bằng 1 %\r\ntần số hiện tại.
\r\n\r\nd) Lặp lại các bước b) và c) cho đến khi tần\r\nsố tiếp theo vượt quá tần số cao nhất trong dải tần đo thử. Cuối cùng, lặp lại\r\nbước b) tại tần số cao nhất này (ví dụ 1 GHz).
\r\n\r\ne) Lặp lại các bước a) đến d) đối với mỗi\r\nđiểm trên lưới.
\r\n\r\nTại mỗi tần số:
\r\n\r\nf) Sắp xếp 16 giá trị công suất đọc được theo\r\nthứ tự tăng dần.
\r\n\r\ng) Bắt đầu từ giá trị cao nhất và kiểm tra\r\nxem có ít nhất 11 giá trị phía sau nằm trong dung sai -6 dB đến +0 dB của giá\r\ntrị đó hay không.
\r\n\r\nh) Nếu không thỏa mãn dung sai -6 dB đến +0\r\ndB, thực hiện lại quy trình này, bắt đầu từ giá trị ngay sau nó (chú ý rằng chỉ\r\ncó tối đa 5 lần thực hiện cho mỗi tần số).
\r\n\r\ni) Dừng quá trình này nếu có ít nhất 12 giá\r\ntrị nằm trong khoảng 6 dB và ghi lại giá trị công suất lớn nhất trong các giá\r\ntrị này. Ký hiệu giá trị này là Pc.
\r\n\r\nj) Xác minh hệ thống đo thử (ví dụ bộ khuếch\r\nđại công suất) không ở trong trạng thái bão hòa. Giả thiết chọn Ec\r\nbằng 1,8 lần Et, thực hiện các bước sau đối với mỗi tần số hiệu\r\nchuẩn:
\r\n\r\nj-1) Giảm đầu ra của máy phát tín hiệu 5,1 dB\r\nso với mức đã thiết lập để đạt được công suất Pc (-5,1 dB tương\r\nđương với Ec/1,8).
\r\n\r\nj-2) Ghi lại giá trị công suất mới được đưa\r\nvào anten.
\r\n\r\nj-3) Lấy Pc trừ đi giá trị công\r\nsuất đo được trong bước j-2). Nếu kết quả nằm trong khoảng 3,1 dB đến 5,1 dB\r\nthì bộ khuếch đại không bị bão hòa và hệ thống đo thử đủ tiêu chuẩn để đo thử.\r\nNếu kết quả nhỏ hơn 3,1 dB chứng tỏ bộ khuếch đại bị bão hòa, do đó không thích\r\nhợp để đo thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Nếu tại một tần số nào đó, tỉ số\r\ngiữa Ec và Et là R (dB), với R = 20 log(Ec/Et)\r\nthì công suất đo thử Pt = Pc - R (dB). Các ký hiệu c và t\r\ntương ứng với công suất hiệu chuẩn và đo thử. Điều chế trường theo điều 8.
\r\n\r\nMột ví dụ về hiệu chuẩn được mô tả trong\r\nD.4.1.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Phải đảm bảo các bộ khuếch đại\r\nkhông bị bão hòa tại mỗi tần số. Tốt nhất là kiểm tra khả năng nén 1 dB của bộ\r\nkhuếch đại. Khi kiểm tra khả năng nén 1dB của bộ khuếch đại, nếu trở kháng của\r\nanten sử dụng trong quá trình đo thử khác 50 Ω thì phải kết cuối bộ khuếch đại\r\nbằng trở kháng 50 Ω. Kiểm tra sự bão hòa của hệ thống đo thử bằng cách kiểm tra\r\nđiểm nén 2 dB được mô tả trong bước j). Để biết thêm thông tin xem Phụ lục D.
\r\n\r\n6.2.2 Phương pháp hiệu chuẩn công suất không\r\nđổi
\r\n\r\nPhải thiết lập và đo cường độ trường không\r\nđổi của trường đồng nhất thông qua bộ cảm biến trường bằng cách điều chỉnh công\r\nsuất tương ứng. Bộ cảm biến trường được hiểu chuẩn tại từng tần số và lần lượt\r\ntại mỗi điểm trong 16 điểm (xem Hình 4) sử dụng các kích thước nấc được cho\r\ntrong điều 8.
\r\n\r\nĐo và ghi lại giá trị công suất cần để thiết\r\nlập cường độ trường ở vị trí bắt đầu theo Hình 7. Đưa giá trị công suất này vào\r\n16 vị trí. Ghi tại giá trị cường độ trường do công suất này tạo ra tại mỗi điểm\r\ntrong 16 điểm.
\r\n\r\nThực hiện các bước sau đối với cả 2 trường\r\nhợp phân cực ngang và phân cực đứng:
\r\n\r\na) Đặt cảm biến trường tại một trong 16 điểm\r\ncủa lưới (xem Hình 4); điều chỉnh tần số của đầu ra máy phát tín hiệu đến tần\r\nsố thấp nhất trong dải tần số đo thử (ví dụ 80 MHz).
\r\n\r\nb) Điều chỉnh mức công suất đưa vào anten\r\nphát sao cho giá trị cường độ trường bằng Ec (tính đến cả trường hợp\r\ntrường đo thử sẽ được điều chế). Ghi lại giá trị công suất và cường độ trường\r\nđọc được.
\r\n\r\nc) Tăng tần số với bước tăng tối đa bằng 1%\r\ntần số hiện tại.
\r\n\r\nd) Lặp lại các bước b) và c) cho đến khi tần\r\nsố tiếp theo vượt quá tần số cao nhất trong dải tần đo thử. Cuối cùng, lặp lại\r\nbước b) tại tần số cao nhất này (ví dụ 1 GHz).
\r\n\r\ne) Dịch chuyển bộ cảm biến đến vị trí khác\r\ntrên lưới. Tại mỗi tần số lặp lại các bước a) đến d), điều chỉnh công suất\r\ntrong bước b) cho tần số đó và ghi lại giá trị cường độ trường đọc được.
\r\n\r\nf) Lặp lại bước e) cho mỗi điểm trên lưới.
\r\n\r\nTại mỗi tần số:
\r\n\r\ng) Sắp xếp 16 giá trị công suất đọc được theo\r\nthứ tự tăng dần.
\r\n\r\nh) Chọn một giá trị cường độ trường làm chuẩn\r\nvà tính toán độ lệch của các vị trí khác so với giá trị này theo đơn vị dB.
\r\n\r\ni) Bắt đầu từ giá trị thấp nhất và kiểm tra\r\nxem có ít nhất 11 giá trị trên nó nằm trong dung sai -0 dB đến +6 dB của giá\r\ntrị đó hay không.
\r\n\r\nj) Nếu không thỏa mãn -6 dB đến +0 dB, thực\r\nhiện lại quy trình này, bắt đầu từ giá trị ngay sau nó (chú ý rằng chỉ có tối\r\nđa 5 lần thực hiện cho mỗi tần số).
\r\n\r\nk) Dừng quá trình này nếu có ít nhất 12 giá\r\ntrị nằm trong khoảng 6 dB và từ các giá trị này lấy vị trí đạt được giá trị\r\ncường độ trường nhỏ nhất để làm chuẩn.
\r\n\r\nl) Tính toán giá trị công suất cần để tạo ra\r\ncường độ trường theo yêu cầu tại vị trí chuẩn. Ký hiệu công suất này là Pc.
\r\n\r\nm) Xác minh hệ thống đo thử (ví dụ bộ khuếch\r\nđại công suất) không ở trong trạng thái bão hòa. Giả thiết chọn Ec\r\nbằng 1,8 lần Et, thực hiện các bước sau đối với mỗi tần số hiệu\r\nchuẩn:
\r\n\r\nm-1) Giảm đầu ra của máy phát tín hiệu 5,1 dB\r\nso với mức đã thiết lập để đạt được công suất Pc (-5,1 dB tương\r\nđương với Ec/1,8);
\r\n\r\nm-2) Ghi lại giá trị công suất mới được đưa\r\nvào anten;
\r\n\r\nm-3) Lấy Pc trừ đi giá trị công\r\nsuất đo được trong bước m-2). Nếu kết quả nằm trong khoảng 3,1 dB đến 5,1 dB\r\nthì bộ khuếch đại không bị bão hòa và hệ thống đo thử đủ tiêu chuẩn để đo thử.\r\nNếu kết quả nhỏ hơn 3,1 dB chứng tỏ bộ khuếch đại bị bão hòa, do đó không thích\r\nhợp để đo thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Nếu tại một tần số nào đó, tỉ số\r\ngiữa Ec và Et là R (dB), với R = 20 log(Ec/Et),\r\nthì công suất đo thử Pt = Pc - R (dB). Các ký hiệu c và t\r\ntương ứng với hiệu chuẩn và đo thử. Điều chế trường theo điều 8.
\r\n\r\nMột ví dụ về hiệu chuẩn được mô tả trong\r\nD.4.2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Phải đảm bảo các bộ khuếch đại\r\nkhông bị bão hòa tại mỗi tần số. Tốt nhất là kiểm tra khả năng nén 1 dB của bộ\r\nkhuếch đại. Khi kiểm tra khả năng nén 1 dB của bộ khuếch đại, nếu trở kháng của\r\nanten sử dụng trong quá trình đo thử khác 50 Ω thì phải kết cuối bộ khuếch đại\r\nbằng trở kháng 50 Ω. Kiểm tra sự bão hòa của hệ thống đo thử bằng cách kiểm tra\r\nđiểm nén 2 dB được mô tả trong bước m). Để biết thêm thông tin xem Phụ lục D.
\r\n\r\n\r\n\r\nPhải thực hiện tất cả các phép thử với cấu\r\nhình sao cho gần giống nhất với cấu hình được lắp đặt trong thực tế. Đầu nối thiết\r\nbị phải tuân thủ hướng dẫn của nhà sản xuất và thiết bị được lắp đầy đủ vỏ và nắp\r\nmáy như trong hướng dẫn sử dụng trừ khi có hướng dẫn khác.
\r\n\r\nNếu thiết bị được thiết kế để lắp trên tường,\r\ntrên giá hoặc cabinet thì phải thực hiện phép thử với cấu hình đó.
\r\n\r\nKhông yêu cầu phải có mặt đất chuẩn kim loại\r\ntrong phép thử. Nếu cần giá đỡ mẫu thử, thì giá đỡ phải là vật liệu phi kim\r\nloại, không dẫn điện. Có thể sử dụng vật liệu có hằng số điện môi thấp như\r\npolystyrene cứng. Tuy nhiên, việc nối đất của thiết bị phải tuân thủ các khuyến\r\nnghị lắp đặt của nhà sản xuất.
\r\n\r\nNếu EUT bao gồm các thiết bị đặt trên sàn nhà\r\nvà để bàn thì phải chú ý đến vị trí tương đối của các thiết bị này.
\r\n\r\nCác cấu hình EUT điển hình cho trong Hình 5\r\nvà 6.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Sử dụng các giá đỡ không dẫn\r\nđiện để tránh tiếp đất không chủ ý của EUT và méo trường. Để đảm bảo không méo\r\ntrường, quan trọng là giá đỡ phải là một khối phi dẫn, không sử dụng loại có\r\nlớp vỏ cách điện và bên trong là một cấu trúc kim loại.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Tại các tần số cao hơn (ví dụ 1\r\nGHz), bàn hoặc giá đỡ làm từ gỗ hoặc thủy tinh gia cố nhựa có thể gây ra phản\r\nxạ. Vì vậy, nên sử dụng vật liệu có hằng số điện môi thấp như polystyrene cứng\r\nđể tránh ảnh hưởng đến trường hay giảm cấp tính đồng nhất của trường.
\r\n\r\n7.1 Bố trí thiết bị để bàn
\r\n\r\nEUT được đặt trên bàn không dẫn điện có độ\r\ncao 0,8 m.
\r\n\r\nSau đó, thiết bị được nối với các dây nguồn\r\nvà dây tín hiệu tuân thủ theo hướng dẫn lắp đặt của nhà sản xuất.
\r\n\r\n7.2 Bố trí thiết bị đặt trên sàn nhà
\r\n\r\nThiết bị đặt trên sàn nhà được để trên một\r\ngiá đỡ không dẫn điện cao hơn mặt phẳng nền từ 0,05 m đến 0,15 m. Sử dụng các\r\ngiá đỡ phi dẫn để ngăn ngừa sự tiếp đất ngẫu nhiên của EUT và không gây méo\r\ntrường. Để đảm bảo không méo trường, giá đỡ phải là một khối phi dẫn, không sử\r\ndụng loại có lớp vỏ cách điện và bên trong là một cấu trúc kim loại. Có thể bố\r\ntrí thiết bị đặt trên sàn nhà trên một bệ cao 0,8m phi dẫn, nếu thiết bị không\r\nquá lớn, quá nặng và độ cao đó không gây nguy hiểm. Sự thay đổi này phải được\r\nghi lại trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Có thể sử dụng các trục lăn phi\r\ndẫn như các giá đỡ từ 0,05 m đến 0,15 m.
\r\n\r\nSau đó thiết bị được nối với các dây nguồn và\r\ndây tín hiệu tuân thủ theo hướng dẫn lắp đặt của nhà sản xuất.
\r\n\r\n7.3 Bố trí dây nối
\r\n\r\nTại khu vực đo thử, phải bố trí và nối cáp\r\ntới EUT theo đúng hướng dẫn sử dụng của nhà sản xuất. Phải tái tạo cấu hình và\r\ncách sử dụng đặc thù của thiết bị trong khả năng có thể.
\r\n\r\nPhải sử dụng loại dây nối và các đầu nối theo\r\nchỉ định của nhà sản xuất. Nếu loại dây nối tới (hoặc từ) EUT không được xác\r\nđịnh, thì phải sử dụng các dây dẫn song song không có vỏ chắn nhiễu.
\r\n\r\nNếu đặc tính kỹ thuật của nhà sản xuất yêu\r\ncầu độ dài dây nối nhỏ hơn hoặc bằng 3 m thì độ dài quy định phải được sử dụng.\r\nNếu độ dài quy định lớn hơn 3 m hoặc không được nhà sản xuất xác định thì độ dài\r\ncủa cáp được chọn phù hợp với quy tắc lắp đặt điển hình. Nếu có thể, tối thiểu\r\n1 m cáp phải được phơi nhiễm trường điện từ. Chiều dài thừa ra của cáp kết nối\r\ncác bộ phận của EUT phải được bó lại sao cho có độ tự cảm thấp gần đoạn giữa\r\ncủa cáp và hình thành bó dài 30 cm đến 40 cm.
\r\n\r\nNếu cơ quan quản lý sản phẩm xác định chiều\r\ndài thừa ra của cáp phải được tách riêng ra (ví dụ đối với các cáp đi ra khỏi\r\nvùng thử) thì phương pháp tách được sử dụng phải không làm suy yếu hoạt động\r\ncủa EUT.
\r\n\r\n7.4 Bố trí thiết bị mang trên người
\r\n\r\nPhép thử đối với thiết bị mang trên người\r\n(xem định nghĩa 3.13) cũng tương tự như thiết bị để bàn. Tuy nhiên, phép thử có\r\nthể quá hay dưới mức cần thiết do không tính đến các đặc tính của cơ thể con\r\nngười. Do đó nhà sản xuất cần hỗ trợ để xác định việc sử dụng bộ mô phỏng cơ\r\nthể con người với các đặc tính điện môi tương ứng.
\r\n\r\n\r\n\r\nQuy trình thử bao gồm:
\r\n\r\n- Kiểm tra điều kiện chuẩn của phòng thí\r\nnghiệm;
\r\n\r\n- Kiểm tra sơ bộ hoạt động của thiết bị;
\r\n\r\n- Thực hiện phép thử;
\r\n\r\n- Đánh giá kết quả.
\r\n\r\n8.1 Điều kiện chuẩn của phòng thử nghiệm
\r\n\r\nĐể tối thiểu hóa ảnh hưởng của môi trường đến\r\nkết quả phép thử, phải tiến hành phép thử trong điều kiện điện từ và điều kiện\r\nmôi trường chuẩn như được xác định trong 8.1.1 và 8.1.2.
\r\n\r\n8.1.1 Điều kiện môi trường
\r\n\r\nTrừ khi được quy định khác trong tiêu chuẩn\r\nsản phẩm, điều kiện môi trường trong phòng thí nghiệm phải nằm trong giới hạn\r\nhoạt động của EUT và thiết bị đo thử.
\r\n\r\nKhông được thực hiện đo thử nếu độ ẩm tương\r\nđối cao đến mức gây ra sự ngưng tụ hơi nước trên EUT hoặc thiết bị đo thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: trong trường hợp thấy có bằng\r\nchứng đủ để chứng tỏ các hiệu ứng của hiện tượng bao hàm trong tiêu chuẩn này\r\nbị ảnh hưởng bởi các điều kiện môi trường, cần thông báo lưu ý cơ quan quản lý\r\ntiêu chuẩn này.
\r\n\r\n8.1.2 Điều kiện điện từ
\r\n\r\nĐiều kiện điện từ của phòng thí nghiệm phải\r\nđảm bảo EUT vẫn hoạt động đúng chức năng để không ảnh hưởng đến kết quả phép\r\nthử.
\r\n\r\n8.2 Thực hiện phép thử
\r\n\r\nPhép thử được thực hiện theo một kế hoạch\r\nthử. EUT được thử trong điều kiện hoạt động bình thường.
\r\n\r\nKế hoạch thử phải xác định được:
\r\n\r\n- kích cỡ của EUT;
\r\n\r\n- điều kiện làm việc đặc trưng của EUT;
\r\n\r\n- EUT được thử theo cách như thiết bị để bàn,\r\nđặt trên sàn nhà hoặc tổ hợp cả hai;
\r\n\r\n- đối với thiết bị đặt trên sàn nhà, xác định\r\nchiều cao của giá đỡ;
\r\n\r\n- loại phương tiện đo được sử dụng và vị trí\r\ncủa anten phát xạ;
\r\n\r\n- loại anten được sử dụng;
\r\n\r\n- dải tần số, thời gian dừng và bước tần số;
\r\n\r\n- kích thước và hình dạng của vùng trường\r\nđồng nhất;
\r\n\r\n- có sử dụng phương pháp rọi từng phần hay\r\nkhông;
\r\n\r\n- mức thử được áp dụng;
\r\n\r\n- loại, số lượng dây nối được sử dụng và cổng\r\ngiao diện tương ứng của EUT;
\r\n\r\n- tiêu chí chất lượng;
\r\n\r\n- mô tả phương pháp kích thích EUT.
\r\n\r\nQuy trình thử được mô tả trong điều này áp\r\ndụng cho trường hợp sử dụng anten phát trường như được quy định trong điều 6.
\r\n\r\nTrước khi tiến hành thử, nên kiểm tra mật độ\r\ncường độ điện trường để chắc chắn rằng hệ thống/thiết bị đo thử hoạt động đúng\r\nchức năng.
\r\n\r\nSau khi kiểm tra việc hiệu chuẩn, có thể phát\r\ntrường đo thử bằng cách sử dụng các số liệu từ quá trình hiệu chuẩn (xem 6.2).
\r\n\r\nBan đầu EUT được đặt sao cho một mặt trùng\r\nkhớp với bề mặt hiệu chuẩn. Bề mặt EUT cần chiếu xạ phải nằm gọn trong vùng\r\ntrường đồng nhất trừ khi áp dụng phương pháp rọi từng phần. Xem 6.2 khi hiệu\r\nchuẩn trường và sử dụng phương pháp rọi từng phần.
\r\n\r\nQuét dải tần số đo thử với tín hiệu được điều\r\nchế theo 5.1 và 5.2, ngừng lại để hiệu chỉnh mức tín hiệu RF hoặc điều chỉnh\r\nmáy hiện sóng và anten khi cần thiết. Khi quét tần số tăng dần, bước tăng không\r\nđược vượt quá 1 % giá trị tần số trước.
\r\n\r\nThời gian dừng của sóng mang được điều chế\r\nbiên độ tại mỗi tần số không được nhỏ hơn thời gian để EUT bị kích thích và đáp\r\nứng, nhưng không được nhỏ hơn 0,5 s. Các tần số nhạy cảm (ví dụ tần số đồng hồ)\r\nphải được phân tích riêng theo yêu cầu của tiêu chuẩn sản phẩm.
\r\n\r\nThông thường phải thực hiện phép thử với\r\nanten phát đối diện với một phía của EUT. Trong trường hợp thiết bị có thể được\r\nsử dụng theo định hướng khác (phương ngang hoặc thẳng đứng) thì tất cả các mặt\r\ncủa thiết bị đều phải nằm trong trường trong suốt quá trình thử. Khi đã thỏa mãn\r\nvề mặt kỹ thuật, có thể thử một số EUT bằng cách hướng một số mặt của EUT tới\r\nanten phát. Trong các trường hợp khác, ví dụ tùy theo loại và kích thước của\r\nEUT hoặc tần số đo thử, có thể cần nhiều hơn 4 góc phương vị nằm trong vùng\r\ntrường phát.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Khi kích thước về mặt điện của\r\nEUT tăng thì tính phức tạp của mô hình anten cũng tăng. Sự phức tạp của mô hình\r\nanten có thể ảnh hưởng đến số các định hướng phép thử để xác định mức độ miễn\r\nnhiễm tối thiểu.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Nếu EUT bao gồm nhiều thành\r\nphần, không cần phải thay đổi vị trí của mỗi thành phần trong EUT khi chiếu xạ,\r\nnó từ các mặt khác nhau.
\r\n\r\nĐối với mỗi mặt, phải kiểm tra 2 lần sự phân\r\ncực của trường do anten phát ra. Một lần với anten được đặt thẳng đứng và một\r\nlần với anten được đặt nằm ngang.
\r\n\r\nPhải kích thích đầy đủ EUT trong quá trình đo\r\nthử, xem xét tất cả các chế độ kích thích chính được lựa chọn để đo thử. Khuyến\r\nnghị sử dụng chương trình kích thích đặc biệt.
\r\n\r\nKết quả phép thử phải được phân loại dựa trên\r\nsự suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng của thiết bị đo thử, có tính đến các\r\nmức chỉ tiêu xác định bởi nhà sản xuất hoặc đối tượng yêu cầu thử, hoặc theo\r\nthỏa thuận giữa nhà sản xuất và khách hàng. Các phân loại sau được khuyến nghị:
\r\n\r\na) Chỉ tiêu kỹ thuật danh định nằm trong giới\r\nhạn xác định bởi nhà sản xuất, đối tượng yêu cầu thử hoặc khách hàng;
\r\n\r\nb) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng tạm\r\nthời, khôi phục lại khi nguồn nhiễu không còn. Thiết bị được đo thử phục hồi\r\nchỉ tiêu thông thường của chúng mà không cần sự can thiệp của người khai thác;
\r\n\r\nc) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng tạm\r\nthời, khôi phục lại nhờ tác động của người khai thác;
\r\n\r\nd) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng,\r\nkhông có khả năng khôi phục do hư hỏng phần cứng, phần mềm, hoặc mất dữ liệu.
\r\n\r\nTài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất có thể xác\r\nđịnh một số ảnh hưởng với EUT được coi là không quan trọng và do đó chấp nhận\r\nđược.
\r\n\r\nViệc phân loại như trên có thể được sử dụng\r\nnhư một hướng dẫn tính toán chỉ tiêu chất lượng, bởi các cơ quan quản lý về\r\ntiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm và họ sản phẩm, hoặc được sử dụng như một\r\nmẫu thỏa thuận về chỉ tiêu chất lượng giữa nhà sản xuất và khách hàng, ví dụ\r\ntrong trường hợp không có tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm hoặc họ sản\r\nphẩm phù hợp.
\r\n\r\n\r\n\r\nBiên bản thử nghiệm phải bao gồm các thông\r\ntin cần thiết để tái tạo phép thử. Cụ thể, các thông tin sau phải được ghi lại:
\r\n\r\n- các khoản xác định trong kế hoạch thử theo\r\nyêu cầu ở điều 8 của tiêu chuẩn này;
\r\n\r\n- nhận dạng EUT và các thiết bị phụ trợ, ví\r\ndụ như tên hiệu, loại sản phẩm, số hiệu;
\r\n\r\n- nhận dạng thiết bị đo thử, ví dụ như tên\r\nhiệu, loại sản phẩm, số hiệu;
\r\n\r\n- các điều kiện môi trường đặc biệt trong đó\r\nthực hiện phép thử;
\r\n\r\n- các điều kiện cụ thể cần để tiến hành phép\r\nthử;
\r\n\r\n- tiêu chí chất lượng do nhà sản xuất, người\r\nyêu cầu hoặc khách hàng đưa ra;
\r\n\r\n- tiêu chí chất lượng trong các tiêu chuẩn sản\r\nphẩm hoặc họ sản phẩm;
\r\n\r\n- các ảnh hưởng lên EUT trong và sau khi chịu\r\nảnh hưởng của nhiễu thử, khoảng thời gian các ảnh hưởng này tồn tại;
\r\n\r\n- sở cứ để đánh giá đạt/không đạt (dựa trên\r\ntiêu chí chất lượng xác định trong tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm hoặc\r\nhọ sản phẩm, hoặc thỏa thuận giữa nhà sản xuất và khách hàng);
\r\n\r\n- các điều kiện cụ thể khi sử dụng thông thường\r\nví dụ chiều dài, loại cáp, che chắn hoặc tiếp đất hoặc điều kiện hoạt động của\r\nEUT. Đây là các điều kiện cần thiết để đạt được sự tuân thủ;
\r\n\r\n- mô tả hoàn chỉnh về vị trí và định hướng\r\ncủa cáp và thiết bị. Trong một số trường hợp, cần chụp ảnh để có thông tin cụ\r\nthể hơn.
\r\n\r\n![](\"00902425_files/image002.gif\")
![](\"00902425_files/image005.jpg\")
![](\"00902425_files/image006.jpg\")
![](\"00902425_files/image007.jpg\")
![](\"00902425_files/image008.jpg\")
1) Thiết bị điều khiển, ví dụ máy tính cá\r\nnhân
\r\n\r\n2) Máy phát tín hiệu
\r\n\r\n3) Bộ khuếch đại công suất
\r\n\r\n4) Bộ ghép nối có hướng a
\r\n\r\n5) Thiết bị đo a
\r\n\r\n6) Anten phát
\r\n\r\n7) Bộ cảm biến trường
\r\n\r\n8) Máy đo trường (field meter)
\r\n\r\na Bộ ghép nối có hướng và máy đo công suất có\r\nthể thay thế bằng máy tách sóng công suất hoặc thiết bị giám sát nằm giữa bộ\r\nkhuếch đại 3) và anten 6)
\r\n\r\n\r\n\r\n
A.1 Tóm tắt các phương pháp điều chế khác\r\nnhau
\r\n\r\nMô phỏng các ảnh hưởng nhiễu tần số trên 800\r\nMHz từ các máy điện thoại vô tuyến số thông thường sử dụng dạng điều chế đường\r\nbao thay đổi. Khi xây dựng tiêu chuẩn này, các phương pháp điều chế dưới đây đã\r\nđược xem xét:
\r\n\r\n- Điều biên sóng hình sin, độ sâu 80%, tần số\r\nđiều chế 1 kHz;
\r\n\r\n- Điều biên sóng vuông, tỷ lệ xung 1:2, độ\r\nsâu 100%, tần số 200 Hz;
\r\n\r\n- Xung RF mô phỏng gần đúng các đặc tính của\r\ntừng hệ thống, ví dụ tỷ lệ xung 1:8 tại tần số 200 Hz đối với GSM, tỷ lệ xung\r\n1:24 tại tần số 100 Hz đối với máy cầm tay DECT… (xem Phụ lục G về GSM và\r\nDECT);
\r\n\r\n- Xung RF mô phỏng chính xác các đặc tính của\r\ntừng hệ thống, ví dụ đối với GSM: tỷ lệ xung 1:8 tại tần số 200 Hz cộng với các\r\nhiệu ứng thứ cấp như chế độ truyền dẫn gián đoạn (tần số điều chế 2 Hz) và các\r\nhiệu ứng đa khung (thành phần tần số 8 Hz).
\r\n\r\nCác ưu nhược điểm của từng phương pháp được\r\ntóm tắt trong Bảng A.1
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n 1. Thực nghiệm cho thấy có thể thiết lập\r\n mối tương quan chính xác giữa các hiệu ứng nhiễu của các loại điều chế đường\r\n bao biến đổi khác nhau. \r\n2. Không cần thiết phải xác định (và đo)\r\n thời gian tăng của xung TDMA. \r\n3. Được sử dụng trong tiêu chuẩn này và\r\n tiêu chuẩn TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6) \r\n4. Thiết bị phát trường và thiết bị giám\r\n sát tương đối phổ thông. \r\n5. Với thiết bị âm thanh tương tự, việc\r\n giải điều chế trong EUT tạo ra một đáp ứng âm thanh có thể đo được bằng một\r\n đồng hồ đo mức băng hẹp, do đó giảm được nhiễu nền. \r\n6. Đã chứng minh được hiệu quả trong việc\r\n mô phỏng các ảnh hưởng của các kiểu điều chế khác nhau (ví dụ: điều tần, điều\r\n pha, điều xung) tại các tần số thấp hơn. \r\n | \r\n \r\n 1. Không mô phỏng chính xác TDMA \r\n2. Hơi quá khắt khe đối với EUT có đáp ứng\r\n tuân theo phương trình vi phân bậc 2. \r\n3. Có thể bỏ sót một cơ chế sai hỏng. \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n 1. Giống TDMA 2. Có thể áp dụng phổ biến 3. Có thể phát hiện các cơ chế sai hỏng\r\n "không rõ" (nhạy cảm với tốc độ thay đổi lớn của đường bao RF) \r\n | \r\n \r\n 1. Không mô phỏng chính xác TDMA \r\n2. Đòi hỏi thiết bị phi chuẩn để phát tín\r\n hiệu thử \r\n3. Việc giải điều chế trong EUT tạo ra một\r\n đáp ứng âm thanh băng rộng, phải đo bằng một đồng hồ đo mức băng rộng, do đó\r\n làm tăng nhiễu nền. \r\n4. Cần phải xác định thời gian tăng của\r\n xung. \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n 1. Mô phỏng chính xác TDMA \r\n2. Có thể phát hiện các cơ chế sai hỏng\r\n "không rõ" (nhạy cảm với tốc độ thay đổi lớn của đường bao RF) \r\n | \r\n \r\n 1. Đòi hỏi thiết bị phi chuẩn để phát tín\r\n hiệu thử. \r\n2. Một số điểm về điều chế phải thay đổi để\r\n phù hợp với các hệ thống khác nhau (GSM, DECT…) \r\n3. Việc giải điều chế trong EUT tạo ra một\r\n đáp ứng âm thanh băng rộng, phải đo bằng một đồng hồ đo mức băng rộng, do đó\r\n làm tăng nhiễu nền. \r\n4. Cần phải xác định thời gian tăng của\r\n xung \r\n | \r\n
A.2 Các kết quả thực nghiệm
\r\n\r\nMột loạt thử nghiệm đã được tiến hành để đánh\r\ngiá mối tương quan giữa phương pháp điều chế được sử dụng để tạo tín hiệu gây\r\nnhiễu và nhiễu được tạo ra.
\r\n\r\nCác phương pháp điều chế đã được nghiên cứu\r\nlà:
\r\n\r\na) Sóng hình sin 80% AM tại tần số 1 kHz;
\r\n\r\nb) Xung RF "giống GSM", tỷ lệ xung\r\n1:8 tại tần số 200 Hz;
\r\n\r\nc) Xung RF "giống DECT", tỷ lệ xung\r\n1:2 tại tần số 100 Hz (trạm gốc);
\r\n\r\nd) Xung RF "giống DECT", tỷ lệ xung\r\n1:24 tại tần số 100 Hz (máy cầm tay).
\r\n\r\nTrong mỗi trường hợp chỉ sử dụng một trong\r\ncác phương pháp điều chế "giống DECT".
\r\n\r\nCác kết quả được tóm tắt trong các Bảng A.2\r\nvà A.3.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n |||
| \r\n Máy trợ thính c \r\n | \r\n \r\n Không trọng số \r\n21 Hz – 21 kHz \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Trọng số loại A \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Máy điện thoại tương tự e \r\n | \r\n \r\n Không trọng số \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Trọng số loại A \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Máy thu thanh f \r\n | \r\n \r\n Không trọng số \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Trọng số loại A \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n a Đáp ứng âm thanh là mức nhiễu, mức nhiễu\r\n thấp có nghĩa là mức miễn nhiễm cao. \r\nb Quan trọng: Biên độ sóng mang được điều\r\n chỉnh sao cho giá trị RMS cực đại (xem điều 3) của tín hiệu gây nhiễu là\r\n giống nhau đối với tất cả các phương pháp điều chế. \r\nc Tín hiệu gây nhiễu được ra bằng một trường\r\n điện từ tần số 900 MHz. Tỷ lệ xung đối với điều chế "giống DECT" là\r\n 1:2 thay vì 1:24. Đáp ứng âm thanh là âm đầu ra được đo bằng tai giả nối qua\r\n một ống PVC 0,5 m. \r\nd Trường hợp này được chọn như là đáp ứng âm\r\n thanh chuẩn, có nghĩa là 0 dB. \r\ne Tín hiệu gây nhiễu là một dòng RF tần số\r\n 900 MHz xâm nhập vào cáp điện thoại. Đáp ứng âm thanh là điện áp tần số âm\r\n tần đo được trên đường dây điện thoại. \r\nf Tín hiệu gây nhiễu là một dòng RF tần số\r\n 900 MHz xâm nhập vào cáp nguồn. Đáp ứng âm thanh là âm đầu ra đo được bằng\r\n microphone. \r\n | \r\n ||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n |||
| \r\n Máy thu hình c \r\n | \r\n \r\n Nhiễu có thể nhận thấy rõ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Nhiễu mạnh \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Màn hình tắt \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Đầu cuối số liệu với giao diện RS232 e \r\n | \r\n \r\n Nhiễu trên màn hình video \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Lỗi số liệu \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Modem RS232 f \r\n | \r\n \r\n Lỗi số liệu (xâm nhập vào giao diện điện\r\n thoại) \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Lỗi số liệu (xâm nhập vào giao diện RS232) \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Nguồn cấp cho phòng thí nghiệm g \r\n | \r\n \r\n Lỗi 2% ở dòng một chiều đầu ra \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Kết nối chéo SDHh \r\n | \r\n \r\n Ngưỡng lỗi bít \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n a Các con số cho trong bảng là giá trị đo\r\n tương đối của mức RMS cực đại (xem điều 3) của tín hiệu gây nhiễu cần thiết\r\n để tạo ra cùng mức nhiễu với tất cả các phương pháp điều chế khác nhau. Mức\r\n dB cao nghĩa là độ miễn nhiễm cao. \r\nb Tín hiệu gây nhiễu được điều chỉnh sao cho\r\n tạo được đáp ứng (nhiễu) như nhau với tất cả các phương pháp điều chế. \r\nc Tín hiệu gây nhiễu là một dòng RF tần số\r\n 900 MHz xâm nhập vào cáp nguồn. Đáp ứng là độ nhiễu tạo thành trên màn hình.\r\n Việc đánh giá là khách quan do các mẫu nhiễu khác biệt trong các trường hợp\r\n khác biệt. \r\nd Trường hợp này được chọn là mức miễn nhiễm\r\n chuẩn, có nghĩa là 0 dB. \r\ne Tín hiệu gây nhiễu là một dòng RF tần số\r\n 900 MHz xâm nhập vào cáp RS232. \r\nf Tín hiệu gây nhiễu là một dòng RF tần số\r\n 900 MHz xâm nhập vào cáp điện thoại hoặc cáp RS232. \r\ng Tín hiệu gây nhiễu là dòng RF tần số 900\r\n MHz xâm nhập vào cáp DC đầu ra. \r\nh SDH = Phân cấp số đồng bộ. Tín hiệu gây\r\n nhiễu là trường điện từ tần số 935 MHz. \r\n | \r\n ||||
Danh mục các thiết bị đã được thử, sử dụng cả\r\nhai phương pháp điều chế sóng sin AM và điều xung (tỷ lệ 1:2) với cường độ\r\ntrường lên tới 30 V/m.
\r\n\r\n- Máy sây khô cầm tây điều khiển bằng vi xử\r\nlý;
\r\n\r\n- Modem 2 Mbit/s với cáp đồng trục 75 Ω;
\r\n\r\n- Modem 2 Mbit/s với cáp hai dây xoắn 120 Ω;
\r\n\r\n- Bộ điều khiển công nghiệp sử dụng vi xử lý,\r\nhiển thị video và giao diện RS485;
\r\n\r\n- Hệ thống hiển thị giờ tàu sử dụng vi xử lý;
\r\n\r\n- Thiết bị đầu cuối thẻ tín dụng có đầu ra\r\nmodem;
\r\n\r\n- Bộ ghép kênh số 2/34 Mbit/s;
\r\n\r\n- Bộ lặp Ethernet (10 Mbit/s).
\r\n\r\nTất cả các hư hỏng đều kết hợp với các chức\r\nnăng tương tự của thiết bị.
\r\n\r\nA.3 Các hiệu ứng điều chế thứ cấp
\r\n\r\nĐể mô phỏng chính xác sự điều chế được sử\r\ndụng trong hệ thống điện thoại vô tuyến số thì không chỉ là mô phỏng sự điều\r\nchế sơ cấp mà còn phải xét đến ảnh hưởng của bất kỳ sự điều chế thứ cấp nào\r\nxuất hiện.
\r\n\r\nVí dụ, đối với GSM và DCS 1800 thì có các\r\nhiệu ứng đa khung gây ra bởi sự nén cụm mỗi chu kỳ 120 ms (tạo ta một thành\r\nphần tần số xấp xỉ 8 Hz). Ngoài ra có thể xuất hiện sự điều chế tần số 2 Hz từ\r\nphương thức truyền dẫn gián đoạn (DTX).
\r\n\r\nA.4 Kết luận
\r\n\r\nTừ các trường hợp đã nghiên cứu có thể thấy\r\nrằng các EUT đáp ứng một cách độc lập với phương thức điều chế được sử dụng.\r\nKhi so sánh các hiệu ứng của các phương pháp điều chế khác nhau, thì quan trọng\r\nlà phải đảm bảo rằng mức RMS cực đại của tín hiệu nhiễu là giống nhau.
\r\n\r\nNếu có sự khác nhau đáng kể giữa các hiệu ứng\r\ncủa các kiểu điều chế khác nhau thì sóng hình sin AM luôn là trường hợp khắc\r\nnghiệt nhất.
\r\n\r\nKhi có đáp ứng khác nhau đối với điều chế\r\nsóng hình sin và TDMA thì có thể điều chỉnh tiêu chí đánh giá trong tiêu chuẩn\r\nsản phẩm.
\r\n\r\nTóm lại, điều chế sóng hình sin có ưu điểm\r\nsau:
\r\n\r\n- Đáp ứng tách sóng băng hẹp trong các hệ\r\nthống tương tự đã giảm được vấn đề nhiễu nền;
\r\n\r\n- Khả năng ứng dụng rộng rãi;
\r\n\r\n- Điều chế giống nhau tại tất cả các tần số;
\r\n\r\n- Luôn luôn khắc nghiệt hơn điều chế xung.
\r\n\r\nVới những lý do trên, phương pháp điều chế\r\ntrong tiêu chuẩn này là điều biên 80% sóng hình sin. Khuyến nghị các cơ quan\r\nquản lý sản phẩm thay đổi phương pháp điều chế chỉ khi có lý do cụ thể yêu cầu\r\nmột kiểu điều chế khác.
\r\n\r\n\r\n\r\n
B.1 Anten Biconical
\r\n\r\nAnten này bao gồm một bộ biến đổi cân bằng/\r\nkhông cân bằng (balun) đồng trục và phần tử 3 chiều dải tần rộng, có thể sử\r\ndụng cho cả phát và thu. Đường cong hệ số của anten là một đường tương đối\r\nphẳng, tăng theo tần số.
\r\n\r\nDo kích thước nhỏ gọn nên anten này thường\r\nđược sử dụng trong các vùng có không gian hạn chế như các buồng không phản xạ.
\r\n\r\nB.2 Anten chu kỳ logarit
\r\n\r\nAnten chu kỳ logarit là một hàng các lưỡng\r\ncực có độ dài khác nhau được nối tới một đường truyền.
\r\n\r\nCác anten băng rộng này có tăng ích cao và\r\nVSWR thấp.
\r\n\r\nKhi chọn một anten để phát trường, phải thiết\r\nlập được cấu hình sao cho balun kiểm soát được mức công suất cần thiết.
\r\n\r\nB.3 Anten râu và anten dẫn sóng 2 đỉnh
\r\n\r\nCác anten râu và anten dẫn sóng 2 đỉnh tạo ra\r\ntrường điện từ được phân cực tuyến tính. Các anten này thường được sử dụng tại\r\ncác tần số trên 1000 MHz.
\r\n\r\n\r\n\r\n
C.1 Thông tin tổng quan về buồng không phản\r\nxạ
\r\n\r\nBuồng bán phản xạ là một buồng có vỏ chắn có\r\nchất liệu hấp thụ sóng vô tuyến trên tường và trần. Các buồng không phản xạ có\r\ncả lớp hấp thụ như vậy ở trên sàn.
\r\n\r\nMục đích của các lớp này là hấp thụ năng\r\nlượng tần số tuyến, ngăn ngừa sự phản xạ trở lại vào trong buồng. Những phản xạ\r\nnhư vậy do sự giao thoa một cách phức tạp với trường phát xạ trực tiếp, có thể\r\ntạo ra các đỉnh và các đường lõm của cường độ của trường phát.
\r\n\r\nSuy hao phản xạ của vật liệu hấp thụ, phụ\r\nthuộc vào tần số và góc tới của sóng vô tuyến. Sự hấp thụ lớn nhất xảy ra tại\r\nphương pháp tuyến và giảm khi góc tới tăng.
\r\n\r\nĐể làm yếu độ phản xạ và tăng độ hấp thụ, vật\r\nliệu hấp thụ thường được tạo dạng hình nêm hoặc hình nón.
\r\n\r\nVật hấp thụ bổ sung không được đặt trong\r\nđường chiếu xạ trực tiếp từ anten tới EUT, nhưng phải được định vị theo vị trí\r\nvà hướng giống như khi hiệu chuẩn trường.
\r\n\r\nCũng có thể cải thiện tính đồng nhất bằng\r\ncách đặt anten nằm ngoài trục của buồng thử để bất cứ sóng phản xạ nào cũng\r\nkhông đối xứng.
\r\n\r\nBuồng không phản xạ ít hiệu quả tại tần số\r\nthấp (dưới 30 MHz), trong khi đó buồng có phủ ferit lại ít hiệu quả tại tần số\r\ntrên 1 GHz. Do đó phải chú ý để đảm bảo tính đồng nhất của trường tại các tần\r\nsố thấp nhất và cao nhất, khi cần phải thay đổi buồng thử.
\r\n\r\nC.2 Các điều chỉnh để buồng phủ ferit được\r\nthiết kế để sử dụng với tần số dưới 1 GHz thích nghi với việc sử dụng tại tần\r\nsố trên 1 GHz
\r\n\r\nHầu hết các buồng không phản xạ nhỏ sử dụng\r\nferit làm chất hấp thụ hiện nay thường được thiết kế để sử dụng tại tần số dưới\r\n1 GHz. Tại tần số trên 1 GHz, các buồng loại này rất khó hoặc không thể thỏa\r\nmãn yêu cầu về tính đồng nhất của trường như trong 6.2.
\r\n\r\nPhần này giới thiệu các thông tin về quá\r\ntrình làm cho các buồng này thích nghi với việc đo thử tại tần số trên 1 GHz sử\r\ndụng phương pháp được mô tả trong Phụ lục H.
\r\n\r\nC.2.1 Các vấn đề do việc sử dụng các buồng\r\nphủ ferit gây ra đối với các phép thử miễn nhiễm trường phát xạ tại tần số trên\r\n1 GHz
\r\n\r\nDưới đây mô tả một trường hợp có thể xảy ra,\r\nví dụ, trong một buồng không phản xạ kích thước nhỏ có phủ ferrit, hoặc trong\r\nmột buồng không phản xạ kích thước nhỏ (thường là 7 m (dài) x 3 m (rộng) x 3\r\nm (cao)) được phủ bằng hỗn hợp ferrite và carbon.
\r\n\r\nTại tần số trên 1 GHz, lớp ferrit thường như\r\nmột bề mặt phản xạ chứ không phải là vật hấp thụ. Do đó rất khó thiết lập một\r\nvùng trường đồng nhất trên diện tích 1,5 m x 1,5 m tại các tần số này, nơi có\r\nrất nhiều phản xạ từ bề mặt bên trong của buồng (xem Hình C.1).
\r\n\r\n![](\"00902425_files/image009.jpg\")
Tại tần số nằm trong băng tần điện thoại vô\r\ntuyến, bước sóng thường nhỏ hơn 0,2 m. Điều này có nghĩa là kết quả phép thử\r\nrất nhạy cảm đối với việc bố trí anten phát trường và bộ cảm biến trường hoặc\r\nEUT.
\r\n\r\nC.2.2 Giải pháp
\r\n\r\nCác thủ tục dưới đây được đề xuất để giải\r\nquyết vấn đề trên.
\r\n\r\na) Sử dụng một anten râu hoặc anten dẫn sóng\r\n2 đỉnh để giảm sự quay trở lại của trường phát xạ. Nó cũng làm giảm phản xạ từ\r\ntrường của buồng nhờ độ rộng búp sóng hẹp của anten.
\r\n\r\nb) Rút ngắn khoảng cách giữa anten phát và\r\nEUT để tối thiểu hóa phản xạ từ các trường (khoảng cách giữa anten và EUT có\r\nthể giảm xuống 1m). Sử dụng phương pháp cửa sổ độc lập 0,5 m x 0,5 m (Phụ lục\r\nH) để đảm bảo EUT được phơi nhiễm trong vùng trường đồng nhất.
\r\n\r\nc) Gắn thêm lớp vật liệu hấp thụ loại carbon\r\nmật độ trung bình vào tường phía sau đối diện với EUT để giảm phản xạ trực\r\ntiếp. Điều này làm giảm độ nhạy cảm của phép thử đối với việc bố trí EUT và\r\nanten. Nó cũng cải thiện tính đồng nhất của trường tại tần số dưới 1 GHz.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu sử dụng vật liệu hấp thụ loại\r\ncarbon mật độ cao sẽ rất khó để thỏa mãn các yêu cầu về tính đồng nhất của\r\ntrường tại tần số dưới 1 GHz.
\r\n\r\nThực hiện các biện pháp trên đây sẽ giảm bớt\r\nhầu hết các sóng phản xạ (xem Hình C.2).
\r\n\r\n![](\"00902425_files/image010.jpg\")
D.1 Mục đích của việc hạn chế độ méo bộ\r\nkhuếch đại
\r\n\r\nMục đích của việc hạn chế này là giữ cho tính\r\nkhông tuyến tính của bộ khuếch đại ở một mức thấp đủ để nó không vượt trội so\r\nvới sự thay đổi của giá trị cường độ trường. Do đó phải có hướng dẫn để hỗ trợ\r\ncác phòng thí nghiệm thực hiện phép thử trong việc hiểu biết và hạn chế các\r\nhiệu ứng bão hòa của bộ khuếch đại.
\r\n\r\nD.2 Các vấn đề do hài và bão hòa gây ra
\r\n\r\nBộ khuếch đại bị quá tải có thể gây ra các\r\nvấn đề sau:
\r\n\r\na) Hài có thể gây ảnh hưởng đáng kể tới trường
\r\n\r\n1) Nếu điều này xảy ra trong quá trình hiệu\r\nchuẩn, cường độ trường tại tần số chủ định sẽ được đo không chính xác vì cực dò\r\ntrường băng rộng sẽ đo cả tần số cơ sở và các hài của nó. Ví dụ, giả sử rằng\r\nhài bậc 3 thấp hơn tần số cơ sở là 15 dB ở đầu cuối anten và bỏ qua tất cả các\r\nhài khác. Giả sử thêm rằng hệ số anten hiệu dụng tại tần số của hài bậc 3 thấp\r\nhơn 5 dB so với tần số cơ sở. Cường độ trường tại tần số cơ sở lớn hơn 10 dB so\r\nvới cường độ trường của hài bậc 3. Nếu cường độ trường tổng cộng đo được là 10\r\nV/m thì cường độ trường đo tần số cơ sở không đóng góp chỉ là 9,5 V/m. Đây là\r\nmột sai lỗi có thể chấp nhận được vì nó nhỏ hơn tính không ổn định về biên độ\r\ncủa cực dò trường.
\r\n\r\n2) Nếu các hài xuất hiện nhiều trong quá\r\ntrình đo thử, chúng có thể gây ra sai lỗi EUT mặc dù EUT rất mạnh tại tần số cơ\r\nsở chủ định và không mạnh tại tần số hài.
\r\n\r\nb) Các hài có thể ảnh hưởng đến kết quả phép\r\nthử mặc dù chúng đã bị triệt tiêu nhiều trong một số tình huống đặc biệt. Ví\r\ndụ, khi đo thử một máy thu 900 MHz, thậm chí mỗi hài yếu của tín hiệu 300 MHz\r\ncũng có thể gây ra quá tải đối với đầu ra máy thu.
\r\n\r\nc) Xảy ra bão hòa nhưng không có các hài có\r\nthể đo được. Điều này xảy ra nếu bộ khuếch đại có bộ lọc đầu ra thông thấp có\r\nthể triệt hài. Tình huống này cũng có thể dẫn đến các kết quả sai.
\r\n\r\n1) Nếu điều này xảy ra trong quá trình hiệu\r\nchuẩn, dữ liệu hiệu chuẩn sẽ sai do việc sử dụng giả thiết tuyến tính trong\r\nthuật toán được mô tả trong 6.2.
\r\n\r\n2) Trong quá trình đo thử, loại bão hòa này\r\nsẽ dẫn đến chỉ số điều chế sai và hài của tần số điều chế (thường là 1000 Hz).
\r\n\r\nTừ các ví dụ ở trên cho thấy không có giới\r\nhạn cụ thể đối với méo bộ khuếch đại bởi vì hiệu ứng méo phụ thuộc rất nhiều\r\nvào loại EUT.
\r\n\r\nD.3 Các lựa chọn để điều khiển tính không\r\ntuyến tính bộ khuếch đại
\r\n\r\nD.3.1 Hạn chế hài trong trường
\r\n\r\nCó thể hạn chế hài trong trường bằng cách sử\r\ndụng bộ lọc thông thấp có thể điều hưởng/tìm kiếm/điều chỉnh tại đầu ra của bộ\r\nkhuếch đại.
\r\n\r\nĐối với tất cả các tần số mà hài được tạo ra tại\r\nđầu ra của bộ khuếch đại, sự xâm nhập của các hài vào trong trường thấp hơn so\r\nvới tần số cơ sở một lượng lớn hơn 6 dB là chấp nhận được, ngoại trừ trường hợp\r\nđã thảo luận trong D.2 b).
\r\n\r\nĐiều này có thể hạn chế lỗi cường độ trường\r\nđến 10%. Ví dụ một tín hiệu 10 V/m được đo bằng cực dò trường băng rộng thì tần\r\nsố cơ sở đóng góp 9 V/m và hài đóng góp 4,5 V/m. Đây là trường hợp có thể chấp\r\nnhận được đối với sự không ổn định của hiệu chuẩn.
\r\n\r\nĐối với các bộ khuếch đại bao gồm bộ lọc\r\nthông thấp cố định ở đầu ra, tần số cơ sở phía trên sẽ vào khoảng 1/3 tần số\r\nxác định cao nhất của bộ khuếch đại.
\r\n\r\nD.3.2 Đo hài trong trường
\r\n\r\nCó thể đo hài trực tiếp bằng cách sử dụng cực\r\ndò trường lựa chọn hoặc không trực tiếp bằng cách:
\r\n\r\n- trước hết xác định hệ số anten hiệu dụng\r\n(tỉ số giữa công suất đầu vào và cường độ trường đối với buồng và vị trí anten\r\ncho trước), sau đó xác định tỉ số giữa công suất tại tần số cơ sở và công suất\r\ntại các hài hoặc
\r\n\r\n- với một bộ ghép nối có tính đến hệ số anten\r\ntại các hài do nhà sản xuất anten cung cấp.
\r\n\r\nĐối với các tình huống có các bộ lọc thông\r\nthấp triệt tiêu hài của bộ khuếch đại bão hòa, dù trong hoàn cảnh nào cũng có\r\nthể được vượt quá điểm nén 2 dB của bộ khuếch đại. Tại điểm nén 2 dB, biên độ\r\nđỉnh (điện áp) có thể bị giảm đi 20 %. Điều này làm giảm chỉ số điều chế từ 80%\r\nxuống 64%, hay nói cách khác, giảm 20% điện áp được chỉnh trong EUT.
\r\n\r\nD.4 Các ví dụ cho thấy sự tương đương của hai\r\nphương pháp hiệu chuẩn
\r\n\r\n![](\"00902425_files/image011.jpg\")
Hình D.1 mô tả 16 vị trí đo tính đồng nhất\r\ncủa trường. Khoảng cách giữa các điểm với nhau được cố định là 0,5 m.
\r\n\r\nD.4.1 Ví dụ về thủ tục hiệu chuẩn sử dụng\r\nphương pháp cường độ trường không đổi như mô tả trong 6.2.1
\r\n\r\nĐể tạo ra cường độ trường đồng nhất, ví dụ Ec\r\n= 6 V/m, phải đo các giá trị công suất trong Bảng D.1 tại một tần số cụ thể sử\r\ndụng cấu hình đo như trong Hình 7.
\r\n\r\nTrong ví dụ này, các vị trí đo 2, 3, 7 và 13\r\nnằm bên ngoài dung sai -0 dB đến +6 dB nhưng có ít nhất (trong ví dụ này) 12\r\ntrong 16 vị trí thỏa mãn tiêu chí này. Vì vậy, tại tần số cụ thể này, tiêu chí\r\nnày được thỏa mãn. Trong trường hợp này, giá trị công suất được sử dụng là 33\r\ndBm. Điều này đảm bảo rằng tại 12 vị trí cường độ trường Ec tối\r\nthiểu là 6 V/m (vị trí 4) và tối đa là 12 V/m (vị trí 1 và 8).
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| \r\n \r\n
| \r\n \r\n \r\n
| \r\n ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
D.4.2 Ví dụ về thủ tục hiệu chuẩn sử dụng\r\nphương pháp hiệu chuẩn công suất không đổi như mô tả trong 6.2.2
\r\n\r\nChọn điểm số 1 là điểm hiệu chuẩn đầu tiên\r\nnơi tạo ra cường độ trường Ec = 6 V/m. Tại cùng mức công suất này.\r\nBảng D.3 cho thấy các giá trị cường độ trường tiếp theo được ghi lại tại một số\r\ntần số cụ thể sử dụng cấu hình đo như trong Hình 7.
\r\n\r\nTrong ví dụ này, các điểm đo 13, 3, 7 và 2\r\nnằm ngoài dung sai -0 dB đến +6 dB nhưng có ít nhất (chính xác trong ví dụ này)\r\n12 trong 16 vị trí nằm trong dung sai này. Vì vậy tại tần số cụ thể này, tiêu\r\nchí được thỏa mãn. Trong trường hợp này, giá trị công suất được sử dụng để\r\ncường độ trường Ec = 6 V/m là 27 dBm + 20 log (6 V/m/ 3 V/m) = 33\r\ndBm. Điều này đảm bảo rằng trong 12 vị trí, cường độ trường Ec tối\r\nthiểu là 6 V/m (vị trí 4) và tối đa là 12 V/m (vị trí 1 và 8).
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
\r\n
| \r\n \r\n
| \r\n ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
\r\n\r\n
Ε.1 Giới thiệu
\r\n\r\nCông suất phát của các máy phát vô tuyến\r\nthường được xác định ở dạng ERP (công suất phát xạ hiệu dụng) so với một lưỡng\r\ncực nửa sóng. Do đó, cường độ trường phát (đối với trường xa) có thể tính được\r\ntrực tiếp bằng công thức lưỡng cực sau:
\r\n\r\nE = k![](\"00902425_files/image012.gif\"){kind=small}
/\r\nd (Phương trình E.1)
Trong đó:
\r\n\r\nE là cường độ trường (giá trị RMS) (V/m);
\r\n\r\nk là một hằng số, có giá trị bằng 7, đối với\r\nlan truyền không gian tự do trong trường xa;
\r\n\r\nP là công suất (ERP) (W);
\r\n\r\nd là khoảng các tính từ anten (m).
\r\n\r\nCác vật thể phản xạ và hấp thụ bên cạnh có\r\nthể làm thay đổi cường độ trường.
\r\n\r\nTrong phương trình Ε.1, nếu không biết được\r\ngiá trị ERP của máy phát thì có thể dùng công suất vào anten. Trong trường hợp\r\nđó, áp dụng giá trị k = 3 cho các máy phát vô tuyến di động.
\r\n\r\nΕ.2 Mức thử với các mục đích chung
\r\n\r\nCác mức thử và dải tần số được chọn tùy thuộc\r\nvào môi trường phát xạ điện từ mà EUT được lắp đặt trên thực tế. Khi xác định\r\nmức thử cần xem xét hậu quả các hư hỏng của thiết bị. Nếu hậu quả do các hư\r\nhỏng thiết bị là đáng kể thì phải yêu cầu mức thử khắt khe hơn.
\r\n\r\nNếu EUT chỉ được lắp đặt để khai thác sử dụng\r\ntại một số ít các vị trí thì quá trình khảo sát các nguồn RF tại vùng đó sẽ cho\r\nphép tính toán cường độ trường có thể gặp. Nếu không biết được công suất của\r\ncác nguồn, thì phải đo cường độ trường thực tế tại các điểm có liên quan.
\r\n\r\nVới thiết bị được thiết kế để hoạt động trong\r\ncác vị trí khác nhau thì có thể sử dụng những chỉ dẫn sau để chọn mức thử.
\r\n\r\nCác loại dưới đây liên quan tới các mức thử\r\ntrong điều 5; các loại này được xem như là các hướng dẫn chung để chọn mức thử\r\nphù hợp.
\r\n\r\n- Loại 1: Môi trường phát xạ điện từ mức\r\nthấp. Mức đặc trưng của các trạm phát thanh/truyền hình địa phương đặt tại\r\nkhoảng cách trên 1 km, và các máy phát/thu công suất thấp.
\r\n\r\n- Loại 2: Môi trường phát xạ điện từ trung\r\nbình. Mức của các máy thu-phát cầm tay công suất thấp (điển hình là công suất\r\nnhỏ hơn 1W) sử dụng gần thiết bị. Điển hình là môi trường khu thương mại.
\r\n\r\n- Loại 3: Môi trường phát xạ điện từ khắc\r\nnghiệt. Mức của các máy thu - phát cầm tay (công suất lớn hơn hoặc bằng 2 W)\r\ntương đối gần thiết bị nhưng không nhỏ hơn 1 m. Các máy phát quảng bá công suất\r\ncao và thiết bị ISM đặt gần đó. Điển hình là môi trường công nghiệp.
\r\n\r\n- Loại 4: Các máy thu - phát cầm tay sử dụng\r\nở cách thiết bị hơn 1 m. Các nguồn nhiễu đáng kể khác có thể cách thiết bị một\r\nkhoảng nhỏ hơn hoặc bằng 1m.
\r\n\r\n- Loại x: x là một mức mở có thể xác định dựa\r\nvào tiêu chuẩn sản phẩm và đặc tính kỹ thuật của thiết bị.
\r\n\r\nΕ.3 Mức thử với mục đích bảo vệ chống lại các\r\nphát xạ RF từ các máy điện thoại vô tuyến số
\r\n\r\nCác mức thử được chọn tùy thuộc vào trường\r\nđiện từ trong thực tế, có nghĩa là phải khảo sát mức công suất của thiết bị\r\nđiện thoại vô tuyến và khoảng cách giữa anten phát của nó và thiết bị được đo\r\nthử. Thường thì các trạm di động sẽ đòi hỏi khắt khe hơn các trạm gốc (vì các\r\ntrạm di động có xu hướng đặt gần các thiết bị nhạy cảm hơn các trạm gốc).
\r\n\r\nKhi xác định mức thử cần xem xét chi phí để\r\nđạt được mức miễn nhiễm yêu cầu và các hậu quả do hư hỏng thiết bị gây ra. Nếu\r\nhậu quả do hư hỏng thiết bị gây ra là lớn thì phải yêu cầu mức thử khắt khe\r\nhơn.
\r\n\r\nMức điện từ trong môi trường cao hơn mức thử\r\nđã được chọn có thể xảy ra trong thực tế nhưng ít xuất hiện. Để ngăn ngừa các\r\nsự cố không thể chấp nhận được trong các tình huống đó, thì phải thực hiện một\r\nphép thử thứ hai ở mức cao hơn và chấp nhận mức chỉ tiêu bị suy giảm (nghĩa là\r\nxác định mức suy giảm chấp nhận được).
\r\n\r\nBảng Ε.1 đưa ra ví dụ về các mức thử, tiêu\r\nchí chất lượng và các khoảng cách an toàn tương ứng. Khoảng cách an toàn là\r\nkhoảng cách nhỏ nhất chấp nhận được tới một máy điện thoại vô tuyến số, khi\r\nthực hiện phép thử tại mức thử đầu tiên. Các khoảng cách này được tính từ\r\nphương trình Ε.1, sử dụng hệ số k = 7 và giả sử tín hiệu thử là sóng hình sin\r\nđược điều chế AM 80%.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n a Tuân thủ điều 9 \r\nb Thiết bị mà hậu quả của sai hỏng là\r\n không nghiêm trọng \r\nc Thiết bị mà hậu quả của sai hỏng là nghiêm\r\n trọng \r\nd Tại những khoảng cách này và gần hơn,\r\n phương trình trường xa Ε.1 không chính xác \r\n | \r\n |||||||
Các vấn đề sau được xét đến khi lập bảng\r\ntrên:
\r\n\r\n- Đối với GSM, hầu hết các thiết bị đầu cuối\r\nhiện nay trên thị trường là thuộc lớp 4 (ERP cực đại là 2W). Một số lượng đáng\r\nkể các thiết bị đầu cuối di động đang hoạt động là thuộc lớp 3 và 2 (ERP cực\r\nđại là 5 W và 8 W). ERP của các thiết bị đầu cuối GSM thường thấp hơn giá trị\r\ncực đại ngoại trừ trong các vùng thu kém;
\r\n\r\n- Thường điều kiện trong nhà kém hơn ngoài\r\ntrời, điều đó có nghĩa là giá trị ERP trong nhà thường không được điều chỉnh về\r\nlớp tối đa. Đó là trường hợp xấu nhất theo quan điểm EMC vì hầu hết các thiết\r\nbị hỏng hóc thường tập trung trong nhà;
\r\n\r\n- Như trong Phụ lục A, khả năng miễn nhiễm\r\nthiết bị có tương quan chặt chẽ với giá trị RMS cực đại của trường điều chế. Do\r\nđó nên cường độ trường RMS cực đại phải được thay cho cường độ trường sóng mang\r\nđể tính khoảng cách an toàn trong phương trình Ε.1;
\r\n\r\n- Khoảng cách cực tiểu để đảm bảo vận hành,\r\ncũng được gọi là khoảng cách an toàn, phải được tính với k = 7 trong phương\r\ntrình Ε.1 và không tính đến sự thăng giáng (mang tính chất thống kê) của cường\r\nđộ trường, do phản xạ từ tường, sàn và trần ở mức ± 6 dB;
\r\n\r\n- Khoảng cách an toàn theo phương trình Ε.1\r\nphụ thuộc vào công suất phát xạ hiệu dụng của máy điện thoại vô tuyến số và\r\nkhông phụ thuộc vào tần số hoạt động.
\r\n\r\nΕ.4 Các cách xử lý đặc biệt đối với máy phát\r\ncố định
\r\n\r\nCác mức thử trong phụ lục này là các giá trị\r\nđiển hình hiếm khi vượt quá trong các vị trí đề cập. Tại một số các vị trí các\r\ngiá trị đó có thể sẽ bị vượt quá, ví dụ như các trạm ra-đa, các máy phát công\r\nsuất lớn hoặc các thiết bị ISM đặt trong cùng một tòa nhà… Trong những trường\r\nhợp như vậy áp dụng các phương pháp bọc chắn nhiễu, lọc nhiễu các dây dẫn tín\r\nhiệu và dây nguồn sẽ thích hợp hơn là xác định mức miễn nhiễm cao như vậy đối\r\nvới tất cả các thiết bị.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này và TCVN 8241-4-6:2009 (IEC\r\n61000-4-6) xác định hai phương pháp thử miễn nhiễm của thiết bị điện và điện tử\r\nđối với các năng lượng điện từ phát xạ.
\r\n\r\nVề tổng quan, phép thử với các tín hiệu nhiễu\r\ndẫn hữu dụng hơn ở các tần số thấp còn các phép thử với tín hiệu phát xạ hữu\r\ndụng hơn ở các tần số cao.
\r\n\r\nCó một dải tần số tại đó phương pháp thử\r\ntrong cả hai tiêu chuẩn không thể sử dụng. Có thể sử dụng các phương pháp thử\r\ntrong tiêu chuẩn TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6) tới tần số 230 MHz. Cũng có\r\nthể sử dụng phương pháp thử trong tiêu chuẩn này với tần số giảm xuống đến 26\r\nMHz. Mục đích của phụ lục này là hướng dẫn lựa chọn phương pháp thử thích hợp\r\nnhất để đảm bảo khả năng lặp lại, trên cơ sở thiết kế và kiểu của EUT.
\r\n\r\nCác vấn đề cần quan tâm bao gồm:
\r\n\r\n- Bước sóng của trường phát xạ so sánh với\r\nkích thước của EUT;
\r\n\r\n- Kích thước tương đối của cabinet và dây dẫn\r\ncủa EUT;
\r\n\r\n- Số lượng dây dẫn và vỏ bọc cấu thành EUT.
\r\n\r\n\r\n\r\n
G.1 Các điện thoại vô tuyến số
\r\n\r\nCác Bảng G.1, G.2 và G.3 liệt kê các thông số\r\nhệ thống vô tuyến có liên quan tới EMC.
\r\n\r\nCác chữ viết tắt và các định nghĩa liệt kê\r\nsau đây được sử dụng trong các bảng nêu trên:
\r\n\r\n- CDMA (đa truy cập chia theo mã):\r\nphương pháp ghép kênh trong đó máy phát mã hóa tín hiệu sử dụng chuỗi giả ngẫu\r\nnhiên. Máy thu biết chuỗi này và có thể sử dụng chúng để giải mã tín hiệu nhận\r\nđược. Các chuỗi ngẫu nhiên khác nhau tương ứng với các kênh thông tin khác\r\nnhau.
\r\n\r\n- CT-2 (điện thoại không dây, thế hệ hai):\r\nhệ thống điện thoại không dây, được sử dụng rộng rãi ở một số nước Châu Âu;
\r\n\r\n- DCS 1800 (hệ thống tế bào số): hệ\r\nthống viễn thông di động tế bào, giá thành thấp, được sử dụng rộng rãi ở Châu\r\nÂu;
\r\n\r\n- DECT (hệ thống viễn thông vô tuyến số):\r\nhệ thống viễn thông tế bào không dây, giá thành thấp, được sử dụng rộng rãi ở\r\nChâu Âu;
\r\n\r\n- DTX (truyền dẫn gián đoạn) : giảm\r\ncụm tần số lặp để tiết kiệm năng lượng, khi không có thông tin cần phát đi;
\r\n\r\n- ERP (công suất phát xạ hiệu dụng): công\r\nsuất phát xạ hiệu dụng quy cho một lưỡng cực nửa bước sóng;
\r\n\r\n- FDD (Ghép kênh phân chia theo tần số): phương\r\npháp ghép kênh trong đó các băng tần số tách biệt được phân bổ trong mỗi kênh;
\r\n\r\n- FDMA (đa truy nhập phân chia theo tần\r\nsố): phương pháp ghép kênh trong đó các băng tần riêng rẽ được ấn định cho\r\nmỗi kênh;
\r\n\r\n- GSM (hệ thống thông tin di động toàn\r\ncầu): hệ thống viễn thông di động tế bào, được sử dụng rộng rãi trên thế\r\ngiới;
\r\n\r\n- HIPERLAN: mạng nội bộ vô tuyến chất\r\nlượng cao;
\r\n\r\n- IMT-2000 (viễn thông di động quốc tế\r\n2000): công nghệ mạng điện thoại tế bào thế hệ thứ 3 mà tùy theo kích cỡ và\r\ntốc độ truyền dẫn, cho phép người dùng nhận các hình ảnh video màu chất lượng\r\ncao;
\r\n\r\n- NADC (hệ thống tế bào số Bắc Mỹ): hệ\r\nthống thông tin di động tế bào số, được sử dụng rộng rãi ở Bắc Mỹ. Một khái\r\nniệm thông dụng dùng để mô tả các hệ thống tế bào số tuân theo Tiêu chuẩn tạm\r\nthời Hiệp hội Công nghiệp Viễn thông-54; còn được hiểu là D-AMPS;
\r\n\r\n- PDC (hệ thống tế bào số cá nhân)
- PHS (hệ thống điện thoại cầm tay cá\r\nnhân): hệ thống điện thoại không dây, được sử dụng rộng rãi ở Nhật Bản;
\r\n\r\n- RFID (nhận dạng tần số vô tuyến): hệ\r\nthống RFID bao gồm nhận dạng tiêu đề tự động, hệ thống cảnh báo, theo dõi, nhận\r\ndạng cá nhân, điều khiển truy cập và các bộ cảm biến khác;
\r\n\r\n- RTTT (viễn thông giao thông vận tải đường)
- TDMA (đa truy nhập phân chia theo thời\r\ngian): xem điều 4;
\r\n\r\n- TDD (song công chia thời gian):\r\nPhương pháp ghép kênh trong đó các khe thời gian khác nhau được ấn định cho các\r\nkênh phát và thu.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||||||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Dải tần số máy phát \r\n | \r\n \r\n 890 MHz tới 915 MHz \r\n | \r\n \r\n 1,71 GHz tới 1,784 GHz \r\n | \r\n \r\n 1,88 GHz tới 1,96 GHz \r\n | \r\n \r\n 864 MHz tới 868 MHz \r\n | \r\n \r\n 940 MHz tới 956 MHz và 1,429 GHz tới 1,453\r\n GHz \r\n | \r\n \r\n 1,895 GHz tới 1,918 GHz \r\n | \r\n \r\n 825 MHz tới 845 MHz \r\n | \r\n \r\n 1900 MHz tới 1920 MHz \r\n | \r\n \r\n 1920 MHz tới 1980 MHz \r\n | \r\n
| \r\n Kỹ thuật truy nhập \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n FDMA/ \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n CDMA/ \r\nTDMA \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n CDMA/ \r\nFDMA \r\nFDD \r\n | \r\n
| \r\n Tần số lặp theo cụm \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 100 Hz \r\n | \r\n \r\n 500 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n \r\n 200 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n
| \r\n Tỷ lệ xung \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:24 \r\n(cả 1:48 và 1:12) \r\n | \r\n \r\n 1:12 \r\n | \r\n \r\n 1:3 \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:3 \r\n | \r\n \r\n Liên tục \r\n | \r\n \r\n Liên tục \r\n | \r\n
| \r\n ERP cực đại \r\n | \r\n \r\n 0,8 W; \r\n2 W; \r\n5 W; \r\n8 W; \r\n20 W; \r\n | \r\n \r\n 0,25 W; \r\n1 W; \r\n4 W; \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n <10 \r\nmW \r\n | \r\n \r\n 0,8 W, \r\n2 W \r\n | \r\n \r\n 10 mW \r\n | \r\n \r\n <6 W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n
| \r\n Điều chế thứ cấp \r\n | \r\n \r\n 2 Hz \r\n(DTX) và 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n 2 Hz \r\n(DTX) và 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n
| \r\n Vùng địa lý \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Nhật Bản \r\n | \r\n \r\n Nhật Bản \r\n | \r\n \r\n Mỹ \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: DECT bao trùm CT-3 \r\n | \r\n |||||||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||||||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Dải tần số máy phát \r\n | \r\n \r\n 935 MHz tới 960 MHz \r\n | \r\n \r\n 1,805 GHz tới 1,88 GHz \r\n | \r\n \r\n 1,88 GHz tới 1,96 GHz \r\n | \r\n \r\n 864 MHz tới 868 MHz \r\n | \r\n \r\n 810 MHz tới 826 MHz và 1,477 GHz tới 1,501\r\n GHz \r\n | \r\n \r\n 1,895 GHz tới 1,918 GHz \r\n | \r\n \r\n 870 MHz tới 890 MHz \r\n | \r\n \r\n 1900 MHz tới 1920 MHz \r\n | \r\n \r\n 2110 MHz tới 2170 MHz \r\n | \r\n
| \r\n Kỹ thuật truy nhập \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n FDMA/ \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n CDMA/ \r\nTDMA \r\nTDD \r\n | \r\n \r\n CDMA/ \r\nFDMA \r\nFDD \r\n | \r\n
| \r\n Tần số lặp theo cụm \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 100 Hz \r\n | \r\n \r\n 500 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n \r\n 200 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n | \r\n
| \r\n Tỷ lệ xung \r\n | \r\n \r\n 1:8 tới 8:8 \r\n | \r\n \r\n 1:8 tới 8:8 \r\n | \r\n \r\n 1:2 \r\n | \r\n \r\n 1: 2 \r\n | \r\n \r\n 1:3 tới 3:3 \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:3 tới 3:3 \r\n | \r\n \r\n Liên tục \r\n | \r\n \r\n Liên tục \r\n | \r\n
| \r\n ERP cực đại \r\n | \r\n \r\n 2,5 W tới 320 W; \r\n | \r\n \r\n 2,5 W tới 200 W; \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n 1 W tới \r\n96 W \r\n | \r\n \r\n 10 mW tới 500 mW \r\n | \r\n \r\n 500 W \r\n | \r\n \r\n 20 W \r\n | \r\n \r\n 20 W \r\n | \r\n
| \r\n Điều chế thứ cấp \r\n | \r\n \r\n 2 Hz \r\n(DTX) và 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n 2 Hz \r\n(DTX) và 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n
| \r\n Vùng địa lý \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Nhật Bản \r\n | \r\n \r\n Nhật Bản \r\n | \r\n \r\n Mỹ \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Châu Âu \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: DECT bao trùm CT-3 \r\n | \r\n |||||||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n |||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Dải tần số máy phát \r\n(MHz) \r\n | \r\n \r\n 2446 - \r\n2454 \r\n | \r\n \r\n 5795 - \r\n5815 \r\n | \r\n \r\n 2400 - 2483,5 \r\n | \r\n \r\n 5150 - 5350 \r\n | \r\n \r\n 5470 - 5725 \r\n | \r\n \r\n 2400 - 2483,5 \r\n5725 - \r\n5875 \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu điều chế \r\n | \r\n \r\n FHSS nếu công suất lớn hơn 500 mW \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n FHSS \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n
| \r\n ERP cực đại \r\n | \r\n \r\n a) 500 mW \r\nb) 4 W \r\n | \r\n \r\n 2 W hoặc 8 W \r\n | \r\n \r\n 100 mW và hạn chế mật độ công suất phổ \r\n | \r\n \r\n Trung bình 200 mW \r\n | \r\n \r\n Trung bình 1 W \r\n | \r\n \r\n 10 mW \r\n25 mW \r\n | \r\n
| \r\n Tỷ lệ xung \r\n | \r\n \r\n a) tới 100% \r\nb) <15% trong khe thời gian 200 ms \r\n | \r\n \r\n Không hạn chế \r\n | \r\n \r\n Không hạn chế \r\n | \r\n \r\n Không hạn chế \r\n | \r\n \r\n Không hạn chế \r\n | \r\n \r\n Không hạn chế \r\n | \r\n
| \r\n Khoảng cách kênh \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n 5 MHz hoặc 10 MHz trong một số dải tần số \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n
| \r\n Vùng địa lý \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn thế giới \r\n | \r\n
\r\n\r\n
H.1 Giới thiệu
\r\n\r\nKhi đo thử tại tần số trên 1 GHz, khoảng cách\r\nđo thử phải là 1 m khi sử dụng phương pháp cửa sổ độc lập (ví dụ, các băng tần\r\nđiện thoại vô tuyến). Với khoảng cách đo thử đã chọn, phải kiểm tra sự tuân thủ\r\ncác yêu cầu về tính đồng nhất của trường.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: với khoảng cách đo thử 3 m, và\r\nsử dụng anten có độ búp sóng hẹp hoặc buồng có phủ ferrit tại tần số trên 1\r\nGHz, sẽ rất khó thỏa mãn các yêu cầu về tính đồng nhất của trường trong diện\r\ntích hiệu chuẩn 1,5 m x 1,5 m.
\r\n\r\nPhương pháp thay thế đối với tần số trên 1\r\nGHz là chia vùng hiệu chuẩn thành các dãy cửa sổ có kích thước 0,5 m x 0,5 m để\r\ncó thể bao phủ toàn bộ mặt EUT cần chiếu xạ (xem Hình H.1a và H.1b). Hiệu chẩn\r\ntính đồng nhất của trường một cách độc lập trên mỗi cửa sổ (xem Hình H.2) sử\r\ndụng quá trình dưới đây. Đặt anten phát cách vùng hiệu chuẩn 1 m.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Cấu trúc hình học và chiều dài\r\ncáp ít gây ảnh hưởng tại các tần số cao. Vì vậy, diện tích bề mặt của EUT là\r\nyếu tố quyết định kích thước vùng hiệu chuẩn.
\r\n\r\nH.2 Hiệu chuẩn trường
\r\n\r\nTại mỗi cửa sổ phải thực hiện các bước sau:
\r\n\r\na) Đặt cảm biến trường tại 1 trong 4 góc của\r\ncửa sổ;
\r\n\r\nb) Đưa công suất phát vào anten để đạt được\r\ncường độ trường từ 3 V/m đến 10 V/m với bước tăng tần số bằng 1% tần số ngay\r\ntrước nó. Ghi lại cả hai giá trị công suất và cường độ trường đọc được;
\r\n\r\nc) Với cùng mức công suất ở trên, đo và ghi\r\nlại giá trị cường độ trường tại 3 góc còn lại; cả 4 giá trị cường độ trường\r\nphải nằm trong dải 0 dB đến 6 dB;
\r\n\r\nd) Lấy vị trí có cường độ trường thấp nhất\r\nlàm chuẩn (điều này để đảm bảo đáp ứng được yêu cầu -0 dB đến +6 dB);
\r\n\r\ne) Từ giá trị công suất và cường độ trường đã\r\nbiết, tính công suất để đạt được cường độ trường theo yêu cầu (ví dụ, tại một\r\nđiểm cho trước, 80 W cho cường độ trường 9 V/m thì để có cường độ trường 3 V/m\r\ncần công suất 8,9 mW). Ghi lại kết quả tính được;
\r\n\r\nf) Lặp lại các bước từ a) đến e) cho các phân\r\ncực ngang và đứng.
\r\n\r\nKhi đo thử, phải sử dụng các anten và cáp đã\r\nsử dụng trong quá trình hiệu chuẩn trường đồng nhất. Vì vậy không phải tính đến\r\ncác suy hao cáp và hệ số anten của anten phát trường.
\r\n\r\nGhi lại vị trí của cáp và anten phát càng\r\nchính xác càng tốt bởi vì một sự dịch chuyển nhỏ cũng có thể ảnh hưởng đến\r\ntrường. Do đó phải sử dụng các vị trí cũ khi đo thử.
\r\n\r\nTrong quá trình đo thử, tại mỗi tần số phải\r\nđưa công suất nhận được ở bước e) vào anten phát. Lặp lại phép thử với điều\r\nkiện anten phải thay đổi vị trí để rọi lần lượt các cửa sổ (xem Hình H.1 và\r\nH.2).
\r\n\r\n![](\"00902425_files/image013.jpg\")
![](\"00902425_files/image014.jpg\")
![](\"00902425_files/image015.jpg\")
\r\n\r\n
1 Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2 Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3 Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\n4 Tổng quan
\r\n\r\n5 Mức thử
\r\n\r\n5.1 Các mức thử với mục đích chung
\r\n\r\n5.2 Các mức thử khả năng chống nhiễu vô tuyến\r\nphát xạ từ các máy điện thoại vô tuyến số và các thiết bị phát tần số vô tuyến\r\nkhác
\r\n\r\n6 Thiết bị thử
\r\n\r\n6.1 Mô tả phương tiện thử
\r\n\r\n6.2 Hiệu chuẩn trường điện từ
\r\n\r\n7 Thiết lập phép thử
\r\n\r\n7.1 Bố trí thiết bị để bàn
\r\n\r\n7.2 Bố trí thiết bị đặt trên sàn nhà
\r\n\r\n7.3 Bố trí dây nối
\r\n\r\n7.4 Bố trí thiết bị mang trên người
\r\n\r\n8 Quy trình thử
\r\n\r\n8.1 Điều kiện chuẩn của phòng thử nghiệm
\r\n\r\n8.2 Thực hiện phép thử
\r\n\r\n9 Đánh giá kết quả thử nghiệm
\r\n\r\n10 Biên bản thử nghiệm
\r\n\r\nPhụ lục A (Tham khảo) Cơ sở chọn lựa phương\r\npháp điều chế cho các phép thử liên quan tới việc bảo vệ chống lại nhiễu phát\r\nxạ RF từ các máy điện thoại vô tuyến số
\r\n\r\nPhụ lục B (Tham khảo) Các anten phát trường
\r\n\r\nPhụ lục C (Tham khảo) Sử dụng các buồng không\r\nphản xạ
\r\n\r\nPhụ lục D (Tham khảo) Sự không tuyến tính của\r\nbộ khuếch đại và ví dụ về thủ tục hiệu chuẩn theo 6.2
\r\n\r\nPhụ lục E (Tham khảo) Hướng dẫn lựa chọn các\r\nmức thử
\r\n\r\nPhụ lục F (Tham khảo) Lựa chọn các phương\r\npháp thử
\r\n\r\nPhụ lục G (Tham khảo) Các loại môi trường
\r\n\r\nPhụ lục H (Quy định) Phương pháp rọi thay thế\r\nđối với tần số trên 1 GHz (Phương pháp cửa sổ độc lập)
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 8241-4-3:2009 (IEC 61000-4-3:2006) về tương thích điện từ – Phần 4-3: Phương pháp đo và thử – Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 8241-4-3:2009 (IEC 61000-4-3:2006) về tương thích điện từ – Phần 4-3: Phương pháp đo và thử – Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN8241-4-3:2009 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2009-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Hết hiệu lực |