\r\n\r\n
TIÊU CHUẨN\r\nNGÀNH
\r\n\r\n
10TCN\r\n562:2003
\r\n\r\n
MÁY\r\nNÔNG LÂM NGHIỆP VÀ THỦY LỢI - XÁC ĐỊNH MỨC CÔNG SUẤT ÂM - YÊU CẦU ĐẶC TÍNH KỸ\r\nTHUẬT VÀ HIỆN CHUẨN NGUỒN ÂM THANH MẪU
\r\n\r\n
Agricultural,\r\nforestry and irrigation machines - Determination of sound power level -\r\nTechnical requirements and calibration of reference sound source
\r\n\r\n
(Ban hành kèm theo Quyết định số:\r\n46/2003/QĐ-BNN
\r\n\r\n
Ngày 03 tháng 03 năm\r\n2003)
\r\n\r\n
\r\n\r\n
1\r\n Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n
1.1 Tiêu chuẩn\r\nnày quy định các yêu cầu đặc tính âm học của nguồn âm thanh mẫu bao gồm
\r\n\r\n
- Độ ổn định và độ lặp\r\nlại của công suất âm phát ra trong khoảng thời gian xác định;
\r\n\r\n
- Đặc tính phổ tần;
\r\n\r\n
- Chỉ số định\r\nhướng.
\r\n\r\n
Chú\r\nthích:
\r\n\r\n
- Đối với một số nguồn\r\nâm thanh có yêu cầu xác định đồng thời độ ổn định công suất âm phát ra và chỉ\r\nsố định hướng, thường được thực hiện thông qua hình dáng biểu đồ phân bố của\r\nnguồn âm thanh mẫu (ngoại trừ điều 6.5).
\r\n\r\n
- Đối với những phép đo\r\nkiểm tra thông thường, chỉ cần xác định dải tần số và mức công suất âm trong\r\nđiều kiện phòng nửa câm hoặc phòng vang.
\r\n\r\n
1.2 Tiêu chuẩn này quy\r\nđịnh quy trình hiệu chuẩn nguồn âm thanh mẫu thông qua mức công suất âm trong\r\ndải octa và dải 1/3 octa (hiệu chỉnh tần số theo đặc tính A) ở điều kiện tham\r\nchiếu chuẩn có trở kháng âm của không khí rc=400Ns/m3\r\nđể xác định mức công suất âm của nguồn phát ồn là máy dùng trong nông lâm\r\nnghiệp và thuỷ lợi.
\r\n\r\n
Chú thích: Cho phép sử dụng\r\nnguồn âm thanh mẫu để đo trong dải 1/2 octa. Tuy nhiên, khi đó không áp dụng\r\nđược các giới hạn về độ ổn định và độ lặp lại quy định trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n
1.3 Tiêu chuẩn\r\nnày hướng dẫn các phương pháp hiệu chuẩn nguồn âm thanh mẫu trong
\r\n\r\n
- Trường âm tự do trên\r\nmặt sàn phản xạ âm;
\r\n\r\n
- Phòng vang tại các\r\nkhoảng cách khác nhau so với mặt bao phân cách.
\r\n\r\n
Đối với nguồn âm thanh mẫu bố trí trên mặt\r\nphẳng phản xạ, hai môi trường thử trên được xem là tương đương ứng với dải tần\r\nsố có giới hạn dưới lớn hơn hoặc bằng 100Hz. Đối với giới hạn dưới nhỏ hơn\r\n100Hz, độ không đảm bảo đo là khá lớn (Bảng 1, điều 4.2).
\r\n\r\n
1.4 Tiêu chuẩn\r\nnày áp dụng để hiệu chuẩn nguồn âm thanh mẫu, đặt trực tiếp trên sàn hoặc trên\r\ngiá đỡ ở độ cao xác định.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- Chỉ áp dụng khi tiến\r\nhành đo trên bề mặt đo lường đối với nguồn âm thanh đặt trên sàn, có chiều cao\r\nnhỏ hơn 0,5m và bề ngang nhỏ hơn 0,8m;
\r\n\r\n
- Hiệu chuẩn hoặc sử\r\ndụng nguồn âm thanh mẫu trong điều kiện phòng vang không bị hạn chế về kích\r\nthước và các điều kiện tương tự.
\r\n\r\n
2 Tiêu\r\nchuẩn trích dẫn
\r\n\r\n
· \r\nISO\r\n3741: 1999. Âm học - Xác định mức công suất âm nguồn ồn bằng áp suất âm -\r\nPhương pháp chính xác cho phòng vang.
\r\n\r\n
· \r\nISO\r\n3745: 1977. Âm học - Xác định mức công suất âm nguồn ồn - Phương pháp chính xác\r\ncho phòng câm và nửa câm.
\r\n\r\n
· \r\nISO\r\n6926: 1999. Âm học - Yêu cầu về đặc tính kỹ thuật và hiệu chuẩn nguồn âm thanh\r\nmẫu để xác định mức công suất âm.
\r\n\r\n
3\r\n Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\n
Trong\r\ntiêu chuẩn này sử dụng những thuật ngữ và định nghĩa sau
\r\n\r\n
3.1 Mức áp suất\r\nâm bề mặt Lpf
\r\n\r\n
Mức áp\r\nsuất âm trung bình trong một đơn vị thời gian đo được từ tất cả các vị trí của\r\nmicrôphôn trên bề mặt đo lường, biểu thị bằng dexibel (dB).
\r\n\r\n
3.2 Mức công\r\nsuất âm LW
\r\n\r\n
Mức công suất âm là đại lượng được tính theo\r\nbiểu thức:
\r\n\r\n
trong đó: LW - mức công suất\r\nâm, dB;
\r\n\r\n
\r\n PW - công suất âm trung bình bình phương, W;
\r\n\r\n
\r\n PW0 - công suất âm tham chiếu (PW0 = 10-12W).
\r\n\r\n
3.3 Bề mặt đo\r\nlường
\r\n\r\n
Bề mặt\r\ngiả thiết bao quanh nguồn âm thanh, trên đó bố trí các điểm đo mức áp suất âm.
\r\n\r\n
Chú\r\nthích:\r\nBề mặt đo lường có thể là mặt bán cầu giới hạn bởi mặt phẳng phản xạ, hoặc là\r\nmặt hình cầu.
\r\n\r\n
3.4 Dải tần số\r\nquan tâm
\r\n\r\n
Dải tần số bao gồm các dải octa và dải 1/3\r\nocta với các tần số trung tâm từ 125Hz đến 8000Hz hoặc từ 100Hz đến 10000Hz\r\ntương ứng.
\r\n\r\n
Chú thích: Dải tần số có thể mở\r\nrộng về hai phía: đến 20000Hz hoặc thấp hơn 50Hz, nếu vẫn thoả mãn các điều\r\nkiện trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n
3.5 Thời gian\r\nvang T
\r\n\r\n
Thời gian cần thiết để mức áp suất âm giảm\r\n60dB sau khi nguồn âm thanh ngừng phát.
\r\n\r\n
Chú thích: Thời gian vang ứng\r\nvới 10dB hoặc 15dB suy giảm đầu tiên được ký hiệu bằng T10 hoặc T15\r\ntương ứng, biểu thị bằng giây (s).
\r\n\r\n
3.6 Phương\r\npháp so sánh
\r\n\r\n
Phương pháp xác định mức công suất âm bằng\r\ncách so sánh các giá trị đo của mức áp suất âm từ nguồn ồn (đối tượng thử) với\r\nmức áp suất âm từ nguồn âm thanh mẫu đã biết trong cùng một môi trường.
\r\n\r\n
3.7 Nguồn âm\r\nthanh mẫu
\r\n\r\n
Nguồn âm thanh dải tần rộng, phát ra mức công\r\nsuất âm tương thích ổn định, phù hợp cho mục đích đo thử và được hiệu chuẩn\r\ntheo tiêu chuẩn thích hợp.
\r\n\r\n
3.8 Chỉ số\r\nđịnh hướng DIi
\r\n\r\n
Số chỉ sự vượt trội áp suất âm của nguồn âm\r\nthanh về một hướng chủ đạo so với các hướng khác.
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- Định nghĩa này áp dụng\r\ncho nguồn âm thanh mẫu trong trường âm tự do trên mặt phẳng phản xạ (khác với\r\ntrường hợp nguồn âm thanh mẫu trong trường âm tự do).
\r\n\r\n
- \r\nChỉ\r\nsố định hướng của hướng i được tính từ phép đo trong phòng nửa câm hoặc phòng\r\ncâm (Phụ lục D);
\r\n\r\n
3.9 Độ lặp lại
\r\n\r\n
Phần trăm sai lệch\r\ncực đại của mức công suất âm phát ra từ nguồn, xác định theo thời gian so với\r\ncông suất âm định mức trong cùng một điều kiện môi trường.
\r\n\r\n
3.10 Phòng câm
\r\n\r\n
Phòng thử có toàn bộ\r\ncác mặt bao có khả năng tiêu tán (hấp thụ) toàn bộ năng lượng âm thanh phát xạ\r\ntới trên toàn dải tần số quan tâm.
\r\n\r\n
3.11 Phòng nửa\r\ncâm
\r\n\r\n
Phòng thử có mặt sàn cứng phản xạ âm và các\r\nmặt bao có khả năng tiêu tán toàn bộ năng lượng âm thanh phát xạ tới, trên toàn\r\ndải tần số quan tâm (Phụ lục A).
\r\n\r\n
3.12 Phòng vang
\r\n\r\n
Phòng\r\nthử phù hợp với những yêu cầu quy định trong điều 5.
\r\n\r\n
3.13 Trường âm tự\r\ndo trên mặt phẳng phản xạ
\r\n\r\n
Trường âm thanh đồng nhất, đẳng hướng bên\r\ntrên mặt phẳng phản xạ vô tận.
\r\n\r\n
Chú thích: Nguồn âm thanh được\r\nđặt trên mặt phẳng phản xạ.
\r\n\r\n
3.14 Trường âm\r\nxa
\r\n\r\n
Trường âm phần phát ra từ nguồn âm thanh, tại\r\nđó mức áp suất âm giảm 3dB khi diện tích của bề mặt đo lường tăng gấp đôi.
\r\n\r\n
Chú thích: Trong trường âm xa,\r\náp suất âm trung bình bình phương tỷ lệ với tổng công suất âm phát ra từ nguồn.\r\nMức suy giảm này tương đương với sự suy giảm 6dB cho mỗi lần tăng gấp đôi \r\nkhoảng cách từ vị trí điểm nguồn.
\r\n\r\n
3.15 Trường âm\r\ngần
\r\n\r\n
Trường âm phần nằm giữa nguồn âm thanh và\r\ntrường âm xa.
\r\n\r\n
4 Độ\r\nkhông đảm bảo đo
\r\n\r\n
4.1 Mức công suất âm đơn trị của nguồn ồn thử xác định\r\nđược theo các quy trình trong tiêu chuẩn này có thể sai khác so với giá trị\r\nthật một lượng không vượt quá độ không đảm bảo đo (KĐBĐ). Các yếu tố bất lợi\r\ncủa môi trường thử, kỹ thuật thực nghiệm và đặc tính định hướng của nguồn ồn\r\nthử có thể làm tăng độ KĐBĐ của kết quả xác định mức công suất âm.
\r\n\r\n
4.2 Độ lệch\r\nchuẩn của giá trị đo có thể biến đổi theo\r\ntần số, nhưng không được vượt quá giá trị giới hạn cho trong Bảng 1. Độ\r\nKĐBĐ trong Bảng 1 không bao hàm sự sai khác hệ thống giữa các mức công suất âm,\r\nxác định trong hai môi trường thử khác nhau. Sự sai khác này có thể bỏ qua ở\r\ntần số trên 100Hz. Tuy nhiên, tại tần số 100Hz và thấp hơn, sự sai khác này có\r\nthể là đáng kể. Đối với phòng vang có thể tích 200m3, sự sai lệch\r\nnày thông thường bằng hoặc nhỏ hơn 1,5dB (ISO\r\n6926: 1999).
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Bảng 1. Giới hạn trên của\r\nđộ lệch chuẩn ứng với độ lặp lại của
\r\n\r\n
mức công suất âm do\r\nnguồn âm thanh mẫu phát ra
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n \r\n Tần số trung tâm\r\n của dải octa, Hz \r\n | \r\n \r\n \r\n Tần số trung tâm\r\n của dải 1/3 octa, Hz \r\n | \r\n \r\n Độ lệch chuẩn của\r\n độ lặp lại* với nguồn âm đặt trên sàn trong phòng nửa câm sR, dB \r\n | \r\n \r\n Độ lệch chuẩn của\r\n độ lặp lại* với nguồn âm trong phòng vang sR, dB \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Đo theo đường kinh\r\n tuyến hoặc đường xoắn èc \r\n | \r\n \r\n Đo ở 20 vị trí cố\r\n định hoặc theo các đường tròn đồng trôc \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 63 \r\n 125 \r\n 250 ¸ 2000 \r\n 4000 ¸ 8000 \r\n 16000 \r\n | \r\n \r\n 50 ¸ 80 \r\n 100 ¸ 160 \r\n 200 ¸ 3150 \r\n 4000 ¸ 10000 \r\n 12500 ¸ 20000 \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n 0,8 \r\n 0,3 \r\n 0,3 \r\n 0,3 \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n 0,8 \r\n 0,5 \r\n 1,0 \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n 2,5 \r\n 1,0 \r\n 0,3 \r\n 0,3 \r\n 0,4 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Hiệu chỉnh theo đặc\r\n tính A \r\n | \r\n \r\n 0,3** \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n 0,2** \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- * Trị số, đã được\r\nloại bỏ những thay đổi ở đầu ra nguồn âm và đã được kiểm nghiệm thực tế;
\r\n\r\n
- ** Trị số, đã được\r\nhiệu chỉnh theo đặc tính A, tính toán từ số liệu đo theo dải 1/3 octa;
\r\n\r\n
- Độ KĐBĐ trong Bảng 1\r\nchỉ áp dụng cho nguồn âm thanh là đối tượng hiệu chuẩn trực tiếp. Không áp dụng\r\nkết quả hiệu chuẩn một nguồn âm thanh mẫu đơn lẻ cho các nguồn âm thanh mẫu\r\nkhác có cùng kiểu thiết kế và nhà chế tạo, trừ khi có các số liệu thống kê bổ\r\nsung để chỉ rõ độ KĐBĐ xuất hiện từ các biến đổi trong quá trình sản xuất;
\r\n\r\n
4.3 \r\nĐộ lệch chuẩn của độ lặp lại sR\r\n(Bảng 1) được tính theo nguyên lý chồng chất, đã loại bỏ các biến đổi của công suất âm phát ra\r\ndo thay đổi điều kiện làm việc như: tốc độ quay, điện áp cung cấp và điều kiện\r\nlắp đặt.
\r\n\r\n
4.4 Độ KĐBĐ phụ\r\nthuộc vào độ lệch chuẩn của độ lặp lại (Bảng 1) và hệ số tin cậy mong muốn. Ví\r\ndụ: với phân bố chuẩn của mức công suất âm và độ tin cậy 95%, giá trị của mức\r\ncông suất âm nằm trong khoảng ±1,96sR của giá trị đo.
\r\n\r\n
5 Yêu\r\ncầu môi trường âm học của phòng thử
\r\n\r\n
5.1 Kích\r\nthước
\r\n\r\n
Thể tích nhỏ nhất của phòng thử được xác định\r\ntheo Bảng 2 (ISO 3741: 1999)
\r\n\r\n
Bảng 2. Thể tích nhỏ nhất\r\ncủa phòng thửphụ thuộc dải tần số quan tâm thấp nhất
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Tần số dải 1/3 octa\r\n thấp nhất, Hz \r\n | \r\n \r\n Thể tích nhỏ nhất\r\n của phòng thử, m3 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 100 \r\n | \r\n \r\n 200 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 125 \r\n | \r\n \r\n 150 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 160 \r\n | \r\n \r\n 100 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 200 vµ cao h¬n \r\n | \r\n \r\n 70 \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
5.2 Độ hấp\r\nthụ âm
\r\n\r\n
Bề mặt của phòng thử gần nguồn âm nhất phải\r\nđược thiết kế sao cho có hệ số hấp thụ nhỏ hơn 0,06. Các bề mặt còn lại phải có\r\nđặc tính hấp thụ sao cho thời gian vang Tvang ở mỗi dải 1/3 octa phải có trị số\r\nlớn hơn tỷ số giữa V và S.
\r\n\r\n
Tvang\r\n> V/S
\r\n\r\n
trong\r\nđó: Tvang - thời gian vang, s;
\r\n\r\n
V\r\n- Thể tích của phòng vang, m3;
\r\n\r\n
S\r\n- tổng diện tích bề mặt phòng thử, m2.
\r\n\r\n
5.3 Mức ồn\r\nnền
\r\n\r\n
Mức ồn nền trong dải tần số quan tâm phải\r\nthấp hơn mức áp suất âm của nguồn ồn thử ít nhất 10dB.
\r\n\r\n
5.4 Nhiệt\r\nđộ, độ ẩm và áp suất
\r\n\r\n
Trong vùng đặt micrôphôn, sự thay đổi của\r\nnhiệt độ và độ ẩm phải nằm trong giới hạn cho trong Bảng 3. Độ sai lệch áp suất\r\nkhông khí phải nằm trong khoảng ±1,5kPa.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Bảng 3. Giới hạn thay đổi\r\nnhiệt độ và độ ẩm môi trường thử nghiệm trong phòng vang
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Nhiệt độ q, 0C \r\n | \r\n \r\n Độ ẩm, % \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n <30 \r\n | \r\n \r\n 30 đến 50 \r\n | \r\n \r\n >50 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Sai số cho phép \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n -5 £ q\r\n < 10 \r\n | \r\n \r\n ±10C \r\n ±3% \r\n | \r\n \r\n ±10C \r\n ±5% \r\n | \r\n \r\n ±30C \r\n ±10% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 10 £ q\r\n < 20 \r\n | \r\n \r\n ±30C \r\n ±5% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 20 £ q\r\n < 50 \r\n | \r\n \r\n ±20C \r\n ±3% \r\n | \r\n \r\n ±50C \r\n ±5% \r\n | \r\n \r\n ±50C \r\n ±10% \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
6\r\n Yêu cầu đặc tính kỹ thuật của nguồn âm thanh mẫu
\r\n\r\n
6.1 Yêu cầu\r\nchung
\r\n\r\n
Nguồn âm thanh mẫu phải đáp ứng các yêu cầu\r\nsau đây
\r\n\r\n
6.2 Độ ổn định\r\nvà khả năng lặp lại của công suất âm phát ra
\r\n\r\n
6.2.1 Nguồn âm thanh\r\nmẫu phải dược thiết kế và chế tạo sao cho làm việc ổn định, độ lặp lại mức công\r\nsuất âm tại mỗi dải 1/3 octa phải duy trì không đổi theo thời gian ứng với độ\r\nlệch chuẩn cho trong Bảng 4.
\r\n\r\n
Bảng 4. Độ lệch chuẩn lớn\r\nnhất của độ lặp lại mức công suất âm
\r\n\r\n
của nguồn âm thanh\r\nmẫu
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Dải tần số, Hz \r\n | \r\n \r\n Độ lệch chuẩn, dB \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 50 ¸ 80 \r\n | \r\n \r\n 0,8 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 100 ¸ 160 \r\n | \r\n \r\n 0,4 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 200 ¸ 20000 \r\n | \r\n \r\n 0,2 \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Chú thích: Đối với ứng dụng đặc\r\nbiệt, nguồn âm thanh mẫu có thể có dải tần số hẹp hơn.
\r\n\r\n
6.2.2 Nguồn âm thanh\r\nmẫu phải được cung cấp cùng với các thông tin về
\r\n\r\n
- \r\nKhoảng\r\nbiến thiên cho phép của nguồn điện hoặc công suất cơ học cung cấp cho nguồn âm\r\nthanh mẫu, trong đó mức công suất âm ở mỗi dải 1/3 octa thuộc dải tần số quan\r\ntâm không thay đổi quá ±0,3 dB;
\r\n\r\n
Hệ số bù sai số và độ\r\nKĐBĐ cần thiết khi môi trường làm việc có nhiệt độ và độ cao khác với điều kiện\r\nchuẩn, nếu áp dụng.
\r\n\r\n
6.3 Mức công\r\nsuất âm toàn phần dải tần rộng
\r\n\r\n
Mức công suất âm toàn phần dải tần rộng phải\r\nđược công bố với dải tần số tương ứng, nếu áp dụng.
\r\n\r\n
6.4 Đặc điểm\r\ncủa phổ tần số
\r\n\r\n
6.4.1 Nguồn âm thanh\r\nmẫu phải tạo ra âm thanh ổn định trong vùng tần số cần sử dụng, ít nhất trong\r\ndải 1/3 octa của tần số trung tâm từ 100Hz đến 10000Hz. Tại đó, mức công suất\r\nâm của tất cả các dải 1/3 octa, xác định theo điều 8 và điều 9 phải nằm trong\r\nkhoảng12dB.
\r\n\r\n
6.4.2 ở điều kiện đo\r\ntương tự (điều 6.4.1), mức công suất âm tại mỗi dải 1/3 octa phải không sai\r\nlệch quá 3dB so với dải 1/3 octa lân cận.
\r\n\r\n
6.4.3 Nếu dải tần số\r\nmở rộng vượt ra ngoài phạm vi từ 100Hz đến 10kHz thì cho phép độ sai lệch mức\r\ncông suất âm giữa các dải octa lân cận tương ứng là 16dB và 4dB.
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- Nhà chế tạo phải công\r\nbố sự không phù hợp của nguồn âm thanh mẫu, nếu nguồn âm thanh mẫu không phù\r\nhợp với những quy định của tiêu chuẩn này trong dải tần số từ 100Hz đến\r\n10000Hz.
\r\n\r\n
6.5 Chỉ số\r\nđịnh hướng
\r\n\r\n
6.5.1 Khi đo trong\r\nphòng nửa câm theo điều 8, chỉ số định hướng lớn nhất của nguồn âm tại mọi dải\r\n1/3 octa với tần số trung tâm từ 100Hz đến 10000Hz không được vượt quá +6dB.
\r\n\r\n
6.5.2 Mức áp suất âm\r\nlớn nhất đo được, hiệu chỉnh theo thời gian S cho mỗi dải 1/3 octa ứng với bất\r\nkỳ sự di chuyển nào cũng phải được ghi nhận và sử dụng để tính chỉ số định\r\nhướng, nếu sử dụng micrôphôn di động.
\r\n\r\n
6.5.3 Đối với vị trí\r\nmicrôphôn cố định, mức áp suất âm lớn nhất ở mỗi dải tần số tại tất cả các vị\r\ntrí đo đều được sử dụng.
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- Nếu chỉ sử dụng nguồn\r\nâm thanh mẫu riêng cho phòng vang, không bắt buộc phải tuân thủ các điều 6.5.1,\r\n6.5.2 và 6.5.3 và phải ghi rõ "Chỉ sử dụng nguồn âm thanh mẫu cho phòng\r\nvang";
\r\n\r\n
- Nếu nguồn âm thanh\r\nmẫu được thiết kế để sử dụng ở vị trí bên trên sàn, phải tuân thủ các yêu cầu\r\nđối với trường âm tự do và phải tiến hành đo chỉ số định hướng trong phòng\r\ncâm.
\r\n\r\n
6.6 Hiệu chuẩn\r\nlại
\r\n\r\n
6.6.1 Nhà chế tạo\r\nphải đưa ra khuyến cáo khoảng thời gian dài nhất giữa hai lần hiệu chuẩn. Trong\r\nkhoảng thời gian này, mức công suất âm của nguồn âm thanh mẫu không được sai\r\nlệch quá giới hạn cho phép trong Bảng 4.
\r\n\r\n
6.6.2 Để xác định\r\nkhoảng thời gian cần thiết phải hiệu chuẩn lại, cho phép đo mức áp suất âm dải\r\n1/3 octa của nguồn âm thanh mẫu tại một hoặc nhiều điểm chuẩn cố định trong môi\r\ntrường thử xác định (vị trí và khoảng thời gian được nhà chế tạo khuyến cáo).
\r\n\r\n
6.6.3 Phải hiệu\r\nchuẩn lại nguồn âm thanh mẫu sau sửa chữa do hỏng hóc hoặc sau khi đã điều\r\nchỉnh mức áp suất âm phát ra theo hướng dẫn của nhà chế tạo, mà mức áp suất âm\r\nở bất kỳ dải 1/3 octa nào có sai lệch quá 2,83 lần giá trị cho trong Bảng 4.
\r\n\r\n
7\r\n Lắp đặt và vận hành nguồn âm thanh mẫu trong quá trình hiệu chuẩn
\r\n\r\n
7.1 Yêu cầu\r\nchung
\r\n\r\n
Nguồn âm thanh mẫu phải được vận hành theo\r\nhướng dẫn của nhà chế tạo. Đo và giám sát duy trì các thông số liên\r\nquan bằng các thiết bị thích hợp. Ghi chép đầy đủ các đặc điểm của nguồn điện\r\ncung cấp về điện áp và tần số, các thông số vận hành liên quan của nguồn mẫu\r\nnhư tốc độ quay của nguồn khí động học v.v.
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- Chỉ tiến hành các\r\nphép đo khi nguồn âm thanh mẫu ở trạng thái hoạt động ổn định (đặc tính âm học\r\nvà thông số vận hành…).
\r\n\r\n
7.2 Vị trí\r\nnguồn âm thanh mẫu
\r\n\r\n
7.2.1 Nguồn âm thanh mẫu\r\nđặt trên mặt phẳng phản xạ cách xa tường bên
\r\n\r\n
7.2.1.1 Trong phòng nửa\r\ncâm: Đặt nguồn âm thanh mẫu cần hiệu chuẩn trên mặt phẳng phản xạ, theo điều\r\nkiện sử dụng.
\r\n\r\n
7.2.1.2 Trong phòng vang:\r\nĐặt nguồn âm thanh mẫu trên mặt sàn, không đối xứng đối với các tường bên, cách\r\nmột khoảng ít nhất là 1,5 m. Sử dụng bốn vị trí cách nhau ít nhất 2m.
\r\n\r\n
7.2.2 Nguồn âm thanh mẫu\r\nđặt phía trên sàn gần tường bên
\r\n\r\n
7.2.2.1 Nếu nguồn âm\r\nthanh mẫu dự định hiệu chuẩn tại các vị trí khác với điều 7.2.1, phải tiến hành\r\nhiệu chuẩn trong phòng vang. Không cho phép hiệu chuẩn nguồn âm thanh mẫu trong\r\nphòng nửa câm, nếu bố trí nguồn âm thanh mẫu cao hơn mặt phẳng phản xạ 0,5m\r\nhoặc ở gần tường bên.
\r\n\r\n
8\r\n Quy trình hiệu chuẩn trong phòng nửa câm
\r\n\r\n
8.1 Môi trường\r\nthử nghiệm
\r\n\r\n
Môi trường thử nghiệm phải thoả mãn điều kiện\r\nphòng nửa câm (phụ lục A) trên toàn dải tần số quan tâm. Sàn nhà phải trải rộng\r\nra mọi phía ít nhất 1m tính từ đường biên của bề mặt đo lường trên sàn.
\r\n\r\n
8.2 Micrôphôn
\r\n\r\n
8.2.1 Đối với dải\r\ntần số quan tâm, thường sử dụng micrôphôn có đặc tính tần số phẳng (biến đổi\r\nkhông quá 0,1dB) đối với trường âm tác động thẳng góc. Phải lắp đặt micrôphôn\r\nsao cho bề mặt của màn chắn hướng về tâm của bán cầu đo lường.
\r\n\r\n
Chú thích: Nếu micrôphôn có đặc tính tần số phẳng\r\nđối với trường âm tác động chéo góc, phải lắp đặt sao cho bề mặt của màn chắn\r\nsong song với đường thẳng hướng về tâm của bán cầu đo lường.
\r\n\r\n
8.2.2 Micrôphôn phải\r\nđược hiệu chỉnh để có đặc tính tần số phẳng đối với trường âm tác động thẳng\r\ngóc hoặc chéo góc trên toàn dải tần số quan tâm.
\r\n\r\n
Chú\r\nthích: Nếu mở rộng dải tần số quá 10000Hz đối với dải 1/3 octa, chỉ sử dụng\r\nmicrôphôn có đặc tính tần số phẳng với trường âm tác động chéo góc.
\r\n\r\n
8.3 Vị trí\r\nmicrôphôn
\r\n\r\n
8.3.1 Quy định chung\r\n
\r\n\r\n
Sử dụng bề mặt đo lường hình bán cầu có bán\r\nkính 2m. Tâm của bán cầu trùng với tâm hình chiếu mặt trên của nguồn âm thanh\r\nmẫu trên mặt phẳng phản xạ. Bố trí micrôphôn theo các điều 8.3.2, 8.3.3, 8.3.4\r\nhoặc 8.3.5. Phải đảm bảo để các cơ cấu cố định cơ khí hay cơ cấu dịch chuyển\r\nmicrôphôn không gây ảnh hưởng lên kết quả đo.
\r\n\r\n
8.3.2 Di chuyển theo đường\r\nkinh tuyến
\r\n\r\n
8.3.2.1 Đối với nguồn âm\r\nthanh quay đối xứng, di chuyển micrôphôn theo ba đường kinh tuyến (xem Phụ lục\r\nB) với bước dịch chuyển 1200 xung quanh trục đứng của bề mặt đo\r\nlường.
\r\n\r\n
8.3.2.2 Đối với các nguồn\r\nâm thanh khác, sử dụng ít nhất tám hành trình. Khi các hành trình được thực\r\nhiện với tốc độ góc không đổi, dùng thiết bị chia góc sin (bằng điện, hoặc cơ\r\nkhí hay dùng thuật toán tương đương) để đạt được sự hiệu chỉnh phù hợp giữa đặc\r\ntính diện tích bề mặt với thời gian cần thiết để di chuyển micrôphôn trên cung\r\ntròn xác định.
\r\n\r\n
8.3.2.3 Nếu di chuyển\r\nmicrôphôn thẳng đứng với tốc độ không đổi (tốc độ góc tỷ lệ nghịch với hàm sin\r\ncủa góc giữa vị trí góc của micrôphôn và trục đứng của bề mặt đo lường) thì\r\nkhông cần thiết phải hiệu chỉnh theo diện tích bề mặt.
\r\n\r\n
Chú thích: - Khi sử dụng thiết bị\r\nchia góc sin (vì không thể xác định vận tốc góc ở đỉnh của bán cầu) phải ngừng\r\ndi chuyển micrôphôn tại vị trí cách đỉnh bán cầu một khoảng đủ nhỏ(ví dụ:khoảng\r\n20cm).
\r\n\r\n
8.3.3 Di chuyển theo đường\r\nxoắn ốc
\r\n\r\n
8.3.3.1 Di chuyển\r\nmicrôphôn theo đường kinh tuyến như điều 8.3.2, đồng thời di chuyển chậm\r\nmicrôphôn qua tập hợp của ít nhất năm đường tròn, tạo thành đường xoắn ốc xung\r\nquanh trục đứng của bề mặt đo lường.
\r\n\r\n
Chú\r\nthích: Có thể tạo ra đường xoắn ốc bằng cách quay chậm nguồn âm\r\nthanh mẫu với tốc độ không đổi ít nhất năm vòng hoàn chỉnh, đồng thời di\r\nchuyển micrôphôn theo đường kinh tuyến. Hiệu chỉnh theo diện tích bề mặt tương\r\ntự điều 8.3.2, nếu cần thiết.
\r\n\r\n
8.3.3.2 Lặp lại ba hành\r\ntrình với số gia 1200 xung quanh trục đứng của bề mặt đo lường cho\r\ntheo điều 8.3.3.1.
\r\n\r\n
8.3.4 Bố trí micrôphôn theo\r\ndẫy điểm đo cố định
\r\n\r\n
8.3.4.1 Sử dụng 20 vị trí\r\nmicrôphôn cố định, phân bố trên bề mặt bán cầu có bán kính R= 2m ở độ cao xác\r\nđịnh so với mặt sàn, mỗi vị trí micrôphôn sẽ ứng với một độ cao. Độ cao của 20\r\nđiểm đo tương ứng là 0,025R, 0,075R, ... và 0,975R.
\r\n\r\n
8.3.4.2 ở mỗi độ cao xác\r\nđịnh, vị trí góc phương vị của micrôphôn phải được di chuyển đi 600\r\nso với vị trí trước đó để tạo ra một đường xoắn ốc (tham khảo Phụ lục C).
\r\n\r\n
8.3.4.3 Nếu nguồn âm\r\nthanh không quay đối xứng trên mặt phẳng nằm ngang, phải tiến hành một tập hợp\r\nphép đo thứ hai dịch đi 1800 so với tập hợp thứ nhất. Giá trị trung\r\nbình của hai tập hợp đó sẽ được xem là kết quả đo.
\r\n\r\n
8.3.5 Di chuyển trên đường\r\ntròn đồng trục
\r\n\r\n
áp dụng 20 hành trình vòng quanh trục đứng\r\nxuyên qua tâm của nguồn âm thanh mẫu trên bề mặt của bán cầu bán kính R=2m. Các\r\nđường di chuyển phải được đặt tại 20 độ cao khác nhau theo điều 8.3.4 và biểu\r\ndiễn bề mặt bán cầu đo lường (xem Phụ lục C).
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- Có thể nhận được các\r\nđường tròn trên bằng cách quay chậm 3600 nguồn âm thanh mẫu hoặc\r\nmicrôphôn (thời gian quay một vòng ít nhất phải là 60s).
\r\n\r\n
- Bề mặt trụ quay nguồn\r\nâm thanh mẫu phải ngang bằng với mặt phẳng phản xạ.
\r\n\r\n
8.4 Thao tác\r\nđo lường
\r\n\r\n
8.4.1 Đo mức áp suất âm dải\r\n1/3 octa trong khoảng thời gian xác định, ít nhất 200s cho mỗi phần tư vòng\r\ntròn di chuyển theo đường kinh tuyến và ít nhất 600s đối với đường xoắn ốc.
\r\n\r\n
8.4.2 Đo trong 30s\r\ntại mỗi vị trí micrôphôn đối với các vị trí micrôphôn độc lập.
\r\n\r\n
8.4.3 Chọn thời gian\r\nđo tương thích với số lượng của micrôphôn hay tốc độ quay của nguồn âm thanh\r\ntrong trường hợp đường tròn đồng trục.
\r\n\r\n
Chú thích: Mức áp suất âm dải\r\nocta hiệu chỉnh theo đặc tính A có thể đo trực tiếp hoặc tính toán trên cơ sở\r\náp suất âm trung bình bình phương từ số liệu đo dải 1/3 octa.
\r\n\r\n
8.5 Hệ số hấp\r\nthụ âm của không khí
\r\n\r\n
Nếu các phép đo mở rộng tới tần số cao hơn\r\n10000Hz, phải hiệu chỉnh hệ số hấp thụ âm theo phương pháp thích hợp (Phụ lục\r\nE).
\r\n\r\n
8.6 Tính toán\r\nkết quả
\r\n\r\n
8.6.1 Tính toán mức\r\náp suất âm bề mặt ở dải 1/3 octa và mức công suất âm tương ứng theo biểu thức:
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
trong đó: Lpf\r\n- mức áp suất âm trên bề mặt đo lường, dB ( so với áp suất đối chiếu P0=\r\n20mPa, dB);
\r\n\r\n
S1 - diện tích bề mặt đo lường, m2;
\r\n\r\n
S0 = 1m2;
\r\n\r\n
C - Hằng số hiệu chỉnh (dB) thay đổi theo\r\nđiều kiện nhiệt độ q và áp suất B
\r\n\r\n
\r\n\r\n
![](\"00903923_files/image002.gif\")
với\r\nB0 = 105Pa
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- \r\nTỷ\r\nsố 423/400 hiệu chỉnh sự khác nhau giữa đặc tính trở kháng âm thực tế của sự\r\nlan truyền trung bình của rc tại q = 00C và B0 = 105Pa với\r\nđặc tính kháng âm chuẩn rcref\r\n= 400Ns/m3.
\r\n\r\n
8.6.2 Tính giá trị lớn\r\nnhất của chỉ số định hướng nguồn âm DIi cho mỗi dải 1/3 octa.
\r\n\r\n
8.6.3 Tính mức áp\r\nsuất âm bề mặt, mức công suất âm ở dải octa, và hệ số hiệu chỉnh theo đặc tính\r\nA, nếu áp dụng.
\r\n\r\n
9 Quy\r\ntrình hiệu chuẩn trong phòng vang
\r\n\r\n
9.1 Môi trường\r\nthử
\r\n\r\n
Kích thước dài nhỏ nhất của phòng vang phải\r\nlớn hơn 4m và môi trường thử phải phù hợp với yêu cầu quy định tại điều 5.
\r\n\r\n
9.2 Micrôphôn
\r\n\r\n
Sử dụng micrôphôn tác\r\nđộng ngẫu nhiên, có đặc tính tần số phẳng trong trường âm khuyếch tán, đã được\r\nhiệu chuẩn và trong thời gian hiệu lực.
\r\n\r\n
9.3 Vị trí\r\nmicrôphôn
\r\n\r\n
Thông thường sử dụng sáu vị trí micrôphôn\r\ntĩnh tại hoặc một micrôphôn di chuyển theo điều 8.3. Nếu dải tần số được mở\r\nrộng trên 10000Hz trong dải 1/3 octa, chỉ cần sử dụng các vị trí micrôphôn cố\r\nđịnh với hướng bất kỳ trong phòng.
\r\n\r\n
9.4 Thao tác\r\nđo lường
\r\n\r\n
9.4.1 Đo mức áp suất\r\nâm dải 1/3 octa với thời gian đo xác định. ít nhất 64s cho mỗi vị trí\r\nmicrôphôn.
\r\n\r\n
9.4.2 Đo thời gian\r\nvang T bằng cách dùng ít nhất ba vị trí nguồn âm và sáu vị trí micrôphôn. 9.4.3 \r\nĐo, ít nhất ba độ suy giảm với mỗi tổ hợp vị trí, tuỳ thuộc vào số thiết bị\r\ncó sẵn.
\r\n\r\n
Chú thích: áp dụng độ suy giảm\r\n10dB hoặc 15dB và tính toán T10 hoặc T15 từ giá trị trung\r\nbình của T hoặc từ giá trị trung bình của dãy.
\r\n\r\n
9.5 Tính toán\r\nkết quả
\r\n\r\n
9.5.1 Tính mức công\r\nsuất âm dải 1/3 octa theo công thức tại điều 8.6.1.
\r\n\r\n
9.5.2 Tính giá trị mức\r\ncông suất âm từ bốn vị trí đặt nguồn âm thanh ( theo điều 8.6.1).
\r\n\r\n
9.5.3 Mức áp suất âm\r\ndải octa và mức áp suất âm theo đặc tính A phải được tính toán dựa trên áp suất\r\nâm trung bình bình phương từ số liệu đo dải 1/3 octa.
\r\n\r\n
10\r\n Thông tin ghi chép
\r\n\r\n
Phải ghi chép các thông tin sau
\r\n\r\n
10.1 Nguồn âm\r\nthanh thử
\r\n\r\n
- \r\nMô\r\ntả đặc điểm, hình dáng và kích thước, vị trí nguồn âm thanh trong phòng thử;
\r\n\r\n
- \r\nNếu\r\nđối tượng thử có nhiều nguồn khác nhau, phải mô tả các nguồn ồn thành phần\r\ntrong quá trình đo thử;
\r\n\r\n
- \r\n Điều\r\nkiện lắp đặt và vận hành.
\r\n\r\n
10.2 Môi trường\r\nâm học \r\n
\r\n\r\n
- \r\nMô\r\ntả cách xử lý âm học tường bao, trần và nền, sơ đồ bố trí nguồn âm thanh và các\r\nthiết bị khác bên trong phòng;
\r\n\r\n
- \r\nChất\r\nlượng âm học của phòng thử;
\r\n\r\n
- \r\nNhiệt\r\nđộ (C0 ), độ ẩm tương đối không khí (%) và áp suất khí quyển (Pa).
\r\n\r\n
10.3 Thiết bị\r\nđo\r\n
\r\n\r\n
- \r\nTên,\r\nkiểu, số loạt và nhà chế tạo thiết bị đo được sử dụng;
\r\n\r\n
- \r\nDải\r\ntần số giới hạn của thiết bị phân tích;
\r\n\r\n
- \r\nKhả\r\nnăng đáp ứng tần số của hệ thống thiết bị đo;
\r\n\r\n
- \r\nPhương\r\npháp hiệu chuẩn micrôphôn, ngày và nơi hiệu chuẩn.
\r\n\r\n
10.4 Dữ liệu âm\r\nhọc
\r\n\r\n
- Sơ đồ vị trí và định\r\nhướng của micrôphôn hay dãy micrôphôn;
\r\n\r\n
- Dải thông các bộ lọc\r\ntần số, ồn nền, trị số hiệu chỉnh (dB) đối với đặc tính tần số của micrôphôn sử\r\ndụng;
\r\n\r\n
- Mức áp suất âm trung\r\nbình và tại mỗi dải tần số quan tâm (tham chiếu với p0 = 20 mPa) đo được theo đặc tính A trên bề\r\nmặt đo lường Lpf (dB);
\r\n\r\n
- Mức công suất âm (dB)\r\ntrong toàn dải tần số (hiệu chỉnh theo đặc tính A) so với giá trị tham chiếu PW0=10-12 W;
\r\n\r\n
- Bảng số hoặc đồ thị\r\nmức công suất âm đã hiệu chỉnh và làm tròn đến 0,5 dB;
\r\n\r\n
- Địa điểm và thời gian\r\nthực hiện phép đo;
\r\n\r\n
- Chỉ số, hệ số định\r\nhướng các yếu tố khác liên quan..., nếu áp dụng;
\r\n\r\n
11\r\n Báo cáo kết quả
\r\n\r\n
Biên bản báo cáo kết quả phải bao gồm những\r\nthông tin sau:
\r\n\r\n
a) Sự phù hợp của kết\r\nquả hiệu chuẩn theo yêu cầu của tiêu chuẩn này. Nếu sai khác, phải được ghi\r\nnhận;
\r\n\r\n
b) Nói rõ, hiệu chuẩn\r\nđược tiến hành trong phòng nửa câm hay phòng vang (kèm theo sơ đồ bố trí\r\nmicrôphôn), mô tả chi tiết về kích thước, giới hạn tần số thấp, vật liệu và vị\r\ntrí nguồn âm thanh sử dụng (đặt trên cao, có chân hoặc giá đỡ…theo điều 7);
\r\n\r\n
c) Mức công suất âm\r\ntrong mỗi dải tần số biểu thị bằng dexibel, được làm tròn tới 0,1dB giá trị gần\r\nnhất (so với tham chiếu PW0=10-12 W ) ở điều kiện chuẩn rc = 400Ns/m3;
\r\n\r\n
Chú thích: rc = 400Ns/m3 được\r\nsử dụng cả như điều kiện chuẩn đối với mức công suất âm ở điều kiện cụ thể.
\r\n\r\n
d) Độ KĐBĐ (xem Bảng 1);
\r\n\r\n
e) Nhiệt độ, độ ẩm và áp\r\nsuất môi trường tại thời điểm hiệu chuẩn, giá trị của hằng số C (điều 7.6) và\r\nnhững điều chỉnh khác nếu có sử dụng để chỉ rõ trạng thái môi trường (điều 5.2\r\nvà 7.6) và phương pháp xác định;
\r\n\r\n
f) Đặc điểm cần chú ý\r\ncủa nguồn điện cung cấp và thông số vận hành liên quan của nguồn âm thanh mẫu;
\r\n\r\n
g) Nếu hiệu chuẩn là một\r\nphần cần thiết để kiểm định tất cả các yêu cầu (đánh giá mẫu) theo tiêu chuẩn\r\nnày, phải cung cấp thêm các thông tin về sự thống nhất của phổ tần số, thời\r\ngian duy trì độ ổn định, công suất âm đầu ra, đặc tính phổ tần và chỉ số định\r\nhướng phù hợp với điều 6.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n\r\n
Phụ\r\nlục A
\r\n\r\n
(Tham khảo)
\r\n\r\n
QUY\r\nTRÌNH KIỂM TRA PHÒNG THỬ
\r\n\r\n
\r\n\r\n
A.1 Yêu cầu\r\nchung
\r\n\r\n
Để tạo ra trường âm tự do trên mặt phẳng phản\r\nxạ (phòng nửa câm), phòng thử phải thoả mãn các yêu cầu sau:
\r\n\r\n
- Kích thước phải đủ lớn (theo điều 5.1 và\r\n9.1) và không có các vật phản xạ ngoại trừ mặt phẳng phản xạ.
\r\n\r\n
- Bề mặt đo lường phải nằm trong phần trường\r\nâm không bị ảnh hưởng bởi âm thanh phản xạ từ các mặt biên của phòng (điều kiện\r\ntrường âm tự do).
\r\n\r\n
- Bề mặt đo lường phải nằm ngoài trường âm\r\ngần của nguồn âm thanh cần thử nghiệm.
\r\n\r\n
A.2 Đặc điểm\r\ncủa mặt phẳng phản xạ
\r\n\r\n
Các phép đo phải được thực hiện trên mặt\r\nphẳng phản xạ trong phòng thử có ít nhất một mặt phản xạ âm.
\r\n\r\n
A.2.1 Kích thước
\r\n\r\n
Mặt phẳng phản xạ phải không nhỏ hơn hình\r\nchiếu của bề mặt đo lường trên nền.
\r\n\r\n
A.2.2 Hệ số hấp thụ
\r\n\r\n
Hệ số hấp thụ của mặt phẳng phản xạ phải nhỏ\r\nhơn 0,06 trên toàn dải tần số quan tâm.
\r\n\r\n
A.3 Kiểm tra sự\r\nsuy giảm áp suất âm
\r\n\r\n
A.3.1 Nguồn âm thanh\r\n
\r\n\r\n
Từ hệ thống điện thanh và loa, âm thanh phát\r\nra phải đều theo mọi hướng, có độ lệch chuẩn không quá ±1dB.
\r\n\r\n
Chú thích: Nên sử dụng các\r\nnguồn âm thanh khác nhau cho các tần số khác nhau.
\r\n\r\n
A.3.2 Micrôphôn
\r\n\r\n
Sử dụng micrôphôn loại có kích thước nhỏ, ví\r\ndụ 13mm
\r\n\r\n
A.3.3 Lắp đặt nguồn\r\nâm thanh và micrôphôn
\r\n\r\n
Đặt nguồn âm thanh ở chính giữa phòng, ngay\r\ntrên mặt sàn phản xạ. Khoảng cách lớn nhất giữa bề mặt phát âm của nguồn âm\r\nthanh thử và mặt phẳng phản xạ là tối thiểu, sao cho âm thanh phát ra theo mọi\r\nhướng trong bán cầu đo lường trên mặt phẳng phản xạ thoả mãn yêu cầu độ lệch\r\nchuẩn cho trong điều A.3.1.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
A.3.4 Vị trí\r\nmicrôphôn
\r\n\r\n
Sử dụng ít nhất tám hành trình của micrôphôn\r\ntừ tâm của nguồn âm thanh thử theo các hướng khác nhau, phù hợp nhất là các\r\nđường thẳng từ nguồn âm tới các góc phòng. Không sử dụng các đường gần với mặt\r\nsàn phản xạ.
\r\n\r\n
A.3.5 Quy trình thử\r\nnghiệm
\r\n\r\n
Hệ thống điện thanh mô tả trong các điều\r\nA.3.1 và A.3.2 phải hoạt động ở các tần số riêng biệt trên toàn dải tần số quan\r\ntâm của nguồn âm thanh cần thử. Với các tần số dưới 125Hz và trên 4000Hz phải\r\nđo tại các tần số trung tâm dải 1/3 octa. Đối với dải tần số từ 125Hz đến\r\n4000Hz - đo tại dải octa.
\r\n\r\n
Chú thích: Nếu như nguồn âm cần\r\nthử chỉ phát ra âm thanh dải rộng, có thể tiến hành với dải 1/3 octa hoặc octa\r\nthay cho các tần số riêng biệt.
\r\n\r\n
Micrôphôn phải di chuyển liên tục theo các\r\nđường mô tả trong điều A.3.4 cho mỗi tần số thử nghiệm và ghi lại mức áp suất\r\nâm. So sánh các mức này với sự suy giảm xác định theo luật nghịch đảo bình\r\nphương. Tính sự khác nhau giữa mức áp suất âm thực tế và lý thuyết cho mỗi hành\r\ntrình của micrôphôn ứng với mỗi tần số thử. Sự khác nhau này không được vượt\r\nquá giá trị cho trong Bảng 5 (ISO 3745: 1997).
\r\n\r\n
Bảng 5. Sai lệch cho phép\r\nlớn nhất giữa mức áp suất âm lý thuyết và thực nghiệm
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Kiểu phòng thử \r\n | \r\n \r\n Tần số trung tâm\r\n dải 1/3 octa, Hz \r\n | \r\n \r\n Sai lệch cho phép,\r\n dB \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Phòng câm \r\n | \r\n \r\n £630 \r\n 800 đến 5000 \r\n ³6300 \r\n | \r\n \r\n ±1,5 \r\n ±1,0 \r\n ±1,5 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Phòng nửa câm \r\n | \r\n \r\n £630 \r\n 800 đến 5000 \r\n ³6300 \r\n | \r\n \r\n ±2,5 \r\n ±2,0 \r\n ±3,0 \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Trong Bảng 5 quy định độ sai lệch cho phép\r\nlớn nhất đối với bán kính đo lường và khoảng không lớn nhất xung quanh nguồn âm\r\nthanh, theo đó để lựa chọn bề mặt đo lường phù hợp. Bề mặt đo lường nằm ngoài\r\ngần trường âm thực tế của nguồn ồn thử được xem là phù hợp. Nếu các yêu cầu\r\ntrên không thoả mãn, phòng thử không đạt yêu cầu.
\r\n\r\n
\r\n\r\n\r\n
Phụ\r\nlục B
\r\n\r\n
(Tham khảo)
\r\n\r\n
DI\r\nCHUYỂN MICRÔPHÔN THEO ĐƯỜNG KINH TUYẾN
\r\n\r\n
TRONG TRƯỜNG ÂM TỰ DO
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Dưới đây là sơ đồ minh hoạ cách thức di\r\nchuyển của micrôphôn theo đường kinh tuyến trong trường âm tự do và sơ đồ khối\r\nmạch điện tương ứng (Hình B.1).
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n ![](\"00903923_files/image003.gif\") | \r\n
\r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n | \r\n ![](\"00903923_files/image004.gif\") | \r\n
\r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n | \r\n \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n | \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n Hình B.1 \r\n Di chuyển micrôphôn theo đường kinh tuyến \r\n a) Sơ đồ cơ\r\n khí; b) Sơ đồ khối mạch điện. \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n\r\n
Phụ\r\nlục C
\r\n\r\n
(Tham khảo)
\r\n\r\n
VỊ\r\nTRÍ MICRÔPHÔN TRONG TRƯỜNG ÂM TỰ DO
\r\n\r\n
TRÊN MẶT PHẲNG PHẢN\r\nXẠ
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Dưới đây là sơ đồ minh\r\nhoạ cách bố trí micrôphôn trong trường âm tự do trên mặt phẳng phản xạ (Hình\r\nC.1) và di chuyển micrôphôn theo đường ®ång trôc (Hình C.2).
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n\r\n
Phụ\r\nlục D
\r\n\r\n
(Quy định)
\r\n\r\n
HƯỚNG\r\nDẪN TÍNH TOÁN CHỈ SỐ VÀ HỆ SỐ ĐỊNH HƯỚNG
\r\n\r\n
\r\n\r\n
D.1 Đối với\r\ntrường âm tự do
\r\n\r\n
Chỉ số định hướng DIi của nguồn âm\r\nthanh (dB) có thể tính từ phép đo trong trường âm tự do theo biểu thức sau:
\r\n\r\n
![]()
(1)
\r\n\r\n
trong đó: Lpi\r\n- mức áp suất âm (dB) đo theo hướng cần xác định DIi cách nguồn âm\r\nmột khoảng r, m (với mức áp suất âm đối chiếu 20mPa);
\r\n\r\n
Lpf - mức áp suất âm\r\nbề mặt (dB) trên hình cầu đo lường bán kính r (với mức áp suất âm đối chiếu 20mPa).
\r\n\r\n
Hệ số định hướng Q\r\ncủa nguồn âm theo hướng xác định được xác định theo công thức sau:
\r\n\r\n
Q = antilog10(DIi/10) (2)
\r\n\r\n
trong đó: DIi - chỉ số định\r\nhướng tính theo biểu thức (1).
\r\n\r\n
Chú thích: - Trong phòng câm và\r\nnửa câm chỉ số định hướng được tính theo biểu thức (1), ở đó Lpi là mức áp suất\r\nâm (dB) đo trên bề mặt đo lường theo hướng i và Lpf là mức áp suất âm trung\r\nbình trên bề mặt đo lường ở cùng khoảng cách.
\r\n\r\n
D.2 Đối với\r\ntrường âm tự do trên bề mặt phản xạ
\r\n\r\n
Biểu đồ định hướng của nguồn âm thanh trong\r\ntrường âm tự do trên bề mặt phản xạ thông thường phức tạp hơn nhiều so với\r\ntrong trường âm tự do. Tuy nhiên, khi nguồn âm thanh đặt trên bề mặt phản xạ\r\ncứng, có thể tính được chỉ số định hướng và hệ số định hướng của nguồn âm thanh\r\nnếu xem bề mặt phản xạ như là một phần của nguồn âm thanh.
\r\n\r\n
Chỉ số định hướng DIi của nguồn âm\r\nthanh (dB) được tính từ phép đo trong trường âm tự do trên bề mặt phản xạ theo\r\nbiểu thức sau:
\r\n\r\n
![]()
(3)
\r\n\r\n
trong đó: Lpi\r\n- mức áp suất âm (dB) đo theo hướng cần xác định DIi ở khoảng cách r (m) từ\r\nnguồn âm;
\r\n\r\n
Lpf - mức áp suất âm bề mặt (dB) trên hình\r\ncầu đo lường bán kính r (m).
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n\r\n
Phụ\r\nlục E
\r\n\r\n
(Tham khảo)
\r\n\r\n
HƯỚNG\r\nDẪN THIẾT KẾ PHÒNG THỬ NGHIỆM
\r\n\r\n
\r\n\r\n
E.1 Quy định\r\nchung
\r\n\r\n
Để đạt\r\nđược các yêu cầu của trường âm tự do, một phòng thử phải có:
\r\n\r\n
- Kích thước phù hợp;
\r\n\r\n
- Hấp thụ âm tốt trên\r\ntoàn dải tần số quan tâm;
\r\n\r\n
- Không có các bề mặt\r\nphản xạ và các kết cấu cản trở âm thanh ngoại trừ những kết cấu có liên quan\r\nđến nguồn âm thanh thử;
\r\n\r\n
- Có mức ồn nền đủ\r\nthấp.
\r\n\r\n
E.2 Kích thước\r\ncủa phòng thử
\r\n\r\n
Theo quy định để có thể đo được trường âm xa\r\ncủa nguồn âm thanh, kích thước của phòng thử ít nhất phải lớn hơn kích thước\r\ncủa nguồn âm thanh 200 lần.
\r\n\r\n
Chú thích:
\r\n\r\n
- \r\nKích\r\nthước của phòng thử phải đủ lớn để có thể đặt micrôphôn ở vùng trường âm xa của\r\nnguồn ồn thử mà không quá gần các bề mặt hấp thụ âm của phòng thử;
\r\n\r\n
- \r\nNếu\r\nkhông có quy định đặc biệt, có thể giả thiết trường âm xa bắt đầu ở khoảng cách\r\n2a từ nguồn ồn thử (với a ký hiệu kích thước lớn nhất của nguồn ồn);
\r\n\r\n
- \r\nBề\r\nmặt đo lường phải cách các bề mặt hấp phụ âm của phòng thử một khoảng ít nhất\r\nlà l/4 (với l ký hiệu bước sóng\r\ntần số trung tâm của dải tần số quan tâm thấp nhất).
\r\n\r\n
E.3 Hình dáng\r\ncủa phòng thử
\r\n\r\n
Tỷ lệ chiều dài và chiều rộng của phòng thử\r\nphải phù hợp với những yêu cầu của điều A2 trong phụ lục A.
\r\n\r\n
Chú thích: Khi khó lựa chọn bề\r\nmặt đo lường trong phòng thử, cho phép xoay hoặc di chuyển nguồn âm thanh trong\r\nphòng thử khi tiến hành đo, sao cho micrôphôn luôn ở trường âm xa của nguồn âm\r\nvà không gần các bề mặt hấp thụ âm của phòng thử quá l/4.
\r\n\r\n
E.4 Sự hấp thụ\r\nâm của phòng thử
\r\n\r\n
Hệ số hấp phụ năng lượng âm thanh thẳng góc\r\ncủa tường và trần phải không nhỏ hơn 0,99 trên toàn dải tần số quan tâm (Vật\r\nliệu hấp thụ âm phải phân bố đồng đều trên bề mặt). Phải xử lý sàn nhà trong\r\nphòng câm tương tự như đối với tường và trần. đối với phòng bán câm, sàn nhà\r\nphải phẳng, rắn có hệ số hấp thụ năng lượng âm thanh thẳng góc không vượt quá\r\ntrị số 0,06 trên toàn dải tần số quan tâm.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
E.5 Vật liệu\r\nhấp thụ âm
\r\n\r\n
Việc xử lý bề mặt được thực hiện bằng các kết\r\ncấu hình nêm hoặc chóp bằng vật liệu hấp thụ âm, gắn trên mặt tường bên trong\r\nphòng và hướng vào trong, tạo ra một khoảng không gian nhỏ đằng sau chúng.\r\nChiều dài kết cấu của vật liệu hấp thụ âm phải lớn hơn l/4 (một phần tư bước sóng tần số trung\r\ntâm của dải tần số quan tâm thấp nhất).
\r\n\r\n
E.6 Phản xạ\r\nkhông mong muốn
\r\n\r\n
Phải đặt tất cả các vật thể và thiết bị không\r\ncần thiết ngoài phòng thử để tránh sự phản xạ âm thanh do các ống, thanh giằng,\r\nlưới làm việc, vỏ bọc, dây cáp, hoặc các kết cấu khác gây ra. Các ống rỗng phải\r\nđược đổ đầy bằng vật liệu hấp thụ âm để tránh tạo ra tiếng vang.
\r\n\r\n
E.7 Kết cấu sàn\r\nkiểu treo
\r\n\r\n
Kết cấu sàn điển hình cho phòng câm là một\r\ntấm lưới bằng dây thép có đường kính khoảng 2,5mm, các mắt lưới có kích thước\r\ntừ 2 đến 5cm.
\r\n\r\n
E.8 Ồn nền
\r\n\r\n
ảnh hưởng của ồn nền thường rất lớn ở tần số\r\nthấp. Để tiến hành thử nghiệm ở tần số thấp, phải xây xung quanh phòng câm một\r\nbức tường lớn và nâng toàn bộ kết cấu của phòng đặt trên một cơ cấu chống rung.\r\nở tần số cao phải quan tâm loại bỏ các tạp âm điện.
\r\n\r\n
E.9 Sự hấp thụ\r\nâm của không khí
\r\n\r\n
đối với những phòng thử lớn, kích thước lớn\r\nhơn 200m3, phải hiệu chỉnh hệ số hấp thụ âm ở tần số cao do hiện\r\ntượng hấp thụ âm của không khí theo Tiêu chuẩn thích hợp (ví dụ ỤSẶ 9613-1).
\r\n\r\n
\r\n\r\n
