Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 6989-1-2:2010 hoàn toàn tương đương với\r\nCISPR 16-1-2:2006;
\r\n\r\nTCVN 6989-1-2:2010 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn\r\nquốc gia
\r\n\r\nTCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên\r\nsoạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ\r\ncông bố.
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\nBộ tiêu chuẩn TCVN 6989 (CISPR 16) hiện đã có\r\ncác phần sau:
\r\n\r\nTCVN 6989-1-1:2008, Thiết bị đo nhiễu và miễn\r\nnhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo
\r\n\r\nTCVN 6989-1-2:2010, Thiết bị đo nhiễu và miễn\r\nnhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo phụ trợ – Nhiễu dẫn
\r\n\r\nTCVN 6989-1-3:2008, Thiết bị đo nhiễu và miễn\r\nnhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo phụ trợ – Công suất nhiễu
\r\n\r\nTCVN 6989-1-4:2010, Thiết bị đo nhiễu và miễn\r\nnhiễm tần số rađiô – Anten và vị trí thử nghiệm dùng để đo nhiễu bức xạ
\r\n\r\nTCVN 6989-1-5:2008, Thiết bị đo nhiễu và miễn\r\nnhiễm tần số rađiô – Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn anten trong dải tần từ 30 MHz\r\nđến 1 000 MHz
\r\n\r\nTCVN 6989-2-1:2010, Phương pháp đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm – Đo nhiễu dẫn
\r\n\r\nTCVN 6989-2-2:2008, Phương pháp đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm – Đo công suất nhiễu
\r\n\r\nTCVN 6989-2-3:2010, Phương pháp đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm – Đo nhiễu bức xạ
\r\n\r\nTCVN 6989-2-4:2008, Phương pháp đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm – Đo miễn nhiễm
\r\n\r\nNgoài ra, bộ tiêu chuẩn quốc tế CISPR 16 còn\r\ncó các tiêu chuẩn sau:
\r\n\r\nCISPR 16-3, Specification for radio disturbance\r\nand immunity measuring apparatus and methods – Part 3: CISPR technical reports
\r\n\r\nCISPR 16-4-1, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-1:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in standardized\r\nEMC tests
\r\n\r\nCISPR 16-4-2, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in EMC\r\nmeasurements
\r\n\r\nCISPR 16-4-3, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-3:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Statistics considerations in\r\nthe determination of EMC compliance of mass-produced products
\r\n\r\nCISPR 16-4-4, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-4: Uncertainties,\r\nstatistics and limit modelling – Statistics of compliants and a model for the\r\ncalculation of limits
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này là tiêu chuẩn cơ bản, qui định\r\ncác đặc tính và tính năng của thiết bị dùng để đo điện áp và dòng điện nhiễu\r\ntần số rađiô trong dải tần từ 9 kHz đến 18 GHz.
\r\n\r\nYêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị phụ trợ\r\nđược đề cập cho: mạng nguồn giả, đầu dò dòng điện và điện áp và bộ ghép nối\r\ndùng để truyền dòng điện trên cáp.
\r\n\r\nYêu cầu của tiêu chuẩn này phải được tuân thủ\r\nở tất cả các tần số và các mức điện áp và dòng điện nhiễu tần số rađiô nằm\r\ntrong dải chỉ thị CISPR của thiết bị đo.
\r\n\r\nPhương pháp đo được nêu trong Phần 2 của TCVN\r\n6989 (CISPR 16), các thông tin khác về nhiễu tần số rađiô được nêu trong Phần 3\r\ncủa CISPR 16.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác tài liệu viện dẫn dưới đây là cần thiết\r\nđể áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu có ghi năm công bố, chỉ áp dụng\r\ncác bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm công bố, áp dụng bản mới\r\nnhất (kể cả các sửa đổi).
\r\n\r\nTCVN 6898-1-1:2007 (CISPR 16-1-1:2003), Yêu\r\ncầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số\r\nrađiô – Phần 1-1: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo
\r\n\r\nTCVN 6898-2-1:2010 (CISPR 16-2-1:2008), Yêu\r\ncầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số\r\nrađiô – Phần 2-1: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Phép đo nhiễu dẫn
\r\n\r\nTCVN 7492-1:2010 (CISPR 14-1:2009), Tương\r\nthích điện từ – Yêu cầu đối với thiết bị điện gia dụng, dụng cụ điện và thiết\r\nbị tương tự – Phần 1: Phát xạ
\r\n\r\nCISPR 16-3:2003, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 3: CISPR\r\ntechnical reports (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu\r\nvà miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 3: Báo cáo kỹ thuật CISPR)
\r\n\r\nCISPR 16-4-1, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-1:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in standardized\r\nEMC tests (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn\r\nnhiễm tần số rađiô – Phần 4-1: Độ không đảm bảo đo, lập mô hình thống kê và\r\ngiới hạn – Độ không đảm bảo đo trong các thử nghiệm EMC tiêu chuẩn hóa)
\r\n\r\nCISPR 16-4-2:2003, Specification for radio disturbance\r\nand immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2: Uncertainties,\r\nstatistics and limit modelling – Uncertainties in EMC measurements (Yêu cầu kỹ\r\nthuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô –\r\nPhần 4-2: Độ không đảm bảo đo, lập mô hình thống kê và giới hạn – Độ không đảm\r\nbảo đo trong phép đo EMC)
\r\n\r\nIEC 60050(161):1990, amendment1 (1997), amendment\r\n2 (1998), International Electrotechnical Vocabulary (IEV) Chapter 161:\r\nElectromagnetic compatibility (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Chương\r\n161: Tương thích điện từ)
\r\n\r\nInternational Vocabulary of Basic and general\r\nterms in metrology, International organization for standardization, Geneva, 2nd\r\nedition, 1993 (Từ vựng quốc tế về các thuật ngữ cơ bản và thuật ngữ chung trong\r\nđo lường)
\r\n\r\n\r\n\r\nTiêu chuẩn này áp dụng các định nghĩa dưới\r\nđây. Xem thêm IEC 60050-161.
\r\n\r\n3.1
\r\n\r\nĐiện áp đối xứng
Trong mạch điện hai dây, ví dụ như nguồn điện\r\nlưới một pha, điện áp đối xứng là điện áp nhiễu tần số rađiô xuất hiện giữa hai\r\ndây. Điện áp này đôi khi còn gọi là điện áp phương thức vi sai. Nếu Va\r\nlà véctơ điện áp giữa một trong các đầu nối nguồn lưới và đất, còn Vb là\r\nvéctơ điện áp giữa đầu nối nguồn lưới khác và đất thì điện áp đối xứng là hiệu\r\nvéctơ (Va - Vb).
\r\n\r\n3.2
\r\n\r\nĐiện áp không đối xứng
Điện áp nhiễu tần số rađiô xuất hiện giữa đất\r\nvà điểm giữa về điện của các đầu nối nguồn lưới. Điện áp không đối xứng đôi khi\r\ncòn được gọi là điện áp phương thức chung và bằng trung bình cộng của hai véctơ\r\nVa và Vb, nghĩa là (Va+Vb)/2.
\r\n\r\n3.3
\r\n\r\nĐiện áp mất đối xứng
Độ lớn của véctơ điện áp, Va hoặc Vb\r\nxác định trong 3.1 và 3.2. Đây là điện áp đo được bằng cách dùng mạng V nguồn\r\ngiả.
\r\n\r\n3.4
\r\n\r\nMạng nguồn giả
AMN
\r\n\r\nMạng dùng để cung cấp một trở kháng xác định\r\ncho EUT ở tần số rađiô, ghép nối điện áp nhiễu vào máy thu đo và khử ghép mạch\r\nthử nghiệm khỏi nguồn lưới. Có hai loại AMN cơ bản, mạng V (V-AMN), ghép nối\r\ncác điện áp mất đối xứng và mạng tam giác, ghép nối điện áp đối xứng và không\r\nđối xứng riêng rẽ. Thuật ngữ mạng ổn định trở kháng đường dây (LISN) và V-AMN\r\nđược sử dụng thay thế cho nhau.
\r\n\r\n3.5
\r\n\r\nMạng nguồn không đối xứng
AAN
\r\n\r\nMạng sử dụng để đo (hoặc đưa vào) các điện áp\r\n(phương thức chung) không đối xứng trên đường dây tín hiệu đối xứng không được\r\nche chắn bảo vệ (ví dụ, viễn thông) trong khi đưa vào tín hiệu (phương thức vi\r\nsai) đối xứng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thuật ngữ “mạng Y” đồng nghĩa với\r\nAAN.
\r\n\r\n3.6
\r\n\r\nMạng ổn định trở kháng
ISN
\r\n\r\nThường là mạng giả, cung cấp trở kháng ổn\r\nđịnh cho EUT; thường sử dụng đồng nghĩa với AAN (ví dụ, trong CISPR 22).
\r\n\r\n3.7
\r\n\r\nMạng ghép nối/khử ghép
CDN
\r\n\r\nMạng giả dùng để đo hoặc đưa vào các tín hiệu\r\ntrên một mạch trong khi ngăn để không đo tín hiệu từ mạch khác hoặc không đưa\r\ntín hiệu vào các mạch khác.
\r\n\r\n3.8
\r\n\r\nTổn hao chuyển đổi dọc
LCL
\r\n\r\nTrong mạng một hoặc hai cổng, số đo (tỷ số,\r\nđược tính bằng dB) mức độ tín hiệu nằm ngang (phương thức đối xứng) không mong\r\nmuốn được tạo ra ở các đầu nối của mạng do có tín hiệu (phương thức không đối\r\nxứng) dọc theo các dây nối.
\r\n\r\n(Định nghĩa từ ITU-T khuyến cáo O.91).
\r\n\r\n\r\n\r\nMạng nguồn giả được yêu cầu để cung cấp trở\r\nkháng xác định ở tần số rađio tại các đầu nối của thiết bị cần thử nghiệm, để\r\ncách ly mạch thử nghiệm khỏi các tín hiệu tần số rađiô không mong muốn phía\r\nnguồn cung cấp và để ghép nối điện áp nhiễu vào máy thu đo.
\r\n\r\nCó hai loại mạng nguồn giả cơ bản, mạng V,\r\nghép nối các điện áp mất đối xứng và mạng tam giác, ghép nối các điện áp đối\r\nxứng và không đối xứng riêng rẽ.
\r\n\r\nĐối với từng dây dẫn nguồn lưới, có ba đầu\r\nnối: đầu nối nguồn lưới dùng để nối đến nguồn lưới cung cấp, đầu nối thiết bị\r\ndùng để nối đến thiết bị cần thử nghiệm và đầu nối ra nhiễu dùng để nối đến\r\nthiết bị đo.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Ví dụ về mạch điện của mạng\r\nnguồn giả được nêu trong Phụ lục A.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Điều 4 này qui định các yêu cầu\r\nvề trở kháng và yêu cầu về cách ly đối với AMN, kể cả phương pháp đo tương ứng.\r\nMột số cơ sở và lý do về AMN liên quan đến độ không đảm bảo đo được nêu ở 6.2.3\r\ncủa CISPR 16-4-1 và CISPR 16-4-2.
\r\n\r\n\r\n\r\nYêu cầu kỹ thuật về trở kháng mạng nguồn giả\r\nbao gồm biên độ và pha của trở kháng được đo tại một đầu nối của EUT so với đất\r\nchuẩn, khi cổng máy thu được kết cuối bằng trở kháng 50 Ω.
\r\n\r\nTrở kháng tại các đầu nối của EUT của mạng\r\nnguồn giả xác định trở kháng đầu cuối đưa đến thiết bị cần thử nghiệm. Vì vậy,\r\nkhi đầu nối đầu ra nhiễu không được nối đến máy thu đo thì phải được kết cuối\r\nbằng trở kháng 50 Ω. Để đảm bảo đầu cổng máy thu được kết cuối chính xác vào\r\ntrở kháng 50 Ω, phải sử dụng bộ suy giảm 10 dB hoặc bên trong hoặc bên ngoài\r\nmạng, VSWR của mạng (nhìn từ một trong hai phía) phải nhỏ hơn hoặc bằng 1,2 đến\r\n1. Độ suy giảm phải được tính đến trong phép đo hệ số phân áp (xem 4.10).
\r\n\r\nTrở kháng giữa từng dây dẫn (trừ PE) của đầu\r\nnối của EUT và đất chuẩn phải phù hợp với 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 hoặc 4.6 nếu thích\r\nhợp, với giá trị trở kháng ngoài bất kỳ, kể cả trường hợp ngắn mạch giữa đầu\r\nnối
\r\n\r\n1 ITU-T khuyến cáo O.9, Bối trí đo để đánh giá\r\nđộ không cân bằng của trái đất.
\r\n\r\nnguồn lưới tương ứng và đất chuẩn. Yêu cầu\r\nnày phải được thỏa mãn ở mọi nhiệt độ mà mạng có thể đạt tới trong điều kiện\r\nbình thường với dòng điện liên tục lên đến giá trị lớn nhất qui định. Yêu cầu\r\nnày cũng phải được thỏa mãn với dòng điện đỉnh đến giá trị lớn nhất qui định.
\r\n\r\nTrong trường hợp không thể đáp ứng yêu cầu về\r\npha thì các góc pha đo được có thể được tính đến trong tổng độ không đảm bảo đo\r\ntheo CISPR 16-4-2. Phụ lục I đưa ra các hướng dẫn để tính sự góp phần của độ\r\nkhông đảm bảo đo của pha nếu dung sai bị vượt quá.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Vì bộ nối EUT không tối ưu đối với\r\ntần số rađiô đến 30 MHz nên phép đo trở kháng mạng phải được thực hiện với bộ\r\nthích nghi đo đặc biệt để cho phép nối tắt. Hiệu chuẩn (hở mạch/ngắn mạch/phối\r\nhợp) OSM của NWA được sử dụng để mô tả đặc điểm của bộ thích nghi, có tính đến\r\ntổn hao xen và chiều dài dây dẫn của bộ thích nghi.
\r\n\r\nAMN phải có trở kháng (độ lớn và pha) ngược\r\nvới đặc tính tần số chỉ ra trong Bảng 3 và Hình 1a trong dải tần số liên quan.\r\nCho phép dung sai bằng ± 20 % đối với độ lớn và ±11,5o đối với góc\r\npha.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
CHÚ THÍCH: Nếu AMN này đáp ứng các yêu cầu về\r\nphối hợp trở kháng của điều này và 4.3 thì cũng có thể được sử dụng trong dải\r\ntần từ 150 kHz đến 30 MHz.
\r\n\r\nAMN phải có trở kháng (độ lớn và pha) ngược\r\nvới đặc tính tần số chỉ ra trong Bảng 4 và Hình 1b trong dải tần số liên quan.\r\nCho phép dung sai bằng ± 20 % đối với độ lớn và ± 11,5o đối với góc\r\npha.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
AMN phải có trở kháng (độ lớn và pha) ngược\r\nvới đặc tính tần số chỉ ra trong Bảng 5 và Hình 2 trong dải tần số liên quan.\r\nCho phép dung sai bằng ±20 % đối với độ lớn và ± 11,5o đối với góc\r\npha.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
![](\"00907209_files/image003.jpg\")
Mạng phải có trở kháng với độ lớn (150 ± 20) Ω\r\nvà góc pha không vượt quá 20o.
\r\n\r\nMạng phải có trở kháng với độ lớn (150 ± 20) Ω\r\nvà góc pha không vượt quá 20o, ở giữa các đầu nối của thiết bị và\r\ngiữa hai đầu nối thiết bị nối với nhau và đất chuẩn.
\r\n\r\nĐối với phép đo điện áp đối xứng, cần có một\r\nbiến áp được chống nhiễu và cân bằng. Để tránh sự thay đổi đáng kể trở kháng\r\ncủa mạng, trở kháng vào của biến áp không được nhỏ hơn 1 000 Ω ở mọi tần số\r\nliên quan. Điện áp đo được bằng máy thu đo phụ thuộc vào các giá trị hợp thành\r\nmạng và tỷ số biến áp. Mạng phải được hiệu chuẩn.
\r\n\r\n4.6.1 Cân bằng của mạng nguồn giả tam giác\r\n150 Ω
\r\n\r\nCân bằng của hệ thống gồm mạng và máy thu đo\r\nnối qua biến áp phải sao cho phép đo điện áp đối xứng về cơ bản không bị ảnh\r\nhưởng bởi có điện áp không đối xứng. Cân bằng phải đo được bằng cách sử dụng\r\nmạch điện cho trên Hình 3.
\r\n\r\nR là các điện trở 200 Ω bằng nhau với dung\r\nsai trong phạm vi 1 %
\r\n\r\nP1 P2 là các đầu nối\r\nđến thiết bị của mạng
\r\n\r\nĐiện áp Ua được đưa vào từ máy\r\nphát có trở kháng trong là 50 Ω, đặt lên điểm đất chuẩn và điểm chung của hai\r\nđiện trở, mỗi điện trở có giá trị là 200 Ω ± 1 %. Đầu còn lại của các điện trở\r\nnày được nối đến đầu nối thiết bị của mạng nguồn giả.
\r\n\r\nĐiện áp Us được đo ở vị trí để đo\r\nđiện áp đối xứng. Tỷ số Ua/Us phải lớn hơn 20:1 (26 dB).
\r\n\r\n\r\n\r\n4.7.1 Yêu cầu
\r\n\r\nĐể đảm bảo rằng ở mọi tần số thử nghiệm, tín\r\nhiệu không mong muốn tồn tại trên phía nguồn lưới và trở kháng chưa biết của\r\nnguồn lưới cung cấp không ảnh hưởng đến phép đo, khoảng cách ly tối thiểu (hệ số\r\nkhử ghép) giữa từng đầu nối nguồn lưới và cổng của máy thu với kết cuối cho\r\ntrước của đầu nối liên quan của cổng EUT phải được đáp ứng. Yêu cầu này áp dụng\r\ncho riêng V-AMN không kể cáp và bộ lọc bên ngoài bổ sung.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n 50 Ω/50 mH\r\n + 5 Ω \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n | \r\n \r\n 50 Ω /50 mH \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n 50 Ω /5 mH\r\n + 1 Ω \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n CHÚ THÍCH: Giá trị được đánh dấu sao có\r\n nghĩa là:khoảng cách ly tối thiểu tăng tuyến tính với logarit của tần số. \r\n | \r\n |||
CHÚ THÍCH: Có thể cần bổ sung một bộ lọc bên\r\nngoài cho AMN để triệt nhiễu trên cổng nguồn lưới (xem TCVN 6989-2-1 (CISPR\r\n16-2-1) để có các yêu cầu cụ thể).
\r\n\r\n4.7.2 Qui trình đo
\r\n\r\nBố trí thử nghiệm được thể hiện trên Hình\r\nH.1. Đối với phép đo này, đầu tiên, đo tín hiệu U1 qua trở kháng tải\r\n50 Ω với trở kháng nguồn bằng 50 Ω. Sau đó, nguồn tín hiệu này phải được nối\r\ngiữa đầu nối nguồn lưới liên quan và điểm đất chuẩn, các đầu nối của EUT liên\r\nquan phải được kết cuối bằng trở kháng 50 Ω và đo điện áp đầu ra U2 tại\r\ncổng máy thu (được kết cuối bằng trở kháng 50 Ω). Độ suy giảm của bộ suy giảm\r\n10 dB được mô tả trong 4.1 phải được bổ sung cho yêu cầu về cách ly. Yêu cầu về\r\ncách ly phải được đáp ứng cho tất cả các đầu nối nguồn lưới và đầu nối của EUT.\r\nNếu kết cuối của các đầu nối nguồn lưới khác ảnh hưởng đến kết quả của phép đo\r\nthì yêu cầu này phải được đáp ứng với các đầu nối nguồn lưới khác hở và ngắn\r\nmạch. Công thức dưới đây phải được đáp ứng:
\r\n\r\ntrong đó
\r\n\r\nU1 là điện áp chuẩn của các đầu\r\nnối nguồn lưới, tính bằng dB(mV);\r\n
\r\n\r\nU2 là điện áp đầu ra tại cổng máy\r\nthu, tính bằng dB(m
FD là yêu cầu về cách ly tối thiểu\r\n(hệ số khử ghép), tính bằng dB;
\r\n\r\nA là độ suy giảm của bộ suy giảm lắp trong,\r\ntính bằng dB.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Vì bộ nối EUT không tối ưu đối với\r\ntần số rađiô đến 30 MHz nên phép đo trở kháng mạng phải được thực hiện với bộ\r\nthích nghi đo đặc biệt để cho phép nối tắt. Phép đo U1 phải được\r\nthực hiện với bộ thích nghi nối với nguồn.
\r\n\r\nDòng điện liên tục lớn nhất và dòng điện đỉnh\r\nlớn nhất phải được qui định. Điện áp đặt vào thiết bị cần thử nghiệm khi dòng\r\nđiện liên tục đạt đến giá trị lớn nhất không được nhỏ hơn 95 % điện áp lưới tại\r\ncác đầu nối nguồn lưới của mạng nguồn giả.
\r\n\r\nPhép đo của một số loại thiết bị có thể đòi\r\nhỏi lắp một trở kháng vào dây đất chuẩn trong mạng nguồn giả theo 4.2 và 4.3\r\ncùng với các yêu cầu của tiêu chuẩn sản phẩm liên quan. Trở kháng này lần lượt được\r\nđặt ở điểm đánh dấu X trên dây đất chuẩn trên Hình 4 và Hình 5. Trở kháng cần\r\nđặt có thể là một điện cảm 1,6 mH hoặc một trở kháng tuân thủ yêu cầu trở kháng\r\nở 4.2 hoặc 4.3, nếu thích hợp cho dải tần số.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Vì lý do an toàn, có thể bỏ qua\r\nđiện trở 5 Ω đề cập trong 4.2.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image005.jpg\")
![](\"00907209_files/image006.jpg\")
Hệ số phân áp giữa cổng EUT của mạng V và\r\ncổng đầu ra RF phải được đo và phải tính đến trong quá trình đo điện áp nhiễu.\r\nQui trình đo hệ số phân áp được nêu trong Điều A.8.
\r\n\r\nCó thể đo dòng điện nhiễu không đối xứng của\r\ncáp mà không tạo ra tiếp xúc dẫn trực tiếp với dây dẫn nguồn lưới và không làm\r\nthay đổi mạch điện của nó bằng cách sử dụng biến dòng kiểu kẹp chuyên dùng.\r\nTiện lợi của phương pháp này là hiển nhiên; có thể đo các hệ thống dây phức\r\ntạp, mạch điện tử, v.v… mà không làm gián đoạn hoạt động hoặc cấu hình bình\r\nthường. Đầu dò dòng điện có kết cấu sao cho có thể dễ dàng kẹp quanh dây dẫn\r\ncần đo. Dây dẫn này thay cho cuộn dây sơ cấp một vòng dây. Cuộn dây thứ cấp nằm\r\ntrong đầu dò dòng điện.
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện có thể có kết cấu dùng cho\r\ncác phép đo trong dải tần từ 30 Hz đến 1 000 MHz, mặc dù dải đo sơ cấp từ 30 Hz\r\nđến 100 MHz. ở mức trên 100 MHz, dòng điện có trong hệ thống điện qui ước đòi\r\nhỏi vị trí của đầu dò dòng điện là tối ưu để có dòng điện lớn nhất.
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện được thiết kế để có đáp\r\ntuyến tần số bằng phẳng trong toàn bộ băng thông. ở các tần số nằm bên dưới\r\nbăng thông phẳng này vẫn có thể đo chính xác nhưng với độ nhạy giảm do trở\r\nkháng truyền giảm. ở tần số nằm bên trên băng thông phẳng này, các phép đo\r\nkhông chính xác do có cộng hưởng trong đầu dò dòng điện.
\r\n\r\nVới kết cấu vỏ bọc bổ sung, đầu dò dòng điện\r\ncó thể được dùng để đo dòng điện (phương thức chung) không đối xứng hoặc dòng\r\nđiện (phương thức vi sai) đối xứng. Một số kết cấu cụ thể được nêu ở B.5 của\r\nPhụ lục B.
\r\n\r\n5.1.1 Kết cấu
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện phải có kết cấu sao cho có\r\nthể thực hiện được phép đo dòng điện mà không phải ngắt dây dẫn trong phép đo.
\r\n\r\nPhụ lục B nêu một số kết cấu điển hình của\r\nđầu dò dòng điện.
\r\n\r\n5.1.2 Đặc tính
\r\n\r\n| \r\n Trở kháng khi có đầu dò \r\n | \r\n \r\n Trở kháng lớn nhất là 1 Ω \r\n | \r\n
| \r\n Trở kháng truyền* \r\n | \r\n \r\n 0,1 Ω đến 5 Ω trong dải tuyến tính phẳng;\r\n 0,001 Ω đến 0,1 Ω bên dưới dải tuyến tính phẳng (đầu dò dòng điện được nối\r\n đến trở kháng 50 Ω) \r\n | \r\n
* Có thể thay bằng độ dẫn nạp truyền tương hỗ\r\n[tính bằng dB(S)]. Nếu được biểu thị bằng đềxiben, độ dẫn nạp được thêm vào số\r\nđọc của máy thu đo. Để hiệu chuẩn trở kháng truyền hoặc độ dẫn nạp, có thể cần\r\nsử dụng đồ gá dùng cho mục đích này. Xem phụ lục B.
\r\n\r\n| \r\n Điện dung song song bổ sung \r\n | \r\n \r\n Nhỏ hơn 25 pF giữa vỏ bọc đầu dò dòng điện\r\n và dây đo \r\n | \r\n
| \r\n Đáp tuyến tần số \r\n | \r\n \r\n Trở kháng truyền được hiệu chuẩn trong dải\r\n tần số qui định; dải tần của các đầu dò điển hình là từ 100 kHz đến 100 MHz,\r\n từ 100 MHz đến 300 MHz và từ 200 MHz đến 1 000 MHz. \r\n | \r\n
| \r\n Đáp tuyến xung \r\n | \r\n \r\n Đang xem xét \r\n | \r\n
| \r\n Bão hòa từ \r\n | \r\n \r\n Phải qui định dòng điện nguồn một chiều\r\n hoặc xoay chiều lớn nhất chạy trong dây dẫn sơ cấp đối với sai số phép đo nhỏ\r\n hơn 1 dB \r\n | \r\n
| \r\n Dung sai trở kháng truyền \r\n | \r\n \r\n Đang xem xét \r\n | \r\n
| \r\n Ảnh hưởng của từ trường ngoài \r\n | \r\n \r\n Suy giảm 40 dB theo chỉ số khi dây dẫn mang\r\n dòng được chuyển từ vị trí dây chui qua đầu dò dòng điện sang vị trí bên cạnh\r\n đầu dò \r\n | \r\n
| \r\n Ảnh hưởng của trường điện \r\n | \r\n \r\n Không làm ảnh hưởng đến các trường nhỏ hơn\r\n 10 V/m \r\n | \r\n
| \r\n Ảnh hưởng của hướng \r\n | \r\n \r\n Nhỏ hơn 1 dB với tần số đến 30 MHz và 2,5\r\n dB với tần số từ 30 MHz đến 1 000 MHz, khi dùng trên dây dẫn có kích thước\r\n bất kỳ đặt ở vị trí bất kỳ phía trong khe mở \r\n | \r\n
| \r\n Lỗ đầu dò dòng điện \r\n | \r\n \r\n ít nhất là 15 mm \r\n | \r\n
5.2.1 Đầu dò điện áp trở kháng cao
\r\n\r\nHình 6 là mạch điện sử dụng cho phép đo điện\r\náp giữa dây dẫn nguồn lưới và đất chuẩn. Đầu dò gồm một tụ chặn C và một điện\r\ntrở sao cho điện trở tổng giữa đường dây và đất là 1 500 Ω. Đầu dò cũng có thể\r\ndùng cho phép đo trên các đường dây khác và đối với các ứng dụng nhất định, trở\r\nkháng đầu dò cần được tăng để tránh quá tải mạch trở kháng cao. Vì lý do an\r\ntoàn, có thể nối một điện cảm qua đầu vào của thiết bị đo; điện kháng Xc\r\ncủa điện cảm cần phải lớn hơn nhiều so với R.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image007.jpg\")
CHÚ THÍCH: V = ![](\"00907209_files/image008.gif\"){kind=small}
trong đó
\r\n\r\nV là điện áp nhiễu
\r\n\r\nU là điện áp tại đầu vào của thiết bị đo
\r\n\r\nTổn hao xen của đầu dò điện áp phải được hiệu\r\nchuẩn trên hệ thống 50 Ω trong toàn bộ dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz. ảnh hưởng\r\nđến độ chính xác phép đo do có sử dụng thiết bị bất kỳ để bảo vệ cần phải nhỏ\r\nhơn 1 dB hoặc phải bằng giá trị cho phép để hiệu chuẩn. Cần phải chú ý để đảm\r\nbảo rằng mức nhiễu được đo chính xác khi có tạp môi trường để phép đo có nghĩa.
\r\n\r\nMạch vòng tạo bởi dây dẫn nối với đầu dò, dây\r\ndẫn nguồn lưới thử nghiệm và đất chuẩn phải là nhỏ nhất để làm giảm ảnh hưởng\r\ncủa trường từ mạnh bất kỳ.
\r\n\r\n5.2.2 Đầu dò điện áp kiểu điện dung
\r\n\r\nCó thể đo điện áp nhiễu không đối xứng của\r\ncáp mà không tạo ra tiếp xúc dẫn trực tiếp với dây dẫn nguồn lưới và không làm\r\nthay đổi mạch điện của nó bằng cách sử dụng cơ cấu ghép nối điện dung kiểu kẹp\r\nvào. Tiện lợi của phương pháp này là hiển nhiên; có thể đo các hệ thống dây\r\nphức tạp, mạch điện tử, v.v… mà không làm gián đoạn hoạt động hoặc cấu hình\r\nbình thường của EUT hoặc cần phải cắt cáp để đưa vào cơ cấu đo. Đầu dò điện áp\r\nkiểu điện dung có kết cấu sao cho có thể dễ dàng kẹp quanh dây dẫn cần đo.
\r\n\r\nĐầu dò điện áp kiểu điện dung được sử dụng\r\ncho các phép đo trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz với đáp ứng tần số gần như\r\nphẳng trong dải tần liên quan. Hệ số phân áp, được xác định là tỷ số của điện\r\náp nhiễu trên cáp và điện áp đầu vào tại máy thu đo, phụ thuộc vào loại cáp.\r\nTham số này cần được hiệu chuẩn trong dải tần qui định đối với từng loại cáp,\r\nsử dụng phương pháp được mô tả trong Phụ lục G.
\r\n\r\nĐầu dò điện áp kiểu điện dung có thể cần được\r\nbọc bổ sung để cung cấp đủ cách ly với tín hiệu (phương thức chung) không đối\r\nxứng xung quanh cáp (xem “ảnh hưởng của trường điện” ở 5.2.2.2). Phụ lục G nêu\r\nmột ví dụ về kết cấu và phương pháp đo khoảng cách ly.
\r\n\r\nĐầu dò điện áp kiểu điện dung có thể sử dụng\r\nđể đo nhiễu ở các cổng viễn thông. Mức đo tối thiểu thường đến 44 dB(
5.2.2.1 Kết cấu
\r\n\r\nĐầu dò điện áp kiểu điện dung phải có kết cấu\r\nsao cho có thể thực hiện được phép đo dòng điện mà không phải ngắt cáp trong\r\nphép đo. Hình 11 thể hiện mạch điện sử dụng để thực hiện các phép đo điện áp\r\ngiữa cáp và đất chuẩn. Đầu dò gồm có kẹp ghép nối kiểu điện dung, được nối đến\r\nbộ khuếch đại trở kháng truyền. Điện trở đầu vào Rp của bộ khuếch\r\nđại này phải đủ lớn so với điện kháng Sc để có đáp tuyến tần số\r\nphẳng.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image009.jpg\")
CHÚ GIẢI:
\r\n\r\nGp Hệ số khuếch đại của bộ khuếch\r\nđại trở kháng truyền
\r\n\r\nC Điện dung giữa cáp và kẹp
\r\n\r\nCs Điện dung giữa đầu dò và đất
\r\n\r\nCp Điện dung của bộ khuếch đại trở\r\nkháng truyền
\r\n\r\nRp Điện trở của bộ khuếch đại trở\r\nkháng truyền
\r\n\r\nV Điện áp nhiễu
\r\n\r\nU Điện áp ở đầu vào của máy thu đo
\r\n\r\nPhụ lục G nêu các hướng dẫn về kết cấu điển\r\nhình và kiểm tra xác nhận đầu dò điện áp kiểu điện dung.
\r\n\r\n5.2.2.2 Yêu cầu
\r\n\r\n| \r\n Điện dung song song bổ sung \r\n | \r\n \r\n Nhỏ hơn 10 pF giữa đầu nối đất của đầu dò\r\n điện áp kiểu điện dung và cáp cần thử nghiệm \r\n | \r\n
| \r\n Đáp tuyến tần số \r\n | \r\n \r\n Hệ số phân áp, Fa = 20\r\n log10|V/U|, tính bằng dB (xem Hình 11), được hiệu chuẩn trong dải tần số qui\r\n định. \r\n | \r\n
| \r\n Đáp tuyến xung \r\n | \r\n \r\n Duy trì tuyến tính đối với xung được xác\r\n định bằng phương pháp nêu trong Phụ lục B và C của TCVN 6989-1-1 (CISPR\r\n 16-1-1) đối với băng B. \r\n | \r\n
| \r\n Ảnh hưởng của trường điện: (ảnh hưởng do\r\n ghép nối tĩnh điện với các cáp khác gần đầu dò) \r\n | \r\n \r\n Chỉ số điện áp giảm nhiều hơn 20 dB khi lấy\r\n cáp ra khởi đầu dò điện áp kiểu điện dung. Phương pháp đo được mô tra trong\r\n Phụ lục G. \r\n | \r\n
| \r\n Khe mở của đầu dò điện áp kiểu điện dung:\r\n (xuất hiện khi hai điện cực đồng trục mở ở khe (xem Hình G.1)) \r\n | \r\n \r\n ít nhất là 30 mm \r\n | \r\n
Khối ghép nối được thiết kế để đưa dòng điện\r\nnhiễu lên dây dẫn cần thử nghiệm và ngăn không để các dây dẫn và thiết bị bất\r\nkỳ khác nối đến thiết bị cần thử nghiệm gây ảnh hưởng đến dòng điện này. Với trở\r\nkháng nguồn bằng 150 Ω, có liên hệ mật thiết giữa cường độ trường nhiễu RF tác\r\nđộng lên hệ thống lắp đặt thực tế và sức điện động phải đặt theo phương pháp\r\nđưa dòng điện vào để tạo ra cùng một mức suy giảm, ít nhất là đối với tần số\r\nđến 30 MHz. Mức miễn nhiễm của thiết bị được thể hiện bằng giá trị của sức điện\r\nđộng này. Các Phụ lục C và D đưa ra nguyên tắc hoạt động và các ví dụ về loại\r\nvà kết cấu của khối ghép nối.
\r\n\r\n6.1 Đặc tính
\r\n\r\nViệc kiểm tra tính năng của khối ghép nối\r\nđược thực hiện dựa vào trở kháng trong dải tần từ 0,15 MHz đến 30 MHz và tổn\r\nhao xen trong dải tần từ 30 MHz đến 150 MHz.
\r\n\r\n6.1.1 Trở kháng
\r\n\r\nTrong dải tần từ 0,15 MHz đến 30 MHz, tổng\r\ntrở kháng không đối xứng (cuộn cản RF mắc song song với trở kháng nguồn nhiễu\r\ncó điện trở 150 Ω) đo được giữa điểm đưa tín hiệu nhiễu vào cho thiết bị cần thử\r\nnghiệm và nền của khối cũng phải là 150 Ω ± 20 Ω và góc pha nhỏ hơn ± 20o\r\n(trở kháng này tương tự như trở kháng CISPR 150 Ω ở mạng V nguồn giả, xem 4.4).
\r\n\r\nVí dụ, đối với khối ghép nối kiểu A và S,\r\nđiểm đưa vào là màn chắn bảo vệ của bộ nối đầu ra; đối với kiểu M và L, điểm\r\nđưa vào là các đầu nối ra nối với nhau.
\r\n\r\n6.1.2 Tổn hao xen
\r\n\r\nTrong dải tần từ 30 MHz đến 150 MHz tổn hao\r\nxen của hai khối ghép nối giống nhau đặt song song phải nằm trong phạm vi dải\r\ntừ 9,6 dB đến 12,6 dB, đo như chỉ ra trên Hình 7.
\r\n\r\nMạch tương đương của khối ghép nối
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image010.jpg\")
Tổn hao xen UG/UB của\r\nhai khối ghép nối giống nhau theo hình này cần nằm trong phạm vi từ 9,6 dB đến 12,6\r\ndB trong dải tần từ 30 MHz đến 150 MHz. UG là số đọc của máy thu khi\r\nmáy phát và máy thu được nối trực tiếp với nhau.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Hai khối này phải được nối với\r\nnhau bằng dây rất ngắn (≤1 cm).
\r\n\r\nĐiện thế nhiễu (và miễn nhiễm) của đường tín\r\nhiệu có thể được đánh giá bằng cách đo (hoặc đưa vào) điện áp hoặc dòng điện\r\nnhiễu dẫn. Với mục đích này, cần có cơ cấu ghép nối để đo thành phần nhiễu\r\ntrong khi loại bỏ tín hiệu có chủ ý trên đường dây. Các cơ cấu vừa có thể đo\r\nphát xạ điện từ vừa để đo miễn nhiễm (phương thức chung và phương thức vi sai,\r\ndòng điện và điện áp). Cơ cấu điển hình dùng cho dạng đo này là đầu dò dòng\r\nđiện và mạng giả không đối xứng (AAN hoặc mạng Y).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Yêu cầu đối với AAN đối với các\r\nthử nghiệm miễn nhiễm nhiễu dẫn trên đường tín hiệu có thể có trong TCVN\r\n8241-4-6 (IEC 61000-4-6)2 (AAN là dạng đặc biệt của “cơ cấu ghép nối\r\nvà khử ghép” [được gọi là mạng ghép nối/khử ghép (CDN)]. AAN đáp ứng yêu cầu\r\nđối với phép đo phát xạ cũng có thể đáp ứng các yêu cầu đối với thử nghiệm miễn\r\nnhiễm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Đường tín hiệu bao gồm cả đường\r\ndây viễn thông và các đầu nối của thiết bị được thiết kế để nối vào đường dây\r\nnày.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Thuật ngữ “điện áp không đối\r\nxứng” và “điện áp phương thức chung” cũng như “điện áp đối xứng” và “điện áp\r\nphương thức vi sai” là đồng nghĩa, như định nghĩa ở Điều 3.
\r\n\r\n2 TCVN 8241-4-6 (IEC 61000-4-6), Tương thích\r\nđiện từ (EMC) – Phần 4-6: Phương pháp đo và thử – Miễn nhiễm đối với nhiễu dẫn\r\ntần số vô tuyến.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 4: Thuật ngữ “mạng giả không đối\r\nxứng (ANN)” được sử dụng đồng nghĩa với “mạng Y”, ngược với mạng V và mạng tam\r\ngiác. Mạng T là dạng đặc biệt của mạng Y.
\r\n\r\nNếu sử dụng đầu dò dòng điện và giá trị giới\r\nhạn được qui định tính bằng vôn, giá trị điện áp phải được chia cho trở kháng\r\ncủa đường tín hiệu hoặc trở kháng kết cuối như qui định bởi qui trình đo cụ thể\r\nđể có giá trị giới hạn đối với dòng điện. Trở kháng này có thể là phương thức\r\nchung theo yêu cầu của qui trình đo cụ thể.
\r\n\r\nĐiều 7.1 qui định yêu cầu kỹ thuật đối với\r\nmạng giả (phương thức chung) không đối xứng (ANN). Việc loại bỏ phương thức vi\r\nsai trên phương thức chung (Vdm/Vcm) là cốt yếu cho khả\r\nnăng sử dụng của AAN. Tham số này liên quan đến tổn hao chuyển đổi dọc (LCL).\r\nVí dụ về mạng giả không đối xứng và thử nghiệm yêu cầu và qui trình hiệu chuẩn\r\nđược nêu ở Phụ lục E.
\r\n\r\nMạng giả không đối xứng (AAN) được sử dụng để\r\nđo (hoặc đưa vào) điện áp (phương thức chung) không đối xứng trên đường tín\r\nhiệu đối xứng không được che chắn (ví dụ, viễn thông) trong khi loại bỏ tín\r\nhiệu (phương thức vi sai) đối xứng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong CISPR 22, loại mạng này được\r\ngọi là mạng ổn định trở kháng (ISN).
\r\n\r\nHình 8a thể hiện sơ đồ mạch chung của mạng\r\ngiả không đối xứng.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image011.jpg\")
CHÚ THÍCH 1: Ví dụ, công thức xác định có thể\r\nlà:
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image013.jpg\")
trong đó
\r\n\r\nLCLlf là LCL ở tần số thấp, ví dụ\r\n50 dB,
\r\n\r\nf là tần số,
\r\n\r\nfcorner là tần số góc, ví dụ 5\r\nMHz, và
\r\n\r\nTol là dung sai LCL, ví dụ 3 dB
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Giá trị lý tưởng đối với “50\r\ndB’, “60 dB” và “70 dB” được đưa ra là đường nét đậm trong khi đó đường dung\r\nsai là đường nét nhạt.
\r\n\r\nCác đặc tính của AAN dùng để đo nhiễu (phương\r\nthức chung) không đối xứng phải bao trùm dải tần của điện áp nhiễu không đối\r\nxứng và dải tần được sử dụng cho việc truyền tín hiệu mong muốn. Các đặc tính\r\nnày được cho trong Bảng 1.
\r\n\r\n| \r\n a. \r\n | \r\n \r\n Trở kháng kết cuối ·\r\n độ lớn \r\n·\r\n pha \r\n | \r\n \r\n \r\n 150 Ω ± 20 % \r\n0o ± 20o \r\n(9 kHz đến 150 kHz: cần xác định) \r\n0,15 MHz đến 30 MHz: xác định bởi tiêu\r\n chuẩn sản phẩm liên quan, ví dụ như thể hiện trên Hình 8b c \r\n | \r\n
| \r\n b. \r\n | \r\n \r\n Tổn hao chuyển đổi dọc (LCL) tại cổng của\r\n EUT\r\n của mạng b \r\n | \r\n |
| \r\n c. \r\n | \r\n \r\n Độ suy giảm khử ghép | \r\n \r\n (9 kHz đến 150 kHz: cần xác định) \r\n0,15 MHz đến 30 MHz: \r\n>35 dB đến 55 dB tăng tuyến tính theo\r\n logarit của tần số \r\n>1,5 MHz: >55 dB \r\n | \r\n
| \r\n d. \r\n | \r\n \r\n Tổn hao xen của mạch đối xứng | \r\n \r\n < 3 dB d \r\n | \r\n
| \r\n e. \r\n | \r\n \r\n Hệ số phân áp của mạch không đối xứng | \r\n \r\n \r\n Thường là 9,5 dB e \r\n | \r\n
| \r\n f. \r\n | \r\n \r\n Trở kháng tải đối xứng của mạng \r\n | \r\n \r\n t.b.d. f \r\n | \r\n
| \r\n g \r\n | \r\n \r\n Độ rộng băng tần truyền | \r\n \r\n t.b.d. g \r\n | \r\n
| \r\n h. \r\n | \r\n \r\n Dải tần số 1) Phát xạ \r\n2) Miễn nhiễm \r\n | \r\n \r\n \r\n (0,009) 0,15 MHz đến 30 MHz \r\nXem ví dụ IEC 61000-4-6 \r\n | \r\n
| \r\n a) Trở kháng không đối xứng AAN thường bị ảnh\r\n hưởng bởi mạng không cân bằng theo Hình 8a. Tiêu chuẩn này qui định dung sai\r\n trở kháng đối với mạng cơ bản. Nếu ảnh hưởng của mạng không cân bằng lên trở\r\n kháng và pha là không đáng kể thì dung sai đã cho có thể áp dụng cho cả mạng\r\n không cân bằng. Nếu ảnh hưởng là đáng kể, ví dụ, nếu mạng không cân bằng thay\r\n đổi trở kháng quá 10 Ω hoặc pha quá 10o thì tiêu chuẩn sản phẩm\r\n phải tính đến điều này khi qui định dung sai đối với trở kháng và pha vì nhà\r\n chế tạo AAN phải qui định một dung sai nhất định nào đó. \r\nb) Các khái niệm khác để xác định sự phù hợp\r\n của thiết bị được sử dụng: sử dụng LCL của AAN cao hơn các giá trị LCL sẵn có\r\n của đường tín hiệu hoặc sử dụng LCL để mô phỏng các cấp đường viễn thông sẵn\r\n có. \r\nc) Các giá trị của LCL trong Hình 8b được lấy\r\n từ dự thảo của bản sửa đổi cho CISPR 22: 1997 với dụng sai được sửa đổi. Các\r\n giá trị khác có thể được xác định từ tiêu chuẩn sản phẩm sau này. Do đó, các\r\n yêu cầu LCL nêu trong tiêu chuẩn này chỉ là các ví dụ. Nói chung, ba yếu tố\r\n cần được xem xét đối với dung sai LCL là: LCL dư của mạng AAN cơ bản, độ lệch\r\n của mạng mất đối xứng Zun so với giá trị danh nghĩa và độ không\r\n đảm bảo của phép đo LCL. Dung sai nêu trong tiêu chuẩn sản phẩm cần tính đến\r\n việc các dung sai chấp nhận được có thể tăng theo LCL yêu cầu và theo tần số.\r\n Hình 8b thể hiện ví dụ các dung sai chấp nhận được. \r\nd) Yêu cầu thực tế phụ thuộc vào yêu cầu kỹ\r\n thuật của hệ thống truyền. Một số hệ thống truyền cho phép các tổn hao xen\r\n đến 6 dB. Tổn hao xen gây ra bởi AAN phụ thuộc vào trở kháng nguồn và trở\r\n kháng tải của toàn bộ mạch đối xứng. Đối với các trở kháng thấp hơn/cao hơn,\r\n tổn hao xen sẽ thấp hơn/cao hơn và cần do nhà chế tạo đưa ra, ví dụ 100 Ω.\r\n Ngoài ra, sẽ hữu ích nếu nhà chế tạo qui định các đặc tính pha của AAN trong\r\n mạch đối xứng của nó. \r\ne) AAN phải được hiệu chuẩn bằng cách đo hệ\r\n số phân áp trong bố trí thử nghiệm theo Hình E.6. \r\nf) t.b.d. = cần được xác định, tức là phụ\r\n thuộc vào yêu cầu kỹ thuật của hệ thống, ví dụ 100 Ω hoặc 600 Ω. \r\ng) t.b.d. = cần được xác định, tức là phụ\r\n thuộc vào yêu cầu kỹ thuật của hệ thống đối với tổn hao xen đối xứng, ví dụ\r\n đến 2 MHz hoặc đến 100 MHz. \r\nh) Có thể sử dụng nhiều hơn một mạng để bao\r\n trùm toàn bộ dải tần. \r\n | \r\n ||
Mạng giả dùng cho cáp đồng trục và cáp có màn\r\nchắn khác được sử dụng để đo (hoặc đưa vào) điện áp (phương thức chung) mất đối\r\nxứng trên màn chắn bảo vệ của cáp (ví dụ viễn thông hoặc tần số rađiô) trong\r\nkhi cho tín hiệu liên lạc hoặc tần số rađiô đi qua.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong CISPR 22, loại mạng này được\r\ngọi là mạng ổn định trở kháng (ISN).
\r\n\r\n| \r\n a. \r\n | \r\n \r\n Trở kháng kết cuối ·\r\n độ lớn \r\n·\r\n pha \r\n | \r\n \r\n \r\n 150 Ω ± 20 Ω \r\n0o ± 20o \r\n(9 kHz đến 150 kHz: cần xác định) \r\n0,15 MHz đến 30 MHz: >40 dB \r\n | \r\n
| \r\n b. \r\n | \r\n \r\n Độ suy giảm khử ghép | \r\n |
| \r\n b. \r\n | \r\n \r\n Tổn hao xen và độ rộng băng tần truyền | \r\n \r\n Được xác định bởi yêu cầu của hệ thống c \r\n | \r\n
| \r\n c. \r\n | \r\n \r\n Hệ số phân áp của mạch không đối xứng | \r\n \r\n Thường là 9,5 dB d \r\n | \r\n
| \r\n e. \r\n | \r\n \r\n Dải tần số \r\n1) Phát xạ \r\n2) Miễn nhiễm \r\n | \r\n \r\n (0,009) 0,15 MHz đến 30 MHz \r\nXem ví dụ IEC 61000-4-6 \r\n | \r\n
| \r\n a) Trở kháng không đối xứng của AN được xác\r\n định bằng điện trở 150 Ω mắc song song với cuộn cản và tụ điện của bộ nối\r\n nhiều đầu với đất. \r\nb) Vì màn chắn bảo vệ của cáp đồng trục tại\r\n cổng AE được nối trực tiếp vào vỏ kim loại AN nên độ suy giảm khử ghép không\r\n phải là vấn đề đối với bản thân AN. Bố trí thử nghiệm phát xạ (hoặc miễn\r\n nhiễm) phải sao cho độ suy giảm khử ghép có thể được đảm bảo. \r\nc) Tổn hao xen và độ rộng băng tần truyền đối\r\n với tín hiệu (liên lạc hoặc tần số rađiô) mong muốn giữa cổng EUT và cổng AE\r\n cũng như các trở kháng đặc tính giữa màn chắn và (các) dây nối bên trong\r\n không phải là mục đích của tiêu chuẩn này. Chúng cần được xác định theo các\r\n yêu cầu của hệ thống. \r\nd) AN phải được hiệu chuẩn bằng cách đo hệ\r\n số phân áp trong bố trí thử nghiệm theo Hình F.2. \r\n | \r\n ||
Trong một số yêu cầu kỹ thuật cho sản phẩm,\r\ntay giả được yêu cầu cho các EUT loại không nối đất với các bộ phận bằng kim loại\r\ncủa EUT mà các bộ phận này được cầm bằng tay trong sử dụng bình thường. Vỏ bọc\r\nbằng nhựa có lớp phủ dẫn điện cũng có thể cần sử dụng tay giả. Tay giả được\r\ndùng ở thử nghiệm phát xạ dẫn trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz (tần số tới\r\nhạn là 5 MHz - 30MHz) để mô phỏng ảnh hưởng của tay người thao tác lên phép đo.\r\nLoại thiết bị cần đánh giá với tay giả là: dụng cụ điện, thiết bị gia dụng, như\r\nbộ trộn cầm tay, ống điện thoại, cần điều khiển, bàn phím, v.v…
\r\n\r\nTay giả gồm một (dải) lá kim loại có kích\r\nthước qui định, được đặt trên hoặc quấn, theo cách qui định, quanh bộ phận của\r\nthiết bị mà tay người sử dụng thường chạm tới.
\r\n\r\nLá kim loại được nối đến điểm chuẩn của hệ\r\nthống đo nhiễu theo cách qui định đi qua phần tử RC gồm một tụ điện C = 220 pF ±\r\n20 % mắc nối tiếp với một điện trở R = 510 Ω ± 10 % (xem Hình 9a).
\r\n\r\nLá kim loại thường có chiều rộng là 60 mm\r\ndùng để mô phỏng ảnh hưởng của tay người sử dụng được quấn xung quanh tay cầm\r\ncủa thiết bị hoặc thân thiết bị. Trong trường hợp là bàn phím thì một lá kim\r\nloại hay thực tế hơn là một tấm kim loại kích thước lớn nhất 100 mm x 300 mm,\r\ncó thể được đặt trên đỉnh các phím. Ví dụ được cho trên Hình 53 và 54.
\r\n\r\nChiều dài dây dẫn giữa phần tử RC và lá kim\r\nloại phải là 1 m. Nếu cơ cấu thử nghiệm đòi hỏi chiều dài dây dẫn lớn hơn, thì\r\ntổng điện cảm của dây dẫn phải nhỏ hơn 1,4 mH\r\nnếu tần số của phép đo gần bằng 30 MHz.
\r\n\r\nKhi coi toàn bộ các dây dẫn kết nối là một\r\ndây đơn trong không gian tự do, thì điện cảm L của dây phải nhỏ hơn 1,4
![](\"00907209_files/image014.jpg\")
trong đó
\r\n\r\nm\r\n= 4 x 107 H/m;
l là chiều dài của dây, tính bằng mét
\r\n\r\nd là đường kính của dây, tính bằng mét.
\r\n\r\nChú thích: Khi tuân thủ yêu cầu điện cảm 1,4\r\nH, thì trở kháng của mạng RC là đủ chi phối ở tần số 30 MHz.
\r\n\r\n\r\n\r\nChiều dài lớn nhất của dây giữa phần tử RC và\r\nmặt đất làm chuẩn thường được thỏa mãn khi chiều dài dây không vượt quá 1 m.\r\nPhần tử RC có thể, ví dụ, được đặt càng gần lá kim loại càng tốt hoặc càng gần\r\nđiểm chuẩn càng tốt. Việc lựa chọn đúng phụ thuộc phần lớn vào trở kháng phương\r\nthức chung bên trong (thường không xác định) của nguồn nhiễu khi có mặt lá kim\r\nloại và đặc tính trở kháng của đường truyền tạo bởi dây nối và môi trường của\r\nnó. Nếu dải tần số của phép đo phát xạ được giới hạn ở 30 MHz, thì vị trí của\r\nphần tử RC là không quan trọng, và vị trí thực tế (cũng từ quan điểm khả năng\r\ntái tạo) của phần tử RC là ở trong mạng nguồn giả hoặc mạng giả trở kháng đường\r\ndây.
\r\n\r\nKhi đo phát xạ dẫn đến nguồn, điểm chuẩn là\r\nđất chuẩn trong mạng nguồn giả (AMN). Khi phát xạ này được đo trên đường tín\r\nhiệu hoặc đường dây điều khiển, điểm chuẩn là đất chuẩn của mạng giả trở kháng\r\nđường dây (LISN). Nguyên tắc chung cần tuân thủ trong việc ứng dụng tay giả là\r\nđầu nối M của phần tử RC phải được nối đến bộ phận kim loại không quay, không\r\ncó vỏ bọc bất kỳ và đến lá kim loại quấn quanh toàn bộ tay cầm, cả cố định lẫn\r\ntháo rời được, được cung cấp cùng với thiết bị. Bộ phận kim loại được phủ sơn\r\nhoặc emay được coi là bộ phận kim loại không có vỏ bọc và phải được nối trực\r\ntiếp với phần tử RC.
\r\n\r\nCác hạng mục sau đây qui định ứng dụng cụ thể\r\ncủa tay giả:
\r\n\r\na) Khi vỏ bọc của thiết bị hoàn toàn bằng kim\r\nloại và được nối đất, thì không yêu cầu tay giả.
\r\n\r\nb) Khi vỏ của thiết bị là vật liệu cách điện,\r\nlá kim loại phải được quấn quanh tay cầm B (Hình 9c) và quấn quanh tay cầm thứ\r\nhai D, nếu có. Lá kim loại rộng 60 mm cũng phải được quấn quanh thân C (xem\r\nHình 9c) tại điểm đặt lõi sắt stato của động cơ, hoặc quấn quanh hộp số nếu hộp\r\nsố gây mức nhiễu cao hơn. Tất cả các lá kim loại này và vòng kim loại hoặc bạc\r\nlót A, nếu có, phải được nối với nhau và nối đến đầu nối M của phần tử RC.
\r\n\r\nc) Khi vỏ của thiết bị có một phần là kim\r\nloại và một phần là vật liệu cách điện, và có tay cầm cách điện, lá kim loại\r\nphải được quấnh quanh tay cầm B và D (Hình 9c). Nếu vỏ là vật liệu phi kim loại\r\nở chỗ đặt động cơ, thì lá kim loại rộng 60 mm phải được quấn quanh thân C tại\r\nđiểm đặt lõi sắt stato của động cơ, hoặc quấn quanh hộp số, nếu hộp số làm bằng\r\nvật liệu cách điện chịu tải và gây mức nhiễu cao hơn. Phần kim loại của thân,\r\nđiểm A, lá kim loại quấn quanh tay cầm B và D, lá kim loại trên thân C phải\r\nđược nối với nhau và nối với đầu nối M của phần tử RC.
\r\n\r\nd) Nếu thiết bị cấp II (không có dây nối đất)\r\ncó hai tay cầm A và B là vật liệu cách điện và vỏ kim loại C, ví dụ như cưa\r\nđiện (Hình 9c), thì lá kim loại phải được quấn quanh các tay cầm A và B. Lá kim\r\nloại ở A và B và phần kim loại C phải được nối với nhau và nối với đầu nối M\r\ncủa phần tử RC.
\r\n\r\ne) Hình 10 đưa ra ví dụ cho ống điện thoại và\r\nbàn phím. Đối với ống điện thoại, lá kim loại rộng 60 mm được quấn quanh tay\r\ncầm có vài phần chồng lên nhau. Trong trường hợp bàn phím, lá kim loại hoặc tấm\r\nmạch in (PCB) cần phủ hoàn toàn lên các phím. Nếu sử dụng PCB thì phía kim loại\r\nphải được đặt trên bàn phím. Tuy nhiên, không cần vượt quá kích thước 300 mm x\r\n100 mm.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image016.jpg\")
![](\"00907209_files/image017.jpg\")
![](\"00907209_files/image018.jpg\")
![](\"00907209_files/image019.jpg\")
Tay giả kết hợp lá kim loại, có kích thước\r\ndưới đây:
\r\n\r\n| \r\n a) Chiều rộng 60 mm và chiều dài lớn hơn L \r\n | \r\n \r\n đối với các phần của thiết bị được cầm tay\r\n khi thao tác hoặc lớn nhất là 4 \r\n | \r\n
| \r\n b) 300 mm x 100 mm \r\n | \r\n \r\n đối với bàn phím, trong dó lá kim loại được\r\n định cỡ để bao trùm tổng số các phím hoặc bao trùm một phần bàn phím khi các\r\n kích thước của bàn phím lớn hơn kích thước lá kim loại lớn nhất. \r\n | \r\n
\r\n\r\n
Phụ lục này đưa ra thông tin và dữ liệu liên\r\nquan đến các mạng nguồn giả dùng để đo điện áp tần số rađiô (RF) trong dải tần\r\ntừ 9 kHz đến 100 MHz và có khả năng mang dòng đến 500 A. Các mạng này bao gồm\r\nmạng V dùng để đo điện áp giữa từng dây dẫn nguồn lưới và đất chuẩn, mạng tam\r\ngiác dùng để đo điện áp giữa các dây dẫn nguồn lưới với nhau (đối xứng) và điện\r\náp giữa điểm giữa của dây dẫn nguồn lưới với đất chuẩn (không đối xứng).
\r\n\r\nA.1 Qui định chung
\r\n\r\nMạch mạng nguồn giả trước tiên phải cung cấp\r\ntrở kháng qui định trên toàn bộ dải tần làm việc. Mạch phải cung cấp đủ độ cách\r\nly với tín hiệu sai tạp trong nguồn cung cấp (nói chung, tín hiệu sai tạp phải\r\nthấp hơn ít nhất là 10 dB so với mức đo ở máy thu đo). Mạch cũng phải ngăn\r\nkhông cho điện áp nguồn đặt đến máy thu đo. Cần có đủ các yêu cầu này đối với\r\nmỗi dây dẫn của nguồn (hai dây trong hệ thống một pha và bốn dây trong hệ thống\r\nba pha), có chuyển mạch để nối máy thu đo đến dây dẫn nguồn lưới cần đo và để\r\ncung cấp đầu nối đúng đến các dây dẫn nguồn lưới khác. Các mạch điện nêu dưới đây\r\ncó các điều kiện này. Các mạch này được đưa ra đối với trường hợp nguồn một pha\r\nhai dây. Việc mở rộng cho hệ thống ba pha bốn dây được thực hiện một cách đơn\r\ngiản.
\r\n\r\nA.2 Ví dụ về mạng V nguồn giả 50 Ω/50
Hình 4 chỉ ra mạch điện thích hợp với các giá\r\ntrị của linh kiện được liệt kê trong bảng A.1. L1, C1, R1, R4 và R5 xác định\r\ntrở kháng; L2, C2 và R2 cung cấp cách ly cho tín hiệu nguồn giả và thay đổi trở\r\nkháng nguồn, còn C3 khử ghép máy thu đo khỏi điện áp nguồn lưới. Mạng có thể có\r\nkết cấu để sử dụng với dòng điện đến 100 A.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
Tại tần số thấp nhất của dải từ 9 kHz đến 150\r\nkHz, tụ điện C3 có điện dung 0,25 mF\r\ncó trở kháng không đáng kể. Nếu không có qui định nào khác, thì có thể cần thực\r\nhiện hiệu chỉnh đối với trở kháng này.
\r\n\r\nDo C1 và C2 có điện dung lớn, để an toàn thì\r\nvỏ bọc cần được liên kết chắc chắn với đất chuẩn hoặc cần sử dụng biến áp cách\r\nly.
\r\n\r\nĐiện cảm L2 cần có hệ số Q không nhỏ hơn 10\r\ntrên toàn bộ dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz. Trong thực tế, sẽ thuận lợi nếu sử\r\ndụng các điện cảm mắc nối tiếp ngược cực tính (cuộn cản chung lõi) vào đường\r\ndây mang điện và đường dây trung tính.
\r\n\r\nĐiều A.7 mô tả kết cấu thích hợp đối với cuộn\r\ncảm L1. Đối với thiết bị đòi hỏi dòng điện lớn hơn 25 A, có thể gặp phải khó\r\nkhăn về kết cấu của L2. Trong trường hợp này, có thể bỏ qua phần cách ly L2, C2\r\nvà R2. Kết quả là trở kháng của mạng ở tần số thấp hơn 150 kHz có thể nằm ngoài\r\ndung sai qui định trong 4.2 và độ cách ly của tạp nguồn có thể không đủ.
\r\n\r\nMạch này cũng có thể thỏa mãn các điều kiện\r\ncủa mạng V nguồn giả 50 Ω/50 mH\r\nqui định trong 4.3.
\r\n\r\nA.3 Ví dụ về mạng V nguồn giả 50 Ω/50
Hình 5 chỉ ra mạch điện có các giá trị linh\r\nkiện như liệt kê trong bảng F.2. L1, C1, R2, R3 và R4 ấn định trở kháng. Khác\r\nvới ví dụ trước, mạch này không có phần cách ly vì nó có khả năng thoả mãn qui\r\nđịnh kỹ thuật về trở kháng. Tuy nhiên, trong trường hợp có tạp nguồn xung quanh\r\ncao thì cần có bộ lọc để làm giảm mức tín hiệu sai tạp. Mạng này có thể sử dụng\r\nđược với dòng điện đến 100 A.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
Do C1 có điện dung lớn, nên để an toàn, vỏ\r\nbọc mạng cần được liên kết chắc chắn với đất chuẩn hoặc cần sử dụng biến áp\r\ncách ly.
\r\n\r\nĐiều A.7 mô tả kết cấu thích hợp đối với cuộn\r\ncảm L1.
\r\n\r\nA.4 Ví dụ về mạng V nguồn giả 50 Ω/50
Mạch ở Hình 5 có các giá trị linh kiện cho\r\ntrong Bảng A.3 phù hợp với tần số từ 150 kHz đến 30 MHz và dòng điện đến 400 A.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
Mạch thay thế có các giá trị linh kiện được\r\ncho trên Hình A.1. Mạch này thích hợp với dải tần từ 150 kHz đến 100 MHz, và dòng\r\nđiện đến 500 A.
\r\n\r\nChi tiết cuộn dây:
\r\n\r\n5 mH,\r\n18 vòng, Æ
A.5 Ví dụ về mạng V nguồn giả 150 Ω
\r\n\r\nHình 5 thể hiện mạch thích hợp. Các giá trị\r\nlinh kiện được cho trong Bảng A.4.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
A.6 Ví dụ về mạng tam giác nguồn giả 150 Ω
\r\n\r\nHình A.2 là mạch điện thích hợp. Các giá trị\r\nlinh kiện được cho trong Bảng A.5.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image021.jpg\")
P là mối nối dùng cho thiết bị cần thử nghiệm
\r\n\r\n1 dùng cho linh kiện đối xứng
\r\n\r\n2 dùng cho linh kiện không đối xứng
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH 1: Tỷ lệ chuyển đổi từ biến thế\r\n cân bằng sang không cân bằng giả định là 1:2,5 với điểm nối dây ở giữa. \r\nCHÚ THÍCH 2: Giá trị điện trở cho trong\r\n ngoặc đơn là giá trị ưu tiên gần nhất (dung sai ± 5 %). \r\n | \r\n |
Các tính toán đem lại tính năng dưới đây của\r\nmạng. Các giá trị trong ngoặc đơn dựa trên các giá trị điện trở trong ngoặc\r\nđơn.
\r\n\r\n| \r\n Độ suy giảm: \r\n | \r\n \r\n Đối xứng \r\n | \r\n \r\n 20 (20) dB \r\n | \r\n
| \r\n \r\n | \r\n \r\n Không đối xứng \r\n | \r\n \r\n 20 (19,9) dB \r\n | \r\n
| \r\n Trở kháng mạng \r\n | \r\n \r\n Đối xứng \r\n | \r\n \r\n 150 (150) Ω \r\n | \r\n
| \r\n \r\n | \r\n \r\n Không đối xứng \r\n | \r\n \r\n 150 (148) Ω \r\n | \r\n
A.7 Ví dụ về thiết kế đối với mạng nguồn giả\r\ncó cuộn cảm 50 m
A.7.1 Cuộn cảm
\r\n\r\nCuộn cảm quấn dây dạng sôlênôit chỉ ra trên\r\nHình A.3 gồm có 35 vòng dây bằng đồng có đường kính 6 mm, một lớp, với bước\r\nquấn 8 mm quấn quanh một lõi làm bằng vật liệu cách điện. Điện cảm của nó lớn hơn\r\n50 m
![](\"00907209_files/image022.jpg\")
Điện trở R (430 Ω ± 10 %) được nối vào nấc\r\ntại vòng 4 và 8, 12 và 16, 20 và 24, 26 và 32. Điện cảm bằng 50
Đường kính của cuộn cảm là 130 mm. Để cải\r\nthiện độ ổn định điện động của cuộn dây, một rãnh xoắn sâu 3 mm được khía trên\r\nlõi và dây nằm trong rãnh này.
\r\n\r\nĐặc tính tần số cao hơn của cuộn cảm được cải\r\nthiện bằng cách phân đoạn cuộn dây. Các đoạn kế tiếp nhau, mỗi đoạn gồm 4 vòng,\r\nđược mắc song song với một điện trở 430 Ω. Việc này nhằm ngăn cản sự cộng hưởng\r\nbên trong cuộn cảm, nếu không, có thể làm cho trở kháng vào sai lệch so với giá\r\ntrị qui định ở tần số nhất định.
\r\n\r\nA.7.2 Vỏ của cuộn cảm
\r\n\r\nCuộn cảm và các linh kiện khác của mạng được\r\nlắp đặt trên một khung kim loại, khung này được đậy bằng các nắp kim loại. Nắp\r\nđáy và nắp bên có lỗ để tản nhiệt. Kích thước của vỏ là 360 mm x 300 mm x 180\r\nmm. Hình A.4 thể hiện hình chiếu chung.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Lưu ý đặt các đầu nối ra tải của\r\nmạng càng gần góc có đầu nối đó của vỏ càng tốt, sao cho có thể lắp hai mạng hoặc\r\nnhiều hơn bằng dây dẫn ngắn từ các đầu nối này đến ổ cắm dùng để nối với thiết bị\r\nthử nghiệm.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image023.jpg\")
A.7.3 Cách ly của cuộn cảm
\r\n\r\nHình A.5 cho thấy độ suy giảm tín hiệu trên\r\nnguồn lưới cung cấp khi cuộn cảm được dùng trong mạch của Hình 4 mà không có\r\nphần cách ly L2, C2 và R2. Độ suy giảm này được xác định như độ suy giảm giữa\r\nđầu nối nguồn lưới cung cấp và đầu nối thiết bị đo nhiễu rađiô. Trong trường\r\nhợp đường cong 1, trở kháng trong của máy phát tín hiệu ở đầu nối nguồn lưới có\r\nđiện trở là 50 Ω. ở đường cong 2, trở kháng trong của máy phát tín hiệu biến\r\nthiên theo giá trị danh nghĩa của trở kháng vào mạng nguồn giả như cho trên\r\nHình A.5.
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
![](\"00907209_files/image024.jpg\")
\r\n\r\n\r\n
A.8 Phép đo hệ số phân áp của mạng V nguồn\r\ngiả
\r\n\r\nHệ số phân áp có thể được xác định bằng cách\r\nsử dụng cơ cấu thử nghiệm như trên Hình A.1a và A.1b cho mỗi cấu hình thử\r\nnghiệm của mạng V. Hệ số này phải được đo trên từng đường dây với từng mối nối\r\ntrong (ví dụ như với cấu hình đóng cắt từ xa hoặc bằng tay) dùng bộ phân tích\r\nmạng hoặc dùng máy phát tín hiệu và máy thu đo hoặc vônmétRF có đầu dò trở\r\nkháng cao (điện dung thấp). Tất cả các đường dây của cổng EUT không nối đến\r\ncổng RF phải được nối đến trở kháng 50 Ω.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image025.jpg\")
![](\"00907209_files/image026.jpg\")
Vì cổng EUT có trở kháng vào phụ thuộc tần\r\nsố, nên bộ phân tích mạng cần được chuẩn hoá, sử dụng mức điện áp đo được ở\r\ncổng EUT.
\r\n\r\nNếu sử dụng máy phát tín hiệu và vônmétRF có\r\nđầu dò trở kháng cao, thì cổng EUT được nuôi qua bộ đệm 50 Ω và cổng RF được\r\nnối với tải 50 Ω trong khi xác định hệ số phân áp bằng hai phép đo kế tiếp trên\r\ncác cổng EUT và RF.
\r\n\r\nKết cấu của bộ thích nghi dùng ở cổng EUT là\r\nquan trọng đối với việc hiệu chuẩn. Các mối nối phải có trở kháng thấp và bộ\r\nnốiT phải được đặt càng gần cổng EUT và các đầu nối đất càng tốt. Bộ đệm 10 dB\r\nđược dùng để cung cấp trở kháng nguồn và trở kháng tải đúng 50 Ω để phép đo\r\nchính xác. Mỗi dây của cổng nguồn phải được nối với điện trở 50 Ω tương ứng với\r\nkhung.
\r\n\r\nĐối với mạng V 150 Ω, phân áp giữa cổng EUT\r\nvà cổng máy thu đo, nghĩa là 150 Ω /50 Ω, phải được xem xét.
\r\n\r\nB.1 Nghiên cứu về vật lý và về điện đối với\r\nđầu dò dòng điện
\r\n\r\nKích thước bao ngoài của đầu dò dòng điện là\r\nmột hàm số của kích thước cáp lớn nhất cần đo, dòng điện công suất lớn nhất\r\nchạy trong cáp, và dãy tần số tín hiệu cần đo.
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện thường có dạng hình xuyến có\r\ndây dẫn cần đo đặt vào tâm lỗ của hình xuyến. Các yêu cầu và qui định kỹ thuật\r\ncủa nhà chế tạo hiện có cho thấy đường kính tâm lỗ có thể thay đổi từ 2 mm đến\r\n30 cm. Cuộn dây thứ cấp đặt trên hình xuyến để thuận lợi cho chức năng kẹp chặt\r\ncủa đầu dò. Lõi hình xuyến và cuộn dây được bọc bằng một tấm chắn để tránh cảm\r\nbiến tĩnh điện. Tấm chắn cần có một khe hở để tránh trở thành một vòng ngắn\r\nmạch trên biến thế.
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện điển hình đối với phép đo\r\nnhiễu có bảy đến tám vòng dây thứ cấp. Số lượng vòng dây này là tỷ lệ vòng tối\r\nưu để đảm bảo dải tần phẳng lớn nhất và trở kháng là 1 Ω hoặc nhỏ hơn. Đối với\r\ncác tần số dưới 100 kHz, sử dụng lõi là thép silic cán. Lõi ferit được dùng ở\r\ncác tần số từ 100 kHz đến 400 MHz và lõi không khí được dùng cùng với biến thế\r\nđầu ra cân bằng không cân bằng 50 Ω, cho các tần số từ 200 MHz đến 1 000 MHz.\r\nHình B.1 thể hiện cấu hình của đầu dò dòng điện điển hình.
\r\n\r\nNói chung, đầu dò dòng điện được dùng làm cơ\r\ncấu cảm biến đối với phép đo nhiễu. Vì vậy, nó được thiết kế để chuyển đổi dòng\r\nđiện nhiễu sang điện áp có thể tách được bằng thiết bị đo. Độ nhạy của đầu dò\r\ndòng điện có thể được biểu diễn theo trở kháng truyền. Trở kháng truyền được\r\nđịnh nghĩa là tỷ số giữa điện áp thứ cấp (thường qua điện trở tải 50 Ω) và dòng\r\nđiện sơ cấp. Đôi khi dùng độ dẫn nạp truyền để thay thế.
\r\n\r\nĐộ nhạy tổng thể của đầu dò dòng điện và máy\r\nthu nhiễu cũng là hàm số của độ nhạy máy thu. Dòng điện nhiễu dò được nhỏ nhất\r\ntrong dây dẫn là tỷ số giữa độ nhạy của máy thu (V) và trở kháng truyền của đầu\r\ndò dòng điện (Ω). Ví dụ, nếu sử dụng máy thu một micrôvôn (1
Trở kháng truyền ZT thường được\r\nbiểu thị bằng đềxiben (dB) trên 1 Ω. Đây là đơn vị liên quan với các đơn vị\r\nnhiễu chung thuận tiện hơn so với đơn vị đềxiben trên 1
![](\"00907209_files/image027.jpg\")
B.2 Mạch điện tương đương của đầu dò dòng\r\nđiện
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện có thể được đại diện bởi một\r\nmạch tương đương chính xác từ nguyên lý bộ biến đổi chung. ở đây không cần nhắc\r\nlại mạch vì nó đã được chỉ ra trong nhiều tài liệu tiêu chuẩn. Sau khi đơn giản\r\nhoá đáng kể mạch chính xác và rút ra công thức, các công thức sau đây áp dụng\r\nđối với trở kháng truyền:
\r\n\r\n| \r\n Trường hợp tần số cao: \r\n | \r\n \r\n
| \r\n
![](\"00907209_files/image028.jpg\")
* Staff MIT: Mạch từ xa bộ biến đổi, John\r\nWiley & Sons, Inc., New York, N.Y., 1947.
\r\n\r\n| \r\n Trường hợp tần số trung bình: \r\n | \r\n \r\n ZT = MRL/L khi\r\n ( | \r\n
| \r\n Trường hợp tần số thấp: \r\n | \r\n \r\n
| \r\n
![](\"00907209_files/image029.gif\"){kind=small}
![](\"00907209_files/image030.jpg\")
trong đó
\r\n\r\nZT là trở kháng truyền;
\r\n\r\nM là hỗ cảm giữa cuộn thứ cấp và cuộn sơ cấp;
\r\n\r\nL là độ tự cảm của cuộn sơ cấp;
\r\n\r\nRL là trở kháng tải của cuộn thứ\r\ncấp (thường là 50 )
\r\n\r\nC là điện dung phân bố thứ cấp;
\r\n\r\nTừ các công thức này rút ra kết luận sau đây:
\r\n\r\n1) Trở kháng truyền lớn nhất ở tần số trung\r\nbình tỷ lệ thuận với tỷ số giữa hỗ cảm và tự cảm thứ cấp (RL là\r\nhằng số), trong trường hợp trở kháng tải không đổi.
\r\n\r\n2) Điểm nửa công suất cao tần xuất hiện khi\r\nđiện kháng của điện dung phân bố thứ cấp bằng điện trở tải.
\r\n\r\nB.3 Ảnh hưởng có hại của phép đo đầu dò dòng\r\nđiện
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện về cơ bản là một biến thế\r\nhình xuyến và vì thế trở kháng thứ cấp ảnh hưởng sang sơ cấp. Đối với cuộn thứ\r\ncấp 8 vòng và tải 50 Ω, trở kháng khi có đầu dò điển hình xấp xỉ 1 Ω. Khi nào\r\nphối hợp giữa trở kháng nguồn và tải của mạch cần đo lớn hơn 1 Ω thì khi ấy ứng\r\ndụng của đầu dò dòng điện sẽ không gây biến đổi lớn dòng điện sơ cấp. Tuy\r\nnhiên, nếu tổng của trở kháng nguồn và tải của mạch nhỏ hơn trở kháng khi có\r\nđầu dò thì ứng dụng của đầu dò dòng điện có thể làm thay đổi đáng kể dòng điện\r\nsơ cấp.
\r\n\r\nMột ứng dụng phổ biến của đầu dò dòng điện là\r\nphép đo dòng điện nhiễu trên đường dây nguồn sơ cấp mang dòng một chiều đến 300\r\nA hoặc dòng xoay chiều đến 100 A. Cũng có thể dùng đầu dò dòng điện ở vùng lân\r\ncận các thiết bị phát ra từ trường ngoài mạnh. Trở kháng truyền của đầu dò dòng\r\nđiện không được thay đổi do dòng điện lưới hoặc mật độ dòng điện này. Vì vậy,\r\nmạch từ phải được thiết kế sao cho không bị bão hòa. Vì dòng điện lưới xoay\r\nchiều có thể trong dải tần từ 20 Hz đến 15 kHz, nên đầu ra của đầu dò dòng điện\r\ntại các tần số nguồn này có thể làm hỏng mạch đầu vào của máy thu kết nối. Giải\r\npháp có thể thực hiện được là lắp đặt bộ lọc loại bỏ tần số nguồn giữa đầu dò\r\ndòng điện và máy thu. Hình B.2 thể hiện bộ lọc thông cao có tần số ngưỡng là 9\r\nkHz.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image032.jpg\")
B.4 Đặc tính đáp tuyến tần số điển hình của\r\nđầu dò dòng điện
\r\n\r\nHình B.3 thể hiện các đặc tính đáp tuyến tần\r\nsố điển hình của đầu dò dòng điện, với băng thông phẳng: a) từ 100 kHz đến 100\r\nMHz; b) từ 30 MHz đến 300 MHz; và c) từ 200 MHz đến 1 000 MHz.
\r\n\r\nB.5 Cấu trúc màn chắn để dùng với đầu dò dòng\r\nđiện
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện có thêm màn chắn là vật liệu\r\ndẫn điện (ví dụ như đồng đỏ, đồng thau, v.v…) có thể được dùng để đo dòng điện\r\nnhiễu không đối xứng (phương thức chung) hoặc đối xứng (phương thức vi sai).\r\nPhương pháp này dùng được với tần số từ 100 kHz đến 20 MHz. Đặc trưng cơ bản\r\ncủa phương pháp này là đầu dò dòng điện RF được thay đổi kết hợp với bộ lọc\r\nthông cao. Mục đích của bộ lọc thông cao là loại bỏ dòng điện tần số nguồn ở\r\nđầu ra của đầu dò dòng điện. Bố trí thử nghiệm được mô tả ở TCVN 6989-2-1\r\n(CISPR 16-2-1).
\r\n\r\nB.5.1 Mô hình lý thuyết
\r\n\r\nBố trí để đo dòng điện dùng mạng nguồn giả\r\nđược cho trên Hình B.4a. Các thành phần của dòng điện nhiễu là:
\r\n\r\nl1 dòng điện trong dây dẫn nguồn lưới mang điện
\r\n\r\nl2 dòng điện trong dây dẫn nguồn lưới trung\r\ntính
\r\n\r\nlC dòng điện không đối xứng
\r\n\r\nlD dòng điện đối xứng
\r\n\r\nChú thích: Giả thiết góc pha giữa l1\r\nvà l2 bằng không. Đây là trường hợp đối với dây dẫn ngắn hơn\r\n1 m và tần số dưới 30 MHz.
\r\n\r\nCó thể thấy từ Hình B.4a và B.4b là các dòng\r\nđiện có quan hệ như sau:
\r\n\r\nl1 = lC + lD
\r\n\r\nl2 = lC - lD
\r\n\r\n2 lC = l1\r\n+ l2
\r\n\r\nlD = l1 - l2
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image034.jpg\")
![](\"00907209_files/image035.jpg\")
Do đó, đầu dò dòng điện kẹp quanh dây dẫn sao\r\ncho l1 và l2 cộng lại dẫn đến đầu ra chỉ do\r\ndòng điện không đối xứng; trong khi, hiệu của chúng dẫn đến đầu ra chỉ liên\r\nquan đến dòng đối xứng. Chỉ yêu cầu hiệu chỉnh 6 dB giá trị đo được đối với\r\ndòng điện không đối xứng vì có hệ số 2 trong công thức đối với dòng không đối\r\nxứng (xem Hình B.4b).
\r\n\r\nB.5.2 Kết cấu của màn chắn
\r\n\r\nMàn chắn bổ sung yêu cầu được cho trên Hình\r\nB.5. Các kích thước đưa ra là đối với đầu dò dòng điện có đường kính lõi là 51\r\nmm. Đối với đầu dò dòng điện có kích thước khác thì chia theo tỷ lệ phù hợp.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image036.jpg\")
Cấu trúc này dùng để định vị các dây dẫn\r\nkhông bọc nằm trong đầu dò dòng điện và để cung cấp màn chắn bảo vệ bổ sung\r\nkhỏi liên kết bất kỳ bên ngoài khi đầu ra được nối đất ở một đầu. Dây bện (0,75\r\nmm2) có cách điện cho đi qua lỗ rồi lắp từng đầu vào đầu nối nhận\r\ncác dây dẫn bọc từ mạng nguồn và đi đến thiết bị cần thử nghiệm. Đường kính\r\nđoạn giữa của màn chắn được quấn sẵn băng cách điện sao cho dây được định vị\r\nchắc chắn vào rãnh và sao cho các phần lắp ráp này vừa khít trong đầu dò dòng\r\nđiện khi đã lồng vào.
\r\n\r\nMàn chắn được định vị trong đầu dò dòng điện\r\nsao cho mặt phẳng của dây dẫn vuông góc với mặt phẳng khe hở dọc theo hai nửa\r\nlõi của đầu dò. Điều quan trọng là cần đảm bảo rằng màn chắn như cho trên hình\r\n34 được cách điện với vỏ bọc đầu dò dòng điện sao cho vẫn còn khe hở bên trong\r\nvỏ bọc.
\r\n\r\nB.5.3 Bộ lọc thông cao
\r\n\r\nBộ lọc thông cao, nếu cần, được đặt giữa đầu\r\nra của đầu dò dòng điện và máy thu đo. Bộ lọc này có thể là một phần của máy\r\nthu đo. (Xem Hình B.2 và B.4b).
\r\n\r\nB.6 Hiệu chuẩn đầu dò dòng điện
\r\n\r\nViệc hiệu chuẩn đầu dò dòng điện có thể thực\r\nhiện bằng đồ gá được làm từ hai nửa của bộ nối đồng trục. Khi đã lắp đầu dò\r\ndòng điện vào vị trí, nó tạo thành tuyến đồng trục với dây dẫn ngoài bao gồm đầu\r\ndò dòng điện và dây dẫn bên trong đi qua khe hở của đầu dò (xem Hình B.8).
\r\n\r\nMạch hiệu chuẩn tương đương được cho trên\r\nhình 35. Khi tuyến đồng trục đã ghép tốt, dòng IP chạy qua\r\ndây dẫn trong có thể tính được từ phép đo điện áp V1 trên\r\ntuyến này. Phần thân, nếu bằng kim loại, hoặc màn chắn của đầu dò cần được xét\r\nđến trong thiết kế đồ gá để có được tuyến đồng trục tốt. Nếu điện áp ra của đầu\r\ndò dòng điện là V2, thì độ dẫn nạp truyền có thể được tính\r\nbằng cách dùng công thức sau:
\r\n\r\ntrong đó
\r\n\r\nk là độ dẫn nạp truyền, tính bằng dB(S);
\r\n\r\nV1 là điện áp RF trên tuyến đồng trục, tính\r\nbằng dB(m
V2 là điện áp ra RF của đầu dò, tính bằng dB(
hệ số 34 liên quan đến trở kháng tải 50 Ω.
\r\n\r\nĐộ dẫn nạp truyền k được dùng để tính giá trị\r\ndòng điện đo được Ip bằng công thức:
\r\n\r\ntrong đó
\r\n\r\nIP tính bằng dB(mA), và
\r\n\r\nV2 tính bằng dB(mV)
\r\n\r\nk tính bằng dB(S);
\r\n\r\nHình B.7 thể hiện kết quả hiệu chuẩn điển\r\nhình, Hình B.8a thể hiện tổn hao nghịch và Hình B.8b thể hiện ảnh của đồ gá bộ\r\nnối đồng trục.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image037.jpg\")
![](\"00907209_files/image038.jpg\")
![](\"00907209_files/image039.jpg\")
Tổn hao nghịch của bộ nối đồng trục (xem dưới\r\nđây) có đầu ra 50 Ω và có đầu dò dòng điện bên trong.
\r\n\r\nĐầu dò dòng điện cũng có đầu ra 50 Ω.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image040.jpg\")
\r\n\r\n
C.1 Khối ghép nối kiểu A dùng cho đầu vào\r\nanten đồng trục
\r\n\r\nSơ đồ mạch và kết cấu giống như khối kiểu A\r\ncho trên Hình C.1, chỉ khác là giá trị điện cảm là 280
| \r\n Lõi: \r\n | \r\n \r\n hai xuyến ferit, vật liệu 4C6 hoặc tương\r\n đương, đặt gắn với nhau, đường kính ngoài là 36 mm, đường kính trong là 23\r\n mm, dày 30 mm. \r\n | \r\n
| \r\n Cuộn dây: \r\n | \r\n \r\n 28 vòng cáp đồng trục nhỏ được chống nhiễu\r\n toàn bộ, ví dụ như UT34, đường kính dây là 0,9 mm, có ống nhựa cách điện bên\r\n ngoài, đường kính ngoài của ống là 1,5 mm. \r\n | \r\n
C.2 Khối ghép nối kiểu M, dùng cho dây dẫn\r\nchính
\r\n\r\nSơ đồ mạch và kết cấu giống như với khối kiểu\r\nM cho trên Hình C.2, chỉ khác là hai cuộn cảm mỗi cuộn có giá trị 560
Kết cấu của cuộn cảm 560
| \r\n Lõi: \r\n | \r\n \r\n hai xuyến ferit, vật liệu 4C6 hoặc tương\r\n đương, đặt gắn với nhau, đường kính ngoài là 36 mm, đường kính trong là 23\r\n mm, dày 30 mm. \r\n | \r\n
| \r\n Cuộn dây: \r\n | \r\n \r\n 40 vòng dây đồng có cách điện, đường kính\r\n ngoài 1,5 mm. \r\n | \r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n\r\n
![](\"00907209_files/image041.jpg\")
\r\n\r\n
![](\"00907209_files/image042.jpg\")
\r\n\r\n\r\n
C.3 Khối ghép nối kiểu L, dùng cho dây loa
\r\n\r\nSơ đồ mạch và kết cấu giống như với khối kiểu\r\nL cho trên Hình C.3 với hai cuộn cảm riêng biệt, mỗi cuộn có giá trị 560
Kết cấu của mỗi cuộn cản 560
| \r\n Lõi: \r\n | \r\n \r\n một xuyến ferit, vật liệu 4C6 hoặc tương\r\n đương, đường kính ngoài là 36 mm, đường kính trong là 23 mm, dày 15 mm. \r\n | \r\n
| \r\n Cuộn dây: \r\n | \r\n \r\n 56 vòng dây đồng được cách điện bằng vécni,\r\n đường kính 0,4 mm. \r\n | \r\n
CHÚ THÍCH: Đặc tính của ferit từ loại 4C6:
\r\n\r\n| \r\n Độ từ thẩm tương đối ban đầu \r\n | \r\n \r\n mi \r\n | \r\n \r\n = 120 \r\n | \r\n
| \r\n Hệ số tổn hao \r\n | \r\n \r\n tgd/ | \r\n \r\n < 40 ở 2 MHz, < 100 ở 10 MHz \r\n | \r\n
| \r\n Điện trở suất \r\n | \r\n \r\n p = \r\n | \r\n \r\n 10 kΩm \r\n | \r\n
![](\"00907209_files/image043.jpg\")
Các phần 4-5-6-8-9: xem khối kiểu A.
\r\n\r\n17 là lỗ cắm cách điện
\r\n\r\n18 là hai cuộn cảm, mỗi cuộn 60
Đối với mỗi cuộn cảm:
\r\n\r\nLõi:một xuyến ferit, loại 4C6,
Cuộn dây: 20 vòng dây đồng cách điện, đường\r\nkính ngoài Æ
Lắp đặt cuộn cảm: xem khối kiểu M
\r\n\r\nC1 = 10 nF
\r\n\r\nC2 = 47 nF
\r\n\r\nC.4 Khối ghép nối kiểu Sw, dùng cho tín hiệu\r\nâm tần
\r\n\r\nSơ đồ mạch và kết cấu giống như khối kiểu Sw\r\ncho trên hình 47, chỉ khác là cuộn cảm 280 mH\r\nđã mô tả ở điều M.1. Cáp có chống nhiễu có thể là loại âm tần và đường kính của\r\nnó không được lớn hơn 2,1 mm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Khối ghép nối kiểu A mô tả trong\r\nC.1 có thể được dùng cho mục đích này, nếu hai cáp tín hiệu âm thanh nổi của\r\nthiết bị cần thử nghiệm được nối với nhau.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image044.jpg\")
Các phần 4-5-6-8-9: xem khối kiểu A.
\r\n\r\n19 là ổ cắm Cinch hoặc DIN
\r\n\r\n20 là cuộn cảm 30
Lõi:một xuyến ferit, loại 4C6,
Cuộn dây: 14 vòng có dây bện đôi chống nhiễu:
\r\n\r\nđường kính ngoài của cáp cách điện là 2,8 mm
\r\n\r\nLắp đặt cuộn cảm: xem khối kiểu A
\r\n\r\nC.5 Khối ghép nối kiểu Sw, dùng cho tín hiệu\r\nâm thanh, tín hiệu hình và tín hiệu điều khiển
\r\n\r\nSơ đồ mạch và kết cấu giống như khối kiểu Sw\r\ncho trên hình 48, chỉ khác là hai cuộn cảm 560 mH như được mô tả ở điều M.2. Cáp có ba dây dẫn phải có\r\nđường kính ngoài không lớn hơn 1,5 mm. Điều này có thể đạt được bằng cách sử\r\ndụng hai cáp đồng trục cực nhỏ kiểu UT-20 (đường kính 0,6 mm) và dây đồng được\r\nphủ vécni cách điện có đường kính 0,3 mm.
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
\r\n\r\n
![](\"00907209_files/image045.jpg\")
D.1 Nguyên lý hoạt động
\r\n\r\nNguyên lý hoạt động được minh họa trên Hình\r\nD.1. Điện cảm L có trở kháng cao đến dòng điện nhiễu được truyền. Bộ lọc L/C2\r\ncách ly thiết bị thử nghiệm (máy phát tín hiệu mong muốn hoặc thiết bị phụ\r\ntrợ); C1 và C2 có thể được nối tắt nếu điều kiện a.c/d.c\r\ncho phép. Tín hiệu nhiễu phát ra từ máy phát tín hiệu có điện trở trong 50 Ω\r\nđược truyền qua điện trở R1 100 Ω và tụ điện chặn C1 (nếu yêu cầu)\r\nlên dây dẫn hoặc lên vỏ bọc của cáp đồng trục.
\r\n\r\nD.2 Kiểu khối và kết cấu của khối
\r\n\r\nCác kiểu khối ghép nối dưới đây được sử dụng:
\r\n\r\n| \r\n Kiểu A: \r\n | \r\n \r\n Các khối đồng trục RF được sử dụng đối với\r\n dây đồng trục mang tín hiệu mong muốn trong dải tần RF. Chi tiết kết cấu được\r\n cho trên Hình C.1. Điện trở 100 Ω (để tạo nên trở kháng nguồn 150 Ω từ nguồn\r\n tín hiệu nhiễu 50 Ω) được liên kết với vỏ của bộ nối đầu ra đồng trục thuộc\r\n khối. \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu M: \r\n | \r\n \r\n Kiểu này để dùng với dây nguồn. Chi tiết\r\n kết cấu được cho trên Hình C.2. Việc truyền dòng điện nhiễu được thực hiện\r\n không đối xứng trên cả hai dây qua một điện trở tương đương 100 Ω. Bộ phận\r\n này giống như một mạng tam giác nguồn giả và có, như thấy được từ các đầu ra\r\n thiết bị cần thử nghiệm, trở kháng điện trở tương đương 150 Ω đối xứng và\r\n không đối xứng. \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu L: \r\n | \r\n \r\n Kiểu này để dùng với dây loa. Chi tiết kết\r\n cấu được cho trên Hình C.3. Trở kháng nguồn nhiễu được bố trí như đối với\r\n khối kiểu M. \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu Sr và Sw: \r\n | \r\n \r\n Các kiểu này được thiết kế để sử dụng với\r\n dây dẫn âm thanh, hình ảnh và các dây dẫn phụ trợ khác. Chúng là các bộ phận\r\n nhiều chân được điều chỉnh với số lượng chân và kết cấu bộ nối khác nhau, như\r\n sau: \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu Sw: \r\n | \r\n \r\n Khối này dẫn tín hiệu âm thanh, tín hiệu\r\n hình, tín hiệu điều khiển và các tín hiệu khác, trong đó yêu cầu có bộ lọc để\r\n đảm bảo rằng tín hiệu nhiễu hướng trực tiếp về phía thiết bị cần thử nghiệm.\r\n Chi tiết kết cấu được cho trên Hình C.4, bộ lọc đơn giản cung cấp cho tín\r\n hiệu âm thanh với cặp dây quấn được chống nhiễu trên hình xuyến. Trong trường\r\n hợp cáp nhiều dây có thể cần phải, vì lý do kết cấu, tách các dây cáp trước\r\n khi quấn lên hình xuyến cho trên Hình C.5. Trong cả hai trường hợp, dòng điện\r\n nhiễu được truyền qua một điện trở 100 Ω lên màn chắn và các chân nối đất của\r\n bộ nối ra, màn chắn của các dây dẫn có vỏ bọc và qua tụ điện lên các dây dẫn\r\n (không có màn chắn) khác. \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu Sr: \r\n | \r\n \r\n Kiểu này được thiết kế đối với trường hợp\r\n không cần có đường tín hiệu đi qua. Tất cả các dây dẫn của cáp được nối với\r\n điện trở tải phối hợp. Chi tiết kết cấu được cho trên Hình D.2. Dòng điện\r\n nhiễu được truyền qua một điện trở 100 Ω lên màn chắn (nối đất) và các chân\r\n nối đất của bộ nối, tại điểm mà tất cả các điện trở tải (từ R1 đến\r\n Rn) cũng được nối vào. Cần chú ý rằng khối ghép nối thuộc kiểu\r\n được chỉ ra trên Hình C.4 hoặc C.5 được kết cuối bằng trở kháng tải chính xác\r\n có thể sử dụng cho mục đích này. \r\n | \r\n
Nếu trở kháng nguồn của máy phát tín hiệu\r\nnhiễu không phải là 50 Ω, thì giá trị của điện trở nối tiếp được điều chỉnh phù\r\nhợp để tạo nên trở kháng 150 Ω yêu cầu.
\r\n\r\nCuộn cản RF cho trên các hình từ Hình C.1 đến\r\nHình D.2 có giá trị điện cảm 30 mH\r\nhoặc 2 x 60 m
Cần lưu ý khi bố trí để giữ cho điện dung ký\r\nsinh tại các chân đầu ra của khối càng nhỏ càng tốt. Chú ý là vỏ kim loại của\r\nkhối được nối cẩn thận đến mặt phẳng nền, sử dụng dây đồng bện tiết diện lớn và\r\nvỏ không sơn.
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
![](\"00907209_files/image046.jpg\")
\r\n\r\n\r\n
![](\"00907209_files/image047.jpg\")
| \r\n | \r\n \r\n dạng từ: \r\n2 x 2,2 kΩ \r\n | \r\n
| \r\n Dạng tinh thể: \r\n2 x 470 kΩ \r\n | \r\n
| \r\n Micrô: \r\n | \r\n \r\n 2 x 600 Ω \r\n | \r\n
| \r\n Nút điều chỉnh âm thanh: \r\n | \r\n \r\n 2 x 47 kΩ \r\n | \r\n
| \r\n Băng ghi âm: \r\n | \r\n \r\n 4 x 47 kΩ \r\n | \r\n
| \r\n Đầu vào/đầu ra âm thanh: \r\n | \r\n \r\n 4 x 47 kΩ \r\n | \r\n
E.1 Mô tả
\r\n\r\nHình E.1 đưa ra như một ví dụ về mạng giả\r\nkhông đối xứng, mạng T có các đầu ra a1 và b1 để nối đến\r\ncặp dây dẫn ở cổng tín hiệu của EUT và RG để nối đến mặt phẳng đất chuẩn và,\r\nnếu áp dụng được, đến bộ nối đất bảo vệ hoặc bộ nối đất khác của EUT.
\r\n\r\nTín hiệu đối xứng có thể cần thiết để EUT làm\r\nviệc đúng được đưa đến các đầu nối a2 và b2. Cuộn cản kép\r\nL1 cho phép đo riêng thành phần nhiễu không đối xứng. Hai cuộn dây\r\nđược bố trí sao cho dòng điện đối xứng bị chặn bởi trở kháng cao trong khi trở\r\nkháng (đối với dòng điện không đối xứng chạy đến RE) phải là\r\nkhông đáng kể.
\r\n\r\nTrở kháng đầu cuối của mạng là 150 Ω đối với\r\nđiện áp nhiễu không đối xứng được xác định bởi hai điện trở RT\r\n(200 Ω), mắc song song ở dòng điện không đối xứng, mắc nối tiếp với điện trở RE\r\n(50 Ω). Điện trở RE thường là trở kháng vào của máy thu đo.\r\nTrong trường hợp này, số đọc của thiết bị đo thấp hơn 10 dB so với giá trị\r\nkhông đối xứng thực tế tại đầu ra của EUT. Tụ điện CT chặn dòng điện\r\nmột chiều, do đó cho phép có điện áp nguồn lưới một chiều trên dây dẫn mạng mà\r\nkhông làm hỏng điện trở và không làm ảnh hưởng đến các thuộc tính của L1\r\ndo bão hòa.
\r\n\r\nThông thường, mạng T được đặt giữa EUT và\r\nthiết bị kết nối của nó.
\r\n\r\nE.2 Phép đo tham số của mạng giả không đối\r\nxứng (AAN)
\r\n\r\nĐể xác định sự phù hợp với các yêu cầu của\r\n7.1, sử dụng qui trình đối với phép đo các tham số mô tả dưới đây.
\r\n\r\na) Trở kháng đầu cuối
\r\n\r\nTrở kháng đầu cuối giữa các đầu nối a1\r\nvà b1 nối với nhau, và đầu nối đất RG phải được kiểm tra trong khi\r\ncác đầu ra a2 và b2 được mở ra lần lượt và được nối tắt\r\nđến đầu nối đất RG (xem Hình E.2).
\r\n\r\nb) Tổn hao chuyển đổi theo chiều dọc
\r\n\r\nViệc loại bỏ này của mạng Y phải được đo theo\r\nHình E.3c. Bộ phân tích mạng (NWA) đặt tín hiệu đầu ra của nó vào đầu dò LCL,\r\ncó tổn hao chuyển đổi theo chiều dọc (LCL) dư cao hơn ít nhất là 10 dB so với\r\nLCL yêu cầu của AAN. Để kiểm tra xác nhận đầu dò LCL, xem Hình E.3a và để hiệu\r\nchuẩn, xem Hình E.3b.
\r\n\r\nc) Độ suy giảm khử ghép
\r\n\r\nĐộ suy giảm khử ghép được đo theo Hình E.4.
\r\n\r\nd) Tổn hao xen của mạch đối xứng
\r\n\r\nTổn hao xen của mạch đối xứng phải được đo\r\ntheo Hình E.5.
\r\n\r\nCó thể sử dụng hai đầu dò LCL làm bộ cân\r\nbằng/không cân bằng cho thử nghiệm tổn hao xen của mạng Y. Hai bộ cân\r\nbằng/không cân bằng giống nhau có thể được nối nối tiếp để xác định tổn hao xen\r\nriêng của chúng. Bộ cân bằng/không cân bằng có thể được thiết kế sao cho tổn\r\nhao xen kết hợp của hai bộ cân bằng/không cân bằng nhỏ hơn 1 dB trong dải tần\r\ntừ 0,15 MHz đến 30 MHz.
\r\n\r\ne) Hệ số phân áp của mạch không đối xứng (hiệu\r\nchuẩn mạng Y)
\r\n\r\nHệ số phân áp của mạch không đối xứng phải\r\nđược đo theo Hình E.6.
\r\n\r\nf) Trở kháng tải đối xứng và độ rộng băng tần\r\ntruyền
\r\n\r\nTham số này được xác định bởi hệ thống. Mạng\r\nY có thể là tối ưu đối với một trở kháng nhất định liên quan đến độ rộng băng\r\ntần truyền. Độ rộng băng tần truyền có thể được đo đối với trở kháng tải đối\r\nxứng nhất định sử dụng bố trí thử nghiệm ở Hình E.5.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image048.jpg\")
![](\"00907209_files/image049.jpg\")
CHÚ THÍCH: Nếu AAN có bậc cao hơn (tức là\r\nnhiều hơn một cặp sợi dây) thì tất cả các sợi dây của cổng EUT được nối lần\r\nlượt với tất cả các sợi dây của cổng AE.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image050.jpg\")
CHÚ THÍCH: Khi được kết cuối bằng LCL nhỏ\r\nnhất, mạch P![](\"00907209_files/image051.gif\")
) của AAN và trở kháng không\r\nđối xứng bằng 150 Ω ( =
Đầu dò LCL cần tác động với trở kháng nguồn\r\nkhông đối xứng bằng Z/4.
\r\n\r\nĐối với Z = 100 Ω, Z/4 = 25 Ω.
\r\n\r\nĐể độ tái lập là tối ưu, LCL của đầu dò cần\r\ntối đa hoá cho cả hai hướng của mạch p\r\ntương ứng với các đầu nối cân bằng của đầu dò LCL.
\r\n\r\nĐịnh nghĩa: tổn hao chuyển đổi theo chiều dọc\r\n(LCL) = 20 lg ![](\"00907209_files/image053.gif\")
, tính bằng dB (theo Khuyến\r\ncáo ITU-T. G.117).
Đầu dò LCL cần có kết cấu sao cho LCL có thể\r\nđược đo sử dụng bộ phân tích mạng. Ví dụ về đầu dò LCL được mô tả trong [1]3.
\r\n\r\n3 Số trong ngoặc vuông đề cập đến các tài liệu\r\ntham khảo ở cuối của phụ lục này.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image054.jpg\")
CHÚ THÍCH: LCLL = 201g
Độ không đảm bảo đo LCL trên Hình E.3a bị ảnh\r\nhưởng bởi độ chính xác của mạch L và lượng LCL dư của đầu dò. Thay đổi hướng\r\ncủa đầu dò LCL liên quan đến mạch L sẽ thể hiện một số độ không đảm bảo đo của\r\nviệc hiệu chuẩn.
\r\n\r\nVí dụ về mạch L: Đối với trở kháng Z = 100 Ω\r\nvà Rsym = 100 Ω, giá trị Rcal=750 Ω sẽ cho LCL bằng 29,97\r\ndB, tức là xấp xỉ 30 dB.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image056.jpg\")
CHÚ THÍCH 1: Đối với định nghĩa LCL, xem Hình\r\n3.a.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Tùy thuộc vào độ sát giữa LCL\r\ncần đo và LCL dư của đầu dò, phép đo với cả hai hướng của đầu dò LCL, liên quan\r\nđến các đầu nối cổng EUT và việc xác định giá trị trung bình của hai kết quả,\r\ncó thể chứng tỏ độ chính xác của thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Nếu AAN có bậc cao hơn (tức là nhiều\r\nhơn một cặp sợi dây) thì LCL của từng cặp được thử nghiệm, trong khi (các) cặp\r\ncòn lại được kết cuối bằng trở kháng phương thức chung trong trường hợp có ảnh\r\nhưởng đến cặp được đo.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image057.jpg\")
Yêu cầu kỹ thuật về độ suy giảm khử ghép phải\r\nđược đáp ứng ở cả hai vị trí của chuyển mạch 1 (ngắn mạch và hở mạch). Nếu AAN\r\ncó bậc cao hơn (tức là nhiều hơn một cặp sợi dây) thì tất cả các sợi dây của\r\ncổng EUT được nối lần lượt với tất cả các sợi dây của cổng AE. avdiv\r\nlà hệ số phân áp khi đo theo Hình E.6.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu AAN có bậc cao hơn (tức là\r\nnhiều hơn một cặp sợi dây) thì phải thử nghiệm từng cặp riêng rẽ.
\r\n\r\n- avdiv, tính\r\nbằng dB
![](\"00907209_files/image059.jpg\")
![](\"00907209_files/image060.jpg\")
CHÚ THÍCH: Nếu AAN có bậc cao hơn (tức là\r\nnhiều hơn một cặp sợi dây) thì tất cả các sợi dây của cổng EUT được nối lần\r\nlượt với tất cả các sợi dây của cổng AE.
\r\n\r\nHình E.6 – Bố trí thử nghiệm hiệu chuẩn đối\r\nvới hệ số phân áp AAN của mạch không đối xứng
\r\n\r\n-, tính bằng dB
E.3 Tài liệu tham khảo
\r\n\r\n[1] MACFARLANE, IP. A Probe for the\r\nMeasurement of Electrical Unbalance of Networks and Devices. IEEE Trans. EMC,\r\nFeb. 1999, Vol.41, No.1, p.3-14. (Đầu dò dùng cho phép đo độ không cân bằng về điện\r\ncủa mạng và thiết bị).
\r\n\r\nF.1 Mô tả AN đối với cáp đồng trục và có màn\r\nchắn khác
\r\n\r\nHình F.1 nêu ví dụ về cáp đồng trục AN sử\r\ndụng cuộn kháng phương thức chung bên trong được tạo ra bởi cáp đồng trục cỡ\r\nnhỏ (cáp đồng trục có màn chắn bằng đồng đặc, nửa cứng hoặc cáp đồng trục có\r\nmàn chắn đan lưới kép cỡ nhỏ) quấn thành cuộn dây hình xuyến sắt từ.
\r\n\r\nTrong trường hợp không yêu cầu độ suy giảm\r\nmàn chắn cao thì (các) cuộn kháng phương thức chung bên trong có thể cũng được\r\ntạo ra bằng cách sử dụng dây quấn xếp đôi bằng sợi dây có ruột dẫn định tâm có\r\ncách điện và sợi dây có màn chắn ruột dẫn có cách điện trên lõi từ chung (ví dụ\r\ncuộn dây hình xuyến sắt từ).
\r\n\r\nĐối với cáp có màn chắn nhiều ruột dẫn, cuộn\r\nkháng phương thức chung bên trong có thể được tạo ra bằng cách sử dụng dây quấn\r\nxếp bội bằng sợi dây tín hiệu có cách điện và sợi dây có màn chắn ruột dẫn có\r\ncách điện hoặc bằng cách quấn cáp có màn chắn nhiều ruột dẫn trên lõi từ phương\r\nthức chung.
\r\n\r\nF.2 Phép đo tham số của AN đối với cáp đồng\r\ntrục và có màn chắn khác
\r\n\r\na) Trở kháng kết cuối
\r\n\r\nTrở kháng giữa màn chắn đồng trục trên bộ nối\r\nnhiều đầu nối (không gắn cáp EUT) và bộ nối đất chuẩn phải được đo với cổng máy\r\nthu được kết cuối bằng trở kháng 50 Ω.
\r\n\r\nb) Hệ số phân áp
\r\n\r\nHệ số phân áp của AN phải được đo theo Hình\r\nF.2.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image061.jpg\")
AE = Thiết bị kết hợp
\r\n\r\nEUT = Thiết bị cần thử nghiệm
\r\n\r\nRx = Máy thu đo
\r\n\r\nCuộn kháng phương thức chung Lcm > 1,4 mH,\r\ntổng điện dung tạp song song C < 1 pF.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image062.jpg\")
![](\"00907209_files/image058.gif\")
, tính bằng dB
G.0 Giới thiệu
\r\n\r\nPhụ lục này nêu ví dụ về phương pháp hiệu\r\nchuẩn đầu dò điện áp kiểu điện dung (CVP). Có thể sử dụng các phương pháp hiệu chuẩn\r\nkhác nếu độ không đảm bảo đo của chúng được xem là tương đương với độ không đảm\r\nbảo đo của phương pháp được nêu trong phụ lục này.
\r\n\r\nG.1 Xem xét về vật lý và điện đối với đầu dò\r\nđiện áp kiểu điện dung
\r\n\r\nHình G.1 thể hiện kết cấu của đầu dò điện áp\r\nkiểu điện dung. Đầu dò này được tạo thành từ hai điện cực đồng trục, một đầu\r\nnối đất, một giá đỡ cáp và một bộ khuếch đại trở kháng truyền. Điện cực phía\r\nngoài được sử dụng như màn chắn tĩnh điện để giảm sai số đo do ghép nối tĩnh\r\nđiện từ cáp chạy dọc theo.
\r\n\r\nMạch tương đương của đầu dò được thể hiện\r\ntrên Hình G.2. Khi có điện áp giữa cáp và đất thì điện áp cảm ứng xuất hiện\r\ngiữa điện cực bên trong và điện cực bên ngoài do cảm ứng tĩnh điện. Điện áp này\r\nđược phát hiện bởi bộ khuếch đại đầu vào trở kháng cao và chuyển thành trở kháng\r\nthấp nhờ bộ khuếch đại trở kháng truyền. Đầu ra được đo bằng máy thu đo.
\r\n\r\nG.2 Xác định đáp ứng tần số của hệ số phân áp
\r\n\r\nHình G.3 thể hiện bố trí thử nghiệm được dùng\r\nđể xác định đáp ứng tần số của đầu dò điện áp kiểu điện dung. Đầu dò này được\r\nkiểm tra xác nhận theo qui trình dưới đây.
\r\n\r\na) Chuẩn bị cáp giống với loại cáp được sử\r\ndụng với thiết bị cần thử nghiệm (EUT).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu sử dụng vài loại cáp với đầu\r\ndò thì phải sử dụng nhiều loại cáp đại diện khác nhau trong hiệu chuẩn và xác\r\nđịnh dải các kết quả. Hệ số phân áp (Fa) có thể được ước tính bằng\r\ncông thức (G.3), tuy nhiên, nên đo Fa cho từng cáp.
\r\n\r\nb) Đặt cơ cấu hiệu chuẩn lên mặt phẳng nền\r\nchuẩn, như thể hiện trên Hình G.3.
\r\n\r\nc) Nối cả hai đầu của cáp vào các cổng bên\r\ntrong của cơ cấu hiệu chuẩn (cổng 1, cổng 2) (xem Hình G.3).
\r\n\r\nd) Đặt đầu dò vào khối hiệu chuẩn và điều\r\nchỉnh vị trí của cáp để đi qua tâm.
\r\n\r\nLƯU Ý: Nếu đầu của các tấm của cơ cấu hiệu\r\nchuẩn quá gần với các đầu của đầu dò điện áp thì điện dung tạp tăng lên, có thể\r\nảnh hưởng bất lợi đến hiệu chuẩn ở tần số cao. Nếu đầu của các tấm của cơ cấu\r\nhiệu chuẩn quá xa do sới các đầu của đầu dò điện áp thì có thể tạo thành sóng\r\nđứng bên trong cơ cấu hiệu chuẩn ở tần số cao hơn. Các sóng đứng này có thể ảnh\r\nhưởng bất lợi đến hiệu chuẩn.
\r\n\r\ne) Nối cổng nối đất của đầu dò vào cổng nối\r\nđất bên trong của cơ cấu hiệu chuẩn. Nối cổng nối đất bên ngoài của cơ cấu hiệu\r\nchuẩn với mặt phẳng nền chuẩn. Dải nối đất cần có điện kháng thấp, càng ngắn\r\ncàng tốt và được để xa so với vị trí dây chui qua đầu dò điện áp.
\r\n\r\nf) Nối máy phát tín hiệu có trở kháng đầu ra\r\nbằng 50 với cổng phía ngoài của cổng 1 qua bộ suy giảm 10 dB.
\r\n\r\ng) Nối máy đo mức có trở kháng đầu vào bằng\r\n50 Ω với cổng phía ngoài của cổng 2 và kết cuối cổng đầu ra của đầu dò bằng trở\r\nkháng 50 Ω. Đo mức V trong dải tần qui định.
\r\n\r\nh) Nối máy đo mức với cổng đầu ra của đầu dò\r\nvà và kết cuối cổng đầu ra của cổng 2 bằng trở kháng 50 Ω. Đo mức U trong dải\r\ntần qui định.
\r\n\r\ni) Tính hệ số phân áp Fa = 20 log10|V/U|,\r\ntính bằng dB, từ các giá trị đo được.
\r\n\r\nG.3 Phương pháp đo để xác định ảnh hưởng của\r\ntrường điện bên ngoài
\r\n\r\nG.3.1 ảnh hưởng của trường điện bên ngoài
\r\n\r\nẢnh hưởng của trường điện bên ngoài xuất hiện\r\nqua ghép nối tĩnh điện với các cáp khác gần với đầu dò. Hình G.4 thể hiện mô\r\nhình ghép nối tĩnh điện và mạch tương đương của chúng. Cả điện áp phương thức\r\nchung Vx trên cáp #2 và điện áp V trên cáp #1 đều xuất hiện ở đầu\r\nnối vào của đầu dò điện áp trở kháng cao qua điện dung Cx và C như\r\nthể hiện trên Hình G.4 (a). Phải sử dụng màn chắn tĩnh điện để giảm độ ghép nối\r\ndo Cx tạo ra. Tuy nhiên, ảnh hưởng của trường điện bên ngoài do ghép\r\nnối tĩnh điện giữa điện cực bên ngoài và cáp khác (Cx) vẫn duy trì\r\nvì sự không hoàn hảo của màn chắn tĩnh điện, như thể hiện trên Hình G.4 (b).\r\nG.3.2 nêu qui trình đo để đánh giá ảnh hưởng của ghép nối tĩnh điện giữa điện\r\ncực bên ngoài và cáp khác. Ngoài ra, cần lưu ý rằng điện áp V bị ảnh hưởng bởi\r\nVx trừ khi |Zs| << |1/(j![](\"00907209_files/image031.gif\"){kind=small}
CC)|.
G.3.2 Phương pháp đo để xác định ảnh hưởng\r\ncủa trường điện bên ngoài
\r\n\r\nẢnh hưởng của trường điện bên ngoài gây ra do\r\nghép nối tĩnh điện do màn chắn tĩnh điện bị hạn chế được đo bằng cách sử dụng\r\nbố trí thử nghiệm được thể hiện trên Hình G.5. Qui trình đo như sau:
\r\n\r\na) Đo hệ số phân áp, Fa = 20 log10|V/U|,\r\nsử dụng phương pháp ở Điều G.2.
\r\n\r\nb) Đặt đầu dò điện áp kiểu điện dung bên cạnh\r\ncáp, ở khoảng cách “s” bằng 1 cm (xem Hình G.5).
\r\n\r\nc) Nối cổng nối đất của đầu dò với cổng nối\r\nđất bên trong của khối. Nối cổng nối đất bên ngoài của khối với mặt phẳng nền\r\nchuẩn.
\r\n\r\nd) Nối máy phát tín hiệu có trở kháng đầu ra\r\n50 Ω với cổng bên ngoài của cổng 1 qua bộ suy giảm 10 dB.
\r\n\r\ne) Nối máy thu đo có trở kháng đầu vào 50 Ω\r\nvới cổng bên ngoài của cổng 2 và kết cuối cổng đầu ra của đầu dò bằng trở kháng\r\n50 Ω. Đo mức Vs trong dải tần qui định.
\r\n\r\nf) Nối máy thu đo với cổng đầu ra của đầu dò\r\nvà và kết cuối cổng đầu ra của cổng 2 bằng trở kháng 50 Ω. Đo mức U trong dải\r\ntần qui định.
\r\n\r\ng) Độ giảm ảnh hưởng được xác định là Fs\r\n= Fa/(Vs/Us) từ các giá trị đo được.
\r\n\r\nG.4 Đáp ứng xung
\r\n\r\nĐầu dò điện áp kiểu điện dung được kết cấu là\r\nphần của hệ thống đo, kể cả máy thu nhiễu. Đầu dò này không ảnh hưởng đến tính\r\nnăng của máy thu đo như mô tả trong Điều 4. Đáp ứng đầu do với các xung phải\r\nđược đo vì đầu dò điện áp kiểu điện dung có chứa mạch chủ động. Đáp ứng này\r\nđược đo bằng cách sử dụng máy phát xung như mô tả trong Phụ lục B và C của TCVN\r\n6989-1-1 (CISPR 16-1-1) đối với băng B.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đo đáp ứng xung sử dụng máy phát\r\nxung là khó khăn. Năng lực xung của đầu dò có thể được thử nghiệm để đo tính\r\ntuyến tính sử dụng tín hiệu CW có giá trị đỉnh bằng với giá trị đỉnh của xung.\r\nĐiều này có thể được hoàn thành vì đầu dò không có bộ phát hiện và bộ lọc thông\r\ndải. Có thể yêu cầu bộ suy giảm để giảm thiểu biên độ của tín hiệu phản xạ vì\r\nsử dụng cáp đồng trục giữa máy phát tín hiệu và cơ cấu thử nghiệm. Nếu không\r\ncần ổn định đáp tuyến tần số thì không cần bộ suy giảm.
\r\n\r\nĐáp tuyến xung của máy phát xung là 0,316\r\n(MVs) từ 0,15 MHz đến 30 MHz như thể hiện trong Bảng B.1 của TCVN 6898-1-1\r\n(CISPR 16-1-1). Phổ tín hiệu của máy phát xung gần như là hằng số đến 30 MHz.\r\nĐộ rộng xung, ![](\"00907209_files/image063.gif\")
, được đưa ra xấp xỉ bằng
= 1/(p¦m)\r\n(G.1)
trong đó fm bằng 30 MHz. Do đó,
Biên độ xung, A, được cho bởi:
\r\n\r\n = 29,8 V (G.2)
Điều này chỉ ra rằng đầu dò điện áp kiểu điện\r\ndung duy trì tuyến tính đến 30 V.
\r\n\r\nĐộ tuyến tính được thử nghiệm bằng cách đo hệ\r\nsố phân áp, Fa, khi biên độ của máy phát tín hiệu biến đổi đến 30 V.
\r\n\r\nG.5 Sự phụ thuộc của hệ số phân áp
\r\n\r\nHệ số phân áp của đầu dò điện áp kiểu điện\r\ndung phụ thuộc vào bán kính và vị trí của cáp cần thử nghiệm trong điện cực bên\r\ntrong của CVP. Mặc dù giá trị của hệ số phân áp là cần thiết cho các phép đo\r\nnhiễu nhưng việc tính toán hệ số cho loại cáp bất kỳ có thể khó khăn. Một\r\nnghiên cứu đã được thực hiện để đánh giá ảnh hưởng của cấu hình cáp lên hệ số\r\nphân áp.
\r\n\r\nSự phụ thuộc của hệ số phân áp đã được nghiên\r\ncứu sử dụng phép đo và phân tích lý thuyết. Hình G.6 chỉ ra độ lệch hệ số phân\r\náp khi vị trí cáp thay đổi trong điện cực. Trong Hình G.6, “a” là bán kính cáp,\r\n“b” là bán kính bên trong của điện cực bên trong, “c” là bán kính bên trong của\r\nđiện cực bên ngoài (màn chắn tĩnh điện) và “g” là khoảng cách từ tâm của điện\r\ncực bên trong đến tâm của cáp. Cáp được thay bằng thanh đồng theo kinh nghiệm.\r\nTrục hoành chỉ ra tỷ số phân cách, g/(b-a). Đường nét liền thể hiện kết quả\r\ntính toán có được từ biến thiên điện dung giữa điện cực bên trong và cáp và\r\nđường nét đứt là các giá trị đo được. Từ đó, dữ liệu của phép đo nhất quán với\r\ndữ liệu tính được. Tuy nhiên, độ nhạy của đầu dò điện áp kiểu điện dung không\r\nphụ thuộc vào việc thay đổi vị trí cáp trong điện cực bên trong đến tỷ số phân\r\ncách bằng 0,8. Do đó, để giảm thiểu sai số của phép đo, cáp cần thử nghiệm phải\r\nđược điều chỉnh để đi qua tâm của đầu dò.
\r\n\r\nHình G.7 thể hiện sự phụ thuộc của bán kính\r\ncáp. Trục thẳng đứng chỉ ra độ lệch của hệ số phân áp Fa.
\r\n\r\nĐường liền nét thể hiện các kết quả tính được\r\nsử dụng công thức dưới đây:
\r\n\r\n| \r\n
| \r\n \r\n (G.3) \r\n | \r\n
![](\"00907209_files/image064.jpg\")
trong đó ![](\"00907209_files/image065.gif\"){kind=small}
là\r\nhằng số điện môi, aref là bán kính cáp sử dụng làm chuẩn, và các\r\nhằng số khác được xác ịnh trong Hình G.1. Cp, là hệ số khuếch đại\r\ncủa bộ khuếch đại trở kháng truyền, có được từ phép đo.
Các giá trị được vẽ đồ thị thể hiện kết quả\r\ncủa phép đo đối với nhiều cáp. Bán kính tương đương của từng cáp được tính theo\r\ndiện tích bề mặt của từng sợi dây có trong cáp và được so sánh với diện tích bề\r\nmặt của thanh đồng. Số sợi dây trong cáp thay đổi từ 1 đến 12. Con số chỉ ra\r\nrằng các kết quả tính toán là nhất quán với kết quả đo sử dụng thanh đồng. Do\r\nđó, độ lệch giữa các kết quả đo được đối với cáp thực tế và giá trị tính được\r\nnằm trong phạm vi 2 dB. Kết quả này chứng tỏ rằng hệ số phân áp có thể tính gần\r\nđúng theo công thức (G.3) sử dụng diện tích bề mặt của từng cáp.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image066.jpg\")
Lưu ý:
\r\n\r\n1) Cơ cấu cố định cáp được dùng để định tâm\r\ncáp cần thử nghiệm bên trong đầu dò. Hạng mục này có thể đóng vai trò là chất\r\nđiện môi, làm tăng điện dung giữa cáp cần thử nghiệm và điện cực bên trong đầu\r\ndò điện áp.
\r\n\r\n2) Cách ly với trường điện bên ngoài là cần\r\nthiết để giữ bộ cảm biến trên dây dẫn nguồn lưới khỏi ghép nối vào trong mạch\r\nđầu dò điện áp.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n |
| \r\n b 25 mm \r\n | \r\n \r\n Cp 5 pF \r\n | \r\n
| \r\n c 55 mm \r\n | \r\n \r\n Rp 1 MΩ \r\n | \r\n
| \r\n d 100 mm \r\n | \r\n \r\n
| \r\n
| \r\n C 8 pF \r\n | \r\n \r\n Rp >> | \r\n
| \r\n (Đường kính cáp bằng 26 mm) \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Cs 7 pF \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Giá trị điển hình không phải là giá trị\r\n được yêu cầu/qui định và các phối hợp khác nhất quán với “đặc tính” ở 5.1.2\r\n là chấp nhận được. \r\n | \r\n |
![](\"00907209_files/image068.gif\")
![](\"00907209_files/image069.gif\")
![](\"00907209_files/image071.jpg\")
![](\"00907209_files/image072.jpg\")
| \r\n
| \r\n \r\n Chú dẫn: \r\na Bán kính của cáp \r\nb Bán kính bên trong của điện cực bên trong \r\nc Bán kính bên trong của điện cực bên ngoài \r\ng Khoảng cách giữa các tâm của điện cực bên\r\n trong và cáp \r\n | \r\n
![](\"00907209_files/image074.jpg\")
![](\"00907209_files/image075.jpg\")
\r\n\r\n
Với mục đích giảm ảnh hưởng của trở kháng\r\nnguồn lưới thực tế chưa biết lên trở kháng V-AMN, hệ số khử ghép nhỏ nhất (độ\r\ncách ly) giữa cổng nguồn và cổng máy thu đối với đầu nối cho trước của cổng EUT\r\ncó thể được qui định. Chênh lệch giữa các loại V-AMN khác nhau có thể cần xem\r\nxét đến.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image076.jpg\")
U1 được đo riêng rẽ bằng cách kết\r\ncuối nguồn bằng trở kháng 50 Ω.
\r\n\r\nU2 có thể được xác định ở cổng EUT\r\nhoặc cổng máy thu; ở 4.7.2 xác định ở cổng máy thu.
\r\n\r\nGiá trị 40 dB của độ cách ly (20 log(U1/U2))\r\nđược thỏa mãn nếu, ví dụ Rx = 4 950 Ω. Nếu trở kháng ở cổng nguồn bị\r\nngắn mạch hoặc hở mạch thì biến thiên trở kháng ở cổng EUT sẽ là 1 %. Do đó, để\r\ngiữ ảnh hưởng của trở kháng nguồn lưới lên trở kháng AMN dưới 1 % cần có độ\r\ncách ly 40 dB (qui trình đo chi tiết được nêu ở 4.7). Phép tính độ không đảm\r\nbảo đo ở CISPR 16-4-2 dựa trên dung sai trở kháng bằng 20 % và không có ảnh\r\nhưởng từ cổng nguồn lưới. Không thể đảm bảo là không có ảnh hưởng. Tuy nhiên,\r\nvới độ cách ly 40 dB, cho phép dung sai 1 % đối với ảnh hưởng của cổng nguồn\r\nlưới, tức là, ví dụ, nếu sự góp phần vào độ không đảm bảo đo của dung sai trở\r\nkháng AMN là 2,6 dB thì sự góp phần vào độ không đảm bảo đo của kết cuối cổng nguồn\r\nlưới là khoảng 0,13 dB (được tính trong lượng 2,6 dB – không được thêm vào).
\r\n\r\nNgoài ra, độ cách ly 40 dB góp phần hạn chế\r\nảnh hưởng của đầu nối cổng nguồn lưới lên hệ số phân áp và giúp giữ cho nhiễu\r\ntừ cổng nguồn lưới thấp hơn mức tới hạn. Việc triệt nhiễu tốt hơn nữa cũng có\r\nthể đạt được bằng cách lọc bổ sung.
\r\n\r\nPhản hồi từ nhà chế tạo đã chỉ ra rằng giá\r\ntrị 40 dB có thể dễ dàng đạt được bằng cách thêm vào một tụ điện giữa đầu nối\r\ncổng nguồn lưới và đất.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Đối với CISPR 16-4-2, lượng UCISPR\r\nđược tính dựa vào giả thiết “đường tròn độ không đảm bảo đo” ∆Zin (xem\r\nHình I.1), cũng có thể được xác định lại là đường tròn dung sai trở kháng.
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image077.jpg\")
Tuy nhiên, bộ phân tích mạng đã có không cho\r\nphép xác định đường tròn dung sai đối với trở kháng. Có thể yêu cầu phần mềm bổ\r\nsung cho mục đích này. Do đó, nên sử dụng yêu cầu kỹ thuật đã có về dung sai\r\nbiên độ và thêm yêu cầu kỹ thuật cho dung sai pha. Sử dụng các hàm số lượng\r\ngiác, giá trị của ∆![](\"00907209_files/image078.gif\")
= 11,54o theo sau\r\n∆|Z|/|Z| = 0,2.
CISPR 16-4-1 có thể được lấy làm cơ sở lý\r\nthuyết đối với độ không đảm bảo đo và độ tái lập của phép đo phát xạ dẫn sử\r\ndụng V-AMN. Để giải thích ảnh hưởng của độ lệch tính từ pha qui định của V-AMN,\r\ncó thể sử dụng công thức (6-5) của CISPR 16-4-1:
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image079.jpg\")
trong đó
\r\n\r\nUmt là số đọc điện áp thực ở máy\r\nthu CISPR ở tình trạng lý tưởng;
\r\n\r\nZ13 là trở kháng lý tưởng của\r\nV-AMN;
\r\n\r\nZin = Z13 + ∆Zin
\r\n\r\nZd0, Ud0 là giá trị\r\nthực của các tham số nguồn nhiễu (tức là EUT);
\r\n\r\n![](\"00907209_files/image083.gif\"){kind=small}
,,
![](\"00907209_files/image085.gif\"){kind=small}
là\r\nđộ lệch so với các giá trị thực hoặc lý tưởng.
Vì chỉ quan tâm đến ảnh hưởng của dung sai\r\npha lên độ không đảm bảo đo nên các góp phần ![](\"00907209_files/image082.gif\"){kind=small}
,
và
![](\"00907209_files/image086.jpg\")
Giá trị tuyệt đối của hệ số c2 được\r\nchỉ ra là hàm của chênh lệch góc pha d0 =
AMN -
EUT của các trở kháng của Zin\r\nvà Zd0 = ZEUT trong Hình 15 của CISPR 16-4-1 với nhiều\r\ngiá trị của tỷ số |Z13/Zd0|.
Giá trị tuyệt đố của c2 được tính\r\nsử dụng bảng tính cho nhiều giá trị của EUT\r\n(0o, -45o, -90o), AMN\r\n(0o, 30o, 46o), Z13/Zd0I\r\n(0,1; 0,2; 0,4; 0,8; 1,0; 1,4) và đối với AMN\r\n(-23o; -11,5o; 11,5o; 23o). Với mục\r\nđích kiểm tra xác nhận này, giá trị tuyệt đối của hệ số ∆Zin/ Z13\r\nđược đặt bằng 0,2 (tức là đến giá trị lớn nhất của dung sai biên độ trở kháng),\r\ntức là:
![](\"00907209_files/image087.jpg\")
Để so sánh độ lệch mức điện áp do độ lệch\r\npha, thuật giải logarit được tính như sau:
\r\n\r\nĐộ lệch mức = 20 log ![](\"00907209_files/image088.gif\"){kind=small}
Độ lệch mức được so sánh đối với các kết quả\r\nvới AMN = -23o và\r\n-11,5o cũng như với
Từ đó, các kết quả thu được là:
\r\n\r\nĐối với EUT\r\n= 0oAMN = 0
Đối với EUT\r\n= -45oAMN = 46
Đối với EUT\r\n= -45oAMN = 30
Đối với EUT\r\n= -90oAMN = 46
Lời bình: Việc so sánh các độ lệch mức đối\r\nvới AMN = 11,5o và\r\n23o chỉ ra rằng độ tái lập của phép đo không chỉ bị ảnh hưởng bởi\r\ntrở kháng V-AMN mà còn bị ảnh hưởng bởi tần số (xác định
EUT. Người đọc có thể dễ\r\ndàng hiểu được bằng cách nhìn vào Hình 15 của CISPR 16-4-1.
Kết luận: Việc nghiên cứu ở trên chỉ ra rằng việc\r\nxác định dung sai của biên độ trở kháng đầu vào V-AMN là không đủ. Giới hạn dung\r\nsai pha của trở kháng đầu vào V-AMN bằng cách sử dụng |![](\"00907209_files/image089.gif\"){kind=small}
|\r\n= 11,5o không gây ra vấn đế trong chế tạo đối với V-AMN nhưng cải\r\nthiện độ tái lập của phép đo đối với các EUT giống nhau.
\r\n\r\n
Lời nói đầu
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\n1 Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2 Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3 Định nghĩa
\r\n\r\n4 Mạng nguồn giả
\r\n\r\n4.1 Trở kháng AMN
\r\n\r\n4.2 Mạng nguồn giả V 50 Ω/50
4.3 Mạng nguồn giả V 50 Ω/50
4.4 Mạng nguồn giả V 50 Ω/50
4.5 Mạng nguồn giả V 150 Ω (để sử dụng trong\r\ndải tần từ 150 kHz đến 30 MHz)
\r\n\r\n4.6 Mạng nguồn giả tam giác 150 Ω (để sử dụng\r\ntrong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz)
\r\n\r\n4.7 Cách ly
\r\n\r\n4.8 Khả năng mang dòng và sụt điện áp nối\r\ntiếp
\r\n\r\n4.9 Thay đổi đấu nối đất chuẩn
\r\n\r\n4.10 Hiệu chuẩn hệ số phân áp của mạng V\r\nnguồn giả
\r\n\r\n5 Đầu dò dòng điện và đầu dò điện áp
\r\n\r\n5.1 Đầu dò dòng điện
\r\n\r\n5.2 Đầu dò điện áp
\r\n\r\n6 Khối ghép nối để đo miễn nhiễm dòng điện\r\ndẫn
\r\n\r\n7 Cơ cấu ghép nối để đo đường tín hiệu
\r\n\r\n7.1 Yêu cầu đối với mạng giả không đối xứng\r\n(AAN hoặc mạng Y)
\r\n\r\n7.2 Yêu cầu đối với mạng giả dùng cho cáp\r\nđồng trục và cáp có màn chắn khác
\r\n\r\n8 Tay giả và phần tử RC mắc nối tiếp
\r\n\r\n8.1 Giới thiệu
\r\n\r\n8.2 Kết cấu của tay giả và phần tử RC
\r\n\r\n8.3 Sử dụng tay giả
\r\n\r\nPhụ lục A (qui định) – Mạng nguồn giả
\r\n\r\nPhụ lục B (tham khảo) – Kết cấu, dải tần và\r\nhiệu chuẩn đầu dò dòng điện
\r\n\r\nPhụ lục C (tham khảo) – Kết cấu của khối ghép\r\nnối để truyền dòng điện ở dải tần từ 0,15 MHz đến 30 MHz
\r\n\r\nPhụ lục D (tham khảo) – Nguyên lý hoạt động\r\nvà ví dụ về khối ghép nối dùng cho phép đo miễn nhiễm dòng điện dẫn
\r\n\r\nPhụ lục E (qui định) – Ví dụ và phép đo tham\r\nsố của mạng giả không đối xứng (AAN)
\r\n\r\nPhụ lục F (qui định) – Ví dụ và phép đo các\r\ntham số của AN đối với cáp đồng trục và có màn chắn khác
\r\n\r\nPhụ lục G (tham khảo) – Kết cấu và đánh giá\r\nđầu dò điện áp kiểu điện dung
\r\n\r\nPhụ lục H (tham khảo) – Cơ sở để đưa vào hệ\r\nsố khử ghép nhỏ nhất giữa nguồn lưới và cổng EUT/máy thu dùng cho V-AMN
\r\n\r\nPhụ lục I (tham khảo) – Cơ sở để đưa vào dung\r\nsai pha đối với trở kháng đầu vào V-AMN
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6989-1-2:2010 (CISPR 16-1-2:2006) về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-5: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị phụ trợ – Nhiễu dẫn đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6989-1-2:2010 (CISPR 16-1-2:2006) về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-5: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị phụ trợ – Nhiễu dẫn
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN6989-1-2:2010 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2010-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |