\r\n\r\n

TIÊU\r\nCHUẨN QUỐC GIA

\r\n\r\n

TCVN\r\n7078- 1 : 2002

\r\n\r\n

ISO 7503 - 1 : 1988

\r\n\r\n

AN TOÀN BỨC XẠ - ĐÁNH GIÁ NHIỄM XẠ BỀ\r\nMẶT - PHẦN 1: NGUỒN PHÁT BÊTA (NĂNG LƯỢNG BÊTA CỰC ĐẠI LỚN HƠN 0,15 MEV) VÀ\r\nNGUỒN PHÁT ANPHA\r\n

\r\n\r\n

Radiation\r\nprotection -\r\nEvaluation of surface contamination - Part 1: Beta-emitters (maximum beta\r\nenergy greater than 0,15 MeV) and alpha-emitters

\r\n\r\n

Lời nói đầu

\r\n\r\n

TCVN 7078 1 : 2002 hoàn\r\ntoàn tương đương với ISO 7503 1 : 1988.

\r\n\r\n

TCVN 7078 1 : 2002 do\r\nBan kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC 85 “Năng lượng hạt nhân” biên soạn, Tổng cục Tiêu\r\nchuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ ban hành.

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này được\r\nchuyển đổi năm 2008 từ Tiêu chuẩn Việt Nam cùng số hiệu thành Tiêu chuẩn Quốc gia\r\ntheo quy định tại khoản 1 Điều 69 của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật và\r\nđiểm a khoản 1 Điều 6 Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 1/8/2007 của Chính phủ quy\r\nđịnh chi tiết thi hành một số điều của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

AN\r\nTOÀN BỨC XẠ - ĐÁNH GIÁ NHIỄM XẠ BỀ MẶT - PHẦN 1: NGUỒN PHÁT BÊTA (NĂNG LƯỢNG\r\nBÊTA CỰC ĐẠI LỚN HƠN 0,15 MEV) VÀ NGUỒN PHÁT ANPHA

\r\n\r\n

Radiation\r\nprotection -  Evaluation of surface contamination - Part 1:\r\nBeta-emitters (maximum beta energy greater than 0,15 MeV) and alpha-emitters

\r\n\r\n

1. Phạm vi và lĩnh\r\nvực áp dụng

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này áp\r\ndụng cho việc đánh giá nhiễm xạ bề mặt tính theo hoạt độ phóng xạ trên một đơn\r\nvị diện tích đối với các thiết bị, dụng cụ và các côngtenơ chứa vật liệu phóng\r\nxạ và nguồn kín. Tiêu chuẩn này không áp dụng cho việc đánh giá nhiễm xạ trên\r\nda và quần áo.

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này áp\r\ndụng đối với nguồn phát bêta có năng lượng cực đại E_bmax lớn hơn 0,15 MeV và nguồn\r\nphát anpha.

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này chỉ áp\r\ndụng đối với nguồn phát bêta và anpha có suất phát xạ bêta (kể cả các điện tử đơn\r\nnăng) và hạt anpha xấp xỉ 100 hạt trên 100 phân rã đối với từng loại (xem bảng 3\r\ntrong phần phụ lục).

\r\n\r\n

Trong tiêu chuẩn này,\r\nkhái niệm "năng lượng bêta" được hiểu là năng lượng cực đại của hạt\r\nbêta do nguồn phóng xạ phát ra.

\r\n\r\n

Chú thích - Việc\r\nđánh giá độ nhiễm xạ bề mặt đối với triti sẽ được đề cập đến trong ISO 7503-2. Các\r\nhạt nhân phóng xạ quan trọng khác trong thực tiễn (ví dụ như các nguồn bắt điện\r\ntử và các nguồn chuyển dời đồng phân) sẽ được đề cập tới ở một tiêu chuẩn khác.

\r\n\r\n

2. Tiêu chuẩn viện\r\ndẫn

\r\n\r\n

ISO 8769, Reference sources\r\nfor the calibration of surface contamination monitors - Beta-emitters (maximum\r\nbeta energy greater than 0,15 MeV) and alpha-emitters (Nguồn chuẩn để hiệu\r\nchuẩn các thiết bị kiểm xạ bề mặt đối với nguồn phát bêta (năng lượng cực đại\r\nlớn hơn 0,15 MeV) và nguồn phát anpha).

\r\n\r\n

IEC Publication 325 -\r\nAlpha, beta and alpha-beta contamination meters and monitors (xuất bản phẩm số\r\n325 của IEC - Các máy đo và kiểm xạ độ nhiễm xạ bề mặt đối với các nguồn bêta,\r\nanpha và anpha-bêta).

\r\n\r\n

3. Định nghĩa

\r\n\r\n

Trong tiêu chuẩn này\r\ncác định nghĩa sau đây được sử dụng :

\r\n\r\n

3.1 Nhiễm xạ bề mặt\r\n(surface contamination): Là sự nhiễm xạ bề mặt bởi các chất phóng xạ.

\r\n\r\n

3.2 Nhiễm xạ bề mặt bám\r\nchặt (fixed surface contamination): Sự nhiễm xạ lên một bề mặt ở mức độ nó không\r\nthể tẩy bỏ được trong điều kiện làm việc bình thường.

\r\n\r\n

3.3 Nhiễm xạ bề mặt\r\ncó thể tẩy bỏ được (removable surface contamination): Sự nhiễm xạ có thể\r\ntẩy bỏ hoặc chuyển dời được trong điều kiện làm việc bình thường.

\r\n\r\n

Chú thích:

\r\n\r\n

1. Định nghĩa của cụm\r\ntừ "điều kiện làm việc bình thường" là quan trọng để đánh giá nguy cơ\r\nhít vào hoặc xâm nhập chất phóng xạ khi người làm việc tiếp xúc với các bề mặt\r\nnhiễm xạ: "điều kiện làm việc bình thường" được hiểu là điều kiện làm\r\nviệc mà ở đó cường độ cực đại của tác động cơ học có thể dẫn đến tẩy xạ bề mặt được\r\ngiới hạn ở mức sau:

\r\n\r\n

- sự tiếp xúc bình thường\r\ncủa cơ thể con người (có hoặc không có trang bị quần áo bảo hộ) với bề mặt\r\nnhiễm xạ, và

\r\n\r\n

- sự tiếp xúc không phá\r\nhuỷ với cường độ tương tự giữa bề mặt nhiễm xạ với các phần của thiết bị do con\r\nngười trực tiếp tiếp xúc.

\r\n\r\n

Cường độ tác động\r\ntrong khi thử nghiệm tẩy xạ phải phù hợp với tác động cơ học nêu ở trên. Một\r\nlần tẩy bỏ bất thường không loại bỏ hết được tất cả sự nhiễm xạ.

\r\n\r\n

2. Cần lưu ý rằng do\r\nảnh hưởng của độ ẩm, hoá chất, v.v.. hoặc do hậu quả của sự ăn mòn hoặc sự\r\nkhuếch tán, nhiễm xạ bám chặt có thể trở thành sự nhiễm xạ có thể tẩy bỏ được\r\nhoặc ngược lại mà không có bất kỳ một tác động nào của con người. Ngoài ra\r\nnhiễm xạ bề mặt có thể giảm dần do bốc hơi và thăng hoa.

\r\n\r\n

3.4 Hoạt độ trên một\r\nđơn vị diện tích (activity per unit area): Tỷ số giữa hoạt độ của hạt nhân phóng\r\nxạ có trên bề mặt và diện tích của bề mặt đó, và được biểu thị bằng becquerel\r\ntrên centimet vuông (Bq.cm^-2).

\r\n\r\n

3.5 Đo trực tiếp\r\nnhiễm xạ bề mặt (direct measurement of surface contamination): Đo hoạt độ bề mặt\r\nbằng một máy đo độ nhiễm xạ.

\r\n\r\n

Phép đo trực tiếp xác\r\nđịnh được tổng độ nhiễm bề mặt bám chặt và độ nhiễm bề mặt có thể tẩy bỏ được,\r\ntuy nhiên phép đo có thể bị ảnh hưởng bởi các bức xạ từ bên trong mẫu thử hoặc\r\ntừ môi trường.

\r\n\r\n

3.6 Đánh giá gián\r\ntiếp độ nhiễm xạ bề mặt (indirect evaluation of surface contamination): Đánh giá hoạt độ có\r\nthể tẩy xạ được trên bề mặt bằng cách đo mẫu lau (vật liệu lau).

\r\n\r\n

3.7 Thử nghiệm mẫu\r\nlau (smear test): Lấy\r\nmẫu nhiễm xạ có thể tẩy xạ được bằng cách lau bề mặt nhiễm xạ bằng vật liệu khô\r\nhoặc ướt và sau đó đánh giá hoạt độ phóng xạ bám vào vật liệu lau bề mặt.

\r\n\r\n

3.8 Hệ số tẩy\r\n(removal factor), F : Tỷ số giữa hoạt độ được tẩy đi khỏi bề mặt bằng một mẫu\r\nlau và tổng hoạt độ độ nhiễm xạ bề mặt có thể tẩy bỏ được trước khi lấy mẫu.

\r\n\r\n

Hệ số tẩy được tính\r\nbằng công thức sau:

\r\n\r\n

F\r\n=

\r\n\r\n

trong đó:

\r\n\r\n

A_p là hoạt độ được tẩy\r\nkhỏi bề mặt bởi mẫu lau;

\r\n\r\n

A_T là tổng hoạt độ có\r\nthể tẩy được trên bề mặt bị nhiễm xạ trước khi lấy mẫu.

\r\n\r\n

Chú thích - Đối với\r\nnhững tổ hợp quan trọng giữa chất nhiễm xạ và vật liệu bề mặt thì hệ số tẩy F\r\ncó thể xác định bằng thực nghiệm khi sử dụng phương pháp "lau nhiều\r\nlần để tẩy sạch hoàn toàn". Việc thực hiện lần lượt từng bước lau mẫu mang\r\nlại kết quả đánh giá một cách khá tốt. Tổng hoạt độ của các lần lau sẽ gần bằng\r\ntổng hoạt độ có thể tẩy (A_T) mà hoạt độ được tẩy trong lần\r\nlau đầu tiên có thể phụ thuộc vào hệ số tẩy (A_p).

\r\n\r\n

3.9 Suất phát xạ bề\r\nmặt của nguồn phóng xạ (surface emission rate of a source), q_2p : là số hạt của một\r\nloại tia nhất định với năng lượng nào đó được phát ra từ mặt trước của nguồn\r\ntrong một đơn vị thời gian.

\r\n\r\n

3.10 Hiệu suất nguồn\r\n(efficiency of a source), e_s : Tỷ số giữa số hạt của một tia nhất\r\nđịnh với một năng lượng nhất định được phát ra từ mặt trước của nguồn hoặc cửa sổ\r\nnguồn trong một đơn vị thời gian (suất phát xạ bề mặt) và số hạt của tia cùng\r\nloại được sinh ra hoặc được giải phóng ra bên trong nguồn (đối với nguồn mỏng) hoặc\r\ntrong lớp bão hoà của nó (đối với nguồn dày) trên một đơn vị thời gian.

\r\n\r\n

3.11 Hiệu suất đo của\r\nthiết bị (instrument efficiency), e_i : Tỷ số giữa số đọc thực (đã trừ phông) của\r\nthiết bị đo và suất phát xạ bề mặt của nguồn trong các điều kiện hình học đã\r\ncho. Đối với thiết bị đo cho trước, hiệu suất đo của thiết bị phụ thuộc vào\r\nnăng lượng bức xạ của nguồn.

\r\n\r\n

Chú thích - Theo định\r\nnghĩa 3.9 và 3.10 thì suất phát xạ bề mặt của nguồn bằng hoạt độ của nguồn nhân\r\nvới hiệu suất nguồn (xem điều A.1).

\r\n\r\n

4. Phương pháp đánh\r\ngiá độ nhiễm xạ bề mặt

\r\n\r\n

4.1. Tổng quan

\r\n\r\n

Độ nhiễm xạ bề mặt có\r\nthể được đánh giá bằng phương pháp đo trực tiếp hoặc gián tiếp. Phép đo trực\r\ntiếp được tiến hành nhờ máy đo độ nhiễm xạ bề mặt và máy theo dõi, nó tương ứng\r\nvới độ nhiễm xạ bề mặt bám chặt cộng với độ nhiễm xạ bề mặt có thể tẩy bỏ được.\r\nPhép đo gián tiếp thường được thực hiện bằng cách lấy mẫu thử, và chỉ sử dụng để\r\nđánh giá độ nhiễm xạ có thể tẩy bỏ được.

\r\n\r\n

Mục đích của việc đo\r\nđộ nhiễm xạ bề mặt là :

\r\n\r\n

a) trước hết, để phát\r\nhiện độ nhiễm xạ bề mặt nhằm xác định sự tồn tại hoặc sự phát tán của chúng và\r\nnhằm kiểm soát sự di chuyển của chúng từ vùng nhiễm xạ cao đến vùng nhiễm xạ\r\nthấp hơn hoặc đến những vùng chưa bị nhiễm xạ, và

\r\n\r\n

b) thứ hai, để đánh\r\ngiá hoạt độ trên một đơn vị diện tích nhằm kiểm chứng việc không vượt quá giới\r\nhạn cho phép.

\r\n\r\n

Khả năng ứng dụng và\r\nđộ tin cậy của phương pháp trực tiếp hoặc gián tiếp theo mục đích đặt ra phụ\r\nthuộc rất nhiều vào từng trường hợp cụ thể, ví dụ dạng vật lý và hoá học của chất\r\nphóng xạ, độ bám của chất phóng xạ lên bề mặt bị nhiễm xạ (bám chặt hoặc có thể\r\ntẩy bỏ), khả năng tiếp cận bề mặt cần đo hoặc tồn tại trường phóng xạ khác có\r\nthể gây nhiễu đến phép đo v.v..

\r\n\r\n

Phép đo trực tiếp đặc\r\nbiệt khó hoặc không thể thực hiện được nếu trên bề mặt tồn tại các chất lỏng\r\nkhông có tính phóng xạ hoặc chất rắn kết tụ hoặc tồn tại một trường bức xạ gây\r\nnhiễu khác. Phương pháp đo gián tiếp thường hay được áp dụng, đặc biệt khi bề\r\nmặt nhiễm xạ nằm ở vị trí khó tiếp cận hoặc có cấu hình mà phép đo trực tiếp\r\nkhông dễ dàng thực hiện được hoặc ở những nơi mà trường bức xạ ngoài gây nhiễu\r\nmạnh tới thiết bị đo. Tuy nhiên các phép đo gián tiếp không thể đánh giá được độ\r\nnhiễm xạ bám chặt và do độ không ổn định lớn liên quan tới hệ số tẩy, nên phương\r\npháp gián tiếp thường chỉ dùng để phát hiện các chất nhiễm xạ có thể tẩy bỏ được.

\r\n\r\n

Do khiếm khuyết vốn\r\ncó của cả phương pháp đo trực tiếp và gián tiếp đối với việc đánh giá độ nhiễm\r\nxạ bề mặt, nên trong nhiều trường hợp thường sử dụng kết hợp cả hai phương pháp\r\nđể bảo đảm kết quả phù hợp tốt nhất với mục đích đề ra.

\r\n\r\n

Do hiệu suất của thiết\r\nbị đo thay đổi theo năng lượng tia, nên phải thận trọng trong việc đánh giá các\r\ntrường hợp nhiễm xạ bêta hỗn hợp (xem điều 5). Điều này rất đúng đối với các\r\nthiết bị đo hoạt độ bề mặt.

\r\n\r\n

4.2 Đo trực tiếp độ\r\nnhiễm xạ bề mặt

\r\n\r\n

4.2.1 Yêu cầu đối với\r\nthiết bị đo

\r\n\r\n

Đặc trưng kỹ thuật\r\ncủa thiết bị đo phải tuân theo các yêu cầu nêu trong xuất bản phẩm số 325 của\r\nIEC. Các thiết bị phải có khả năng đo được hoạt độ thấp dưới giới hạn nhiễm xạ\r\nbề mặt cho phép, là mức dùng làm mốc để so sánh các kết quả độ nhiễm xạ. (giới\r\nhạn cho phép được quy định trong quy phạm quốc tế hoặc quốc gia hoặc trong trường\r\nhợp không có quy phạm thì nó sẽ được xác định bởi các tiêu chuẩn hoặc sự thoả\r\nthuận ở từng vùng).

\r\n\r\n

Chú thích -

\r\n\r\n

1. Khả năng nói trên\r\ncó thể được mô tả chặt chẽ và đúng hơn bằng thuật ngữ "giới hạn phát hiện\r\ndưới" hoặc " hoạt độ thấp nhất có thể phát hiện được". Tuy nhiên\r\nchưa có hiệp định quốc tế nào trong việc định nghĩa các thuật ngữ này. Hơn thế\r\nnữa, các phương trình để tính các giá trị liên quan còn quá phức tạp nên chưa thể\r\nnêu ra trong tiêu chuẩn này.

\r\n\r\n

2. Các thiết bị dùng để\r\nđo trực tiếp độ nhiễm xạ bề mặt thường có diện tích cửa sổ nhạy cảm từ 20 đến 200\r\ncm² và có khả năng đo độ nhiễm xạ bề mặt nhỏ hơn 0,04 Bq.cm^-2\r\nđối với nguồn phát anpha và 0,4 Bq.cm^-2 đối với nguồn phát bêta trong\r\nđiều kiện phông tự nhiên bình thường. Tính hữu dụng của một đầu dò không chỉ được\r\nquy định bởi hiệu suất của thiết bị mà còn bởi kích thước của cửa sổ độ nhạy.\r\nCác thiết bị có cửa sổ độ nhạy lớn đặc biệt hữu dụng đối với các phép đo độ\r\nnhiễm xạ trên các bề mặt trải rộng.

\r\n\r\n

4.2.2 Quy trình phát\r\nhiện

\r\n\r\n

Dịch chuyển từ từ đầu\r\ndò trên bề mặt và lắng nghe sự thay đổi tần suất của các tiếng kêu lách tách,\r\ncần tránh sự tiếp xúc giữa các bộ phận của cửa sổ nhạy cảm của đầu dò và bề mặt\r\ncần đo. Các tín hiệu chỉ thị âm thanh là tức thì, không phụ thuộc vào độ nhạy\r\nthời gian đáp ứng của thiết bị sử dụng. Khi một diện tích nhiễm xạ được phát\r\nhiện, phải đặt đầu dò ngay trên diện tích đó và giữ cố định trong một khoảng\r\nthời gian đủ để khẳng định sự phát hiện.

\r\n\r\n

Khoảng cách giữa đầu\r\ndò và bề mặt phải duy trì ở mức nhỏ nhất có thể được. Có thể sử dụng một dụng\r\ncụ định cữ cho mục đích này.

\r\n\r\n

4.2.3 Quy trình đo

\r\n\r\n

4.2.3.1 Khi đo phải tuân theo\r\ncác hướng dẫn vận hành thiết bị đo và các yêu cầu sau:

\r\n\r\n

a) trước khi đo, số\r\nđếm phông phải được xác định tại nơi thực hiện phép đo;

\r\n\r\n

b) phải thường xuyên\r\nkiểm tra số đếm phông;

\r\n\r\n

c) tính năng hoạt\r\nđộng của thiết bị phải được kiểm tra, xác nhận bằng một nguồn kiểm tra thích\r\nhợp.

\r\n\r\n

Tần xuất: kiểm tra\r\nhàng ngày đối với các thiết bị đo thường xuyên, đối với các trường hợp khác thì\r\nkiểm tra trước mỗi lần sử dụng. Nếu sai lệch trên 25% so với giá trị thoả thuận\r\nthì phải tăng cường việc hiệu chuẩn lại thiết bị.

\r\n\r\n

d) điều kiện hình học\r\nkhi đo phải thật sát với điều kiện hình học dùng để hiệu chuẩn máy; các khoảng\r\ncách có mức độ sai khác có thể sử dụng cho mục đích này;

\r\n\r\n

e) để đo chính xác, đầu\r\ndò cần phải giữ ổn định trong khoảng thời gian lớn hơn 3 lần thời gian đáp ứng\r\n(95 % );

\r\n\r\n

f) các giá trị hiệu\r\nsuất của thiết bị đo phải có sẵn và tương ứng với hạt nhân phóng xạ cần đo (xem\r\nđiều 5).

\r\n\r\n

4.2.3.2 Hoạt độ bêta hoặc\r\nanpha của nhiễm xạ bám chặt và nhiễm xạ có thể tẩy bỏ trên một đơn vị diện\r\ntích, A_s1 của bề mặt được kiểm tra, biểu thị bằng\r\nbecquerel trên centimet vuông, phụ thuộc vào tốc độ đếm theo công thức sau:

\r\n\r\n

A_S\r\n= (1)

\r\n\r\n

trong đó:

\r\n\r\n

n là tốc độ đếm tổng\r\ncộng đo được trong một giây;

\r\n\r\n

n_B là tốc độ đếm phông trong\r\nmột giây;

\r\n\r\n

e_i là hiệu suất đo của\r\nthiết bị đo đối với tia bêta hoặc anpha (xem điều 5 và A.2);

\r\n\r\n

W là diện tích của cửa\r\nsổ nhạy của thiết bị đo (cửa sổ vào của bức xạ) tính bằng centimet vuông;

\r\n\r\n

e_s là hiệu suất nguồn\r\ngây nhiễm xạ.

\r\n\r\n

Với những giả định\r\nhợp lý và cẩn trọng (xem A.1) các giá trị sau đây của e_s có thể được sử dụng trong\r\ncác trường hợp không biết các giá trị chính xác hơn:

\r\n\r\n

e_s = 0,5 (đối với nguồn\r\nphát tia bêta E_bmax ³ 0,4 MeV)

\r\n\r\n

e_s = 0,25 ( đối với\r\nnguồn phát bêta 0,15 MeV < E_bmax < 0,4 MeV)

\r\n\r\n

Đối với trường hợp có\r\nthể đánh giá nhiễm xạ anpha, xem A.1.

\r\n\r\n

Phải hiệu chỉnh thời\r\ngian chết cho tốc độ đếm nếu cần.

\r\n\r\n

Đối với nguồn anpha\r\ncân bằng hoàn toàn hoặc một phần với các nguồn anpha khác trong dãy phân rã phương\r\npháp đánh giá này cho biết tổng hoạt độ các nguồn anpha có trong dãy. Trong trường\r\nhợp cân bằng hoàn toàn thì đóng góp của từng nguồn anpha riêng lẻ có thể tính được\r\nbằng cách chia hoạt độ tổng anpha cho số nguồn anpha tham gia trong cân bằng.

\r\n\r\n

Chỉ có thể tính toán\r\ntương tự đối với nguồn phát bêta nằm cân bằng trong dãy phân rã nếu xác suất\r\nghi nhận được là như nhau (xem bảng 3, cặp đánh dấu *eq).

\r\n\r\n

Đối với các cặp phân\r\nrã được đánh dấu là § trong bảng 3, chỉ có hạt nhân phóng xạ được gạch chân là\r\nsẽ được đo chính xác bằng thiết bị đo beta chuyên dùng để đo độ nhiễm xạ bề\r\nmặt. Trong trạng thái cân bằng, tổng hoạt độ hiệu hữu gấp hai lần hoạt độ bêta\r\nthu được bằng phương pháp đánh giá chuẩn.

\r\n\r\n

Chú thích - Thiết bị\r\nđo có bộ vi xử lý có khả năng tính tự động công thức (1) và đưa ra hướng dẫn về\r\nhoạt độ trên một đơn vị diện tích. Do đó thiết bị này phải nhớ được các trị số\r\nthích hợp đối với nB, W, e_i và e_s. Các giá trị e_i và e_s phải được lựa chọn riêng\r\nbiệt tuỳ thuộc vào hạt nhân phóng xạ đo được và cấu trúc của nguồn gây nhiễm xạ\r\nCác giá trị này thường được đưa trước vào bộ nhớ của thiết bị như một hệ số\r\nchung. Trong trường hợp hiệu chuẩn thiết bị (xem điều 5, chú thích 5) thì chỉ\r\ncó giá trị  e_s được lựa chọn.

\r\n\r\n

4.3 Phương pháp gián\r\ntiếp đánh giá độ nhiễm xạ bề mặt

\r\n\r\n

4.3.1 Yêu cầu đối với\r\nthiết bị đo

\r\n\r\n

Việc đo mẫu lau thường\r\nđược tiến hành bằng cách sử dụng các thiết bị đếm xung được bố trí cố định và được\r\nche chắn tốt. Nếu sử dụng máy kiểm xạ hoặc máy đo độ nhiễm xạ bề mặt cầm tay\r\nthì các tính năng và hiệu suất của các thiết bị đo phải phù hợp với tiêu chuẩn\r\ntrong xuất bản phẩm số 325 của IEC.

\r\n\r\n

Các thiết bị phải có\r\nkhả năng đo được hoạt độ thấp dưới giới hạn nhiễm xạ bề mặt cho phép (xem\r\n4.2.1, chú thích 1), là mức dùng làm mốc để so sánh các kết quả độ nhiễm xạ.\r\n(giới hạn cho phép được quy định trong quy phạm quốc tế hoặc quốc gia, hoặc\r\ntrong trường hợp không có quy phạm thì nó sẽ được xác định bởi các tiêu chuẩn\r\nhoặc sự thoả thuận ở từng vùng).

\r\n\r\n

Chú thích - Các thiết\r\nbị đo sẵn có hiện nay có khả năng đo được mức hoạt độ nhỏ hơn 0,4 Bq đối với\r\nnhiễm xạ anpha và 4 Bq đối với nhiễm xạ bêta.

\r\n\r\n

Dựa trên hai mức hoạt\r\nđộ này khi lau bề mặt nhiễm xạ có diện tích 100 cm² và sử dụng hệ số\r\ntẩy F = 0,1 thì vẫn có thể đo được nhiễm xạ bề mặt nhỏ hơn 0,04 Bq. cm^-2\r\nvà 0,4 Bq. cm^-2.

\r\n\r\n

4.3.2 Hướng dẫn lấy\r\nmẫu thử

\r\n\r\n

Việc phát hiện và\r\nđánh giá độ nhiễm xạ bề mặt có thể được thực hiện bằng cách sử dụng một hoặc\r\nmột số các mẫu lau khô hoặc ướt.

\r\n\r\n

Khi lấy các mẫu lau\r\ntừ các diện tích lớn, để xác định được chính xác phân bố độ nhiễm xạ cần phải lưu\r\ný các điểm sau đây

\r\n\r\n

a) nếu có thể diện\r\ntích lấy mẫu lau phải lớn khoảng 100 cm²;

\r\n\r\n

b) ở những nơi mà quy\r\nphạm cho phép, lấy trung bình độ nhiễm xạ bề mặt trên một diện tích rộng, thì\r\ncác diện tích lấy mẫu đó phải đưa vào tính kết quả theo 4.3.3;

\r\n\r\n

c) vật liệu dùng để\r\nlau phải được chọn cho phù hợp với bề mặt cần kiểm tra (ví dụ giấy lọc đối về\r\nbề mặt nhẵn hoặc vải bông đối với các bề mặt thô ráp);

\r\n\r\n

d) nếu một môi chất\r\nlàm ướt dùng để làm ẩm vật liệu lau thì môi chất làm ướt này phải không được\r\nrớt khỏi khăn lau;

\r\n\r\n

Cảnh báo: Vì chất nhiễm\r\nxạ có thể bị hấp thụ vào bên trong cấu trúc của khăn lau/vật liệu lấy mẫu thử\r\nhoặc bị bao bởi độ ẩm dư thì chất làm ướt có thể dẫn đến kết quả đánh giá độ\r\nnhiễm xạ thấp hơn đáng kể đối với các nguồn phát xạ anpha.

\r\n\r\n

e) mẫu lau cần phải được\r\nép nhẹ lên bề mặt cần đo bằng cách sử dụng các đầu ngón tay hoặc thích hợp hơn\r\ncả là bằng một cái kẹp được thiết kế đặc biệt để bảo đảm áp lực phân bố đều và\r\nkhông đổi;

\r\n\r\n

f) toàn bộ diện tích\r\n100 cm² phải được lau hết;

\r\n\r\n

g) nếu có thể thì nên\r\nsử dụng giấy lọc tròn để làm vật liệu lau;

\r\n\r\n

h) diện tích nhiễm xạ\r\ncủa mẫu lau phải nhỏ hơn hoặc bằng diện tích nhạy của đầu dò;

\r\n\r\n

i) sau khi lấy mẫu,\r\nvật liệu dùng làm mẫu thử cần phải được làm khô một cách cẩn thận sao cho không\r\nlàm mất đi hoạt độ trên mẫu thử.

\r\n\r\n

4.3.3 Quy trình đo

\r\n\r\n

Phép đo mẫu lau cần\r\nphải được tiến hành theo các bước như mô tả trong 4.2.3.1.

\r\n\r\n

Hoạt độ anpha hoặc\r\nbêta của các chất nhiễm xạ có thể tẩy bỏ trên bề mặt trên một đơn vị diện tích,\r\nA_sr 1) mẫu lau, được biểu diễn bằng becquerel\r\ntrên centimet vuông, phụ thuộc vào tốc độ đếm của thiết bị đo theo công thức\r\nsau:

\r\n\r\n

A_sr\r\n= (2)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

n là tốc độ đếm tổng\r\ncộng trong một giây (s^-1);

\r\n\r\n

n_B là tổng số đếm phông\r\ntrong một giây (s^-1);

\r\n\r\n

e_i là hiệu suất đếm của\r\nthiết bị đo đối với tia bêta hoặc anpha (xem điều 5 và A.2);

\r\n\r\n

F là hệ số tẩy bỏ;

\r\n\r\n

S là diện tích lau,\r\ntính bằng centimet vuông;

\r\n\r\n

e_s là hiệu suất nguồn\r\ncủa hạt nhân phóng xạ có mặt trong mẫu lau (xem điều A.2).

\r\n\r\n

Phải sử dụng các giá\r\ntrị e_s cho trong 4.2.3.2.

\r\n\r\n

Nếu hệ số tẩy sạch F\r\nkhông xác định được bằng thực nghiệm thì có thể sử dụng giá trị cố định của\r\nF = 0,1.

\r\n\r\n

Để đánh giá các hạt\r\nnhân phóng xạ trong trường hợp mất cân bằng, xem 4.2.3.2.

\r\n\r\n

5. Xác định hiệu suất\r\ncủa thiết bị đo

\r\n\r\n

Xác định hiệu suất đo\r\ncủa thiết bị đo bằng phương pháp nguồn chuẩn có suất phát xạ trên một đơn vị diện\r\ntích đã cho và phù hợp với tiêu chuẩn ISO 8769.

\r\n\r\n

Kích thước của nguồn\r\nchuẩn phải đủ lớn để bao phủ hết cửa sổ đầu dò của thiết bị đo. Trong những trường\r\nhợp đặc biệt, khi không có nguồn với kích thước như vậy thì phải tiến hành các\r\nphép đo liên tiếp với các nguồn nhỏ hơn nhưng phải có diện tích hoạt tính tối\r\nthiểu là 100 cm². Những phép đo này cần phải bao phủ toàn bộ diện\r\ntích cửa sổ hoặc tối thiểu là tại các phần đại diện của nó và kết quả sẽ là giá\r\ntrị trung bình đối với e_i.

\r\n\r\n

Khi xác định hiệu\r\nsuất thiết bị đo, cần phân biệt tia bức xạ anpha và bêta.

\r\n\r\n

Trong trường hợp sự\r\nnhiễm xạ bề mặt anpha, kích thước hạt có thể đạt đến giá trị 10 mm và lớn hơn. Với sự nhiễm xạ các hạt\r\nmịn (đường kính hạt từ 0,1 đến 2 mm)\r\ncác chất phóng xạ có thể trộn lẫn với bụi không phóng xạ trên bề mặt trong khi\r\nlấy mẫu và bị nén vào trong vật liệu lấy mẫu. Trong cả hai trường hợp phổ vạch\r\ngốc đó chuyển thành một phổ liên tục chứa tất cả các hạt có năng lượng anpha từ\r\n0 đến vạch năng lượng. Do đó hiệu suất của đầu dò thường có giá trị thấp hơn\r\nnguồn dạng màng mỏng. Vì lý do này nên các nguồn có bề dày bão hoà ví dụ hợp\r\nkim uran (13 % uran thiên nhiên với 0,06 mm độ dày) là thích hợp để làm nguồn\r\nchuẩn công tác đối với các đầu dò đo anpha không nhạy với bêta.

\r\n\r\n

Trong trường hợp là\r\nchất phát bêta, hiệu suất thiết bị đo e_i phụ thuộc vào năng lượng của các hạt bêta và cần xác\r\nđịnh đối với năng lượng bêta tương ứng với đồng vị nhiễm xạ cần đo.

\r\n\r\n

Trong các nhà máy\r\nhoặc phòng thí nghiệm, sử dụng hạt nhân phóng xạ khác nhau với năng lượng bêta\r\nkhác nhau thì chỉ cần sử dụng hiệu suất thiết bị đo đối với một năng lượng bêta\r\nđơn lẻ. Tuy nhiên phải đảm bảo năng lượng bêta của nguồn chuẩn này không lớn\r\nhơn nhiều so với năng lượng thấp nhất của các hạt bêta cần đo.

\r\n\r\n

Các hạt nhân phóng xạ\r\nsau đây thích hợp cho việc sử dụng làm các nguồn chuẩn:

\r\n\r\n

¹⁴C (E_bmax  = 0,154 MeV)

\r\n\r\n

¹⁴⁷Pm (E_bmax  = 0,225 MeV)

\r\n\r\n

³⁶Cl (E_bmax  = 0,71 MeV)

\r\n\r\n

²⁰⁴Tl (E_bmax  = 0,77 MeV)

\r\n\r\n

⁹⁰Sr/⁹⁰Y (E_bmax = 2,26 MeV)

\r\n\r\n

¹⁰⁶Ru/90Rh (E_bmax = 3,54 MeV)

\r\n\r\n

Hiệu suất thiết bị đo\r\nphải được xác định trong các điều kiện hình học xác định và nó phải gần với\r\nđiều kiện thực của phép đo liên tiếp trực tiếp hoặc gián tiếp (xem 4.2.3.1).

\r\n\r\n

Hiệu suất thiết bị\r\nđo, e_i, trên nguồn chuẩn\r\n(xem A.2) được tính theo công thức sau;

\r\n\r\n

e_i = = (3)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

n là tốc độ đếm tổng\r\ncộng từ nguồn chuẩn và phông trong một giây (s^-1);

\r\n\r\n

n_B là tốc độ đếm phông trong\r\nmột giây (s ^-1);

\r\n\r\n

q_2ppsc là suất phát xạ bề\r\nmặt của các nguồn phóng xạ nằm dưới cửa sổ nhạy của đầu dò với diện tích

\r\n\r\n

W, cm² ,\r\ntính bằng centimet vuông (cm²);

\r\n\r\n

E_sc là suất phát xạ bề\r\nmặt trên một đơn vị diện tích của nguồn chuẩn trong một giây trên centimet\r\nvuông (s^-1 . cm ^-2)

\r\n\r\n

Chú thích -

\r\n\r\n

1. Trong trường hợp ⁹⁰Sr\r\ncân bằng với hạt nhân con của nó ⁹⁰Y, suất phát xạ bề mặt trên một đơn\r\nvị diện tích được dùng trong công thức (3) phải bằng hai lần suất phát xạ bề\r\nmặt trên một đơn vị diện tích đối với ⁹⁰Sr.

\r\n\r\n

2. Nếu suất phát xạ\r\nbề mặt của nguồn dùng để chuẩn là chưa biết (có nghĩa là nguồn không tuân theo ISO\r\n8769), thì giá trị ước lượng của E_sc có thể được xác định\r\ntheo A.4.1.

\r\n\r\n

3. Việc sử dụng nguồn\r\ntham chiếu có bề dày bão hoà cho giá trị hiệu suất cẩn trọng hơn so với khi sử\r\ndụng lớp mỏng.

\r\n\r\n

4. Trong một số thiết\r\nbị có bộ vi xử lý , e_i được xác định theo cách\r\nsau: đặt đầu dò trên một nguồn chuẩn có diện tích đã biết có độ lớn thích hợp (E_sc)\r\ncó hiệu suất phát xạ đã biết và bằng cách điều chỉnh liên tục hệ số chuẩn, chỉ\r\nsố tốc độ đếm của máy đo sẽ đạt tới giá trị E_sc. Sau đó bật thiết\r\nbị để biết hệ số chuẩn e_i.

\r\n\r\n

5. Phép chuẩn trực\r\ntiếp có thể được tiến hành nhờ thiết bị đo có bộ vi xử lý: Đặt đầu dò trên một\r\nnguồn chuẩn có diện tích lớn thích hợp của nguồn chuẩn có suất phát xạ trên một\r\nđơn vị diện tích đã biết (E_sc) và bằng cách điều chỉnh liên\r\ntục hệ số chuẩn lên, số chỉ tốc độ đếm của thiết bị sẽ đạt giá trị (E_sc/e_s), trong đó e_s hiệu suất của nguồn\r\ngây nhiễm xạ được đo nhờ một thiết bị hiệu chuẩn.

\r\n\r\n

6 Ghi kết quả phép đo\r\nđộ nhiễm xạ

\r\n\r\n

Báo cáo kết quả đo độ\r\nnhiễm xạ bề mặt phải bao gồm các thông tin sau đây:

\r\n\r\n

a) ngày tháng;

\r\n\r\n

b) địa điểm và vị\r\ntrí;

\r\n\r\n

c) loại bề mặt khi đo\r\nbằng phương pháp gián tiếp;

\r\n\r\n

d) vật liệu lau (khô\r\nhoặc ướt);

\r\n\r\n

e) chất làm ướt;

\r\n\r\n

f) hệ số tẩy bỏ đối\r\nvới phép đo gián tiếp (đo được hoặc tra bảng);

\r\n\r\n

g) thiết bị đo được\r\nsử dụng, số xê-ri;

\r\n\r\n

h) hiệu suất của\r\nthiết bị đo, ngày hiệu chuẩn;

\r\n\r\n

i) nguồn chuẩn: hạt\r\nnhân phóng xạ, suất phát xạ bề mặt (trên đơn vị diện tích);

\r\n\r\n

j) thiết bị đọc độ\r\nnhiễm xạ (bề mặt hay mẫu lau);

\r\n\r\n

k) số đọc phông;

\r\n\r\n

l) hoạt độ trên một\r\nđơn vị diện tích;

\r\n\r\n

m) ghi chú về mức\r\nnhiễm xạ lan rộng; n) các quan sát khác;

\r\n\r\n

o) tên người thực\r\nhiện.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

Phụ lục A

\r\n\r\n

(quy\r\nđịnh)

\r\n\r\n

Giải thích thuật ngữ và dữ liệu cơ bản\r\nđối với quy trình hiệu chuẩn và đo

\r\n\r\n

A.1 Giới thiệu chung

\r\n\r\n

Độ nhiễm xạ bề mặt thường\r\nđược định nghĩa là hoạt độ trên một đơn vị diện tích, còn tốc độ đếm được đo\r\nbằng thiết bị liên quan trực tiếp đến bức xạ phát ra từ bề mặt chứ không phải\r\nhoạt độ phía trên hoặc bên trong bề mặt. Đối với một hoạt độ đã cho trên một\r\nđơn vị diện tích, số hạt bức xạ phát ra từ bề mặt trong một đơn vị thời gian\r\nphụ thuộc vào lượng tự hấp thụ trong nguồn và lượng tán xạ từ nguồn và vật liệu\r\nnền. Sự tự hấp thụ sẽ làm giảm số hạt phát ra và tán xạ ngược sẽ làm tăng số\r\nhạt này. Do tính chất hấp thụ và tán xạ khác nhau của các bề mặt, nói chung không\r\nthể có một quan hệ đơn giản giữa suất phát xạ và hoạt độ. Bởi vậy yêu cầu phải\r\nhiệu chuẩn các thiết bị đo độ nhiễm xạ bề mặt theo hiệu suất đo trên cơ sở suất\r\nphát xạ của nguồn và phải tiến hành xác định nguồn chuẩn theo cả hoạt độ và\r\nsuất phát xạ.

\r\n\r\n

Cho đến nay, việc\r\nhiệu chuẩn các thiết bị đo độ nhiễm xạ bề mặt thường được tiến hành bằng cách\r\nxác định độ đáp ứng của thiết bị đối với một hoạt độ đã biết (hoặc hoạt độ trên\r\nmột đơn vị diện tích) của nguồn tham chiếu.

\r\n\r\n

Chú thích - Phương pháp\r\nnày được nêu ra trong xuất bản phẩm số 325 của IEC ở đó độ đáp ứng đối với hoạt\r\nđộ trên một đơn vị diện tích của nguồn chuẩn được xác định như là độ đáp ứng\r\nhoạt độ bề mặt.

\r\n\r\n

Đối với quy trình\r\nnày, để thu được hệ số chuẩn duy nhất các nguồn cần phải là những nguồn mỏng lý\r\ntưởng, có nghĩa là các nguồn không có sự tự hấp thụ và cũng không có hiện tượng\r\ntán xạ ngược. Tuy nhiên trong thực tế các nguồn thường khác xa với nguồn lý tưởng,\r\nđặc biệt đối với nguồn phát anpha và bêta năng lượng thấp (năng lượng cực đại\r\ncủa bêta khoảng 0,4 MeV). Việc hiệu chuẩn dựa trên hoạt độ phóng xạ sẽ dẫn đến\r\nmột hệ số chuẩn không đơn nhất mà nó phụ thuộc mạnh vào cấu trúc của nguồn; một\r\ndải rộng các giá trị có thể thu được khi sử dụng các nguồn chuẩn có cùng một hoạt\r\nđộ của hạt nhân phóng xạ nhưng có các cấu trúc khác nhau.

\r\n\r\n

Hệ số hiệu chuẩn dựa trên\r\nsuất phát xạ của nguồn ít phụ thuộc vào cấu trúc nguồn. Việc hiệu chuẩn thiết\r\nbị đo độ nhiễm xạ bề mặt dựa trên suất phát xạ chứ không phải theo hoạt độ,\r\nđiều này cho phép so sánh được độ đáp ứng của thiết bị đo. Điều này cũng giúp\r\nđể thực hiện được việc sao chép chuẩn theo các chuẩn quốc gia.

\r\n\r\n

Trong phần phụ lục\r\nnày các thuật ngữ khác nhau liên quan đến phép đo độ nhiễm xạ bề mặt và chuẩn\r\ncác máy đo độ nhiễm xạ bề mặt sẽ được giải thích nhằm tránh sự nhầm lẫn và bảo\r\nđảm hiểu rõ được sự khác nhau giữa hai phương pháp chuẩn. Hiệu suất thiết bị đo\r\ne_i và giá trị khuyến\r\ncáo đối với hiệu suất của nguồn, e_s, sẽ được xem xét chi tiết hơn.

\r\n\r\n

A.2 Giải thích thuật\r\nngữ

\r\n\r\n

Các thuật ngữ khác\r\nnhau nêu trong bảng 1 được giải thích trên hình vẽ. Tốc độ đếm gây bởi bức xạ\r\ncủa nguồn được ký hiệu là n, và q₁ - q₆ là tốc độ\r\nsinh ra các loại hạt sau:

\r\n\r\n

Loại 1: các hạt trực\r\ntiếp đến được đầu dò;

\r\n\r\n

Loại 2: các hạt đến được\r\nđầu dò do tán xạ ngược từ nguồn hoặc từ giá đỡ;

\r\n\r\n

Loại 3: các hạt ra\r\nkhỏi nguồn theo hướng góc khối 2p\r\nphía trên nhưng không đến được đầu dò do bị hấp thụ trong không khí;

\r\n\r\n

Loại 4: các hạt ra\r\nkhỏi nguồn theo hướng góc khối 2p\r\nphía trên nhưng không ra khỏi nguồn do sự tự hấp thụ;

\r\n\r\n

Loại 5: các hạt rời\r\nkhỏi nguồn theo hướng lên trên trong một góc khối 2p phía trên nhưng không đến được đầu dò\r\ndo các nguyên nhân hình học;

\r\n\r\n

Loại 6: tất cả các\r\nhạt rời khỏi nguồn theo góc khối 2p\r\nphía trên, bao gồm cả các hạt tán xạ ngược và chỉ loại trừ các hạt loại 2.

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n- Mặt cắt ngang của một tổ hợp đầu dò và nguồn

\r\n\r\n

Các định nghĩa về\r\nthuật ngữ nêu trong bảng 1 được phân loại theo hình vẽ. Thuật ngữ bổ sung\r\n"Hiệu suất nội của thiết bị đo, I_i " đôi khi cần thiết và\r\nđược định nghĩa là "tỷ số giữa tốc độ đếm của đầu dò và số các hạt đi đến đầu\r\ndò" trong một đơn vị thời gian. Đối với một nguồn lý tưởng không tự hấp\r\nthu, không tán xạ ngược thì giá trị của e_s là 0,5. Đối với các nguồn thực giá trị e_s thường nhỏ hơn 0,5 nhưng\r\ncũng có thể lớn hơn 0,5 tuỳ thuộc vào độ lớn tương đối của quá trình tự hấp thụ\r\nvà tán xạ ngược.

\r\n\r\n

Giá trị cực đại của e_s và I_i bằng\r\n1.

\r\n\r\n

Bảng\r\n1 - Định nghĩa các thuật ngữ

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Thuật\r\n ngữ \r\n	\r\n Ký\r\n hiệu \r\n	\r\n Đơn\r\n vị \r\n	\r\n Định\r\n nghĩa \r\n
\r\n Hoạt độ nguồn 1) \r\n Suất phát xạ bề mặt\r\n của nguồn \r\n Hiệu suất nguồn \r\n Hiệu suất thiết bị\r\n đo \r\n Hiệu suất nội của\r\n thiết bị đo \r\n Độ đáp ứng của\r\n thiết bị đo đối với hoạt độ A \r\n	\r\n A \r\n q2p \r\n es \r\n ei \r\n li \r\n Ri \r\n	\r\n Bq \r\n s-1 \r\n 2) \r\n 2) \r\n 2) \r\n 2) \r\n	\r\n A = q1 +\r\n q2 + q3 + q4 + q5 + q6 \r\n q2p  = q1 + q2\r\n + q3 + q5 \r\n es = = \r\n ei = \r\n li = \r\n R1 = ei x es = \r\n

\r\n\r\n

1) Định nghĩa hoạt độ\r\nđược đơn giản hoá này chỉ có thể sử dụng trong những điều kiện hạn chế đã được\r\nđề cập trong điều 1. Một cách chặt chẽ thì hoạt độ phải được định nghĩa theo\r\ncông thức sau:

\r\n\r\n

A\r\n= ( q₁ + q₂ + … q₆)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

e_d là số hạt của loại được\r\nxem xét sinh ra trong một phân rã.

\r\n\r\n

Tuy nhiên đối với các\r\nhạt nhân phóng xạ xem xét trong tiêu chuẩn này (xem bảng 3) thì e_d được cho bằng 1.

\r\n\r\n

2) Tất cả các hiệu\r\nsuất đều không có thứ nguyên.

\r\n\r\n

Theo cách xác định\r\ncho trong bảng 1, độ đáp ứng của các thiết bị R_i đối với hoạt\r\nđộ của nguồn chuẩn có thể được viết như sau:

\r\n\r\n

R_i = e_I  x e_s

\r\n\r\n

có nghĩa là độ đáp\r\nứng có thể tách thành tích hiệu suất thiết bị đo e_i (phản ánh đặc trưng kỹ thuật của thiết bị đo\r\nvà cấu trúc hình học) và hiệu suất phát xạ của nguồn e_s  (phản ánh hầu hết\r\ncác tính chất cơ bản của nguồn). Do đó hệ số chuẩn R_j, thu được\r\nkhi chuẩn dựa trên hoạt độ của nguồn là tổ hợp của các đặc trưng của đầu dò,\r\nnguồn và dạng hình học.

\r\n\r\n

A.3 Những nhận định\r\nvề hiệu suất thiết bị đo

\r\n\r\n

Về mặt lý thuyết, hiệu\r\nsuất của thiết bị đo e_i phụ thuộc không chỉ vào\r\nnăng lượng bêta cực đại hoặc anpha mà còn phụ thuộc vào phân bố năng lượng thực\r\ncủa các hạt phát ra, có nghĩa là vào phổ năng lượng của nguồn. Nói cách khác, hai\r\nnguồn có cùng suất phát xạ bề mặt nhưng có phổ năng lượng khác nhau có thể gây\r\nra các tốc độ đếm khác nhau trên cùng một đầu dò. Đó là vì hiệu suất nội của\r\nthiết bị đo I_i . Hiệu suất này nói chung là phụ thuộc vào năng lượng\r\nvà do đó số các hạt tới được đầu dò trong một đơn vị thời gian có thể thay đổi\r\nvì có sự khác nhau về số hấp thụ trong không khí. Nói một cách chặt chẽ, hiệu\r\nsuất thiết bị đo e_i cũng có phụ thuộc vào\r\ncấu trúc nguồn và giá trị e_i được dùng để tính\r\nhoạt độ trên một đơn vị diện tích phải tương ứng với phân bố năng lượng của nhiễm\r\nxạ thực tế. Cần phải lưu ý rằng số các hạt đến được đầu dò trong một đơn vị\r\nthời gian và phổ năng lượng của chúng có thể rất nhạy với sự khác nhau nhỏ nhất\r\ngiữa dạng hình học phép đo khi tiến hành chuẩn và dạng hình học khi đo thực tế.\r\nTuy nhiên, đối với các mục đích thực tiễn thì ảnh hưởng của phổ nói trên có thể\r\nđược bỏ qua và giá tri e_i thu được bởi nguồn\r\nchuẩn có năng lượng thích hợp có thể được sử dụng (xem bảng 5).

\r\n\r\n

A.4 Giá trị khuyến\r\ncáo đối với hiệu suất của nguồn

\r\n\r\n

A.4.1 Nguồn tham\r\nchiếu

\r\n\r\n

Hiệu suất của một\r\nnguồn tham chiếu, e_sc , chỉ biết được khi\r\nbiết cả hoạt độ và suất phát xạ bề mặt của nguồn (e_s = q_2p /A), xem bảng\r\n1).

\r\n\r\n

Chú thích - Trong trường\r\nhợp đặc biệt nguồn có lớp bão hoà, khi biết được hoạt độ trong độ dày lớp bão\r\nhoà thì hoạt độ A trong công thức đối với e_s cũng có nghĩa là hoạt độ bên trong bề dày lớp bão hoà.\r\nĐiều này cần thiết phải biết để thực hiện hiệu chỉnh khi tính e_i tương ứng với điều\r\n5.

\r\n\r\n

Nếu một nguồn\r\nchuẩn(có diện tích hoạt tính V cm²) chỉ biết được hoạt độ (A)\r\nhoặc là hoạt độ trên một đơn vị diện tích (A*) thì có thể sử dụng giá trị e_sc = 0,5. Nếu sử\r\ndụng công thức (3) trong điều 5, thì E_sc = (0,5 A)/V\r\nhoặc E_sc = 0,5A*. Việc tính e_i sẽ cho kết quả ước\r\ntính cẩn trọng (có nghĩa là thấp hơn giá trị thực) vì sự đóng góp các tia tán\r\nxạ ngược đối với bề mặt được bỏ qua. Các nguồn chuẩn có trên thị trường được\r\nxác định bởi hoạt độ và thường làm bằng vật liệu có sự tán xạ ngược thấp (ví dụ\r\nbằng nhôm). Tán xạ ngược bão hoà đối với nguồn bêta mỏng đặt trên đế nhôm khoảng\r\n30 % và nhỏ hơn 20 % trên vật liệu nhựa và các vật liệu khác có Z thấp đối với\r\ntất cả các năng lượng bêta được xét đến trong tiêu chuẩn này. Tán xạ ngược đối\r\nvới các nguồn anpha trong mọi trường hợp đều nhỏ hơn 5%.

\r\n\r\n

A.4.2 Nguồn nhiễm xạ

\r\n\r\n

Hiệu suất của một nguồn\r\nnhiễm xạ anpha hoặc bêta thực e_s là khó đánh giá và\r\ncó thể thay đổi hàng chục lần do sự khác nhau về cấu trúc của các nguồn thực\r\ntế. Ở đây chỉ xét đến quá trình tự hấp thụ của nguồn, vì tán xạ ngược làm tăng\r\ntốc độ đếm và việc bỏ qua sự tán xạ ngược sẽ tăng thêm tính an toàn bằng cách\r\ntạo ra một giá trị hoạt độ cẩn trọng (cao hơn) đối với hoạt độ trên một đơn vị\r\ndiện tích.

\r\n\r\n

Giá trị khuyến cáo\r\ncủa e_s đối với nguồn bêta\r\nnhận được bằng cách xem xét các loại nguồn gây nhiễm xạ sau đây:

\r\n\r\n

- các lớp mỏng của nguồn\r\nbêta được bao bọc bởi lớp vật liệu không phóng xạ có mật độ khoảng 2,5 mg/cm²;

\r\n\r\n

- các nguồn bêta đồng\r\nnhất có độ dày của một tờ giấy lọc dùng để lau mẫu thử ( »10 mg/cm²).

\r\n\r\n

Loại thứ nhất có thể\r\ngặp trong các phép đo trực tiếp, loại thứ hai chủ yếu hay gặp trong các phép đo\r\ngián tiếp.

\r\n\r\n

Trong cả hai trường hợp,\r\nsự giảm hiệu suất của nguồn do sự tự hấp thụ trong nguồn được bỏ qua (e_s = 0,5) đối với nguồn\r\nphát bêta có năng lượng cực đại E_bmax ³\r\n0,4 MeV. Các nguồn phát bêta có năng lượng 0,15 MeV < e_sc £ 0,4 MeV sẽ có hiệu suất trung bình khoảng\r\n0,25 trong các điều kiện như nhau. Việc áp dụng các giá trị này có thể dẫn đến\r\nđánh giá thấp hoạt độ bêta được bao phủ bởi lớp vỏ có khả năng hấp thụ cao hơn.\r\nTuy nhiên cần phải lưu ý rằng sự đóng góp của các vật liệu phóng xạ như vậy đối\r\nvới nguy cơ xâm nhập hít vào hoặc nuốt phải và chiếu ngoài đồng thời được giảm\r\nxuống.

\r\n\r\n

Trong trường hợp\r\nnguồn phát anpha, việc đánh giá các giá trị đáng tin cậy và ổn định đối với e_s là khó khăn hơn bởi\r\nvì trong các trường hợp nhiễm xạ thực tế, nó có thể rất gần "không" 1)\r\n. Giá trị lý thuyết đối với nguồn có lớp bão hoà là e_s,_a = 0,25 và đối với đa\r\nsố các nguồn phát anpha có độ dày lớp bão hoà \r\n\r\n

\r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n s,a \r\n \r\n \r\n

\r\n\r\nvào\r\nkhoảng 5 mg/cm². Việc sử dụng giá trị e_s,_a = 0,25 sẽ bao quát được hai loại nhiễm xạ quan trọng anpha\r\ncó thể gặp: các lớp mỏng có độ dày cỡ lớp bão hoà bị nhiễm xạ bởi các nguồn\r\nphát anpha một cách đồng nhất trong trường hợp đo trực tiếp và các nguồn được\r\ntạo ra đồng nhất trong quá trình lấy mẫu lau (ở phép đo gián tiếp). Tuy nhiên,\r\ngiá trị e_s,_a = 0,25 sẽ dẫn đến\r\nđánh giá thấp hoạt độ trên một đơn vị diện tích nhỏ đi trong những trường hợp\r\ncác nguồn phát anpha nằm sâu hơn độ dày lớp bão hoà hoặc khi các lớp mỏng gồm\r\ncác nguồn phát anpha được bao bọc bởi các vật liệu không phóng xạ có độ dày lớn\r\nhơn 50% độ dày lớp bão hoà. Điều này khẳng định tầm quan trọng của các phép đo\r\nbằng mẫu lau.

\r\n\r\n

Giá trị khuyến cáo\r\nđối với e_s được cho trong bảng 2.

\r\n\r\n

Bảng\r\n2 - Giá trị khuyến cáo đối với e_s

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Loại\r\n hạt và dải năng lượng, \r\n MeV \r\n	\r\n es \r\n	\r\n Nhận\r\n xét \r\n
\r\n Bêta (Ebmax ≥ 0,4) \r\n Bêta (0,15 < Ebmax < 0,4) \r\n Anpha \r\n	\r\n 0,5 \r\n 0,25 \r\n 0,25 \r\n	\r\n Giá trị được giữ\r\n nguyên đối với: \r\n - các lớp cho độ\r\n dày bão hoà bị nhiễm xạ đồng đều. \r\n - các mẫu lau \r\n

\r\n\r\n

Bảng\r\n3 - Nguồn bêta thích hợp đối với phương pháp đánh giá theo tiêu chuẩn này

\r\n\r\n

Từ khoá:

\r\n\r\n

 Năng lượng bêta trung bình;

\r\n\r\n

P_b Xác suất phân rã\r\nbêta;

\r\n\r\n

P_ME > 20 Xác suất\r\nphát xạ các hạt điện tử đơn năng lớn hơn 20 keV;

\r\n\r\n

C Có sẵn trên thị trường;

\r\n\r\n

* Cặp phân rã có xác\r\nsuất phát xạ hiện tương tự đối với cả hai hạt nhân phóng xạ;

\r\n\r\n

§ Một cặp phân rã\r\ntrong đó chỉ có một đồng vị có thể phát hiện được (được gạch chân);

\r\n\r\n

eq. Sự cân bằng phân rã\r\nlà có thể;

\r\n\r\n

# Sự khác nhau bất thường\r\ngiữa E_bmax và E_b ;

\r\n\r\n

(b+) Nguồn phát bêta cộng (+);

\r\n\r\n

(EC) Nguồn phát xạ\r\nbắt electron;

\r\n\r\n

(IT) Nguồn phát xạ\r\nchuyển dịch đồng phân.

\r\n\r\n

Bảng\r\n3 -

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Hạt\r\n nhân phóng xạ \r\n	\r\n Thời\r\n gian bán rã \r\n	\r\n Ebmax \r\n keV \r\n	\r\n \r\n keV \r\n	\r\n Pb \r\n % \r\n	\r\n PME>20 \r\n % \r\n	\r\n Ghi\r\n chú \r\n
\r\n 14C \r\n 18F (b+) \r\n 24Na \r\n 28Mg \r\n 28Al \r\n 32Si \r\n 32P \r\n 33P \r\n 35S \r\n 36Cl \r\n 42K \r\n 43K \r\n 44Sc(b+) \r\n 45Ca \r\n 46Sc \r\n 47Ca \r\n 47Sc \r\n 48Sc \r\n 56Mn \r\n 59Fe \r\n 60Co \r\n 65Ni \r\n 69mZn (IT) \r\n 69Zn \r\n 72Ga \r\n 76As \r\n 77Ge \r\n 77As \r\n 82Br \r\n 82Sr (EC) \r\n 82Rb(b+) \r\n 86Rb \r\n 89Sr \r\n 143Pr \r\n 144Ce \r\n 144Pr \r\n 147Pm \r\n 148Pm \r\n 149Pm \r\n 159Gd \r\n 169Er \r\n 175Yb \r\n 185W \r\n 186Re \r\n 188W \r\n 188Re \r\n 194Ir \r\n 198Au \r\n 204Tl \r\n 209Pb \r\n	\r\n 5730\r\n năm \r\n 110\r\n phút \r\n 15\r\n giờ \r\n 20,9\r\n giờ \r\n 2,24\r\n phút \r\n 330\r\n năm \r\n 14,3\r\n ngày \r\n 25,4\r\n ngày \r\n 87,4\r\n ngày \r\n 3,01.105\r\n năm \r\n 12,4\r\n giờ \r\n 22,6\r\n giờ \r\n 3,93\r\n giờ \r\n 163\r\n ngày \r\n 83,8\r\n ngày \r\n 4,54\r\n ngày \r\n 3,42\r\n ngày \r\n 43,7\r\n giờ \r\n 2,58\r\n giờ \r\n 44,6\r\n ngày \r\n 5,27\r\n năm \r\n 2,52\r\n giờ \r\n 13,8\r\n giờ \r\n 56\r\n phút \r\n 14,1\r\n giờ \r\n 26,3\r\n giờ \r\n 11,3\r\n giờ \r\n 38,8\r\n giờ \r\n 35,3\r\n giờ \r\n 25\r\n ngày \r\n 1,25\r\n phút \r\n 18,7\r\n ngày \r\n 50,\r\n 6 ngày \r\n 13,6\r\n ngày \r\n 284,3\r\n ngày \r\n 17,28\r\n phút \r\n 2,62\r\n năm \r\n 5,37\r\n ngày \r\n 53\r\n giờ \r\n 18,6\r\n giờ \r\n 9,4\r\n ngày \r\n 4,19\r\n ngày \r\n 75,1\r\n ngày \r\n 90,6\r\n giờ \r\n 69,4\r\n ngày \r\n 17\r\n giờ \r\n 19,2\r\n giờ \r\n 2,7\r\n ngày \r\n 3,78\r\n năm \r\n 3,25\r\n giờ \r\n	\r\n 154 \r\n 634 \r\n 1390 \r\n 860 \r\n 2864 \r\n 213 \r\n 1710 \r\n 249 \r\n 167 \r\n 710 \r\n 3521 \r\n 1817 \r\n 1476 \r\n 257 \r\n 357 \r\n 1988 \r\n 601 \r\n 657 \r\n 2848 \r\n 1565 \r\n 318 \r\n 2137 \r\n - \r\n 905 \r\n 3158 \r\n 2969 \r\n 2486 \r\n 690 \r\n 444 \r\n - \r\n 3356 \r\n 1774 \r\n 1491 \r\n 935 \r\n 318 \r\n 2996 \r\n 225 \r\n 2464 \r\n 1071 \r\n 975 \r\n 350 \r\n 468 \r\n 432 \r\n 1077 \r\n 349 \r\n 2120 \r\n 2251 \r\n 961 \r\n 770 \r\n 644 \r\n	\r\n 49 \r\n 250 \r\n 554 \r\n 152 \r\n 1242 \r\n 65 \r\n 694 \r\n 77 \r\n 49 \r\n 251 \r\n 1430 \r\n 307 \r\n 633 \r\n 77 \r\n 112 \r\n 345 \r\n 162 \r\n 220 \r\n 830 \r\n 118 \r\n 96 \r\n 632 \r\n - \r\n 321 \r\n 498 \r\n 1064 \r\n 647 \r\n 229 \r\n 137 \r\n - \r\n 1474 \r\n 667 \r\n 583 \r\n 316 \r\n 82 \r\n 1207 \r\n 62 \r\n 726 \r\n 364 \r\n 311 \r\n 99 \r\n 126 \r\n 126 \r\n 349 \r\n 99 \r\n 764 \r\n 808 \r\n 311 \r\n 244 \r\n 198 \r\n	\r\n 100 \r\n 96,7 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 99 \r\n 100 \r\n 99,3 \r\n 94,4 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 99,9 \r\n 99,9 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 99,7 \r\n 100 \r\n 99,3 \r\n - \r\n 95,5 \r\n 100 \r\n 100 \r\n   \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 99,9 \r\n 93 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 100 \r\n 97,4 \r\n 100 \r\n	\r\n - \r\n - \r\n - \r\n 29,6 \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n 0,4 \r\n 0,2 \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n 5,1 \r\n - \r\n 0,4 \r\n - \r\n 3,7 \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n - \r\n 13,5 \r\n - \r\n - \r\n 0,2 \r\n 0,2 \r\n 4,6 \r\n - \r\n 5,27 \r\n - \r\n 14 \r\n 0,3 \r\n 12,5 \r\n 1,1 \r\n 4,2 \r\n - \r\n - \r\n	\r\n C \r\n C \r\n \r\n C\r\n \r\n C\r\n \r\n C \r\n C\r\n \r\n C \r\n C \r\n C\r\n * no eq. \r\n \r\n * no eq. \r\n § \r\n C\r\n \r\n C \r\n   \r\n   \r\n   \r\n \r\n C \r\n C\r\n \r\n C \r\n \r\n C\r\n \r\n C \r\n

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n