"\r\n\r\n\r\n\r\n\r\nTCVN\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n

\r\n\r\n

TIÊU\r\nCHUẨN QUỐC GIA

\r\n\r\n

TCVN\r\n7942 - 1 : 2008

\r\n\r\n

ISO\r\n4037-1 : 1996

\r\n\r\n

AN TOÀN BỨC XẠ - BỨC XẠ CHUẨN TIA X VÀ GAMMA HIỆU CHUẨN\r\nLIỀU KẾ VÀ MÁY ĐO SUẤT LIỀU VÀ XÁC ĐỊNH ĐÁP ỨNG CỦA THIẾT BỊ THEO NĂNG LƯỢNG\r\nPHOTON - PHẦN 1: ĐẶC TÍNH BỨC XẠ VÀ PHƯƠNG PHÁP TẠO RA BỨC XẠ

\r\n\r\n

Radiation\r\nprotection - X and gamma reference radiation for\r\ncalibrating dosemeters and doserate meters and for determining their response\r\nas a function of\r\nphoton energy\r\n- Part\r\n1: Radiation characteristics and production methods

\r\n\r\n

Lời nói đầu

\r\n\r\n

TCVN 7942-1 : 2008 hoàn toàn\r\ntương đương với ISO 4037-1 : 1996.

\r\n\r\n

TCVN 7942-1 : 2008 do Ban kỹ\r\nthuật Tiêu chuẩn quốc gia TCVN/ TC 85 "Năng lượng hạt nhân"\r\nbiên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường\r\nChất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

\r\n\r\n

TCVN 7942 với tên chung “An\r\ntoàn bức xạ - Bức xạ chuẩn tia X và gamma hiệu chuẩn liều kế và máy đo suất liều\r\nvà xác định đáp ứng của thiết bị theo năng lượng photon" gồm\r\ncác phần sau đây:

\r\n\r\n

TCVN 7942-1: 2008 (ISO 4307-1: 1996)\r\nPhần 1: Đặc tính bức xạ và phương pháp tạo ra bức xạ;

\r\n\r\n

TCVN 7942-2: 2008 (ISO 4307-2: 1997)\r\nPhần 2: Đo liều trong bảo vệ bức xạ cho dải năng lượng từ 8 keV đến 1,3 MeV và\r\ntừ 4 MeV đến 9 MeV;

\r\n\r\n

ISO 4307-3:1999 Phần 3: Hiệu chuẩn liều\r\nkế khu vực và liều kế cá nhân và phép đo đáp ứng của chúng theo năng lượng và góc\r\ntới.

\r\n\r\n

ISO 4307-4: 2004 Phần 4: Hiệu chuẩn liều\r\nkế khu vực và liều kế cá nhân trong trường bức xạ tia X năng lượng thấp.

\r\n\r\n

AN TOÀN BỨC XẠ\r\n-\r\nBỨC\r\nXẠ CHUẨN TIA X VÀ GAMMA HIỆU CHUẨN LIỀU KẾ VÀ MÁY ĐO SUẤT LIỀU\r\nVÀ XÁC ĐỊNH ĐÁP ỨNG CỦA THIẾT BỊ THEO NĂNG LƯỢNG PHOTON - PHẦN 1: ĐẶC TÍNH BỨC\r\nXẠ VÀ PHƯƠNG PHÁP TẠO RA BỨC XẠ

\r\n\r\n

Radiation\r\nprotection - X and gamma reference radiation for\r\ncalibrating dosemeters and doserate meters and for determining their response\r\nas a function of\r\nphoton energy - Part 1: Radiation characteristics and\r\nproduction methods

\r\n\r\n

1. Phạm vi áp dụng

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này quy định đặc tính và\r\nphương pháp tạo ra bức xạ chuẩn gamma, tia X để hiệu chuẩn thiết bị đo liều cấp\r\nđộ bảo vệ, thiết bị đo suất kerma không khí trong dải đo từ 10 mGy.h^-1 tới 10 Gy.h^-1\r\nvà để xác định đáp ứng của thiết bị như là hàm theo năng lượng của\r\nhạt photon. Phương pháp tạo ra một nhóm bức xạ chuẩn cho một dải năng lượng\r\nphoton riêng biệt được mô tả trong bốn mục, các mục này chỉ rõ đặc tính của\r\ncác bức xạ đó. Bốn nhóm bức xạ chuẩn bao gồm:

\r\n\r\n

a) nhóm bức xạ có năng lượng trong khoảng\r\n7 keV đến 250 keV, bức xạ tia X được lọc và bức xạ gamma của ²⁴¹Am;

\r\n\r\n

b) nhóm bức xạ có năng lượng trong khoảng\r\n8 keV đến 100 keV, bức xạ tia X đặc trưng;

\r\n\r\n

c) nhóm bức xạ có năng lượng trong khoảng\r\n600 keV đến 1,3 MeV, bức xạ gamma phát ra từ nhân phóng xạ;

\r\n\r\n

d) nhóm bức xạ có năng lượng trong khoảng\r\n4 MeV đến 9 MeV, bức xạ gamma do lò phản ứng và máy gia tốc phát ra.

\r\n\r\n

Các bức xạ chuẩn này cần được lựa chọn\r\ntừ Bảng 1.

\r\n\r\n

2. Tài liệu viện dẫn

\r\n\r\n

Các tài liệu viện dẫn sau là rất cần thiết cho\r\nviệc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm ban hành thì\r\náp dụng bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm ban hành thì\r\náp dụng bản mới nhất (bao gồm cả sửa đổi).

\r\n\r\n

ISO 197-1:1983 Copper and copper alloys\r\n- Terms and definitions - Part 1:\r\nMaterials (Đồng và các hợp kim của đồng - Thuật ngữ và định nghĩa - Phần 1: Vật liệu).

\r\n\r\n

ISO 1677:1977, Sealed radioactive\r\nsources - General (Các\r\nnguồn bức xạ kín - Giới thiệu\r\nchung).

\r\n\r\n

ISO 3534-1:1993, Statistics - Vocabulary\r\nand symbols - Part 1:\r\nProbability and general statistical terms (Thống kê học - Các ký hiệu và từ vựng\r\n- Phần 1: Thuật ngữ thống kê phổ biến và xác suất).

\r\n\r\n

ISO 8963:1988, Dosimetry of X\r\nand gamma reference\r\nradiations for radiation protection over the energy range from 8 keV to\r\n1,3 MeV (Đo liều bức xạ tia X và gamma chuẩn để bảo vệ bức xạ trong dải năng lượng\r\ntừ 8 keV đến 1,3 MeV).

\r\n\r\n

ICRU Report 10b, Physical Aspects of\r\nIrradiation, National Bureau of Standards Handbook 85(1964) [(Báo cáo 10b của\r\nICRU, Khía cạnh vật lý của chiếu xạ, National Bureau of Standards Handbook 85\r\n(1964)].

\r\n\r\n

Bảng 1 - Danh\r\nmục bức xạ chuẩn tia X và gamma và năng lượng trung bình

\r\n\r\n

Đơn vị tính bằng keV

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Năng lượng\r\n bức xạ trung bình của tia X đặc\r\n trưng \r\n	\r\n Năng lượng\r\n trung bình của bức\r\n xạ tia X đã được lọc \r\n				\r\n Năng lượng\r\n trung bình của bức\r\n xạ gamma \r\n
	\r\n Loại bức xạ\r\n có suất kerma không khí thấp \r\n	\r\n Loại bức xạ\r\n phổ\r\n hẹp \r\n	\r\n Loại bức xạ\r\n phổ rộng \r\n	\r\n Loại bức xạ\r\n có suất kerma không khí cao \r\n
\r\n 8,6 \r\n 9,9 \r\n \r\n 15,8 \r\n 17,5 \r\n \r\n 23,2 \r\n 25,3 \r\n \r\n 31 \r\n \r\n 37,4 \r\n 40,1 \r\n \r\n 49,1 \r\n 59,3 \r\n \r\n 68,8 \r\n 75,0 \r\n 98,4 \r\n	\r\n 8,5 \r\n \r\n \r\n \r\n 17 \r\n \r\n \r\n 26 \r\n 30 \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n 48 \r\n \r\n 60 \r\n \r\n \r\n \r\n 87 \r\n \r\n 109 \r\n \r\n 149 \r\n \r\n \r\n 185 \r\n 211 \r\n	\r\n 8 \r\n \r\n 12 \r\n 16 \r\n \r\n 20 \r\n 24 \r\n \r\n \r\n \r\n 33 \r\n \r\n \r\n 48 \r\n \r\n 65 \r\n \r\n \r\n \r\n 83 \r\n 100 \r\n \r\n 118 \r\n \r\n \r\n 164 \r\n 208 \r\n 250 \r\n	\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n 45 \r\n \r\n \r\n 57 \r\n \r\n \r\n 79 \r\n \r\n 104 \r\n \r\n \r\n 137 \r\n \r\n 173 \r\n 208 \r\n	\r\n 7,5 \r\n \r\n 13 \r\n \r\n \r\n 20 \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n 37 \r\n \r\n \r\n \r\n 57 \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n 102 \r\n \r\n 122 \r\n 146 \r\n 147 \r\n	\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n 59,5 (²⁴¹Am) \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n 662 (¹³⁷Cs) \r\n 1 173 và \r\n 1 333(⁶⁰Co) \r\n 4 440 (¹²C) \r\n 6 000 (Ti) \r\n 6 130¹⁾ \r\n ¹⁶O^* và ¹⁶N \r\n 8 500 (Ni) \r\n
\r\n 1) Được tạo ra bởi photon có năng lượng\r\n gần với ngưỡng phản ứng,\r\n xem 7.1). \r\n

\r\n\r\n

3. Thuật ngữ và định\r\nnghĩa

\r\n\r\n

Trong tiêu chuẩn này sử dụng các thuật\r\nngữ và định nghĩa sau:

\r\n\r\n

3.1. Năng lượng photon\r\ntrung bình\r\n(mean photon energy), :

\r\n\r\n

Được xác định theo công thức sau:

\r\n\r\n

Trong đó: F_E là đạo hàm\r\ndòng FE của các\r\nphoton sơ cấp có năng lượng\r\ntrong khoảng E và E + dE^[1] được xác định:

\r\n\r\n

Trong tiêu chuẩn này, năng lượng hạt\r\nphoton trung bình được viết\r\ngọn là năng lượng trung bình.

\r\n\r\n

3.2. Độ phân giải\r\nphổ năng lượng (spectral resolution), R_E(độ\r\nrộng nửa đỉnh):

\r\n\r\n

Tỷ số (%) được định nghĩa bởi công thức\r\nsau:

\r\n\r\n

Trong đó số gia DE là độ rộng phổ\r\ntương ứng với nửa chiều cao đỉnh phổ

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Trong trường\r\nhợp phổ có phổ bức xạ huỳnh quang đặc trưng, độ rộng phổ đo được chỉ dựa trên sự\r\nliên tục của phổ.

\r\n\r\n

Trong tiêu chuẩn này, độ phân giải\r\nnăng lượng được viết gọn là độ phân giải.

\r\n\r\n

3.3. Bề dày làm giảm\r\nmột nửa (half-value\r\nlayer) [kerma không khí], HVL hoặc\r\nHVL_x[2]:

\r\n\r\n

Bề dày của lớp vật liệu danh nghĩa làm\r\nsuy yếu chùm bức xạ tới mức suất kerma không khí giảm đi một nửa so với giá trị\r\nban đầu của nó.

\r\n\r\n

Trong định nghĩa này, ngoài đóng góp của\r\nbức xạ xuất hiện ban đầu trong chùm tia, đóng góp của tất cả bức xạ tán xạ coi\r\nnhư không tính đến.

\r\n\r\n

3.4. Hệ số đồng nhất (homogeneity\r\ncoefficient), h:

\r\n\r\n

Tỷ số của bề dày làm giảm một nửa lớp\r\nthứ nhất trên lớp thứ hai:

\r\n\r\n

h =

\r\n\r\n

3.5. Năng lượng hiệu dụng (effective\r\nenergy), E_eff [của bức xạ\r\nbao gồm tia X với một dải\r\nnăng lượng]:

\r\n\r\n

Năng lượng của các bức xạ tia X đơn\r\nnăng có cùng bề dày làm giảm một nửa.

\r\n\r\n

3.6. Giá trị điện áp đỉnh\r\nđến đỉnh (value of\r\npeak-to-peak voltage; ripple)

\r\n\r\n

Tỷ số (%) được xác định cho một dòng\r\nđiện cụ thể theo công thức sau:

\r\n\r\n

Trong đó U_maxlà giá trị điện\r\náp cực đại và U_min là giá trị\r\nđiện áp cực tiểu, điện áp dao động giữa hai giá trị này.

\r\n\r\n

3.7. Hệ tia X (X-ray unit)

\r\n\r\n

Một hệ bao gồm một nguồn cung cấp cao\r\náp, một ống phát tia X với buồng bảo vệ của ống và thiết bị chuyển tiếp điện\r\ncao áp.

\r\n\r\n

3.8. Ống phát tia X (X-ray tube)

\r\n\r\n

Một ống chân không được thiết kế để tạo\r\nra tia X bằng cách sử dụng một chùm hạt điện tử được gia\r\ntốc\r\ntrong\r\nống chân không dưới tác dụng của chênh lệch điện thế bắn phá vào bia anốt.

\r\n\r\n

3.9. Monitor-Thiết bị kiểm\r\nsoát\r\n(monitor)

\r\n\r\n

Thiết bị được sử dụng để giám sát sự ổn\r\nđịnh của suất kerma không khí trong suốt quá trình chiếu xạ hay để so sánh các\r\ngiá trị kerma không\r\nkhí sau khi kết thúc chiếu xạ.

\r\n\r\n

3.10. Bức xạ sơ cấp [primary\r\nradiation (or beam)]

\r\n\r\n

Bức xạ hoặc chùm tia phát ra từ ống\r\nphát tia X.

\r\n\r\n

3.11. Bức xạ thứ cấp (bức xạ\r\nhuỳnh quang)\r\n[secondary (tluorescence) radiation]

\r\n\r\n

Bức xạ hoặc chùm tia được phát ra từ vật\r\nthể bị chiếu xạ.

\r\n\r\n

3.12. Lớp che chắn ống\r\nphát tia X (X-ray tube\r\nshielding)

\r\n\r\n

Một tấm chắn được lắp cố định hay di động\r\nnhằm mục đích\r\ngiảm sự đóng góp của\r\ntia X tán xạ vào\r\nchùm\r\ntia X sơ cấp hoặc bức xạ huỳnh quang.

\r\n\r\n

4. Bức xạ chuẩn tia X\r\ncó phổ liên tục đã được lọc

\r\n\r\n

4.1. Khái quát

\r\n\r\n

Phần này tập trung chủ yếu vào các đặc\r\ntính của bức xạ tia X chuẩn đã được lọc và phương pháp tạo ra bức xạ này trong\r\nphòng thí nghiệm.

\r\n\r\n

4.1.1. Chất lượng bức xạ

\r\n\r\n

Chất lượng của một chiếu xạ tia X\r\ntrong tiêu chuẩn này được đặc trưng với các thông số sau

\r\n\r\n

a) năng lượng trung bình của chùm tia X, , đơn vị keV;

\r\n\r\n

b) độ phân giải, R_E, đơn vị %;

\r\n\r\n

c) bề dày làm giảm một nửa (kerma không\r\nkhí), HVL, được tính bằng milimet (mm) của bề dày lớp nhôm hoặc đồng;

\r\n\r\n

d) hệ số đồng nhất, kí hiệu h.

\r\n\r\n

Trong thực tế, đặc trưng của bức xạ\r\nthu được phụ thuộc chủ yếu vào:

\r\n\r\n

- giá trị điện áp đặt vào hai đầu điện cực ống\r\nphát tia X;

\r\n\r\n

- bề dày và bản chất của toàn bộ hệ thống lọc;

\r\n\r\n

- các tính chất của bia Anốt trong ống phát tia\r\nX.

\r\n\r\n

Để đảm bảo các sản phẩm bức xạ chuẩn tạo\r\nra phù hợp với những đặc điểm kỹ thuật đặt ra, quá trình lắp đặt cần phù hợp với\r\nmột số điều kiện nhất định. Điều này được nêu chi tiết trong 4.2.

\r\n\r\n

4.1.2. Lựa chọn bức xạ chuẩn

\r\n\r\n

Trong tiêu chuẩn này đề cập đến bốn\r\nnhóm bức xạ chuẩn (xem Bảng 2), mỗi nhóm được đặc trưng bởi độ phân giải phổ\r\nnăng lượng:

\r\n\r\n

a) nhóm bức xạ gây ra suất kerma không\r\nkhí thấp;

\r\n\r\n

b) nhóm bức xạ có phổ hẹp;

\r\n\r\n

c) nhóm bức xạ có phổ rộng;

\r\n\r\n

d) nhóm bức xạ gây ra suất kerma không\r\nkhí cao.

\r\n\r\n

Dạng phổ đưa ra trên Hình 1 đến Hình 4 dựa trên\r\ntính toán lý thuyết và chỉ là các ví dụ. Các phổ thực nghiệm và ví dụ về phép\r\nđo phổ thực nghiệm cũng được đưa ra trong Tài liệu tham khảo [4], [5], [6], [7]\r\nvà [8].

\r\n\r\n

Các phổ hẹp nhất, nghĩa là phổ có độ\r\nphân giải năng lượng thấp nhất, nên sử dụng để đo sự thay đổi đáp ứng của thiết\r\nbị theo năng lượng proton, miễn là suất kerma không khí của bức xạ thuộc loại\r\nphổ này tương thích trong một dải của thiết bị được kiểm tra. Nhóm bức xạ có suất kerma không khí cao thích hợp để\r\nxác định đặc trưng quá tải của một vài thiết bị đo.

\r\n\r\n

Chi tiết về điều kiện hoạt động của mỗi\r\nnhóm bức xạ được chỉ ra trong các Bảng 3, 4, 5 và 6. Bảng 7 đưa ra một ví dụ về\r\nviệc sử dụng các loại tấm lọc bổ sung lắp cố định để tạo ra các loại bức xạ\r\ntrong nhóm có suất kerma không khí cao.

\r\n\r\n

Bằng phương pháp nghiên cứu đo phổ,\r\n“phòng thí nghiệm chuẩn” kiểm tra các giá trị năng lượng trung bình của bức\r\nxạ và độ phân giải R_E lần lượt nằm trong khoảng ± 3% và ± 10% so với\r\ngiá trị liệt kê trong các Bảng 3, 4 và 5 đối với nhóm có suất kerma không khí\r\nthấp hơn, nhóm bức xạ phổ hẹp và phổ rộng.

\r\n\r\n

Bức xạ chuẩn trong 3 nhóm nói trên có\r\ncác năng lượng trung bình thấp hơn 30 keV, giá trị năng lượng trung bình thay đổi\r\ntrong khoảng ± 5% và độ phân giải năng lượng thay đổi trong khoảng ± 15% của\r\ncác giá trị liệt kê\r\ntrong các Bảng 3, 4 và 5. Đối với bức xạ chuẩn sử dụng tấm lọc bổ sung bằng\r\nnhôm\r\ndày\r\nnhỏ hơn hoặc bằng 1 mm, góc và điều kiện của bia cùng với thành phần khí trong ống\r\nphát tia X ảnh hưởng mạnh đến giá trị năng lượng trung bình, độ phân\r\ngiải và bề dày làm giảm một nửa của bức xạ tạo ra.

\r\n\r\n

Nếu một phòng thí nghiệm không có hệ\r\nthống đo phổ thì sử dụng các cao áp và đặc điểm của bộ lọc được liệt kê trong\r\ncác Bảng 3, 4 và 5. Bức xạ chuẩn tạo ra được kiểm tra theo một phương pháp đơn\r\ngiản trình bày trong 4.3.

\r\n\r\n

Bảng 2 - Quy định kỹ thuật của\r\nbức xạ tia X\r\nsau\r\nkhi đã được lọc

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Loại bức xạ\r\n tia X \r\n	\r\n Độ phân giải năng\r\n lượng, R_E \r\n % \r\n	\r\n Hệ số đồng nhất,h (giá trị xấp\r\n xỉ) \r\n	\r\n Suất Kerma\r\n không khí điển\r\n hình\r\n ¹⁾^,2⁾ \r\n (Gy.h^-¹) \r\n
\r\n Loại bức xạ\r\n gây ra suất kerma thấp trong không khí \r\n	\r\n 18 đến 22 \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n 3 x 10^{-4\r\n 3}⁾ \r\n
\r\n Loại bức xạ\r\n có phổ hẹp \r\n	\r\n 27 đến 37 \r\n	\r\n 0,75 đến\r\n 1,0 \r\n	\r\n 10^-3\r\n đến 10^{-2 3}⁾ \r\n
\r\n Loại bức xạ\r\n có phổ rộng \r\n	\r\n 48 đến 57 \r\n	\r\n 0,67 đến\r\n 0,98 \r\n	\r\n 10^-² đến 10^-¹³⁾ \r\n
\r\n Loại bức xạ\r\n gây ra suất kerma cao trong không khí \r\n	\r\n Không xác định \r\n	\r\n 0,64 đến\r\n 0,86 \r\n	\r\n 10^-2\r\n đến 0,5 \r\n
\r\n 1) Đo tại khoảng cách 1 m tính từ tâm ống\r\n phát với ống phát tia hoạt động ở dòng 1 mA \r\n 2) Trong các trạng thái cân bằng điện tử,\r\n giá trị của kerma không khí xấp xỉ bằng liều hấp thụ bức xạ\r\n trong không khí. \r\n 3) Với bức xạ tia X có năng lượng trung\r\n bình nhỏ hơn 30 keV, phạm vi suất liều áp dụng để phân loại bức xạ có thể\r\n khác với các giá trị trên. \r\n

\r\n\r\n

Bảng 3 - Các\r\nđặc trưng của nhóm bức\r\nxạ có suất kerma không khí thấp

\r\n Năng lượng trung bình, \r\n keV \r\n	\r\n Độ phân giải năng lượng,R_E \r\n % \r\n	\r\n Điện áp đặt vào ống phát\r\n tia X ¹⁾ \r\n kV \r\n	\r\n Bề dày tấm\r\n lọc bổ sung²⁾ \r\n				\r\n HVL \r\n đầu tiên ⁴⁾ \r\n mm \r\n
			\r\n mm \r\n
			\r\n Pb \r\n	\r\n Sn \r\n	\r\n Cu \r\n	\r\n AI \r\n
\r\n 8,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 10 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,3 ³⁾ \r\n	\r\n 0,058 AI \r\n
\r\n 17 \r\n	\r\n 21 \r\n	\r\n 20 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,0 ³⁾ \r\n	\r\n 0,42 AI \r\n
\r\n 26 \r\n	\r\n 21 \r\n	\r\n 30 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,18 \r\n	\r\n 4,0 ³⁾ \r\n	\r\n 1,46 AI \r\n
\r\n 30 \r\n	\r\n 21 \r\n	\r\n 35 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,25 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,20 AI \r\n
\r\n 48 \r\n	\r\n 22 \r\n	\r\n 55 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,2 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,25 Cu \r\n
\r\n 60 \r\n	\r\n 22 \r\n	\r\n 70 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,49 Cu \r\n
\r\n 87 \r\n	\r\n 22 \r\n	\r\n 100 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n 0,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,24 Cu \r\n
\r\n 109 \r\n	\r\n 21 \r\n	\r\n 125 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 4,0 \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,04 Cu \r\n
\r\n 149 \r\n	\r\n 18 \r\n	\r\n 170 \r\n	\r\n 1,5 \r\n	\r\n 3,0 \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 3,47 Cu \r\n
\r\n 185 \r\n	\r\n 18 \r\n	\r\n 210 \r\n	\r\n 3,5 \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n 0,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 4,54 Cu \r\n
\r\n 211 \r\n	\r\n 18 \r\n	\r\n 240 \r\n	\r\n 5,5 \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n 0,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 5,26 Cu \r\n
\r\n 1) Điện áp của ống phát tia được đo\r\n trong điều kiện không tải. \r\n 2) Ngoại trừ 3 bức xạ có năng lượng\r\n thấp nhất có tấm lọc sẵn\r\n nên dùng Berili dày 1 mm, những bức xạ còn lại cần có tấm\r\n lọc tổng (bao gồm phần bổ sung và phần có sẵn) có bề dày tương ứng\r\n với 4 mm nhôm (xem 4.2.3). \r\n 3) Tấm lọc có sẵn nên dùng\r\n Berili dày 1 mm, nhưng có thể sử dụng các giá trị khác miễn là năng lượng\r\n trung\r\n bình\r\n thay đổi trong khoảng ± 5% và độ phân giải năng lượng thay đổi trong khoảng ± 15% giá trị\r\n liệt kê\r\n trong\r\n Bảng trên. \r\n 4) Bề dày làm giảm một nửa được đo tại\r\n khoảng cách 1 m tính từ tiêu điểm ống phát\r\n tia. Bề dày làm giảm một nửa thứ hai không được tính đến\r\n trong nhóm bức xạ này vì nó không thay đổi nhiều so với bề dày làm giảm một nửa thứ\r\n nhất. \r\n

\r\n\r\n

Bảng 4 - Các\r\nđặc tính của nhóm bức xạ có phổ hẹp

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Năng lượng\r\n trung bình \r\n \r\n keV \r\n	\r\n Độ phân giải\r\n năng lượng \r\n R_E \r\n % \r\n	\r\n Điện áp đặt vào ống phát tia\r\n X¹⁾ \r\n kV \r\n	\r\n Bề dày tấm\r\n lọc bổ sung ²⁾ \r\n (mm) \r\n				\r\n HVL đầu tiên⁴⁾ \r\n mm \r\n	\r\n HVL thứ hai⁴⁾ \r\n mm \r\n
\r\n Năng lượng\r\n trung bình \r\n \r\n keV \r\n			\r\n Pb \r\n	\r\n Sn \r\n	\r\n Cu \r\n	\r\n AI \r\n	\r\n HVL đầu tiên⁴⁾ \r\n mm \r\n	\r\n HVL thứ hai⁴⁾ \r\n mm \r\n
\r\n 8 \r\n	\r\n 28 \r\n	\r\n 10 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,1 ³⁾ \r\n	\r\n 0,047 AI \r\n	\r\n 0,052 AI \r\n
\r\n 12 \r\n	\r\n 33 \r\n	\r\n 15 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,5 ³⁾ \r\n	\r\n 0,14 AI \r\n	\r\n 0,16 AI \r\n
\r\n 16 \r\n	\r\n 34 \r\n	\r\n 20 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,0 ³⁾ \r\n	\r\n 0,32 AI \r\n	\r\n 0,37 AI \r\n
\r\n 20 \r\n	\r\n 33 \r\n	\r\n 25 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,0 ³⁾ \r\n	\r\n 0,66 AI \r\n	\r\n 0,73 AI \r\n
\r\n 24 \r\n	\r\n 32 \r\n	\r\n 30 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 4,0 ³⁾ \r\n	\r\n 1,15 AI \r\n	\r\n 1,3 AI \r\n
\r\n 33 \r\n	\r\n 30 \r\n	\r\n 40 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,21 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,084 Cu \r\n	\r\n 0,091 Cu \r\n
\r\n 48 \r\n	\r\n 36 \r\n	\r\n 60 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,6 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,24 Cu \r\n	\r\n 0,26 Cu \r\n
\r\n 65 \r\n	\r\n 32 \r\n	\r\n 80 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,58 Cu \r\n	\r\n 0,62 Cu \r\n
\r\n 83 \r\n	\r\n 28 \r\n	\r\n 100 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 5,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,11 Cu \r\n	\r\n 1,17 Cu \r\n
\r\n 100 \r\n	\r\n 27 \r\n	\r\n 120 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n 5,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,71 Cu \r\n	\r\n 1,77 Cu \r\n
\r\n 118 \r\n	\r\n 37 \r\n	\r\n 150 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,36 Cu \r\n	\r\n 2,47 Cu \r\n
\r\n 164 \r\n	\r\n 30 \r\n	\r\n 200 \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n 3,0 \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 3,99 Cu \r\n	\r\n 4,05 Cu \r\n
\r\n 208 \r\n	\r\n 28 \r\n	\r\n 250 \r\n	\r\n 3,0 \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 5,19 Cu \r\n	\r\n 5,23 Cu \r\n
\r\n 250 \r\n	\r\n 27 \r\n	\r\n 300 \r\n	\r\n 5,0 \r\n	\r\n 3,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 6,12 Cu \r\n	\r\n 6,15 Cu \r\n
\r\n 1) Điện áp của ống phát tia được đo\r\n trong điều kiện không tải. \r\n 2) Ngoại trừ năm bức xạ có năng lượng\r\n thấp nhất có tấm lọc có sẵn khuyến cáo là Berili dày 1 mm, những bức xạ còn\r\n lại cần có bộ lọc\r\n tổng (bao gồm phần bổ\r\n sung và phần có sẵn) có bề\r\n dày tương ứng với 4 mm nhôm (xem 4.2.3). \r\n 3) Tấm lọc có sẵn nên là\r\n Berili dày 1 mm, nhưng có thể sử dụng các giá trị khác miễn là năng lượng\r\n trung\r\n bình\r\n thay đổi trong khoảng ± 5% và độ phân giải năng lượng thay đổi trong khoảng ±\r\n 15% giá trị liệt kê trong Bảng trên. \r\n 4) Bề dày làm giảm một nửa được đo tại\r\n khoảng cách 1 m tính từ tiêu điểm ống phát tia. Bề dày làm giảm một nửa thứ\r\n hai không được tính đến trong nhóm bức xạ này vì nó không thay đổi nhiều so với\r\n bề dày làm\r\n giảm\r\n một nửa thứ nhất. \r\n

\r\n\r\n

Bảng 5 - Các đặc\r\ntrưng của nhóm bức xạ có phổ rộng

\r\n Năng lượng\r\n trung bình \r\n \r\n keV \r\n	\r\n Độ phân giải năng lượng \r\n R_E \r\n % \r\n	\r\n Điện áp đặt\r\n vào ống phát tia\r\n X¹⁾ kV \r\n	\r\n Bề dày tấm\r\n lọc bổ sung²⁾ \r\n mm \r\n		\r\n HVL đầu tiên \r\n Cu³⁾ \r\n mm \r\n	\r\n HVL thứ hai\r\n \r\n Cu³⁾ \r\n mm \r\n
\r\n Năng lượng\r\n trung bình \r\n \r\n keV \r\n	\r\n Độ phân giải năng lượng \r\n R_E \r\n % \r\n		\r\n Sn \r\n	\r\n Cu \r\n	\r\n HVL đầu tiên \r\n Cu³⁾ \r\n mm \r\n	\r\n HVL thứ hai\r\n \r\n Cu³⁾ \r\n mm \r\n
\r\n 45 \r\n	\r\n 48 \r\n	\r\n 60 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,3 \r\n	\r\n 0,18 \r\n	\r\n 0,21 \r\n
\r\n 57 \r\n	\r\n 55 \r\n	\r\n 80 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,5 \r\n	\r\n 0,35 \r\n	\r\n 0,44 \r\n
\r\n 79 \r\n	\r\n 51 \r\n	\r\n 110 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n 0,96 \r\n	\r\n 1,11 \r\n
\r\n 104 \r\n	\r\n 56 \r\n	\r\n 150 \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,86 \r\n	\r\n 2,10 \r\n
\r\n 137 \r\n	\r\n 57 \r\n	\r\n 200 \r\n	\r\n 2,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 3,08 \r\n	\r\n 3,31 \r\n
\r\n 173 \r\n	\r\n 56 \r\n	\r\n 250 \r\n	\r\n 4,0 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 4,22 \r\n	\r\n 4,40 \r\n
\r\n 208 \r\n	\r\n 57 \r\n	\r\n 300 \r\n	\r\n 6,5 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 5,20 \r\n	\r\n 5,34 \r\n
\r\n 1) Điện áp của ống phát tia được đo\r\n trong điều\r\n kiện\r\n không tải \r\n 2) Trong mỗi trường hợp, tấm lọc tổng\r\n cộng (bao gồm phần bổ sung\r\n và phần có sẵn)\r\n tương ứng với\r\n 4\r\n mm nhôm (xem 4.2.3) \r\n 3) Bề dày làm giảm một nửa\r\n đo tại khoảng cách 1m tính từ tiêu\r\n điểm ống phát tia. \r\n

\r\n\r\n

Bảng 6 - Các\r\nđặc trưng của loại bức xạ gây ra suất kerma trong không khí cao

\r\n Điện áp đặt\r\n vào ống phát tia X¹⁾ \r\n kV \r\n	\r\n HVL đầu tiên ³⁾ \r\n mm \r\n
	\r\n AI \r\n	\r\n Cu \r\n
\r\n 10 \r\n	\r\n 0,04 \r\n	\r\n \r\n
\r\n 20 \r\n	\r\n 0,11 \r\n	\r\n \r\n
\r\n 30 \r\n	\r\n 0,35 \r\n	\r\n \r\n
\r\n 60 \r\n	\r\n 2,40 \r\n	\r\n 0,077 \r\n
\r\n 100 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 0,29 \r\n
\r\n 200 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,7 \r\n
\r\n 250 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,5 \r\n
\r\n 280²⁾ \r\n	\r\n \r\n	\r\n 3,4 \r\n
\r\n 300 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 3,4 \r\n
\r\n 1) Điện áp của ống phát tia được đo\r\n trong điều kiện\r\n không tải \r\n 2) Bức xạ chuẩn này được tạo ra để\r\n thay thế cho bức xạ được tạo ra tại\r\n 300 kV khi không thể đạt được điện áp này trong điều kiện tải\r\n tối đa. \r\n 3) Bề dày làm giảm một nửa\r\n đo tại khoảng cách 1 m tính từ tiêu điểm ống phát tia. \r\n

\r\n\r\n

Bảng 7 - Các đặc\r\ntrưng xấp xỉ của loại bức xạ suất kerma trong không khí cao

\r\n Điện áp ống phát tia\r\n X \r\n kV \r\n	\r\n Bề dày tấm\r\n lọc bổ\r\n sung¹⁾ \r\n mm \r\n \r\n			\r\n HVL²⁾ \r\n mm \r\n				\r\n Năng lượng\r\n trung bình \r\n \r\n keV \r\n
				\r\n Lớp đầu tiên \r\n		\r\n Lớp thứ hai \r\n
	\r\n AI \r\n	\r\n Cu \r\n	\r\n Không khí \r\n	\r\n AI \r\n	\r\n Cu \r\n	\r\n AI \r\n	\r\n Cu \r\n
\r\n 10 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n 750 \r\n	\r\n 0,036 \r\n	\r\n 0,01 \r\n	\r\n 0,041 \r\n	\r\n 0,011 \r\n	\r\n 7,5 \r\n
\r\n 20 \r\n	\r\n 0,15 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 750 \r\n	\r\n 0,12 \r\n	\r\n 0,007 \r\n	\r\n 0,16 \r\n	\r\n 0,009 \r\n	\r\n 12,9 \r\n
\r\n 30 \r\n	\r\n 0,52 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 750 \r\n	\r\n 0,38 \r\n	\r\n 0,013 \r\n	\r\n 0,6 \r\n	\r\n 0,018 \r\n	\r\n 19,7 \r\n
\r\n 60 \r\n	\r\n 3,2 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 750 \r\n	\r\n 2,42 \r\n	\r\n 0,079 \r\n	\r\n 3,25 \r\n	\r\n 0,11 \r\n	\r\n 37,3 \r\n
\r\n 100 \r\n	\r\n 3,9 \r\n	\r\n 0,15 \r\n	\r\n 750 \r\n	\r\n 6,56 \r\n	\r\n 0,3 \r\n	\r\n 8,05 \r\n	\r\n 0,47 \r\n	\r\n 57,4 \r\n
\r\n 200 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,15 \r\n	\r\n 2 250 \r\n	\r\n 14,7 \r\n	\r\n 1,7 \r\n	\r\n 15,5 \r\n	\r\n 2,4 \r\n	\r\n 102 \r\n
\r\n 250 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 1,6 \r\n	\r\n 2 250 \r\n	\r\n 16,6 \r\n	\r\n 2,47 \r\n	\r\n 17,3 \r\n	\r\n 3,29 \r\n	\r\n 122 \r\n
\r\n 280 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 3 \r\n	\r\n 2 250 \r\n	\r\n 18,6 \r\n	\r\n 3,37 \r\n	\r\n 19 \r\n	\r\n 3,99 \r\n	\r\n 146 \r\n
\r\n 300 \r\n	\r\n \r\n	\r\n 2,5 \r\n	\r\n 2 250 \r\n	\r\n 18,7 \r\n	\r\n 3,4 \r\n	\r\n 19,2 \r\n	\r\n 4,15 \r\n	\r\n 147 \r\n
\r\n CHÚ THÍCH: Các giá trị\r\n trong Bảng trên thu được bởi Seelentag và các đồng sự [5]. các Bảng\r\n B4 và B5 và phổ năng lượng trên Hình 4 được tính toán trong điều kiện nêu\r\n trong Bảng 3. Chiều dài của ống phát tia X, bao gồm cả phần tấm lọc bổ sung, được\r\n thiết kế để tạo bức xạ thấp hơn. Sự phân bố của phổ năng lượng thực tế sẽ phụ\r\n thuộc đáng kể vào góc và độ nhẵn của bia anốt. \r\n 1) Khi điện áp của ống phát tia lớn hơn 100 kV,\r\n trong mỗi trường hợp, tấm lọc\r\n tổng cộng (bao gồm tấm lọc bổ\r\n sung và tấm lọc có sẵn) tương ứng với 4 mm (xem 4.2.3). Khi điện áp ống\r\n phát tia nhỏ hơn hoặc bằng 100 kV, các ví dụ đưa ra ở trên được quy cho tấm lọc\r\n có sẵn xấp xỉ 4 mm. \r\n 2) Bề dày làm giảm một nửa đo tại khoảng\r\n cách 1 m so với tiêu điểm ống\r\n phát. \r\n

\r\n\r\n

Đối với nhóm bức xạ có suất liều kerma\r\nkhông khí cao, chất lượng bức xạ chuẩn được đặc trưng với điện áp ống phát tia\r\nX và bề dày làm giảm một nửa. Phương pháp tạo bức xạ trong nhóm có suất kerma không\r\nkhí cao nêu trong 4.4.

\r\n\r\n

4.2. Các điều kiện và\r\nphương pháp tạo ra bức xạ chuẩn

\r\n\r\n

4.2.1. Các đặc tính của bộ\r\nphát tia X

\r\n\r\n

Bức xạ tia X được tạo ra từ một ống\r\nphát tia X có độ thay đổi của điện áp không vượt quá 10%. Độ thay đổi\r\ncủa điện áp càng thấp càng tốt. Hiện nay, trên thị trường đã có thiết bị tia X\r\nvới độ thay đổi nhỏ hơn 1%. Cần phải có khả năng hiển thị giá trị điện áp của ống trong khoảng\r\n± 1%.

\r\n\r\n

Bia của ống phát tia được làm bằng\r\nVônfram (W) và cần là loại "phản xạ" và cần phải được đặt nghiêng một\r\ngóc lớn hơn hoặc bằng 20° đối với hướng của chùm hạt điện tử tới.

\r\n\r\n

Trong suốt quá trình phát tia, giá trị\r\nđiện áp trung bình của ống phát tia X\r\nổn định trong khoảng ± 1%.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Các ống phát\r\ntia X nên hoạt động\r\ntrong điều kiện đảm bảo tối thiểu các hiệu ứng già hóa vì các hiệu ứng này sẽ làm\r\ndày thêm tấm lọc có sẵn (xem 4.2.3)

\r\n\r\n

4.2.2. Điện áp ống phát tia

\r\n\r\n

Các thiết bị đo điện áp ống phát tia\r\nphải được chuẩn trong phòng thí nghiệm tại một số giá trị trong điều kiện vận\r\nhành. Phương pháp tốt nhất là sử dụng một dãy các điện trở hiệu chuẩn phù hợp,\r\nhoặc đo năng lượng photon cực đại bằng thiết bị đo phổ có độ phân giải năng lượng\r\ncao. Nếu hiệu chuẩn bằng máy đo phổ, điện áp của ống phát tia sẽ được xác định\r\nlà giao điểm của phần năng lượng cao được ngoại suy tuyến tính với trục năng lượng.\r\nThông thường, giá trị thực của điện áp sẽ được xác định trong khoảng sai số ± 2%.

\r\n\r\n

Khi các phòng thí nghiệm không có\r\ncác thiết bị này, có thể đặt điện áp của ống để tạo ra bất kỳ loại bức xạ nào\r\nđược mô tả trong các Bảng 3, 4 và 5.

\r\n\r\n

Điều này có thể đạt được theo một số\r\ncách sau đây:

\r\n\r\n

a) đối với các bức xạ được tạo ra tại điện\r\náp thấp hơn 116 kV (ví dụ đỉnh hấp thụ K của Uran tại 115,6 keV) các thiết\r\nbị đo điện áp có thể được hiệu chuẩn bằng phương pháp dựa trên sự kích thích tạo\r\nbức xạ đặc trưng từ các nguyên tố lựa chọn thích hợp.

\r\n\r\n

b) đối với điện áp cao hơn 116 kV thì sử\r\ndụng phương pháp được trình bày trong 4.3. Tấm lọc có sẵn sẽ được xác định\r\nnhư trình bày trong 4.2.3 và tấm lọc lắp cố định sẽ tương ứng với một tấm lọc bổ\r\nsung bằng nhôm (tấm lọc tổng cộng sẽ được xem như một tấm lọc lắp cố định mới).\r\nViệc hiệu chuẩn điện áp ống phát tia X sẽ được xác định theo bề dày làm giảm một\r\nnửa tiêu chuẩn theo phương pháp trình bày trong 4.3.

\r\n\r\n

4.2.3. Tấm lọc

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Tấm lọc tổng\r\ncộng bao gồm tấm lọc lắp\r\ncố định và tấm lọc bổ sung. Đối với bức xạ có 3 đỉnh năng lượng trung bình thấp nhất\r\nlà 8,5 keV, 17 keV và 26 keV của nhóm có suất kerma không khí thấp và bức\r\nxạ có 5 đỉnh năng lượng trung bình thấp nhất là 8 keV, 12 keV, 16 keV, 20 keV\r\nvà 24 keV thuộc nhóm phổ hẹp, tấm lọc lắp cố định kết hợp với tấm lọc Berili có sẵn của ống\r\ndày 1 mm. Các giá trị khác của tấm lọc có thể được sử dụng [xem CHÚ THÍCH 3 của Bảng\r\n3 và 4].

\r\n\r\n

4.2.3.1. Đối với tất cả các bức\r\nxạ chuẩn tia X khác, tấm lọc lắp cố định bao gồm:

\r\n\r\n

a) tấm lọc có sẵn của ống được thêm vào từ buồng\r\niôn hóa. Nếu cần thiết thì\r\nthêm cả tấm lọc nhôm để có được một tấm lọc tổng cộng tương đương với 4 mm nhôm\r\ntại 60 kV. Những tấm lọc nhôm này sẽ được đặt vào sau tấm lọc bổ sung (ví dụ, vị\r\ntrí xa nhất so với tiêu điểm của ống phát) nhằm giảm bớt bức xạ tia X phát ra từ\r\ntấm lọc bổ sung.

\r\n\r\n

b) tấm lọc có sẵn của ống phát phụ thuộc\r\nvào các yếu tố cấu thành khác nhau (thủy tinh ống phát, dầu, cửa sổ) và trong trường\r\nhợp bị thiếu các yếu tố cấu thành\r\nnên ống phát tia X, tại một điện áp nhất định thì chiều dày của\r\ntấm lọc nhôm cần phải thích hợp để tạo ra bức xạ có cùng HVL đầu tiên. Không nên sử dụng ống\r\nphát tia với tấm lọc có sẵn vượt quá 3,5 mm nhôm.

\r\n\r\n

c) tấm lọc có sẵn sẽ được kiểm tra thường\r\nxuyên nhằm đảm bảo không vượt quá giới hạn này (do sự già hóa của ống) và để điều\r\nchỉnh tấm lọc lắp cố định.

\r\n\r\n

4.2.3.2. Việc xác định bề dày\r\ntấm lọc có sẵn được thực hiện bằng việc dùng tấm hấp thụ bằng nhôm có độ tinh\r\nkhiết 99,9% đo bề dày làm giảm một nửa đầu tiên của chùm tia được tạo ra bởi ống\r\nphát tia không có tấm lọc bổ sung tại điện áp 60 kV theo cách dưới đây:

\r\n\r\n

a) Phương pháp đo bề dày làm giảm một nửa\r\ncần phải phù hợp\r\nvới Báo cáo ICRU 10b và tài liệu tham khảo [9].

\r\n\r\n

b) Nếu buồng ion hóa giám sát được sử dụng trong\r\nquá trình đo tấm lọc có sẵn thì buồng ion hóa đó nên được đặt giữa hai ống chuẩn\r\ntrực chùm tia và đặt tấm hấp thụ nhôm phía sau để bức xạ tán xạ ngược từ các tấm\r\nhấp thụ không lọt vào buồng ion hóa.

\r\n\r\n

c) Bề dày làm giảm một nửa đầu tiên sẽ được\r\nxác định thông qua một buồng ion hóa có đáp ứng đã biết trên một đơn vị suất\r\nkerma không khí vượt qua dải năng lượng quan tâm. Phải hiệu chuẩn lại sự thay đổi\r\nđáp ứng của đầu ghi với những thay đổi trong phổ photon khi chiều dày của tấm hấp\r\nthụ nhôm tăng lên.

\r\n\r\n

d) Việc đo bề dày tấm lọc có sẵn cần được\r\nthực hiện theo cách thức mà bức xạ tán xạ từ các tấm hấp thụ nhôm tới đầu dò là\r\nkhông đáng kể, vì các bức xạ đó sẽ làm tăng giá trị bề dày làm giảm một nửa đo\r\nđược. Đối với bức xạ được tạo ra tại điện áp trên 100 kV, nên thực hiện phép\r\nngoại suy nhiều trường nhỏ.

\r\n\r\n

e) Nên đặt các tấm hấp thụ nhôm tại vị\r\ntrí cách đến tiêu cự của ống và đầu dò bằng nhau. Đường kính của chùm\r\ntia tại vị trí đầu ghi sẽ được điều chỉnh thích hợp để chùm tia tới hoàn toàn đầu\r\nghi. Khoảng cách từ các tấm hấp thụ nhôm tới đầu ghi nên lớn hơn ít nhất 5 lần\r\nđường kính của chùm tia tại đầu ghi.

\r\n\r\n

f) Từ việc xác định đường cong suy giảm bề\r\ndày làm giảm một nửa đầu tiên thì có thể suy luận ra giá trị của bề dày tấm lọc\r\ncó sẵn dựa trên Bảng 8. Kết quả được làm tròn tới 0,1 mm.

\r\n\r\n

Bảng 8 - Tấm\r\nlọc có sẵn

\r\n HVL đầu tiên \r\n mm AI tại\r\n 60 kV \r\n	\r\n Tấm lọc có\r\n sẵn \r\n mm AI \r\n
\r\n 0,33 \r\n	\r\n 0,25 \r\n
\r\n 0,38 \r\n	\r\n 0,3 \r\n
\r\n 0,54 \r\n	\r\n 0,4 \r\n
\r\n 0,67 \r\n	\r\n 0,5 \r\n
\r\n 0,82 \r\n	\r\n 0,6 \r\n
\r\n 1,02 \r\n	\r\n 0,8 \r\n
\r\n 1,15 \r\n	\r\n 1 \r\n
\r\n 1,54 \r\n	\r\n 1,5 \r\n
\r\n 1,83 \r\n	\r\n 2 \r\n
\r\n 2,11 \r\n	\r\n 2,5 \r\n
\r\n 2,35 \r\n	\r\n 3 \r\n
\r\n 2,56 \r\n	\r\n 3,5 \r\n
\r\n 2,75 \r\n	\r\n 4 \r\n
\r\n 2,94 \r\n	\r\n 4,5 \r\n
\r\n 3,08 \r\n	\r\n 5 \r\n
\r\n 3,35 \r\n	\r\n 6 \r\n
\r\n 3,56 \r\n	\r\n 7 \r\n
\r\n CHÚ THÍCH: Các kết quả\r\n trên lấy từ\r\n Tài liệu tham khảo [10] \r\n

\r\n\r\n

Trong trường hợp bức xạ tia X đã được\r\nlọc, các giá trị có được từ Bảng 8 (tại 60 kV) có thể được sử dụng cho các giá\r\ntrị điện áp cao khác, vì các thay đổi của bề dày tấm lọc có sẵn, tính theo\r\nđơn vị mm, AI là rất nhỏ so với tấm lọc bổ sung.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Giá trị bề\r\ndày tấm lọc có sẵn, tính theo\r\nđơn vị mm, thay\r\nđổi như là một hàm của năng lượng phụ thuộc vào các thành phần cấu thành tấm\r\nlọc có sẵn.

\r\n\r\n

4.2.3.3. Tấm lọc bổ sung gồm\r\ncó:

\r\n\r\n

a) các tấm lọc chì, thiếc và đồng được liệt\r\nkê trong Bảng 3, 4 và 5 (đối với nhóm bức xạ có suất kerma không khí thấp, nhóm\r\nphổ hẹp và nhóm phổ rộng);

\r\n\r\n

b) nhôm (đối với nhóm bức xạ có suất\r\nkerma không khí cao);

\r\n\r\n

Bảng 9 - Các\r\nđặc trưng của kim loại

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Kim loại \r\n	\r\n Chất lượng \r\n	\r\n Khối lượng\r\n riêng \r\n g/cm³ \r\n
\r\n Nhôm \r\n	\r\n Độ tinh khiết\r\n tối thiểu: 99,9% \r\n	\r\n 2,70 \r\n
\r\n Đồng¹⁾ \r\n	\r\n Độ tinh khiết\r\n tối thiểu: 99,9% \r\n	\r\n 8,94 \r\n
\r\n Thiếc \r\n	\r\n Độ tinh khiết\r\n tối thiểu: 99,9% \r\n	\r\n 7,28 \r\n
\r\n Chì \r\n	\r\n Nguyên chất\r\n \r\n Độ tinh khiết tối thiểu:\r\n 99,9% \r\n	\r\n 11,3 \r\n
\r\n 1) Xem ISO 197/1 \r\n

\r\n\r\n

c) đối với các điện áp ống phát tia nhỏ\r\nhơn 100 kV hay đồng và nhôm (≥ 100 kV): như quy\r\nđịnh trong Bảng 7.

\r\n\r\n

Với mỗi kim loại sử dụng, chiều dày của tấm\r\nlọc phải có độ chính xác ± 5% và có độ đồng nhất cao nhất có thể được (không có\r\nrỗ khí, không có khuyết tật, vết nứt và các hạt có đường kính nhỏ) và kim loại\r\ncần có độ tinh khiết như trong Bảng 9.

\r\n\r\n

Tính từ tiêu điểm của ống phát tia\r\nX, từng thành phần của tấm lọc bổ sung được sắp xếp theo độ giảm nguyên tử số của\r\nkim loại.

\r\n\r\n

4.3. Phương pháp khác tạo\r\nbức xạ chuẩn

\r\n\r\n

Phương pháp này phù hợp với phòng thí\r\nnghiệm không có khả năng đo giá trị điện áp ống phát tia để xác định sự hiệu chỉnh\r\nđiện áp ống nhằm tạo ra bức xạ gần nhất với bức xạ chuẩn nhất có thể. Phương\r\npháp này không sử dụng cho nhóm bức xạ có suất kerma không khí cao, như đã được\r\nthỏa thuận trong 4.4.

\r\n\r\n

4.3.1. Tiêu chí

\r\n\r\n

Nếu bề dày làm giảm một nửa\r\nthứ nhất và thứ hai của hai chùm tia X chỉ sai khác nhau trong khoảng ± 5% thì\r\nhai chùm tia X này được xem như tương đương. Đối với ống phát tia có điện áp lớn\r\nhơn 100 kV, HVL có thể được xác định từ phép ngoại suy nhiều trường bức xạ nhỏ\r\nvô hạn từ bề dày làm giảm một nửa (xem 4.2.3.2).

\r\n\r\n

4.3.2. Thiết bị

\r\n\r\n

Các thiết bị bao gồm bản thân đầu dò\r\nvà các thiết bị đo được chấp nhận độ lặp lại ít nhất là 0,3%, theo\r\ntiêu chuẩn ISO 3534 -1.

\r\n\r\n

Đầu ghi là một buồng ion hóa có sự\r\nthay đổi đáp ứng trên một đơn vị kerma không khí là nhỏ và là một hàm của năng\r\nlượng photon tại toàn bộ dải năng lượng quan tâm.

\r\n\r\n

Các thiết bị đo và phương pháp sử dụng\r\nphải phù hợp với tiêu chuẩn ISO\r\n8963.

\r\n\r\n

Cần sử dụng một buồng giám sát để hiệu\r\nchỉnh sự thay đổi về suất kerma không khí.

\r\n\r\n

4.3.3. Quy trình đo

\r\n\r\n

Với bức xạ chuẩn lựa chọn tương ứng với\r\ncác điều kiện quy định trong Bảng 3,4 và 5, quy trình sau đây sẽ được thực hiện:

\r\n\r\n

Vẽ đường cong suy giảm log_e(I_d) = f(d),\r\ntrong đó I_d là giá trị\r\nsuất kerma không khí sau khi đi qua một tấm lọc có bề dày d.

\r\n\r\n

Từ đường suy giảm đó, xác định bề dày\r\nlàm giảm một nửa thứ nhất và thứ hai.

\r\n\r\n

Nếu các giá trị này sai khác với các\r\ngiá trị đưa ra trong Bảng 3, 4 và 5\r\ntrong khoảng ± 5% thì có thể xem như chùm bức xạ chuẩn tạo ra phù hợp với tiêu\r\nchuẩn này. Chú ý đối với nhóm bức xạ có suất kerma không khí thấp, chỉ cần giá\r\ntrị bề dày làm giảm một nửa đầu tiên phù hợp với các giá trị trong Bảng 3 là được.

\r\n\r\n

Nếu điều này không thỏa mãn, cần điều chỉnh\r\nđiện áp và lặp lại các phép đo cho đến khi đạt được sự sai khác không vượt quá\r\n± 5%.

\r\n\r\n

4.4. Tạo bức xạ thuộc nhóm\r\ncó suất kerma không khí cao

\r\n\r\n

4.4.1. Tấm lọc cố định

\r\n\r\n

Trong trường hợp điện áp nhỏ\r\nhơn hoặc bằng 60 kV, các tấm lọc tổng cộng (gồm tấm lọc có sẵn và tấm lọc\r\nbổ sung) có giá trị nhỏ hơn 4 mm nhôm tương đương. Vì vậy, để tạo ra bức xạ\r\nnăng lượng thấp cần sử dụng một ống phát tia X với tấm lọc có sẵn mỏng. Tại điện\r\náp bằng hoặc cao hơn 60 kV, tấm lọc lắp cố định sẽ được điều chỉnh cho đến\r\nkhi có giá trị tương đương với 4 mm nhôm. Tấm lọc nhôm sử dụng để bổ sung cho tấm\r\nlọc có sẵn của ống được\r\nđặt sau tấm lọc đồng để giảm bớt các bức xạ tia X ra từ đồng. Bề dày tấm\r\nlọc nhôm sử dụng không được nhỏ hơn 0,5 mm.

\r\n\r\n

4.4.2. Tấm lọc bổ sung

\r\n\r\n

Tại mỗi mức điện áp, chiều dày của tấm\r\nlọc bổ sung được điều chỉnh để giá trị bề dày làm giảm một nửa thứ nhất đo được\r\nphải nằm trong khoảng ± 10% so với\r\ngiá trị đã được phát ra và ± 5% bề dày lý thuyết tương ứng với bức xạ được tạo\r\nra đối với điện áp ống phát < 30 kV và > 30 kV. Để xác định HVL, độ tinh\r\nkhiết tối thiểu của tấm lọc bổ sung và tấm hấp thụ phải là 99,9%, trong trường\r\nhợp sử dụng nhôm dưới điện áp 20 kV, độ tinh khiết sẽ phải\r\ncao hơn 99,9%. Các ví dụ về tấm lọc bổ sung cho nhóm có suất kerma không khí cao được\r\ntrình bày trong Bảng 7.

\r\n\r\n

4.5. Tính đồng nhất của\r\ntrường bức xạ và bức xạ tán xạ

\r\n\r\n

4.5.1. Đường kính trường xạ

\r\n\r\n

Đường kính của trường bức xạ cần đủ lớn\r\nđể chiếu tới đầu dò tại điểm kiểm tra gần với tiêu cự (thường không gần hơn 50 cm)\r\nmột cách đồng nhất và trọn vẹn. Trường bức xạ có thể giữ không thay đổi đối với tất cả các điểm\r\nkiểm tra thực nghiệm khác hoặc có thể giảm tới kích thước vừa đủ để trường bức\r\nxạ chiếu đến đầu dò là đồng nhất.

\r\n\r\n

4.5.2. Sự đồng nhất của\r\ntrường bức xạ

\r\n\r\n

Suất kerma không khí tại mỗi điểm kiểm\r\ntra không được thay đổi vượt quá 5% trên toàn bộ thể tích nhạy của đầu dò trong\r\nđiều kiện kiểm tra.

\r\n\r\n

4.5.3. Bức xạ tán xạ

\r\n\r\n

Cả hai phép kiểm tra dưới đây cần được\r\ntiến hành để kiểm tra sự đóng góp của bức xạ tán xạ phải nhỏ hơn 5% suất kerma\r\nkhông khí tổng cộng tại các khoảng cách thí nghiệm. Các phép kiểm tra này cần\r\nđược tiến hành với sự trợ giúp của một buồng ion hóa chuẩn cấp hai có độ nhạy thích hợp.\r\nSự thay đổi đáp ứng của thiết bị trên mỗi đơn vị kerma không khí như là một hàm\r\ncủa năng lượng photon và sự thay đổi đó là đủ nhỏ trong dải phổ quan tâm.

\r\n\r\n

4.5.3.1. Phép kiểm tra 1

\r\n\r\n

Đo suất kerma không khí tại các điểm\r\nkhác nhau trên trục đối xứng của chùm tia. Sau khi đã hiệu chỉnh sự suy giảm\r\ncủa không khí và kích thước buồng (nếu có thể), giá trị suất kerma không khí phải\r\ntương ứng với bình phương khoảng cách từ tiêu điểm đến đầu dò trong khoảng sai\r\nsố 5%.

\r\n\r\n

4.5.3.2. Phép kiểm tra 2

\r\n\r\n

Tại mỗi khoảng cách đã tiến hành trong\r\nphép kiểm tra 1,\r\nđo suất kerma không khí sau khi tháo buồng ra trên một mặt phẳng vuông góc\r\nvới trục của chùm tia tại khoảng cách hai lần bán kính chùm tia cộng với vùng nửa\r\ntối của nó. Các giá trị suất kerma không khí của bức xạ tán xạ ngoài chùm tia\r\nsơ cấp cần phải nhỏ hơn hoặc bằng 5% suất kerma không khí tương ứng trên trục đối\r\nxứng của chùm tia.

\r\n\r\n

5. Bức xạ huỳnh quang\r\ntia X

\r\n\r\n

5.1. Nguyên lý cơ bản

\r\n\r\n

Hiệu chuẩn các máy đo liều và suất liều\r\ntheo phương diện tạo ra bức xạ huỳnh quang sử dụng đỉnh đặc trưng K của vật liệu\r\nxác định có năng lượng trong khoảng 8,6 keV đến 100 keV. Ban đầu khi đánh giá,\r\nthường sử dụng đỉnh K_a₁, của vật liệu\r\nđó (xem Hình 5). Sự đóng góp của các đỉnh K_β không đáng kể dù có tấm\r\nlọc thứ cấp có đỉnh hấp thụ K nằm giữa đỉnh K_a và K_b (xem Bảng\r\n10).

\r\n\r\n

Bảng 10 - Các\r\nvật bị chiếu xạ và các tấm lọc sử dụng để tạo bức xạ chuẩn tia X đặc trưng đỉnh K

\r\n STT \r\n	\r\n Năng lượng đặc trưng \r\n K_a₁ \r\n \r\n keV \r\n	\r\n Các vật bị\r\n chiếu xạ \r\n			\r\n Điện áp ống phát\r\n tia¹⁾ \r\n \r\n \r\n keV \r\n	\r\n Tấm lọc sơ cấp tổng cộng \r\n	\r\n Tấm lọc thứ\r\n cấp \r\n
		\r\n Nguyên tố \r\n	\r\n Dạng hóa học đề xuất \r\n	\r\n Khối lượng riêng tương ứng với dạng hóa chất \r\n g/cm² \r\n			\r\n Tấm lọc thứ\r\n cấp \r\n
							\r\n Dạng hóa học đề xuất \r\n	\r\n Khối lượng riêng tương ứng với dạng hóa chất \r\n g/cm² \r\n
						\r\n Khối lượng riêng \r\n g/cm² \r\n	\r\n Dạng hóa học đề xuất \r\n
\r\n 1 \r\n	\r\n 9,89 \r\n	\r\n German \r\n	\r\n GeO₂ \r\n	\r\n 0,180 \r\n	\r\n 60 \r\n	\r\n AI 0,153 \r\n	\r\n GdO \r\n	\r\n 0,020³⁾ \r\n
\r\n 2 \r\n	\r\n 15,8 \r\n	\r\n Zicon \r\n	\r\n Zr \r\n	\r\n 0,180 \r\n	\r\n 80 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n SrCO₃ \r\n	\r\n 0,053 \r\n
\r\n 3 \r\n	\r\n 23,2 \r\n	\r\n Cadmi \r\n	\r\n Cd \r\n	\r\n 0,150 \r\n	\r\n 100 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Ag \r\n	\r\n 0,053 \r\n
\r\n 4 \r\n	\r\n 31,0 \r\n	\r\n Sêri \r\n	\r\n Cs₂SO₄ \r\n	\r\n 0,190 \r\n	\r\n 100 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n TeO₂ \r\n	\r\n 0,132 \r\n
\r\n 5 \r\n	\r\n 40,1 \r\n	\r\n Samari \r\n	\r\n Sm₂O₃ \r\n	\r\n 0,175 \r\n	\r\n 120 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n CeO₂ \r\n	\r\n 0,195 \r\n
\r\n 6 \r\n	\r\n 49,1 \r\n	\r\n Erbi \r\n	\r\n Er₂O₃ \r\n	\r\n 0,230 \r\n	\r\n 120 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Gd₂O₃ \r\n	\r\n 0,263 \r\n
\r\n 7 \r\n	\r\n 59,3 \r\n	\r\n Vônfram \r\n	\r\n W \r\n	\r\n 0,600 \r\n	\r\n 170 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Yb₂O₃ \r\n	\r\n 0,358 \r\n
\r\n 8 \r\n	\r\n 68,8 \r\n	\r\n Vàng \r\n	\r\n Au \r\n	\r\n 0,600 \r\n	\r\n 170 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n W \r\n	\r\n 0,433 \r\n
\r\n 9 \r\n	\r\n 75,0 \r\n	\r\n Chì \r\n	\r\n Pb \r\n	\r\n 0,700 \r\n	\r\n 190 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Au \r\n	\r\n 0,476 \r\n
\r\n 10 \r\n	\r\n 98,4 \r\n	\r\n Uran \r\n	\r\n U \r\n	\r\n 0,800 \r\n	\r\n 210 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n Al 0,27 \r\n	\r\n Th \r\n	\r\n 0,776 \r\n
\r\n \r\n
\r\n 11 \r\n	\r\n 8,64 \r\n	\r\n Kẽm \r\n	\r\n Zn \r\n	\r\n 0,180 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n AI 0,135 \r\n	\r\n Cu \r\n	\r\n 0,020 \r\n
\r\n 12 \r\n	\r\n 17,5 \r\n	\r\n Môlipđen \r\n	\r\n Mo \r\n	\r\n 0,150 \r\n	\r\n 80 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Zr \r\n	\r\n 0,035 \r\n
\r\n 13 \r\n	\r\n 25,3 \r\n	\r\n Thiếc \r\n	\r\n Sn \r\n	\r\n 0,150 \r\n	\r\n 100 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Ag \r\n	\r\n 0,071 \r\n
\r\n 14 \r\n	\r\n 37,4 \r\n	\r\n Nedimi²⁾ \r\n	\r\n Nd \r\n	\r\n 0,150 \r\n	\r\n 110 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Ce²⁾ \r\n	\r\n 0,132 \r\n
\r\n 15 \r\n	\r\n 49,1 \r\n	\r\n Erbi \r\n	\r\n Er \r\n	\r\n 0,200 \r\n	\r\n 120 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Gd \r\n	\r\n 0,233 \r\n
\r\n 16 \r\n	\r\n 59,3 \r\n	\r\n Vônfram \r\n	\r\n W \r\n	\r\n 0,600 \r\n	\r\n 170 \r\n	\r\n AI 0,27 \r\n	\r\n Yb \r\n	\r\n 0,322 \r\n
\r\n CHÚ THÍCH: Với các bức\r\n xạ có số thứ tự từ 1 đến 10, vật bị chiếu xạ và các tấm lọc gồm các lá\r\n kim loại hoặc\r\n hợp\r\n chất hóa học thích hợp. Các bức xạ có số thứ tự từ 11 đến 16 cũng có năng lượng\r\n trùng với vùng năng lượng của các bức xạ có số thứ tự từ\r\n 1 đến 10 nhưng chỉ bao gồm vật bị chiếu xạ và tấm lọc là kim loại. \r\n 1) Điện áp ống phát tia\r\n tốt nhất cho “độ sạch" của chùm bức xạ chuẩn. Năng lượng bức xạ xấp xỉ bằng\r\n 2 lần\r\n năng\r\n lượng đỉnh hấp thụ\r\n K của vật chiếu xạ liên quan. Nếu cần suất liều kerma không khí cao hơn, có thể sử dụng điện\r\n áp cao hơn nhưng điều này sẽ\r\n làm giảm độ sạch của bức xạ. \r\n 2) Các lá này nên được bọc\r\n kín thích hợp để ngăn chặn sự ion hóa \r\n 3) Giá trị 0,020 g/cm² chỉ\r\n áp dụng cho gadoli. \r\n

\r\n\r\n

5.2. Hệ phát tia X đặc\r\ntrưng

\r\n\r\n

Bao gồm một máy phát tia X và một thiết\r\nbị huỳnh quang gồm một vật bị\r\nchiếu xạ, các tấm lọc, một điaphram sơ cấp, một điaphram thứ cấp và một bộ phận\r\nbẫy (xem Hình 6).

\r\n\r\n

5.2.1. Bộ phát tia X

\r\n\r\n

Có thể sử dụng một bộ phát tia X tương\r\ntự trong 4.2.1. Điện áp cần ổn định trong phạm vi sự thay đổi không vượt quá ±\r\n5% giá trị điện áp đặt trước.

\r\n\r\n

Để tính đến những biến đổi của suất\r\nkerma không khí có thể xảy ra, cần phải sử dụng một buồng kiểm soát được chiếu xạ bởi chùm\r\nbức xạ thứ cấp. Buồng phải có kết cấu và được đặt sao cho không làm tăng đáng kể\r\nquá trình lọc thứ cấp.

\r\n\r\n

5.2.2. Thiết bị huỳnh quang (xem Hình 6)

\r\n\r\n

5.2.2.1. Các chất bị chiếu xạ

\r\n\r\n

Chất bị chiếu xạ sẽ được chọn trong\r\ndanh mục liệt kê tại Bảng 10.\r\nVật liệu làm chất này phải có độ tinh khiết lớn hơn 99,9%. Chất bị chiếu xạ có\r\nthể là lá kim loại mỏng hoặc hợp chất bột (dưới dạng oxít, cacbonic\r\nhoặc sunfat) được trộn\r\ntrong các tấm nhựa. Các tấm nhựa chỉ chứa các nguyên tố nhẹ hơn các nguyên tố của\r\nchất huỳnh quang (Z_{hiệu\r\ndụng} ≤ 8).\r\nCác vật hỗ trợ trong quá trình chiếu xạ nên được cấu tạo từ chất có nguyên tử\r\nkhối nhỏ hơn chất bị chiếu xạ.

\r\n\r\n

5.2.2.2. Các tấm lọc

\r\n\r\n

Một hay nhiều tấm lọc sơ cấp được sử dụng\r\nđể giới hạn các thành phần năng lượng thấp của chùm bức xạ không cho đóng góp\r\nvào phần bức xạ đặc trưng tạo ra. Một hay nhiều tấm lọc được sử dụng trong chùm\r\nbức xạ thứ cấp để loại trừ\r\nbức xạ đặc trưng đỉnh L và giảm bớt sự đóng góp của bức xạ K_a vào bức xạ đỉnh\r\nK_β. Các đặc trưng của tấm lọc được trình bày trong Bảng 10.

\r\n\r\n

5.2.2.3. Điaphram sơ cấp

\r\n\r\n

Một điaphram sơ cấp được đặt bên ngoài\r\ncủa ống phát tia X để tập trung chùm tia vào khu vực vật bị chiếu xạ. Nó có tác dụng\r\nlàm giảm bớt sự tán xạ từ các chất hỗ trợ vật bị chiếu xạ và từ vách thiết bị\r\nhuỳnh quang đến vật bị chiếu xạ.

\r\n\r\n

5.2.2.4. Điaphram thứ cấp

\r\n\r\n

Điaphram này có tác dụng giới hạn góc của\r\nchùm bức xạ đặc trưng và do đó giảm bớt cường độ tia tán xạ ra môi trường.[1]

\r\n\r\n

5.2.2.5. Bẫy

\r\n\r\n

Bẫy được đặt trên đường đi của tia sơ\r\ncấp nhằm làm giảm bức xạ tán xạ từ chùm tia sơ cấp làm “mờ" chùm bức xạ huỳnh\r\nquang. Bẫy có thể gồm một phòng có kích thước lớn mà chùm sơ cấp được giải\r\nphóng trong đó.

\r\n\r\n

5.2.2.6. Che chắn bức xạ tia X

\r\n\r\n

Một khu vực dành riêng cho thí nghiệm\r\nsẽ được cách ly với màn Hình tia X hoặc các thiết bị bảo vệ khác.

\r\n\r\n

5.3. Điều kiện vận hành

\r\n\r\n

5.3.1. Hình học

\r\n\r\n

Vật bị chiếu xạ được đặt tại một góc 45°\r\n± 5° so với trục của chùm tia X sơ cấp, và chùm bức xạ đặc trưng sẽ phát ra\r\ntheo hướng vuông góc với chùm tia sơ cấp (Hình 6).

\r\n\r\n

Để có suất kerma không khí\r\nđủ lớn trong chùm tia sơ cấp thì ống phát tia X phải được đặt gần vật bị chiếu\r\nxạ gần nhất có thể và chùm tia sơ cấp phải chiếu lên bề mặt vật bị\r\nchiếu một vùng diện tích lớn nhất có thể.

\r\n\r\n

Điểm kiểm tra nên đặt tại các khoảng\r\ncách so với vật bị chiếu xạ để thu được suất kerma không khí mong muốn. Sự thay\r\nđổi suất kerma không khí của chùm tia thứ cấp trong khu vực sử dụng đầu dò\r\nkhông được lớn hơn 5%. Tiết diện phản ứng của chùm tia tại điểm kiểm tra phải\r\nluôn lớn hơn vùng tiết diện của thiết bị được chuẩn.

\r\n\r\n

Đóng góp của bức xạ do chùm tia sơ cấp\r\nvà thứ cấp tán xạ từ môi trường không được vượt quá 5% suất kerma không khí gây\r\nra bởi chùm bức xạ đặc trưng tại điểm kiểm tra. Sự “nhiễm bẩn” của bức xạ sẽ được\r\nkiểm tra bằng thiết bị đo phổ.

\r\n\r\n

5.3.2. Các đặc tính của bức\r\nxạ chuẩn

\r\n\r\n

Bảng 11 đưa ra một ví dụ về ống phát\r\ntia X có dòng 10 mA đặt tại khoảng cách 30 cm so với tâm của vật bị chiếu xạ.\r\nPhần trăm suất kerma không khí do đóng góp của các bức xạ bên ngoài\r\n(xem chú thích bên dưới) và các giá trị suất kerma không khí được đo trong chùm\r\ntia X có những đặc tính nêu trong Bảng 10.

\r\n\r\n

Có thể giảm giá trị suất kerma không\r\nkhí bằng cách thay đổi các thông số sau:

\r\n\r\n

a) dòng ống phát tia: giảm tới xấp xỉ cỡ\r\n1 mA (tùy thuộc vào đặc tính bức xạ chuẩn)

\r\n\r\n

b) diện tích nguồn phát tia X\r\nđặc trưng: sử dụng điaphram sơ cấp có đường kính nhỏ, nhưng đường kính này\r\nkhông được nhỏ hơn đường kính của tiêu cự.

\r\n\r\n

c) khoảng cách giữa đầu dò và vật bị chiếu\r\nxạ: đặt tại các khoảng cách xấp xỉ nhỏ hơn 1m. Nếu khoảng cách lớn hơn 1m thì cần thiết phải\r\nkiểm tra lại sự lẫn tạp phổ của bức xạ chuẩn.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Bức xạ nhiễu bao gồm các bức xạ đặc\r\ntrưng khác phát ra ngoài đỉnh K_a\r\ncủa vật bị chiếu xạ và các bức\r\nxạ tán xạ từ bản thân vật bị chiếu xạ, các thiết bị phụ trợ, điaphram và tấm lọc.\r\nBức xạ bên ngoài không\r\nbao gồm bức xạ tán\r\nxạ từ môi trường, điều này sẽ được đề cập sau.

\r\n\r\n

Bảng 11 - Các ví dụ về suất kerma\r\nkhông khí và bức xạ nhiễu được đo tại điểm cách tâm ống\r\nphát bức xạ 30 cm với dòng chạy trong ống phát tia là 10 mA

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

Năng lượng\r\n thu được

\r\n

keV

\r\n

Suất kerma không\r\n khí đo tại điểm cách tâm ống\r\n phát bức xạ 30 cm

\r\n

mGy.h^-1

\r\n

Phần đóng góp\r\n vào suất kerma không khí của bức xạ bên ngoài¹⁾

\r\n

Từ 10 đến\r\n 25

\r\n

Từ 60 đến\r\n 130

\r\n

≤ 10

\r\n

Từ 25 đến\r\n 98,4

\r\n

Từ 26 đến\r\n 60

\r\n

≤ 10

\r\n

1) Được định nghĩa theo\r\n công thức sau:

\r\n

\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

kerma không khí của\r\n bức xạ bên ngoài x 100

\r\n

kerma\r\n không khí của bức xạ đặc trưng K_a + kerma không khí của bức xạ bên\r\n ngoài

\r\n

\r\n\r\n

5.4. Đo bức xạ\r\ntán xạ

\r\n\r\n

Một buồng ion hóa đã được chuẩn sẽ được\r\nsử dụng để xác định sự đóng góp của bức xạ tán xạ tại các điểm kiểm tra. Chú ý\r\nphải lựa chọn buồng phù hợp với vùng năng lượng và suất kerma không khí cần\r\nquan tâm.

\r\n\r\n

Sự đóng góp của bức xạ tán xạ phải ít hơn 5% suất\r\nkerma không khí của bức xạ đặc trưng.

\r\n\r\n

Sự thay đổi đáp ứng của buồng ion hóa\r\ntrên mỗi đơn vị\r\nkerma không khí phụ thuộc\r\nvào chất lượng phổ và hướng của chùm bức xạ phải nhỏ và có thể xác định được\r\ntrong dải năng lượng quan tâm.

\r\n\r\n

Giá trị suất kerma không khí tại các\r\nđiểm kiểm tra cần được đo đạc. Khi đó buồng ion hóa sẽ được đặt vào\r\ntrong một mặt phẳng vuông góc\r\nvới trục của chùm tia tại khoảng cách bằng hai lần bán kính của chùm tia cộng với\r\nvùng nửa tối của nó. Các phép đo tại các điểm đối xứng nhau của chùm tia sẽ được\r\ntiến hành trên mặt phẳng này. Kết\r\nquả của các phép đo đó không được vượt quá 5% suất kerma không khí đo được tại\r\ncác điểm kiểm tra. Nếu giới hạn này bị vi phạm, phải kiểm tra lại hiệu quả của\r\nviệc che chắn tia X. Để làm điều này, suất kerma không khí còn lại tại các điểm\r\nkiểm tra sẽ được đo khi chùm tia thứ cấp được hấp thụ hoàn toàn. Suất kerma\r\nkhông khí đo được phải nhỏ hơn 0,5% giá trị suất kerma không khí đo được của\r\nchùm tia X đặc trưng.

\r\n\r\n

5.5. Hướng dẫn sử dụng bức\r\nxạ chuẩn

\r\n\r\n

Chú ý rằng bức xạ nhiễu tham khảo\r\ntrong Bảng 11 là lý thuyết dưới dạng số kerma không khí. Số lượng đó\r\nliên quan tới các phép đo tại một độ sâu trong vật chất, tại đó, chùm tia X đặc\r\ntrưng suy giảm đáng kể và phổ tán xạ Compton sẽ chiếm chủ yếu trong phổ\r\nbức xạ. Điều này sẽ làm ảnh hưởng đáng kể đến\r\nthiết bị đang được\r\nchuẩn. Và do đó, rất khó để đánh giá chính xác liều và năng lượng trung\r\nbình hiệu dụng của chùm bức xạ. Tương tự như vậy, kết quả đo thu được từ các\r\ngiá trị điện áp ống phát khác\r\nnhau sẽ là không tin cậy. Do đó, các thông số của bức xạ có STT từ 1 đến 11\r\ntrong Bảng 10 không được sử dụng để xác định đáp ứng của thiết bị khi đo liều tại\r\nđộ sâu 1 cm. Điều này cũng phải\r\nđược thực hiện khi sử dụng bức xạ đặc trưng năng lượng thấp.

\r\n\r\n

6. Bức xạ gamma phát\r\nra từ các nhân phóng xạ

\r\n\r\n

6.1. Các nhân phóng xạ được\r\nsử dụng để tạo bức xạ gamma

\r\n\r\n

Hiệu chuẩn các thiết bị đo liều và suất\r\nliều bằng bức xạ gamma phát ra từ nhân phóng xạ được liệt kê trong Bảng 12.

\r\n\r\n

Bảng 12 - Các\r\ntính chất của nhân phóng xạ

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Nhân phóng\r\n xạ \r\n	\r\n Năng lượng\r\n tia phóng xạ \r\n (keV) \r\n	\r\n Chu kỳ bán\r\n rã \r\n (ngày) \r\n	\r\n Hằng số suất\r\n kerma không khí ¹⁾ \r\n (mGy.h^-1.m².Mbq^-¹) \r\n
\r\n ⁶⁰Co \r\n	\r\n 1173,3 \r\n 1332,5 \r\n	\r\n 1 925,5 \r\n	\r\n 0,31 \r\n
\r\n ¹³⁷Cs \r\n	\r\n 661,6 \r\n	\r\n 11 050 [13] \r\n	\r\n 0,079 \r\n
\r\n ²⁴¹Am \r\n	\r\n 59,54 \r\n	\r\n 157 788 \r\n	\r\n 0,003 1 \r\n
\r\n 1) Hằng số suất kerma không khí (xem\r\n chi tiết trong ICRU Báo cáo số 33 [14]) chỉ có giá trị trong trường hợp nguồn\r\n điểm không che chắn. Do đó, giá trị này chỉ mang tính chất tham khảo, không\r\n có ý nghĩa trong việc xác định suất kerma không khí. \r\n

\r\n\r\n

6.2. Chỉ số kỹ thuật của\r\nnguồn phóng xạ

\r\n\r\n

6.2.1. Nguồn phóng xạ

\r\n\r\n

Vì nguồn phải càng nhỏ càng tốt, điều\r\nchủ yếu là cần sử dụng chất phóng xạ có hoạt độ đủ trên một đơn vị khối lượng.\r\nSuất kerma không khí\r\ndo độ không tinh khiết phóng xạ cần phải nhỏ hơn 1% của suất kema không khí do\r\nbức xạ của đồng vị được sử dụng.

\r\n\r\n

Bảng 13 cho một số ví dụ về hoạt độ\r\nriêng và các dạng hóa chất nên dùng của nhân phóng xạ đã quy định.

\r\n\r\n

Bảng 13 - Hoạt\r\nđộ riêng và dạng hóa học của một số hạt nhân phóng xạ

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Hạt nhân\r\n phóng xạ \r\n	\r\n Hoạt độ\r\n phóng xạ riêng \r\n Bq.kg^-¹ \r\n	\r\n Dạng hóa học\r\n nên dùng \r\n
\r\n ⁶⁰Co \r\n	\r\n 3,7 x 10¹⁵ \r\n	\r\n Kim loại \r\n
\r\n ¹³⁷Cs \r\n	\r\n 8,51 x 10¹⁴ \r\n	\r\n Clorua \r\n
\r\n ²⁴¹Am \r\n	\r\n 1,11 x 10¹⁴ \r\n	\r\n Oxyt \r\n
\r\n CHÚ THÍCH: ⁶⁰Co đặc biệt\r\n thích hợp cho các nguồn có hoạt độ\r\n phóng xạ cao trên đơn vị khối\r\n lượng. \r\n Vì nguồn ¹³⁷Cs mới chế\r\n tạo có một lượng đáng kể ¹³⁴Cs, do đó sự\r\n phân rã phóng xạ\r\n nên được hiệu chỉnh theo các chu kỳ bán rã khác nhau của hai đồng vị phóng\r\n xạ này. Thông thường sử dụng chu kỳ bán rã nguồn của ¹³⁷Cs, nhưng\r\n các quy định kỹ thuật của độ tinh khiết của nguồn ¹³⁷Cs cần phải\r\n do nhà sản xuất nguồn đưa ra. \r\n

\r\n\r\n

6.2.2. Lớp vỏ nguồn

\r\n\r\n

Vỏ nguồn phải đạt yêu cầu theo tiêu\r\nchuẩn ISO 1677.

\r\n\r\n

Lớp vỏ nguồn cần phải đủ dày để hấp thụ\r\nhết bức xạ bêta phát ra từ nguồn, nghĩa là chúng cần phải có khối lượng riêng\r\ntheo diện tích là 0,2 g/cm²\r\nđối\r\nvới nguồn ⁶⁰Co và 0,5\r\ng/cm² đối với nguồn\r\n¹³⁷Cs. Đối với nguồn ²¹⁴Am, nên có lớp vỏ nguồn bằng thép\r\nvới khối lượng riêng theo diện tích ít nhất là 0,32 g/cm² để làm suy\r\ngiảm bức xạ gamma 26 keV và bức xạ đặc trưng đỉnh L tới ít hơn 1,0% đóng góp của\r\nbức xạ gamma 59,5 keV.

\r\n\r\n

6.3. Các thiết bị chiếu xạ\r\nvà ảnh hưởng của bức xạ tán xạ

\r\n\r\n

Buồng ion hóa tiêu chuẩn thứ cấp được\r\nsử dụng cho tất cả các phép đo phải có độ nhạy thích hợp.

\r\n\r\n

Sự thay đổi đáp ứng của thiết bị trên\r\nmột đơn vị kerma không khí như là một hàm số của năng lượng và hướng chùm tia,\r\nphải đủ nhỏ và có thể xác định được trong dải năng lượng quan tâm.

\r\n\r\n

Suất kerma không khí do bức xạ tán xạ\r\ntừ môi trường phải không được vượt quá 5% suất kerma không khí của bức xạ sơ cấp.

\r\n\r\n

Có thể đạt được điều này:

\r\n\r\n

- sử dụng một phòng có kích thước đủ lớn (xem\r\n6.3.1) cho dạng hình học không chuẩn trực, hoặc

\r\n\r\n

- với dạng hình học đã chuẩn trực, xem ví dụ\r\ntrong 6.3.2.

\r\n\r\n

6.3.1. Bố trí hình học không chuẩn trực

\r\n\r\n

Nguồn nên được sử dụng trong một phòng\r\nđược che chắn có kích thước trong phòng tối thiểu là 4m x 4m x 3m.

\r\n\r\n

Giá đỡ nguồn và đầu dò (buồng ion hóa) nên được chế tạo\r\ntừ các vật liệu nhẹ hoặc nhôm. Chúng nên được đặt tại vị trí có độ cao bằng nửa độ\r\ncao của phòng. Các khoảng cách từ nguồn tới các điểm đo kiểm tra được\r\ntính toán sao cho suất liều không vượt quá giá trị lý thuyết (tỷ lệ với bình\r\nphương khoảng cách) 5% sau khi đã hiệu chỉnh lại sự suy giảm của chùm tia\r\ntrong không khí.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Để đạt được điều này, khoảng cách được khuyến\r\ncáo là từ 30 cm tới 130 cm.

\r\n\r\n

6.3.2. Bố trí hình học chuẩn\r\ntrực

\r\n\r\n

Các đặc trưng cơ bản và sơ đồ khối của một\r\nví dụ có sử dụng thiết bị chuẩn trực, đặc biệt được sử dụng phổ biến với nguồn ⁶⁰Co và ¹³⁷Cs[2]⁾ được trình\r\nbày trong Hình 7.

\r\n\r\n

Lớp bảo vệ an toàn được làm bằng một lớp\r\nchì tương đối dày để giảm ảnh hưởng của chùm bức xạ ngoài tới 1/1 000 chùm bức\r\nxạ cần sử dụng. Đối với nguồn ⁶⁰Co, chiều dày lớp chì\r\nlà 12,5 cm và với nguồn ¹³⁷Cs,\r\nchiều dày là 6,5 cm. Các giá trị này có thể tăng lên để giảm bớt\r\nchiếu xạ tới người sử dụng tới mức chấp nhận được.

\r\n\r\n

Một ống chuẩn trực sẽ được sử dụng\r\nđể thiết lập hình dạng và kích thước của chùm photon. Trên Hình 7 bố\r\ntrí hình học chuẩn trực gồm có một ống chuẩn trực hình nón với nguồn đặt đỉnh\r\nnón. Ống chuẩn trực được tạo từ một chuỗi ít nhất sáu lỗ hổng liên tiếp nhau có\r\ntổng chiều dày khoảng 90 mm, trong đó ngăn cách nhau bởi khe hở rộng 20 mm.\r\nKhe hở này có tác dụng như một cái bẫy bắt các photon tán xạ từ rìa của khe hở\r\ntrước. Khe hở cuối cùng có bề dày 3 mm và có đường kính lớn hơn một chút so với\r\ntiết diện tán xạ của chùm tia tại vị trí đó. Các khe này được làm từ hợp kim của\r\nVônfram. Một ví dụ\r\nvề hợp kim này được trình bày trong Bảng 14.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Có một\r\nphương pháp cải tiến khác bằng cách lắp ống chuẩn trực ra bên ngoài ống\r\nphát tia. Cuối hệ ống phát - ống chuẩn trực có một cửa sổ mỏng được làm từ\r\nPolyetilen sẽ hình thành lên lớp vỏ bọc vào tạo chân không trong đó. Với cách\r\nnày có thể làm giảm đáng kể bức xạ\r\ntán xạ trong không khí.

\r\n\r\n

Bảng 14 - Ví\r\ndụ về các thành phần kim loại được\r\nsử dụng trong ống chuẩn trực trong Hình 7

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Nguyên tố \r\n	\r\n Hàm lượng \r\n % \r\n
\r\n Vônfram \r\n	\r\n 89 \r\n
\r\n Niken \r\n	\r\n 7 \r\n
\r\n Đồng \r\n	\r\n 4 \r\n

\r\n\r\n

Tiết diện của chùm tia phải lớn hơn tiết\r\ndiện của đầu dò. Khoảng cách d₁ (xem Hình 7) sẽ lớn hơn hay\r\nbằng 30 cm. Khoảng cách d₂ đủ lớn để đóng góp của bức xạ tán xạ từ\r\ntường tới tổng suất kerma không khí phù hợp với yêu cầu được đưa ra\r\ntrong 6.4.

\r\n\r\n

6.3.3. Sự thay đổi của suất\r\nkerma không khí theo sự thay đổi của các tấm chắn bằng chì

\r\n\r\n

Thay vì sử dụng các nguồn phóng xạ có\r\nhoạt độ khác nhau, suất kerma không khí có thể thay đổi bằng cách sử dụng các tấm\r\nchắn bằng chì cho các chùm tia đã được chuẩn phát ra từ nguồn ⁶⁰Co và ¹³⁷Cs. Các tấm\r\nchắn này sẽ được đặt tại vị trí\r\ngần với điaphram. Một loạt tấm chắn bằng chì được sử dụng có chiều dày khoảng\r\n20 mm, 40 mm, 60 mm, v.v.. và 38 mm,\r\n76 mm, 114 mm, v.v.. để làm giảm suất\r\nkerma không khí xuống từng bậc liên tục của chùm bức xạ phát ra từ nguồn ⁶⁰Co và ¹³⁷Cs tương ứng.\r\nCác giá trị trên chỉ có ý nghĩa tham khảo. Bề dày thực sự của các tấm chắn phải\r\nđược tính toán dựa trên các thông số hình học như kích thước của trường bức xạ.\r\nDo đó, giá trị của suất kerma không khí tại các điểm kiểm tra phải được tính\r\ntoán từ các phép đo liều.

\r\n\r\n

Có thể làm suy giảm độ lớn suất kerma\r\nkhông khí tới 6 lần hoặc hơn thế nữa. Mặc dù, phần photon tán xạ tăng lên khi chiều\r\ndày tấm chắn tăng nhưng độ sạch của phổ bức xạ vẫn được duy trì và đỉnh phổ dần\r\ntrở lên hẹp hơn [15, 16].

\r\n\r\n

Để ước tính sự ảnh hưởng của trạng\r\nthái cân bằng điện tử có thể bị vi phạm tại điểm kiểm tra. Khoảng cách từ điểm\r\nkiểm tra tới tấm chắn bằng chì ít nhất là 100 cm. Mặt khác, tấm chắn bằng chì có thể được\r\nbao bọc bởi một lớp graphít dày 0,5 cm.

\r\n\r\n

6.4. Kiểm tra sự phù hợp\r\ntrong bố trí hình học

\r\n\r\n

Các phép kiểm tra dưới đây sẽ được tiến\r\nhành để kiểm tra sự đóng góp của bức xạ tán xạ ngoài từ vỏ nguồn không vượt quá 5% tổng\r\nsuất liều kerma không khí tại các khoảng cách bố trí thí nghiệm khác nhau.

\r\n\r\n

Các giá trị suất liều kerma không khí\r\nsẽ được đo tại\r\ncác vị trí trên trục của chùm tia. Sau khi hiệu chỉnh lại sự suy giảm của chùm\r\nbức xạ trong không khí, suất kerma không khí sẽ tỷ lệ với bình\r\nphương khoảng cách từ tâm của nguồn đến đầu dò với sai số không vượt quá 5 %.

\r\n\r\n

7. Bức xạ photon có\r\nnăng lượng trong khoảng từ 4 MeV đến 9 MeV

\r\n\r\n

7.1. Khái quát

\r\n\r\n

Phải sử dụng bức xạ photon chuẩn trong\r\nvùng năng lượng từ 4 MeV đến 9 MeV vì trường photon có năng lượng khoảng 6 MeV\r\nđược tạo ra trong nhiều nhà máy điện hạt nhân và các hệ lò phản ứng hạt nhân cũng như tại\r\ncác nguồn photon năng lượng cao. Các dải năng lượng khác sẽ không được\r\nquan tâm vì sự thay đổi\r\ntrong đáp ứng tín hiệu của hầu\r\nhết máy đo\r\nliều và suất liều theo năng lượng\r\nphoton\r\nsẽ không gián\r\nđoạn trên dải năng lượng\r\nnày.

\r\n\r\n

7.2. Tạo bức xạ chuẩn

\r\n\r\n

Bức xạ chuẩn được tạo ra bởi một trong\r\ncác phản ứng sau:

\r\n\r\n

a) sự giải phóng trạng thái kích thích của\r\nhạt nhân\r\n¹⁶O trong phản ứng\r\n¹⁹F(p, g)¹⁶O, (xem 7.2.1)\r\n[17, 18, 19, 20];

\r\n\r\n

b) sự giải phóng trạng thái kích thích của\r\n¹²C;

\r\n\r\n

c) phản ứng bắt nơtron nhiệt và tạo bức xạ\r\ngamma;

\r\n\r\n

d) phân rã phóng xạ của hạt nhân ¹⁶N (xem\r\n7.2.4)[24, 25].

\r\n\r\n

Các ví dụ về phổ photon của các bức xạ\r\nchuẩn này được đưa ra trong Hình 10, 11, 12 và 13.

\r\n\r\n

7.2.1. Bức xạ chuẩn gamma tạo\r\nra từ sự giải phóng trạng thái kích thích của hạt nhân O-16 trong phản\r\nứng ¹⁹F(p,ag)¹⁶O

\r\n\r\n

Bức xạ chuẩn này được tạo ra bằng cách\r\nsử dụng một hạt proton được gia tốc và bắn tới một bia Flo (thường là CaF₂)\r\ngây ra phản ứng ¹⁹F(p,ag)¹⁶O.

\r\n\r\n

Các mức năng lượng và xác suất phát\r\ncác mức năng lượng này khi hạt proton đến bắn phá bia mỏng với năng lượng 340,5\r\nkeV được chỉ ra trên Hình 8. Với\r\nhạt proton tại năng lượng này, xác suất phát photon có năng lượng 6,13\r\nMeV là 97%, 7,717 MeV là 2,5%, 6,917 MeV là 0,5%, trong khi xác suất phát\r\nphoton tại năng lượng 6,05 MeV là không đáng kể. Với mức năng lượng cao hơn của\r\nhạt proton, đóng góp tương đối của photon năng lượng 6,13 MeV giảm xuống so với\r\nphoton có năng lượng cao hơn, và do đó sẽ làm tăng sự đóng góp của các phản ứng phụ,\r\nví dụ (p, p'g) và các phản\r\nứng tạo cặp.

\r\n\r\n

Hiệu suất phát photon tương đối là một hàm\r\ncủa năng lượng photon, được trình bày trong Hình 9. Khi bề dày của bia tăng lên\r\n(dẫn tới proton mất năng lượng nhiều hơn trong bia) hiệu suất phát photon tăng\r\nlên và dạng phổ\r\nsẽ thay đổi, proton sẽ bị mất nhiều năng lượng\r\nhơn khi càng vào sâu trong bia. Năng lượng của photon phát ra là đủ lớn để sự\r\nsuy giảm năng lượng của chúng trong bia là không đáng kể.

\r\n\r\n

Phụ thuộc vào hiệu suất phát photon\r\ntheo yêu cầu, năng lượng của proton sẽ được lựa chọn thích hợp để bức xạ chuẩn\r\ntạo ra hoặc là các đỉnh năng lượng cộng hưởng (340,5 keV hoặc 872,1 keV) hoặc là một\r\nnăng lượng giữa 2 MeV và 3 MeV. Nếu cần hiệu suất lượng tử cao và sự đóng góp của\r\ncác thành phần bức xạ tạp khác vào kerma không khí xấp xỉ 4% có thể bỏ qua, nên sử dụng các\r\nproton có năng lượng gần 2,7 MeV tới bắn phá một tấm bia có chiều dày khoảng 6\r\nmg/cm² (xem 7.4.3). Để có được bức xạ chuẩn có độ sạch tối đa, nên sử dụng\r\nproton có năng lượng 340,5 keV. Đối với đỉnh cộng hưởng 340,5 keV,\r\nsự hiệu chuẩn cần được tiến hành tại vị trí đỉnh cộng hưởng và vị trí không cộng\r\nhưởng (330,5 keV) để tách riêng ảnh hưởng của bất kỳ bức xạ năng lượng thấp nào và bức xạ không\r\ncộng hưởng xuất phát từ máy gia tốc.

\r\n\r\n

Suất lượng tử và suất kerma không khí\r\ntrình bày trong\r\nBảng 15 tương ứng với 4 mức năng lượng khác nhau của proton, dòng proton là 1 mA và bia dày xấp xỉ 6\r\nmg/cm².

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Một proton có năng lượng 2,7 MeV sẽ bị mất một\r\nnăng lượng xấp\r\nxỉ 600 keV trong một tấm bia như trên.

\r\n\r\n

Một phổ thông lượng photon tạo ra với\r\nproton có năng lượng 2,7 MeV tới một bia dày xấp xỉ 6 mg/cm² được trình bày trên\r\nHình 10 [8].

\r\n\r\n

Bảng 15 - Suất\r\nlượng tử và suất kerma không khí tương ứng với một vài năng lượng proton và dòng\r\nproton 1 mA

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Năng lượng\r\n của lượng tử \r\n MeV \r\n	\r\n Suất lượng\r\n tử \r\n s^-1 \r\n	\r\n Suất kerma\r\n không khí tại khoảng cách 1 m từ bia \r\n mGy.h^-1 \r\n
\r\n 0,340 5 (đỉnh cộng hưởng) \r\n	\r\n 10⁵ \r\n	\r\n 0,05 \r\n
\r\n 0,872 1 (đỉnh\r\n cộng hưởng) \r\n	\r\n 10⁶ \r\n	\r\n 0,5 \r\n
\r\n 2,05 \r\n	\r\n 6 x 10⁷ \r\n	\r\n 30 \r\n
\r\n 2,7 \r\n	\r\n 2 x 10⁸ \r\n	\r\n 100 \r\n

\r\n\r\n

7.2.2. Bức xạ gamma chuẩn được\r\ntạo ra từ sự giải phóng trạng thái kích thích của hạt nhân ¹²C

\r\n\r\n

Bức xạ này được tạo ra bằng cách sử dụng\r\nmột hạt proton được gia tốc tới bắn vào bia cacbon và kết quả tạo ra bức xạ\r\ngamma có năng lượng 4,44 MeV được giải phóng từ hạt nhân ¹²C tạo ra theo\r\nphản ứng ¹²C(p,p'g)¹²C.

\r\n\r\n

Bia được cấu tạo bằng một lớp cacbon\r\ncó độ sạch cao. Nếu sử dụng cacbon tự nhiên, có hai phản ứng khác sẽ xảy ra với\r\nphản ứng ¹²C(p,p'g)¹²C:

\r\n\r\n

a) ¹³C(p,p'g)¹³C và tạo ra bức\r\nxạ gamma có năng lượng 3,09 MeV

\r\n\r\n

b) ¹³C(p,n)¹³N và tạo ra\r\nphoton hủy cặp có năng lượng 0,511 MeV do có pozitron tạo ra từ quá trình phân\r\nrã hạt nhân phóng xạ ¹³N với chu kỳ bán rã là 9,96 min. Hạt\r\nnhân ¹³N sẽ đạt trạng thái bền sau 20 min kể từ khi phản ứng xảy ra (ví dụ\r\nsau khi bật công tắc phát chùm tia proton). Trong suốt giai đoạn này, bức xạ\r\ngamma chuẩn sẽ không được sử dụng.

\r\n\r\n

Tỷ lệ suất lượng tử tương ứng với các\r\nđỉnh năng lượng 4,44\r\nMeV và 3,09 MeV và của đỉnh 4,44 MeV và 0,511 MeV không phụ thuộc vào năng lượng\r\nproton tới.

\r\n\r\n

Với một dòng proton 1 mA, một proton có năng\r\nlượng 5,5 MeV phát ra từ khoảng cách 1m so với bia, thông lượng photon khoảng\r\n160 cm^-2.s^-¹, 12 cm^-².s^-¹ và 1800 cm^-².s^-1, và suất\r\nkerma không khí tương ứng là 1,4 mGy.h^-1, 0,046 mGy.h^-1 và 85 mGy.h^-¹ đối với các\r\nđỉnh năng lượng khác nhau 0,511 MeV, 3,09 MeV và 4,44 MeV tương ứng. Một phổ\r\nthông lượng photon điển hình được trình bày trong Hình 11 [8].

\r\n\r\n

7.2.3. Bức xạ gamma chuẩn được\r\ntạo ra bởi phản ứng bắt nơtron nhiệt trong tital hoặc\r\nniken

\r\n\r\n

Chùm bức xạ này được tạo ra thông qua\r\nphản ứng bắt nơtron (n,g)\r\ntrong bia tital hoặc niken. Một ví dụ về quá trình này sẽ được trình\r\nbày trong Hình 14 [21]. Một phổ bức xạ nhiều vạch được tạo ra với một bia làm bằng cả\r\nhai kim loại này. Bảng 16 [22] sẽ đưa ra giá trị hiệu suất tạo lượng tử gamma\r\ntrong phần phổ năng lượng\r\nchính.

\r\n\r\n

Do yêu cầu cần sử dụng bức\r\nxạ chuẩn trong dải năng lượng 4 MeV và 9 MeV, phần bức xạ năng lượng thấp sẽ được giảm bớt\r\nhoặc loại bỏ bởi các tấm lọc tăng cường thích hợp. Sự đóng góp của các đường phổ khác\r\nnhau vào tổng lượng suất kerma phụ thuộc vào số lượng tấm lọc tăng cường. Với tấm\r\nlọc thích hợp, năng lượng hiệu dụng của bức xạ chuẩn có thể tăng lên, ví dụ khi\r\nsử dụng tấm lọc nhôm dày 30 cm, năng lượng bức xạ thu được từ 4,5 MeV tới 6,4\r\nMeV đối với bia\r\nTital và từ 7 MeV tới\r\n8,1 MeV\r\nđối với bia niken [23].

\r\n\r\n

Phổ thông lượng photon thu được từ đầu\r\ndò BGO được biểu diễn trên Hình 12 đối với\r\nbia tital và Hình 13 đối với bia niken. Năng lượng trung bình tương ứng là 5,14\r\nMeV và 6,26 MeV. Trong cả hai trường hợp, tấm lọc tổng cộng sử dụng có khối lượng\r\nriêng theo diện tích khoảng 75 g/cm².

\r\n\r\n

Ví dụ của suất kerma không khí và năng\r\nlượng chuẩn thu được từ bia niken và tital trong các điều kiện thí\r\nnghiệm đặc biệt được nêu ra trong Bảng 17 [21].

\r\n\r\n

7.2.4. Bức xạ chuẩn được tạo\r\nra từ quá trình phân rã ¹⁶N

\r\n\r\n

Chùm bức xạ này được tạo ra bằng cách\r\nkích hoạt các phân tử nước trong lò phản ứng bởi các nơtron nhanh thông qua phản\r\nứng ¹⁶O(n,p)¹⁶N.

\r\n\r\n

Kết quả quá trình phân rã bêta của hạt\r\nnhân ¹⁶N với chu kỳ\r\nbán rã 7,1 s sẽ\r\ntạo\r\nra hạt nhân ¹⁶O ở trạng\r\nthái kích thích và tạo ra lượng tử có năng lượng 6,13 MeV (suất lượng tử 68%)\r\nvà 7,12 MeV (suất lượng tử 5%) và phát kèm bức xạ bêta có năng lượng 10,4 MeV.\r\nNăng lượng của lượng tử và suất lượng tử tương ứng được trình bày trong\r\nHình 8.

\r\n\r\n

Trong thực tế, nước được bơm liên tục,\r\ntuần hoàn qua lò phản ứng với lưu lượng 30 ls^-¹. Chu trình\r\nnày hoạt động vừa như một lớp bảo vệ lò vừa như một nguồn phóng xạ\r\n[24]. Số photon thoát\r\nra trong mỗi MW công suất nhiệt và mỗi nước là bậc của 1x10⁸s^-¹ và suất\r\nkerma không khí tương ứng tạo ra tại khoảng cách 1 m là 50 mGy.h^-¹.

\r\n\r\n

7.3. Đường kính của chùm\r\ntia và sự đồng nhất của trường\r\nbức xạ

\r\n\r\n

Các thông tin cần được làm rõ\r\ntrong 4.5, ngoại trừ thuật ngữ “tiêu cự của ống” cần được thay bởi thuật ngữ\r\n“bia". Nếu trường bức xạ không đồng nhất và không bao phủ được toàn bộ máy đo\r\nliều và hình nộm,\r\nmáy đo liều và hình nộm nên được quét dọc\r\ntheo chùm tia. Kỹ thuật này không được sử dụng với các thiết bị đo suất kerma\r\nkhông khí.

\r\n\r\n

7.4. Sự lẫn tạp phóng xạ\r\ntrong bức xạ chuẩn

\r\n\r\n

7.4.1. Khái quát

\r\n\r\n

Sự nhiễm bẩn của bức xạ chuẩn gây ra bởi\r\nbức xạ nơtron, electron và photon có năng lượng khác với năng lượng chuẩn sẽ được đánh\r\ngiá và ảnh hưởng của nó đến kết quả đọc trên máy đo liều và suất liều trong quá trình\r\nchuẩn máy sẽ được xác định.

\r\n\r\n

Bảng 16 - Hiệu suất phát\r\nphoton của Titan và Niken trên 100 nơtron bị bắt

\r\n Titan \r\n		\r\n Niken \r\n
\r\n Năng lượng\r\n photon (keV) \r\n	\r\n Số photon¹⁾ \r\n	\r\n Năng lượng\r\n photon (keV) \r\n	\r\n Số photon¹⁾ \r\n
\r\n 342 \r\n	\r\n 26,3 \r\n	\r\n 283 \r\n	\r\n 3,3 \r\n
\r\n 1 381 \r\n	\r\n 69,1 \r\n	\r\n 465 \r\n	\r\n 13,0 \r\n
\r\n 1 498 \r\n	\r\n 4,1 \r\n	\r\n 878 \r\n	\r\n 3,9 \r\n
\r\n 1 586 \r\n	\r\n 8,9 \r\n	\r\n 6 837 \r\n	\r\n 10,8 \r\n
\r\n 1 762 \r\n	\r\n 5,6 \r\n	\r\n 7 537 \r\n	\r\n 4,5 \r\n
\r\n 4 882 \r\n	\r\n 5,2 \r\n	\r\n 7 819 \r\n	\r\n 8,2 \r\n
\r\n 4 962 \r\n	\r\n 3,6 \r\n	\r\n 8 121 \r\n	\r\n 3,1 \r\n
\r\n 6 418 \r\n	\r\n 30,1 \r\n	\r\n 8 533 \r\n	\r\n 17,0 \r\n
\r\n 6 557 \r\n	\r\n 4,7 \r\n	\r\n 8 999 \r\n	\r\n 37,7 \r\n
\r\n 6 761 \r\n	\r\n 24,2 \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n 1) Khoảng 3 photon tạo ra khi có 100\r\n nơtron bị bắt. \r\n

\r\n\r\n

Bảng 17 - Bức\r\nxạ gamma bắt -\r\nMột\r\nsố ví\r\ndụ\r\nvề bia, suất\r\nkerma không khí và\r\nnăng lượng bức xạ chuẩn thu được

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Bia \r\n				\r\n Năng lượng\r\n chuẩn \r\n (keV) \r\n	\r\n Suất Kerma\r\n không khí¹⁾ \r\n (Gy.h^-1) \r\n
\r\n Vật liệu \r\n	\r\n Kích thước \r\n (mm) \r\n	\r\n Khối lượng\r\n (kg) \r\n	\r\n Độ tinh khiết\r\n (%) \r\n	\r\n Năng lượng\r\n chuẩn \r\n (keV) \r\n	\r\n Suất Kerma\r\n không khí¹⁾ \r\n (Gy.h^-1) \r\n
\r\n Titan \r\n	\r\n 550 x 100 x 15 \r\n	\r\n 3,7 \r\n	\r\n 98 \r\n	\r\n 6,0 ± 0,5 \r\n	\r\n 0,8 \r\n
\r\n Niken \r\n	\r\n 550 x 100 x 10 \r\n	\r\n 4,9 \r\n	\r\n 98 \r\n	\r\n 8,5 ± 0,5 \r\n	\r\n 1,2 \r\n
\r\n 1) Suất kerma không khí tính tại khoảng\r\n cách 5 m đối với chùm nơtron nhiệt có thông lượng 1,5x10¹³cm^-2s^-¹. Các giá\r\n trị đưa ra chỉ\r\n để tham khảo;\r\n các giá trị này thu được khi sử dụng tấm lọc có hàm lượng 102 g.cm^-2 pôlyêtilen\r\n và 14 g.cm^-² nhôm. Sử dụng các\r\n tấm lọc khác nhau sẽ tạo ra suất\r\n kerma không khí khác nhau. \r\n

\r\n\r\n

Các bức xạ chuẩn và sự nhiễm bẩn của nó có thể\r\nđược đánh giá khi đo sự đóng góp vào biên độ của xung (xem Hình 10, 11, 12 và\r\n13). Vì sự thay đổi đáp ứng phụ thuộc vào năng lượng photon của hầu hết các máy\r\nđo liều và suất liều là nhỏ và liên tục trong dải năng lượng từ 4 MeV đến 9\r\nMeV, sự đóng góp của photon nhiễu có năng lượng xung quanh 1 MeV có thể được loại\r\nbỏ. Trong các thiết bị chứa berili, chì hay thiếc, các ảnh hưởng gây bởi các phản ứng\r\nquang hạt nhân trong các vật chất này là không đáng kể. Các biện pháp nhằm giảm\r\nbớt sự đóng góp của photon nhiễu được trình bày trong các tài liệu tham khảo [17],\r\n[18], [21], [24], và [25]. Phương pháp phổ biến nhất được trình bày từ 7.4.2 đến 7.4.4.

\r\n\r\n

7.4.2. Sự nhiễm bẩn bức xạ\r\nchuẩn chung từ tất cả các phương pháp tạo ra bức xạ\r\nchuẩn

\r\n\r\n

7.4.2.1. Các photon có năng lượng\r\n0,511 MeV được tạo ra bởi quá trình hủy cặp pozitron trong buồng, bia và vách của\r\nphòng chuẩn và trong các vật liệu làm tấm lọc nếu được sử dụng.

\r\n\r\n

7.4.2.2. Các hạt bêta được tạo\r\nra trong bia như là kết quả của phản ứng hạt nhân, hoặc các hạt điện tử tạo ra\r\nbởi các photon gần bia và trong không khí sẽ gây ra một sự lẫn tạp đáng kể vào\r\nbức xạ chuẩn. Ngoài ra sự lẫn tạp còn bị gây ra bởi sự đóng góp của bức\r\nxạ hãm liên quan.

\r\n\r\n

7.4.2.3. Sự tán xạ của các\r\nphoton ở trong bia và trong các vật liệu xung quanh tạo photon năng lượng thấp\r\nhơn và đóng góp ít nhất 1% vào\r\nsuất kerma không khí.

\r\n\r\n

7.4.3. Sự lẫn tạp khác khi sử\r\ndụng máy gia tốc để tạo bức xạ\r\nchuẩn từ sự giải phóng trạng\r\nthái kích thích của ¹⁶O (xem 7.2.1).

\r\n\r\n

Sự lẫn tạp trình bày trong 7.4.2 có thể\r\nđược giảm bớt bằng cách giảm khối lượng bia, tách các bức xạ gamma tạo ra từ\r\ncác phản ứng hạt nhân trong bia. Proton có năng lượng trong khoảng 2 MeV đến 3 MeV sẽ tạo ra\r\nphoton có năng lượng trong khoảng 0,1 MeV đến 1,5 MeV theo phản ứng ¹⁹F(p,p'g)¹⁹F có hiệu\r\nsuất tăng lên theo năng lượng proton. Với proton có năng lượng 2,7 MeV, phản ứng\r\nnày đóng góp khoảng 4% vào suất kerma không khí của bức xạ chuẩn có năng lượng\r\ntừ 6 MeV đến 7 MeV. sử dụng các tấm lọc được làm từ vật liệu nặng bao xung\r\nquanh bia sẽ loại bỏ được phần photon năng lượng thấp. Tuy nhiên sẽ làm tăng đóng\r\ngóp của các điện tử thứ cấp tạo ra và tăng sự đóng góp của bức xạ hủy cặp.

\r\n\r\n

7.4.4. Sự lẫn tạp khác khi sử\r\ndụng phản ứng nơtron tạo bức xạ chuẩn

\r\n\r\n

7.4.4.1. Sự lẫn tạp khi sử dụng\r\nphản ứng gamma bắt nơtron nhiệt trên bia tital\r\nhoặc niken để tạo bức xạ chuẩn (xem 7.2.3).

\r\n\r\n

Ngoài các bức xạ tạp tạo ra được trình bày trong\r\n7.4.2, chùm bức xạ chuẩn tạo ra còn chứa bức xạ photon năng lượng thấp\r\n(xem Bảng 16) và các photon được tạo ra do hiệu ứng tán xạ Comptôn, đặc biệt\r\ntrong các tấm lọc được bổ sung nhằm\r\nlàm giảm sự lẫn tạp của photon năng lượng thấp. Các bức xạ photon có năng lượng\r\ndưới 5 MeV trong bức xạ chuẩn được tạo ra bởi bia tital và dưới 6,8 MeV được tạo\r\nra trong bia niken sẽ được giảm bớt\r\nbằng cách sử dụng tấm lọc bổ sung. Do đó, đóng góp của các photon năng lượng thấp\r\ndưới các mức nói trên sẽ không vượt\r\nquá 10% tổng suất kerma không khí.

\r\n\r\n

Trong một ví dụ được đưa ra trong Tài\r\nliệu tham khảo [23], bằng cách sử dụng tấm lọc bổ sung có chiều dày 30cm nhôm\r\nđã làm giảm suất kerma do đóng góp của phần photon lẫn tạp. Do đó, năng lượng\r\ntrung bình hiệu dụng của chùm bức xạ chuẩn đã tăng từ 4,5 MeV tới 6,4\r\nMeV đối với bia titan và từ 7,0 MeV đến 8,1 MeV đối với bia niken.

\r\n\r\n

Một sự lẫn tạp khác gây ra bởi bức xạ\r\nnơtron tạo ra từ quá trình hủy cặp photon, sự lẫn tạp này sẽ được xác định\r\nbằng cách sử dụng các đầu dò nơtron.

\r\n\r\n

7.4.4.2. Sự lẫn tạp vào bức xạ\r\nchuẩn được tạo ra từ quá trình phân ra hạt nhân phóng xạ N-16

\r\n\r\n

Ngoài các bức xạ tạp tạo ra được trình\r\nbày trong 7.4.2, chùm bức xạ chuẩn tạo ra còn chứa các photon năng lượng thấp\r\nphát ra từ các sản phẩm kích hoạt khác nhau, trong đó đóng góp quan trọng nhất\r\nphải kể đến là các photon có năng lượng 2,754 MeV và 1,369 MeV sinh ra từ hạt\r\nnhân ²⁴Na.

\r\n\r\n

a) 10 kV đến 70 kV

\r\n\r\n

(phổ 10 kV là phổ thực nghiệm, còn lại\r\nlà phổ lý thuyết)

\r\n\r\n

b) 100 kV đến 240 kV (lý thuyết)

\r\n\r\n

Hình 1 - Nhóm\r\nphổ có suất liều kerma không\r\nkhí thấp

\r\n\r\n

a) 10 kV đến 80 kV (phổ 10 kV\r\nvà 15 kV là phổ thực nghiệm, còn lại là phổ lý thuyết)

\r\n\r\n

b) 100 kV tới 300 kV (lý thuyết)

\r\n\r\n

Hình 2 - Nhóm\r\nphổ hẹp

\r\n\r\n

Hình 3 - Nhóm phổ rộng\r\n(lý\r\nthuyết)

\r\n\r\n

a) 10 kV tới 200 kV (từ 10 kV đến\r\n30 kV là phổ thực nghiệm, còn lại là phổ lý thuyết)

\r\n\r\n

b) 250 kV đến 300 kV (lý\r\nthuyết)

\r\n\r\n

Hình 4 - Nhóm\r\nphổ có suất liều kerma không\r\nkhí cao

\r\n\r\n

Hình 5 - Phổ\r\nuran

\r\n\r\n

Hình 6 - Sơ đồ khối của\r\nthiết bị phát tia X đặc trưng ở lớp vỏ K

\r\n\r\n

Hình 7 - Ví dụ của một\r\nhệ chuẩn trực

\r\n\r\n

Hình 8 - Các\r\nmức năng lượng và suất lượng tử của bức xạ phát ra từ quá trình phân rã ¹⁶N (trái) và từ\r\nquá trình giải phóng\r\nnăng lượng từ trạng thái kích thích của ¹⁶O được tạo ra\r\nbởi bức xạ\r\nproton tới có năng lượng 340,5 keV đập vào bia ¹⁹F (phải) [22]

\r\n\r\n

Hình 9 - Suất lượng tử\r\ntương đối (trong trường hợp bia mỏng) là hàm của năng lượng được xác định qua phản ứng\r\n¹⁹F(p,ag)¹⁶O

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Ngoài hai\r\nnhóm phản ứng tạo bức xạ trong dải từ 6 MeV đến 7 MeV, còn có phản ứng tạo bức\r\nxạ năng lượng 511 keV.

\r\n\r\n

Hình 10 - Ví\r\ndụ về phổ thông lượng photon của bức xạ chuẩn trong dải 6 MeV - 7 MeV, năng lượng proton\r\n2,7 MeV

\r\n\r\n

Hình 11 - Ví\r\ndụ về phổ thông lượng\r\ncủa bức xạ chuẩn 4,4 MeV, proton có năng lượng 5,5\r\nMeV

\r\n\r\n

Hình 13 - Phổ\r\nphoton của “chùm niken”

\r\n\r\n

Hình 14 - Ví\r\ndụ về một cơ sở\r\nchiếu xạ để tạo ra bẫy bức xạ gamma

\r\n\r\n

Phụ lục A

\r\n\r\n

(Tham khảo)

\r\n\r\n

Thư mục tài liệu tham khảo

\r\n\r\n

[1 ] International Commission on\r\nRadiation Units and Measurements. Radiation Quantities and Units. ICRU.

\r\n\r\n

[2] International Commission on Radiation\r\nUnits and Measurements. Radiation Dosimetry: X-Rays Generated at Potentials of\r\n5 to 150 kV. ICRU Report 17, 1970.

\r\n\r\n

[3] ILES, W.J. Conversion coefficients\r\nfrom Air Kerma to Ambient Dose equivalent for the International Standard\r\nOrganization - Wide narrow\r\nand Low series of Reference filtered X Radiation. NRPB Report 206, 1987.

\r\n\r\n

[4] PEAPLE, L.H.J., BIRCH, R.\r\nand MARSHALL, M. Measurements and the ISO Series of filtered\r\nradiations. United Kingdom Atomic Energy Authority report R 13424, 1989.

\r\n\r\n

[5] SEELETAG, W.W., PANZER., W., DREXLER, G.,\r\nPLATZ, L. and SANTNER, F. Catalogue of Spectra for the calibration of\r\nDosimeters. GSF Bericht 560, Munich: Gesellschaft für Strahlen und\r\nUmweltforschung mbH.

\r\n\r\n

[6] LAITANO, R.F., PANI, R., PELLEGRINI,\r\nR. and TONI, M.P. Energy\r\nDistributions and Air-Kerma rates of ISO and BIPM Reference filtered X-\r\nRadiations, ENEA Publication RT/AMB/90, 1990.

\r\n\r\n

[7] Read, I. r and hagreen, m. The ISO\r\nNarrow spectrum series of filtered X-Radiations at NPL. NPL Report RS (EXT) 92,\r\n1987.

\r\n\r\n

[8] Bueermann, I., Guldbakke, S. and Kramer,\r\nH.M. To be published.

\r\n\r\n

[9] Trout, e.d., Kelly, J.P. and Lucas,\r\nA.C.\r\nDetermination of Half- value layer. Am. J. Roentgenology, 85, 1960, p. 933.

\r\n\r\n

[10] Taylor, l.s. Physical foundations of\r\nRadiology, 2nd Edition, 1959, pp. 227-257.

\r\n\r\n

[11] ISO 3534-1:1993, Statistics - Vocabulary\r\nand symbols - Part 1:\r\nProbability and general statistical terms.

\r\n\r\n

[12] ISO 8963: 1998, Dosimetry of X and\r\ngamma reference\r\nradiations for radiation protection over the ennergy range from 8 keV to 1,3\r\nMeV.

\r\n\r\n

[13] Woods. M.J. The half-\r\nlife of 137Cs, A critical\r\nreview. Nucl.\r\nInstr. Methods, A, 286, 1990, pp. 576-583.

\r\n\r\n

[14] International Commission on Radiation\r\nUnits and Measurement. Radiation Quantities and Units. ICRU Report 33, 1980.

\r\n\r\n

[15] Roos, m. and Grosswendt, b. Asimplified method\r\nfor Large range variations of Dose rate for 137Cs gamma\r\nradiation. Radiat. prot. dosim., 18, 1987, pp. 147-151.

\r\n\r\n

[16] Roos, M. and Grosswendt, b. Variation\r\nder Dosisleistung von 60Co-Gammastrahlung bei geringer beeinflussung des\r\nspektrums. Medizinische physik, ed. D. Haeder, 1990, pp. 290-291.

\r\n\r\n

[17] Hall, R.s. and Polle, d.h. A radiation\r\nsource using a positive ion accelerator. Central electricity generating board,\r\nBarkeley laboratories, Report RD/B/N265, 1967.

\r\n\r\n

[18] Rogers, D.a. Nearly mono-energetic 6\r\nto 7 MeV Photon calibration source. Health Phys. 45(1). 1983. pp. 127-137.

\r\n\r\n

[19] Duvall, K.c., soares, C.g., heaton\r\nII, h.t. and seltzer, s.m. The development of a 6 and 7 MeV photon field for\r\ninstrument calibration. Nucl. Instrum. methods, B10/11, 1985, pp.\r\n942-945.

\r\n\r\n

[20] Guldbakke, s. and SchẤffler, d.\r\nProperties of High-energy photon fields to be applied for calibration purposes.\r\nNucl. Instrum. methods,\r\nA299, 1990, pp. 367-371.

\r\n\r\n

[21] Bermann, f. et all. Capture Gamma ray\r\nbeam for the calibration of radioprotection dosimeters between 5 and 9 MeV.\r\nRadiat. Prot. Dosim., 30(4), 1990, pp. 237-243.

\r\n\r\n

[22] Lone, M.a., leavitt, r.a., and\r\ngarrison, d.a. Prompt Gamma-rays from therman neutron\r\ncapture.\r\nAtomic data and nuclear\r\ndata tables, 26, 1981. p. 511.

\r\n\r\n

[23] Vorbrugg, w. and zill, h.w. Erzeugung\r\nhochenergetisher photonenbỹndel durch einfang thermisher neutronen. 6th Int. Congr.\r\nIRPA "Radiation - Risk\r\nprotetion" Berlin (West), 7-12 Mai, 1984, pp. 1158-1160.

\r\n\r\n

[24] Beck, J. et all. Test vershiedener\r\nGamma-detektoren zum Nachweis der N-16 Strahlung bei Leckagen im Warmeỹbertragungssystem\r\nvon Kernkraftwerken. Atomkernerg./Kerntech., 34, 1979,pp. 57-60.

\r\n\r\n

[25] Neault, P.j. et all. The\r\ndosimetry of Nitrogen-16. M. Sc. Thesis, Lowell Technological Institute, 1980.

\r\n\r\n

[26] Bermann, F. and troesch, g. Ếtalonnage\r\nde dộtecteur de radiprotection avec des g de haute ộnergie: Utilisation\r\nd'un faisceau de g de capture. Vlllốme\r\nCongrốs International de la Sociộtộ francaise de radioprotection, Saclay, March\r\n23-26, 1976, pp. 538-565.

\r\n\r\n

[1] Môi trường ở\r\nđây là nói đến tường, các giá đỡ và các phụ kiện khác của hệ thống thiết bị.

\r\n\r\n

[2]⁾ Dạng lắp đặt này tạo ra\r\nnhiều nhất là 5%\r\nproton đối với ¹³⁷Cs và ít hơn đối với ⁶⁰Co.

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n"

Từ khóa: Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN7942-1:2008, Tiêu chuẩn Việt Nam số TCVN7942-1:2008, Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN7942-1:2008 của Đã xác định, Tiêu chuẩn Việt Nam số TCVN7942-1:2008 của Đã xác định, Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN7942 1:2008 của Đã xác định, TCVN7942-1:2008

File gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7942-1:2008 (ISO 4037-1 : 1996) về An toàn bức xạ – Bức xạ chuẩn tia X và gamma hiệu chuẩn liều kế và máy đo suất liều và xác định đáp ứng của thiết bị theo năng lượng photon – Phần 1: Đặc tính bức xạ và phương pháp tạo ra bức xạ đang được cập nhật.

Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7942-1:2008 (ISO 4037-1 : 1996) về An toàn bức xạ – Bức xạ chuẩn tia X và gamma hiệu chuẩn liều kế và máy đo suất liều và xác định đáp ứng của thiết bị theo năng lượng photon – Phần 1: Đặc tính bức xạ và phương pháp tạo ra bức xạ

- File PDF đang được cập nhật

- File Word Tiếng Việt đang được cập nhật

Cơ quan ban hành	Đã xác định
Số hiệu	TCVN7942-1:2008
Loại văn bản	Tiêu chuẩn Việt Nam
Người ký	Đã xác định
Ngày ban hành	2008-01-01
Ngày hiệu lực
Lĩnh vực	Hóa chất
Tình trạng	Còn hiệu lực

TT	Tên sản phẩm	Giá tiền	Đăng ký
1	Gói cơ bản – 1 năm	350.000 ₫	Đăng nhập
2	Gói cơ bản – 2 năm	700.000 ₫	Đăng nhập
3	Gói cơ bản – 3 năm	1.000.000 ₫	Đăng nhập
4	Gói cơ bản – 6 tháng	180.000 ₫	Đăng nhập
5	Gói cơ bản – 5 năm	1.600.000 ₫	Đăng nhập
6	Gói nâng cao – 1 năm	1.100.000 ₫	Đăng nhập
7	Gói nâng cao – 2 năm	2.300.000 ₫	Đăng nhập
8	Gói nâng cao – 3 năm	3.400.000 ₫	Đăng nhập
9	Gói nâng cao – 6 tháng	594.000 ₫	Đăng nhập
10	Gói nâng cao – 5 năm	5.800.000 ₫	Đăng nhập

Hóa chất

Chính sách mới

Tin văn bản

Tóm tắt

NỘI DUNG

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Chọn gói sản phẩm

Hóa chất

Chính sách mới

Tin văn bản

Tóm tắt

NỘI DUNG

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Đăng nhập

Đăng ký

Chọn gói sản phẩm