Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 6697-5 : 2009 thay thế TCVN\r\n6697-5: 2000;
\r\n\r\nTCVN 6697-5 : 2009 hoàn toàn tương\r\nđương với IEC 60268-5: 2007;
\r\n\r\nTCVN 6697-5 : 2009 do Ban kỹ thuật\r\ntiêu chuẩn TCVN/TC/E3 Thiết bị điện tử dân dụng biên soạn,
Tiêu chuẩn này áp dụng cho các loa của\r\nhệ thống âm thanh được coi là các phần tử hoàn toàn thụ động. Tiêu chuẩn này\r\nkhông áp dụng cho các loa có lắp sẵn khuếch đại.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Thuật ngữ "loa"\r\ndùng trong tiêu chuẩn này liên quan tới cả các bộ kích của loa và cũng liên\r\nquan đến hệ thống loa có một hay nhiều bộ kích được cung cấp cùng với ván loa,\r\nhộp loa hoặc ống dẫn và các phụ kiện kèm theo liên quan như các bộ lọc chéo lắp\r\nsẵn, biến áp và các phần tử thụ động khác.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này nhằm đưa ra các đặc\r\ntính quy định và các phương pháp đo thích\r\nhợp đối với các loa bằng cách sử dụng tín hiệu hình sin hoặc tín hiệu tạp hoặc\r\ntín hiệu xung quy định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Các phương pháp đo nêu\r\ntrong tiêu chuẩn này được lựa chọn để thích hợp nhất với các đặc tính đó.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Nếu sử dụng các phương\r\npháp đo khác nhưng cũng đạt được các kết quả tương đương thì phải mô tả chi tiết các phương pháp đó cùng với kết quả.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 4: Các hạng mục sau đây đang\r\nđược xem xét:
\r\n\r\n- loa có lắp sẵn khuếch đại;
\r\n\r\n- các phép đo trong
- các phương pháp đo với tín hiệu\r\nkhông phải là hình sin hoặc tạp hoặc xung.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác tài liệu viện dẫn dưới đây là cần\r\nthiết để áp dụng tiêu chuẩn này. Các tài liệu có ghi năm công bố thì áp dụng bản\r\nđược nêu, các tài liệu không ghi năm công bố thì áp dụng bản mới nhất (kể cả\r\ncác sửa đổi).
\r\n\r\nIEC 60050(151), International\r\nElectrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 151: Electrical and magnetic devices\r\n(Từ vựng kỹ thuật điện - Phần 151: Thiết bị điện và Thiết bị từ)
\r\n\r\nIEC 60263, Scales and sizes for\r\nplotting f
TCVN 6697-1 : 2000 (IEC 60268 -1 :\r\n1985, amendment 1: 1992 và amendment 2: 1996), Thiết bị hệ thống âm thanh - Phần\r\n1: Quy định chung.
\r\n\r\nIEC 60268-2, Sound system equipment -\r\nPart 2: Explanation of general terms and calculation methods (Thiết bị hệ thống\r\nâm thanh - Phần 2: Giải thích các thuật ngữ chung và phương pháp tính toán)
\r\n\r\nIEC 60268-3, Sound system equipment -\r\nPart 3: Amplif
IEC 60268-11, Sound system equipment -\r\nPart 11: Application of connectors for the interconnection of sound system\r\ncomponents (Thiết bị hệ thống âm thanh - Phần 11: Bộ nối dùng để liên kết các bộ\r\nphận của hệ thống âm thanh)
\r\n\r\nIEC 60268-12, Sound system equipment -\r\nPart 12: Application of connectors for broadcast and similar use (Thiết bị hệ\r\nthống âm thanh - Phần 12: Bộ nối dùng cho truyền thông quảng bá và mục đích sử\r\ndụng tương tự)
\r\n\r\nIEC 60268-14, Sound system equipment -\r\nPart 14: Circular and elliptical loudspeakers; outer frame diameters and\r\nmounting dimensions (Thiết bị hệ thống âm thanh - Phần 14: Loa elíp và loa\r\ntròn; đường kính vành ngoài và kích thước lắp đặt)
\r\n\r\nIEC 60651, Sound level meters (Máy đo\r\nmức âm thanh)
\r\n\r\nIEC 61260, Electroacoustics -\r\nOctave-band and fractional-octave-band filters (Điện thanh học - bộ lọc dải octave\r\nphân đoạn và bộ lọc dải octave)
\r\n\r\nISO 3741, Acoustics - Determination of\r\nsound power levels of noise sources using sound pressure - Precision methods\r\nfor reverberation rooms (Âm học - Định nghĩa về các mức công suất âm thanh của\r\ncác nguồn tạp sử dụng thanh áp - Các phương pháp xác định đối với phòng vang).
\r\n\r\nISO 3744, Acoustics - Determination of\r\nsound power levels of noise sources using sound pressure - Engineering methods\r\nin an essentially free field over a reflecting plane (Âm học - Định nghĩa về\r\ncác mức công suất âm thanh của các nguồn tạp sử dụng thanh áp - Phương pháp thiết\r\nkế trong lĩnh vực trường tự do cơ bản trên mặt phản xạ)
\r\n\r\nISO 3745, Acoustics - Determination of\r\nsound power levels of noise sources - Precision methods for anechoic and\r\nsemi-anechoic rooms (Âm học - Định nghĩa về các mức công suất âm thanh của các\r\nnguồn tạp - Các phương pháp xác định cho phòng không vang và phòng bán vang)
\r\n\r\n\r\n\r\n3.1. Điều
Tiêu chuẩn này sử dụng cùng với với\r\nTCVN 6697-1 (IEC 60268-1), IEC 60268-2 và ISO 3741.
\r\n\r\n3.2. Điều
3.2.1. Điều
Để thuận tiện cho việc
Các giá trị sau đây thuộc loại này và\r\nphải được nhà chế tạo nêu ra:
\r\n\r\n- trở kháng danh định;
\r\n\r\n- công suất hoặc điện áp hình sin danh\r\nđịnh;
\r\n\r\n- công suất hoặc điện áp tạp danh định;
\r\n\r\n- dải tần danh định;
\r\n\r\n- mặt phẳng chuẩn;
\r\n\r\n- điểm chuẩn;
\r\n\r\n- trục chuẩn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giải thích đầy đủ của thuật\r\nngữ "danh định" được cho trong IEC 60268-2. Xem thêm 151-04-03 trong\r\nIEC 60050(151).
\r\n\r\n3.2.2. Điều kiện
Loa được hiểu là làm việc trong những\r\nđiều kiện đo bình thường khi tất cả các điều\r\nkiện sau đây đã được thực hiện:
\r\n\r\na) loa cần đo được lắp đặt theo Điều\r\n10;
\r\n\r\nb) môi trường âm được
c) loa được bố trí tương quan với\r\nmicrô đo và các vách ngăn, theo Điều 7;
\r\n\r\nd) loa được cung cấp tín hiệu thử nghiệm\r\nquy định (theo Điều 4) có điện áp
e) nếu có sử dụng các bộ suy giảm thì\r\nphải đặt ở vị trí "bình thường" theo quy\r\nđịnh của nhà chế tạo. Nếu chọn những tư thế khác, ví dụ chọn tư thế để đạt\r\nđược đáp tuyến tần số bằng phẳng nhất hoặc độ suy giảm lớn nhất thì phải nói rõ\r\ncác tư thế đó;
\r\n\r\nf) thiết bị đo thích hợp để xác định đặc\r\ntính mong muốn được nối vào mạch đo (theo Điều 8).
\r\n\r\n\r\n\r\n4.1. Quy định
Các phép đo về âm phải được tiến hành ở\r\nmột trong các điều kiện tín hiệu đo sau đây, nếu chọn điều kiện nào phải ghi rõ cùng với kết quả.
\r\n\r\n4.2. Tín hiệu hình sin
\r\n\r\nTín hiệu thử nghiệm hình sin không được\r\nvượt quá điện áp hình sin danh định tại bất kỳ tần số nào (xem 17.4). Nếu không\r\ncó quy định nào khác thì điện áp đặt lên\r\nđầu nối vào của loa cần thử nghiệm phải được giữ không đổi ở tất cả các tần số.
\r\n\r\n4.3. Tín hiệu tạp băng tần rộng
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thuật ngữ này được giải\r\nthích trong IEC 60268-2.
\r\n\r\nHệ số đỉnh của nguồn tạp nên dùng\r\ntrong khoảng 3 và 4 để ngăn ngừa sự quá tải của của bộ khuếch đại.
\r\n\r\nVôn mét đo giá trị r.m.s (giá trị hiệu\r\ndụng) sử dụng phải có hằng số thời gian ít nhất bằng hằng số "chậm" của\r\nmáy đo mức âm thanh như nêu ra trong IEC 60651.
\r\n\r\n4.4. Tín hiệu tạp băng tần hẹp
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thuật ngữ này được giải\r\nthích trong IEC 60268-2.
\r\n\r\nĐối với phép đo dùng tạp băng tần hẹp,\r\nphải sử dụng các bộ lọc có độ rộng băng tần gần như không đổi
4.5. Tín hiệu xung
\r\n\r\nPhải có một xung hẹp có phổ công suất\r\nkhông đổi trên mỗi đơn vị độ rộng băng tần trên toàn bộ băng tần ở ít nhất là độ\r\nrộng băng tần thích hợp trong các phép đo này. Tín hiệu như vậy có năng lượng\r\ntương so với biên độ đỉnh của nó.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Để giảm thiểu
5.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\nCác phép đo về âm phải được tiến hành ở\r\nmột trong các điều kiện trường âm quy định\r\ntrong 5.2 và 5.6, việc chọn điều kiện nào phải ghi rõ điều kiện đó cùng với kết\r\nquả.
\r\n\r\n5.2. Điều kiện trường tự do
\r\n\r\nNếu các điều kiện về âm rất gần với\r\ncác điều kiện của không gian trường tự do, thì phải sử dụng môi trường (ví dụ\r\nphòng câm), trong đó thanh áp giảm theo khoảng cách (r) theo quy luật 1/r tính\r\ntừ điểm nguồn, có độ chính xác là ± 10 % trong vùng mà trường âm thanh c
Các điều kiện về trường tự do phải tồn\r\ntại trong toàn bộ dải tần của phép đo.
\r\n\r\n5.3. Các điều\r\nkiện về trường tự do nửa không gian
\r\n\r\nCác điều kiện về âm trong đó trường tự\r\ndo tồn tại trong nửa không gian, điều kiện này được thỏa mãn nếu có mặt phẳng\r\nphản xạ có kích thước đủ lớn sao cho thanh áp nhận được từ điểm nguồn âm đặt\r\ntrên bề mặt của mặt phẳng phản xạ này giảm theo cách quy định ở 5.2.
\r\n\r\n5.4. Các điều kiện về tr
CHÚ THÍCH 1: Các điều kiện nói trên\r\nthông thường chỉ dùng cho phép đo tạp băng tần.
\r\n\r\nNếu các điều kiện trường âm thanh khuếch\r\ntán để đo tạp giới hạn trong băng tần 1/3 octave như xác định và
CHÚ THÍCH 2: Nếu trong ISO 3741 có
CHÚ THÍCH 3: Độ chính xác của phép đo
CHÚ THÍCH 4: Đối với phép đo ở tần số\r\ndưới 125 Hz thể tích phòng lớn hơn 200 m3 là điều mong muốn.
\r\n\r\n5.5. Các điều\r\nkiện về trường tự do mô phỏng
\r\n\r\nNếu điều kiện về âm được sử dụng trong\r\nđó điều kiện trường tự do mô phỏng là tương đương với trường không gian tự do\r\ntrong khoảng thời gian cần thiết cho một phép đo thì điều kiện này phải được sử\r\ndụng.
\r\n\r\nCác điều kiện này phải được đáp ứng\r\ntrong một môi trường bất kỳ (ví dụ phòng rộng và không có vật cản) trong đó âm\r\nthanh do loa phát ra tương ứng với tín hiệu xung bị phản xạ bởi một mặt phẳng\r\nhay một vật bất kỳ trong môi trường đều không tới được micrô đo trước khi phép\r\nđo âm thanh theo đường trực tuyến tại micrô được thực hiện.
\r\n\r\nBất cứ sự phản xạ nào như vậy phải được\r\nngăn chặn không cho tới micrô khi đo bằng cách đặt cổng ngăn hoặc một phương tiện\r\nkhác.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Các điều kiện nói trên\r\nthường chỉ được dùng trong phép đo với tín hiệu xung.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Trong những điều kiện như\r\ntrên thì các phép đo kế tiếp nhau phải được cách quãng bằng những khoảng thời\r\ngian đủ để cho mức thanh áp do có vang trong không gian giảm tới giá trị không\r\nđáng kể.
\r\n\r\n5.6. Các điều kiện về trường tự do nửa\r\nkhông gian mô phỏng
\r\n\r\nSử dụng các điều kiện về âm trong đó\r\ntrường tự do mô phỏng tồn tại trong nửa không gian, các điều kiện đó có thể được\r\nthỏa mãn khi có mặt phẳng phản xạ tạo thành một mặt biên của môi trường trường\r\ntự do mô phỏng có kích thước đủ để không có phản xạ nào từ biên của nó tới được\r\nmicrô đo trong thời gian đo.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Các điều kiện nói trên\r\nthường chỉ được dùng trong phép đo với tín hiệu xung.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Trong những điều kiện như\r\ntrên thì các phép đo kế tiếp nhau phải được\r\ncách quãng bằng những khoảng thời gian đủ để cho mức thanh áp do độ vang trong\r\nkhông gian giảm tới giá trị không đáng kể.
\r\n\r\n6. Tạp âm và tạp diện\r\nkhông mong muốn
\r\n\r\nTạp âm và tạp điện không mong muốn phải\r\nđược giữ ở mức thấp nhất có thể được nếu như sự có mặt của chúng có thể che lấp\r\ncác tín hiệu có mức thấp.
\r\n\r\nCác dữ liệu liên quan đến các tín hiệu\r\ncó mức cao hơn mức tạp nhưng không nhỏ hơn 10 dB trong băng tần đang xét, đều\r\nđược loại bỏ.
\r\n\r\n\r\n\r\n7.1. Khoảng cách đo trong điều kiện\r\ntrường tự do và trường tự do nửa không gian
\r\n\r\n7.1.1. Điều kiện chung
\r\n\r\nCác phép đo trong điều kiện trường tự\r\ndo và trường tự do nửa không gian có thể được thực hiện ở trường xa của loa, để\r\nđạt được các kết quả nhất quán. Tuy nhiên, khoảng cách có thể sử dụng trong thực\r\ntế bị giới hạn vì những hạn chế của môi trường trong phòng đo và ảnh hưởng của\r\ntạp nền. Bởi vậy nên lấy khoảng cách đo là 0,5 m hoặc một số nguyên của mét và\r\nkết quả phải được quy về khoảng cách tiêu chuẩn là 1 m.
\r\n\r\n7.1.2. Loa có một bộ kích
\r\n\r\nĐối với kiểu loa này thì phải dùng khoảng\r\ncách đo là 1 m tính từ điểm làm chuẩn, trừ khi có những lý do chính đáng để\r\nđùng giá trị khác, trong mọi trường hợp khoảng cách đo phải được nêu ra.
\r\n\r\n7.1.3. Hệ thống có nhiều loa
\r\n\r\nHệ thống loa trong đó hai hoặc nhiều\r\nloa tái tạo cùng một băng tần gây ra giao thoa âm thanh tại điểm đo do tác động\r\nlẫn nhau của các âm thanh phát ra bởi các\r\nloa đó. Tình trạng này tồn tại cho dù tất cả các loa đều làm việc trên toàn bộ\r\nbăng tần đem thử hoặc là một vài loa làm việc trên các phần của băng tần đó (ví\r\ndụ như vùng giao nhau). Trong các trường hợp như vậy khoảng cách đo phải chọn\r\nsao cho giảm thiểu được sai số do hiện tượng này gây ra.
\r\n\r\n7.2. Định vị loa trong điều kiện trường\r\nkhuếch tán
\r\n\r\nVị trí và định hướng của loa so với\r\ncác bức tường phải được quy định bằng sơ\r\nđồ kèm theo kết quả đo.
\r\n\r\nCho phép bố trí để di chuyển đồng thời\r\ncả loa và micrô đo để đánh giá công suất do loa phát ra theo phương pháp mô tả\r\ntrong 22.1.2.2. Hệ thống micrô và vị trí micrô gần nhất phải đáp ứng yêu cầu của\r\nISO 3741.
\r\n\r\n7.3. Định vị loa và micrô trong
Khoảng cách đo phải được chọn theo 7.1\r\nđối với điều kiện trường tự do.
\r\n\r\nVị trí loa và micrô ở trong môi trường\r\nđo phải sao cho đạt được thời gian tối đa cho phép đo trước khi phản xạ không\r\nmong muốn đầu tiên tới micrô đo.
\r\n\r\nNếu không gian đo là một phòng không\r\nvang thì phải chú ý các phản xạ từ các đầu hình nêm, sàn cho nhân viên và các\r\ngiá đỡ của loa và micrô. Sai số do các nguồn này không được vượt quá 0,5 dB\r\ntrên toàn dải tần của phép đo.
\r\n\r\nPhải nêu rõ khoảng cách đặt micrô, thời\r\ngian để thu được tín hiệu lớn nhất và thực hiện trong môi trường nào.
\r\n\r\nCần thiết phải loại bỏ tất cả các đường\r\nra của micrô kể từ lúc phản xạ đầu tiên\r\nđưa tới micrô. Do đó sai số cắt cụt được đưa vào hàm chuyển đổi của phép đo trừ\r\nkhi đáp ứng của loa đối với tín hiệu thử nghiệm dạng xung là không đáng kể sau\r\nthời gian đó. Nếu có sai số cắt cụt thì giá trị của sai số này không được vượt\r\nquá 1 dB trong cả dải tần số của phép đo.
\r\n\r\n\r\n\r\nPhép đo trong điều kiện trường tự do\r\nhoặc trường tự do nửa không gian phải được thực hiện với micrô đo dạng thanh áp\r\ncó thanh áp hiệu chuẩn đã biết. Để đo trong điều kiện trường khuếch tán thì\r\nmicrô dạng thanh áp đem dùng phải có chỉ số tính hướng nhỏ hơn 2 dB. Cả hai yêu\r\ncầu trên đều phải đáp ứng đầy đủ đối với tất cả các tần số trong dải tần quan\r\ntâm.
\r\n\r\nBộ tạo tín hiệu, bộ khuếch đại cung cấp\r\ntín hiệu cho loa và thiết bị đo trong bộ khuếch đại micrô phải có đáp tuyến\r\nbiên độ đã biết trước và đáp tuyến này không thay đổi trong phạm vi ± 0,5 dB\r\ntrong dải tần liên quan và có độ phi tuyến biên độ không đáng kể trong điều kiện\r\nthử nghiệm. Tất cả các dụng cụ đo phải là loại đo giá trị hiệu dụng, có hằng số\r\nthời gian đủ lớn để đảm bảo sai số không lớn hơn 1 dB.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần đo đáp tuyến tần số bằng\r\nphương pháp tự động và vẽ ra các đường cong liên tục. Sai số do chọn tốc độ vẽ\r\n(theo cả hai trục biểu thị mức và tần số) của thiết bị ghi mức không được vượt\r\nquá 0,5 dB. Phải nêu rõ tốc độ vẽ đọc theo hai trục.
\r\n\r\n9. Độ chính xác của\r\nphép đo âm
\r\n\r\nPhải nêu rõ dải tần mà sai số
CHÚ THÍCH: Nguồn sai số có thể có\r\ntrong cả thiết bị đo và môi trường đo phải được nhận biết và xác định số lượng\r\ncũng như phải quy định sự đóng góp của\r\nchúng. Thông tin này phải có trong báo cáo thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\n10.1. Lắp đặt và mắc tải âm thanh của\r\ncác bộ kích
\r\n\r\nTính năng của bộ kích được xác định bởi\r\ncác tính chất của bản thân bộ kích đó và tải âm thanh của nó. Tải âm thanh phụ\r\nthuộc vào việc bố trí lắp đặt mà việc này phải được mô tả rõ ràng khi thể hiện\r\nkết quả.
\r\n\r\nMột trong ba kiểu lắp đặt sau đây được\r\nsử dụng:
\r\n\r\na) ván loa tiêu chuẩn, hộp loa đo tiêu\r\nchuẩn (kiểu A hoặc kiểu B), hoặc hộp loa quy định;
\r\n\r\nb) để tự do trong không khí, không có\r\nván loa hoặc hộp loa;
\r\n\r\nc) để trong trường tự do nửa không\r\ngian ngang bằng với mặt phẳng phản xạ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Điều kiện lắp đặt a) gần với\r\nđiều kiện trường tự do nửa không gian ở tần số giới hạn thấp hơn, giá trị này\r\ntuy thuộc vào khoảng cách đo được chọn. Các phép đo tiến hành ở tần số thấp hơn\r\ntần số giới hạn này chỉ có thể dùng cho mục đích so sánh.
\r\n\r\n10.2. Lắp đặt và mắc tải âm thanh của\r\nhệ thống loa
\r\n\r\nHệ thống loa thường được đo không có\r\nván loa bổ sung. Nếu nhà chế tạo quy định\r\nkiểu lắp đặt đặc biệt cho loa thì kiểu lắp đặt này phải được dùng cho phép đo\r\nvà phương pháp lắp đặt đó phải được nêu cùng kết quả.
\r\n\r\n11. Ván loa và hộp\r\nloa tiêu chuẩn dùng để đo
\r\n\r\n11.1. Ván loa tiêu chuẩn
\r\n\r\nVán loa tiêu chuẩn phải có bề mặt phía\r\ntrước phẳng để phản xạ được âm. Ván loa phải có kích thước theo Hình 2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Ván loa tiêu chuẩn phải làm\r\nbằng vật liệu có đủ độ dày để đảm bảo độ rung không đáng kể. Cạnh của phần tử\r\nxòe ra phải ngang bằng với bề mặt trước của\r\nván loa. Điều này có thể đạt được bằng cách sử dụng cạnh vát như Hình 3 hoặc\r\ndùng một ván đệm mỏng và cứng, có hoặc không có cạnh vát như Hình 4.
\r\n\r\n11.2. Hộp loa tiêu chuẩn dùng để đo
\r\n\r\n11.2.1. Quy định
Một trong hai kiểu hộp loa tiêu chuẩn\r\ndùng để đo quy định trong 11.2.3 (kiểu A)\r\nvà 11.2.4 (kiểu B) phải được sử dụng. Nhà\r\nchế tạo phải lựa chọn kiểu thử nghiệm và phải ghi rõ lựa chọn này.
\r\n\r\n11.2.2. Điều kiện
\r\n\r\nHộp loa phải có bề mặt phẳng hoặc cong\r\ncó đặc tính phản xạ được âm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Vật liệu phải có độ dày\r\nthích hợp sao cho có thể bỏ qua ảnh hưởng\r\ncủa rung khi đo. Nếu cần thiết, vật nối phải được sử dụng để gia cố giữa các bề\r\nmặt bao ngoài, tại tâm và xung quanh tâm để tránh rung động ván loa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Hộp phải kín gió.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Cạnh của loa phải được đặt\r\ntrên tấm phẳng giống như phần phía trước của ván loa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 4: Vật liệu hấp thụ âm thanh\r\nthích hợp phải được sử dụng để loại bỏ sự\r\nxuất hiện sóng đứng khác trong hộp loa. Các móc quai hoặc mối nối có thể lắp đặt\r\nnếu ảnh hưởng của chúng lên phản xạ âm và\r\nđộ rung không mong muốn là không đáng kể.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 5: Khi loa đặt vào trong hộp,\r\ncần phải chú ý để tránh rò rỉ không khí từ bên trong hộp loa.
\r\n\r\n11.2.3. Hộp loa tiêu chuẩn kiểu A dùng\r\nđể đo
\r\n\r\nHộp loa tiêu chuẩn kiểu A dùng để đo\r\nphải có kích thước như Hình 5.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Đặc tính đường cong hiệu\r\nchỉnh đối với ảnh hưởng nhiễu xạ hộp loa tiêu chuẩn dùng để đo tại khoảng cách\r\nđo 1 m trên trục chuẩn tính từ trường tự do đến trường\r\ntự do nửa không gian được trình bày trong Phụ lục A.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Tất cả bề mặt kiểu hộp\r\nnày là mặt phẳng và các mối nối của các bề mặt được thực hiện tại các góc.\r\nKhông cho phép thay đổi kích thước nào. Đặc tính nhiễu xạ có thể bị lặp lại do\r\nnguyên nhân này. Bởi vậy, kiểu A được sử dụng hữu ích khi phân tích, nghiên cứu\r\nhoặc so sánh đặc tính của loa một cách chi tiết.
\r\n\r\n11.2.4. Hộp loa tiêu chuẩn kiểu B dùng\r\nđể đo
\r\n\r\nHộp loa tiêu chuẩn kiểu B dùng để đo\r\nphải như thể hiện trên Hình 6.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Đặc tính đường cong hiệu\r\nchỉnh đối với ảnh hưởng nhiễu xạ hộp loa\r\ntiêu chuẩn dùng để đo tại khoảng cách đo 1 m trên trục chuẩn từ trường tự do đến\r\ntrường tự do nửa không gian được trình bày trong Phụ lục B.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Nếu yêu cầu hộp loa tiêu\r\nchuẩn kiểu B dùng để đo lớn hơn hoặc nhỏ hơn, thì hộp loa phải thỏa mãn yêu cầu\r\ntỷ lệ như Phụ lục B, Hình B.2 và Bằng B.1. Trong trường hợp này báo cáo cần phải\r\nnêu ra các kích thước ngoài và thể tích thực của hộp loa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Sự thay đổi theo tỷ lệ là\r\ncho phép. Khuyến cáo rằng sử dụng hộp loa tiêu chuẩn dùng để đo như Hình 6 đối\r\nvới các phép đo âm. Hộp tỷ lệ thích hợp được sử dụng đối với thử nghiệm chủ\r\nquan.
\r\n\r\n\r\n\r\nTrong loa thường xuyên có sự thay đổi\r\nví dụ như sự chuyển động của màng loa. Vì vậy loa nên được ổn định trước khi đo\r\nbằng cách đưa vào một chương trình tín hiệu mô phỏng (xem TCVN 6697-1 (IEC\r\n60268-1)) ở mức điện áp tạp danh định ít nhất là trong 1 h.
\r\n\r\nSau thời gian ổn định trước, loa phải\r\nđược phục hồi trong thời gian ít nhất là 1 h trước khi thực hiện phép đo, trong\r\nthời gian hồi phục này loa phải được ngắt điện.
\r\n\r\n\r\n\r\n13.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\nNhà chế tạo phải mô tả về kiểu như
CHÚ THÍCH: Xem Bảng 1 và Phụ lục C.
\r\n\r\n13.2. Bộ kích loa
\r\n\r\n13.2.1. Nguyên lý của bộ chuyển đổi
\r\n\r\nNguyên lý của bộ chuyển đổi phải được
13.2.2. Kiểu
\r\n\r\nKiểu của bộ kích loa phải được quy định,\r\nví dụ như phát ra trực tiếp hoặc phát qua ống dẫn, một hoặc nhiều bộ kích.
\r\n\r\n13.3. Hệ thống loa
\r\n\r\nSố lượng và kiểu của các bộ kích và\r\nnguyên lý mang tải âm thanh phải được quy định,\r\nví dụ như hộp loa, ống dẫn, phản xạ âm trầm, hàng dọc hoặc hàng ngang.
\r\n\r\n14. Ghi nhãn đầu nối\r\nvà các bộ phận điều khiển
\r\n\r\n14.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\nCác đầu nối và các nút điều khiển phải\r\nđược ghi nhãn theo TCVN 6697-1 (IEC 60268-1) và IEC 60268-2.
\r\n\r\n14.2. Đầu nối dương
\r\n\r\n14.2.1. Đặc tính cần
Đầu nối của bộ kích (xem chú thích 1 ở\r\nĐiều 1), mà tại đó đặt một điện áp dương so với đầu nối khác làm cho thanh áp\r\ntăng lên ở mặt trước của bộ kích thì đầu nối đó phải được
14.2.2. Ký hiệu
\r\n\r\nĐầu nối dương phải được ghi ký hiệu +,\r\nhoặc đánh dấu màu đỏ, hoặc do nhà chế tạo quy định.
\r\n\r\n14.2.3. Phương pháp thử nghiệm
\r\n\r\nĐặt điện áp có cực tính dương lên đầu\r\nnối là cực dương. Khảo sát sự thay đổi thanh áp tại điểm sát với mặt trước của\r\nbộ kích. Ký hiệu là đúng nếu thanh áp tăng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Sự tăng thanh áp được tạo\r\nbởi sự trệch khỏi trục dương, ví dụ màng loa phải tiến gần hơn tới micrô.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Tất cả các phương pháp mà\r\ncó cùng kết quả đều có thể được sử dụng.
\r\n\r\n15. Mặt phẳng chuẩn,\r\nđiểm chuẩn và trục chuẩn
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Đây là các
CHÚ THÍCH 2: Phải ghi thêm chữ\r\n"danh định" vào các thuật ngữ trên (ví dụ mặt phẳng chuẩn danh định)\r\nvì chúng được nhà chế tạo quy định và\r\nkhông thể đo được, nhưng cách dùng thuật ngữ rút gọn không được gây hiểu nhầm.
\r\n\r\n15.1. Mặt phẳng chuẩn - đặc tính
Mặt phẳng chuẩn có liên quan đến một số\r\ntính năng vật lý của bộ kích loa hoặc của hộp loa phải được nhà chế tạo
Mặt phẳng chuẩn được dùng để xác định\r\nvị trí của điểm chuẩn và hướng của trục chuẩn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đối với kết cấu đối xứng, mặt\r\nphẳng chuẩn thường song song với bề mặt phát xạ hoặc với mặt phẳng xác định mặt\r\ntrước của bộ kích loa hoặc của hệ thống loa. Đối với cấu trúc không đối xứng, tốt\r\nnhất là dùng một đồ thị để biểu thị mặt phẳng chuẩn.
\r\n\r\n15.2. Điểm chuẩn - đặc tính
Điểm trên mặt phẳng chuẩn được
CHÚ THÍCH: Đối với cấu trúc đối xứng,\r\nđiểm chuẩn thường là điểm đối xứng hình học; đối với cấu trúc không đối xứng\r\nthì tốt nhất là dùng một đồ thị để biểu thị điểm chuẩn này.
\r\n\r\n15.3. Trục chuẩn - đặc tính
Đường thẳng đi qua mặt phẳng chuẩn tại\r\nđiểm chuẩn và theo hướng do nhà chế tạo quy định.\r\nTrục chuẩn phải được dùng làm trục chuẩn zero cho các phép đo tính hướng và đáp\r\ntuyến tần số.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đối với cấu trúc đối xứng,\r\ntrục chuẩn thường vuông góc với bề mặt\r\nphát xạ hoặc vuông góc với mặt phẳng chuẩn.
\r\n\r\n16. Trở kháng và các\r\nđặc tính dẫn xuất
\r\n\r\n16.1. Trở kháng danh định - đặc tính
CHÚ THÍCH: Đây là
Giá trị điện trở thuần do nhà chế tạo
Giá trị nhỏ nhất của môđun trở kháng\r\ntrong dải tần danh định không được nhỏ hơn 80 % trở kháng danh định. Nếu trở\r\nkháng tại bất kỳ tần số nào ngoài dải tần nói trên (kể cả ở một chiều) nhỏ hơn\r\ngiá trị này thì phải được nêu trong quy định\r\nkỹ thuật.
\r\n\r\n16.2. Đường cong trở kháng
\r\n\r\n16.2.1. Đặc tính
Đường cong trở kháng phải được
16.2.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n16.2.2.1. Loa được đặt trong điều\r\nkiện đo bình thường theo 3.2.2, các điều kiện a), b) và d).
\r\n\r\n16.2.2.2. Cung cấp một điện áp\r\nhoặc một dòng điện không đổi, thường ưu tiên dùng điện áp. Giá trị điện áp hoặc\r\ndòng điện được chọn để đo phải đủ nhỏ để đảm bảo cho loa làm việc trong miền\r\ntuyến tính.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các phép đo trở kháng có thể\r\nảnh hưởng đáng kể bởi mức bộ kích. Nếu mức\r\nrất thấp hoặc mức rất cao, kết quả dẫn đến có thể không đúng. Dữ liệu có thể cần\r\nkhảo sát để các mức bộ kích khác nhau đều đạt được điều kiện tốt nhất.
\r\n\r\n16.2.2.3. Môđun trở kháng ít\r\nnhất phải được đo trong dải tần từ 20 Hz tới 20 kHz.
\r\n\r\n16.2.2.4. Kết quả phải được thể\r\nhiện bằng đồ thị dưới dạng hàm số của tần số; giá trị điện áp hoặc dòng điện phải\r\nđược nêu ra cùng với kết quả.
\r\n\r\n16.3. Hệ số Q tổng (
16.3.1. Đặc tính
Tỷ số giữa phần quán tính (hoặc đàn hồi)\r\ncủa trở kháng âm thanh hoặc trở kháng cơ tại tần số cộng hưởng theo 19.2 và thành\r\nphần điện trở của trở kháng này.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Đối với mục đích của tiêu\r\nchuẩn này hệ số Q tổng được xác định đối với bộ kích của loa và loa có hộp kín,\r\ncả hai đều là kiểu điện động.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Hệ số Q tổng Qt,\r\ncùng với thể tích tương đương Vas theo 16.4 của bộ loa và tần số cộng\r\nhưởng fr theo 19.2 xác định đầy đủ tính năng tần số thấp của loa.
\r\n\r\n16.3.2. Phương pháp đo hệ số Q tổng Qt
\r\n\r\nHệ số Q tổng Qt có thể suy\r\nra từ đường cong trở kháng điện của loa theo 16.2 bằng cách sử dụng biểu thức\r\nsau:
\r\n\r\ntrong đó:
\r\n\r\nfr là tần số cộng hưởng của\r\nloa theo 19.2;
\r\n\r\nr0 là tỷ số của giá trị lớn\r\nnhất giữa trở kháng |Z(f)
f1, và f2 là hai\r\ntần số gần như là đối xứng qua fr sao cho f1 < fr\r\n< f2 mà tại tần số đó các giá trị trở kháng Z1 =
r1 là tỷ số giữa giá trị
CHÚ THÍCH 1: Xem Hình 1.
\r\n\r\nCó thể chứng minh được rằng khi r1\r\n= và fr được thay bằng
CHÚ THÍCH 2: Q
![](\"00912699_files/image005.jpg\")
16.4. Thể tích không khí tương đương\r\nphù hợp với bộ kích của loa (Vas)
\r\n\r\n16.4.1. Đặc tính cần
Thể tích không khí phải được
CHÚ THÍCH: Thể tích tương đương Vas\r\ncùng với hệ số Q tổng, Qt (xem 16.3) và tần số cộng hưởng fr\r\ntheo 19.2, xác định đầy đủ tính năng ở tần số thấp của loa và được dùng trong\r\nthiết kế ở tần số thấp của hộp loa và hệ thống phản xạ âm trầm.
\r\n\r\n16.4.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n16.4.2.1. Lắp bộ kích loa vào một\r\nhộp thử nghiệm cứng không có lớp lót có các đặc tính sau:
\r\n\r\n- Hộp phải có kích cỡ và hình dạng phù\r\nhợp với kích cỡ của bộ kích và phù hợp với dự định sử dụng.
\r\n\r\n- Hộp phải có lỗ thông hơi đơn giản mà\r\nlỗ này có thể dùng nắp có gờ để đậy kín khi muốn chuyển đổi hộp thông hơi hoặc\r\nphản xạ thành hộp kín.
\r\n\r\n16.4.2.2. Khi lỗ thông hơi đóng\r\nkín, đo tần số cộng hưởng f0 của hệ thống như là tần số thấp nhất\r\ntrên zerô của pha zerô của trở kháng vào.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Điều này có thể thực hiện\r\nđược bằng cách mắc nối tiếp một điện trở vào mạch điện kích thích loa và đưa điện\r\náp trên điện trở và loa vào bản quét ngang và bản quét dọc của máy hiện sóng.\r\nPha zerô được nêu khi hình ellíp chuyển thành đường thẳng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Xem chú thích 16.2.2.2.
\r\n\r\n16.4.2.3. Khi lỗ thông hơi mở,\r\nđo ba tần số đầu tiên của pha zerô, trên zerô theo thang đo tần số tăng dần. Gọi\r\nba tần số đó là fL, fB và fH. (Tần số fB\r\nxuất hiện ở gần điểm trở kháng nhỏ nhất và là tần số cộng h
16.4.2.4. Tần số cộng h
16.4.2.5. Giá trị của thể tích\r\nkhông khí tương đương phù hợp với loa được tính theo công thức sau:
\r\n\r\ntrong đó VB là thể tích tịnh\r\nphần còn lại bên trong hộp thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\n17.1. Điện áp tạp danh định
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đây là điều kiện danh định\r\ntheo 3.2.1.
\r\n\r\n17.1.1. Đặc tính
Điện áp của tín hiệu tạp, do nhà chế tạo\r\nchỉ ra, mô phỏng nội dung chương trình bình thường trong dải tần danh định mà\r\nloa có thể chịu đựng được mà không bị hỏng về nhiệt hoặc cơ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giá trị này phụ thuộc vào\r\ncách lắp đặt loa, ví dụ như không lắp trong hộp loa hoặc lắp trong hộp loa quy\r\nđịnh.
\r\n\r\n17.1.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n17.1.2.1. Các thiết bị hoặc\r\ntương đương thiết bị sau đây phải nằm trong chuỗi các phép đo:
\r\n\r\n- bộ tạo tạp hồng;
\r\n\r\n- hệ mang có trọng số thích hợp để đạt\r\nđược tín hiệu tạp theo TCVN 6697-1 (IEC 60268-1);
\r\n\r\n- bộ khuếch đại công suất có mạch xén;
\r\n\r\n- loa cần thử nghiệm được lắp đặt như
CHÚ THÍCH 1: Nếu có từ hai loa trở lên\r\nđược thử đồng thời thì phải lưu ý để đảm bảo tác động lẫn nhau giữa các loa là\r\nkhông đáng kể.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Nếu loa được thiết kế để\r\nhoạt động trong dải tần hạn chế và mạng tương ứng để hạn chế tần số không phải\r\nlà bộ phận được cung cấp cùng với loa thì nhà chế tạo phải
CHÚ THÍCH 3: Thứ tự nối các thành phần\r\ncủa mạch đo phải được thực hiện theo Hình 7. Loa được đặt trong một phòng có thể\r\ntích không nhỏ hơn 8 m3 trong đó điều kiện khí hậu đạt được như
17.1.2.2. Đáp tuyến tần số của\r\nbộ khuếch đại công suất khi đo ở đầu vào của loa đem thử phải giữ không đổi\r\ntrong dải tần từ 20 Hz tới 20 000 Hz với độ chênh lệch là ± 0,5 dB. Tạp được\r\nxén trên các đầu nối của loa đem thử phải có sự phân bố như
17.1.2.3. Bộ khuếch đại công suất\r\nphải có trở kháng ra không lớn hơn 1/3 trở kháng danh định của hệ thống loa\r\ntheo 16.1. Bộ khuếch đại phải có khả năng cung cấp cho loa tín hiệu hình sin có\r\nđiện áp đỉnh ít nhất là gấp hai lần điện áp tạp thử nghiệm.
\r\n\r\n17.1.2.4. Loa phải được thử\r\nnghiệm trong từng điều kiện khí hậu quy định\r\ntrong khoảng thời gian liên tục là 100 h ở điện áp danh định tương ứng với điện\r\náp yêu cầu loa phải chịu được.
\r\n\r\n17.1.2.5. Ngay sau khi thử nghiệm\r\nnày, loa phải được lưu giữ trong điều kiện khí hậu bình thường ở các phòng\r\nthông thường hoặc phòng thử nghiệm. Nếu có quy định\r\nnào khác, thời gian hồi phục của loa phải\r\nlà 24 h.
\r\n\r\n17.1.2.6. Loa được coi như đáp ứng\r\nđầy đủ các yêu cầu của thử nghiệm này nếu vào cuối thời gian lưu giữ để hồi phục,\r\nkhông có sự biến đổi đáng kể nào về đặc tính về điện, cơ và âm của loa so với\r\nnhững dữ liệu ghi trong bản dữ liệu của kiểu loa đó, trừ sự thay đổi ở tần số cộng\r\nhưởng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mức độ chấp nhận sự thay đổi\r\nnày tùy thuộc vào sự thương lượng; vì vậy nó phải được nêu ra.
\r\n\r\n17.1.3. Thử nghiệm nghe đối với làm việc\r\nbình thường
\r\n\r\nThử nghiệm nghe đối với làm việc bình\r\nthường có thể theo hướng dẫn Phụ lục D.
\r\n\r\n17.2. Điện áp vào ngắn hạn lớn nhất
\r\n\r\n17.1.1. Đặc tính
17.2.1.1. Điện áp lớn nhất mà bộ\r\nkích loa hoặc hệ thống loa có thể chịu đựng được trong khoảng thời gian 1 s khi\r\ntín hiệu là tín hiệu tạp mô phỏng nội dung chương trình bình thường mà không\r\ngây hỏng kéo dài (theo TCVN 6697-1 (IEC 60268 - 1)).
\r\n\r\n17.2.1.2. Thử nghiệm này phải\r\nđược lặp lại 60 lần, mỗi lần cách nhau 1 min.
\r\n\r\n17.2.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nPhương pháp đo đối với điện áp tạp\r\ndanh định theo 17.4.2 được áp dụng nhưng nguồn tín hiệu thử nghiệm là nguồn có\r\nđặt ngưỡng của tín hiệu tạp có trọng số mô phỏng theo nội dung chương trình\r\nbình thường (theo TCVN 6697-1 (IEC 60268 -1)).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giá trị hiệu dụng (r.m.s) của\r\nđiện áp đặt vào loa trong lúc đo thực có thể được đo một cách thuận tiện bằng\r\ncách bỏ đặt ngưỡng và đo điện áp hiệu dụng của tín hiệu tạp liên tục, thay loa\r\nbằng một điện trở thuần có giá trị bằng giá trị trở kháng danh định của loa.
\r\n\r\n17.2.3. Thiết bị bảo vệ
\r\n\r\n17.1.3.1. Nếu loa được trang bị\r\nthiết bị bảo vệ thì điện áp vào ngắn hạn lớn nhất được lấy bằng điện áp vào được\r\nđặt trong khoảng thời gian quy định làm cho thiết bị bảo vệ này tự động tác động.
\r\n\r\n17.1.3.2. Nếu hoạt động của thiết\r\nbị bảo vệ gây ra cho trở kháng tải đại diện cho loa đối với máy khuếch đại làm\r\ngiảm xuống dưới 80 % trở kháng danh định ở bất kỳ tần số nào thì giá trị nhỏ nhất\r\ncủa trở kháng vào của loa phải được nhà chế tạo chỉ ra.
\r\n\r\n17.3. Điện áp vào dài hạn lớn nhất
\r\n\r\n17.3.1. Đặc tính
17.3.1.1. Điện áp lớn nhất mà bộ\r\nkích của loa hoặc hệ thống có thể chịu đựng được trong khoảng thời gian 1 min\r\nkhi tín hiệu là tín hiệu tạp mô phỏng theo nội dung chương trình bình thường mà\r\nkhông gây hỏng kéo dài (theo TCVN 6697-1 (IEC 60268 - 1)).
\r\n\r\n17.3.1.2. Thử nghiệm phải được\r\nlặp lại 10 lần, mỗi lần cách nhau 2 min.
\r\n\r\n17.3.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nPhương pháp đo đối với điện áp tạp\r\ndanh định theo 17.4.2 được áp dụng nhưng nguồn tín hiệu thử nghiệm là nguồn có\r\nđặt ngưỡng của tín hiệu tạp có trọng số mô phỏng theo nội dung chương trình\r\nbình thường (theo TCVN 6697-1 (IEC 268 -1)).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giá trị hiệu dụng (r.m.s) của\r\nđiện áp đặt vào loa trong lúc đo thực có thể được đo một cách thuận tiện bằng\r\ncách bỏ đặt ngưỡng và đo điện áp hiệu dụng của tín hiệu tạp liên tục, thay loa\r\nbằng một điện trở thuần có giá trị bằng giá trị trở kháng danh định
17.3.3. Thiết bị bảo vệ
\r\n\r\n17.3.3.1. Nếu loa được trang bị\r\nthiết bị bảo vệ thì điện áp vào dài hạn lớn nhất phải được lấy là điện áp vào\r\nđược đặt trong thời gian quy định làm cho thiết bị tự động tác động.
\r\n\r\n17.3.3.2. Nếu hoạt động của thiết\r\nbị bảo vệ gây ra cho trở kháng tải đại diện cho loa đối với bộ khuếch đại làm giảm xuống dưới 80 % trở kháng danh định\r\nở bất kỳ tần số nào thì giá trị nhỏ nhất của trở kháng vào của loa phải được\r\nnhà chế tạo chỉ ra.
\r\n\r\n17.4. Điện áp hình sin danh định
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đây là điều kiện danh định,\r\nxem 3.2.1.
\r\n\r\n17.4.1. Đặc tính
Điện áp của tín hiệu liên tục hình sin\r\ndo nhà chế tạo chỉ ra trong dải tần danh định mà loa có thể chịu được liên tục\r\nmà không bị hỏng về nhiệt hoặc cơ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Giá trị này có thể biến đổi\r\nnhư một hàm của tần số, trong trường hợp này các giá trị khác nhau có thể được\r\ncho trong dải tần quy định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Các giá trị này phụ thuộc\r\nvào cách lắp đặt loa theo Điều 10.
\r\n\r\n17.4.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nPhương pháp đo đối
17.4.3. Thử nghiệm nghe đối với tạp cơ\r\nhọc (tiếng lốp bốp)
\r\n\r\nThử nghiệm nghe đối với tạp cơ học (tiếng\r\nlốp bốp) có thể thực hiện theo Phụ lục D.
\r\n\r\n\r\n\r\n18.1. Công suất tạp danh định - đặc\r\ntính quy định
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Đây là điều kiện danh định,\r\ntheo 3.2.1.
\r\n\r\nCông suất điện tính theo công thức: Un2/R\r\nphải được quy định, trong đó Un\r\nlà điện áp tạp danh định và R là trở kháng danh định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Công suất tạp danh định\r\ncũng còn được gọi là "khả năng sử dụng công suất".
\r\n\r\n18.2. Công suất ngắn hạn lớn nhất - đặc\r\ntính quy định.
\r\n\r\nCông suất điện tương ứng với điện áp\r\nvào ngắn hạn lớn nhất, được xác định theo công thức Ust2/R\r\nphải được quy định, trong đó Ust\r\nlà điện áp vào ngắn hạn lớn nhất và R là trở kháng danh định.
\r\n\r\n18.3. Công suất dài hạn lớn nhất - đặc\r\ntính quy định
\r\n\r\nCông suất điện tương ứng với điện áp\r\nvào dài hạn lớn nhất, được xác định theo công thức Ult2/R\r\ntrong đó Ult là điện áp vào dài hạn lớn nhất và R là trở kháng danh\r\nđịnh.
\r\n\r\n18.4. Công suất hình sin danh định - đặc\r\ntính quy định
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đây là điều kiện danh định,\r\ntheo 3.2.1.
\r\n\r\nCông suất điện tính theo công thức: Us2/R\r\nphải được quy định, trong đó Us\r\nlà điện áp hình sin danh định và R là trở kháng danh định.
\r\n\r\n\r\n\r\n19.1. Dải tần danh định - đặc tính
CHÚ THÍCH 1: Đây là điều kiện danh định\r\ntheo 3.2.1.
\r\n\r\nPhải quy\r\nđịnh dải tần mà tại đó loa được thiết kế để sử dụng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Dải tần này có thể khác với\r\ndải tần hữu ích, đặc biệt là trong trường hợp loa được dùng làm loa chuyên âm bổng\r\nhoặc loa chuyên âm trầm hoặc chỉ dùng cho lời nói.
\r\n\r\n19.2. Tần số cộng hưởng
\r\n\r\n19.2.1. Tần số cộng hưởng của bộ kích\r\nloa - đặc tính quy định
\r\n\r\nTần số tại đó môđun của trở kháng có\r\ngiá trị lớn nhất đầu tiên trong thang tần số tăng dần. Môi trường âm (hoặc là\r\ntrường tự do hoặc là trường tự do nửa không gian), điều kiện lắp đặt, kể cả các\r\nđặc tính của các hộp đo nếu dùng, phải được cho cùng với giá trị tần số này.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Bộ kích loa có thể được lắp\r\nđặt theo 10.1.
\r\n\r\n19.2.2. Tần số cộng hưởng của hệ thống\r\nloa trong hộp kín - đặc tính quy định
\r\n\r\nTần số tại đó đường cong trở kháng có\r\ngiá trị lớn nhất đầu tiên nằm trong thang tần số tăng; kể cả các hệ thống giao\r\nnhau.
\r\n\r\n19.3. Tần số điều hưởng của hệ thống loa có phản xạ trầm hoặc phát xạ thụ động\r\n- đặc tính quy định
\r\n\r\nTần số tại đó môđun của trở kháng có\r\ngiá trị chính nhỏ nhất đầu tiên ngay sau giá trị chính lớn nhất đầu tiên trong\r\nthang tần số tăng dần, kể cả các hệ thống giao nhau.
\r\n\r\n20. Thanh áp trong điều\r\nkiện trường tự do và trường tự do nửa không gian
\r\n\r\n20.1. Thanh áp trong băng t
20.1.1. Đặc tính
Áp suất tạo ra tại điểm có khoảng cách\r\nđược nêu tính từ điểm chuẩn trên trục chuẩn, khi loa được cung cấp tín hiệu tạp\r\nhồng trong băng tần được nêu ở điện áp quy định.
\r\n\r\n20.1.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n20.1.2.1. Loa được đặt ở điều\r\nkiện đo bình thường trong trường tự do hoặc trường tự do nửa không gian. Trường\r\ntự do nửa không gian chỉ áp dụng cho trường hợp bộ kích loa lắp đặt ngang bằng\r\nvới bề mặt phản xạ.
\r\n\r\n20.1.2.2. Các thiết bị sau được\r\ndùng trong quá trình đo:
\r\n\r\n- loa cần thử nghiệm;
\r\n\r\n- bộ tạo tạp hồng;
\r\n\r\n- một bộ lọc thông dải có độ dốc ít nhất\r\nlà 24 dB/octave để giới hạn độ rộng băng tần của tín hiệu trong giới hạn mà loa\r\ncần được đo.
\r\n\r\n20.1.2.3. Cung cấp cho loa tín\r\nhiệu tạp hồng có điện áp Up và độ rộng băng tần như đã được nêu.
\r\n\r\n20.1.2.4. Thanh áp được đo ở\r\nkhoảng cách đã được nêu. Trong trường hợp không có bộ lọc có độ rộng băng tần bằng\r\nbăng tần được nêu thì có thể thực hiện phép gần đúng bằng cách chia băng tần ra\r\nlàm n bằng 1/3 octave theo IEC 61260, bộ lọc 1/3 octave được cung cấp tín hiệu tạp\r\nhồng. Như vậy điện áp cung cấp tới loa đem thử trong mỗi băng tần 1/3 octave sẽ\r\nlà Up/n. Thanh áp được tính theo công thức sau:
\r\n\r\ntrong đó pi là thanh áp\r\ntrong băng tần 1/3 octave đã cho.
\r\n\r\n20.1.2.5. Các điều kiện này phải\r\nđược nêu cùng với kết quả.
\r\n\r\n20.2. Mức thanh áp trong băng tần được\r\nnêu - đặc tính quy định
\r\n\r\n20 lần lôgarít của tỷ số giữa thanh áp\r\nđo theo 20.1.1, và thanh áp chuẩn (20 (mPa), tính bằng dexiben.
\r\n\r\n20.3. Độ nhạy đặc tính trong băng tần\r\nđược nêu
\r\n\r\n20.3.1. Đặc tính
Đầu ra thanh áp trong băng tần được\r\nnêu theo 20.1.1, quy về công suất vào là 1 W và khoảng cách đo là 1 m trên trục\r\nchuẩn.
\r\n\r\n20.3.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nCác phép đo thực hiện theo 20.1.2, tuy\r\nnhiên được quy về điện áp Up tương ứng với công suất 1W. trong đó Up\r\ntính ra số bằng
20.4. Mức nhạy đặc tính trong băng tần\r\nđược nêu - đặc tính quy định
\r\n\r\n20 lần lôgarít của tỷ số giữa độ nhạy\r\nđặc tính theo 20.3.1 để có thanh áp tiêu chuẩn (20 mPa), phải được
20.5. Thanh áp trung bình trong băng tần\r\nđược nêu
\r\n\r\n20.5.1. Đặc tính
Căn bậc hai của trung bình số học các\r\nbình phương của thanh áp ở tất cả các băng tần 1/3 octave trong băng tần phải\r\nđược quy định.
\r\n\r\n20.5.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nCác phép đo được thực hiện theo\r\n20.1.2, ngoại trừ điện áp cung cấp cho loa theo thử nghiệm trong mỗi băng tần\r\n1/3 octave phải bằng với Up. Thanh áp trung bình trong băng tần\r\nđã nêu được xác định theo công thức:
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Để xác định pr, xem\r\n20.1.2.4.
\r\n\r\n20.6. Mức thanh áp trung bình trong\r\nbăng tần được nêu - đặc tính quy định
\r\n\r\n20 lần lôgarít của tỷ số giữa pm\r\ntheo 20.5.2, để có thanh áp chuẩn (20 mPa), phải được quy\r\nđịnh biểu thị bằng dB.
\r\n\r\n21. Đáp tuyến trong\r\nđiều kiện trường tự do và trường tự do nửa không gian
\r\n\r\n21.1. Đáp tuyến tần số
\r\n\r\n21.1.1. Đặc tính
Mức thanh áp dưới dạng hàm của tần số,\r\nđược đo trong điều kiện trường tự do hoặc trường tự do nửa không gian tại vị\r\ntrí đã được nêu đối với trục chuẩn và ứng với điện áp không đổi đã
21.1.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n21.1.2.1. Loa được đưa vào điều\r\nkiện đo bình thường trong trường tự do hoặc trường tự do nửa không gian.
\r\n\r\n21.1.2.2. Đưa tín hiệu tạp hoặc\r\nhình sin có điện áp không đổi vào loa.
\r\n\r\n21.1.2.3. Các phép đo phải được\r\nthực hiện ít nhất trong băng tần hiệu dụng theo 21.2.
\r\n\r\nCác phép đo với tạp lọc dải có thể thực\r\nhiện theo một trong các cách sau:
\r\n\r\na) cung cấp cho loa một tạp hồng (hạn\r\nchế trong băng tần hiệu dụng của loa) và phân tích tín hiệu ở đầu ra của micrô\r\nbằng các bộ lọc 1/3 octave, hoặc
\r\n\r\nb) cung cấp cho loa một tín hiệu tạp\r\nbăng hẹp theo 4.3.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu dùng phương pháp thứ\r\nhai thì không cần thiết phải đặt bộ lọc ở mạch micrô, tuy nhiên cũng không hạn\r\nchế việc sử dụng này.
\r\n\r\n21.1.2.4. Các kết quả phải được\r\ntrình bày dưới dạng đồ thị của hàm số theo tần số. Điều kiện không gian và tạp\r\nlọc dải dùng để đo đã chọn phải được nêu.
\r\n\r\n21.1.3. Hiệu chỉnh phép đo tại tần số\r\nthấp
\r\n\r\nNếu đặc trưng hấp thụ tần số thấp của\r\nphòng không dội vang gây ra sự sai khác chệch khỏi điều kiện trường tự do sao\r\ncho phép đo chính xác của đáp tuyến trường tự do giảm xuống đến giới hạn thấp\r\nhơn của dải tần hiệu quả theo 21.2 là không thực hiện được, các kết quả phép đo\r\ntần số thấp phải được hiệu chỉnh như sau.
\r\n\r\n21.1.3.1. Loa cần thử nghiệm phải\r\nđược lấy ra khỏi phòng và thay bằng loa chuẩn đã hiệu chuẩn và được định vị sao\r\ncho điểm chuẩn và trục chuẩn trùng với điểm chuẩn và trục chuẩn trước đó của\r\nloa cần thử nghiệm.
\r\n\r\nLoa chuẩn về cơ bản phải có đặc tính\r\nhướng giống với đặc tính hướng của loa cần thử nghiệm trên toàn bộ dải tần khi\r\ncó yêu cầu hiệu chỉnh và đáp tuyến tần số trường tự do hiệu chuẩn phải kéo dài\r\ntới tần số thấp nhất mong muốn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Điều này là cần thiết để\r\nxác định chính xác đáp tuyến tần số của loa chuẩn. Đối với các loa chuẩn có giới\r\nhạn đáp tuyến tần số thấp (cộng hưởng chính trên 150 Hz), các phép đo trong\r\nphòng vang có kích thước rất lớn (ví dụ phòng 8 m x 10 m x 12 m) có thể có đủ độ\r\nchính xác. Đối với các loa có đáp tuyến tần số thấp mở rộng, các phép đo trên\r\ntháp cao (thường là 10 m trở lên so với mặt đất) trong không khí t
CHÚ THÍCH 2: Đối với phép đo đáp tuyến\r\ntần số thấp của hệ thống loa nhiều bộ\r\nkích, điểm chuẩn là điểm chuẩn lý tưởng của bộ kích âm trầm.
\r\n\r\n21.1.3.2. Đáp tuyến tần số của\r\nloa chuẩn phải được đo bằng cách sử dụng cùng một trang thiết bị và kỹ thuật\r\nnhư đối với các loa thử nghiệm theo 21.1.2.
\r\n\r\n21.1.3.3. Trên toàn bộ dải tần\r\nsố thấp, trong trường hợp đáp tuyến tần số như vậy được đo đối với loa chuẩn bị\r\nchệch đáp tuyến trường tự do hiệu chuẩn đã biết thì chênh lệch giữa đáp tuyến\r\nhiệu chuẩn và đáp tuyến đo phải được sử dụng để hiệu chỉnh đáp tuyến đo của loa\r\ncần thử nghiệm.
\r\n\r\n21.2. Dải tần hiệu quả
\r\n\r\n21.2.1. Đặc tính
Phải quy\r\nđịnh đo được dải tần số bị giới hạn bởi các giới hạn trên và giới hạn dưới\r\nđã công bố, trong đó đáp tuyến tần số của loa theo 23.1.2, trên trục chuẩn bằng\r\ntín hiệu hình sin là không thấp hơn quá 10 dB so với thanh áp lấy trung bình\r\ntrong toàn bộ độ rộng băng tần là một octave trong vùng có độ nhạy lớn nhất hoặc\r\nđộ rộng băng tần rộng hơn do nhà chế tạo quy định.\r\nCác vùng lõm trên đường cong đáp tuyến hẹp hơn 1/9 octave (1/3 của 1/3 octave)\r\ntại mức -10 dB phải được bỏ qua trong khi xác định giới hạn tần số.
\r\n\r\n21.2.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nDải tần hiệu dụng có thể nhận được từ\r\nđáp tuyến tần số mô tả trong 21.1.1 chỉ được đo bằng tín hiệu hình sin.
\r\n\r\n21.3. Chức năng của bộ chuyển đổi
\r\n\r\n21.3.1. Đặc tính
Mức biên độ thanh áp và tần số ngược pha\r\nphải được quy định, được đo trong điều kiện\r\ntrường tự do hoặc trường tự do mô phỏng, tại vị trí được nêu liên quan đến trục\r\nchuẩn và điểm chuẩn ở điện áp không đổi quy định\r\ntrên các đầu nối của loa. Nếu không có quy định\r\nnào khác, điện áp này phải là 1 V.
\r\n\r\nMức tín hiệu sử dụng phải đảm bảo kết\r\nquả đo không bị ảnh hưởng do tính phi tuyến.
\r\n\r\nMức biên độ thanh áp thường được thể\r\nhiện là mức thanh áp tương đương. Khi thể hiện pha là hàm của tần số, phải loại\r\nbỏ sự trôi pha do trễ lan truyền giữa loa và micrô.
\r\n\r\n21.3.2. Phương pháp do
\r\n\r\n21.3.2.1. Loa được đặt vào điều\r\nkiện đo bình thường trong môi trường của trường tự do mô phỏng.
\r\n\r\n21.3.2.2. Đặt vào loa một tín\r\nhiệu thử nghiệm xung, có độ rộng phổ ít nhất là bằng dải tần số mà phép thử\r\nquan tâm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Để đạt được tỷ số tín hiệu/tạp\r\nthích đáng, tín hiệu thử nghiệm có thể được lặp lại, thời gian giữa các lấn lặp\r\nlại phải đủ để mức thanh áp do dội lại suy giảm đến giá trị không đáng kể và\r\nsau đó lấy trung bình các kết quả. Để giảm\r\nthiểu thời gian đo yêu cầu, có thể định dạng\r\nphổ (nhấn trước) cho tín hiệu thử nghiệm rồi sau đó hiệu chỉnh bổ sung (khử nhấn)\r\ncho thanh áp đo được.
\r\n\r\n21.3.2.3. Thanh áp phải được\r\nđo ở điều kiện 21.3.2.1 và 21.3.2.2 và kết quả được trình bày dưới dạng hàm số\r\ncủa tần số. Điều này thường đạt được bằng cách lấy mẫu và số
21.3.2.4. Điện áp đặt vào các đầu\r\nnối của loa phải được đo qua bộ suy giảm tần số không phụ thuộc đã hiệu chuẩn\r\nvà chuỗi đo tín hiệu micrô, có kể đến phần tử nhấn trước và khử nhấn bất kỳ, và\r\nkết quả được trình bày dưới dạng hàm của tần số như trong 21.3.2.3.
\r\n\r\n21.3.2.5. Chức năng bộ chuyển đổi\r\ncủa loa phải là kết quả đo của quy trình quy định\r\ntrong 21.3.2.3 chia cho kết quả đo ở điểm 21.3.2.4, có tính tới độ nhạy của\r\nmicrô và hiệu chuẩn bộ suy giảm. Chức năng này phải được thể hiện là biểu đồ\r\nbiên độ và pha là hàm của tần số có biên độ được trình bày dưới dạng mức thanh\r\náp tương đương ứng với công suất vào là 1 W.
\r\n\r\n22. Công suất ra\r\n(công suất âm)
\r\n\r\n22.1. Công suất âm trong\r\nbăng tần
\r\n\r\n22.1.1. Đặc tính
Công suất âm thanh tổng do loa phát ra\r\ntrong băng tần đã cho với tần số trung tâm f của tín hiệu vào xác định.
\r\n\r\n22.1.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n22.1.2.1. Quy định
22.1.2.1.1. Loa được đặt vào điều\r\nkiện đo bình thường trong trường tự do, trường tự do nửa không gian hoặc trường\r\nkhuếch tán. Tùy thuộc vào môi trường đã\r\nchọn mà phép đo được tiến hành theo một trong các phương pháp nêu trong\r\n22.1.2.2 và 22.1.2.3.
\r\n\r\n22.1.2.1.2. Kết quả được trình\r\nbày bằng đồ thị của một hàm số theo tần số.
\r\n\r\n22.1.2.2. Phép đo công suất âm trong điều\r\nkiện trường tự do hoặc trường tự do nửa không gian
\r\n\r\n22.1.2.2.1. Bình phương của thanh\r\náp hiệu dụng (r.m.s) được lấy trung bình trên toàn bộ hình cầu lớn trong điều\r\nkiện trường tự do và trên toàn bộ bán cầu lớn theo ISO 3744 hoặc ISO 3745,\r\ntrong điều kiện trường tự do nửa không gian ở phần lớn các điểm được phân bố đều\r\nxung quanh hệ thống đang xem xét.
\r\n\r\n22.1.2.2.2. Nếu hệ thống đối xứng\r\nqua trục quay thì phép đo chỉ cần tiến hành trên mặt phẳng chứa trục đó là đủ\r\nmiễn là các phép đo được trọng số hóa\r\nthích hợp trong quá trình lấy trung bình.
\r\n\r\n22.1.2.2.3. Công suất âm trong điều\r\nkiện trường tự do được tính theo công thức sau:
\r\n\r\ntrong đó:
r là bán kính của hình cầu tính bằng\r\nmét;
\r\n\r\np(f) là thanh áp được lấy trung bình trong\r\nhình cầu lớn tính bằng pascal;
\r\n\r\np0 và c là mật độ và tốc độ\r\ncủa âm thanh trong không khí.
\r\n\r\nCông suất âm trong điều kiện trường tự\r\ndo nửa không gian được tính theo công thức sau:
\r\n\r\n22.1.2.3. Phép đo công suất âm\r\ntrong điều kiện trường khuếch tán
\r\n\r\n22.1.2.3.1. Thanh áp trong băng tần\r\ncó tần số trung tâm là f được xác định theo 20.1.2.
\r\n\r\n22.1.2.3.2. Công suất âm của loa\r\nđược tính gần đúng theo công thức sau:
\r\n\r\ntrong đó:
V là thể tích của phòng vang, tính bằng\r\nmét khối;
\r\n\r\nT(f) là thời\r\ngian vang tính bằng giây của phòng trong băng tần xem xét;
\r\n\r\nP(f) là thanh áp tính bằng
CHÚ THÍCH 1: Việc lọc có thể đặt ở mạch\r\nloa hoặc ở cả mạch loa và mạch micrô.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Một phương pháp khác để\r\nđo công suất âm thanh của loa dùng nguồn công suất âm thanh được mô tả trong\r\nISO 3743-1 và trong ISO 3743-2..
\r\n\r\n22.2. Công suất âm trung\r\nbình trong băng tần
\r\n\r\n22.2.1. Đặc tính
Giá trị trung bình số học của công suất\r\nâm trong các băng tần 1/3 octave trong băng tần xem xét.
\r\n\r\n22.2.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n22.2.2.1. Phép đo phải được thực\r\nhiện theo 22.1.2.
\r\n\r\n22.2.2.2. Công suất âm trung\r\nbình được tính bằng giá trị trung bình số học của các công suất âm đo riêng cho\r\ntất cả các băng tần 1/3 octave có chứa trong dải băng tần xem xét.
\r\n\r\n22.3. Hiệu suất trong băng\r\ntần
\r\n\r\n22.3.1. Đặc tính
Tỷ số của công suất
22.3.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nHiệu suất trong băng tần phải được đo\r\nbằng phương pháp sau:
\r\n\r\na) Phép đo phải được thực hiện theo\r\n22.1.2;
\r\n\r\nb) Công suất điện phải được xác định\r\ntheo 3.2.2;
\r\n\r\nc) Hiệu suất trong băng tần là tỷ số\r\ngiữa công suất âm và công suất điện.
\r\n\r\n22.4. Hiệu suất trung b
22.4.1. Đặc tính
Giá trị trung bình số học của hiệu suất\r\ntrong tất cả các băng tần 1/3 octave trong băng tần xem xét.
\r\n\r\n22.4.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n22.4.2.1. Hiệu suất trong băng\r\ntần được xác định theo 22.3.2.
\r\n\r\n22.4.2.2. Hiệu suất trung bình\r\nđược tính bằng giá trị trung bình số học của tất cả các hiệu suất đo được trong\r\ntừng băng tần 1/3 octave trong băng tần yêu cầu.
\r\n\r\n\r\n\r\n23.1. Đồ thị đặc tính h
23.1.1. Đặc tính
Mức thanh áp là hàm số của góc tạo\r\nthành bởi trục đo và trục chuẩn và của tần số âm thanh phát ra được đo trong điều\r\nkiện trường tự do ở mặt phẳng quy định.\r\nTrục đo là đường thẳng nối micrô với điểm\r\nchuẩn.
\r\n\r\n23.1.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n23.1.2.1. Loa được đặt vào điều\r\nkiện đo bình thường trong môi trường trường tự do.
\r\n\r\n23.1.2.2. Micrô đo được định vị\r\ntrong mặt phẳng đặc biệt có chứa trục chuẩn, cách điểm chuẩn một khoảng
23.1.2.3. Tín hiệu hình sin hoặc\r\ntín hiệu tạp của băng tần, theo yêu cầu phải được cung cấp cho loa. Điện áp vào\r\nđược điều chỉnh đối với từng tần số hoặc băng tần sao cho thanh áp ở điểm
23.1.2.4. Để trình bày đồ thị đặc\r\ntính phương hướng có thể chọn một trong các cách sau đây:
\r\n\r\na) một họ đường cong đặc tính trong tọa\r\nđộ cực ở các tần số hoặc băng tần được nêu ra;
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Tốt nhất là 1/3 octave hoặc\r\nmột octave, trong dải tần danh định. Tuy nhiên ít nhất phải có các tần số sau:\r\n500 Hz, 1 000 Hz, 2 000 Hz, 4 000 Hz và 8 000 Hz. Nên dùng thiết bị cho phép biến\r\nđổi liên tục theo sự biến đổi của góc đo;
\r\n\r\nb) một họ đặc tính tần số ứng với các\r\ngóc khác nhau so với trục chuẩn được nêu ra.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Cần sử dụng các góc khoảng\r\n15°.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Xem thông tin ở\r\nAES-5id-1997.
\r\n\r\n23.1.2.5. Kết quả phép đo phải\r\nđược vẽ thành các đường cong trong tọa độ cực theo TCVN 6697-1 (IEC 60268-1) và\r\nIEC 60263.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Cần lưu ý để đảm bảo những\r\nđiểm quan trọng phải được trình bày đầy đủ. Khi trình bày
CHÚ THÍCH 2: Đối với những loa rất nhỏ\r\nnhư những loa âm bổng, có thể dùng các tần số cao hơn ngoài các tần số đã nêu\r\ntrên. Các tần số này phải phù hợp với các tần số đã cho trong TCVN 6697-1 (IEC\r\n60268-1).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Phải lưu ý để mức ở trên\r\ntrục chuẩn của loa tương ứng với mức "không" của tọa độ cực.
\r\n\r\n23.2. Góc phát xạ
\r\n\r\n23.2.1. Đặc tính
Góc đo so với trục chuẩn trong mặt phẳng\r\ncó chứa trục này phải được quy định sao\r\ncho với góc đó mức thanh áp tại khoảng cách đo giảm đi ít nhất là 10 dB so với\r\nmức thanh áp ở trên trục chuẩn. Dải tần mà trong đó yêu cầu này được đáp ứng phải\r\nđược nêu.
\r\n\r\n23.2.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n23.2.3. Góc phát xạ được suy\r\nra từ độ thị đặc tính phương hướng trong dải tần danh định, được đo theo\r\n23.1.2.4a).
\r\n\r\n23.2.2.2. Nếu đặc tuyến tính\r\nphương hướng của loa không đối xứng theo hình trụ thì giá trị này phải được cho\r\ntrên hai mặt phẳng vuông góc.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Góc phát xạ có thể được vẽ\r\ndưới dạng đồ thị trong hệ tọa độ, trong đó trục hoành biểu thị tần số và trục\r\ntung biểu thị góc, đồ thị này đối xứng so với 0°.
\r\n\r\n23.3. Chỉ số tính hướng
\r\n\r\n23.3.1. Đặc tính
Tỷ số hai giá trị thanh áp dưới đây,\r\ntính bằng đêxiben, phải được quy định:
\r\n\r\n- thanh áp được đo trên một điểm đã chọn\r\nở trục chuẩn;
\r\n\r\n- thanh áp tại một điểm phát ra cùng một\r\nnguồn công suất âm thanh giống như loa đem thử sẽ phát ra tại cùng một vị trí\r\nđo trong điều kiện trường tự do.
\r\n\r\n23.3.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nChỉ số tính hướng Di phải\r\nđược xác định theo 23.3.2.1 hoặc 23.3.2.2.
\r\n\r\n23.3.2.1.
\r\n\r\nMức thanh áp (Lax) phải được\r\nđo theo 20.1.2 trong môi trường trường tự do tại khoảng cách 1 m.
\r\n\r\nb) Mức thanh áp được đo trong điều kiện\r\ntrường khuếch tán (Lp).
\r\n\r\nc) Trong cả hai phép đo trên thì loa\r\nđược cung cấp cùng một điện áp đã được nêu của tạp hồng đã lọc.
\r\n\r\nd) Chỉ số hướng (Di) được\r\nxác định theo công thức sau:
\r\n\r\ntrong đó:
\r\n\r\nLax là mức thanh áp trong\r\nđiều kiện trường tự do được đo trên trục chuẩn và ứng với khoảng cách là 1 m;
\r\n\r\nLp là mức thanh áp được đo\r\ntrong điều kiện trường khuếch tán;
\r\n\r\nT là thời gian vang của phòng vang,\r\ntính bằng giây;
\r\n\r\nT0 là thời gian vang chuẩn\r\nbằng 1 s;
\r\n\r\nV là thể tích phòng vang, tính bằng\r\nmét khối;
\r\n\r\nV0 là thể tích chuẩn bằng 1\r\nm3;
\r\n\r\n25 là giá trị gần đúng tương ứng với hằng\r\nsố trong hệ thống đơn vị đo SI.
\r\n\r\n23.3.2.2.
\r\n\r\na) Các bình phương của thanh áp lấy\r\ntrên đồ thị tọa độ cực theo 23.1.2.4 a) được tích phân theo hình cầu, để có giá\r\ntrị trung bình sm dùng một trong các phương pháp đã cho trong\r\n22.1.2.2 và 22.1.2.3.
\r\n\r\nb) Bình phương của thanh áp trên trục\r\nđược xác định, s0.
\r\n\r\nc) Chỉ số tính hướng Di là\r\n10 lần logarit của tỷ số s0/sm.
\r\n\r\n23.4. Góc hoặc các góc bao phủ
\r\n\r\n23.4.1. Đặc tính
Phải quy\r\nđịnh giữa hai hướng về cả hai phía thùy chính của kiểu đáp tuyến hướng,\r\ntại đó mức thanh áp nhỏ hơn mức thanh áp ở hướng có mức lớn nhất là 6 dB.
\r\n\r\nGóc này phải được đo ở mặt phẳng chứa\r\ntrục chuẩn.
\r\n\r\nKiểu đáp tuyến hướng phải được đo bằng\r\ntạp băng octave được định tâm trên tần số quy định\r\ntheo 23.1.
\r\n\r\nĐối với loa được thiết kế có góc bao\r\nquát khác nhau trong các mặt phẳng khác nhau đi qua trục chuẩn, góc bao phủ phải\r\nđược quy định ở ít nhất là hai mặt phẳng\r\ntrực giao theo 23.2.2.
\r\n\r\n23.4.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nGóc hoặc các góc bao phủ phải được suy\r\nra từ kiểu hoặc các kiểu đáp tuyến hướng được đo bằng băng octave được định tâm\r\nở 4 000 Hz, nếu dải tần hiệu quả của loa chứa cả 2 800 Hz và 5 700 Hz (bên trên\r\n1/2 octave và bên dưới 4 000 Hz).
\r\n\r\nNếu dải tần hiệu quả không chứa băng tần\r\noctave được định tâm ở 4 000 Hz, thì góc hoặc các góc bao phủ phải được suy ra\r\ntừ phép đo ở băng tần octave của tần số trung tâm quy\r\nđịnh, gần với giới hạn trên của dải tần số hiệu quả.
\r\n\r\nNgoài ra, góc hoặc các góc bao phủ có\r\nthể được quy định đối với các tần số\r\ntrung tâm khác của băng tần octave.
\r\n\r\nTần số hoặc các tần số trung tâm được\r\nsử dụng trong phép đo phải được thể hiện cùng với dữ liệu đo.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mối quan hệ gần đúng giữa\r\ncác góc bao phủ và chỉ số tính hướng có cùng băng tần octave có thể được
Trong đó A và B là hai góc trong hai mặt\r\nphẳng trực giao, tính bằng độ.
\r\n\r\n24. Tính phi tuyến của\r\nbiên độ
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giải thích tổng quát về\r\ntính phi tuyến của biên độ được nêu trong IEC 60268-2. Các đặc tính cần
24.1. Méo hài tổng
\r\n\r\n24.1.1. Đặc tuyến
Méo hài tổng phải được
24.1.2. Phương pháp đo đối với điện áp\r\nvào đạt đến điện áp vào hình sin danh định
\r\n\r\n24.1.2.1. Loa phải được đặt\r\ntrong điều kiện trường tự do dùng cho hệ thống loa và đặt trong điều kiện trường\r\ntự do nửa không gian đối với bộ kích loa. Cung cấp cho loa một chuỗi điện áp\r\nvào hình sin có tần số tăng dần cho tới 5 000 Hz. Các điện áp vào được chọn\r\nkhông được vượt quá giá trị điện áp hình sin danh định theo 17.4. Dải tần số phải\r\nbao phủ bằng âm sắc liên tục vì phương pháp nhảy bậc có thể làm mất những thông\r\ntin quan trọng.
\r\n\r\n24.1.2.2. Micrô đo được đặt\r\ncách điểm chuẩn 1 m, nếu không có quy định\r\nnào khác.
\r\n\r\n24.1.2.3. Đấu vônmét chọn lọc\r\nvào micrô đo, sao cho có bộ phân tích sóng và nếu cần thì đấu trước vônmét một\r\nbộ lọc thông cao để lọc bỏ thành phần cơ bản.
\r\n\r\n24.1.2.4. Đo thanh áp ứng với từng\r\nhài riêng rẽ, ký hiệu là pnf.
\r\n\r\n24.1.2.5. Thanh áp tổng pt,\r\nkể cả thành phần cơ bản, phải được đo bằng đồng hồ băng rộng nối với micrô. Đồng\r\nhồ phải chỉ ra giá trị hiệu dụng thực của hài.
\r\n\r\n24.1.2.6. Méo hài tổng có thể\r\nxác định bằng công thức sau:
\r\n\r\nNếu tính bằng phần trăm:
Nếu tính bằng dB:
24.1.2.7. Kết quả đo được\r\ntrình bày bằng đồ thị dưới dạng hàm số của tần số cơ bản. Giá trị méo tính bằng\r\ndB khi dùng phương pháp điều chỉnh âm sắc liên tục. Khi dùng phương pháp nhảy bậc\r\n(các tần số rời rạc) thì thường biểu thị độ méo bằng phần trăm.
\r\n\r\nCác thông tin sau phải được nêu cùng với\r\nkết quả đo:
\r\n\r\n- điện áp vào và mức thanh áp quy về 1\r\nm;
\r\n\r\n- sử dụng phương pháp điều chỉnh âm sắc\r\nliên tục hay phương pháp nhảy bậc;
\r\n\r\n- tần số rời rạc bất kỳ được sử dụng;\r\nkhoảng cách từ micrô đo tới điểm chuẩn nếu khoảng cách này không phải là 1 m và\r\ncác điều kiện đo (trường tự do hoặc là trường tự do nửa không gian).
\r\n\r\n24.1.3. Phương pháp đo đối với điện áp\r\nvào cao hơn điện áp vào hình sin danh định
\r\n\r\n24.1.3.1. Loa được đặt trong điều\r\nkiện trường tự do đối với hệ thống loa và đặt trong điều kiện trường tự do nửa\r\nkhông gian đối với bộ kích loa. Loa phải được cung cấp dãy điện áp đầu vào đột\r\nbiến âm sắc có tần số tăng dần. Từng đột biến âm sắc phải đủ dài để đạt được\r\nđáp tuyến ổn định. Biên độ của nhóm âm sắc phải được chọn không lớn hơn điện áp\r\nđầu vào lớn nhất ngắn hạn theo 17.2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các tần số phải được tạo bằng\r\nphương pháp nhảy bậc.
\r\n\r\n24.1.3.2. Micrô đo được đặt\r\ncách điểm chuẩn 1 m, nếu không có quy định\r\nnào khác.
\r\n\r\n24.1.3.3. Hệ thống lấy mẫu - xử\r\nlý mẫu phải được sử dụng để thu được mẫu đáp tuyến đột biến âm sắc bằng micrô\r\nđo. Tần suất lấy mẫu phải đủ cao để có được hài cao nhất cần quan tâm. Để loại\r\ntrừ các sai số cắt qua zêrô thời điểm lấy phải trùng với thời điểm cắt qua zêrô\r\ncủa tín hiệu đột biến âm sắc hoặc tín hiệu micrô phải được mở (cửa sổ Hanning\r\nthường thích hợp). Hệ thống phải tính phổ từ dữ liệu của một hoặc nhiều chu kỳ\r\nđể thu được thanh áp tổng có chứa thành phần cơ bản pt và hài\r\nriêng pnf.
\r\n\r\n24.1.3.4. Tiếp đó méo hài tổng ở\r\nđiện áp cao hơn điện áp hình sin danh phải định được xác định theo công thức ở\r\n24.1.2.6.
\r\n\r\n24.1.3.5. Thành phần méo hài bậc\r\n2 và bậc 3 ở điện áp đầu vào cao hơn điện áp hình sin danh định được xác theo\r\ncông thức ở 24.2.2.6.
\r\n\r\n24.1.3.6. Dữ liệu sau đây phải\r\nđược nêu cùng với kết quả của phép đo:
\r\n\r\n- điện áp vào và mức thanh áp quy về 1\r\nm;
\r\n\r\n- Các tần số rời rạc mà các phép đo đã\r\ndùng;
\r\n\r\n- khoảng cách từ micrô đo tới điểm chuẩn\r\nnếu khoảng cách này không phải là 1 m;
\r\n\r\n- điều kiện đo (trường tự do hoặc là\r\ntrường tự do nửa không gian).
\r\n\r\n24.2. Méo hài bậc n (trong đó n = 2 hoặc\r\nn = 3)
\r\n\r\n24.2.1. Đặc tính
Phải quy\r\nđịnh méo hài bậc n được biểu thị dưới dạng thanh áp tổng pt.
\r\n\r\n24.2.2. Phương pháp đo đối với điện áp\r\nvào đến điện áp hình sin danh định
\r\n\r\n24.2.2.1. Loa được đặt trong điều\r\nkiện trường tự do đối với hệ thống loa và đặt trong trường tự do nửa không gian\r\nđối với các bộ kích loa.
\r\n\r\nCung cấp cho loa một loạt điện áp vào\r\nhình sin có tần số tăng dần cho tới 5 000 Hz. Các điện áp vào được chọn là các\r\nđiện áp thích hợp nhất định dùng và phải chứa điện áp hình sin nhưng không vượt\r\nquá giá trị điện áp danh định theo 17.4.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Dải tần cần bao phủ bằng\r\nphương pháp điều chỉnh âm sắc liên tục vì phương pháp nhảy bậc có thể làm mất\r\nnhững thông tin quan trọng.
\r\n\r\n24.2.2.2. Micrô đo được đặt\r\ncách điểm chuẩn 1 m, nếu không có quy định\r\nnào khác.
\r\n\r\n24.2.2.3. Nối vônmét chọn lọc với\r\nmicrô đo, sao cho bộ phân tích sóng và nếu cần thì đấu trước vônmét bộ lọc thông\r\ncao để lọc bỏ thành phần cơ bản.
\r\n\r\n24.2.2.4. Đo thanh áp ứng với từng\r\ntần số hài, ký hiệu là pnf.
\r\n\r\n24.2.2.5. Nối vônmét dải rộng với\r\nmicrô đo để đo thanh áp tổng, chứa cả thành phần cơ bản pt.
\r\n\r\n24.2.2.6. Méo hài bậc 2 có thể\r\nxác định bằng công thức sau:
\r\n\r\nnếu tính bằng phần trăm:
nếu tính bằng dB:
Méo hài bậc 3 có thể xác định bằng\r\ncông thức sau:
\r\n\r\nnếu tính bằng phần trăm:
nếu tính bằng dB:
24.2.2.7. Kết quả đo được trình\r\nbày bằng đồ thị dưới dạng hàm của tần số cơ bản. Giá trị méo tính bằng dB khi\r\ndùng phương pháp điều chỉnh âm sắc liên tục. Khi dùng phương pháp nhảy bậc (các\r\ntần số rời rạc) thì thường biểu thị độ méo bằng phần trăm.
\r\n\r\nCác thông tin sau phải được nêu cùng với\r\nkết quả đo:
\r\n\r\n- điện áp vào và mức thanh áp quy về 1\r\nm;
\r\n\r\n- dùng phương pháp điều chỉnh âm sắc\r\nliên tục hoặc phương pháp nhảy bậc;
\r\n\r\n- tần số rời rạc bất kỳ được sử dụng;\r\nkhoảng cách từ micrô đo tới điểm chuẩn nếu khoảng cách này không phải là 1 m và\r\ncác điều kiện đo (trường tự do hoặc là trường tự do nửa không gian).
\r\n\r\n24.3. Đặc tính méo hài
\r\n\r\n24.3.1. Đặc tính
Phải quy\r\nđịnh đặc tính méo hài biểu thị dưới dạng thanh áp trung bình trong băng\r\ntần đã nêu.
\r\n\r\n24.3.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nPhương pháp đo phải theo 24.1.2, chỉ\r\nkhác là thay thanh áp tổng pt, bằng thanh áp trung bình pm\r\nnhư đã xác định theo 20.5.2. Thanh áp đặt vào loa là tín hiệu tạp hồng băng 1/3\r\noctave được lọc, trong đó công suất tín hiệu trong mỗi 1/3 octave phải bằng\r\ncông suất của tín hiệu được dùng để đo méo hài tổng theo 24.1.2.
\r\n\r\n24.4. Méo điều chế bậc n (khi n=2 hoặc\r\nn=3)
\r\n\r\n24.4.1. Đặc tính
Méo điều chế bậc n phải được
f1 và f2 là tần\r\nsố của hai tín hiệu vào mà tỷ số của biên độ được quy\r\nđịnh, trong đó f1 thấp hơn đáng kể so với f2.
\r\n\r\n24.4.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n24.4.2.1. Loa được đặt trong điều\r\nkiện trường tự do hoặc trường tự do nửa không gian. Hai nguồn tín hiệu hình sin\r\ncó biên độ so với nhau là 4:1 và có tần số là f1 và f2 (f1 < f2/8) được nối\r\ntới đường vào của một bộ khuếch đại và tín hiệu đường ra của bộ khuếch đại là dạng\r\nxếp chồng tuyến tính của f1 và f2 được nối vào loa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Phương pháp đo đối với hai\r\nnguồn tín hiệu phải được áp dụng theo IEC 60268-3.
\r\n\r\n24.4.2.2. Micrô đo được đặt\r\ncách điểm chuẩn 1 m, nếu không có quy định\r\nnào khác.
\r\n\r\n24.4.2.3. Bộ phân tích sóng được\r\nnối vào micrô đo. Các thành phần méo đo được là do hai nguyên nhân: méo điều chế\r\nvà hiệu ứng Doppler; để tách hai loại méo đó thì cần phải đo pha. Chỉ xem xét\r\ncác thành phần méo điều chế của tần số f2 ± f1, và f2\r\n± 2f1.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đo các thành phần bậc cao\r\nhơn nhìn chung không có giá trị.
\r\n\r\n24.4.2.4. Méo điều chế bậc hai\r\ncó thể xác định bằng công thức sau:
\r\n\r\nnếu tính bằng phần trăm:
nếu tính bằng dB:
Méo hài bậc 3 có thể xác định bằng\r\ncông thức sau:
\r\n\r\nnếu tính bằng phần trăm:
nếu tính bằng dB:
24.4.2.5. Kết quả đo được trình\r\nbày bằng đồ thị dưới dạng hàm số của điện áp chuẩn là giá trị r.m.s của điện áp\r\nhình sin có giá trị đỉnh-đỉnh như tín hiệu thử nghiệm được đặt vào loa. Phải\r\nnêu cùng với kết quả các điều kiện đo (trường tự do hoặc trường tự do nửa không\r\ngian), tần số f1 và f2 và tỷ số biên độ ứng với hai tần số\r\nđó.
\r\n\r\n24.5. Đặc tính méo điều\r\nchế bậc n (trong đó n = 2 hoặc n = 3)
\r\n\r\n24.5.1. Đặc tính
Phải quy\r\nđịnh méo điều chế bậc n biểu thị dưới dạng thanh áp ở băng tần chỉ định,\r\nloại trừ tần số f1.
\r\n\r\n24.5.2. Phương pháp đo
\r\n\r\nPhương pháp đo phải được thực hiện\r\ntheo 24.8.2, tuy nhiên thanh áp tổng pf2 được thay bằng thanh\r\náp trong băng tần chỉ định, loại trừ tần số f1 theo 20.1.
\r\n\r\n24.6. Méo chênh lệch tần số (bậc 2)
\r\n\r\n24.6.1. Đặc tính
Phải quy\r\nđịnh tỷ số thanh áp do loa phát ra tại tần số thử nghiệm (f1\r\n- f2) và thanh áp tổng phát ra từ loa. Tần số f1\r\nvà f2 là hai tín hiệu đầu vào hình sin có cùng biên độ, được\r\nbiểu thị bằng giá trị hiệu dụng r.m.s.
\r\n\r\n24.6.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n24.6.2.1. Loa phải được đặt\r\nvào điều kiện trường tự do hoặc trường tự do nửa không gian. Hai nguồn tín hiệu\r\nhình sin có biên độ bằng nhau và có tần số là f1 và f2\r\n(thường f2 - f1 = 80 Hz) được nối tới đầu vào của một bộ\r\nkhuếch đại và tín hiệu đầu ra của bộ khuếch đại là dạng xếp chồng tuyến tính của\r\nf1 và f2 được nối vào loa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giá trị nhỏ nhất khuyến cáo\r\nđối với f1 là gấp hai lần giá hiệu hai tần số f1\r\nvà f2, với điều kiện giá trị này nằm dải tần số danh định của loa.
\r\n\r\n24.6.2.2. Micrô đo được đặt\r\ncách điểm chuẩn 1 m, nếu không có quy định\r\nnào khác.
\r\n\r\n24.6.2.3. Bộ lọc dải thông hẹp\r\nđiều chỉnh được trong phạm vi tần số (f2 - f2)\r\nphải được nối tới micrô đo, và đo giá trị hiệu dụng thành phần của tần số (f2\r\n- f1).
\r\n\r\n24.6.2.4. Méo chênh lệch tần số\r\nbậc hai phải được xác định bằng công thức:
\r\n\r\nnếu tính bằng phần trăm:
trong đó Pf là thanh\r\náp tại tần số f;
\r\n\r\nnếu tính bằng dB:
24.6.2.5. Kết quả đo được thể\r\nhiện bằng đồ thị là hàm của điện áp và tần số đo:
\r\n\r\nĐiều kiện của phép đo (trường tự do hoặc\r\ntrường tự do nửa không gian) phải được nêu cùng với kết quả.
\r\n\r\n25. Điều kiện môi trường\r\ndanh định
\r\n\r\n25.1. Dải nhiệt độ
\r\n\r\n25.1.1. Dải nhiệt độ giới hạn tính\r\nnăng - đặc tính cần quy định
\r\n\r\nPhải quy\r\nđịnh dải nhiệt độ mà trong đó sự thay đổi đặc tính của loa không vượt\r\nquá dung sai quy định.
\r\n\r\n25.1.2. Dải nhiệt độ trong giới hạn\r\ngây hỏng - đặc tính cần quy định
\r\n\r\nPhải quy\r\nđịnh dải nhiệt độ môi trường mà trong quá trình làm việc hoặc cất giữ nếu\r\nvượt quá thì có thể gây ra các thay đổi vĩnh viễn các đặc tính làm việc.
\r\n\r\n25.2. Dải độ ẩm
\r\n\r\n25.2.1. Dải độ ẩm tương đối - đặc tính\r\nquy định
\r\n\r\nPhải quy\r\nđịnh dải độ ẩm tương đối mà trong đó sự biến đổi đặc tính của loa không\r\nvượt quá dung sai quy định.
\r\n\r\n25.2.2. Dải độ ẩm giới hạn gây hỏng -\r\nđặc tính quy định
\r\n\r\nDải độ ẩm tương đối của môi trường mà\r\ntrong quá trình làm việc hoặc cất giữ phải được quy\r\nđịnh rằng nếu vượt quá thì có thể gây ra sự thay đổi vĩnh viễn các đặc\r\ntính làm việc.
\r\n\r\n\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đôi khi cần biết giá trị từ\r\ntrường do loa phát ra để ngăn ngừa nhiễu cho các thiết bị khác đặt cạnh nó như\r\nlà máy thu hình và đầu máy video, máy vi tính, thiết bị đo trên các phương tiện\r\nhàng không, v.v.
\r\n\r\n26.1. Thành phần
26.1.1. đặc tính cần
Phải quy\r\nđịnh giá trị lớn nhất của cường độ trường tĩnh,\r\ntính bằng A/m, sinh ra bởi hệ thống nam châm của loa đặt cách bất kỳ bộ phận\r\nnào (hoặc các bộ phận kết hợp) phía sau hoặc cách bất kỳ bộ phận nào của hộp, một\r\nkhoảng là 30 mm khi không có tín hiệu âm thanh.
\r\n\r\nNếu thành phần tĩnh (H) được đo bằng cảm ứng từ; giá trị đo được phải chuyển đổi\r\nthành A/m theo công thức sau:
\r\n\r\nTrong đó
\r\n\r\nm0
B là mật độ từ thông, tính bằng T.
\r\n\r\n26.1.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n26.1.2.1. Đo từ thông
26.1.2.2. Trước khi đo, thiết bị\r\nphải đặt ở zêrô theo hướng dẫn của nhà chế tạo để loại bỏ ảnh hưởng trường từ\r\ntrái đất. Để làm điều này, cố định đầu dò Hall như Hình 8 phải được định hướng\r\nvà cố định để vô hiệu hóa tr
26.1.2.3. Khi đầu dò Hall được\r\ncố định, loa cần thử nghiệm phải được di chuyển về phía cơ cấu giữ đầu dò Hall\r\nđể giá trị đo được là cao nhất. Phép đo cũng có thể thực hiện bằng cách thay đổi\r\nvị trí và hướng của đầu dò Hall thay vì thay đổi vị trí của loa. Nếu cố định\r\nHall thì không gian đo không được có bất kỳ ảnh hưởng từ tính bên ngoài nào vượt\r\nquá một phần mười cường độ từ trường cần đo.
\r\n\r\n26.1.2.4. Giá trị cao nhất đo\r\nđược của cường độ từ trường, tính bằng A/m, phải được ghi lại cùng kết quả
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Báo cáo thử nghiệm phải bao\r\ngồm vị trí và hướng để có giá trị lớn nhất liên quan đến mặt phẳng chuẩn và điểm\r\nchuẩn của loa. Thông tin này có thể được thể hiện trên biểu đồ.
\r\n\r\n26.2. Thành phần động
\r\n\r\n26.2.1. Đặc tính cần
Phải quy\r\nđịnh các giá trị lớn nhất của cả thành phần tĩnh và thành phần động của cường độ từ trường, tính bằng A/m, được\r\ntạo ra bởi loa và các bộ phận kết hợp ở khoảng cách đo 30 mm, khi loa được kích\r\ntại điện áp tạp danh định của tín hiệu tạp mô phỏng theo TCVN 6697-1 (IEC\r\n60268-1).
\r\n\r\nHai thành phần tĩnh và thay đổi phải được quy định.\r\nĐiện áp tạp danh định phải được nêu ra cùng các kết quả.
\r\n\r\n26.2.2. Phương pháp đo
\r\n\r\n26.2.2.1. Loa thử nghiệm phải\r\nđược khích bằng điện ở tín hiệu chương trình mô phỏng theo TCVN 6698-1 (IEC\r\n60268-1), tại điều kiện điện áp tạp danh định của nó theo 17.1 trong thời gian\r\nthực hiện phép đo.
\r\n\r\n26.2.2.2. Các thành phần
26.2.2.3. Đối với thành phần
26.2.2.4. Đối với thành phần động,\r\ntrước khi bắt đầu đo, phải cố định đầu dò Hall (hoặc cuộn dây dò) theo hướng sao\r\ncho ảnh hưởng từ bên ngoài không đạt tới một phần mười thành phần động cần đo,\r\ntrong dải tần đo.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cẩn thận để loại bỏ bất kỳ ảnh\r\nhưởng điện từ nào từ vùng đo khi có yêu cầu đo chính xác.
\r\n\r\n26.2.2.5. Khi đầu dò bằng nam\r\nchâm được định hướng thích hợp, loa thử nghiệm phải tỳ vào cơ cấu giữ đầu dò bằng\r\nnam châm ở vị trí và hướng thích hợp, đến khi tìm thấy giá trị đo cao nhất.\r\nPhép đo cũng có thể thực hiện bằng cách thay đổi vị trí và hướng của đầu dò\r\nHall thay vì thay đổi vị trí và hướng của loa. Trong trường hợp này, vùng đo\r\nkhông được có bất kỳ ảnh hưởng từ tính bên ngoài nào vượt quá một phần mười cường\r\nđộ từ trường cần đo.
\r\n\r\n26.2.2.6. Giá trị cao nhất đo\r\nđược của thành phần tĩnh và thành phần động\r\ncủa cường độ từ trường, tính bằng A/m, phải được ghi cùng với kết quả.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Báo cáo phải bao gồm vị trí\r\nvà định hướng để có được các giá trị lớn nhất đối với mặt phẳng chuẩn và điểm\r\nchuẩn của loa. Thông tin này có thể được thể hiện dưới dạng biểu đồ.
\r\n\r\n\r\n\r\n27.1. Kích thước
\r\n\r\nKích thước của khung ngoài và kích thước\r\nlắp đặt của loa phải được quy định theo\r\nIEC 60268-14 đối với đường kính khung ngoài ưu tiên và kích thước lắp đặt của\r\nloa tròn và elíp.
\r\n\r\n27.2. Khối lượng
\r\n\r\nPhải quy\r\nđịnh khối lượng của loa trước khi đưa vào sử dụng.
\r\n\r\n27.3. Phụ kiện cáp
\r\n\r\nĐấu mối nối cáp và các bộ nối phải phù\r\nhợp với IEC 60268-11 hoặc 60268-12.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong một số tr
Các dữ liệu thiết kế khác phải được
- thông lượng tổng tại khe hở không\r\nkhí;
\r\n\r\n- mật độ thông lượng tại khe hở không\r\nkhí;
\r\n\r\n- năng lượng từ tại khe hở nam châm;
\r\n\r\n- điện trở một chiều của cuộn dây loa;
\r\n\r\n- số vòng của cuộn dây loa;
\r\n\r\n- khối lượng, vật liệu và kiểu nam\r\nchâm;
\r\n\r\n- chiều dài của cuộn dây loa;
\r\n\r\n- chiều cao của khe từ;
\r\n\r\n- khoảng chệch khỏi trục lớn nhất XP-P;
\r\n\r\n29. Chỉ ra các đặc\r\ntính quy định
\r\n\r\nCác dữ liệu mà nhà chế tạo phải đưa ra\r\nđược quy định bằng dấu "X" trong\r\nBảng 1. Các dữ liệu mà nhà chế tạo cần đưa ra được nêu bằng chữ "R".
\r\n\r\nA = dữ liệu phải ghi nhãn trên loa (hoặc\r\ntrên tấm thông số);
\r\n\r\nB = dữ liệu phải được
Các giá trị do nhà chế tạo đưa ra cần\r\nđược hiểu là giá trị "danh định".
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n 13. Mô t | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 13.2. Bộ kích loa \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 13.2.1. Nguyên lý chuyển đổi \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 13.2.2. Kiểu \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 13.3. Hệ thống loa \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 14. Ghi nhãn các đầu nối và núm điều\r\n khiển \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 15. Mặt phẳng chuẩn, điểm chuẩn và\r\n trục chuẩn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 15.1. Mặt ph | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 15.2. Điểm chuẩn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 15.3. Trục chuẩn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 16. Trở kháng và các đặc tính dẫn xuất \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 16.1. Tr | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 16.2. Đường cong trở kháng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 16.3. Hệ số Q tổng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 16.4. Thể tích không khí tương đương\r\n của bộ kích loa \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 17. Điện áp vào \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 17.1. Điện áp tạp danh định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 17.2. Điện áp vào ngắn hạn lớn nhất \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 17.3. Điện áp vào dài hạn lớn nhất \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 17.4. Điện áp hình sin danh định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 18. Công suất điện vào \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 18.1. Công suất tạp danh định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 18.2. Công suất ngắn hạn lớn nhất \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 18.3. Công suất dài hạn lớn nhất \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 18.4. Công suất hình sin danh định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 19. Đặc tính tần số \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 19.1. Dải tần số danh định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 19.2. Tần số cộng h | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 19.3. Tần số điều hưởng của hệ thống\r\n loa có phản xạ trầm hoặc phát xạ thụ động \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 20. Thanh áp trong điều kiện trường\r\n tự do và trường tự do nửa không gian \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 20.6. Mức thanh áp trung bình trong\r\n băng tần chỉ định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 21. Đáp tuyến trong điều kiện trường\r\n tự do và trường tự do nửa không gian \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 21.1. Đáp tuyến t | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 21.2. D | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 21.3. Hàm chuyển đổi \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 22. Công suất ra (công suất âm) \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 22.4. Hiệu suất trung\r\n bình trong băng tầ | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 23. Đặc t | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 23.1. Đồ thị đáp tuyến phương hướng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 23.2. Góc phát xạ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 23.3. Chỉ số tính phương hướng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 23.4. Góc bao quát hoặc góc \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 24. Tính phi tuyến biên độ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 24.1. Méo hài tổng (Giá trị danh định\r\n của đặc tính thích hợp) \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 24.4. Méo điều chế bậc n (khi n=2 hoặc\r\n n=3) \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 24.6. Méo chênh lệch tần số (chỉ đối\r\n với bậc 2) \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 25. Điều kiện môi trường danh định \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 25.1. Dải nhiệt độ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 25.2. Dải độ ẩm tương đối \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 26. Trư | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 26.1. Thành phần | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 26.2. Thành phần động \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 27. Đ | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 27.1. Kích thước \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 27.2. Khối lượng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 27.3. Đầu nối cáp \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 28. Dữ liệu thiết kế \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
![](\"00912699_files/image030.jpg\")
![](\"00912699_files/image031.jpg\")
![](\"00912699_files/image032.jpg\")
![](\"00912699_files/image034.gif\")
![](\"00912699_files/image035.gif\")
Ví dụ về hộp loa tiêu chuẩn kiểu A thể\r\nhiện như Hình A 1.
\r\n\r\n![](\"00912699_files/image036.jpg\")
Thành phần:
\r\n\r\n1. Khung chính của hộp (gỗ dán đày 21 mm\r\nhoặc lớn hơn, hoặc tương đương)
\r\n\r\n2. Vách ngăn mặt trước (gỗ dán dày 21\r\nmm hoặc tương đương) (có thể tháo ra được nếu cần thiết)
\r\n\r\n3. Tấm mặt trước có thể tháo ra được (loa cố định) (thép, dày 3 mm hoặc lớn\r\nhơn, hoặc tương đương)
\r\n\r\n4. Thanh tăng cường mặt trước
\r\n\r\n5. Thanh giằng tăng cường
\r\n\r\n6. Thanh tăng cường góc
\r\n\r\n7. Thanh tăng cường phía sau
\r\n\r\n8. Vật liệu hấp thụ âm thanh (sử dụng\r\nsợi thủy tinh dày 50 mm và khối lượng\r\nriêng là 20 kg/m3 sao cho các sóng đứng có thể được bỏ qua)
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Kích thước được cho như\r\nHình 5.
\r\n\r\nĐường cong hiệu chỉnh đối với ảnh hưởng\r\nnhiễu xạ của hộp đo tiêu chuẩn kiểu A đối với khoảng cách đo 1 m trên trục chuẩn\r\ntính từ trường tự do đến trường tự do nửa không gian, được thể hiện trên Hình\r\nA.2 và A.3.
\r\n\r\nVí dụ về hộp loa tiêu chuẩn kiểu B thể\r\nhiện như Hình B 1.
\r\n\r\n![](\"00912699_files/image039.gif\")
Thành phần:
\r\n\r\n1. Khung chính của hộp (gỗ dán
2. Tấm mặt trước có thể tháo ra được\r\n(loa cố định: gỗ dán hoặc tương đương)
\r\n\r\n3. Thanh tăng cường mặt trước
\r\n\r\n4. Thanh giằng
5. Vật liệu hấp thụ âm thanh (sử dụng\r\nsợi thủy tinh dày 50 mm và khối lượng riêng\r\n20 kg/m3 sao cho các sóng đứng có thể được bỏ qua)
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Kích thước được cho như\r\nHình 6.
\r\n\r\nChi tiết kết cấu và kích thước tỷ lệ hộp\r\nđo kiểu B được thể hiện như Hình B.2 và Bảng B.1.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH:
\r\n\r\nXem Bảng B.1.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Chiều rộng bên trong \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Chiều cao bên trong \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Độ dày 1 bên trong \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Độ dày 2 bên trong \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Bán kính \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Chiều dày của tấm \r\n | \r\n \r\n
| \r\n |
| \r\n Thanh giằng ở tấm mặt bên \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n CHÚ THÍCH: Ký hiệu “i" có nghĩa\r\n là phép đo bên trong và ký hiệu “e" có nghĩa là phép đo bên ngoài. NA có\r\n nghĩa là ‘không áp dụng' - Các kích thước này được kiểm soát bởi các kích thước\r\n quy định khác \r\n | \r\n ||
| \r\n a | \r\n ||
| \r\n b | \r\n ||
![](\"00912699_files/image041.gif\"){kind=small}
Đường cong hiệu chỉnh đối với ảnh hưởng\r\nnhiễu xạ của hộp đo tiêu chuẩn kiểu B đối với khoảng cách đo 1 m trên trục chuẩn\r\ntính từ trường tự do đến trường tự do nửa không gian, được thể hiện trên Hình\r\nB.3 và B.4.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trường tự do nửa không gian\r\ngần như bằng vô cùng (10,07 m x 8,15 m).
\r\n\r\n![](\"00912699_files/image042.jpg\")
\r\ntrường tự do đến trường tự do nửa không gian
\r\n(trung bình các kết quả, đường kính loa = 30 cm, 38 cm, 46 cm)
Các thuật ngữ và định nghĩa liệt kê dưới\r\nđây liên quan đến các công nghệ loa. Chúng bao gồm các thông tin mới nhất và\r\nkhông mâu thuẫn với các thuật ngữ được nêu trong IEV (IEC 60050).
\r\n\r\nC.1. Nguyên lý bộ chuyển đổi
\r\n\r\nC1.1. Loa diện động (cuộn dây di chuyển)
\r\n\r\nLoa, có màng loa được kéo bởi lực cơ học\r\nmà lực này xuất hiện khi có dòng điện chạy qua ruột dẫn điện đặt trong trường từ.
\r\n\r\nC.1.2. Loa điện
Loa, màng loa được kéo bởi lực
C.1.3. Loa áp điện (tinh thể)
\r\n\r\nLoa, màng loa được kéo bởi lực hiệu ứng\r\náp điện.
\r\n\r\nC.1.4. Loa điện từ (lõi chuyển động)
\r\n\r\nLoa, màng loa được kéo bởi lực nam\r\nchâm đặt lên phần di chuyển được làm bằng vật liệu sắt từ.
\r\n\r\nC.2. Kiểu
\r\n\r\nC.2.1. Loa bức xạ trực tiếp
\r\n\r\nLoa mà bức xạ trực tiếp âm thanh từ\r\nmàng loa.
\r\n\r\nC.2.2.
Loa nối một đầu của sừng mà sừng này\r\ncó diện tích mặt thay đổi liên tục vào mặt trước của màng loa để đầu kia của sừng\r\nbức xạ âm thanh.
\r\n\r\nC.2.3.
Bộ kích loa, trong đó có diện tích hở\r\nđược nối tới một sừng được làm nhỏ hơn diện tích màng loa.
\r\n\r\nC.3
C.3.1
Vách được sử dụng để cách âm giữa mặt\r\ntrước và mặt sau của màng loa.
\r\n\r\nC.3.2.
Hộp cô lập âm thanh phát ra từ mặt sau\r\ncủa màng loa.
\r\n\r\nC.3.3. Hộp phản xạ âm trầm (có lỗ
Hộp có đáp tuyến tần số có thể mở rộng\r\ntới một tần số thấp hơn tần số cộng hưởng của loa, bằng cách lắp đặt một ống dẫn\r\nâm hoặc màng thoát trên thành hộp.
\r\n\r\nC.3.4. Sừng
\r\n\r\nBộ thích ứng âm thanh giống như một ống\r\ndẫn có diện tích mặt cắt thay đổi liên tục tính từ đầu này đến đầu kia của sừng,\r\nđược sử dụng trở kháng âm thanh và điều\r\nchỉnh tính hướng.
\r\n\r\nC.3.5. Cột (hàng) của hệ thống loa
\r\n\r\nHệ thống loa trong đó nhiều loa được bố\r\ntrí thành hàng.
\r\n\r\nC.3.6. Hệ thống loa đồng trục
\r\n\r\nHệ thống loa trong đó nhiều loa được bố\r\ntrí đồng trục.
\r\n\r\n\r\n\r\n
D.1. Thử nghiệm nghe đối với làm việc\r\nbình thường
\r\n\r\nXác nhận làm việc bình thường bằng\r\ncách đặt một tín hiệu chương trình tới loa để kiểm tra.
\r\n\r\na) lắp đặt loa như mô tả ở Điều 10.
\r\n\r\nb) đặt tín hiệu chương trình với điện\r\náp hiệu dụng lớn nhất bằng điện áp tạp danh định của loa.
\r\n\r\nc) Kiểm tra mức âm thanh, chất lượng\r\ntiếng, tạp, và sự có mặt của các khuyết tật khác.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Tín hiệu
CHÚ THÍCH 2: Thử nghiệm này chủ yếu được\r\nthực hiện trong quá trình chế tạo, không đòi hỏi phải ghi trong báo cáo thử\r\nnghiệm.
\r\n\r\nD.2. Thử nghe đối với tạp cơ (tiếng lốp\r\nbốp)
\r\n\r\nThử nghiệm này để kiểm tra tiếng cọ\r\nsát và tiếng ồn bằng cách nghe để xác định rằng loa làm việc bình thường khi\r\ncung cấp điện áp hình sin danh định tới đầu nối của loa.
\r\n\r\na) lắp đặt loa như
b) Kiểm tra âm thanh của loa bằng cách\r\nđặt điện áp hình sin danh định tới loa, thay đổi tần số của tín hiệu hình sin\r\ntrong dải tần số danh định. Điện áp dùng để đo có thể theo
c) Vị trí nghe phải là vị trí mà tại\r\nđó mọi âm thanh bất thường đều nghe được dễ dàng, ở khoảng cách lớn hơn 0,3 m từ\r\nđiểm chuẩn của loa, nếu không có quy định\r\nnào khác.
\r\n\r\nd) Kiểm tra mức âm thanh, chất lượng\r\nâm thanh, mức tạp và các âm thanh bất thường khác.
\r\n\r\ne) Bộ khuếch đại công suất cần phải có\r\ntrở kháng đầu ra nhỏ hơn một phần ba trở kháng danh định của loa và có thể cung\r\ncấp điện áp hình sin ít nhất gấp 2 lần điện áp danh định của loa. Méo hài tổng\r\nphải không được vượt quá 1 % tại đầu nối loa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thử nghiệm này chủ yếu được thực hiện\r\ntrong quá trình chế tạo, không đòi hỏi phải ghi trong báo cáo thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\n
ISO 3743-1, Acoustics - Determination\r\nof sound power levels of noise sources - Engineering methods for small, movable\r\nsources in reverberant fields - Part 1: Comparison method for hard-walled test\r\nrooms (Âm học - Định nghĩa về các mức công suất âm thanh của các nguồn tạp -\r\nPhương pháp thiết kế đối với nguồn di chuyển nhỏ, trong trường dội vang - Phần\r\n1: Phương pháp so sánh đối với phòng thử nghiệm vách cứng)
\r\n\r\nISO 3743-2, Acoustics - Determination\r\nof sound power levels of noise sources using sound pressure - Engineering\r\nmethods for small, movable sources in reverberant fields - Part 2: Methods for\r\nspecial reverberation test rooms (Âm học - Định nghĩa về các mức công suất âm\r\nthanh của các nguồn tạp sử dụng thanh áp - Phương pháp thiết kế đối với nguồn\r\ndi chuyển nhỏ, trong trường dội vang - Phần 2: Phương pháp đối với phòng thử\r\nnghiệm dội vang quy định)
\r\n\r\nAES-5id-1997,1998: Information document\r\nfor room acoustics and sound reinforcement systems - Loudspeaker modelling and\r\nmeasurement - Frequency and angular resolution for measuring, presenting and\r\npredicting loudspeaker polar data (Tài liệu thông tin đối với phòng âm và hệ thống\r\ntăng cường âm thanh - Mô hình hóa và phép\r\nđo loa - Tần số và sự phân dải góc để đo, thể hiện và dự đoán loa dữ liệu cực).
\r\n\r\n\r\n\r\n
Lời nói đầu
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3. Điều kiện đo
\r\n\r\n4. Tín hiệu thử nghiệm
\r\n\r\n5. Môi trường âm
\r\n\r\n6. Tạp âm và tạp điện không mong muốn
\r\n\r\n7. Định vị loa và micrô đo
\r\n\r\n8. Thiết bị đo
\r\n\r\n9. Độ chính xác của phép đo âm
\r\n\r\n10. Lắp đặt loa
\r\n\r\n11. Ván loa và hộp loa tiêu chuẩn dùng\r\nđể đo
\r\n\r\n12. Ổn định trước
\r\n\r\n13. Mô tả kiểu
\r\n\r\n14. Ghi nhãn đầu nối và các bộ phận điều\r\nkhiển
\r\n\r\n15. Mặt phẳng chuẩn, điểm chuẩn và trục\r\nchuẩn
\r\n\r\n16. Trở kháng và các đặc tính dẫn xuất
\r\n\r\n17. Điện áp vào
\r\n\r\n18. Công suất điện vào
\r\n\r\n19. Đặc tính tần số
\r\n\r\n20. Thanh áp trong điều kiện trường tự\r\ndo và trường tự do nửa không gian
\r\n\r\n21. Đáp tuyến trong điều kiện trường tự\r\ndo và trường tự do nửa không gian
\r\n\r\n22. Công suất ra (công suất âm)
\r\n\r\n23. Đặc tính hướng
\r\n\r\n24. Tính phi tuyến
25. Điều kiện môi trường danh định
\r\n\r\n26. Trường từ lạc
\r\n\r\n27. Đặc tính vật lý
\r\n\r\n28. Dữ liệu thiết kế
\r\n\r\n29. Chỉ ra các đặc tính
Phụ lục A (tham khảo) - Hộp loa tiêu\r\nchuẩn kiểu A dùng để đo
\r\n\r\nPhụ lục B (tham khảo) - Hộp loa tiêu\r\nchuẩn kiểu B dùng để đo
\r\n\r\nPhụ lục C (tham khảo) - Định nghĩa thuật\r\nngữ sử dụng trong Điều 13
\r\n\r\nPhụ lục D (tham khảo) - Thử nghiệm\r\nnghe
\r\n\r\nThư mục tài liệu tham khảo
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6697-5:2009 (IEC 60268-5 : 2007) về Thiết bị của hệ thống âm thanh – Phần 5: Loa đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6697-5:2009 (IEC 60268-5 : 2007) về Thiết bị của hệ thống âm thanh – Phần 5: Loa
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN6697-5:2009 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2009-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |