Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 7914:2008 hoàn toàn tương đương với\r\nISO/ASTM 51956:2005;
\r\n\r\nTCVN 7914:2008 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc\r\ngia TCVN/TC/F5 Vệ sinh thực phẩm và chiếu xạ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn\r\nĐo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\n\r\n\r\n
1.1. Tiêu chuẩn này bao gồm các qui trình sử dụng\r\nliều kế nhiệt huỳnh quang (TLD) để xác định liều hấp thụ trong các vật liệu\r\nđược chiếu xạ bởi bức xạ photon hoặc điện tử được quy là liều hấp thụ trong\r\nnước.
\r\n\r\n1.2. Tiêu chuẩn này bao gồm các hệ đo liều hấp\r\nthụ được thực hiện trong các điều kiện sau đây:
\r\n\r\n1.2.1. Dải liều hấp thụ từ 1 Gy đến 100 kGy.
\r\n\r\n1.2.2. Suất liều hấp thụ từ 1 x 10-2 Gy.s-1\r\nđến 1 x 1010 Gy.s-1.
\r\n\r\n1.2.3. Dải năng lượng bức xạ đối với các photon và\r\nđiện tử có năng lượng từ 0,1 MeV đến 50 MeV.
\r\n\r\n1.3. Tiêu chuẩn này không đề cập đến các phép đo\r\nliều hấp thụ và suất liều hấp thụ trong các vật liệu được chiếu xạ bởi nơtron.
\r\n\r\n1.4. Các qui trình sử dụng TLD để xác định liều\r\nhấp thụ trong thử nghiệm khả năng chịu bức xạ của các thiết bị điện tử được nêu\r\ntrong ASTM Practice E668.
\r\n\r\n1.5. Tiêu chuẩn này không đề cập đến tất cả các\r\nvấn đề liên quan đến an toàn. Trách nhiệm của người sử dụng tiêu chuẩn này là\r\nphải tự thiết lập các các tiêu chuẩn thực hành thích hợp đảm bảo an toàn về sức\r\nkhỏe cũng như phải xác định rõ giới hạn quy định trước khi quyết định áp dụng\r\ntiêu chuẩn.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác tài liệu viện dẫn sau là rất cần thiết\r\ncho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố\r\nthì áp dụng phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm\r\ncông bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả các sửa đổi.
\r\n\r\n2.1. Tiêu chuẩn ASTM
ASTM E 170 Terminology Relating to Radiation\r\nMeasurements and Dosimetry (Thuật ngữ liên quan đến các phép đo bức xạ và đo\r\nliều).
\r\n\r\nASTM E 668 Practice for Application of Thermoluminescence-Dosimetry\r\n(TLD) Systems for Determining Absorbed Dose in Radiation-Hardness Testing of\r\nElectronic Devices (Thực hành đối với việc ứng dụng các hệ đo liều nhiệt huỳnh quang\r\n(TLD) để xác định liều hấp thụ trong việc thử nghiệm khả năng chịu bức xạ của các\r\nthiết bị điện tử).
\r\n\r\nASTM E 2303 Guide for Absorbed-Dose Mapping in\r\nRadiation Processing Facilities (Hướng dẫn xác định trường phân bố liều hấp thụ\r\ncủa thiết bị xử lý bằng bức xạ).
\r\n\r\n2.2. Tiêu chuẩn ISO/ASTM
\r\n\r\nTCVN 7248:2008 (ISO/ASTM 51204) Tiêu chuẩn thực\r\nhành đo liều áp dụng cho thiết bị chiếu xạ gamma dùng để xử lý thực phẩm.
\r\n\r\nISO/ASTM 51261 Guide for Selection and Calibration\r\nof Dosimetry Systems for Radiation Processing (Hướng dẫn lựa chọn và hiệu chuẩn\r\ncác hệ đo liều trong công nghệ xử lý bằng bức xạ).
\r\n\r\nISO/ASTM 51400 Practice for Characterization\r\nand Performance of a High-Dose Radiation Dosimetry Calibration Laboratory (Thực\r\nhành xác định các đặc tính và chất lượng vận hành của phòng thử nghiệm hiệu\r\nchuẩn liều cao trong phép đo liều bức xạ).
\r\n\r\nISO/ASTM 51431 Practice for Dosimetry in\r\nElectron Beam and X-ray (Bremsstrahlung) Irradiation Facilities for Food Processing\r\n(Thực hành đo liều đối với các thiết bị chiếu xạ sử dụng bức xạ hãm tia X và\r\nchùm tia điện tử để xử lý thực phẩm).
\r\n\r\nISO/ASTM 51608 Practice for Dosimetry in an\r\nX-ray (Bremsstrahlung) Facility for Radiation Processing (Thực hành đo liều\r\ntrong thiết bị chiếu xạ tia X (Bức xạ hãm) để xử lý thực phẩm).
\r\n\r\nISO/ASTM 51649 Practice for Dosimetry in an Electron\r\n- Beam - Facility for Radiation Processing at Energies Between 300 keV and 25\r\nMeV (Thực hành đo liều trong thiết bị chiếu xạ chùm tia điện tử ở năng lượng từ\r\n300 keV đến 25 MeV trong công nghệ xử lý bằng bức xạ).
\r\n\r\nISO/ASTM 51702 Practice for Dosimetry In\r\nGamma Irradiation Facilities for Radiation Processing (Thực hành đo liều đối\r\nthiết bị chiếu xạ gamma trong công nghệ xử lý bằng bức xạ).
\r\n\r\nISO/ASTM 51707 Guide for Estimating\r\nUncertainties in Dosimetry for Rariation processing (Hướng dẫn đánh giá sai số\r\nđối với các phép đo liều trong công nghệ xử lý bằng bức xạ).
\r\n\r\nISO/ASTM 51939 Practice for Blood Irradiation\r\nDosimetry (Thực hành đo liều trong chiếu xạ máu).
\r\n\r\nISO/ASTM 51940 Guide for Dosimetry for\r\nSterile Insect Release Programs (Hướng dẫn đo liều đối với các chương trình\r\nchiếu xạ diệt côn trùng, nấm mốc).
\r\n\r\nISO/ASTM 52116 Practice for Dosimetry for a Self-Contained\r\nDry-Storage Gamma-Ray Irradiator (Thực hành đo liều đối với máy chiếu xạ tia\r\ngamma với nguồn phóng xạ được bảo quản khô).
\r\n\r\n2.3. Báo cáo của Cơ quan Quốc tế về các Đơn\r\nvị và các Phép đo liều bức xạ (ICRU)
ICRU Report 14 - Radiation Dosimetry: X-Rays and\r\nGamma Rays with Maximum Photon Energies Between 0.6 MeV and 50 MeV (Báo cáo\r\nICRU 14 - Đo liều bức xạ: tia X và gamma với năng lượng photon tối đa từ 0,6\r\nMeV đến 50 MeV).
\r\n\r\nICRU Report 17 Radiation Dosimetry: X Rays\r\nGenerated at Potentials of 5 to 150 kV (Báo cáo ICRU 17 - Đo liều bức xạ: Đối\r\nvới tia X được sinh ra tại các hiệu điện thế từ 5 kV đến 150 kV).
\r\n\r\nICRU Report 34 The Dosimetry of Pulsed\r\nRadiation (Báo cáo ICRU 34 - Đo liều bức xạ xung).
\r\n\r\nICRU Report 60 Fundamental Quantities and Units\r\nfor Ionizing Radiation (Báo cáo ICRU 60 - Các đơn vị và các loại cơ bản của bức\r\nxạ ion hóa).
\r\n\r\n\r\n\r\n3.1. Định nghĩa
\r\n\r\n3.1.1. Suất liều hấp thụ
Liều hấp thụ trong vật liệu trên số gia của thời\r\ngian, là tỷ số của dD và dt.
\r\n\r\nD = (1)
\r\n\r\nđơn vị là Gy.s-1.
\r\n\r\n3.1.1.1. Thảo luận
(1) Suất liều hấp thụ thường được xác định\r\nbởi giá trị trung bình của nó trong những khoảng thời gian dài hơn, ví dụ: với\r\nđơn vị là Gy.min-1 hoặc Gy.h-1.
\r\n\r\n(2) Đối với thiết bị chiếu xạ gamma thì suất\r\nliều có thể rất khác nhau tại các vị trí khác nhau.
\r\n\r\n(3) Trong các thiết bị chiếu xạ chùm điện tử\r\nvới chùm tia dạng xung hoặc dạng quét thì có hai loại suất liều là: giá trị\r\ntrung bình trên một vài xung (quét) và giá trị tức thời đối với một xung\r\n(quét). Hai giá trị này có thể khác nhau đáng kể.
\r\n\r\n3.1.2. Nung liều kế
Quá trình xử lý nhiệt của TLD trước khi chiếu\r\nxạ hoặc trước khi đọc kết quả.
\r\n\r\n3.1.2.1. Thảo luận
Nung TLD trước khi chiếu xạ thường tiến hành để\r\nxoá các hiệu ứng của các lần chiếu xạ trước đó và để điều chỉnh lại độ nhạy của\r\nchất phát quang; việc nung liều kế trước khi đọc kết quả thường được tiến hành\r\nđể giảm độ nhạy TDL ở nhiệt độ thấp.
\r\n\r\n3.1.3. Hiệu chuẩn
Tập hợp các thao tác được thực hiện trong các\r\nđiều kiện qui định, nhằm thiết lập mối liên hệ giữa các số đọc của dụng cụ đo hoặc\r\nhệ đo và các giá trị tương ứng đọc được bằng các liên kết chuẩn đo lường phòng thử\r\nnghiệm quốc gia hoặc quốc tế được công nhận.
\r\n\r\n3.1.3.1. Thảo luận
Các điều kiện hiệu chuẩn bao gồm các điều\r\nkiện môi trường, điều kiện chiếu xạ có mặt trong suốt quá trình chiếu xạ, bảo quản\r\nvà đo liều của các liều kế được sử dụng để dựng đường chuẩn. Để đạt được các\r\nđiều kiện môi trường ổn định thì có thể cần đảm bảo các điều kiện của liều kế\r\ntrước khi thực hiện qui trình hiệu chuẩn.
\r\n\r\n3.1.4. Đường chuẩn
Biểu diễn bằng đồ thị hàm đặc trưng độ nhạy\r\ncủa hệ đo liều.
\r\n\r\n3.1.5. Thiết bị hiệu chuẩn
Sự kết hợp của một nguồn bức xạ ion hóa và\r\ndụng cụ đo liên quan, cho phép thiết lập liều hấp thụ hoặc suất liều hấp thụ\r\nđồng đều tại một vị trí xác định trong vật liệu cụ thể và có khả năng tái lập\r\nhoặc suất liều hấp thụ có thể liên kết chuẩn đo lường quốc gia hoặc quốc tế và\r\nđược sử dụng để xác định độ nhạy hoặc đường chuẩn của hệ đo liều.
\r\n\r\n3.1.6. Trạng thái cân bằng các hạt tích điện
Điều kiện tồn tại trong một vi phân thể tích\r\nvật liệu, dưới quá trình chiếu xạ tổng động năng và số lượng các hạt tích điện\r\n(của mỗi loại ion) đi vào vi phân thể tích bằng động năng và số lượng các hạt\r\ntích điện đi ra khỏi vi phân thể tích đó.
\r\n\r\n3.1.6.1. Thảo luận
Khi các điện tử là các hạt điện tích chủ yếu\r\nthì các hạt tích điện chính là các hạt "cân bằng điện tử" thường được\r\nsử dụng để mô tả trạng thái cân bằng hạt tích điện.
\r\n\r\n3.1.7. Mẻ liều kế
Số liều kế được sản xuất từ một lượng vật\r\nliệu nhất định có thành phần đồng nhất, được chế tạo trên một dây chuyền sản\r\nxuất được khống chế theo các điều kiện nhất định, và có mã nhận dạng thống nhất.
\r\n\r\n3.1.8. Liều kế dự trữ
Một phần của mẻ liều kế do người sử dụng lưu\r\ngiữ.
\r\n\r\n3.1.9. Hệ đo liều
Hệ được dùng để xác định liều hấp thụ bao gồm\r\ncác liều kế, các dụng cụ đo liều và các chuẩn có liên quan cũng như các quy\r\ntrình sử dụng chúng.
\r\n\r\n3.1.10. Trạng thái cân bằng điện tử
Trạng thái cân bằng các hạt tích điện đối với\r\ncác điện tử. Xem trạng thái cân bằng các hạt tích điện (3.1.6).
\r\n\r\n3.1.11. Kế hoạch đảm bảo chất lượng của phép\r\nđo\r\n(Measurement quality assurance plan)
\r\n\r\nChương trình được văn bản hóa đối với quá\r\ntrình đo nhằm đảm bảo rằng độ không đảm bảo mở rộng của phép đo liều luôn đáp\r\nứng các yêu cầu của ứng dụng cụ thể. Kế hoạch này yêu cầu liên kết với chuẩn đo\r\nlường quốc gia hoặc quốc tế được công nhận.
\r\n\r\n3.1.12. Tính liên kết chuẩn đo lường
Khả năng minh chứng bằng một chuỗi phép so\r\nsánh liên tục phép đo đều đạt giới hạn chấp nhận được về độ không đảm bảo đo so\r\nvới chuẩn quốc gia hoặc chuẩn quốc tế được công nhận.
\r\n\r\n3.1.13. Liều kế chuẩn đầu
Loại liều kế có chất lượng cao nhất được dùng\r\nđể thiết lập và duy trì như chuẩn quốc gia hoặc quốc tế được công nhận.
\r\n\r\n3.1.14. Đơn vị nạp hàng
Thể tích vật liệu với cấu hình nạp hàng cụ\r\nthể như một thực thể riêng rẽ để chiếu xạ.
\r\n\r\n3.1.15. Đảm bảo chất lượng
Toàn bộ những hoạt động mang tính hệ thống cần\r\nthiết nhằm cung cấp chứng cứ đầy đủ về phép hiệu chuẩn, phép đo hoặc một quá\r\ntrình xử lý được thực hiện với mức chất lượng đã được định trước.
\r\n\r\n3.1.16. Vị trí liều so sánh
Vị trí (bên trên, bên trong, hoặc gần vật\r\nliệu được nạp) ở đó giá trị liều hấp thụ có thể tái lập và có quan hệ với giá\r\ntrị liều hấp thụ cực đại hoặc cực tiểu trong quá trình nạp nguyên liệu.
\r\n\r\n3.1.16.1. Thảo luận
Liều kế có thể được đặt tại vị trí so sánh\r\nnày để kiểm soát quá trình trong chiếu xạ sản xuất thông thường.
\r\n\r\n3.1.17. Liều kế chuẩn chính
Liều kế có chất lượng cao dùng để cung cấp\r\ncác phép đo chuẩn mà đã được xác nhận bởi phép đo dùng liều kế chuẩn đầu.
\r\n\r\n3.1.18. Hàm đặc trưng độ nhạy
Mối quan hệ toán học giữa độ nhạy của liều kế\r\nvà liều hấp thụ đối với hệ đo liều đó.
\r\n\r\n3.1.19. Liều kế thường xuyên
Liều kế được hiệu chuẩn dựa trên liều kế\r\nchuẩn đầu, chuẩn chính hoặc liều kế truyền chuẩn và được dùng để đo liều thường\r\nxuyên
\r\n\r\n3.1.20. Sản phẩm tương tự
Vật liệu có mật độ và các đặc tính suy giảm\r\nvà tán xạ giống sản phẩm được chiếu xạ.
\r\n\r\n3.1.20.1. Thảo luận
Sản phẩm tương tự được sử dụng để thay thế\r\ncho sản phẩm thực khi xác định đặc tính của máy chiếu xạ. Khi sử dụng bù vào\r\nsản phẩm còn thiếu khi chiếu xạ hàng ngày, sản phẩm tương tự còn được gọi là\r\nvật liệu thay thế. Khi dùng để đo biểu đồ phân bố liều, sản phẩm tương tự còn\r\nđược gọi là "vật liệu giả".
\r\n\r\n3.1.21. Lưu trữ liều kế
Xem Liều kế dự trữ (3.1.8).
\r\n\r\n3.1.22. Liều kế nhiệt huỳnh quang (TLD)
Chất phát quang có thể ở dạng đơn chất hoặc\r\nhợp chất trong vật liệu, được dùng để xác định liều hấp thụ trong các vật liệu.
\r\n\r\n3.1.22.1. Thảo luận
Ví dụ, tinh thể nhiệt phát quang đôi khi ở\r\ndạng hợp chất trong mạng cacbon phát quang.
\r\n\r\n3.1.23. Máy đọc liều kế nhiệt huỳnh quang\r\n(TLD) [Thermoluminescence\r\ndosimeter (TLD) reader]
\r\n\r\nThiết bị sử dụng để đo ánh sáng phát ra từ\r\nTLD, bao gồm một thiết bị gia nhiệt, dụng cụ đo ánh sáng, và các thiết bị điện\r\ntử thích hợp.
\r\n\r\n3.1.24. Độ nhạy của liều kế nhiệt huỳnh quang\r\n(TLD)\r\n[Thermoluminescence dosimeter (TLD) response]
\r\n\r\nLượng ánh sáng đo được phát ra từ TLD và nó được\r\nđọc trong suốt chu trình gia nhiệt bao gồm một trong những dạng sau: (a) tổng\r\nlượng ánh sáng phát ra trên toàn bộ chu trình gia nhiệt, (b) một phần của tổng\r\nlượng ánh sáng phát ra, hoặc (c) độ lớn pic của lượng ánh sáng phát ra.
\r\n\r\n3.1.25. Tinh thể nhiệt phát quang (TL)
Loại vật liệu khi bị chiếu xạ có khả năng\r\ntích trữ lại một phần năng lượng (liều) hấp thụ bức xạ trong nó ở các trạng\r\nthái kích thích năng lượng khác nhau. Khi có kích thích nhiệt thì phần năng\r\nlượng tích trữ này được giải phóng dưới dạng phát ra các photon ánh sáng trong\r\ncác vùng tử ngoại nhìn thấy và hồng ngoại.
\r\n\r\n3.1.26. Chuẩn bị liều kế nhiệt huỳnh quang\r\n(TLD)\r\n[TLD preparation]
\r\n\r\nCác qui trình làm sạch, nung nóng, và đóng\r\nbao tinh thể nhiệt phát quang TL trước khi chiếu xạ.
\r\n\r\n3.1.27. Liều kế truyền chuẩn
Thông thường là liều kế chuẩn chính thích hợp\r\nđể vận chuyển từ các địa điểm khác nhau được sử dụng, để so sánh các phép đo\r\nliều.
\r\n\r\n3.2. Định nghĩa về các thuật ngữ khác dùng trong\r\ntiêu chuẩn này có liên quan đến phép đo bức xạ và đo liều có thể tham khảo ở\r\ntài liệu ASTM E 170. Định nghĩa trong E 170 phù hợp với ICRU 60, do đó, ICRU 60\r\ncó thể sử dụng làm tài liệu tham khảo thay thế
\r\n\r\n\r\n\r\n4.1. Trong quá trình chiếu xạ một số vật liệu\r\ndạng tinh thể xác định, ví dụ: LiF, CaF2, CaSO4, Li2B4O7,\r\nvà Al2O3, các trạng thái bẫy nằm giữa trạng thái nối đất\r\nvà vùng dẫn được lấp đầy điện tử và lỗ trống dẫn đến sự tích trữ năng lượng, mà\r\nnó có thể được giải phóng ở dạng ánh sáng bức xạ khi được nung nóng. Hệ đo liều\r\nnhiệt huỳnh quang đưa ra một phương pháp xác định liều hấp thụ trong các vật\r\nliệu bằng cách đo ánh sáng huỳnh quang nói trên bằng việc kiểm soát sự gia\r\nnhiệt vật liệu tinh thể đã được chiếu xạ.
\r\n\r\n4.2. TLD hiện có sẵn trên thị trường được cung\r\ncấp từ nhiều nhà phân phối khác nhau với các loại khác nhau, ví dụ: dạng bột\r\nrời, dạng viên hoặc tinh thể được bao kín bằng thủy tinh hoặc chất dẻo.
\r\n\r\n4.3. Các TLD có thể được tái sử dụng bằng cách\r\nnung các liều kế đã chiếu xạ ở nhiệt độ cao hơn để giải phóng hết tất cả các\r\nbẫy điện tử và lỗ trống.
\r\n\r\n4.4. Trong quá trình chiếu xạ, TLD chủ yếu được\r\ndùng trong chiếu xạ để xử lý các sản phẩm từ máu (xem ISO/ASTM Practice 51939),\r\nchiếu xạ thực phẩm [xem TCVN 7248:2008 (ISO/ASTM 51204) và TCVN 7249:2008\r\n(ISO/ASTM 51431)] và chiếu xạ triệt sinh côn trùng (xem ISO/ASTM Guide 51940).\r\nCác liều kế TLD cũng có thể được sử dụng trong các quá trình xử lý bức xạ thích\r\nhợp khác, ví dụ: tiệt trùng các sản phẩm y tế, biến tính vật liệu polyme, chiếu\r\nxạ các thiết bị điện tử, và xử lý mực in, vật liệu tạo lớp phủ bề mặt, và vật\r\nliệu làm keo dính. (Xem tài liệu tham khảo (1,2)
4.5. Đối với các quá trình xử lý chiếu xạ, dải\r\nliều hấp thụ được quan tâm từ 1 Gy đến 100 kGy. Một số TLD có thể được sử dụng trong\r\nnhững ứng dụng yêu cầu mức liều hấp thụ thấp hơn nhiều (ví dụ, đối với đo liều\r\ncá nhân), nhưng các ứng dụng như vậy nằm ngoài phạm vi của tiêu chuẩn thực hành\r\nnày. Các ví dụ về TLD và dải liều có thể áp dụng được nêu trong Bảng 1. Các\r\nthông tin chi tiết về các loại TLD khác và ứng dụng của chúng có thể tìm thấy\r\ntrong các tài liệu tham khảo (3-8).
\r\n\r\n4.6. Các quy định về chiếu xạ khử trùng sản phẩm y\r\ntế, chiếu xạ các sản phẩm máu, và xử lý thực phẩm đã được ban hành ở nhiều quốc\r\ngia. Các quy định này có thể yêu cầu các hệ đo liều phải được hiệu chuẩn so\r\nsánh với các tiêu chuẩn quốc gia (9,10,11,12). Một hệ đo liều thích hợp\r\ncó sự kiểm soát chất lượng và thống kê đầy đủ là cần thiết để đảm bảo rằng các\r\nsản phẩm được xử lý đúng yêu cầu.
\r\n\r\n4.7. Các phép đo liều thích hợp cần được thực\r\nhiện để đảm bảo rằng sản phẩm nhận đủ liều hấp thụ yêu cầu. Các liều kế cần\r\nđược hiệu chuẩn theo điều 8. Tất cả các yếu tố ảnh hưởng đến độ nhạy của liều\r\nkế, bao gồm các điều kiện của môi trường và những thay đổi các điều kiện của thiết\r\nbị xử lý phải được tính đến và tính toán cẩn thận. Các thiết bị, dụng cụ đo có\r\nliên quan cũng cần được hiệu chuẩn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Đối với các thảo luận về các\r\nphương pháp đo liều áp dụng khác nhau xem ISO/ASTM Guide 51261 và Báo cáo số\r\n14, số 17 và số 34.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n LiF: Mg, Ti \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n LiF: Mg, Cu, P \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CaF2: Mn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CaF2: Dy \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CaF2: Tm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Al2O3: C \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Al2O3: Mg, Y \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n BeO \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n MgO \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CaSO4: Dy và CaSO4:\r\n Tm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Li2B4O7:\r\n Mn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Li2B4O7:\r\n Cu \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n MgB4O7: Dy và MgB4O7:\r\n Tm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n A Bảng này được lấy từ Tài liệu tham khảo\r\n (13). Các dải xấp xỉ và có thể thay đổi theo mẻ. Các khoảng chia nhỏ vượt qua\r\n khỏi tuyến tính viện dẫn từ các vùng dốc của độ nhạy và đường cong liều lớn\r\n hơn so với vùng thẳng. \r\n | \r\n ||
5.1. Các thành phần của hệ đo liều
\r\n\r\nCác thiết bị, dụng cụ sau đây được dùng để\r\nxác định liều hấp thụ bằng hệ đo liều nhiệt huỳnh quang:
\r\n\r\n5.1.1. Liều kế nhiệt huỳnh quang
\r\n\r\n5.1.2. Máy đọc liều kế nhiệt huỳnh quang
\r\n\r\nThiết bị được sử dụng để đo các liều kế TLD,\r\nbao gồm thiết bị gia nhiệt có điều khiển theo chương trình để kiểm soát nhiệt\r\nđộ của liều kế, cho phép giải phóng các điện tử và các khoang trống từ các bẫy\r\nvà khi chúng hợp nhất sẽ kèm theo quá trình phát ra ánh sáng huỳnh quang. ánh\r\nsáng phát ra này là một hàm của nhiệt độ, tạo thành một đường cong huỳnh quang\r\nliên quan đến liều hấp thụ.
\r\n\r\n6.1. Các TLD trần không được thao tác bằng tay\r\ntrần; việc làm bẩn hoặc dây dầu lên bề mặt của liều kế có thể làm ảnh hưởng đến\r\nđộ nhạy của liều kế và có thể làm bẩn buồng gia nhiệt của máy đọc liều kế TLD.\r\nBút chân không hoặc nhíp được bọc bằng tinh thể cacbon TFE nên được dùng để\r\nthao tác với liều kế khi đo. Nếu cần, các liều kế TLD có thể được làm sạch theo\r\ncác qui trình như Phụ lục A1.
\r\n\r\n6.2. Liều kế TLD, đặc biệt là loại có độ nhạy cao\r\nphải được bảo quản tránh ánh sáng ví dụ: ánh sáng mặt trời hoặc huỳnh quang\r\ntrong đó có cả thành phần đáng kể các tia cực tím. Nếu các liều kế TLD tiếp xúc\r\ntrong thời gian dài với ánh sáng cực tím trước hoặc sau khi được chiếu xạ thì\r\ncó thể gây nên đáp ứng giả của liều kế hoặc là làm tăng độ suy giảm tín hiệu\r\ncủa liều kế sau chiếu xạ. Nên sử dụng ánh sáng đèn cao áp trong quá trình chuẩn\r\nbị liều kế và đọc kết quả liều kế. Tuy nhiên, nếu liều kế bị chiếu ngắn trong\r\nkhoảng thời gian vài phút với ánh sáng huỳnh quang phòng thì gần như không có\r\nảnh hưởng đáng kể nào đến độ nhạy của liều kế TLD, ngoại trừ các phép đo liều\r\nthấp (< 1 Gy) hoặc các phép đo có độ nhạy cao.
\r\n\r\n6.3. Việc chuẩn bị các liều kế TLD để chiếu xạ\r\nbao gồm việc làm sạch tinh thể phát quang (nếu có yêu cầu), nung ủ nóng liều kế\r\n(là các liều kế TLD có thể tái sử dụng), và bao gói tinh thể phát quang. Các\r\nliều kế TLD tái sử dụng yêu cầu phải được xử lý cẩn thận trong quá trình nung\r\nnóng để đạt được các kết quả tốt nhất trong các phép đo liều. Qui trình nung nóng\r\ncần bao gồm một chu trình nhiệt độ nung có tính lặp lại cao của lò nung, thời\r\ngian nung chính xác và tốc độ làm mát có tính lặp lại cao.
\r\n\r\n6.4. Nếu thiết bị đọc liều kế TLD sử dụng khí\r\nnóng để gia nhiệt các liều kế TLD thì cần sử dụng khí nitơ.
\r\n\r\n6.5. Các liều kế TLD được hiệu chuẩn và các liều\r\nkế chiếu xạ trong các ứng dụng cụ thể sau đó, có xuất xứ từ cùng một mẻ sẽ phải\r\nđược đọc trên cùng một thiết bị đọc kết quả, sử dụng các kỹ thuật và các thông số\r\nnhư nhau. Việc hiệu chuẩn liều kế chỉ có giá trị cho chính nhóm liều kế đã sử\r\ndụng thiết bị đọc cụ thể nói trên. Các thiết bị đọc khác với thiết bị dùng để\r\nhiệu chuẩn, bao gồm cả các thiết bị có cùng môđen và cùng nhà sản xuất cũng không\r\nnhất thiết phải cho cùng độ nhạy đối với các liều kế TLD được chiếu xạ cùng mức\r\nliều hấp thụ.
\r\n\r\n6.6. Các liều kế TLD có thể được sử dụng một lần\r\nhoặc tái sử dụng. Các liều kế sử dụng một lần thì được chiếu xạ chỉ một lần,\r\nđọc kết quả và sau đó bị bỏ đi. Nói chung cách sử dụng của liều kế là do nhà\r\nsản xuất quy định. Các liều kế tái sử dụng thì phải qua một chu trình lặp lại gồm\r\ncác qui trình: nung nóng - chiếu xạ - đọc kết quả.
\r\n\r\n7.1. Hiệu quả của một hệ liều kế TLD cụ thể cần\r\nphải được đánh giá để xác định tính tiện dụng và phù hợp của nó đối với một mục\r\nđích ứng dụng cụ thể. Những tính năng chấp nhận được của một hệ TLD cần phải\r\nđược kiểm chứng trước khi đưa vào áp dụng cho một ứng dụng cụ thể. Các tiêu\r\nchuẩn cụ thể của hệ TLD được thảo luận trong tiêu chuẩn ASTM Practice E 668.
\r\n\r\n7.2. Các phép thử kiểm tra tính năng cần phải\r\nđược lặp lại bất cứ khi nào xuất hiện một thay đổi đáng kể trong hệ liều kế TLD\r\nhoặc trong một ứng dụng cụ thể. Ví dụ những thay đổi như: thay đổi dạng hoặc\r\nloại tinh thể phát quang trong liều kế TLD, thay đổi một thành phần chính yếu\r\nnào đó hoặc một thông số nào đó của thiết bị đọc bị điều chỉnh, hoặc là một\r\nthay đổi về đặc tính của nguồn chiếu xạ.
\r\n\r\n7.3. Phép thử tính năng cụ thể nào đó có thể được\r\nbỏ qua nếu nó được công nhận rộng rãi trong các tài liệu, trong các giáo trình\r\nkhoa học và kỹ thuật chỉ ra rằng hiệu quả của hệ TLD là hoàn toàn đáp ứng được\r\ncác yêu cầu cụ thể đó. Ví dụ, các nghiên cứu trước đã được công nhận nói rằng\r\nmột liều kế TLD cụ thể nào đó không có sự phụ thuộc của suất liều hấp thụ trong\r\nđiều kiện chiếu xạ tương tự thì việc thử tính năng phụ thuộc vào suất liều hấp\r\nthụ của hệ liều kế TLD đó là không cần thiết. Tất cả các báo cáo về các kết quả\r\nkiểm tra cần bao gồm cả các tài liệu tham khảo chứng minh các tính năng của hệ\r\nđo liều được bảo đảm, do vậy có thể bỏ qua phép kiểm tra đó.
\r\n\r\n7.4. Nếu hệ liều kế TLD cụ thể không đáp ứng các\r\nyêu cầu của phép thử, thì việc sử dụng hệ liều kế đó không được khuyến cáo. Một\r\nhệ đo liều như vậy chỉ có thể được sử dụng nếu các hiệu chỉnh cần thiết đối với\r\nđộ nhạy của liều kế TLD có thể được xác định một cách đầy đủ để các kết quả đo\r\ntrong các ứng dụng xử lý cụ thể có thể được xác định trong phạm vi độ không đảm\r\nbảo đo yêu cầu.
\r\n\r\n7.5. Số liều kế TLD, hoặc là số các phép đo lặp\r\nlại với một liều kế TLD đơn lẻ, được sử dụng để thử kiểm tra cần phải đủ lớn để\r\nđảm bảo rằng các kết quả kiểm tra có ý nghĩa với độ tin cậy đạt 95 %. Xem chi\r\ntiết các qui trình được sử dụng để lựa chọn các mẫu ngẫu nhiên và xác định số\r\nlượng mẫu được yêu cầu tại tài liệu tham khảo (14) và tiêu chuẩn ASTM Practice\r\nE668.
\r\n\r\n\r\n\r\n8.1. Hệ đo liều phải được hiệu chuẩn trước khi sử\r\ndụng và được hiệu chuẩn tại các khoảng thời gian theo quy trình hướng dẫn sử\r\ndụng, trong đó quy định chi tiết quá trình hiệu chuẩn và yêu cầu đảm bảo chất\r\nlượng. Các yêu cầu hiệu chuẩn được nêu trong ISO/ASTM Guide 51261.
\r\n\r\n8.2. Chiếu xạ hiệu chuẩn liều kế
\r\n\r\nChiếu xạ là một khâu quan trọng của quá trình\r\nhiệu chuẩn hệ đo liều. Chiếu xạ hiệu chuẩn phải được thực hiện theo một trong\r\nba cách sau đây bằng cách chiếu xạ liều kế tại:
\r\n\r\n8.2.1. Một phòng thử nghiệm quốc gia hoặc phòng thử\r\nnghiệm được công nhận theo các tiêu chí quy định trong ISO/ASTM 51400, thu được\r\nđường chuẩn được thẩm tra trong các điều kiện hiện hành, hoặc
\r\n\r\n8.2.2. Một thiết bị hiệu chuẩn nội bộ cung cấp liều\r\nhấp thụ (hoặc suất liều hấp thụ) có liên kết chuẩn đo lường quốc gia hoặc quốc tế\r\nđược công nhận, thu được đường chuẩn được thẩm tra trong các điều kiện hiện\r\nhành, hoặc
\r\n\r\n8.2.3. Một thiết bị chiếu xạ sản xuất dưới các điều\r\nkiện sản xuất thông thường cùng với các liều kế chuẩn chính hoặc truyền chuẩn\r\nvà có liên kết chuẩn đo lường quốc gia hoặc quốc tế được công nhận.
\r\n\r\n8.3. Hiệu chuẩn và xác nhận hiệu năng của\r\ndụng cụ đo
\r\n\r\nViệc hiệu chuẩn và việc xác nhận hiệu năng\r\ncủa các dụng cụ đo giữa các lần hiệu chuẩn xem ISO/ASTM Guide 51261 và/hoặc sổ\r\ntay hướng dẫn thực hiện thiết bị cụ thể.
\r\n\r\n8.4. Khi liều kế TLD được sử dụng như là một liều\r\nkế chuẩn chính hoặc liều kế truyền chuẩn thì việc chiếu xạ liều kế cần được\r\nthực hiện tại một phòng thử nghiệm chuẩn quốc gia hoặc chuẩn quốc tế được công\r\nnhận sử dụng các tiêu chí được qui định trong tiêu chuẩn ISO/ASTM Practice\r\n51400.
\r\n\r\n9.1. Sử dụng các liều kế TLD để xác định phân bố liều\r\ntrong sản phẩm hoặc là trong sản phẩm tương tự để xác định vị trí liều hấp thụ\r\ncực đại, Dmax, và liều hấp thụ cực tiểu, Dmin. Sử dụng thêm\r\ncác liều kế TLD đặt tại các vị trí Dmax hoặc Dmin,hoặc\r\ntại một vị trí liều so sánh để kiểm soát mức liều được chỉ định trong suốt quá\r\ntrình chiếu xạ sản xuất thường xuyên.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Thảo luận về vị trí liều so sánh\r\nvà các hướng dẫn chung đối với việc xác định biểu đồ phân bố liều hấp thụ trong\r\ncác thiết bị chiếu xạ được nêu trong tiêu chuẩn ASTM Guide E 2303. Các thủ tục\r\nđể vẽ biểu đồ liều hấp thụ trong các máy chiếu xạ gamma với nguồn phóng xạ được\r\nbảo quản khô được nêu trong tiêu chuẩn ISO/ASTM Practice 52116.
\r\n\r\n9.2. Việc lựa chọn các liều kế TLD được sử dụng\r\nđể kiểm soát quá trình chiếu xạ được sản xuất từ một mẻ liều kế đã được hiệu\r\nchuẩn từ trước. Số lượng các liều kế TLD yêu cầu để xác định liều hấp thụ cụ\r\nthể trong suốt quá trình chiếu xạ sản xuất có thể thu được từ các qui trình\r\ntrong ASTM Practice E 668.
\r\n\r\n9.2.1. Từ cùng một mẻ, lựa chọn một số liều kế TLD\r\nđể sử dụng như là các liều kế kiểm chuẩn trong quá trình phân tích TLD. Tại một\r\nthời điểm gần nhất có thể với thời gian chiếu xạ sản xuất, thực hiện chiếu xạ\r\ncác liều kế TLD này bởi thiết bị chiếu hiệu chuẩn với hai hoặc nhiều hơn các\r\nmức liều hấp thụ đã biết trong dải liều của quá trình chiếu xạ sản xuất. Đọc\r\ncác liều kế TLD kiểm chuẩn này cùng với các liều kế TLD sử dụng trong quá trình\r\nchiếu xạ sản xuất. Các liều kế kiểm tra- hiệu chuẩn này phục vụ việc kiểm tra\r\ntính ổn định của hệ TLD.
\r\n\r\n9.2.2. Nếu việc sử dụng các qui trình được đưa ra\r\ntrong 9.2.1 không thuận tiện thì có thể sử dụng một qui trình thay thế khác.\r\nTrước khi quá trình chiếu xạ sản xuất diễn ra, thì chiếu xạ một số liều kế TLD\r\nmà chúng sẽ được sử dụng như là các phép kiểm tra hiệu chuẩn trong thiết bị\r\nhiệu chuẩn tại hai hoặc nhiều hơn các mức liều hấp thụ đã biết trong dải liều\r\nhấp thụ của quá trình chiếu xạ sản xuất. Đặt các liều kế TLD đã kiểm tra-hiệu\r\nchuẩn này trong các thiết bị bảo quản cho đến khi quá trình chiếu xạ sản xuất\r\nđược thực hiện. Lấy một vài liều kế TLD kiểm tra - hiệu chuẩn (từ số liều kế\r\nTLD được kiểm tra hiệu chuẩn) bảo quản đó và đọc kết quả cùng với các liều kế\r\nTLD đã được chiếu xạ. Các liều kế TLD đã được kiểm tra - hiệu chuẩn khác còn lại\r\ntrong bảo quản cho đến khi thực hiện quá trình chiếu xạ tiếp theo, khi đó một\r\nvài liều kế TLD được đọc kết quả cùng với các liều kế TLD đã được chiếu xạ\r\ntrong quá trình chiếu xạ sản xuất. Nhược điểm của phương pháp này so với phương\r\npháp trong 9.2.1 là hệ số hiệu chuẩn khác về độ phai màu (có thể phụ thuộc nhiệt\r\nđộ) phải được áp dụng đối với mỗi nhóm liều kế TLD kiểm tra- hiệu chuẩn. Ngoài\r\nra, hệ số hiệu chuẩn độ phai màu của liều kế TLD được hiệu chuẩn và liều kế TLD\r\nsử dụng cho quá trình chiếu xạ sản xuất là khác nhau. Nếu hệ số hiệu chuẩn về\r\nđộ phai màu đối với các liều kế kiểm tra hiệu chuẩn mà lớn quá (> 25 %) thì\r\ncần chiếu xạ một nhóm liều kế khác để đọc kết quả cùng với các liều kế TLD sử\r\ndụng cho quá trình chiếu xạ sản xuất.
\r\n\r\n9.2.3. Nếu các liều kế (TLD) tái sử dụng được chiếu\r\nxạ (sử dụng hiệu chuẩn hoặc sản xuất) với mức liều tích lũy hoặc liều đơn lẻ\r\ncao hơn (> 102 Gy) thì việc hiệu chuẩn lại sau mỗi chu trình\r\nchiếu xạ - nung nóng là cần thiết bởi vì có thể có những thay đổi về độ nhạy\r\ncủa liều kế (15). Nếu một hệ đo liều (TLD) đang được sử dụng cho hiệu ứng này,\r\nthì với mỗi liều kế (TLD) trong mẻ đó chỉ được chiếu xạ một lần cho đến khi\r\ntoàn bộ số liều kế của mẻ được sử dụng hết, sau đó tất cả mẻ liều kế sẽ được\r\nnung và thực hiện hiệu chuẩn mới. Ngoài ra, vì có thể có những thay đổi về độ\r\nđồng nhất của độ nhạy trong mẻ do chiếu xạ liều cao cho nên cần thực hiện lặp\r\nlại các phép thử đình kỳ theo quy định của các qui trình nêu trong tiêu chuẩn\r\nASTM Practice E 668.
\r\n\r\n10.1. Hồ sơ về hệ đo liều TLD thường xuyên được sử\r\ndụng cùng với mỗi sản phẩm được chiếu xạ. Việc nhận dạng nhà sản xuất, số mẻ,\r\nloại liều kế, và các thiết bị, dụng cụ được sử dụng để phân tích.
\r\n\r\n10.2. Hồ sơ về số liệu hiệu chuẩn liều kế, bao gồm\r\nngày tháng hiệu chuẩn, chuẩn chính hoặc truyền chuẩn và mô tả thiết bị được sử\r\ndụng.
\r\n\r\n10.3. Hồ sơ hoặc tài liệu về nguồn bức xạ được sử\r\ndụng để xử lý chiếu xạ, bao gồm loại, hoạt độ thông thường hoặc các thông số về\r\nchùm tia, và một vài thông tin phù hợp về phổ năng lượng.
\r\n\r\n10.4. Hồ sơ về nhiệt độ chiếu xạ và độ ẩm tương\r\nđối đối với các liều kế đo thường xuyên mà việc sử dụng chúng bị ảnh hưởng bởi\r\ncác điều kiện môi trường này.
\r\n\r\n10.5. Hồ sơ về giá trị và sai số của liều hấp thụ\r\nđối với mỗi mẻ sản phẩm chiếu xạ.
\r\n\r\n10.6. Hồ sơ hoặc tài liệu về kế hoạch đảm bảo chất\r\nlượng được sử dụng cho đo liều thường xuyên.
\r\n\r\n\r\n\r\n11.1. Phép đo liều cần phải kèm theo phép tính độ\r\nkhông đảm bảo đo mới có giá trị.
\r\n\r\n11.2. Thành phần độ không đảm bảo sẽ được phân\r\nthành hai loại sau đây:
\r\n\r\n11.2.1. Loại A - Được đánh giá bằng phương\r\npháp thống kê, hoặc
\r\n\r\n11.2.2. Loại B - Được đánh giá bằng phương\r\npháp khác.
\r\n\r\n11.3. Các cách khác về phân loại độ không đảm bảo\r\nđã được dùng rộng rãi và có thể có ích cho báo cáo về độ không đảm bảo. Ví dụ,\r\nthuật ngữ độ chụm và độ chệch hoặc sai số ngẫu nhiên và sai số hệ thống (không\r\nngẫu nhiên) được dùng để mô tả các loại sai số khác nhau.
\r\n\r\n11.4. Hiệu chuẩn và độ không đảm bảo đo
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo trong qui trình hiệu chuẩn\r\nvà đo liều hấp thụ của một hệ đo liều TLD thông thường phụ thuộc vào hệ đo liều\r\ncụ thể và ứng dụng hệ đo liều đó. Xem Phụ lục A1 về các ví dụ sử dụng liều kế\r\nnhiệt phát quang LiF dạng chip .
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 3: Nhận biết độ không đảm bảo loại\r\nA và loại B dựa trên phương pháp đánh giá độ không đảm bảo xuất bản năm 1995 bởi\r\ntổ chức tiêu chuẩn quốc tế (ISO) trong tài liệu hướng dẫn về biểu thị độ không đảm\r\nbảo đo (19). Mục đích dùng loại đặc trưng này là để tăng cường sự hiểu\r\nbiết về độ không đảm bảo được xây dựng như thế nào và cung cấp cơ sở để so sánh\r\nquốc tế về kết quả đo.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 4: ISO/ASTM Guide 51707 xác định\r\ncác khả năng về độ không đảm bảo đo trong phép đo thực hiện trong thiết bị xử\r\nlý chiếu xạ và đưa ra quy trình đánh giá độ không đảm bảo đo của phép đo liều\r\nhấp thụ sử dụng hệ đo liều. Tài liệu này đưa ra và bàn luận các khái niệm cơ\r\nbản về phép đo, bao gồm đánh giá giá trị định lượng, giá trị "đúng",\r\nsai số và độ không đảm bảo đo. Thành phần của độ không đảm bảo đo được xem xét\r\nvà đưa ra phương pháp đánh giá chúng. Tài liệu này cũng đưa ra các phương pháp\r\ntính độ không đảm bảo đo chuẩn kết hợp và độ không đảm bảo đo tổng thể.
\r\n\r\n\r\n\r\n
A1.1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\nA1.1.1. Các quy trình trong phụ lục này bao gồm\r\nviệc sử dụng các liều kế nhiệt huỳnh quang (TLD) liti flo ở dạng chip rắn có thể\r\ntái sử dụng. Phụ lục này chỉ mang mục đính minh họa và nó không có nghĩa rằng\r\ncác loại phospho và các trạng thái vật lý của phospho hoặc các loại phospho\r\nkhác là không phù hợp để sử dụng đo liều trong xử lý bằng bức xạ. Mỗi loại và\r\nmỗi dạng liều kế TLD yêu cầu qui trình áp dụng có khác một chút. Xem các tài\r\nliệu tham khảo (3,17,18,19) mô tả các loại liều kế TLD khác nhau. LiF dạng chip\r\ncó một số ưu điểm so với một vài loại liều kế và dạng liều kế TLD khác. Một số\r\nưu điểm này bao gồm các đặc tính hấp thụ bức xạ khá giống với nước và dễ dàng\r\nsử dụng hơn so với liều kế dạng bột. Những nhược điểm khi sử dụng liều kế TLD\r\nLiF dạng chíp là độ nhạy có bị giảm đi sau chiếu xạ. Các liều kế TLD được thảo luận\r\nở đây là đồng vị 6Li và 7Li tự nhiên. Nhìn chung loại liều kế (TLD) đồng vị chỉ\r\ngồm 6Li và 7Li là được sử dụng để đo liều nơtron và không được đề cập trong tiêu\r\nchuẩn thực hành này.
\r\n\r\nA1.2. Chuẩn bị liều kế
\r\n\r\nA1.2.1. Luôn luôn thao tác các chip liều kế\r\nnhẹ nhàng và đúng cách để giảm thiểu tác động cơ học cũng như là khả năng làm\r\nxước hoặc làm hỏng liều kế. Không được cầm các chip liều kế bằng những ngón tay\r\nbẩn nhằm tránh làm bẩn hoặc dây dầu lên chúng. Khuyến cáo sử dụng bút chân\r\nkhông để thao tác; tuy nhiên, có thể sử dụng nhíp. Các điểm tiếp xúc của tất cả\r\ncác dụng cụ thao tác bằng tay phải được bọc bằng tinh thể cacbon huỳnh quang\r\nTFE, nếu có thể.
\r\n\r\nA1.2.2. Thông thường giữa các lần sử dụng, các\r\nliều kế (TLD) nên được tráng bằng rượu metyl khan ở mức phân tích và cho bay\r\nhơi đến khô (20). Việc làm sạch thêm TDL là không cần thiết đối với việc sử\r\ndụng thông thường.
\r\n\r\nA1.2.3. Tại mọi thời điểm, giữ các chip liều\r\nkế càng sạch càng tốt sao cho không phải làm sạch thêm nữa. Việc làm sạch các\r\nchip chỉ cần khi quá trình xử lý có thể kéo dài (giảm độ nhạy) của các tinh thể\r\nphospho. Nếu cần thiết phải làm sạch các chip thì khuyến cáo sử dụng các qui\r\ntrình sau (20):
\r\n\r\nA1.2.3.1. Rửa các chip liều kế bằng triclo\r\netylen ở 50 0C trong 2 min. Có thể sử dụng một dụng cụ làm sạch bằng sóng siêu\r\nâm.
\r\n\r\nA1.2.3.2. Làm sạch các chip liều kế bằng rượu\r\nmetyl khan ở cấp thuốc thử trong 2 min. Có thể sử dụng một dụng cụ làm sạch\r\nbằng sóng siêu âm.
\r\n\r\nA1.2.3.3. Đặt các chip liều kế giữa hai lớp khăn\r\ngiấy và để cho bay hơi đến khô.
\r\n\r\nA1.2.4. Nung các chip liều kế trong 1 h ở 400 0C\r\ncho phép làm mát nhanh. Quá trình nung này là cần thiết sau chiếu xạ ở liều cao\r\nđể tránh những thay đổi về độ nhạy liều. Đối với quá trình nung nóng, đặt các\r\nchip trong một khay hoặc vật chứa làm bằng vật liệu mà không phản ứng với các\r\nliều kế ở nhiệt độ nung, ví dụ thủy tinh boro-silicat chịu nhiệt độ cao. Không sử\r\ndụng nhôm làm khay hoặc vật chứa để đựng liều kế để nung.
\r\n\r\nA1.2.5. Đối với chiếu xạ photon, các chip liều\r\nkế được bọc để đạt được trạng thái cân bằng điện tử trong liều kế (xem tiêu\r\nchuẩn ISO/ASTM Guide 51261).
\r\n\r\nA1.3. Ảnh hưởng của việc bảo quản và vận\r\nchuyển liều kế
\r\n\r\nA1.3.1. Cần giảm thiểu thời gian bảo quản và\r\nvận chuyển liều kế giữa các khoảng thời gian chuẩn bị và chiếu xạ hoặc giữa\r\nkhoảng thời gian chiếu xạ và đọc kết quả. Bảo quản liều kể tránh ánh sáng cực\r\ntím và tránh tăng nhiệt độ trong quá trình bảo quản hoặc vận chuyển. áp dụng\r\ncác hệ số hiệu chỉnh cho bất cứ hiệu ứng nào lên độ nhạy của liều kế do khoảng\r\nthời gian và các điều kiện bảo quản hoặc vận chuyển liều kế, hoặc do cả hai\r\nđiều kiện này. Các hệ số hiệu chỉnh để giảm độ nhạy trong suốt giai đoạn bảo quản\r\nliều kế trước và sau chiếu xạ và đối với hiệu ứng nhiệt có thể được xác định\r\ntheo đúng các qui trình trong ASTM Practice E 668. Những thay đổi về độ ẩm\r\nkhông ảnh hưởng đến độ nhạy của các liều kế LiF dạng chip.
\r\n\r\nA1.4. Các qui trình chiếu xạ
\r\n\r\nA1.4.1. Các qui trình sử dụng các liều kế TLD\r\ntrong quá trình chiếu xạ hiệu chuẩn hoặc sản xuất phụ thuộc vào các điều kiện\r\ncủa mỗi thiết bị chiếu xạ cụ thể và phụ thuộc vào các yêu cầu của các ứng dụng xử\r\nlý bằng bức xạ. Tuy nhiên, nên thận trọng trong việc xử lý với liều kế, như ánh\r\nsáng chiếu vào liều kế, và các liều kế được chiếu xạ ở nhiệt độ khác với điều\r\nkiện chiếu xạ thực tế. Có thể áp dụng các qui trình được mô tả trong điều 9.
\r\n\r\nA1.5. Đọc kết quả
\r\n\r\nA1.5.1. Nên làm sạch các chip liều kế trước\r\nkhi đọc kết quả, nếu cần (xem A1.2.3). Các chip liều kế LiF có thể đòi hỏi phải\r\nnung ở nhiệt độ thấp (khoảng 100 0C) giữa khoảng thời gian chiếu xạ\r\nvà đọc kết quả để loại các pic nhiệt độ thấp không ổn định trong hàm độ nhạy\r\ncủa phổ đo được. Qui trình này chỉ cần khi sử dụng toàn bộ đường cong ánh sáng\r\nhuỳnh quang về độ nhạy (dòng đối kháng nhiệt độ). Đối với các thiết bị đọc kết\r\nquả có thể điều chỉnh được nhiệt độ ở các mức phân liệt hoặc khi sử dụng độ\r\nnhạy của chiều cao pic, thì qui trình nung liều kế trước khi đọc kết quả là không\r\ncần thiết.
\r\n\r\nA1.5.2. Các thông số của thiết bị đọc kết quả\r\nnên được điều chỉnh để đạt được các độ nhạy có tính lặp lại đối với toàn bộ liều\r\nhấp thụ đo được. Đối với các thiết bị đọc kết quả có sử dụng các trở nhiệt để\r\nnung nóng các liều kế TLD, thì tốc độ gia nhiệt khoảng 30 0C/s là\r\nthích hợp. Các chip liều kế TLD nên được gia nhiệt tới nhiệt độ khoảng 350 0C\r\ntại thời điểm cuối cùng của chu trình gia nhiệt. Đối với các thiết bị đọc không\r\nsử dụng khí nóng (nitơ) để gia nhiệt liều kế TLD, thì nhiệt độ của khí khoảng\r\n350 0C và thời gian gia nhiệt trong khoảng từ 15 s đến 30 s là thích\r\nhợp.
\r\n\r\nA1.5.3. Độ nhạy liều kế TLD có thể đo được\r\nnhư chiều cao pic của ánh sáng huỳnh quang đối với đường cong nhiệt độ, hoặc\r\nnhư là ánh sáng huỳnh quang được tích lũy đối với chu trình gia nhiệt. Đối với các\r\nchu trình gia nhiệt có sự lặp lại rất tốt, thì chiều cao pic của ánh sáng huỳnh\r\nquang đối với đường cong nhiệt có thể được sử dụng. Tuy nhiên, ánh sáng tích lũy\r\nthường thu được một cách thuận tiện và đáp ứng được yêu cầu trong nhiều trường\r\nhợp. Khi sử dụng các thiết bị đọc kết quả dùng khi nóng, thì ánh sáng tích lũy\r\nnên được sử dụng, đường đẳng nhiệt phụ thuộc vào hướng quay của các liều kế TLD\r\ntrong buồng của thiết bị đọc, mà thông thường thì không thể kiểm soát được quá\r\ntrình này. Đối với các thiết bị đọc kết quả mà tín hiệu tương tự (điện tích hoặc\r\ndòng đối kháng nhiệt độ) có thể thu được, do đó dữ liệu này có thể phân tích\r\nđược và các phương pháp khác nhau có thể được sử dụng để so sánh các kết quả.
\r\n\r\nA1.5.4. Hầu hết các thiết bị đọc liều kế TLD\r\ncó trang bị một số loại nguồn ánh sáng mà có thể được sử dụng để kiểm tra tính\r\nổn định của thiết bị đọc. Qui trình này cung cấp một phép thử kiểm tra độ ổn\r\nđịnh của thiết bị đọc chỉ đối với phần ánh sáng đang đo và các điện tử có liên quan\r\nvới nó; không thực hiện thử về hiệu năng và độ ổn định của bộ phận gia nhiệt và\r\nđo nhiệt độ. Do đó, việc sử dụng các TLD kiểm tra-hiệu chuẩn như mô tả trong\r\n9.2 trong mỗi lần đọc kết quả cũng được khuyến cáo.
\r\n\r\nA1.6. Độ không đảm bảo của phép đo liều
\r\n\r\nA1.6.1. Ví dụ về phép phân tích độ không đảm\r\nbảo đo của hệ liều kế LiF dạng chip điển hình áp dụng trong xử lý bức xạ được\r\nnêu trong Bảng A1.1 và Bảng A1.2. Các bảng này nhận dạng các nguồn gốc độ không\r\nđảm bảo và chỉ ra việc đánh giá mức độ của chúng. Các số liệu này là đúng nếu\r\nhệ liều kế TLD đặc trưng và được sử dụng theo đúng các qui trình được khuyến\r\ncáo trong tiêu chuẩn thực hành. Do đó, như chú thích A của Bảng A1.1, thì các\r\nnguồn sai số tiềm tàng được kỳ vọng không có ý nghĩa trong trường hợp này.
\r\n\r\nA1.6.2. Các loại độ không đảm bảo đo được\r\nđánh giá bằng các phương pháp được thảo luận trong điều 11, bằng cách phân loại\r\nlà Loại A và Loại B, theo cách mà chúng được đánh giá. Các giá trị trong các\r\nbảng đưa ra tại một mức phân bố chuẩn (Loại A; được xác định bởi các phương\r\npháp thống kê chuẩn) hoặc một mức phân bố chuẩn tương đương, (Loại B; được xác định\r\nbởi tất cả các phương pháp khác). Bảng A1.1 nêu các độ không đảm bảo đo đối với\r\nliều kế TLD được sử dụng như các chip riêng lẻ, việc nhận dạng và hiệu chuẩn độ\r\nnhạy được thực hiện cho toàn bộ quá trình sử dụng của mỗi chip liều kế.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Giá trị liều được hiệu chuẩn đối với nguồn 60\r\n Co \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Xác định đường chuẩn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Thời gian giữa chiếu xạ và đọc kết quả: hệ\r\n số giảm độ nhạy \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Hiệu chỉnh đối với việc giảm sự cân bằng vật\r\n liệu \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Độ tái lập của độ nhạy liều kế riêng lẻ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Tán xạ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc vào suất liều hấp thụ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc vào năng lượng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Hiệu ứng thời gian giữa việc chuẩn bị và\r\n đọc kết quả \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc vào hướng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Nhiệt độ trước, trong và sau chiếu xạ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc vào độ ẩm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n ảnh hưởng do kích thước của liều kế TLD \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Căn bậc hai của tổng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Tổng cộng \r\nTổng cộng x 2 \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n A Khi phân tích độ không đảm bảo đo này, cho\r\n thấy hệ đo liều TLD được sử dụng tạo ra sai số không đáng kể. Tuy nhiên sự thừa\r\n nhận này có thể không được đánh giá trong tất cả các điều kiện sử dụng để xử\r\n lý bức xạ đo liều. Nên tiến hành kiểm tra cẩn thận tất cả các nguồn gốc độ\r\n không đảm bảo đối với các điều kiện chiếu xạ và hệ TLD sử dụng trong mỗi ứng\r\n dụng cụ thể. \r\n | \r\n ||
Bảng A1.2 đưa ra độ không đảm bảo đo đối với các\r\nliều kế TLD được sử dụng trong một mẻ không có chip nhận dạng và một nhóm độ\r\nnhạy hiệu chuẩn được sử dụng. Sự khác biệt giữa mỗi liều kế và mỗi mẻ liều kế\r\ncá nhân được thảo luận trong tiêu chuẩn ASTM Practice E 668.
\r\n\r\nA1.6.3. Các độ không đảm bảo đo được cho là\r\nđúng thì không có cùng mối tương quan. Chúng được liên kết với nhau ở dạng căn\r\nbậc hai hoặc nhân lên bởi một thừa số hai để có độ không đảm bảo tổng thể tương\r\nđương với độ tin cậy khoảng 95 %. Nếu mối tương quan giữa một vài độ không đảm\r\nbảo được biết thì chúng cần được tính đến [xem tài liệu tham khảo (16)].\r\nBất kỳ phương pháp liên kết độ không đảm bảo nào được sử dụng thì cần được ghi\r\nlại trong các kết quả đo liều.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Giá trị liều được hiệu chuẩn đối với nguồn\r\n 60 Co \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Xác định đường chuẩn \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Thời gian giữa chiếu xạ và đọc kết quả: hệ\r\n số giảm độ nhạy \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Hiệu chỉnh đối với việc giảm sự cân bằng vật\r\n liệu \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự không đồng nhất của các mẻ độ nhạy \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc suất liều hấp thụ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc năng lượng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Hiệu ứng thời gian giữa chuẩn bị và đọc kết\r\n quả \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc vào hướng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Nhiệt độ trước, trong và sau chiếu xạ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Sự phụ thuộc vào độ ẩm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n ảnh hưởng do kích thước của liều kế TLD \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Căn bậc hai của tổng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Tổng cộng \r\nTổng cộng x 2 \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n A Khi phân tích độ không đảm bảo đo này, cho\r\n thấy hệ đo liều TLD được sử dụng tạo ra sai số không đáng kể. Tuy nhiên sự\r\n thừa nhận này có thể không được đánh giá trong tất cả các điều kiện sử dụng để\r\n xử lý bức xạ đo liều. Nên tiến hành kiểm tra cẩn thận tất cả các nguồn có thể\r\n gây sai số đối với các điều kiện chiếu xạ và hệ TLD sử dụng trong mỗi ứng\r\n dụng cụ thể. \r\n | \r\n ||
\r\n\r\n
[1] McLaughlin, W. L., Boyd, A. W., Chadwick,\r\nK. C, McDonald, J.C., and Miller, A., Dosimetry for Radiation Processing,\r\nTayfor and Francis, Ltd, London, 1989.
\r\n\r\n[2] Josephson, E. S., and Peterson, M. S., eds.,\r\nPreservation of Food by Ionizing Radiation, 1, 2, 3, CRC Press, Boca Raton, FL,\r\n1983.
\r\n\r\n[3] Becker, K., Solid State Dosimetry, CRC\r\nPress, Cleveland, OH, 1973.
\r\n\r\n[4] Daniels, F, "Early Studies of Thermoluminescence\r\nRadiation Dosimetry," in Luminescence Dosimetry, Proceeding of\r\nInternational Conference on Luminescence Dosimetry, CONF-650637, 1967, pp.\r\n34-43.
\r\n\r\n[5] Schulman, J.H., Attix, F. H., West, E.J.,\r\nand Ginter, R.J., "Thermoluminescence Methods in Personnel\r\nDosimetry," Proceedings of Symposium on Personnel Dosimetry Techniques,\r\nMadrid, OECD/ENEA, Paris, 1963, p. 113.
\r\n\r\n[6] Yamashita, T, Nada, N., Onishi, H., and Kitamura,\r\nS., "Calcium Sulfate Phosphor Activated By Rare Earth," Proceedings of\r\nSecond International Symposium on Luminescence Dosimetry, CONF-680920, 1968, p.\r\n4.
\r\n\r\n[7] Schulman, J. H., Kirk, R. D., West, E. J.,\r\n"Use of Lithium Borate for Thermoluminescence Dosimetry," in\r\nLuminescence Dosimetry, Proceeding of International Conference on Luminescence\r\nDosimetry, CONF-650637, 1967, p. 113.
\r\n\r\n[8] Osvay, M., and Biro, T, "Aluminum\r\nOxide in Dosimetry," Nuclear Instruments and Methods, Vol 175, 1980, p.\r\n60.
\r\n\r\n[9] McLaughlin, W. L., "Standardization of\r\nHigh Dose Measurement of Electron and Gamma-Ray Absorbed Dose and Dose Rates,"\r\nProceedings of Symposium on High Dose Dosimetry, International Atomic Energy,\r\nSTI/PUB/671, Vienna, 1985, pp. 357-371.
\r\n\r\n[10] Federal Register Notice (51FR 13376,\r\n4-18-86) by U.S. Food and Drug Administration: Final Rule on Food Irradiation\r\nAmending 21 CFR, Part 179.
\r\n\r\n[11] TCVN 7247:2008 (CODEX STAN 106-1983,\r\nRev.-2003) Thực phẩm chiếu xạ - Yêu cầu chung và TCVN 7250:2008 (CAC/RCP 19-1979,\r\nRev. 2-2003)] Qui phạm vận hành thiết bị chiếu xạ xử lý thực phẩm, Codex Alimentarius\r\nCommission, Food and Agriculture Organization and World Health Organization,\r\nRome, 2003.
\r\n\r\n[12] Code of Federal Regulations, Title 21,\r\n2, H, Part 820.
\r\n\r\n[13] McKeever, S. W. S., Moscovitch, M., and Townsend,\r\nP. D., "Thermoluminescence Dosimetry Materials -Properties and Uses",\r\nNuclear Technology Publishing, Kent, England, ISBN 1 870965 191, 1995.
\r\n\r\n[14] Natrella, M. G., Experimental Statistics,\r\nNBS Handbook 91, U.S. Government Printing Office, Washington, DC, 1963.
\r\n\r\n[15] Marrone, M. J., and Attix, F. H., "Damage\r\nEffects in CaF2: Mn and LiF Thermoluminescent Dosimeters", Health Physics,\r\nVol 10, 1964, pp.431-436.
\r\n\r\n[16] "Guide to the Expression of Uncertainty\r\nin Measurement", International Organization for Standardization, 1995, ISBN\r\n92-67-10188-9.5
\r\n\r\n[17] Horowitz, Y. S., Thermoluminescence and Thermoluminescent\r\nDosimetry, Vol I, 11, Ill, CRC Press, Boca Raton, FL, 1984.
\r\n\r\n[18] Cameron, J. R., Suntharalingam, N., and Kenney,\r\nG. N., Thermoluminescent Dosimetry, University of Wisconsin Press, Madison, WI,\r\n1968.
\r\n\r\n[19] Fowler, J. F., and Attix, F. H.,\r\n"Solid State Integrating Dosimeters", Radiation Dosimetry, 2nd Ed,\r\nVol 11, F. H. Attix, W. C. Roesch, and E. Tochilin, eds., Academic Press, New\r\nYork, NY, 1966, pp. 269-290.
\r\n\r\n[20] Solon Technologies, Inc., "The Care\r\nand Handling of Solid Thermoluminescent Dosimeters", Application Note\r\nTL-285, January 1987.
\r\n\r\n\r\n\r\n
\r\n\r\n
[1]
[2]
[3]
[4]
File gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7914:2008 (ISO/ASTM 51956:2005) về Tiêu chuẩn thực hành sử dụng hệ đo liều nhiệt huỳnh quang (TLD) trong xử lý bằng bức xạ đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7914:2008 (ISO/ASTM 51956:2005) về Tiêu chuẩn thực hành sử dụng hệ đo liều nhiệt huỳnh quang (TLD) trong xử lý bằng bức xạ
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN7914:2008 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2008-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Hóa chất |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |