Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 7909-1-1: 2008 hoàn toàn tương đương với\r\nIEC/TR 61000-1-1: 1992;
\r\n\r\nTCVN 7909-1-1: 2008 do Ban kỹ thuật tiêu\r\nchuẩn quốc gia TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu\r\nchuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\nTCVN 7909-1-1: 2008 là một phần của bộ Tiêu\r\nchuẩn Quốc gia TCVN 7909.
\r\n\r\nHiện tại, bộ Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 7909 (IEC\r\n61000) đã có các phần dưới đây, có tên gọi chung là Tương thích điện từ.
\r\n\r\nPhần 1-1, Qui định chung - Ứng dụng và giải\r\nthích các thuật ngữ và định nghĩa cơ bản
\r\n\r\nPhần 1-2, Qui định chung - Phương pháp luận\r\nđể đạt được an toàn chức năng của thiết bị điện và điện tử liên quan đến hiện tượng\r\nđiện từ
\r\n\r\nPhần 1-5, Qui định chung - Ảnh hưởng của điện\r\ntừ công suất lớn (HPEM) trong khu dân cư
\r\n\r\nPhần 2-2, Môi trường - Mức tương thích đối\r\nvới nhiễu dẫn tần số thấp và tín hiệu truyền trong hệ thống cung cấp điện hạ áp\r\ncông cộng
\r\n\r\nPhần 2-4, Môi trường - Mức tương thích đối\r\nvới nhiễu dẫn tần số thấp trong khu công nghiệp
\r\n\r\nPhần 2-6, Môi trường - Đánh giá mức phát xạ\r\nliên quan đến nhiễu dẫn tần số thấp trong cung cấp điện của khu công nghiệp
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này nhằm mô tả và giải thích các\r\nthuật ngữ khác nhau, được coi là cơ sở quan trọng cho các khái niệm và ứng dụng\r\nthực tiễn khi thiết kế và đánh giá hệ thống tương thích điện từ. Ngoài ra, cần lưu\r\ný đến sự khác nhau giữa thử nghiệm tương thích điện từ (EMC) được thực hiện với\r\nbố trí thử nghiệm tiêu chuẩn và các thử nghiệm được thực hiện tại nơi lắp đặt\r\ncơ cấu (thiết bị hoặc hệ thống) (thử nghiệm tại hiện trường).
\r\n\r\nCác thuật ngữ và định nghĩa các thuật ngữ được\r\nnêu trong Điều 2, kèm theo viện dẫn chương 161 của IEV [1]
Dưới đây là định nghĩa các thuật ngữ quan trọng\r\nđược sử dụng trong tiêu chuẩn. Sau mỗi thuật ngữ là số hiệu IEV của thuật ngữ\r\nđó nếu giống hệt với thuật ngữ nêu trong [1]*. Nếu khác, sau số hiệu IEV sẽ có\r\nthêm ký hiệu “/A”, hoặc chỉ ra rằng thuật ngữ chưa được định nghĩa trong IEC\r\n60050(161).
\r\n\r\nThuật ngữ và định nghĩa thuật ngữ có thể chia\r\nlàm ba nhóm:
\r\n\r\n1) Thuật ngữ cơ sở
2) Thuật ngữ kết hợp
3) Thuật ngữ tương quan
2.1.1. Môi trường điện từ
Tổng các hiện tượng điện từ tồn tại trong một\r\nvị trí cho trước.
\r\n\r\nChú thích/A: Nhìn chung, tổng này phụ thuộc\r\nvào thời gian và việc mô tả nó có thể cần tiếp cận theo phương pháp thống kê.
\r\n\r\n2.1.2. Nhiễu điện từ
Hiện tượng điện từ bất kỳ có thể làm suy giảm\r\ntính năng của cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nhiễu điện từ có thể là tạp điện\r\ntừ, tín hiệu không mong muốn hoặc có thể là sự thay đổi trong bản thân môi trường\r\ntruyền.
\r\n\r\n2.1.3. Nhiễm nhiễu điện từ
EMI
\r\n\r\nSự suy giảm tính năng của cơ cấu, kênh truyền\r\ndẫn hoặc hệ thống do nhiễu điện từ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nhiễu là nguyên nhân còn nhiễm\r\nnhiễu là kết quả.
\r\n\r\n2.1.4. Tương thích điện từ
EMC
\r\n\r\nKhả năng hoạt động thỏa đáng của thiết bị\r\nhoặc hệ thống trong môi trường điện từ của nó mà không tạo ra nhiễu điện từ quá\r\nmức cho bất kỳ vật gì trong môi trường đó.
\r\n\r\n2.1.5. Phát xạ (điện từ)
Hiện tượng mà nhờ đó năng lượng điện từ phát\r\nra từ nguồn.
\r\n\r\n2.1.6. Suy giảm (tính năng)
Sự sai khác không mong muốn về tính năng làm việc\r\ncủa cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống so với tính năng mong muốn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thuật ngữ "suy giảm" có\r\nthể dùng cho hỏng tạm thời hoặc hỏng vĩnh viễn.
\r\n\r\n2.1.7. Miễn nhiễm (đối với nhiễu)
Khả năng của cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống làm\r\nviệc trong môi trường có nhiễu điện từ mà tính năng không bị suy giảm.
\r\n\r\n2.1.8. Tính nhạy (điện từ)
Tính dễ bị suy giảm tính năng của cơ cấu,\r\nthiết bị hoặc hệ thống khi làm việc trong môi trường có nhiễu điện từ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Có tính nhạy tức là thiếu khả năng\r\nmiễn nhiễm.
\r\n\r\n2.1.9. Mức (của một đại lượng)
Độ lớn của một đại lượng được đánh giá theo\r\ncách qui định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mức của một đại lượng có thể được\r\nthể hiện bằng đơn vị logarít, ví dụ đềxiben so với giá trị chuẩn.
\r\n\r\n\r\n\r\n2.2.1. Mức phát xạ (của nguồn nhiễu)
Mức của nhiễu điện từ nhất định, phát ra từ\r\nmột cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống cụ thể, được đo theo cách qui định.
\r\n\r\n2.2.2. Giới hạn phát xạ (từ nguồn nhiễu)
Mức phát xạ lớn nhất cho phép.
\r\n\r\n2.2.3. Mức miễn nhiễm
Mức lớn nhất của nhiễu điện từ cho trước, tác\r\nđộng tới cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống cụ thể, nhưng vẫn duy trì được khả năng\r\nlàm việc ở mức tính năng yêu cầu.
\r\n\r\n2.2.4. Giới hạn miễn nhiễm
Mức miễn nhiễm tối thiểu yêu cầu.
\r\n\r\n2.2.5. Mức nhiễu
Lượng hoặc độ lớn của nhiễu điện từ, được đo\r\nvà đánh giá theo cách qui định.
\r\n\r\n2.2.6. Mức tương thích (điện từ)
Mức nhiễu điện từ qui định được sử dụng làm\r\nmức chuẩn trong môi trường qui định để phối hợp chế độ đặt của giới hạn phát xạ\r\nvà miễn nhiễm.
\r\n\r\n\r\n\r\n2.3.1. Khoảng dự phòng phát xạ
Tỷ số giữa mức tương thích điện từ và giới\r\nhạn phát xạ.
\r\n\r\n2.3.2. Khoảng dự phòng miễn nhiễm
2.3.3. Khoảng dự phòng tương thích (điện từ)
CHÚ THÍCH/A: Khoảng dự phòng tương thích là\r\ntích số của khoảng dự phòng phát xạ và khoảng dự phòng miễn nhiễm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu các mức được biểu diễn dưới\r\ndạng dB(…) thì trong các định nghĩa về các khoảng dự phòng ở trên, cụm từ “tỷ\r\nsố” được thay bằng “hiệu số”, “tích số” được thay bằng “tổng”.
\r\n\r\nCác định nghĩa nêu trong Điều 2 là các định\r\nnghĩa cơ bản, thuộc về khái niệm. Khi các định nghĩa này được sử dụng để ấn\r\nđịnh các giá trị qui định cho các mức trong trường hợp cụ thể thì cần ghi nhớ\r\nmột số lưu ý. Trong tiêu chuẩn này chỉ đưa ra một số lưu ý kèm theo các ví dụ\r\ngiải thích. Các thuật ngữ khác xem trong Phụ lục A và Phụ lục B.
\r\n\r\nCác thiết bị cơ bản trong hệ thống có thể\r\nchia thành hai nhóm.
\r\n\r\n1) thiết bị phát, là cơ cấu, thiết bị hoặc hệ\r\nthống phát ra điện áp, dòng điện hoặc trường có thể gây nhiễu, và
\r\n\r\n2) thiết bị có tính nhạy, là cơ cấu, thiết bị\r\nhoặc hệ thống mà hoạt động của chúng có thể bị suy giảm bởi các phát xạ này.
\r\n\r\nMột số thiết bị có thể đồng thời thuộc cả hai\r\nnhóm.
\r\n\r\n3.2.1. Mức/giới hạn phát xạ và miễn nhiễm
\r\n\r\nHình 1 thể hiện sự kết hợp có thể xảy ra giữa\r\nmức phát xạ và mức miễn nhiễm và các giới hạn kết hợp của chúng là hàm số của một\r\nbiến độc lập nào đó, ví dụ tần số, đối với từng thiết bị phát và từng thiết bị\r\ncó tính nhạy.
\r\n\r\nTrong Hình 1, mức phát xạ luôn thấp hơn mức lớn\r\nnhất cho phép của nó, tức là giới hạn phát xạ, còn mức miễn nhiễm luôn cao hơn\r\nmức tối thiểu yêu cầu, tức là giới hạn miễn nhiễm. Do đó, thiết bị phát và\r\nthiết bị có tính nhạy phù hợp với giới hạn qui định của chúng. Ngoài ra, giới\r\nhạn miễn nhiễm được chọn cao hơn giới hạn phát xạ và giả thiết là mức và giới\r\nhạn là các hàm liên tục của biến độc lập. Các mức và các giới hạn này có thể\r\ncũng là hàm rời rạc của một biến độc lập nào đó, xem ví dụ 1 trong 3.2.2.
\r\n\r\nCần ghi nhớ các lưu ý dưới đây.
\r\n\r\nLưu ý A
\r\n\r\nViệc vẽ mức phát xạ và mức miễn nhiễm (và các\r\ngiới hạn kết hợp) trên cùng một hình với giả thiết là chỉ lưu ý đến một nhiễu\r\ncụ thể, trừ khi đã chỉ ra rõ ràng là đang xét đến các nhiễu khác nhau và mối\r\nliên quan giữa các nhiễu khác nhau cũng được chỉ ra.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image001.gif\")
Lưu ý B
\r\n\r\nViệc vẽ mức phát xạ và mức miễn nhiễm trên\r\nmột hình chỉ có liên quan khi có mối tương quan tốt giữa cách qui định để đo\r\nmức phát xạ của nhiễu cụ thể và cách qui định mà kiểu nhiễu này tới thiết bị\r\ncần thử nghiệm. Nếu xảy ra trường hợp này thì Hình 1 thể hiện trạng thái tương\r\nthích điện từ.
\r\n\r\nTrong Hình 1, có một số khoảng dự phòng nhất\r\nđịnh giữa mức đo được và giới hạn của nó. Khoảng dự phòng này có thể được gọi\r\nlà “khoảng dự phòng thiết kế của thiết bị”, và là khoảng dự phòng bổ sung khi\r\nthiết kế để đảm bảo sự phù hợp với giới hạn khi thực hiện thử nghiệm EMC. Mặc\r\ndù đây là một xem xét quan trọng đối với nhà chế tạo nhưng khoảng dự phòng này không\r\nđược định nghĩa trong IEC 60050(161) [1] cũng như trong tiêu chuẩn này vì vấn\r\nđề thiết kế thiết bị là quyền của nhà chế tạo.
\r\n\r\n3.2.2. Mức tương thích
\r\n\r\nHình 2 thể hiện các giới hạn phát xạ và giới\r\nhạn miễn nhiễm của Hình 1, và mức tương thích giữa các giới hạn này. Đường nét\r\nđứt thể hiện mức phát xạ và mức miễn nhiễm có thể có đối với từng thiết bị phát\r\nvà từng thiết bị có tính nhạy. Lưu ý A, nêu trong 3.2.1, vẫn có hiệu lực.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image002.gif\")
Cần ghi nhớ các lưu ý bổ sung dưới đây:
\r\n\r\nLưu ý C
\r\n\r\nMức tương thích, là mức nhiễu qui định, được\r\nbiểu diễn theo đơn vị tương ứng với giới hạn phát xạ. Nếu giới hạn phát xạ và\r\nmiễn nhiễm không qui về cùng một nhiễu (xem ví dụ 2 dưới đây) thì mức tương\r\nthích có thể được biểu diễn theo đơn vị tương ứng với mức phát xạ hoặc mức miễn\r\nnhiễm.
\r\n\r\nLưu ý D
\r\n\r\nNếu môi trường điện từ là khống chế được, thì\r\ncó thể chọn mức tương thích trước. Sau đó, suy ra giới hạn phát xạ và miễn\r\nnhiễm từ mức này để đảm bảo xác suất cao và chấp nhận được về EMC trong môi trường\r\nđó.
\r\n\r\nLưu ý này thể hiện rằng trong môi trường khống\r\nchế được, có thể có được EMC với chi phí hiệu quả nhất bằng cách chọn mức tương\r\nthích trước, trên cơ sở tài chính và kỹ thuật để nhận được các giới hạn phát xạ\r\nvà miễn nhiễm thích hợp cho tất cả các thiết bị (sẽ) được lắp đặt trong môi trường\r\nđó.
\r\n\r\nLưu ý E
\r\n\r\nNếu môi trường điện từ là không khống chế được\r\nthì mức được chọn trên cơ sở các mức nhiễu đang có hoặc mức nhiễu dự kiến. Tuy\r\nnhiên, giới hạn phát xạ và giới hạn miễn nhiễm vẫn cần được đánh giá, để đảm\r\nbảo các mức nhiễu đang có hoặc dự kiến sẽ không tăng lên khi lắp đặt thêm thiết\r\nbị mới và thiết bị này là đủ miễn nhiễm. Nếu các thử nghiệm hoặc tính toán cho thấy\r\nrằng cần phải cải thiện tình trạng hiện tại, do kết quả về kinh tế và kỹ thuật\r\ncủa các giới hạn được chọn thì phải điều chỉnh mức tương thích kéo theo giới\r\nhạn phát xạ và giới hạn miễn nhiễm. Về lâu dài, mức tương thích điều chỉnh này\r\nsẽ tạo ra giải pháp có hiệu quả kinh tế hơn cho toàn bộ hệ thống.
\r\n\r\nLưu ý F
\r\n\r\nViệc xác định các giới hạn từ mức tương thích\r\nbị chi phối bởi các lưu ý về xác suất, nêu trong 3.3. Nhìn chung, các giới hạn\r\nnày không cách đều mức tương thích, xem thêm 3.3. Trong Điều A.6 của Phụ lục A,\r\nmức tương thích được xác định đối với trường hợp lý tưởng, khi hàm mật độ xác\r\nsuất được coi là đã biết.
\r\n\r\nHai ví dụ dưới đây minh họa cho một số lưu ý\r\ntrong 3.2.1 và 3.2.2.
\r\n\r\nVí dụ 1:
\r\n\r\nGiả sử cần xác định giới hạn miễn nhiễm liên\r\nquan đến nhiễu tại các hài của tần số lưới điện, đối với thiết bị được nối vào\r\nmạng điện hạ áp công cộng. Ngoài ra, giả sử rằng đối với thiết bị cần xem xét,\r\nmạng điện lưới chỉ đóng vai trò là nguồn cung cấp năng lượng (không phải nguồn\r\ntín hiệu, v.v…). Vì ví dụ này chỉ minh họa cho một số khía cạnh, nên chỉ xét\r\nđến các hài lẻ.
\r\n\r\nMức nhiễu hài trong mạng điện công cộng không\r\nphải là loại dễ dàng khống chế được. Do đó, bắt đầu bằng cách lấy mức tương\r\nthích Uc từ [2]. Trong [2], mức này được cho dưới dạng phần trăm của\r\nđiện áp danh định, và cách tiếp cận này như dưới đây (xem Hình 3).
\r\n\r\nĐể đảm bảo xác suất EMC cao, chấp nhận được,\r\nhai yêu cầu sau phải được đáp ứng:
\r\n\r\na) Tại từng tần số, mức điện áp nhiễu Ud\r\ntrong mạng, tức là điện áp nhiễu gây ra từ tất cả các nguồn nhiễu nối với mạng\r\nđó, cần có xác suất cao khi đáp ứng mối quan hệ Ud < Uc\r\ntại các vị trí có Uc qui định, trong hầu hết thời gian.
\r\n\r\nb) Tại từng tần số, cần có xác suất cao khi\r\nmức miễn nhiễm Ui của từng thiết bị nối vào mạng đó đáp ứng quan hệ Ui\r\n> Ud.
\r\n\r\nYêu cầu thứ nhất được thỏa mãn bằng cách lấy\r\nmức tương thích từ [2].
\r\n\r\nHình 3 cũng đưa ra giới hạn phát xạ của một\r\nnguồn nhiễu duy nhất. Nếu đã biết có bao nhiêu nguồn nhiễu tạo ra Ud\r\nvà cũng đã biết cách thức các nhiễu hài cộng lại với nhau thì có thể ước lượng\r\ngiá trị Ud trong mạng đó. Điều này quan trọng trong các trường hợp\r\nmức nhiễu là khống chế được, vì ước lượng này dẫn đến lựa chọn giá trị Uc\r\nban đầu đối với một mạng cụ thể. Dĩ nhiên lựa chọn cuối cùng cũng được xác định\r\nbởi các yêu cầu về miễn nhiễm.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image003.gif\")
Giới hạn phát xạ cũng được đưa ra để minh họa\r\nvấn đề. Trong Bảng 1 của [3], giới hạn phát xạ được đưa ra dưới dạng dòng điện hài\r\nlớn nhất cho phép, tính bằng ampe. Tuy nhiên, việc trình bày trong Hình 3 yêu\r\ncầu giới hạn phát xạ phải được biểu diễn dưới dạng phần trăm của điện áp danh định.\r\nGiới hạn này có thể có được từ giới hạn ban đầu khi đã biết trở kháng mạng.\r\nTrong ví dụ này, giả thiết một cách đơn giản là trở kháng mạng bằng trở kháng\r\nchuẩn cho trong [3]. Cũng với cách lập luận trên, các tỷ số điện áp hài lớn\r\nnhất cho trong Phụ lục A của [3] cũng được vẽ trên Hình 3. Lưu ý rằng trong\r\n[2], có sự phân biệt giữa các hài lẻ có bậc là bội của 3 và các hài có bậc\r\nkhông phải bội của 3. Trong [3] không có sự phân biệt này đối với giới hạn phát\r\nxạ.
\r\n\r\nMức nhiễu thực phụ thuộc nhiều vào số lượng\r\nnguồn nhiễu, tức là phụ thuộc vào số lượng các thiết bị đang làm việc được nối\r\nvào mạng điện. Trong mạng điện hạ áp công cộng, số lượng nguồn nhiễu, có thể có\r\nảnh hưởng đáng kể, ở phía tần số thấp nhìn chung lớn hơn nhiều so với ở phía\r\ntần số cao. Do đó, độ không đảm bảo về mức nhiễu thực, tại các tần số thấp sẽ\r\nlớn hơn rất nhiều tại các tần số cao. Điều này được phản ánh trong Hình 3,\r\ntrong đó tại phía tần số thấp, khoảng cách giữa giới hạn phát xạ (đối với một\r\nthiết bị) và mức tương thích (có tính đến xếp chồng các nhiễu) lớn hơn nhiều so\r\nvới khoảng cách tại phía tần số cao. Khoảng cách này chính là khoảng dự phòng phát\r\nxạ, sẽ được đề cập trong 3.3.
\r\n\r\nĐể thỏa mãn yêu cầu thứ hai, cần giới hạn miễn\r\nnhiễm đủ chặt, như ví dụ cho trong Hình 3. Cần có khoảng cách giữa giới hạn này\r\nvà Uc, chính là khoảng dự phòng miễn nhiễm (xem 3.3), bởi vì:
\r\n\r\n1) vẫn tồn tại một xác suất nhỏ mà tại một vị\r\ntrí nhất định và trong khoảng thời gian nhất định, mức nhiễu sẽ lớn hơn mức tương\r\nthích;
\r\n\r\n2) trở kháng bên trong Zi của nguồn nhiễu, sử\r\ndụng trong thử nghiệm miễn nhiễm, nhìn chung sẽ không bằng với trở kháng bên\r\ntrong của mạng điện thực. (Việc thảo luận về giá trị Zi cần sử dụng trong thử\r\nnghiệm miễn nhiễm không thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này.)
\r\n\r\nCó thể qui định giới hạn miễn nhiễm liên tục\r\nnhư minh họa trong Hình 3. Việc này có ưu điểm là có thể xem xét đến các hài\r\nchẵn, hài trung gian, và tất cả các nhiễu khác trong dải tần số cho trước. Có thể\r\nchọn hàm liên tục vì ban đầu giả thiết rằng mạng điện chỉ đóng vai trò nguồn\r\ncung cấp năng lượng tức là không có nguồn tín hiệu. Với mục đích thử nghiệm, có\r\nthể cần chuyển đổi các giá trị phần trăm của giới hạn miễn nhiễm cho trong Hình\r\n3 sang giá trị tuyệt đối.
\r\n\r\nVí dụ 2:
\r\n\r\nCó những trường hợp khi các mức và giới hạn\r\nphát xạ, tương thích và miễn nhiễm có thể được tính bằng các đơn vị khác nhau.
\r\n\r\nXét khả năng miễn nhiễm với các trường RF của\r\nthiết bị có kích thước nhỏ so với bước sóng của trường RF đó. Nhận thấy rằng miễn\r\nnhiễm của thiết bị được xác định chủ yếu bởi miễn nhiễm của các dòng điện phương\r\nthức chung cảm ứng trong dây dẫn nối với thiết bị [4]. Do đó, cần tính đến hiện\r\ntượng bức xạ và hiện tượng dẫn tương hỗ khi cố gắng để đạt được tương thích\r\nđiện từ.
\r\n\r\nLiên quan đến 3.2.1, vì mối quan hệ giữa cường\r\nđộ trường và sức điện động (e.m.f) được thiết lập trong các nghiên cứu khác nên\r\ncó thể biểu diễn mức phát xạ trong Hình 1 là cường độ trường điện (ví dụ tính\r\nbằng dB (m
Liên quan đến Hình 2 và các lưu ý đã đề cập ở\r\ntrên, mức tương thích có thể biểu diễn dưới dạng dB (
Nếu thử nghiệm phát xạ và miễn nhiễm được\r\nthiết kế sao cho có tương quan tốt với hiện tượng điện từ hiện có thì trường hợp\r\ntrong Hình 4 có thể đại diện cho trường hợp tương thích điện từ đối với từng\r\nthiết bị phát và từng thiết bị có tính nhạy đang xét.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image004.gif\")
Thực vậy, Hình 4 cho thấy mức miễn nhiễm cao hơn\r\ngiới hạn miễn nhiễm, giới hạn miễn nhiễm cao hơn giới hạn phát xạ và giới hạn phát\r\nxạ lại cao hơn mức phát xạ. Tuy nhiên, trường hợp vẽ trên Hình 4 không đảm bảo rằng\r\nEMC sẽ thực sự tồn tại, vì có các độ không đảm bảo đã được đề cập vắn tắt trong\r\nví dụ đầu tiên của 3.2.2.
\r\n\r\nSự tồn tại của các độ không đảm bảo đo này có\r\nnghĩa là sau khi chọn mức tương thích, yêu cầu có các khoảng dự phòng giữa mức\r\nvà giới hạn phát xạ và cần qui định giới hạn miễn nhiễm. Theo Hình 4, các\r\nkhoảng dự phòng, được định nghĩa trong 2.3, được thể hiện bằng các đường nét\r\nliền. Các đường nét đứt thể hiện khoảng dự phòng của thiết bị theo thiết kế,\r\ncần được nhà chế tạo chọn và đã được đề cập trong 3.2.1. Các điều nhỏ dưới đây\r\nsẽ đề cập đến bốn độ không đảm bảo quan trọng.
\r\n\r\n3.3.1. Thử nghiệm được tiêu chuẩn hóa
\r\n\r\nTrong trường hợp thử nghiệm được tiêu chuẩn hóa,\r\nxem Phụ lục B, có hai độ không đảm bảo quan trọng ảnh hưởng đến độ lớn của các\r\nkhoảng dự phòng giữa mức tương thích và các giới hạn qui định.
\r\n\r\n1) sự phù hợp của phương pháp thử nghiệm, và
\r\n\r\n2) độ phân tán chuẩn của các đặc tính thành phần\r\ntrong trường hợp thiết bị được sản xuất hàng loạt.
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo 1: Sự phù hợp của phương\r\npháp thử nghiệm
\r\n\r\nPhương pháp thử nghiệm tiêu chuẩn, bằng nỗ lực\r\ncụ thể, với một số lượng rất hạn chế các tình huống thử nghiệm để bao trùm được\r\nsố lượng gần như là vô hạn các tình huống thực tế trong khi thiết bị vẫn phải\r\nhoạt động thỏa đáng. Vì vậy, sự phù hợp của phương pháp thử nghiệm được xác\r\nđịnh bởi phạm vi mà phương pháp đó bao trùm một tình huống thực tế, và điều này\r\nchỉ được biết ở phạm vi giới hạn.
\r\n\r\nThử nghiệm phát xạ tiêu chuẩn hóa luôn được\r\ntiến hành bằng cách sử dụng cơ cấu đo đã được xác định rõ (đầu dò điện áp,\r\nanten, v.v...) được nối đến thiết bị đo cũng được xác định rõ, thay vì sử dụng thiết\r\nbị có tính nhạy thực tế. Tương tự như vậy, trong các thử nghiệm miễn nhiễm tiêu\r\nchuẩn hóa, thiết bị phát là một máy phát được xác định rõ cùng với thiết bị\r\nghép nối cũng được xác định rõ, nhưng không phải là thiết bị phát thực tế. Tuy\r\nnhiên, các thử nghiệm phát xạ và miễn nhiễm này được thực hiện để đạt được EMC\r\ntại các vị trí mà thiết bị phát và thiết bị có tính nhạy thực tế tương tác với\r\nnhau.
\r\n\r\nNhìn chung, các thử nghiệm tiêu chuẩn hóa chỉ\r\nxét đến một hiện tượng tại một thời điểm, ví dụ phát xạ do dẫn hoặc phát xạ do\r\nbức xạ. Trong thử nghiệm miễn nhiễm cũng có lưu ý tương tự. Tuy nhiên, trong\r\ntình huống thực tế, tất cả các hiện tượng đều tác động đồng thời, và điều này\r\nlàm giảm sự thích hợp của thử nghiệm tiêu chuẩn hóa.
\r\n\r\nDo bị hạn chế về tính thích hợp của thử\r\nnghiệm tiêu chuẩn hóa, cần có các khoảng dự phòng giữa mức tương thích và các\r\ngiới hạn phát xạ và miễn nhiễm.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image005.gif\")
Độ không đảm bảo 2: Độ phân tán chuẩn của các\r\nđặc tính thành phần
\r\n\r\nKhông phải tất cả các cơ cấu, thiết bị hoặc\r\nhệ thống, đặc biệt là các cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống được chế tạo hàng\r\nloạt, đều được thử nghiệm trước khi lắp đặt. Nếu tất cả các thiết bị đều được\r\nthử nghiệm, thì đã tìm sự phân bố các dữ liệu thử nghiệm, là hệ quả của sự phân\r\ntán của các đặc tính thành phần.
\r\n\r\nĐiều này được minh họa trong Hình 5. Do đó,\r\ncó độ không đảm bảo vì thiết bị được chọn ngẫu nhiên trong các sản phẩm được\r\nsản xuất hàng loạt chưa hẳn đã đáp ứng giới hạn. Độ không đảm bảo này được xem xét\r\ncụ thể trong [5], phần về cái gọi là “qui tắc phù hợp 80%-80%”. Sự phân bố này\r\ncũng được xác định bởi độ tái lập của phương pháp thử nghiệm.
\r\n\r\nLưu ý rằng, các đường cong tương tự với các đường\r\ncong trên Hình 5 sẽ được tìm thấy đối với mỗi giá trị của biến độc lập trong\r\nthử nghiệm EMC qui định. Do đó, Hình 5 cũng chỉ có thể áp dụng cho các dữ liệu\r\nthử nghiệm ở một giá trị đơn lẻ của biến độc lập.
\r\n\r\nTừ Hình 5 có thể kết luận rằng xác suất để\r\nthiết bị không đáp ứng giới hạn là rất nhỏ, và vì khoảng dự phòng tương thích được\r\nchọn nên xác suất EMI sinh ra trong trường hợp này là không đáng kể. Hình 5\r\ncũng cho thấy rằng nhà chế tạo đã chọn khoảng dự phòng nhất định cho thiết kế\r\ncủa thiết bị. Trong một số trường hợp, xem [5] và [6], qui tắc phù hợp 80%-80%\r\ntạo ra sự cần thiết phải có khoảng dự phòng tối thiểu cho thiết kế của thiết\r\nbị, khoảng dự phòng này phụ thuộc vào cỡ mẫu của thử nghiệm EMC.
\r\n\r\n3.3.2. Thử nghiệm tại hiện trường, xếp chồng
\r\n\r\nNgoài hai độ không đảm bảo đề cập trong 3.3.1,\r\nsự xếp chồng các nhiễu do các nguồn khác nhau trong hệ thống lắp đặt cũng làm\r\nxuất hiện một độ không đảm bảo.
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo này liên quan đến sự phù hợp\r\ncủa thử nghiệm, và cần lưu ý là thử nghiệm tại hiện trường, tức là thử nghiệm\r\ntại vị trí thiết bị cần thử nghiệm đang sử dụng, không được xác định rõ như thử\r\nnghiệm được tiêu chuẩn hóa; xem Phụ lục B. Cụ thể, trở kháng tải của thiết bị\r\nphát thường chưa biết và thường phụ thuộc vào thời gian. Ví dụ, bên cạnh các\r\nyếu tố khác, trở kháng nguồn phương thức vi sai còn phụ thuộc vào tình trạng\r\nnối với mạng điện của thiết bị (đóng hay cắt điện) nối với mạng. Khi xem xét\r\nmiễn nhiễm cũng cần lưu ý tương tự như vậy. Do đó, khoảng dự phòng được chọn trong\r\nhệ thống lắp đặt có thể khác với khoảng dự phòng trong thử nghiệm tiêu chuẩn\r\nhóa.
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo 3: Hiệu ứng xếp chồng, tiêu\r\nchí đa chiều
\r\n\r\nTại vị trí của thiết bị có tính nhạy, môi trường\r\nđiện từ được xác định bởi tất cả các cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống phát ra\r\nnăng lượng điện từ. Do đó, nhiều loại nhiễu (bao gồm cả dạng sóng, ví dụ sóng\r\nsin, sóng xung) có thể tồn tại đồng thời. Nếu xét một nhiễu cho trước tại một vị\r\ntrí cho trước thì mức nhiễu được xác định bởi:
\r\n\r\na) xếp chồng các nhiễu cùng loại, đóng góp của\r\ntừng nhiễu phụ thuộc vào điều kiện mang tải của thiết bị phát, đặc tính lan\r\ntruyền điện từ giữa thiết bị phát và thiết bị có tính nhạy và phụ thuộc vào\r\nthời gian;
\r\n\r\nb) đóng góp của các loại nhiễu khác, có các\r\nthành phần trong băng thu của thiết bị có tính nhạy, trong đó đóng góp của từng\r\nnhiễu chịu các khía cạnh đề cập trong điểm a) ở trên.
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo về giá trị thực của mức\r\nnhiễu tới hạn tạo ra sự cần thiết phải có khoảng dự phòng.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image006.gif\")
Ví dụ:
\r\n\r\nVí dụ về xếp chồng các nhiễu, đề cập trong\r\nđiểm a), được cho trên Hình 6. Trong ví dụ này, giả thiết là có ba loại thiết\r\nbị phát, phát ra cùng một loại nhiễu. Như với Hình 5, chỉ có thể xem xét kết\r\nquả đối với một biến độc lập trong một thời điểm. Ba hàm mật độ xác suất liên\r\nquan được thể hiện bằng psi(D) (i = 1, 2, 3). Trong ví dụ này, hàm\r\nmật độ tới hạn p(D) được xác định chủ yếu bởi ps3(D). Lưu ý rằng, nhìn\r\nchung hàm mật độ xác suất phụ thuộc vào thời gian, vì nó phụ thuộc vào số lượng\r\nnguồn đang làm việc.
\r\n\r\nTrong các ví dụ trong tiêu chuẩn này sử dụng phân\r\nbố Gauxơ nhưng cũng có thể có các kiểu phân bố khác.
\r\n\r\nMức nhiễu tới hạn là quan trọng đối với tất\r\ncả các thiết bị có tính nhạy có thể có tại vị trí cụ thể (trong hệ thống cụ\r\nthể), nơi mà mỗi loại thiết bị có tính nhạy có các đặc tính miễn nhiễm riêng\r\n(xem Hình 7) ngay cả khi các loại này phải đáp ứng cùng một giới hạn miễn\r\nnhiễm. Ngoài ra, tại vị trí lắp đặt cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống, các loại\r\nnhiễu khác nhau có thể đồng thời tác động đến thiết bị có tính nhạy và đây là\r\nmột loại xếp chồng khác. Mức miễn nhiễm đối với một loại nhiễu có thể bị ảnh hưởng\r\nxấu do sự có mặt của loại nhiễu khác (xem Phụ lục B). Do đó, cần thiết phải có\r\nthêm khoảng dự phòng bổ sung.
\r\n\r\n3.3.3. Thiếu dữ liệu
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo 4 : Thiếu dữ liệu
\r\n\r\nNhìn chung, thiếu thời gian hoặc không thể đo\r\ncác mức nhiễu tại tất cả các vị trí có thể lắp đặt thiết bị có tính nhạy, và do\r\nđó hiếm khi biết được mật độ xác suất nhiễu cho trên Hình 7. Thêm vào đó, phân\r\nbố mức miễn nhiễm thường là chưa biết. Trường hợp chưa biết phân bố mức miễn\r\nnhiễm là trường hợp xảy ra khi vượt quá mức miễn nhiễm, dẫn đến nguy cơ cao gây\r\nbỏng thiết bị có tính nhạy và miễn nhiễm được thử nghiệm trong thử\r\nnghiệm”đạt-không đạt”, đến mức miễn nhiễm điện từ bằng (hoặc cao hơn một lượng\r\ntheo thỏa thuận) so với mức miễn nhiễm tối thiểu yêu cầu, tức là giới hạn miễn\r\nnhiệm. việc thiết dữ liệu hỗ trợ này một lần nữa đòi hỏi phải có các khoảng dự\r\nphòng giữa mức tương thích và giới hạn cần quy định.
\r\n\r\nTrong một số trường hợp. việc thiếu dữ liệu\r\ncủa một nguồn nhiễu nào đó có thể trở nên quan trọng nếu ban đầu thiết bị được\r\ncho làm việc cho môi trường giành cho nó, sau đó lại được sử dụng rộng rãi. Ví\r\ndụ, càng biết nhiều về nguồn lưới điện ở tần số cơ bản và các hài của chúng và\r\nvề các trở kháng kết hợp mà ở đó vấn đề quan tâm là nhiễu dẫn phương thức vi\r\nsai thì càng biết ít về trường từ gây ra bởi các nhiễu này trong các trường hợp\r\nthực tế. Ngày nay các trường này có tầm quan trọng lớn khi sử dụng ngày càng\r\nnhiều các bộ hiển thị ảnh và kính hiển vi điện tử (trong các ngành công nghệ\r\ncao), vì các trường này có thể ảnh hưởng lớn đến sự sai lệch chùm tia điện tử\r\ntrong các thiết bị này. (Ngoài ra việc che chắn khỏi các trường từ tần số thấp\r\nlà rất tốn kém).
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image007.gif\")
\r\n\r\n
A.1. Qui định chung
\r\n\r\nTrong phụ lục này, thuật ngữ và định nghĩa\r\nnêu trong Điều 2 sẽ được giải thích để đưa ra thông tin cơ bản về định nghĩa được\r\nchọn và hệ quả của việc sử dụng các thuật ngữ trong việc mô tả các yêu cầu về\r\nEMC.
\r\n\r\nA.2. Nhiễm nhiễu, tương thích và môi trường\r\nđiện từ
\r\n\r\nSố lượng các ứng dụng của thiết bị điện và\r\nđiện tử càng tăng thì khó khăn về vận hành càng nhiều. Một trong những yếu tố\r\ngóp vào những khó khăn này là thiết bị đang sử dụng bị nhiễm nhiễu của các\r\nthiết bị khác do đặc tính điện từ của các cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống liên\r\nquan. Nếu tất cả các thiết bị này có thể tồn tại hài hòa bên cạnh nhau thì sẽ\r\ncó tương thích điện từ. Rất tiếc trường hợp này không phải là phổ biến, do đó\r\nphải giải quyết các vấn đề về nhiễm nhiễu điện từ.
\r\n\r\nTại những nơi có tương thích điện từ thì môi\r\ntrường điện từ phải sao cho mọi sự trong đó đều hài hòa.
\r\n\r\nA.2.1. Nhiễm nhiễu điện từ (EMI)
\r\n\r\nVì có nhiễm nhiễu nên cần quan tâm đến tương\r\nthích điện từ, do đó trước tiên cần xem xét khái niệm nhiễm nhiễu điện từ.
\r\n\r\nNhiễm nhiễu điện từ, EMI: là sự suy giảm tính\r\nnăng của cơ cấu thiết bị hoặc hệ thống do nhiễu điện từ gây ra.
\r\n\r\nNhiễu điện từ nêu trong định nghĩa này được\r\nđịnh nghĩa như sau:
\r\n\r\nNhiễu điện từ: Mọi hiện tượng điện từ có thể\r\nlàm suy giảm tính năng của một cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống, hoặc gây ảnh hưởng\r\nbất lợi đến cơ thể sống hoặc vật thể trơ.
\r\n\r\nCần lưu ý các nhận xét dưới đây:
\r\n\r\na) Nhiễm nhiễu/nhiễu
\r\n\r\nNhiễm nhiễu liên quan đến sự suy giảm không mong\r\nmuốn, còn nhiễu liên quan đến hiện tượng điện từ dẫn đến sự suy giảm đó.
\r\n\r\nDo đó, nếu hiện tượng điện từ được mô tả dưới\r\ndạng đại lượng đo được, ví dụ điện áp, thì phải được gọi là điện áp nhiễu mà\r\nkhông gọi là điện áp nhiễm nhiễu ([1], 161-4).
\r\n\r\nb) Dạng cơ bản của nhiễm nhiễu điện từ
\r\n\r\nĐịnh nghĩa về EMI liên quan đến “sự suy giảm\r\ntính năng … gây ra bởi…”. Điều này có nghĩa là, trong dạng cơ bản, vấn đề EMI\r\ngồm ba thành phần sau (xem Hình A.1):
\r\n\r\n1) thiết bị phát, tức là nguồn phát ra nhiễu\r\nđiện từ,
\r\n\r\n2) thiết bị có tính nhạy, tức là cơ cấu,\r\nthiết bị hoặc hệ thống có tính nhạy thể hiện sự suy giảm tính năng,
\r\n\r\n3) môi trường giữa chúng, hay còn được gọi là\r\ntuyến ghép nối.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image008.jpg\")
Do đó, vấn đề EMI có hai khía cạnh chính:\r\nPhát xạ và tính nhạy, và dưới đây cũng cho thấy rằng EMC cũng có hai khía cạnh\r\nchính này.
\r\n\r\nc) Suy giảm
\r\n\r\nĐịnh nghĩa về thuật ngữ suy giảm như sau:
\r\n\r\nSuy giảm: là sự sai khác không mong muốn về\r\ntính năng làm việc của cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống so với tính năng mong muốn.
\r\n\r\nĐiều quan trọng cần lưu ý là sử dụng cụm từ\r\n“không mong muốn” mà không phải là cụm từ “bất kỳ”. Khía cạnh này là rất quan trọng\r\nkhi thiết lập các qui định kỹ thuật EMC. Loại sai khác nào về tính năng làm\r\nviệc được coi là không mong muốn phải được làm rõ trong qui định kỹ thuật này.
\r\n\r\nVí dụ:
\r\n\r\nGiả sử một hệ thống tính toán cần hoạt động\r\nmà không bị suy giảm khi có một số kiểu gián đoạn nhất định trong điện áp lưới\r\ncủa hệ thống đó. Sai số trong tính toán, do những gián đoạn này gây ra, luôn\r\ntạo ra sai lệch không mong muốn. Nếu có thể tránh suy giảm này bằng cách sử\r\ndụng acqui dự phòng thì các lại gián đoạn gây ra tăng thời gian tính toán một chút\r\nvì hệ thống phải chuyển từ nguồn điện lưới sang nguồn acqui và ngược lại. Trong\r\nnhiều trường hợp, sai lệch này là hoàn toàn chấp nhận được.
\r\n\r\nA.2.2. Tương thích điện từ (EMC)
\r\n\r\nNhư đã nêu ở phần đầu của A.2: “Nếu tất cả\r\ncác thiết bị có thể tồn tại hài hòa bên cạnh nhau thì sẽ có tương thích điện từ\r\n(EMC)””. Khi có tương thích điện từ thì môi trường điện từ phải sao cho mọi thứ\r\ntrong đó đều hài hòa. Khi đưa thêm thiết bị vào môi trường đó mà không gây ra\r\nEMI thì có nghĩa là thiết bị này có đặc tính tương thích điện từ. Do đó có thể\r\nđịnh nghĩa về EMC như sau:
\r\n\r\nTương thích điện từ, EMC: là khả năng hoạt\r\nđộng thỏa đáng của thiết bị hoặc hệ thống trong môi trường điện từ của nó mà\r\nkhông tạo ra nhiễu điện từ không chấp nhận được cho bất kỳ thứ gì trong môi trường\r\nđó.
\r\n\r\nHài hòa mong muốn được hiểu theo hai cách\r\nquan trọng mà cũng là hai khía cạnh then chốt của EMC:
\r\n\r\n1) “để hoạt động thỏa đáng”, có nghĩa là cơ\r\ncấu, thiết bị hoặc hệ thống chịu được các thiết bị hoặc hệ thống khác, tức là\r\ncơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống không nhạy với các nhiễu tồn tại trong môi trường\r\ncủa nó.
\r\n\r\n2) “không tạo ra nhiễu không chấp nhận được”,\r\ncó nghĩa là thiết bị “không được gây cản trở cho các thiết bị khác”, tức là\r\nphát xạ của thiết bị hoặc hệ thống không được gây ra nhiễu điện từ.
\r\n\r\nCác khía cạnh then chốt về phát xạ và tính\r\nnhạy, xuất hiện trong khái niệm EMI, cũng là các khía cạnh then chốt của EMC.\r\nĐiều này được minh họa trên Hình A.2 thể hiện phần đầu của phân đoạn, và sẽ được\r\nhoàn thiện trong Hình A.3.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image009.jpg\")
A.2.3. Môi trường điện từ
\r\n\r\nTrên thực tế, thường có nhiều nguồn (tự nhiên\r\nhoặc nhân tạo) phát ra nhiễu điện từ, tạo thành môi trường điện từ mà các thiết\r\nbị có tính nhạy có thể nằm trong đó. Các tình huống này rất đa dạng và mô tả\r\nhoàn chỉnh môi trường điện từ rất phức tạp.
\r\n\r\nThông thường thì môi trường phải được xác\r\nđịnh (hoặc được ước lượng) bằng cách đo (hoặc tính toán) các thông số của hiện tượng\r\nđiện từ, ví dụ như điện áp, dòng điện, trường, v.v…, tại vị trí liên quan.\r\nTrong hầu hết các trường hợp, nhận thấy rằng các đại lượng này thay đổi theo thời\r\ngian. Do đó, môi trường điện từ, sử dụng trong định nghĩa EMC, có thể được định\r\nnghĩa như sau:
\r\n\r\nMôi trường điện từ là tổng các hiện tượng\r\nđiện từ tồn tại ở một vị trí cho trước.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nhìn chung, tổng này phụ thuộc vào\r\nthời gian và mô tả chúng có thể cần đến phương pháp thống kê.
\r\n\r\nCó một số nhận xét dưới đây liên quan đến\r\nviệc sử dụng thuật ngữ môi trường điện từ trong định nghĩa EMC.
\r\n\r\na) Môi trường của thiết bị
\r\n\r\nĐịnh nghĩa EMC liên quan đến môi trường của\r\nthiết bị chứ không định nghĩa một môi trường bất kỳ hoặc tất cả các môi trường.\r\nĐiều này có nghĩa là nếu thiết bị có đặc tính tương thích điện từ trong một môi\r\ntrường cụ thể thì không nhất thiết thiết bị sẽ tương thích trong một môi trường\r\nkhác. Trong hầu hết trường hợp, đặc tính của môi trường điện từ không bao giờ\r\ndự đoán được 100 %, bởi vì các đặc tính này phụ thuộc vào vị trí và thời gian.\r\nĐiều này có nghĩa là các qui định kỹ thuật về EMC chỉ có thể được viết theo cách\r\ncó một xác suất thỏa thuận hoặc chấp nhận được để thiết bị là tương thích điện\r\ntừ trong một số môi trường nhất định.
\r\n\r\nb) Vật bất kỳ trong môi trường đó
\r\n\r\nĐịnh nghĩa EMC liên quan đến “vật bất kỳ\r\ntrong môi trường đó”. Điều này có nghĩa là, ngoài cơ cấu, thiết bị hoặc hệ\r\nthống, cũng có thể gồm cả các sinh vật sống. Khía cạnh này là quan trọng khi\r\nqui định các giới hạn phát xạ cho trường điện từ để đạt được EMC.
\r\n\r\nVí dụ:
\r\n\r\nHãy xem xét trường điện từ sinh ra bởi thiết\r\nbị gia nhiệt tần số rađiô kích thước lớn trong các tình huống khi đã biết\r\nkhoảng cách giữa thiết bị RF và thiết bị có tính nhạy có thể có là lớn và đã biết\r\nvề sự suy giảm nào đó trong tòa nhà. Khi đó có thể quyết định giới hạn chấp\r\nnhận được đối với các thiết bị này. Tuy nhiên, người vận hành làm việc bên\r\ntrong tòa nhà ở khoảng cách rất gần so với thiết bị RF đó có thể bị phơi nhiễm\r\nđến mức không chấp nhận được, bởi vì cường độ trường thay đổi theo khoảng cách đến\r\nnguồn.
\r\n\r\nA.3. Tính nhạy/miễn nhiễm
\r\n\r\nVì tính nhạy là một trong hai khía cạnh quan trọng\r\ncủa cả EMC và EMI nên định nghĩa của tính nhạy là định nghĩa rộng và có thể\r\nphát biểu như sau:
\r\n\r\nTính nhạy: Tính dễ suy giảm tính năng của\r\nthiết bị hoặc hệ thống khi làm việc trong môi trường có nhiễu điện từ.
\r\n\r\nĐối lập với khái niệm tính nhạy là miễn\r\nnhiễm. Định nghĩa miễn nhiễm như sau:
\r\n\r\nMiễn nhiễm: Khả năng thiết bị hoặc hệ thống làm\r\nviệc trong môi trường có nhiễu điện từ mà tính năng không bị suy giảm.
\r\n\r\nCó thể thấy ngay rằng các định nghĩa về miễn\r\nnhiễm và tính nhạy gần giống nhau. Một câu hỏi đặt ra là có thể bỏ một thuật\r\nngữ được không. Câu trả lời là không bởi một số lý do như sau.
\r\n\r\nNhư đã chỉ ra trong A.2, yêu cầu phải xem xét\r\nEMC của thiết bị là sự tồn tại của EMI hay của thiết bị có tính nhạy. Nhìn\r\nchung, luôn tìm được nhiễu điện từ gây ra suy giảm tính năng của thiết bị. Vì\r\nvậy, phải xem xét EMC vì tính nhạy là đặc tính cơ bản của hầu hết các thiết bị.\r\nĐiều này cũng đã được chỉ ra trong IEC 60050(161), khi chú thích đi kèm định nghĩa\r\ntính nhạy có nêu rằng tính nhạy là "không đủ miễn nhiễm" [1]. Do đó,\r\ncần một cái tên cho đặc tính cơ bản này. Tất nhiên đặc tính này có thể gọi là "không\r\nđủ miễn nhiễm" nhưng sẽ hợp lý hơn nếu chọn một từ để chỉ đặc tính này:\r\ntính nhạy.
\r\n\r\nNhưng mục tiêu cuối cùng là đạt được môi trường\r\ntương thích điện từ. Do đó, cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống miễn nhiễm là rất\r\ncần thiết. Do đó, thuật ngữ miễn nhiễm là thuật ngữ liên quan được sử dụng\r\ntrong qui định kỹ thuật EMC. Nhìn chung, miễn nhiễm đạt được bằng cách thực hiện\r\ncác biện pháp ngăn ngừa hoặc điều chỉnh. Cần lưu ý rằng yêu cầu về miễn nhiễm\r\nluôn được qui định đối với loại nhiễu điện từ cụ thể tới thiết bị hoặc hệ thống\r\ntheo cách qui định; xem thêm A.5.
\r\n\r\nA.4. Mức và giới hạn
\r\n\r\nKhi thiết lập qui định kỹ thuật EMC, các giá\r\ntrị nhất định phải được ấn định cho các mức nhiễu điện từ trong các trường hợp\r\ncụ thể. Định nghĩa mức này như sau [7]:
\r\n\r\nMức (của một đại lượng): là độ lớn của một\r\nđại lượng được đánh giá theo cách qui định.
\r\n\r\nĐịnh nghĩa về nhiễu điện từ như sau:
\r\n\r\nNhiễu điện từ: là hiện tượng điện từ bất kỳ\r\ncó thể làm suy giảm tính năng của cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống hoặc gây ảnh hưởng\r\nbất lợi đến cơ thể sống hoặc vật thể trơ.
\r\n\r\nNếu phải đánh giá một đại lượng theo cách qui\r\nđịnh thì phải biết ý nghĩa của nó. Do đó, định nghĩa mức nhiễu phải phản ánh\r\nyêu cầu này vì vậy được định nghĩa như sau:
\r\n\r\nMức nhiễu điện từ: là mức của mọi nhiễu điện\r\ntừ cho trước, được đo theo cách qui định.
\r\n\r\nCụm từ "cho trước" cũng xuất hiện\r\ntrong các định nghĩa mức khác như “mức phát xạ”, “mức nhạy”, v.v... Chặt chẽ\r\nhơn, có thể nói rằng thêm cụm từ "được đo theo cách qui định" là\r\nkhông nhất thiết, bởi vì định nghĩa "mức" liên quan đến "đánh\r\ngiá theo cách qui định". Tuy nhiên, cũng có nguy cơ hiểu rằng "cách\r\nqui định" chỉ có thể áp dụng cho thiết bị đo và thiết bị hiển thị. Cụm từ\r\n"được đo theo cách qui định" ngụ ý đến qui định kỹ thuật của các điều\r\nkiện mang tải của nguồn nhiễu và mô tả chi tiết cấu hình thử nghiệm, và có thể\r\nđược tóm tắt như sau:
\r\n\r\nĐánh giá/đo theo cách qui định: Cơ cấu đo\r\nphải được xác định rõ và được chọn theo loại nhiễu cần đo, và theo đặc tính của\r\ncác tín hiệu mong muốn mà có thể bị ảnh hưởng bởi phép đo phát xạ.
\r\n\r\nTrang bị đo phải được xác định rõ và được\r\nchọn theo loại nhiễu và đặc tính của nhiễu cần xem xét. Các ví dụ về đặc tính\r\ncủa nhiễu là: biên độ đỉnh, năng lượng, tốc độ tăng, tốc độ lặp, v.v...
\r\n\r\nPhải mô tả điều kiện mang tải của nguồn\r\nnhiễu. Bố trí đo sẽ đưa vào trở kháng tải nhất định cho (các) nguồn nhiễu trong\r\nthiết bị cần thử nghiệm (EUT). Các trở kháng này có thể được tiêu chuẩn hóa, ví\r\ndụ trong các thử nghiệm điển hình, hoặc có thể phụ thuộc vào các điều kiện tại\r\nvị trí lắp đặt, ví dụ trong trường hợp các thử nghiệm tại hiện trường (xem thêm\r\nPhụ lục B).
\r\n\r\nCấu hình thử nghiệm phải được mô tả chi tiết.\r\nBản mô tả này cần xét đến sự lựa chọn đất chuẩn, vị trí EUT và thiết bị đo liên\r\nquan đến đất chuẩn đó, đấu nối với đèn chuẩn, đấu nối của EUT với thiết bị đo\r\nvà các thiết bị khác, đầu cuối của các đầu nối không nối với thiết bị đo, và\r\nđiều kiện làm việc của EUT trong quá trình thử nghiệm. Ngoài ra, có thể phải mô\r\ntả việc bố trí các bộ phận hợp thành của hệ thống và các cấu trúc để tối đa hóa\r\nmức phát xạ, chiều dài cáp, khử ghép của các bộ phận hợp thành của hệ thống.
\r\n\r\nKhi đã xác định được mức, phải thực hiện đánh\r\ngiá mức này: được phép hay không? có đúng là mức được yêu cầu hay không?,\r\nv.v... Khi thiết lập các qui định kỹ thuật về EMC, các bên liên quan có thể thỏa\r\nthuận trên cơ sở mức chấp nhận được, khi đó được gọi là giới hạn. Trong trường hợp\r\nnhiễu điện từ, định nghĩa về giới hạn nhiễu như sau:
\r\n\r\nGiới hạn nhiễu: là mức nhiễu điện từ lớn nhất\r\ncho phép.
\r\n\r\nLưu ý rằng việc đưa mức nhiễu điện từ vào\r\nđịnh nghĩa này hàm ý rằng giới hạn được qui định đối với một nhiễu điện từ cho\r\ntrước, được đo theo cách qui định. Điều này cũng áp dụng cho các định nghĩa\r\ngiới hạn khác, ví dụ như "giới hạn phát xạ" và "giới hạn miễn\r\nnhiễm".
\r\n\r\nA.5. Phát xạ và miễn nhiễm
\r\n\r\nVì phát xạ là một trong hai khía cạnh quan trọng\r\ncủa EMC và EMI nên định nghĩa phát xạ khá rộng và được phát biểu như sau:
\r\n\r\nPhát xạ (điện từ): là hiện tượng năng lượng\r\nđiện từ được phát ra khỏi nguồn.
\r\n\r\nTrong định nghĩa này, nguồn thường là một cơ\r\ncấu, thiết bị hoặc hệ thống, nhưng cũng có thể là, ví dụ, con người hoặc đồ đạc.\r\n"Các nguồn" nhiễu là con người hoặc đồ đạc là quan trọng khi xét đến hiện\r\ntượng phóng tĩnh điện. Ví dụ về nguồn tự nhiên như sét.
\r\n\r\nNhìn chung, phải xác định phát xạ để ngăn ngừa\r\nEMI. Tuy nhiên, câu hỏi khó trả lời đặt ra là: "Cần xác định thông số nào\r\ncủa năng lượng điện từ và cách xác định nó như thế nào?" Rắc rối là ở chỗ hiếm\r\nkhi biết chính xác đặc tính về tính nhạy của thiết bị hoặc hệ thống. Hay nói\r\ncách khác: hiếm khi biết chính xác cách "đo và phát hiện" phát xạ và\r\nđúng ra là không biết phải đo cái gì.
\r\n\r\nKinh nghiệm cho thấy rằng cần đo một số loại\r\nphát xạ nhất định. Nhưng, trên thực tế, tất cả các phép đo này chỉ là nỗ lực để\r\nthay các thiết bị có tính nhạy bằng các thiết bị đo đã xác định rõ trong một phương\r\npháp đo xác định trước. Do đó, việc xác định mức phát xạ có thể rất chính xác,\r\nnhưng kết quả có thể chỉ là hiển thị của xác suất là sẽ có thể đạt được EMC.
\r\n\r\nLượng phát xạ năng lượng điện từ có thể biểu\r\ndiễn bằng mức phát xạ (xem 2.2 về định nghĩa của mức phát xạ) nếu đáp ứng các\r\nyêu cầu để xác định một mức, như đề cập trong A.4.
\r\n\r\nTrong trường hợp đó, cũng phải nêu loại\r\nnhiễu, điều này có nghĩa là phải chỉ ra thông số nào của năng lượng điện từ\r\nphát xạ đang được quan tâm. Ví dụ về các thông số này là: cường độ trường từ, cường\r\nđộ trường điện, dòng điện phương thức chung, điện áp đầu nối V [1]. Do đó các\r\nthông số này đại diện cho một hiện tượng điện từ nhất định (tức là nhiễu, xem\r\nA.4) mà trong đó một phần của năng lượng điện từ phát xạ. ở đây viết "một\r\nphần năng lượng" là có chủ ý bởi vì nhìn chung năng lượng điện từ phát ra\r\ntừ nguồn do dẫn và bức xạ đồng thời.
\r\n\r\nThảo luận về phép đo miễn nhiễm cũng theo cách\r\ntương tự với phép đo phát xạ. Chỉ một điểm khác quan trọng duy nhất là ở chỗ thiết\r\nbị đo xác định trước (cơ cấu cộng với dụng cụ) được thay bằng nguồn nhiễu xác\r\nđịnh trước (máy phát cộng với mạng ghép nối). Nhiệm vụ của nguồn này là thay thế\r\ntất cả các loại thiết bị phát có thể có (thường chưa biết các đặc tính trở\r\nkháng) bằng thiết bị phát được xác định trước và có khả năng tái lập.
\r\n\r\nHình A.3 đưa ra tổng quan về các khía cạnh\r\nkhác nhau của phép đo phát xạ và miễn nhiễm. Việc phân chia thành các thử\r\nnghiệm tiêu chuẩn hóa và các thử nghiệm tại hiện trường sẽ được đề cập trong\r\nB.1. Lưu ý rằng các mũi tên dưới cùng trong mỗi cột ở Hình A.3 có chiều từ\r\n"giới hạn (thử nghiệm)" đến "mức (thử nghiệm)" để thể hiện rằng\r\ncác mức lớn nhất cho phép và mức nhỏ nhất yêu cầu, tức là các giới hạn, (xem\r\n2.2) là các đại lượng cần được thỏa thuận.
\r\n\r\nMức miễn nhiễm chỉ được biết sau khi đạt được\r\nmức gây suy giảm, tức là sau khi quan sát được sự "thiếu miễn nhiễm",\r\ndo đó, quan sát được tính nhạy. Mức miễn nhiễm thường chưa biết trong các trường\r\nhợp khi việc vượt quá mức đó gây ra rủi ro (lớn) làm hỏng thiết bị. Nếu có rủi\r\nro này, thông thường tiến hành thử nghiệm "đạt-không đạt" cho đến khi\r\nmức nhiễu điện từ bằng (hoặc cao hơn một lượng theo thỏa thuận) với mức miễn\r\nnhiễm tối thiểu yêu cầu, tức là giới hạn miễn nhiễm (xem thêm 2.2).
\r\n\r\nA.6. Mức tương thích và khoảng dự phòng
\r\n\r\nTừ các phần trước nhận thấy rằng nhiều khi rất\r\nkhó, nếu không muốn nói là trong thực tế không thể đảm bảo đạt được EMC hoàn toàn,\r\nđặc biệt bởi vì định nghĩa EMC liên quan đến "môi trường điện từ của nó",\r\ntức là tổng các hiện tượng điện từ (phụ thuộc vào thời gian) xuất hiện tại vị\r\ntrí của thiết bị đó. Như giải thích trong Điều 3, phải sử dụng khái niệm xác\r\nsuất (phân bố thống kê) để đạt được xác suất cao chấp nhận được mà sẽ tồn tại tương\r\nthích điện từ (đối với một số loại nhiễu điện từ nhất định).
\r\n\r\nMức tương thích và khoảng dự phòng của nó, được\r\nđịnh nghĩa trong 2.2 và 2.3, và đã được thảo luận trong 3.2.2, có thể được xác\r\nđịnh theo các bước dưới đây (lý tưởng).
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image010.gif\")
Nếu xét loại nhiễu điện từ nhất định, ở giá\r\ntrị nhất định của biến độc lập (xem 3.3) và giả thiết là đã biết mật độ xác\r\nsuất liên quan p(D) của mức nhiễu và p(I) của mức miễn nhiễm. Ngoài ra, có thể\r\ngiả thiết rằng điều kiện để có EMC là (I-D)>0. Để tìm xác suất C để có\r\n(I-D)>0, tức là C=P((I-D)>0), thì trước hết phải tính mật độ xác suất\r\np(I-D). Sau đó, có thể tính xác suất C=P((I-D)>0), trong đó C là diện tích\r\nbên dưới đường cong p(I-D) với (I-D)>0. Hình A.4 đưa ra ví dụ bằng số với\r\ngiả định các mức nhiễu và tính nhạy tuân theo phân bố chuẩn loga. Kết luận rằng\r\ncó xác suất cao để đạt được EMC mặc dù có chỗ đường cong p(D) và p(I) chờm lên\r\nnhau.
\r\n\r\n![](\"00914595_files/image011.jpg\")
Để đạt được EMC, có thể tiến hành như sau.\r\nSau khi chọn một giá trị C nào đó, đưa ra những hạn chế về vị trí tương đối của\r\np(D) và ρ(I), có tính đến chiều rộng của các hàm mật độ. Từ quan hệ giữa p(D)\r\nvà (các) giới hạn phát xạ qui định và quan hệ giữa p(I) và (các) giới hạn miễn\r\nnhiễm qui định sẽ tìm ra giá trị C của tỷ số giữa các giới hạn phát xạ và miễn\r\nnhiễm, từ đó tìm ra giá trị của khoảng dự phòng tương thích điện từ. Các cân\r\nnhắc bổ sung về tài chính và công nghệ sẽ quyết định việc chọn mức tương thích,\r\ngiới hạn phát xạ và giới hạn miễn nhiễm và việc đặt các giới hạn này so với mức\r\ntương thích; xem 3.2.2 và 3.3. Để xác định các giới hạn, phải thực hiện bước từ\r\n"trường hợp xác suất" như được xác định bởi các tình huống thực có\r\nthể có đến "tình huống xác định", liên quan đến các thử nghiệm tiêu\r\nchuẩn hóa.
\r\n\r\nĐịnh nghĩa mức tương thích điện từ như sau:
\r\n\r\nMức tương thích (điện từ): là mức nhiễu qui\r\nđịnh tại đó tồn tại xác suất cao, chấp nhận được về tương thích điện từ.
\r\n\r\nCó thể có một số nhận xét dưới đây.
\r\n\r\na) Định nghĩa có sử dụng "mức\r\nnhiễu", do đó nó liên quan đến một nhiễu điện từ cho trước được đo theo\r\ncách qui định. Ngoài ra, có thể đề cập đến mức tương thích nhiễu, ví dụ mức tương\r\nthích của các hài của nguồn điện lưới, mức tương thích trường từ, v.v...
\r\n\r\nb) Mức đưa ra chỉ thị về xác suất của EMC, nhưng\r\nchỉ tại những vị trí (trong hệ thống) qui định mức này, vì định nghĩa EMC nêu\r\n"trong môi trường của nó". Do đó, mức này không nhất thiết phải có\r\nhiệu lực trên toàn thế giới. Việc chọn mức phụ thuộc rất nhiều vào điều kiện\r\nlắp đặt.
\r\n\r\nc) Trong trường hợp cần xác định mức tương\r\nthích, ban kỹ thuật IEC liên quan đến mức tương thích đó phải đưa ra công thức\r\nđể định lượng "xác suất cao, chấp nhận được".
\r\n\r\n\r\n\r\n
Để kiểm tra các qui định kỹ thuật EMC, khuyến\r\ncáo nên thực hiện các phép đo phát xạ và miễn nhiễm trong các tình huống tiêu\r\nchuẩn hóa sao cho các qui định kỹ thuật này có thể kiểm tra ở khắp mọi nơi. Tuy\r\nnhiên, các phép đo này cũng có thể được quan tâm tại các vị trí mà thiết bị\r\nhoặc hệ thống đang làm việc. Ví dụ, trong hệ thống lớn mà chỉ có thể đo tại\r\nhiện trường hoặc để xem các kết quả của một thử nghiệm tiêu chuẩn hóa sẽ như\r\nthế nào trong hệ thống lắp đặt thực tế.
\r\n\r\nThử nghiệm tiêu chuẩn hóa
\r\n\r\nCác thử nghiệm tiêu chuẩn hóa có ba đặc trưng\r\ncơ bản cho phép các mức cần đo có thể tái lập ở khắp mọi nơi:
\r\n\r\n1. Chỉ xét đến một loại nhiễu điện từ tại một\r\nthời điểm.
\r\n\r\n2. Trong trường hợp phát xạ: Thiết bị có tính\r\nnhạy và thiết bị chỉ thị được sử dụng để xác định loại nhiễu là loại được xác\r\nđịnh rõ. Trong trường hợp miễn nhiễm: Nguồn sinh ra nhiễu điện từ và mạng ghép\r\nnối đã được xác định rõ.
\r\n\r\n3. Điều kiện đo phải được xác định rõ và tiêu\r\nchuẩn hóa.
\r\n\r\nChi tiết về các đặc trưng này được đề cập\r\ntrong A.4 và A.5.
\r\n\r\nTrong thử nghiệm tiêu chuẩn hóa, môi trường\r\nđiện từ luôn được khống chế sao cho mức phát xạ và mức miễn nhiễm là đo được.\r\nTrong các hệ thống lắp đặt, điều này là không nhất thiết vì môi trường điện từ\r\nở đó không phải lúc nào cũng khống chế được.
\r\n\r\nThử nghiệm tại hiện trường
\r\n\r\nHai đặc trưng đầu đề cập ở trên cũng có thể\r\nnhận thấy tại vị trí thiết bị hoặc hệ thống làm việc. Đặc trưng thứ ba chỉ có thể\r\nthực hiện được ở phạm vi hạn chế. Cụ thể, không phải tất cả các điều kiện nạp\r\ntải đề cập trong A.5 đều có thể tiêu chuẩn hóa. Để phân biệt các kết quả thử\r\nnghiệm đạt được trong thử nghiệm tiêu chuẩn hóa với các kết quả đạt được trong hệ\r\nthống lắp đặt, ưu tiên nói đến mức/giới hạn thử nghiệm phát xạ/miễn nhiễm và\r\nmức/giới hạn phát xạ/miễn nhiễm một cách tương ứng; xem Hình A.3.
\r\n\r\nVí dụ:
\r\n\r\nNếu điện áp nhiễu giữa đất chuẩn và dây pha (hoặc\r\ntrung tính), cái gọi là điện áp đầu nối V [1], đã được đo bằng cách sử dụng mạng\r\nV [1] trong thử nghiệm phát xạ tiêu chuẩn hóa, và trong thử nghiệm tại hiện trường,\r\nđiện áp này được đo giữa đất an toàn và dây pha (hoặc trung tính), trở kháng tải\r\nđối với nguồn nhiễu là chưa biết trước. Nếu đo trở kháng này, thì đây thường là\r\nđại lượng phụ thuộc thời gian vì trở kháng này phụ thuộc vào các điều kiện mang\r\ntải của mạng nguồn lưới. Do đó, mức này không nhất thiết phải không đổi tại vị\r\ntrí cho trước khi được xem xét trong một khoảng thời gian dài hơn. Vì vậy, mức\r\nnày không thể đo được theo cách tái lập ở khắp mọi nơi.
\r\n\r\nTrong trường hợp các phép đo phát xạ, các\r\nnguồn nhiễu khác có thể cũng phát ra mức nhiễu của loại nhiễu cần đo cao đến\r\nmức lượng phát xạ của cơ cấu, thiết bị hoặc hệ thống cần thử nghiệm bị lấn át\r\nhoàn toàn hoặc ít nhất là các kết quả đo bị ảnh hưởng bởi nhiễu môi trường. Trong\r\ntrường hợp này, không thể phát biểu rằng mức phát xạ đã được đo mà chỉ có thể\r\nphát biểu là đo mức nhiễu (xem Điều A.4).
\r\n\r\nTrong trường hợp các phép đo miễn nhiễm, các\r\nnhiễu điện từ khác có thể tới thiết bị có tính nhạy cụ thể tại cùng một thời\r\nđiểm, và mức miễn nhiễm đối với một loại nhiễu không nhất thiết là không phụ thuộc\r\nvào sự có mặt của loại nhiễu khác.
\r\n\r\nVí dụ:
\r\n\r\nMiễn nhiễm của hệ thống digital khỏi các quá độ\r\nxảy ra trên nguồn lưới có thể giảm đáng kể khi hệ thống bị đặt vào một trường mạnh\r\nphát ra từ thiết bị phát quảng bá. Việc giảm này là do sử dụng cơ cấu bán dẫn\r\nkhông tuyến tính trong hệ thống đó để tách tín hiệu RF. Trong các trường hợp như\r\nvậy, không thể nói rằng đã xác định được mức/giới hạn miễn nhiễm mà chỉ mới xác\r\nđịnh được mức mà tại đó gây ra nhiễm nhiễu. Mức này có thể được gọi là mức\r\nnhiễm nhiễu.
\r\n\r\nLưu ý rằng mức nhiễu và nhiễm nhiễu là cần thiết\r\nvì có sự xếp chồng các nhiễu điện từ khác nhau. Trong trường hợp phát xạ, nhiễu\r\nđiện từ thuộc một loại cho trước (phát ra từ các nguồn khác nhau) cộng vào với\r\nnhau và xác định mức nhiễu tới hạn. Trong trường hợp "cột miễn nhiễm/nhiễm\r\nnhiễu" các loại nhiễu điện từ khác nhau (phát ra từ các nguồn khác nhau) cộng\r\nvào với nhau và xác định mức nhiễm nhiễu cuối cùng của thiết bị có tính nhạy cụ\r\nthể.
\r\n\r\n\r\n\r\n
[1] IEC 60050(161): 1990, International Electrotechnical\r\nVocabulary (IEV), chapter 161: Electromagnetic Compatibility (Từ vựng kỹ thuật\r\nđiện quốc tế, chương 161: Tương thích điện từ)
\r\n\r\n[2] TCVN 7909-2-2 (IEC 61000-2-2), Tương\r\nthích điện từ (EMC) - Phần 2-2: Môi trường - Mức tương thích đối với nhiễu dẫn\r\ntần số thấp và tín hiệu truyền trong hệ thống cung cấp điện hạ áp công cộng
\r\n\r\n[3] IEC 60555-2 : 1982, Disturbances in\r\nsupply systems caused by household appliances and similar electrical equipment -\r\nPart 2: Harmonics (Nhiễu trên hệ thống cấp điện do các thiết bị điện gia dụng và\r\nthiết bị điện tương tự - Phần 2: Sóng hài)
\r\n\r\n[4] CISPR 20 : 1985, CISPR specification for\r\nradio interference measuring apparatus and measurement methods (Qui định kỹ\r\nthuật của CISPR đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễm nhiễu tần số rađiô)
\r\n\r\n[5] TCVN 6989 (CISPR 16), Yêu cầu kỹ thuật\r\nđối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô
\r\n\r\n[6] TCVN 7492 (CISPR 14), Giới hạn và phương pháp\r\nđo đặc tính nhiễu tần số rađiô của các thiết bị điện gia dụng, dụng cụ điện\r\nxách tay và các thiết bị điện tương tự
\r\n\r\n[7] G. Bell & Sons Ltd. : 1966, Webster's\r\nThird International Dictionary of the English Language, p.1300] (Từ điển quốc tế\r\nthứ 3 Webster tiếng Anh, trang 1300)
\r\n\r\n\r\n\r\n
Lời nói đầu
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Định nghĩa các thuật ngữ
\r\n\r\n2.1. Thuật ngữ cơ sở
\r\n\r\n2.2. Thuật ngữ kết hợp
\r\n\r\n2.3. Thuật ngữ tương quan
\r\n\r\n3. Ứng dụng các thuật ngữ và định nghĩa về\r\nEMC
\r\n\r\n3.1. Qui định chung
\r\n\r\n3.2. Quan hệ giữa các mức khác nhau
\r\n\r\n3.3. Xác suất và khoảng dự phòng
\r\n\r\nPhụ lục A (tham khảo) - Giải thích các thuật\r\nngữ và định nghĩa về EMC
\r\n\r\nPhụ lục B (qui định) - Thử nghiệm tiêu chuẩn hóa\r\nvà thử nghiệm tại hiện trường
\r\n\r\nThư mục tài liệu tham khảo
\r\n\r\n\r\n\r\n
\r\n\r\n
* Con\r\nsố trong ngoặc vuông thể hiện tài liệu tham khảo liệt kê trong Thư mục tài liệu\r\ntham khảo.
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7909-1-1:2008 (IEC/TR 61000-1-1 : 1992) về Tương thích điện từ (EMC) – Phần 1-1: Quy định chung – Ứng dụng và giải thích các thuật ngữ và định nghĩa cơ bản đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7909-1-1:2008 (IEC/TR 61000-1-1 : 1992) về Tương thích điện từ (EMC) – Phần 1-1: Quy định chung – Ứng dụng và giải thích các thuật ngữ và định nghĩa cơ bản
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN7909-1-1:2008 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2008-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |