Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 8241-4-2:2009 được xây dựng trên cơ sở\r\nsoát xét, chuyển đổi tiêu chuẩn ngành TCN 68-207:2002 “Tương thích điện từ\r\n(EMC) – Miễn nhiễm đối với hiện tượng phóng tĩnh điện – Phương pháp đo và thử”\r\ncủa Bộ Bưu chính, Viễn thông (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông).
\r\n\r\nTCVN 8241-4-2:2009 hoàn toàn tương đương IEC\r\n61000-4-2:2001.
\r\n\r\nTCVN 8241-4-2:2009 do Viện Khoa học Kỹ thuật\r\nBưu điện xây dựng, Bộ Thông tin và Truyền thông đề nghị, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo\r\nlường Chất lượng thẩm định, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này quy định các yêu cầu về miễn\r\nnhiễm và phương pháp thử cho các thiết bị điện, điện tử đối với hiện tượng\r\nphóng tĩnh điện trực tiếp từ người khai thác sử dụng và từ các đối tượng kề\r\nbên. Ngoài ra, tiêu chuẩn này còn xác định các mức thử tương ứng với các điều\r\nkiện lắp đặt, điều kiện môi trường khác nhau và các thủ tục thực hiện phép thử.
\r\n\r\nMục đích của tiêu chuẩn này là đưa ra một quy\r\nđịnh chung, có khả năng tái tạo trong việc đánh giá chất lượng của thiết bị\r\nđiện, điện tử khi phải chịu ảnh hưởng của các hiện tượng phóng tĩnh điện. Tiêu\r\nchuẩn này bao gồm cả trường hợp phóng tĩnh điện từ người khai thác sử dụng tới\r\ncác đối tượng kề bên thiết bị được kiểm tra.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này quy định:
\r\n\r\n- Dạng sóng danh định của dòng phóng;
\r\n\r\n- Các mức thử;
\r\n\r\n- Thiết bị thử;
\r\n\r\n- Thiết lập cấu hình thử;
\r\n\r\n- Quy trình thử.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này quy định các yêu cầu kỹ thuật\r\nđối với các phép thử được thực hiện trong phòng thử nghiệm và các phép thử sau\r\nkhi lắp đặt tại vị trí lắp đặt sau cùng của thiết bị.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này không quy định các phép thử để\r\náp dụng cho hệ thống hay thiết bị cụ thể nào. Mục đích chính là đưa ra một tiêu\r\nchuẩn cơ bản chung cho các cơ quan quản lý sản phẩm điện, điện từ. Các cơ quan\r\nquản lý sản phẩm (hoặc người sử dụng hoặc nhà sản xuất thiết bị) có trách nhiệm\r\nlựa chọn các phép thử và mức thử phù hợp để áp dụng cho thiết bị.
\r\n\r\nĐể không cản trở việc thực hiện phối hợp và\r\ntiêu chuẩn hóa, cơ quan quản lý sản phẩm, người sử dụng và nhà sản xuất được\r\nkhuyến cáo quan tâm, chấp nhận các phép thử miễn nhiễm liên quan được quy định\r\ntrong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n\r\n\r\nIEC 60050 (161):1990, International\r\nElectrotechnical Vocabulary (IEV) – Chapter 161: Electromagnetic compatibility\r\n(Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế - Chương 161: Tương thích điện từ)
\r\n\r\nIEC 60068-1:1988, Environmental testing –\r\nPart 1: General and guidance (Thử nghiệm môi trường – Phần 1: Quy định chung\r\nvà hướng dẫn).
\r\n\r\n\r\n\r\nTiêu chuẩn này liên quan đến các thiết bị, hệ\r\nthống, các hệ thống phụ hay các thiết bị ngoại vi phải chịu ảnh hưởng của hiện\r\ntượng phóng tĩnh điện trong điều kiện môi trường, điều kiện lắp đặt của thiết\r\nbị hay hệ thống đó, ví dụ như độ ẩm tương đối thấp, sử dụng thảm có điện dẫn\r\nthấp (sợi nhân tạo), vỏ bọc nhựa…Các thiết bị này được phân loại trong các tiêu\r\nchuẩn về thiết bị điện và điện tử (xem điều A.4 Phụ lục A).
\r\n\r\nCác phép thử trong tiêu chuẩn này chỉ là\r\nnhững bước đầu trong việc hướng dẫn sử dụng các phép thử thông thường để đánh\r\ngiá định tính chất lượng của các thiết bị viễn thông như đã được đề cập trong\r\nđiều 1.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trên quan điểm kỹ thuật, thuật ngữ\r\nchính xác cho hiện tượng là “phóng điện tĩnh”. Tuy nhiên thuật ngữ “phóng tĩnh\r\nđiện” đã được sử dụng rộng rãi trong giới kỹ thuật, do đó tiêu chuẩn này vẫn\r\nduy trì sử dụng thuật ngữ này.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác định nghĩa dưới đây được áp dụng và có\r\nthể áp dụng trong lĩnh vực phóng tĩnh điện; không phải tất cả các thuật ngữ này\r\nđều có trong IEC 60050 (161) [IEV].
\r\n\r\n4.1. Suy giảm (chất lượng)
Sự giảm sút không mong muốn về chất lượng làm\r\nviệc của bất kỳ máy móc, thiết bị hay hệ thống nào so với chất lượng đã được\r\nquy định của nó.
\r\n\r\n[IEV 161-01-19]
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thuật ngữ “suy giảm” có thể áp\r\ndụng cho sai hỏng tạm thời hoặc lâu dài.
\r\n\r\n4.2. Tương thích điện từ (EMC)
Khả năng của một thiết bị hoặc hệ thống làm\r\nviệc bình thường (phù hợp với chỉ tiêu kỹ thuật) trong môi trường điện từ của\r\nnó và không tạo ra nhiễu điện từ quá mức chịu đựng đối với bất kỳ thiết bị, hệ\r\nthống nào trong môi trường đó.
\r\n\r\n[IEV 161-01-07]
\r\n\r\n4.3. Vật liệu chống tĩnh điện
Loại vật liệu có các thuộc tính giảm thiểu sự\r\ntích điện khi được chà sát hoặc khi bị phân tách với các vật liệu cùng loại\r\nhoặc tương tự khác.
\r\n\r\n4.4. Tụ điện tích trữ năng lượng
Tụ điện của máy phóng tĩnh điện (thay thế\r\nđiện dung của cơ thể con người) được nạp điện tới giá trị điện áp thử. Nó có\r\nthể là một thành phần riêng biệt hoặc là một điện dung phân tán.
\r\n\r\n4.5. ESD (Electrostatic discharge)
\r\n\r\nPhóng tĩnh điện (xem 4.10).
\r\n\r\n4.6. EUT (equipment under test)
\r\n\r\nThiết bị được kiểm tra.
\r\n\r\n4.7. Mặt đất chuẩn (GRP)
Một mặt phẳng dẫn điện mà thế năng của nó\r\nđược sử dụng như một chuẩn chung.
\r\n\r\n[IEV 161-04-36]
\r\n\r\n4.8. Mặt phẳng ghép
Một tấm hoặc một miếng kim loại (để phóng\r\nđiện vào đó) được sử dụng để mô tả sự phóng tĩnh điện vào các đối tượng kề bên\r\nEUT.
\r\n\r\nHCP: mặt phẳng ghép ngang.
\r\n\r\nVCP: mặt phẳng ghép đứng
\r\n\r\n4.9. Thời gian giữ
Khoảng thời gian trong đó mức giảm điện áp\r\nthử do dòng rò gây nên không lớn hơn 10% giá trị điện áp trước khi phóng điện.
\r\n\r\n4.10. Phóng tĩnh điện; ESD (
Sự truyền điện của các vật thể có thế năng\r\ntĩnh điện khác nhau ở gần nhau hoặc qua tiếp xúc trực tiếp.
\r\n\r\n[IEV 161-01-22]
\r\n\r\n4.11. Miễn nhiễm (đối với nhiễu)
Khả năng của một máy móc, thiết bị hoặc một\r\nhệ thống hoạt động không bị suy giảm chất lượng khi có nhiễu điện từ.
\r\n\r\n[IEV 161-01-20]
\r\n\r\n4.12. Phương pháp phóng điện tiếp xúc
Một phương pháp thử, trong đó điện cực phóng\r\ncủa máy phát tín hiệu thử tiếp xúc với EUT và sự phóng điện được kích hoạt bằng\r\ncông tắc phóng trong máy phát tín hiệu thử.
\r\n\r\n4.13. Phương pháp phóng điện qua không khí
Một phương pháp thử, trong đó điện cực phóng\r\ncủa máy phát tín hiệu thử được đặt gần EUT và sự phóng điện được kích hoạt bằng\r\nmột tia lửa điện tới EUT.
\r\n\r\n4.14. Tác động trực tiếp
Thực hiện phóng điện trực tiếp vào EUT.
\r\n\r\n4.15. Tác động gián tiếp
Thực hiện phóng điện vào một mặt phẳng ghép\r\nđược đặt gần EUT và mô phỏng sự phóng điện từ cơ thể con người tới các đối\r\ntượng kề bên EUT.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác mức thử trong Bảng 1 được khuyến nghị ưu\r\ntiên áp dụng cho các phép thử ESD.
\r\n\r\nĐồng thời, phép thử cũng phải thỏa mãn ở các\r\nmức thấp hơn mức đã cho trong Bảng 1.
\r\n\r\nCác chi tiết các liên quan đến các tham số\r\nkhác nhau ảnh hưởng tới mức điện áp mà cơ thể con người có thể tích lũy được\r\ntrong A.2, Phụ lục A. Điều A.4 là các ví dụ về việc áp dụng các mức thử tương\r\nứng với các loại môi trường khác nhau (khi lắp đặt).
\r\n\r\nPhóng điện tiếp xúc là phương pháp thử được\r\nưu tiên áp dụng. Phóng điện qua không khí được áp dụng khi không thể áp dụng\r\nđược phương pháp phóng điện tiếp xúc. Mức điện áp thử cho mỗi phương pháp thử\r\nđược cho trong Bảng 1a và 1b. Mức thử điện áp thử khác nhau đối với mỗi phương\r\npháp thử là do sự khác nhau về phương pháp thử. Điều này không ngụ ý là đảm bảo\r\nsự khắc nghiệt như nhau giữa hai phương pháp thử.
\r\n\r\nCác thông tin thêm cho trong A.3, A.4 và A.5\r\ncủa Phụ lục A.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 1) | \r\n |||
Máy phát tín hiệu thử phải bao gồm (trong các\r\nphần chính của nó):
\r\n\r\n- Điện trở nạp, Rc;
\r\n\r\n- Tụ điện tích trữ năng lượng, Cs;
\r\n\r\n- Điện dung phân tán, Cd;
\r\n\r\n- Điện trở phóng điện, Rd;
\r\n\r\n- Đồng hồ chỉ thị điện áp;
\r\n\r\n- Công tắc phóng điện;
\r\n\r\n- Các đầu phóng có thể thay đổi của điện cực\r\nphóng điện (xem Hình 4);
\r\n\r\n- Cáp hồi tiếp phóng điện;
\r\n\r\n- Khối cấp nguồn.
\r\n\r\nHình 1 là sơ đồ đơn giản của một máy phát\r\nESD.
\r\n\r\nMáy phát tín hiệu thử phải đáp ứng được các\r\nyêu cầu trong 6.1 và 6.2.
\r\n\r\n6.1. Các đặc tính và chất lượng của máy phát\r\nESD
\r\n\r\nCác chỉ tiêu kỹ thuật:
\r\n\r\n- Điện dung tích trữ năng lượng (Cs\r\n+ Cd): 150 pF ± 10%;
\r\n\r\n- Điện trở phóng điện (Rd): 330 Ω\r\n± 10%;
\r\n\r\n- Điện trở nạp (Rc): từ 50 MΩ đến\r\n100 MΩ;
\r\n\r\n- Điện áp ra (xem chú thích 1): tới 8 kV\r\n(danh định) đối với phóng điện tiếp xúc;
\r\n\r\nTới 15 kV (danh định) đối với phóng điện qua không\r\nkhí;
\r\n\r\n- Dung sai của đồng hồ chỉ thị điện áp ra: ±\r\n5%;
\r\n\r\n- Cực tính của điện áp ra: âm hoặc dương (có\r\nthể chuyển được);
\r\n\r\n- Thời gian giữ: ít nhất 5s;
\r\n\r\n- Phóng điện, chế độ làm việc (xem chú thích\r\n2): phóng điện đơn (thời gian giữa các lần phóng điện liên tiếp ít nhất là 1s);
\r\n\r\n- Dạng sóng của dòng phóng: xem 6.2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Điện áp hở mạch được đo tại tụ\r\nđiện tích trữ năng lượng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Máy phát tín hiệu thử nên có khả\r\nnăng làm việc với tốc độ lặp ít nhất là 20 lần phóng điện mỗi giây cho mục đích\r\nthử khảo sát trước.
\r\n\r\nMáy phát ESD phải có khả năng phòng ngừa việc\r\ntạo ra nhiễu phát xạ và nhiễu dẫn không mong muốn (dạng xung hoặc dạng liên\r\ntục) để không gây nhiễu EUT hoặc các thiết bị thử phụ trợ do các ảnh hưởng ký\r\nsinh.
\r\n\r\nTụ điện tích trữ năng lượng, điện trở phóng\r\nđiện và công tắc phóng điện phải được đặt gần điện cực phóng điện (gần nhất có\r\nthể).
\r\n\r\nKích thước của đầu phóng điện cho trong Hình\r\n4.
\r\n\r\nĐối với phương pháp phóng điện qua không khí,\r\ncó thể sử dụng máy phát cùng loại nhưng phải đóng công tắc phóng điện. Máy phát\r\nphải khớp với đầu phóng điện như được mô tả trong Hình 4.
\r\n\r\nThông thường, cáp hồi tiếp phóng điện của máy\r\nphát tín hiệu thử phải có độ dài 2 m và phải được chế tạo sao cho để máy phát\r\nđáp ứng được chỉ tiêu về dạng sóng của tín hiệu thử. Trong phép thử ESD cáp hồi\r\ntiếp phóng điện phải được cách ly thỏa đáng để phòng ngừa sự rò rỉ dòng phóng\r\nvào cơ thể con người và các mặt dẫn khác ngoài đầu cuối của nó.
\r\n\r\nTrong trường hợp độ dài 2m của cáp hồi tiếp\r\nphóng điện không đáp ứng được cấu hình phép thử (ví dụ: do EUT quá cao), thì có\r\nthể sử dụng cáp dài hơn nhưng không được vượt quá 3m và phải kiểm tra sự phù\r\nhợp của đặc tính dạng sóng đầu ra.
\r\n\r\n6.2. Kiểm tra các đặc tính của máy phát ESD
\r\n\r\nĐể so sánh được kết quả thử nghiệm từ các máy\r\nphát tín hiệu thử khác nhau, thì phải kiểm tra các đặc tính cho trong Bảng 2\r\n(sử dụng cáp hồi tiếp phóng điện được dùng khi thực hiện phép thử).
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
Dạng sóng của dòng điện đầu ra của máy phát\r\nESD trong khi kiểm tra phải phù hợp với Hình 3.
\r\n\r\nGiá trị các đặc tính của dòng phóng phải được\r\nkiểm tra bằng thiết bị đo có độ rộng băng tần là 1000MHz.
\r\n\r\nĐộ rộng băng tầng thấp hơn sẽ có hạn chế\r\ntrong việc đo thời gian tăng và biên độ đỉnh đầu tiên của dòng phóng.
\r\n\r\nĐể kiểm tra, máy phát phải làm việc ở chế độ\r\nphóng điện tiếp xúc, đầu phóng của điện cực phóng điện phải được tiếp xúc trực\r\ntiếp với bộ cảm biến dòng.
\r\n\r\nHình 2 là cấu hình điển hình cho việc kiểm\r\ntra chỉ tiêu chất lượng của máy phát ESD. Độ rộng băng tần của Ka-tốt phải lớn\r\nhơn 1 GHz. Cấu trúc chi tiết của bộ cảm biến dòng cho trong Phụ lục B.
\r\n\r\nĐược phép sử dụng các cấu hình khác như lồng\r\nFaraday thí nghiệm có kích thước khác so với Hình 2; đồng thời cũng được phép\r\ncó sự phân cách giữa lồng Fa-ra-day và mặt đối Ka-tốt, nhưng trong cả hai\r\ntrường hợp, cần phải chú ý đến khoảng cách giữa bộ cảm biến và điểm cuối đất\r\ncủa máy phát ESD (khoảng 1m) cũng như việc bố trí cáp hồi tiếp phóng điện.
\r\n\r\nMáy phát ESD phải được hiệu chỉnh định kỳ phù\r\nhợp với quy định của hệ thống quản lý chất lượng nhà nước hiện hành.
\r\n\r\n\r\n\r\nCấu hình thử bao gồm máy phát tín hiệu thử,\r\nEUT và các thiết bị phụ trợ khác để thực hiện các tác động trực tiếp hoặc gián\r\ntiếp phóng điện vào EUT theo cách sau:
\r\n\r\na) Phóng điện tiếp xúc vào các mặt dẫn điện\r\nvà mặt phẳng ghép;
\r\n\r\nb) Phóng điện qua không khí vào các mặt cách\r\nđiện
\r\n\r\nCó thể phân biệt hai dạng phép thử khác nhau:
\r\n\r\n- Các phép thử được thực hiện trong phòng thử\r\nnghiệm (kiểm tra tính tuân thủ);
\r\n\r\n- Các phép thử sau khi lắp đặt được thực hiện\r\ntrên thiết bị trong các điều kiện lắp đặt sau cùng của thiết bị đó.
\r\n\r\nPhương pháp được ưu tiên áp dụng là thực hiện\r\ncác phép thử trong phòng thử nghiệm.
\r\n\r\nEUT phải được bố trí phù hợp với hướng dẫn\r\nlắp đặt của nhà sản xuất (nếu có).
\r\n\r\n7.1. Cấu hình để thực hiện phép thử trong\r\nphòng thử nghiệm
\r\n\r\nNhững yêu cầu dưới đây áp dụng cho các phép\r\nthử được thực hiện trong phòng thử nghiệm với các điều kiện môi trường chuẩn\r\ncho ở 8.1.
\r\n\r\nPhải có một mặt đất chuẩn được đặt trên sàn\r\ncủa phòng thử nghiệm. Mặt đặt chuẩn này phải là một tấm kim loại (bằng đồng\r\nhoặc nhôm) có độ dày tối thiểu là 0,25 mm; có thể sử dụng các loại vật liệu kim\r\nloại khác nhưng phải có độ dày tối thiểu là 0,65 mm.
\r\n\r\nKích thước tối thiểu của mặt đất chuẩn là 1m2,\r\nkích thước chính xác của nó phụ thuộc vào kích thước của EUT. Mặt đất chuẩn\r\nphải lớn hơn EUT hoặc mặt phẳng ghép, tất cả các chiều, ít nhất là 0,5 m và\r\nphải được nối với hệ thống đất bảo vệ.
\r\n\r\nCấu hình phép thử phải đáp ứng được các quy\r\nđịnh về an toàn của nơi thực hiện phép thử.
\r\n\r\nEUT phải được bố trí và kết nối theo yêu cầu\r\nchức năng của nó.
\r\n\r\nKhoảng cách tối thiểu giữa EUT và tường của\r\nphòng thử nghiệm và bất kỳ vật thể kim loại nào phải là 1m.
\r\n\r\nEUT phải được kết nối với hệ thống đất theo\r\nchỉ tiêu kỹ thuật về lắp đặt của nó. Ngoài ra, không được có bất kỳ một kết nối\r\nđất nào khác.
\r\n\r\nBố trí các cáp nguồn, cáp tín hiệu phải giống\r\nnhư trong lắp đặt thực tế.
\r\n\r\nCáp hồi tiếp phóng điện của máy phát ESD phải\r\nđược nối với mặt đất chuẩn. Tổng độ dài của cáp này thông thường là 2m.
\r\n\r\nTrong trường hợp độ dài này lớn hơn độ dài\r\ncần thiết để thực hiện phóng điện tới điểm đã chọn, thì phần dư ra này phải\r\nđược đặt cách xa mặt đất chuẩn (không tạo cảm hứng) và phải cách các phần dẫn\r\nđiện trong cấu hình phép thử ít nhất là 0,2 m.
\r\n\r\nKết nối của các cáp nối đất với mặt đất chuẩn\r\nvà tất cả các liên kết phải có trở kháng thấp, ví dụ như sử dụng các thiết bị\r\nvòng kẹp đối với các ứng dụng tần số cao.
\r\n\r\nKhi các mặt phẳng ghép được sử dụng, ví dụ\r\nnhư để thực hiện phóng điện gián tiếp, thì nó phải có cùng loại vật liệu và có\r\ncùng độ dày như mặt đất chuẩn và phải được nối với mặt đất chuẩn thông qua cáp\r\nnối có một điện trở 470 kΩ tại mỗi đầu. Các điện trở này phải có khả năng chịu\r\nđược điện áp phóng điện và phải được cách ly để tránh xảy ra ngắn mạch với mặt\r\nđất chuẩn khi cáp nằm trên đó.
\r\n\r\nDưới đây là các quy định chi tiết hơn các\r\nloại thiết bị khác nhau.
\r\n\r\n7.1.1. Loại thiết bị để bàn
\r\n\r\nCấu hình phép thử bao gồm một bàn gỗ có độ\r\ncao 0,8 m trên mặt đất chuẩn.
\r\n\r\nTrên bàn phải đặt một mặt phẳng ghép nằm\r\nngang (HCP) có diện tích 1,6 m x 0,8 m. EUT và các cáp nối phải được cách ly\r\nvới mặt phẳng ghép bằng một lớp cách điện có độ dày 0,5 mm.
\r\n\r\nNếu EUT quá lớn, tất cả các mặt của EUT không\r\ncách các cạnh của HCP tối thiểu là 0,1 m, thì phải sử dụng thêm một HCP tương\r\ntự, đặt cách HCP thứ nhất 0,3 m với các cạnh ngắn kề nhau. Bàn phải được mở\r\nrộng ra hoặc có thể sử dụng hai bản. Các mặt phẳng ghép không được nối với nhau\r\nngoài kết nối tới mặt đất chuẩn bằng cáp nối có điện trở.
\r\n\r\nNếu EUT có bất kỳ chân đỡ nào thì phải để\r\nnguyên tại vị trí của nó.
\r\n\r\nHình 5 là ví dụ về cấu hình phép thử cho\r\nthiết bị để bàn.
\r\n\r\n7.1.2. Thiết bị đặt trên sàn nhà
\r\n\r\nEUT và các cáp nối phải được cách ly với mặt\r\nđất chuẩn bằng một giá đỡ cách điện có độ dày khoảng 0,1 m.
\r\n\r\nHình 6 là ví dụ về cấu hình phép thử cho\r\nthiết bị đặt sàn nhà.
\r\n\r\nNếu EUT có bất kỳ chân đỡ nào thì phải để\r\nnguyên tại vị trí của nó.
\r\n\r\n7.1.3. Phương pháp thử đối với thiết bị không\r\ntiếp đất
\r\n\r\nPhương pháp thử trong điều kiện áp dụng cho\r\nthiết bị hoặc phần thiết bị có thiết kế hoặc lắp đặt không kết nối tới bất kỳ\r\nhệ thống tiếp đất nào. Thiết bị hoặc phần thiết bị gồm có các thiết bị di động,\r\ndùng pin và cách ly kép (thiết bị loại II).
\r\n\r\nNguyên nhân:
Cấu hình thử chung phải được phải như quy\r\nđịnh trong 7.1.1 và 7.1.2.
\r\n\r\nĐể mô phỏng hiện tượng ESD đơn (bởi phóng\r\nđiện tiếp xúc hoặc phóng điện qua không khí), phải khử điện tích trên EUT trước\r\nmỗi khung ESD.
\r\n\r\nĐiện tích trên điểm hoặc miếng kim loại chịu\r\ntác động của xung ESD, ví dụ các vỏ kết nối, các chân xạc pin, anten kim loại,\r\nphải được khử trước mỗi xung thử ESD.
\r\n\r\nKhi một hoặc một số phần có kim loại là đối\r\ntượng thử của ESD, điện tích phải được khử khỏi các điểm mà xung ESD tác động,\r\nkhông đưa ra sự đảm bảo về điện trở giữ nó và các điểm có thể dùng khác trên\r\nsản phẩm.
\r\n\r\nPhải sử dụng một cáp có điện trở thoát 470 kΩ\r\ngiống như dùng với mặt phẳng ghép ngang và mặt phẳng ghép đứng; xem 7.1.
\r\n\r\nNếu điện dung giữa EUT và HCP (trên bàn) và\r\ngiữa EUT và GRP (dưới sàn) được xác định bởi kích thước của EUT, cáp với điện\r\ntrở thoát vẫn lắp đặt trong phép thử ESD. Trong cáp phóng điện, phải được kết\r\nnối một điện trở gần nhất có thể, ít hơn 20 mm tính từ điểm thử EUT. Điện trở\r\nthứ hai phải được kết nối gần điểm cuối cáp nối tới HCP đối với thiết bị đặt\r\ntrên bàn (xem Hình 8), hoặc GRP đối với thiết bị đặt dưới sàn (xem Hình 9).
\r\n\r\nCáp có điện trở thoát có thể ảnh hưởng tới\r\nkết quả phép thử của một số thiết bị. Trong trường hợp không rõ ràng, phép thử\r\nvới cáp bị ngắt kết nối trong khi xung ESD xuất hiện ở phép thử với cáp lắp đặt\r\ntrong khi thử, cung cấp thiết bị làm giảm sự tích điện giữa các lần phóng liên\r\ntiếp.
\r\n\r\nMột khả năng khác là dùng các lựa chọn sau:
\r\n\r\n- Khoảng thời gian giữa các lần phóng điện\r\ntiếp phải được mở tăng lên để đủ thời gian để suy giảm điện tích từ EUT;
\r\n\r\n- Một chổi than với điện trở nối đất (ví dụ 2\r\nx 470 kΩ);
\r\n\r\n- Một bộ ion hóa không khí để tăng tốc độ quá\r\ntrình phóng “tự nhiên” của EUT tới môi trường của nó.
\r\n\r\nPhải tắt bộ ion hóa khi áp dụng phép thử\r\nphóng qua không khí. Việc sử dụng bất kỳ phương pháp khác phải ghi trong biên\r\nbản thử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong trường hợp tranh chấp liên\r\nquan đến giảm điện tích, điện tích trên EUT có thể được giám sát bởi chỉ thị\r\ntrường điện tiếp xúc. Khi điện tích giảm dưới 10% giá trị ban đầu, EUT được xem\r\nnhư được phóng.
\r\n\r\nĐầu của bộ tạo ESD phải thẳng góc với bề mặt\r\ncủa EUT.
\r\n\r\n7.1.3.1. Thiết bị đặt trên bàn
\r\n\r\nĐối với thiết bị đặt trên bàn, EUT được đặt ở\r\nmặt phẳng ghép ngang phía trên là cách điện (dày 0.5 mm), như mô tả trong 7.1.1\r\nvà Hình 5.
\r\n\r\nKhi phần kim loại mà xung ESD tác động vào,\r\ncó sẵn trên EUT, thì phần này phải nối tới HCP thông qua một cáp với điện trở\r\nthoát; xem Hình 8.
\r\n\r\n7.1.3.2. Thiết bị đặt trên sàn
\r\n\r\nThiết bị đặt trên sàn mà không có bất kỳ kết\r\nnối kim loại với mặt đất chuẩn phải được lắp đặt giống như 7.1.2 và Hình 6.
\r\n\r\nPhải dùng một cáp với điện trở thoát giữa\r\nphần kim loại mà xung ESD tác động, và mặt đất chuẩn (GRP); xem Hình 9.
\r\n\r\n7.2. Cấu hình cho các phép thử sau khi lắp\r\nđặt
\r\n\r\nCác phép thử sau khi lắp đặt là tùy chọn,\r\nkhông bắt buộc đối với các phép thử để cấp chứng chỉ. Các phép thử này có thể\r\nchỉ áp dụng khi có sự thỏa thuận giữa nhà sản xuất và đối tượng sử dụng thiết\r\nbị. Phải cân nhắc trường hợp thiết bị khác cùng đặt tại vị trí đó có thể bị ảnh\r\nhưởng không thể chấp nhận được.
\r\n\r\nThiết bị hoặc hệ thống phải được thử nghiệm\r\ntrong điều kiện lắp đặt sau cùng của nó.
\r\n\r\nĐể tạo điều kiện kết nối cáp hồi tiếp phóng\r\nđiện, mặt đất chuẩn phải được đặt trên sàn của vị trí lắp đặt và cách EUT\r\nkhoảng 0,1 m. Mặt đất chuẩn nên bằng đồng hoặc bằng nhôm có độ dày không nhỏ\r\nhơn 0,25 mm. Có thể sử dụng các loại vật liệu kim loại khác, nhưng độ dày tối\r\nthiểu là 0,65 mm. Nếu vị trí lắp đặt cho phép, mặt đất chuẩn nên có kích thước\r\nkhoảng 0,3 m chiều rộng và 2m chiều dài.
\r\n\r\nMặt đất chuẩn này nên nối với hệ thống đất\r\nbảo vệ. Nếu tại vị trí lắp đặt cụ thể nào đó mà không thực hiện được kết nối\r\nnày, thì nên nối mặt đất chuẩn với đầu cuối đất của EUT (nếu có).
\r\n\r\nCáp hồi tiếp phóng điện của máy phát ESD phải\r\nđược nối tới mặt đất chuẩn tại vị trí gần EUT. Nếu EUT được lắp đặt trên một\r\nbàn kim loại, thì bàn kim loại này phải được nối với mặt đất chuẩn qua cáp nối\r\ncó một điện trở 470 kΩ tại mỗi đầu để phòng ngừa sự tích điện.
\r\n\r\nHình 7 là ví dụ về cấu hình thực hiện phép\r\nthử sau khi lắp đặt.
\r\n\r\n8.1. Các điều kiện chuẩn trong phòng thử\r\nnghiệm
\r\n\r\nĐể tối thiểu hóa tác động của các tham số môi\r\ntrường vào kết quả thử nghiệm, phép thử phải được thực hiện trong điều kiện\r\nchuẩn về khí hậu và điện từ như được xác định trong 8.1.1 và 8.1.2.
\r\n\r\n8.1.1. Điều kiện về khí hậu
\r\n\r\nTrường hợp thực hiện phóng điện qua không\r\nkhí, các điều kiện về khí hậu phải nằm trong phạm vi quy định sau:
\r\n\r\n- Nhiệt độ môi trường xung quanh: từ 15 oC\r\nđến 35 oC;
\r\n\r\n- Độ ẩm tương đối: từ 30% đến 60%;
\r\n\r\n- Áp suất khí quyển: từ 86 kPa (860 mbar) đến\r\n106 kPa (1 060 mbar).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mọi giá trị khác được xác định\r\ntrong chỉ tiêu kỹ thuật của sản phẩm.
\r\n\r\n8.1.2. Điều kiện về điện từ
\r\n\r\nMôi trường điện từ của phòng thử nghiệm phải\r\nkhông được ảnh hưởng đến các kết quả thử nghiệm.
\r\n\r\n8.2. Trạng thái làm việc của EUT
\r\n\r\nPhần mềm và chương trình thử phải được lựa\r\nchọn sao cho thực hiện được tất cả các chế độ làm việc danh định của EUT.\r\nKhuyến khích việc sử dụng phần mềm khai thác đặc biệt, nhưng chỉ được phép khi\r\nphần mềm đó thể hiện được rằng EUT đang ở trạng thái làm việc hoàn toàn.
\r\n\r\nĐối với các phép thử để kiểm tra tính phù\r\nhợp, EUT phải làm việc liên tục trong chế độ nhạy cảm nhất của nó (chu trình\r\nchương trình), chế độ làm việc này được xác định bằng các phép thử khảo sát\r\ntrước).
\r\n\r\nNếu cần phải có thiết bị giám sát để kiểm tra\r\nEUT, thì thiết bị giám sát này phải được cách biệt (bằng mạch tách) để giảm khả\r\nnăng chỉ thị sai.
\r\n\r\n8.3. Thực hiện phép thử
\r\n\r\nThực hiện phép thử bằng cách phóng điện trực\r\ntiếp và phóng điện gián tiếp vào EUT theo một kế hoạch thử. Kế hoạch thử bao\r\ngồm:
\r\n\r\n- Các điều kiện làm việc đặc trưng của EUT;
\r\n\r\n- Thực hiện phép thử đối với EUT như thiết bị\r\nđể bàn hay thiết bị đặt sàn nhà;
\r\n\r\n- Các điểm để thực hiện phóng điện vào đó;
\r\n\r\n- Tại mỗi điểm, thực hiện phóng điện tiếp xúc\r\nhay phóng điện qua không khí;
\r\n\r\n- Mức thử được áp dụng;
\r\n\r\n- Số lần phóng điện tại mỗi điểm đối với phép\r\nthử kiểm tra tính tuân thủ;
\r\n\r\n- Kiểm tra điều kiện lắp đặt EUT trong thực\r\ntế để thực hiện các phép thử sau khi lắp đặt.
\r\n\r\nNếu cần, có thể thực hiện một số phép thử\r\nkhảo sát trước để lập kế hoạch thử.
\r\n\r\n8.3.1. Tác động trực tiếp của phóng tĩnh điện\r\nvào EUT
\r\n\r\nTrừ khi có chỉ dẫn khác trong tiêu chuẩn\r\nchung, tiêu chuẩn của sản phẩm hoặc họ sản phẩm, chỉ thực hiện phóng tĩnh điện\r\nvào EUT tại các điểm và các bề mặt mà con người có thể tiếp cận được khi khai\r\nthác sử dụng bình thường. Các loại trừ sau đây được áp dụng (không phóng tĩnh\r\nđiện vào các điểm này):
\r\n\r\na) các điểm và bề mặt chỉ tiếp cận được khi\r\nbảo dưỡng. Trong trường hợp này, phải đưa ra các thủ tục ESD cụ thể trong tài\r\nliệu kèm theo.
\r\n\r\nb) các điểm và bề mặt mà người dùng chỉ tiếp\r\ncận khi sử dụng dịch vụ. Ví dụ về những điểm ít khi được truy cập này là: các\r\ntiếp xúc của ắc quy khi thay đổi ắc quy, bằng catset trong máy trả lời điện\r\nthoại…
\r\n\r\nc) các điểm và bề mặt của thiết bị không có\r\nkhả năng truy cập nữa sau khi lắp đặt cố định hoặc sau khi sử dụng, ví dụ, dưới\r\nđáy hoặc cạnh bên của thiết bị hoặc khu vực phía sau các kết nối thích hợp.
\r\n\r\nd) các tiếp xúc của cáp đồng và các bộ kết\r\nnối nhiều chân được cung cấp với một vỏ kết nối kim loại. Trong trường hợp này,\r\nphóng điện tiếp xúc chỉ được áp dụng cho vỏ kim loại của bộ kết nối đó.
\r\n\r\nCác tiếp xúc trong bộ kết nối không dẫn (ví dụ,\r\nnhựa) có thể tiếp cận được phải được thử chỉ với phép thử phóng điện qua không\r\nkhí. Phép thử này phải thực hiện bằng cách dùng đầu dò trong trên bộ tạo tín\r\nhiệu thử ESD.
\r\n\r\nNhìn chung có 6 trường hợp:
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n \r\n Vỏ \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Cách ly \r\n | \r\n \r\n Màn che \r\n | \r\n \r\n Vỏ khi tiếp cận được \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Kim loại \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n \r\n Vỏ và màn che \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n a \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Cách ly \r\n | \r\n \r\n Màn che \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Kim loại \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n \r\n Màn che \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: Trong trường hợp màn che được\r\n dùng để che chắn ESD cho các chân kết nối, phải có một nhãn cảnh báo ESD trên\r\n màn che đó hoặc trên thiết bị gần với bộ kết nối chỗ đặt màn che. \r\n | \r\n ||||
| \r\n a Nếu tiêu chuẩn sản phẩm họ sản phẩm yêu\r\n cầu thử riêng các chân của bộ kết nối cách ly, áp dụng phương thức phóng điện\r\n qua không khí. \r\n | \r\n ||||
e) Tiếp xúc của các kết nối hoặc phần tiếp\r\ncận khác dễ bị ảnh hưởng bởi ESD do các chức năng và được cung cấp với một nhãn\r\ncảnh báo ESD, ví dụ các đầu vào chuẩn từ thiết bị đo, thiết bị nhận hoặc các\r\nchức năng thông tin khác
\r\n\r\nNguyên nhân: nhiều cổng kết nối được thiết kế\r\nđể điều khiển thông tin tần số cao, số hoặc tương tự, và do đó không thể được\r\ncung cấp đủ thiết bị bảo vệ quá áp. Trong trường hợp tín hiệu tương tự, các bộ\r\nlọc thông dải là một giải pháp. Các đi-ốp bảo vệ quá áp có điện dung phân bố\r\nquá lớn để dùng ở tần số hoạt động của EUT theo thiết kế.
\r\n\r\nTrong mọi trường hợp trước đó, các thủ tục\r\nlàm giảm ESD đặc biệt được khuyến nghị và được nêu trong tài liệu kèm theo.
\r\n\r\nĐiện áp thử phải tăng từ mức tối thiểu đến\r\nmức thử đã được chọn để xác định được bất kỳ ngưỡng sai hỏng nào của EUT (xem\r\n5). Mức điện áp thử cuối cùng không nên vượt quá giá trị được xác định trong\r\nchỉ tiêu kĩ thuật của thiết bị để tránh làm hư hỏng thiết bị.
\r\n\r\nPhải thực hiện phép thử với các lần phóng\r\nđiện đơn. Tại mỗi điểm đã chọn, phải thực hiện ít nhất 10 lần phóng điện đơn\r\n(với cực tính nhạy cảm nhất).
\r\n\r\nĐối với khoảng thời gian giữa các lần phóng\r\nđiện đơn liên tiếp, giá trị ban đầu là 1 giây được khuyến nghị. Có thể cần các\r\nkhoảng thời gian lớn hơn để xác định xem sai hỏng của hệ thống đã xảy ra hay\r\nkhông.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các điểm để thực hiện phóng tĩnh\r\nđiện vào đó có thể được lựa chọn bằng phương pháp phóng điện thử để khảo sát\r\ntrước với tốc độ lặp là 20 lần phóng mỗi giây hoặc nhiều hơn.
\r\n\r\nMáy phát ESD phải được giữ vuông góc với mặt\r\nphẳng để thực hiện phóng điện vào đó. Thực hiện điều này để tăng khả năng tái\r\ntạo lại kết quả.
\r\n\r\nCáp hồi tiếp phóng điện của máy phát phải\r\ncách EUT, ít nhất, là 0,2 m trong khi đang thực hiện phóng điện.
\r\n\r\nTrong trường hợp phóng điện tiếp xúc, đầu của\r\nđiện cực phóng điện phải tiếp xúc với với EUT trước khi bật công tác phóng\r\nđiện.
\r\n\r\nTrong trường hợp vật liệu nền dẫn điện được\r\nbao phủ bằng các lớp sơn, phải áp dụng các thủ tục dưới đây:
\r\n\r\nNếu nhà sản xuất không tuyên bố các lớp sơn\r\nnày là lớp vỏ cách điện, thì đầu điện cực phóng điện của máy phát phải xuyên\r\nthủng lớp sơn này để tiếp xúc với vật liệu nền dẫn điện bên trong. Nếu nhà sản\r\nxuất tuyên bố các lớp sơn này là lớp vỏ cách điện, thì phải thực hiện phóng\r\nđiện qua không khí. Không được thực hiện phóng điện tiếp xúc đối với các loại\r\nmặt phẳng như vậy.
\r\n\r\nTrong trường hợp phóng điện qua không khí,\r\nđầu phóng điện tròn của điện cực phóng phải được chuyển lại gần (nhanh tối đa\r\nnhưng không gây ra hư hỏng cơ khí) và tiếp xúc với EUT. Sau mỗi lần phóng điện,\r\nđiện cực phóng của máy phát ESD phải được đưa ra khỏi EUT. Tiếp theo, máy phát\r\nESD được kích hoạt lại cho lần phóng điện mới. Lặp lại thủ tục này cho đến khi\r\nhoàn thành các lần phóng điện. Phải đóng công tắc phóng điện (được sử dụng khi\r\nphóng điện tiếp xúc) trong trường hợp phóng điện qua không khí.
\r\n\r\n8.3.2. Tác động gián tiếp của phóng tĩnh điện
\r\n\r\nMô phỏng sự phóng tĩnh điện vào các đối tượng\r\nđược đặt hoặc lắp đặt gần EUT bằng cách phóng tĩnh điện vào mặt phẳng ghép từ\r\nmáy phát ESD theo phương pháp phóng điện tiếp xúc.
\r\n\r\nNgoài thủ tục thực hiện phép thử trong 8.3.1,\r\nphải đáp ứng được các yêu cầu trong 8.3.2.1 và 8.3.2.2, 8.3.2.1. Mặt phẳng ghép\r\nnằm ngang (HCP) dưới EUT.
\r\n\r\nThực hiện phóng tĩnh điện vào cạnh của HCP\r\ntheo phương nằm ngang.
\r\n\r\nThực hiện ít nhất 10 lần phóng điện đơn (với\r\ncực tính nhạy cảm nhất) tại cạnh trước của mỗi HCP, đối diện với điểm giữa của\r\nmỗi khối (nếu có thể áp dụng) của EUT và cách mặt trước của EUT 0,1m. Trục dài\r\ncủa điện cực phóng điện phải vuông góc với cạnh trước và nằm trong cùng mặt\r\nphẳng của HCP trong khi phóng điện.
\r\n\r\nĐiện cực phóng điện phải tiếp xúc với cạnh\r\ncủa HCP (xem Hình 5).
\r\n\r\nNên thực hiện phép thử này đối với tất cả các\r\nmặt của EUT.
\r\n\r\n8.3.2.2. Mặt phẳng ghép thẳng đứng
\r\n\r\nThực hiện ít nhất 10 lần phóng điện đơn (với\r\ncực tính nhạy cảm nhất) tại điểm giữa của một cạnh thẳng đứng của mặt phẳng\r\nghép (xem Hình 5 và 6). Mặt phẳng ghép, có kích thước 0,5m x 0,5m, được đặt\r\nsong song và cách EUT 0,1m.
\r\n\r\nThực hiện phóng tĩnh điện vào mặt phẳng ghép\r\nvới đủ các vị trí khác nhau sao cho cả 4 mặt của EUT được chiếu xạ hoàn toàn.
\r\n\r\nKết quả thử nghiệm phải được phân loại dựa\r\ntrên sự suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng của thiết bị thử, có xét tới mức\r\nchỉ tiêu xác định bởi nhà sản xuất, đối tượng yêu cầu thử hoặc thỏa mãn giữa\r\nnhà sản xuất và khách hàng về sản phẩm. Các phân loại sau được khuyến nghị:
\r\n\r\na) chỉ tiêu kỹ thuật danh định nằm trong giới\r\nhạn xác định bởi nhà sản xuất, đối tượng yêu cầu thử hoặc khách hàng;
\r\n\r\nb) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng tạm thời\r\ndưới tác động của nhiễu nhưng tự khôi phục lại chỉ tiêu danh định sau khi kết\r\nthúc phép thử mà không cần sự can thiệp của người khai thác;
\r\n\r\nc) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng tạm\r\nthời dưới tác động của nhiễu, việc khôi phục tại chỉ tiêu danh định đòi hỏi sự\r\ncan thiệp của người khai thác;
\r\n\r\nd) suy giảm chỉ tiêu hoặc mất chức năng,\r\nkhông có khả năng khôi phục do hư hỏng phần cứng, phần mềm hoặc mất dữ liệu.
\r\n\r\nTài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất có thể xác\r\nđịnh một số ảnh hưởng với EUT được coi là không quan trọng và do đó chấp nhận\r\nđược.
\r\n\r\nViệc phân loại như trên có thể được sử dụng\r\nnhư một hướng dẫn tính toán chỉ tiêu chất lượng, bởi các cơ quan quản lý về\r\ntiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm và họ sản phẩm, hoặc như một mẫu thỏa\r\nthuận về chỉ tiêu chất lượng giữa nhà sản xuất và khách hàng, ví dụ trong\r\ntrường hợp không có tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm hoặc họ sản phẩm phù\r\nhợp.
\r\n\r\n\r\n\r\nBiên bản thử nghiệm phải bao gồm tất cả thông\r\ntin cần thiết để tái tạo phép thử. Cụ thể, những thông tin sau phải được ghi\r\nlại:
\r\n\r\n- các khoản xác định trong kế hoạch thử theo\r\nyêu cầu ở điều 8 của tiêu chuẩn này;
\r\n\r\n- nhận dạng EUT và thiết bị phụ trợ, ví dụ:\r\ntên hiệu, loại sản phẩm, số hiệu;
\r\n\r\n- nhận dạng thiết bị thử, ví dụ: tên hiệu,\r\nloại sản phẩm, số hiệu;
\r\n\r\n- các điều kiện môi trường đặc biệt trong khi\r\nthực hiện thử, ví dụ: vỏ che chắn;
\r\n\r\n- các điều kiện cụ thể cần được thực hiện\r\nphép thử;
\r\n\r\n- mức chất lượng do nhà sản xuất quy định,\r\nyêu cầu của khách hàng;
\r\n\r\n- chỉ tiêu chất lượng xác định trong tiêu\r\nchuẩn chung, sản phẩm hoặc họ sản phẩm;
\r\n\r\n- các ảnh hưởng lên EUT quan sát được trong\r\nhoặc sau khi thử và khoảng thời gian ảnh hưởng;
\r\n\r\n- cơ sở cho quyết định đạt/không đạt (dựa\r\ntrên tiêu chí chất lượng xác định trong tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm\r\nhoặc họ sản phẩm, hoặc thỏa thuận giữa nhà sản xuất và khách hàng);
\r\n\r\n- các điều kiện sử dụng cụ thể, ví dụ độ dài\r\nhoặc loại cáp, che chắn và tiếp đất, các điều kiện vận hành EUT được yêu cầu\r\ntuân thủ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cd là điện dung phân\r\ntán nên không được vẽ trong hình này. Nó hình thành giữa máy phát tín hiệu thử\r\nvà EUT, GRP và mặt phẳng ghép. Do điện dung được phân bố trên toàn máy phát,\r\nnên không thể hiện trên mạch điện này được.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Công tắc phóng điện (ví dụ: rơ le\r\nchân không) phải được đặt gần phóng điện của điện cực phóng (gần nhất có thể)
\r\n\r\n![](\"00902422_files/image005.jpg\")
![](\"00902422_files/image006.jpg\")
![](\"00902422_files/image007.jpg\")
![](\"00902422_files/image008.jpg\")
![](\"00902422_files/image009.jpg\")
A.1. Các vấn đề chung
\r\n\r\nVấn đề bảo vệ thiết bị chống lại ảnh hưởng\r\ncủa hiện tượng phóng tĩnh điện đã trở nên quan trọng đối với nhà sản xuất cũng\r\nnhư đối tượng sử dụng.
\r\n\r\nViệc sử dụng rộng rãi các thành phần vi điện\r\ntử đòi hỏi phải xác định chính xác các khía cạnh của vấn đề và tìm kiếm một\r\ngiải pháp để nâng cao độ tin cậy của hệ thống/thiết bị.
\r\n\r\nVấn đề tích lũy điện tĩnh và dẫn đến phóng\r\ntĩnh điện có quan hệ chặt chẽ hơn đối với các môi trường không điều khiển được\r\nvà sự ứng dụng rộng rãi của các thiết bị, hệ thống trong mọi lĩnh vực công\r\nnghiệp.
\r\n\r\nThiết bị có thể phải chịu ảnh hưởng của năng\r\nlượng điện từ khi xuất hiện phóng tĩnh điện từ cơ thể con người tới các đối\r\ntượng kề bên. Ngoài ra, phóng tĩnh điện có thể xuất hiện giữa các vật thể kim\r\nloại (ví dụ như bàn, ghế kim loại) gần thiết bị. Tuy nhiên, dựa trên kinh\r\nnghiệm đã có cho đến nay, thì các phép thử trong tiêu chuẩn này có thể đã đủ để\r\nmô phỏng các ảnh hưởng của các hiện tượng sau. Vấn đề này sẽ được khảo sát,\r\nnghiên cứu và có thể dẫn đến sửa đổi bổ sung tiêu chuẩn này.
\r\n\r\nCác ảnh hưởng của phóng tĩnh điện từ người\r\nkhai thác có thể là một sai hỏng đơn giản của thiết bị hoặc hư hỏng các thành\r\nphần điện tử. Các ảnh hưởng nổi trội này có thể qui về các tham số của dòng\r\nphóng (thời gian tăng, khoảng thời gian…).
\r\n\r\nSự hiểu biết về vấn đề này và sự cần thiết\r\nphải có một công cụ để ngăn ngừa các ảnh hưởng không mong muốn do hiện tượng\r\nphóng tĩnh điện vào thiết bị đã khởi đầu sự hình thành và phát triển các thủ\r\ntục thực hiện phép thử được đề cập trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\nA.2. Ảnh hưởng của các điều kiện môi trường\r\nđến các mức nạp
\r\n\r\nSự kết hợp của vải sợi nhân tạo và không khí\r\nkhô ráo đã tạo điều kiện cho sự phát sinh hiện tượng phóng tĩnh điện. Có rất\r\nnhiều sự khác nhau trong quá trình nạp điện tích. Một trường hợp phổ biến là\r\nngười vận hành khai thác đi bộ trên một tấm thảm, mỗi bước chân của họ sẽ làm\r\ntăng thêm hay bớt đi số điện tử từ cơ thể với tấm thảm. Sự chà sát giữa quần áo\r\ncủa người vận hành khai thác với ghế của họ cũng tạo ra sự trao đổi tích điện.\r\nCơ thể của người khai thác có thể được nạp điện trực tiếp hoặc do cảm ứng tĩnh\r\nđiện; trong trường hợp sau, thảm dẫn sẽ không có tác dụng bảo vệ trừ khi người\r\nvận hành khai thác được nối đất với nó.
\r\n\r\nBiểu đồ Hình A.1 mô tả các giá trị điện áp mà\r\ncác loại thảm khác nhau có thể được nạp phụ thuộc vào độ ẩm tương đối của khí\r\nquyển.
\r\n\r\nThiết bị có thể trực tiếp phải chịu ảnh hưởng\r\ncủa sự phóng tĩnh điện với điện áp vài kV phụ thuộc vào loại sợi tổng hợp và độ\r\nẩm tương đối của môi trường.
\r\n\r\nA.3. Quan hệ giữa các loại môi trường với phóng\r\nđiện tiếp xúc và phóng điện qua không khí
\r\n\r\nLà một con số có thể đo được, các mức điện áp\r\ntĩnh điện có thể có trong môi trường của đối tượng sử dụng được dùng để xác\r\nđịnh các yêu cầu về miễn nhiễm. Tuy nhiên, như đã được chứng minh, sự truyền\r\nnăng lượng là một hàm của dòng phóng hơn là một hàm của mức điện áp tĩnh điện\r\ntrước khi phóng điện. Hơn nữa, nó cho thấy rằng dòng phóng đặc trưng kém tỷ lệ\r\nhơn đối với điện áp trước khi phóng điện trong dải điện áp cao hơn.
\r\n\r\nNguyên nhân gây ra mối quan hệ không tỷ lệ\r\ngiữa điện áp trước khi phóng điện và dòng phóng là:
\r\n\r\n- Sự phóng điện của điện áp nạp cao xuất hiện\r\nqua một đường cung lửa dài, nó làm tăng thời gian tăng của xung, vì thế nó giữ\r\nlại các thành phần phổ cao hơn của dòng phóng kém tỷ lệ hơn đối với điện áp trước\r\nkhi phóng điện.
\r\n\r\n- Nếu giả thuyết số lượng nạp điện tích là\r\nhằng số đối với một hiện tượng phát sinh nạp điện tích nào đó, thì hầu như mức\r\nđiện áp nạp cao sẽ xuất hiện trên một điện dung nhỏ. Ngược lại, điện áp nạp cao\r\ntrên một điện dung lớn sẽ cần một số lượng hiện tượng phát sinh nạp liên tiếp,\r\nmà điều đó ít khi xảy ra. Điều này có nghĩa là năng lượng nạp có thể là hằng số\r\ngiữa các mức nạp cao hơn có thể có trong môi trường của đối tượng sử dụng.
\r\n\r\nTóm lại, các yêu cầu về miễn nhiễm đối với\r\nmột môi trường nào đó cần được xác định về khía cạnh biên độ dòng phóng.
\r\n\r\nKhi đã công nhận khái niệm này, thì việc\r\nthiết kế thiết bị thử sẽ dễ dàng hơn. Có thể áp dụng một cách hài hòa các yếu\r\ntố khác nhau trong việc lựa chọn điện áp nạp và trở kháng phóng điện để có được\r\nbiên độ dòng phóng mong muốn.
\r\n\r\nA.4. Lựa chọn các mức thử
\r\n\r\nNên lựa chọn các mức thử phù hợp với các điều\r\nkiện môi trường và điều kiện lắp đặt thực tế; hướng dẫn lựa chọn cho trong Bảng\r\nA.1
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
Các mức thử liên quan đến cấp môi trường và\r\nlắp đặt được đề cập trong điều 5 của tiêu chuẩn này.
\r\n\r\nĐối với một số chất liệu (ví dụ như gỗ, bê\r\ntông, gốm), điện áp thử không lớn hơn mức 2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Việc hiểu được các tham số thiết\r\nyếu của ảnh hưởng ESD là rất quan trọng khi lựa chọn một mức thử thích hợp đối\r\nvới một môi trường cụ thể nào đó.
\r\n\r\nTham số thiết yếu nhất có thể là tốc độ thay\r\nđổi dòng phóng, nó có thể đạt được thông qua việc tổ hợp các thông số như điện\r\náp nạp, dòng phóng đỉnh và thời gian tăng.
\r\n\r\nVí dụ, trong tiêu chuẩn này, mức thử cấp 4 là\r\n8 kV/30A với phương pháp phóng điện tiếp xúc đủ để thỏa mãn cường độ ESD cần\r\nthiết đối với môi trường chất liệu tổng hợp là 15 kV.
\r\n\r\nTuy nhiên mức điện áp cao hơn 15 kV có thể\r\nxuất hiện trong môi trường rất khô ráo.
\r\n\r\nTrong trường hợp tiến hành thử nghiệm EUT có\r\ncác mặt cách điện, có thể áp dụng phương pháp phóng điện qua không khí với mức\r\nđiện áp lên tới 15 kV.
\r\n\r\nA.5. Lựa chọn các điểm thử
\r\n\r\nCó thể lựa chọn áp dụng các vị trí sau:
\r\n\r\n- Các điểm trên các bộ phận kim loại, các\r\nđiểm này cách điện so với đất;
\r\n\r\n- Bất kỳ điểm nào trong khu vực điều khiển\r\nhoặc bàn phím và bất kỳ điểm nào khác thuộc giao tiếp người-máy như công tắc,\r\ncần điều khiển, nút bấm và các khu vực khác mà người khai thác sử dụng có thể\r\ntiếp cận được;
\r\n\r\n- Bộ phận chỉ thị, đèn LED, rãnh cắm card,\r\nlưới sát, đầu cắm…
\r\n\r\nA.6. Cơ sở kỹ thuật để áp dụng phương pháp\r\nphóng điện tiếp xúc
\r\n\r\nThông thường, khả năng tái tạo lại phép thử\r\ntrước (phóng điện qua không khí) bị ảnh hưởng do tốc độ tiếp cận tới EUT của\r\nđầu phóng, độ ẩm, cấu trúc của thiết bị thử, điều này dẫn đến sự thay đổi thời\r\ngian tăng của xung và biên độ dòng phóng.
\r\n\r\nTrong các thiết kế trước, hiện tượng ESD đã\r\nđược mô phỏng bằng sự phóng điện, thông qua đầu phóng, của một điện dung đã\r\nđược nạp điện vào EUT, nó tạo ra một đoạn tia lửa điện phóng tới mặt phẳng của\r\nEUT.
\r\n\r\nTia lửa điện này là một hiện tượng vật lý hết\r\nsức phức tạp. Thực nghiệm đã cho thấy rằng, khi khoảng cách tia lửa điện thay\r\nđổi (tương ứng tốc độ tiếp cận EUT của đầu phóng) thì thời gian tăng của dòng\r\nphóng có thể thay đổi từ nhỏ hơn 1 ns đến lớn hơn 20 ns.
\r\n\r\nMặc dù giữ tốc độ tiếp cận của đầu phóng tới\r\nEUT không đổi cũng không làm cho thời gian tăng dòng phóng không đổi. Với một\r\nsố phương pháp kết hợp tốc độ và điện áp, thì thời gian tăng dòng phóng vẫn dao\r\nđộng với một hệ số lên đến 30.
\r\n\r\nMột phương pháp để ổn định thời gian tăng của\r\ndòng phóng được đề xuất là sử dụng một khoảng cách tia lửa điện cố định (về mặt\r\ncơ học). Với phương pháp này, mặc dù thời gian tăng dòng phóng ổn định nhưng\r\ncũng không được khuyến nghị áp dụng do thời gian tăng của nó chậm hơn rất nhiều\r\nso với thời gian tăng dòng phóng của các hiện tượng tự nhiên được mô phỏng.
\r\n\r\nPhương pháp này không mô phỏng được một cách\r\nthỏa đáng các thành phần tần số cao của các hiện tượng ESD trong thực tế. Một\r\nkhả năng khác là sử dụng các thiết bị kích hoạt khác nhau (ví dụ ống phóng điện\r\nkhí, thyratron) thay cho tia lửa điện hở, nhưng các loại thiết bị này vẫn tạo\r\nra thời gian tăng dòng phóng chậm hơn nhiều so với các hiện tượng ESD thực tế.
\r\n\r\nChỉ duy nhất một thiết bị kích hoạt được biết\r\ncho đến nay là rơle, nó có thể tạo ra dòng phóng có tốc độ tăng nhanh và có thể\r\nlặp lại. Rơle này phải có điện áp đủ lớn và có một tiếp điểm đơn (để tránh hiện\r\ntượng phóng điện kép trong phần tăng của dòng phóng). Đối với điện áp cao, các\r\nrơle chân không đã chứng minh được tính khả dụng của nó. Thực tế đã cho thấy\r\nrằng bằng cách sử dụng rơle như một thiết bị kích hoạt, thì không chỉ sườn xung\r\nphóng đo được, trong phần tăng của nó, có khả năng lặp lại hơn mà các kết quả\r\nthử nghiệm cũng tăng khả năng tái tạo lại.
\r\n\r\nNhư vậy, bộ tạo xung sử dụng rơle là một\r\nthiết bị có khả năng tạo ra một xung dòng như quy định (biên độ và thời gian\r\ntăng).
\r\n\r\nMối liên quan giữa xung dòng này với điện áp\r\nESD được trình bày trong điều A.3.
\r\n\r\nA.7. Lựa chọn các thành phần cho máy phát ESD
\r\n\r\nPhải sử dụng một điện dung tích trữ năng\r\nlượng để thay thế tương ứng điện dung của cơ thể con người. Với mục đích đó,\r\ngiá trị danh định 150 pF đã được xác định.
\r\n\r\nĐiện trở 330 Ω được dùng để thay thế điện trở\r\nnguồn của cơ thể con người khi cầm một vật kim loại như chìa khóa hay một dụng\r\ncụ nào đó. Trường hợp phóng điện kim loại này đã được chứng minh là đủ mạnh để\r\nthay thế tất cả các hiện tượng phóng điện của cơ thể con người.
\r\n\r\nHình A.1 – Các giá trị điện áp tĩnh điện lớn\r\nnhất mà người khai thác sử dụng có thể được nạp trong khi tiếp xúc với các vật\r\nliệu được đề cập trong điều A.2
\r\n\r\nB.1. Bộ cảm biến dòng
\r\n\r\nCấu tạo chi tiết của bộ cảm biến dòng được\r\ncho trong các hình từ B.1 đến B.7
\r\n\r\nThủ tục lắp ráp như sau:
\r\n\r\n1) Hàn 25 điện trở tải “7” (51Ω, 5%, 0,25W)\r\nvào mặt ra của đĩa “3” và làm sạch các đầu cuối được hàn.
\r\n\r\n2) Hàn 5 điện trở ghép “8” (240Ω, 5%, 0,25W)\r\ntheo hình ngũ giác vào đầu nối lối ra kiểu N đồng trục.
\r\n\r\n3) Lắp mặt ra của đĩa “3” (đã có đủ các điện\r\ntrở tải) vào gờ nổi của đầu nối lối ra “1” bằng 4 đinh vít M2,5 Pan Hd 6,5mm.
\r\n\r\n4) Lắp đầu nối lối ra đã có đủ các điện trở\r\nghép “7” với gờ nổi đầu nối lối ra “1” bằng 4 đinh vít M3.
\r\n\r\n5) Hàn đĩa vào “4”, với đinh vít hỗ trợ điện\r\ncực “6” đã được bắt vít và được hàn, trên cả hai nhóm điện trở ghép và điện trở\r\ntải. Làm sạch các đầu cuối được hàn.
\r\n\r\n6) Bắt vít đĩa điện cực phẳng “5” trên đinh\r\nvít hỗ trợ điện cực “6”, sau đó lắp gá giữ cố định “2” bằng 8 đinh vít M3 Pan\r\nHd 6,5 mm.
\r\n\r\nB.2. Đầu dò dòng cảm ứng
\r\n\r\nMô tả và cấu tạo chi tiết đang được nghiên\r\ncứu.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n M3 PAN HD SC x 6,5 LG \r\n\r\n \r\n \r\n M 2,5 PAN HD SC x 6,5 LG \r\n\r\n Điện trở 51 Ω \r\nĐiện trở 240 Ω \r\n | \r\n \r\n | \r\n
![](\"00902422_files/image012.jpg\")
![](\"00902422_files/image013.jpg\")
![](\"00902422_files/image014.jpg\")
![](\"00902422_files/image015.jpg\")
![](\"00902422_files/image016.jpg\")
![](\"00902422_files/image017.jpg\")
![](\"00902422_files/image018.jpg\")
![](\"00902422_files/image019.jpg\")
1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3. Quy định chung
\r\n\r\n4. Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\n5. Các mức thử
\r\n\r\n6. Máy phát tín hiệu thử
\r\n\r\n6.1. Các đặc tính và chất lượng của máy phát\r\nESD
\r\n\r\n6.2. Kiểm tra các đặc tính của máy phát ESD
\r\n\r\n7. Cấu hình thử
\r\n\r\n7.1. Cấu hình để thực hiện phép thử trong\r\nphòng thử nghiệm
\r\n\r\n7.1.1. Loại thiết bị để bàn
\r\n\r\n7.1.2. Thiết bị đặt trên sàn nhà
\r\n\r\n7.1.3. Phương pháp thử đối với thiết bị không\r\ntiếp đất
\r\n\r\n7.2. Cấu hình cho các phép thử sau khi lắp\r\nđặt
\r\n\r\n8. Thủ tục thực hiện phép thử
\r\n\r\n8.1. Các điều kiện chuẩn trong phòng thử\r\nnghiệm
\r\n\r\n8.1.1. Điều kiện về khí hậu
\r\n\r\n8.1.2. Điều kiện về điện từ
\r\n\r\n8.2. Trạng thái làm việc của EUT
\r\n\r\n8.3. Thực hiện phép thử
\r\n\r\n8.3.1. Tác động trực tiếp của phóng tĩnh điện\r\nvào EUT
\r\n\r\n8.3.2. Tác động gián tiếp của phóng tĩnh điện
\r\n\r\n9. Đánh giá kết quả thử nghiệm
\r\n\r\n10. Biên bản thử nghiệm
\r\n\r\nPhụ lục A (Tham khảo) Các thông tin giải\r\nthích bổ sung
\r\n\r\nPhụ lục B (Tham khảo) Cấu trúc chi tiết của\r\nbộ cảm biến dòng
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001) về tương thích điện từ(EMC) – Phần 4-2: Phương pháp đo và thử – miễn nhiễm đối với hiện tượng phóng tĩnh điện đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001) về tương thích điện từ(EMC) – Phần 4-2: Phương pháp đo và thử – miễn nhiễm đối với hiện tượng phóng tĩnh điện
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN8241-4-2:2009 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2009-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Hết hiệu lực |