Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 9852:2013
TCVN 9852:2013
Lời giới thiệu
\r\n\r\nXác định các chu kỳ phong hóa tự\r\nnhiên, phong hóa tự nhiên tăng tốc, phong hóa tăng tốc nhân tạo hoặc phơi nhiễm\r\nbức xạ tăng tốc nhân tạo chỉ liên quan đến thời gian, bỏ qua các ảnh hưởng do sự\r\nbiến đổi trong bức xạ phổ của nguồn sáng và ảnh hưởng của hơi ẩm và/hoặc sự\r\nkhác biệt nhiệt độ giữa các thử nghiệm phơi nhiễm khác nhau. Xác định các thời\r\nkỳ phơi nhiễm phong hóa tự nhiên dưới dạng tổng phơi nhiễm bức xạ mặt trời đã\r\nđược chỉ ra là hữu ích đối với việc so sánh các kết quả đối với những phơi nhiễm\r\nđược tiến hành tại các thời điểm khác nhau, tại cùng một địa điểm. Tuy nhiên,\r\ncũng rất quan trọng để kiểm soát phơi nhiễm bức xạ tia tử ngoại mặt trời đối với\r\ncác phơi nhiễm phong hóa tự nhiên và phơi nhiễm bức xạ tia tử ngoại trong các\r\nphơi nhiễm bức xạ tăng tốc nhân tạo hoặc phong hóa tăng tốc nhân tạo.
\r\n\r\nCó hai phương thức tiếp cận để đo bức\r\nxạ tia tử ngoại được sử dụng rộng rãi. Phương pháp thứ nhất là sử dụng chuẩn vật\r\nlý, nghĩa là phơi nhiễm mẫu chuẩn có sự thay đổi về tính chất tỷ lệ với liều lượng\r\ncủa bức xạ UV tới. Phương pháp được ưu tiên là sử dụng thiết bị đo bức xạ để đo\r\ntia tử ngoại. Tiêu chuẩn này đề cập đến phương pháp tiếp cận này. Tiêu chuẩn\r\nnày giới thiệu các đặc tính quan trọng đối với các thiết bị được sử dụng và hướng\r\ndẫn việc lựa chọn và sử dụng những thiết bị đo bức xạ này.
\r\n\r\n\r\n\r\n
1.1. Tiêu chuẩn này quy định\r\ncác phương pháp xác định bằng thiết bị bức xạ trên bề mặt phẳng. Tiêu chuẩn này\r\nbao gồm không chỉ bức xạ mặt trời tự nhiên mà còn bức xạ mặt trời tự nhiên tăng\r\ncường và bức xạ được tạo thành do các nguồn sáng thử nghiệm.
\r\n\r\n1.2. Về việc đo bức xạ mặt\r\ntrời đối với phong hóa tự nhiên và phong hóa tự nhiên tăng tốc, kỹ thuật đo bằng\r\nthiết bị bao gồm đo liên tiếp tổng bức xạ (tia tử ngoại) phổ mặt trời và tia tử\r\nngoại mặt trời, mặt trời và sự tích lũy hoặc sự tích hợp dữ liệu tức thời nhằm\r\ncung cấp phơi nhiễm bức xạ.
\r\n\r\n1.3. Đối với việc đo bức\r\nxạ trong phơi nhiễm bức xạ tăng tốc nhân tạo hoặc phong hóa tăng tốc nhân tạo,\r\nkỹ thuật sử dụng thiết bị bao gồm đo liên tiếp tổng hoặc các dải bước sóng được\r\nxác định của bức xạ tia tử ngoại, bức xạ phổ nhìn thấy được và/hoặc bức xạ phổ\r\ntia tử ngoại và sự tích lũy hoặc tích hợp dữ liệu tức thời nhằm cung cấp phơi\r\nnhiễm bức xạ.
\r\n\r\n1.4. Tiêu chuẩn này không\r\nquy định những quy trình sử dụng các chuẩn len-xanh (blue-wool), thiết bị đo\r\nquang hóa học hoặc định lượng màng polyme hoặc màng khác.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác tài liệu viện dẫn sau đây là cần\r\nthiết khi áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố\r\nthì áp dụng bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố\r\nthì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả các bản sửa đổi, bổ sung (nếu có).
\r\n\r\nTCVN 9849-3 (ISO 877-3), Chất dẻo -\r\nPhương pháp phơi nhiễm với bức xạ mặt trời - Phần 3: Sự phong hóa tăng cường bằng\r\nbức xạ mặt trời tập trung.
\r\n\r\nISO 9059, Solar energy -\r\nCalibration of field pyrheliometers by comparison to a reference pyrheliometer\r\n(Năng lượng mặt trời - Hiệu chuẩn trực xạ kế hiện trường bằng cách so sánh với\r\ntrực xạ kế chuẩn).
\r\n\r\nISO 9060, Solar energy - Specification\r\nand classification of instruments for measuring hemispherical solar and direct\r\nsolar radiation (Năng lượng mặt trời - Yêu cầu kỹ thuật và phân loại các thiết\r\nbị đo trực xạ mặt trời và mặt trời bán cầu).
\r\n\r\nISO 9846, Solar energy - Calibration\r\nof a pyranometer using a pyrheliometer (Năng lượng mặt trời - Hiệu chuẩn nhật xạ\r\nkế sử dụng trực xạ kế).
\r\n\r\nISO 9847, Solar energy -\r\nCalibration of field pyranometers by comparison to a reference pyranometer\r\n(Năng lượng mặt trời - Hiệu chuẩn nhật xạ kế hiện trường bằng cách so sánh với\r\nnhật xạ kế chuẩn).
\r\n\r\nASTM G 90, Standard Practice for\r\nPerforming Accelerated Outdoor Weathering of Nonmetallic Materials Using\r\nConcentrated Natural Sunlight (Quy trình kỹ thuật tiêu chuẩn thực hiện phong\r\nhóa ngoài trời tăng tốc của các vật liệu phi kim loại sử dụng ánh sáng mặt trời\r\ntự nhiên tập trung).
\r\n\r\nASTM G 130, Standard Test Method\r\nfor Calibration of Narrow- and Broad-Band Ultraviolet Radiometers Using a\r\nSpectroradiometer (Phương pháp thử tiêu chuẩn đối với việc hiệu chuẩn thiết bị\r\nđo bức xạ tia tử ngoại dải hẹp và rộng sử dụng kính quang phổ).
\r\n\r\nASTM G 138, Standard Test Method\r\nfor Calibration of a Spectroradiometer Using a Standard Source of Irradiance\r\n(Phương pháp thử tiêu chuẩn đối với việc hiệu chuẩn kính quang phổ sử dụng nguồn\r\nchiếu xạ tiêu chuẩn).
\r\n\r\nASTM G 183, Standard Practice for\r\nField Use of Pyranometers, Pyrheliometers and UV Radiometers (Quy trình kỹ thuật\r\ntiêu chuẩn đối với việc sử dụng trường phạm vi nhật xạ kế, trực xạ kế và thiết\r\nbị đo tia tử ngoại).
\r\n\r\nGuide to meteorological instruments and\r\nmethods of observation, WMO Publication No.8, World Meteorological\r\nOrganization, Geneva (Hướng dẫn đối với các thiết bị khí tượng và các phương\r\npháp quan trắc, Ấn phẩm WMO số 8, Tổ chức khí tượng thế giới, Geneva).
\r\n\r\n\r\n\r\nTrong tiêu chuẩn này áp dụng các thuật\r\nngữ và định nghĩa sau:
\r\n\r\n3.1. Phong hóa tăng tốc\r\nnhân tạo\r\n(artificial accelerated w
Phơi nhiễm vật liệu trong thiết bị\r\nphong hóa phòng thử nghiệm đến các điều kiện có thể theo chu kỳ tuần hoàn và tăng\r\ncường so với các điều kiện gặp phải trong môi trường phơi nhiễm bên ngoài.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Điều này liên quan đến\r\nnguồn bức xạ thử nghiệm, nhiệt và độ ẩm (dạng độ ẩm tương đối và/hoặc bụi nước,\r\nngưng tụ hoặc ngâm) nhằm tạo thành một cách nhanh chóng các thay đổi như nhau\r\nmà những thay đổi này xảy ra trong phơi nhiễm bên ngoài dài hạn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Thiết bị có thể bao gồm\r\ncác phương thức nhằm kiểm soát và/hoặc điều khiển nguồn sáng và các biến động\r\nphong hóa khác. Nó cũng bao gồm phơi nhiễm đối với các điều kiện đặc biệt như bụi\r\naxit nhằm mô phỏng tác động của khí công nghiệp.
\r\n\r\n3.2. Chiếu xạ tăng tốc nhân tạo
Phơi nhiễm vật liệu đối với nguồn bức\r\nxạ thử nghiệm có nghĩa mô phỏng bức xạ mặt trời xuyên qua kính cửa sổ hoặc bức\r\nxạ từ các nguồn sáng bên trong và nơi các mẫu có thể tùy thuộc theo những thay\r\nđổi nhiệt độ nhỏ tương đối và độ ẩm tương đối nhằm tạo thành một cách nhanh\r\nchóng các thay đổi tương tự mà những thay đổi này xảy ra khi vật liệu được sử dụng\r\ntrong môi trường bên trong.
\r\n\r\n3.3. Chặn bức xạ
Khả năng của tấm lọc ngăn cản hoặc\r\nkhông truyền ra bên ngoài dải phổ dự định, thường được biểu thị là phần hoặc phần\r\ntrăm bức xạ tới.
\r\n\r\n3.4. Dải rộng (broad-band)
\r\n\r\nThuật ngữ tương đối, nhìn chung được\r\náp dụng cho các tấm lọc hoặc thiết bị đo bức xạ mà FWHM (full width at half\r\nmaximum - chiều rộng toàn phần tại bán cực đại) nằm trong khoảng 20 nm và 70\r\nnm, mô tả một cách điển hình thiết bị đo bức xạ có bộ lọc đo trong phạm vi 300\r\nnm đến 400 nm.
\r\n\r\n3.5. Bước sóng trung tâm
CW
\r\n\r\nBước sóng n
3.6. Bộ phận thu nhận\r\ncosin\r\n(cosine receptor)
\r\n\r\nThiết bị truyền bức xạ mà luồng bức xạ\r\nmẫu phù hợp với cosin của góc tới và là thiết bị thu thập tất cả bức xạ tới\r\ntrong khi sử dụng 2p\r\nsteradian (nghĩa là trong một bán cầu), ví dụ, một mặt cầu hợp nhất hoặc máy\r\nkhuếch tán phẳng.
\r\n\r\n3.7. Bước sóng cận trên
Bước sóng mà tại đó tín hiệu truyền giảm\r\nđến 5 % của tín hiệu truyền đỉnh khi đi từ truyền đỉnh hướng đến vùng chặn bức\r\nxạ bước sóng dài (điểm C trong Hình 1).
\r\n\r\n3.8. Bước sóng cận dưới
Bước sóng tại đó tín hiệu truyền tăng\r\nđến 5 % mức truyền đỉnh khi đi từ vùng chặn bức xạ bước sóng ngắn hướng đến\r\nvùng truyền (xem điểm B trong Hình 1).
\r\n\r\n3.9. Detector (detector)
\r\n\r\nBộ nhận ảnh, hình thành phần của thiết\r\nbị đo bức xạ, chuyển đổi bức xạ tới thành tín hiệu điện nhằm mục đích xác định\r\nbức xạ bề mặt.
\r\n\r\n3.10.
Tổng của bức xạ phản chiếu từ mặt đất\r\nvà bầu trời (nếu nằm trong trường quan sát) trong trường quan sát 2
CHÚ THÍCH: xem 3.11, trực xạ.
\r\n\r\nCHÚ DẪN:
\r\n\r\nl bước sóng, tính bằng nm
\r\n\r\nSl
A
B
C
D
3.11. Trực xạ
Trực xạ mặt trời
Trực xạ chùm sáng
Bức xạ mặt trời được bao gồm trong góc\r\nkhối bị hạn chế (điển hình 5° đến 6°) được đặt giữa đĩa bức xạ mặt trời.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu bức xạ mặt trời thông\r\nthường trực tiếp được biết đến, trực xạ trên đĩa nghiêng có thể được tính bằng\r\ncách nhân bức xạ mặt trời thông thường trực tiếp với cosin của góc được xác định\r\nbởi bức xạ thông thường đối với đĩa và đường từ chân bức xạ thông thường đến\r\ntâm của đĩa bức xạ mặt trời.
\r\n\r\n3.12. Bức xạ mặt trời vuông góc trực\r\ntiếp\r\n(direct normal solar radiation)
\r\n\r\nTrực xạ mặt trời tới trên mặt phẳng trực\r\ngiao (vuông góc) với tia mặt trời.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Bức xạ mặt trời vuông góc\r\ntrực tiếp được đo bằng trực xạ kế.
\r\n\r\n3.13. Độ trôi (drift)
\r\n\r\nTỷ lệ thay đổi của sự phản hồi của thiết\r\nbị đo qua thời gian chỉ tính ổn định dựa trên thời gian của thiết bị.
\r\n\r\n3.14
Toàn bộ góc nón mà được xác định bởi\r\ntâm bề mặt tiếp nhận và đường biên của góc mở tới hạn.
\r\n\r\n3.15. Chiều rộng toàn phần tại bán cực\r\nđại\r\n(full
FWHM
\r\n\r\nQuãng dừng (trong dải truyền qua) giữa\r\ncác bước sóng mà tại đó tín hiệu truyền đạt 50 % mức truyền cao nhất, thường được\r\nđề cập là “độ rộng dải”.
\r\n\r\n3.16
(trên một mặt phẳng nghiêng) tổng của\r\ntrực xạ mặt trời tới trên bề mặt phẳng cùng với tất cả bức xạ phản chiếu mặt đất\r\nvà bầu trời trong trường quan sát bề mặt 2p steradian.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu độ nghiêng của bề mặt\r\nphẳng là 0° (nghĩa là nằm trên đường nằm ngang/đường chân trời), khi đó bức xạ\r\nmặt trời bán cầu thường được đề cập là bức xạ mặt trời toàn cầu hoặc bức xạ đường\r\nchân trời toàn cầu.
\r\n\r\n3.17
Bộ lọc xác định thành phần phổ của bức\r\nxạ truyền qua bằng các tác động giao thoa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Hầu hết các bộ lọc giao\r\nthoa bao gồm các lớp kim loại và chất điện môi, mang lại kết quả tín hiệu truyền\r\ncao qua các dải quang phổ được chọn lọc.
\r\n\r\n3.18. Chiếu xạ
E
\r\n\r\nLuồng bức xạ trên đơn vị diện tích tia\r\ntới trên bề mặt, được đo bằng oát trên mét vuông (W.m-2).
\r\n\r\n3.19.
Luồng bức xạ mặt trời, cả trực tiếp và\r\nkhuếch tán, được tiếp nhận bởi mặt phẳng nằm ngang của đơn vị diện tích từ góc\r\nkhối của 2p
3.20.
El
\r\n\r\nChiếu xạ trên quãng dừng bước sóng, được\r\nghi nhận đặc trưng bằng oát trên mét vuông trên nano mét (W.m-2.nm-1)
\r\n\r\n3.21
Bộ lọc truyền các bước sóng dài hơn bước\r\nsóng cận dưới trong khi loại bỏ các bước sóng ngắn hơn, và được đặc trưng hóa bởi\r\nviệc chuyển đổi rõ ràng từ độ truyền qua từ tối thiểu đến tối đa.
\r\n\r\n3.22
Thuật ngữ tương đương áp dụng đối với\r\ncác bộ lọc giao thoa có FWHM (Chiều rộng toàn phần tại bán cực đại) không lớn\r\nhơn 20 nm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong các bộ lọc dải hẹp của\r\ncùng loại, độ tái lập của bước sóng trung tâm và FWHM thông thường sẽ trong khoảng\r\n± 2 nm
\r\n\r\n3.23
(trong bộ lọc dải phổ) quãng dừng bước\r\nsóng giữa ngưỡng cận trên và cận dưới (xem Hình 1).
\r\n\r\n3.24. Bước sóng đ
Bước sóng tại mức truyền tối đa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Bước sóng đỉnh không cần\r\nthiết phải giống như bước sóng trung tâm (xem Hình 1).
\r\n\r\n3.25. Nhật xạ kế
Thiết bị đo bức xạ được sử dụng để đo\r\nbức xạ mặt trời toàn cầu (hoặc, nếu bị nghiêng, bức xạ mặt trời bán cầu)
\r\n\r\n3.26
Thiết bị đo bức xạ được sử dụng để đo\r\nbức xạ mặt trời vuông góc trực tiếp.
\r\n\r\n3.27.
H
\r\n\r\nTích phân thời gian bức xạ, được đo bằng\r\nJun trên mét vuông (J.m-2)
\r\n\r\n3.28
Thiết bị để đo bức xạ điện từ, bao gồm\r\nmột detector, bộ lọc cần thiết và máy khuếch tán, và một thiết bị xử lý tín hiệu.
\r\n\r\n3.29
Thiết bị được sử dụng để thu được giá\r\ntrị đo chuẩn có liên quan đến thang đo bức xạ được công nhận (ví dụ thang đo\r\nchiếu xạ phổ chuẩn bức xạ thế giới) có đường dẫn liên kết đến các chuẩn đã được\r\ncông nhận và độ không đảm bảo đo đã được công bố.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thiết bị đo bức xạ chuẩn được\r\nsử dụng chỉ để hiệu chuẩn các thiết bị đo bức xạ chuẩn khác bằng cách so sánh,\r\nthay thế hoặc mối liên hệ trực tiếp khác.
\r\n\r\n3.30. Thiết b
Thiết bị được triển khai trong trường\r\nphạm vi hoặc trong thiết bị phong hóa tăng tốc phòng thử nghiệm để đo thông số\r\nbức xạ hàng ngày, với dụng cụ hiệu chuẩn có thể liên kết với chuẩn được công nhận,\r\nthông qua việc chuyển tỷ lệ bằng so sánh, thay thế hoặc quan hệ trực tiếp khác\r\nvới thiết bị đo bức xạ chuẩn.
\r\n\r\n3.31. Bộ lọc sóng ngắn
Bộ lọc truyền các bước sóng ngắn hơn\r\nbước sóng cận trên trong khi từ chối các bước sóng dài hơn và được đặc trưng\r\nhóa bởi việc chuyển đổi rõ ràng từ độ truyền qua tối thiểu đến tối đa.
\r\n\r\n3.32
Thiết bị dùng để đo bức xạ phổ trong\r\nkhoảng thời gian bước sóng hẹp trên một vùng phổ được đưa ra như một hàm của bước\r\nsóng.
\r\n\r\n3.33
Khả năng liên hệ kết quả phép đo đặc\r\ntính của một chuẩn với các chuẩn được công bố, thông thường là các chuẩn quốc\r\ngia hoặc quốc tế, qua một chuỗi các so sánh liên tục, mà tất cả có độ không đảm\r\nbảo đã được công bố.
\r\n\r\n3.34
Thuật ngữ tương đối áp dụng đối với bộ\r\nlọc mà FWHM (chiều rộng toàn phần tại bán cực đại) ít nhất là 70 nm và, đặc\r\ntrưng mô tả thiết bị đo bức xạ bộ lọc có dải phổ rộng, ví dụ, 300 nm đến 800\r\nnm.
\r\n\r\n\r\n\r\n4.1. Các chú ý chung
\r\n\r\n4.1.1. Phơi nhiễm trong thiết\r\nbị sử dụng các nguồn sáng phòng thử nghiệm đôi khi yêu cầu phép đo phơi nhiễm\r\nphát xạ và bức xạ tại các bước sóng xác định nhằm kiểm soát và, nếu được yêu cầu,\r\nđiều khiển sự chiếu xạ trên bề mặt phẳng và/hoặc để xác định định lượng các\r\ngiai đoạn phơi nhiễm của mẫu được phơi nhiễm. Điển hình là các phép đo bức xạ\r\ntrong dải 290 nm đến 420 nm, hoặc các phép đo dải hẹp có các bước sóng trung\r\ntâm, ví dụ, 340 nm hoặc 420 nm, được yêu cầu. Tuy nhiên, đối ngược với các điều\r\nkiện phơi nhiễm tự nhiên, bức xạ của các bước sóng ngắn hơn 300 nm hiện diện\r\ntrong nhiều nguồn sáng được sử dụng trong các thử nghiệm phòng thử nghiệm tăng\r\ntốc và được biết đến là nguyên nhân gây ra các phản ứng phân rã mà những phản ứng\r\nnày không xảy ra trong môi trường phơi nhiễm bên ngoài. Hơn nữa, bức xạ của các\r\nbước sóng dài hơn có thể rất quan trọng trong sự suy giảm của sản phẩm, như\r\nphai màu và sự nhạy cảm của polyme phân rã.
\r\n\r\n4.1.2. Các thiết bị đo bức\r\nxạ bộ lọc dải rất rộng có thể không nhạy đối với các thay đổi có thể xảy ra\r\ntrong một số vùng phổ cùa nguồn trong dải phổ của thiết bị đo bức xạ.
\r\n\r\n4.1.3. Thiết bị đo bức xạ bộ\r\nlọc dải hẹp và rộng không nhạy với các thay đổi có thể xảy ra trong vùng phổ của\r\nnguồn ngoài dải phổ của thiết bị đo bức xạ. Bằng cách đo một số phần phổ riêng\r\nrẽ của nguồn bức xạ tại cùng một thời điểm, các thay đổi về cân bằng phổ có thể\r\nđược nhận ra.
\r\n\r\n4.1.4. Các phép đo bức xạ\r\ntia nhìn thấy và/hoặc tia tử ngoại sử dụng các thiết bị và quy trình được quy định\r\ntrong tiêu chuẩn này có thể hỗ trợ trong việc so sánh các kết quả từ sự phơi\r\nnhiễm chiếu bức xạ tăng tốc nhân tạo và phong hóa tăng tốc nhân tạo với các kết\r\nquả từ phơi nhiễm tự nhiên. Khi thực hiện việc này, cần thực hiện so sánh ở một\r\nsố dải phổ. So sánh bức xạ trong dải phổ UV bước sóng ngắn là rất cần thiết nhằm\r\nđo mức khắc nghiệt tương đối của phơi nhiễm và nhằm đánh giá nguy cơ thử nghiệm\r\ntăng tốc có thể sinh ra các phản ứng phân hủy, điều mà sẽ không xảy ra trong\r\nmôi trường phơi nhiễm tự nhiên.
\r\n\r\n4.1.5. Không thể so sánh trực\r\ntiếp các kết quả phơi nhiễm dựa trên các phơi nhiễm bức xạ tương đương nếu áp dụng\r\nbất kỳ các điều kiện nào sau đây:
\r\n\r\na) Hai phơi nhiễm khác nhau về phân bố\r\nphổ bức xạ của chúng;
\r\n\r\nb) Nhiệt độ khác nhau trong hai phơi\r\nnhiễm;
\r\n\r\nc) Các điều kiện về ẩm khác nhau trong\r\nhai phơi nhiễm.
\r\n\r\nTrong nhiều trường hợp, thiết bị đo bức\r\nxạ chỉ hữu ích để kiểm soát hoạt động của nguồn sáng, tốt hơn là sử dụng thiết\r\nbị đo liều lượng.
\r\n\r\n4.2. Sự phong hóa tự nhiên - Phơi nhiễm\r\ngóc cố định hoặc hướng xích đạo
\r\n\r\n4.2.1. Phép đo tổng bức xạ\r\nmặt trời và tia tử ngoại mặt trời đối với các phơi nhiễm phong hóa tự nhiên (loại\r\nhướng xích đạo hoặc góc cố định) sử dụng các dụng cụ và quy trình được quy định\r\ntrong tiêu chuẩn này có thể cải thiện khả năng so sánh của các thử nghiệm phơi\r\nnhiễm được tiến hành tại các thời điểm khác nhau trong một địa điểm đơn lẻ. Nó\r\ncũng có thể cải thiện tính so sánh của các kết quả đạt được tại các địa điểm\r\nkhác nhau có khí hậu giống nhau.
\r\n\r\n4.2.2. Chiếu xạ mặt trời\r\ntoàn cầu có thể được đo trong tổng dãy bước sóng mặt trời (300 nm đến 2500 nm)\r\nbằng việc sử dụng nhật xạ kế và trong tổng vùng bước sóng tia tử ngoại (300 nm\r\nđến 400 nm), hoặc trong các vùng bước sóng được chọn lọc khác của quang phổ mặt\r\ntrời, bằng cách sử dụng các thiết bị đo bức xạ lọc thích hợp.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Về mặt lịch sử, nhiều phép\r\nđo tổng bức xạ tia tử ngoại mặt trời đã được thực hiện sử dụng thiết bị đo bức\r\nxạ dải rộng có độ đáp ứng từ 295 nm đến 385 nm. Các dữ liệu được xếp bảng cho\r\nthấy sự khác biệt điển hình trong các thiết bị đo bức xạ tia tử ngoại với các dải\r\nphổ khác biệt được đưa ra trong Phụ lục A.
\r\n\r\n4.3. Sự phong hóa tự nhiên tăng tốc -\r\nCác phơi nhiễm tập trung mặt trời sử dụng hệ gương hội tụ phản chiếu Fresnel
\r\n\r\n4.3.1. Hệ gương hội tụ phản\r\nchiếu Fresnel sử dụng một loạt các gương để hội tụ bức xạ mặt trời vào khu vực\r\nphơi nhiễm. Các phép đo của thành phần trực tiếp của cả tổng bức xạ mặt trời và\r\ntia tử ngoại mặt trời được yêu cầu khi thực hiện các thử nghiệm phong hóa tự\r\nnhiên tăng tốc sử dụng hệ gương hội tụ phản chiếu Fresnel phù hợp với các chuẩn\r\nđược công nhận.
\r\n\r\n4.3.2. Thành phần trực tiếp\r\ncủa tổng bức xạ mặt trời được đo bằng trực xạ kế. Thành phần trực tiếp của bức\r\nxạ tia tử ngoại mặt trời được đo bằng cách sử dụng hai thiết bị đo bức xạ tia tử\r\nngoại, một trong số đó thích hợp với đĩa che nhằm ngăn cản bức xạ tia tử ngoại\r\nmặt trời trực tiếp. Thành phần trực tiếp được xác định là chênh lệch giữa các số\r\nđọc từ hai thiết bị. Trực xạ kế và các thiết bị đo bức xạ tia tử ngoại phải được\r\nlắp trên thiết bị tự hiệu chỉnh mặt trời.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đối với các phơi nhiễm tập\r\ntrung mặt trời sử dụng hệ gương hội tụ phản chiếu Fresnel, thành phần trực tiếp\r\ncủa bức xạ mặt trời là bức xạ mặt trời vuông góc trực tiếp.
\r\n\r\n4.3.3. Đối với các yêu cầu\r\ntuân thủ các tiêu chuẩn đã được công nhận, điều quan trọng là trường quan sát của\r\ncác thiết bị đo bức xạ được sử dụng xấp xỉ với trường quan sát của hệ gương hội\r\ntụ phản chiếu Fresnel và độ chính xác hiệu chỉnh của bộ hiệu chỉnh mặt trời\r\ntương đương hoặc tốt hơn của hệ gương hội tụ phản chiếu Fresnel được sử dụng.
\r\n\r\n4.4. Sự phong hóa tăng tốc nhân tạo và\r\nchiếu xạ tăng tốc nhân tạo
\r\n\r\n4.4.1. Đối với các phơi nhiễm\r\nphong hóa tăng tốc nhân tạo và chiếu xạ tăng tốc nhân tạo, các phép đo của bức\r\nxạ nhìn thấy được và tia tử ngoại sử dụng các dụng cụ và quy trình được mô tả\r\ntrong tiêu chuẩn này có thể hỗ trợ cải thiện độ tái lập của những phơi nhiễm\r\nnày. Tuy nhiên, kiểm soát chiếu xạ ở dải phổ đơn thường không đủ để phát hiện tất\r\ncả các khác biệt gây ra bởi sự thay đổi về loại bộ lọc hoặc các bộ lọc bị hỏng\r\nvì chiếu sáng nhiều. Các thay đổi về bức xạ gây ra bởi sự thay đổi của bộ lọc\r\ncó thể được phát hiện bằng cách kiểm soát bức xạ cùng lúc trong dải phổ bước\r\nsóng ngắn và dải phổ bước sóng dài.
\r\n\r\n4.4.2. Sự chiếu xạ có thể\r\nđược đo trong bất kỳ vùng bước sóng quan tâm. Do độ nhạy cao hơn của các vật liệu\r\npolyme đối với bức xạ tia tử ngoại, mục đích của tiêu chuẩn này là nhấn mạnh\r\nphép đo chiếu xạ và năng lượng bức xạ trong vùng tổng tia tử ngoại từ điểm cận\r\ndưới bước sóng ngắn của detector (ví dụ ~ 300 nm) đến bước sóng 400 nm, hoặc\r\ntrong các vùng được chọn lọc của tia tử ngoại hoặc dải phổ có thể thấy được.
\r\n\r\n4.4.2.1. Khi đo bức xạ phát\r\nra bởi một nguồn điểm, góc quan sát của bộ phận thu nhận detector bao gồm cung\r\nhoàn chỉnh, hoặc sợi đốt, của đèn khi detector được đặt tại vị trí dành cho\r\nphép đo nhằm đảm bảo các phép đo chính xác.
\r\n\r\n4.4.2.2. Khi nguồn sáng bao gồm\r\nmột số đèn, tốt hơn nên sử dụng detector được trang bị bộ phận thu nhận cosin.\r\nHơn nữa, detector được trang bị bộ phận thu nhận cosin nên được sử dụng khi đo\r\nbức xạ phát ra bởi một đèn riêng lẻ.
\r\n\r\n4.4.3. Bộ nhận ảnh của thiết\r\nbị đo bức xạ tốt hơn nên được đặt trong mặt phẳng mẫu. Nếu bộ nhận ảnh của thiết\r\nbị đo bức xạ không được đặt trong mặt phẳng mẫu, nó phải được hiệu chuẩn để đo\r\nchiếu xạ trong mặt phẳng mẫu.
\r\n\r\n\r\n\r\n5.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\n5.1.1. Tiêu chuẩn này chia thiết bị đo\r\nbức xạ thành hai loại:
\r\n\r\na) Các thiết bị đo bức xạ không chọn lọc\r\nphổ (xem 5.2);
\r\n\r\nb) Các thiết bị đo bức xạ chọn lọc phổ\r\n(xem 5.3).
\r\n\r\nCác đặc tính tính năng của thiết bị đo\r\nbức xạ được chọn lọc phải phù hợp với các điều kiện thích hợp liệt kê trong Bảng\r\n1 và Bảng 2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong khi dữ liệu hiệu suất\r\ndụng cụ được mô tả trong Bảng 1 và 2 có thể được xem là quy định kỹ thuật, đặc\r\nbiệt đối với các thiết bị đo tổng bức xạ mặt trời, các dụng cụ hiện tại có sẵn\r\nđối với phép đo bức xạ tia tử ngoại mặt trời có thể không đáp ứng được tất cả\r\ncác đặc tính tính năng được liệt kê.
\r\n\r\n5.1.2. Nhìn chung, độ chính\r\nxác và độ chụm của các phép đo được thực hiện bởi các thiết bị đo bức xạ bị ảnh\r\nhưởng đối với các mức độ không ổn định do các nhân tố môi trường như nhiệt độ\r\nvà gió. Cần thiết hiệu chính thiết bị đối với những tác động như vậy bằng cách\r\nsử dụng các hệ số đáp ứng hiệu chính của nhà sản xuất, ví dụ như đối với nhiệt\r\nđộ.
\r\n\r\n5.1.3. Khi mong muốn diễn tả\r\nkhoảng thời gian phơi nhiễm dưới dạng phơi nhiễm bức xạ, thiết bị đo bức xạ phải\r\ncó khả năng chiếu xạ tích hợp liên quan đến thời gian phơi nhiễm và hiển thị kết\r\nquả tại các khoảng thời gian định kỳ.
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Trực xạ kế loại một \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Nhật xạ kế loại một \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Nhật xạ kế loại hai \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n a b | \r\n ||||||||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n |||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Dãy quang phổ, nm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Chiều rộng toàn phần tại bán cực đại\r\n (FWHM), nm \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Chặn bức xạ ngoài dải \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Độ nhạy cosin (0° đến 60° từ điểm\r\n cao nhất), % độ lệch so với lý tưởng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Độ nhạy cosin (60° đến 80° từ điểm\r\n cao nhất), % độ lệch so với lý tưởng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Độ phân giải \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n
| \r\n
| \r\n Dải nhiệt độ thành phần phơi nhiễm,\r\n ngoài trời, °C \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Dải nhiệt độ thành phần không phơi\r\n nhiễm, trong nhà, °C \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Hệ số nhiệt độ tối đa, % trên ° | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Không tuyến tính, tất cả các dãy, % \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Dải độ ẩm tương đối hoạt động, % \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: Thông tin bổ sung về hiệu\r\n chính cosin được đưa ra trong EN 13032-1. Hiệu chính cosin là cần thiết nếu bức\r\n xạ xảy ra trên mẫu đến từ các hướng khác nhau. \r\n | \r\n ||||
| \r\n a b c | \r\n ||||
5.2. Các thiết bị đo bức xạ không chọn\r\nlọc\r\n(xem Bảng 1)
\r\n\r\n5.2.1. Nhật xạ kế:
5.2.1.1. Khi phơi nhiễm bức xạ\r\nmặt trời được yêu cầu phải đo tại góc phơi nhiễm nhất định, điều quan trọng là\r\nmặt phẳng của bộ nhận ảnh phải được duy trì tại cùng góc nghiêng như mặt phẳng\r\ncủa giá phơi nhiễm (ví dụ tại 45°, tại góc vĩ độ, tại 5°, nằm ngang hoặc theo\r\nhướng mặt trời sun-following). Để đánh giá chính xác bức xạ tới trên giá phơi\r\nnhiễm, góc nghiêng của thiết bị đo bức xạ phải là ± 2° của góc giá phơi nhiễm.\r\nĐồng thời, để đo chính xác tổng bức xạ mặt trời, điều quan trọng là góc tiếp nhận\r\nhoặc trường quan sát của bộ thu quang của thiết bị là 2p steradian (nghĩa là\r\n180°) và được hiệu chính cosin để đạt được hoặc vượt các yêu cầu đối với thiết\r\nbị loại hai ISO 9060.
\r\n\r\n5.2.1.2. Các giá trị phơi nhiễm\r\nđược biểu thị bằng đơn vị tuyệt đối. Thiết bị đo bức xạ không chọn lọc quang phổ\r\n(nhật xạ kế) cần phải được hiệu chuẩn sao cho sự hiệu chuẩn có thể liên kết chuẩn\r\nbức xạ kế thế giới (WRR). Để biết thêm thông tin, tham khảo WMO Hướng dẫn của\r\nđối với các thiết bị khí tượng và các phương pháp quan trắc.
\r\n\r\n5.2.2. Trực xạ kế:
5.2.
5.2.2.2. Các giá trị phơi nhiễm\r\nphải được biểu thị bằng oát trên mét vuông đối với chiếu xạ và bằng jun trên\r\nmét vuông đối với tổng phơi nhiễm bức xạ. Cần thiết đối với các trực xạ kế\r\nkhông chọn lọc quang phổ được hiệu chuẩn sao cho sự hiệu chuẩn có thể liên kết\r\nđến chuẩn bức xạ kế thế giới (WRR).
\r\n\r\n5.3. Các thiết bị đo bức xạ chọn lọc
5.3.1. Detector bao gồm một\r\nbộ cảm biến, bộ lọc thích hợp và nếu được yêu cầu, một bộ phận thu nhận cosin.
\r\n\r\n5.3.2. Các bộ lọc dải rộng\r\ncó FWHM lớn hơn 20 nm nhưng thường không vượt quá 70 nm.
\r\n\r\n5.3.3. Các bộ lọc dải hẹp\r\nđược nhận dạng bởi CW của chúng và có FWHM nhỏ hơn 20 nm.
\r\n\r\n5.3.4. Tổng phản hồi của\r\ndetector là hàm số của chiếu xạ quang phổ nhận được từ nguồn, cùng với việc\r\ntruyền quang phổ của bộ lọc và phản hồi quang phổ của detector. Vì vậy, điều rất\r\nquan trọng là bức xạ không mong muốn phải bị chặn bức xạ hoàn toàn. Sự truyền của\r\nbộ lọc dải hẹp trong vùng chặn bức xạ (trong 40 nm của bước sóng cận trên và bước\r\nsóng cận dưới) không được vượt quá 0,001 % đối với các phép đo UVB dải hẹp và\r\n0,01 % đối với các thiết bị đo bức xạ UVA dải rộng.
\r\n\r\n5.3.5. Dải phổ cũng có thể\r\nđược kiểm soát bằng cách sử dụng việc kết hợp các bộ lọc. Điều này có thể thực\r\nhiện được bằng cách kết hợp các bộ lọc cho sóng ngắn và sóng dài qua, nghĩa là\r\ncác bộ lọc cận dưới và cận trên. FWHM và chặn bức xạ được xác định bằng việc kết\r\nhợp các bộ lọc được chọn lọc.
\r\n\r\n5.4. Bộ phận ghi và máy ghi dữ liệu
\r\n\r\n5.4.1. Năng lượng bức xạ được\r\nchuyển đổi bởi detector thành tín hiệu điện sẽ được khuếch đại, nếu cần thiết,\r\nvà hiển thị trên thiết bị đo thích hợp mà đã được hiệu chuẩn để chỉ ra tín hiệu\r\ntức thời (chiếu xạ) và tín hiệu tích hợp (phơi nhiễm bức xạ) mà có thể được hiển\r\nthị không bắt buộc bằng biểu đồ trong đồ thị. Thông thường, tín hiệu mạnh thích\r\nhợp được thu sử dụng máy ghi dữ liệu có số kênh cần thiết. Phụ thuộc vào máy\r\nghi dữ liệu, tín hiệu có thể được xử lý bằng máy ghi dữ liệu nhằm cung cấp chiếu\r\nxạ và phơi nhiễm bức xạ theo yêu cầu hoặc nó có thể được lưu giữ và xử lý cho sử\r\ndụng bên ngoài, ví dụ, ứng dụng bảng tính.
\r\n\r\n5.4.2. Trong trường hợp thiết\r\nbị đo bức xạ bị nghiêng lệch, phải cung cấp các phương tiện để điều chỉnh “zero”\r\nvà khoảng chênh.
\r\n\r\n\r\n\r\n6.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\n6.1.1. Người vận hành phải\r\nthực hiện thường xuyên kiểm tra hiệu chuẩn thiết bị đo bức xạ. Đối với các thiết\r\nbị đo bức xạ UV, thiết bị đo bức xạ phải được nhà sản xuất hoặc phòng thử nghiệm\r\nhiệu chuẩn có năng lực hiệu chuẩn ít nhất một lần mỗi năm, hoặc có thể tình trạng\r\nhiệu chuẩn của thiết bị phải được kiểm tra theo định kỳ so với thiết bị đo bức\r\nxạ chuẩn hiệu chuẩn mà chức năng duy nhất của thiết bị này là dùng để tham chiếu.\r\nĐối với các trực xạ kế và nhật xạ kế loại hai và loại một WMO, hiệu chuẩn lại\r\nđược thực hiện bởi nhà sản xuất, phòng thử nghiệm hiệu chuẩn có năng lực hoặc sử\r\ndụng nội bộ thiết bị đo bức xạ tiêu chuẩn phòng thử nghiệm phù hợp với ISO 9847\r\nhoặc ASTM E 816 hoặc ASTM E 824 phải được thực hiện tại các khoảng thời gian\r\nthích hợp.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trừ khi đòi hỏi việc hiệu\r\nchuẩn lại thường xuyên hơn theo yêu cầu kiểm tra, các trực xạ kế và nhật xạ kế\r\nloại một WMO và ISO 9060 thường không yêu cầu hiệu chuẩn lại thường xuyên quá\r\nhai năm một lần.
\r\n\r\n6.1.2. Đối với nhiều loại\r\nthiết bị đo bức xạ được sử dụng đo các phơi nhiễm tự nhiên (ví dụ nhật xạ kế\r\npin nhiệt điện ISO loại hai), hiệu chuẩn tại góc nghiêng mà tại đó dụng cụ được\r\nsử dụng là tốt hơn. Hiệu chuẩn tại góc nghiêng không quan trọng đối với các nhật\r\nxạ kế toàn cầu loại một WMO (hoặc tốt hơn) và ISO hoặc đối với nhiều thiết bị\r\nđo bức xạ có bộ lọc nhạy quang có độ chính xác hơn 2 %. Đối với các thiết bị đo\r\nbức xạ UV, độ nhạy cosin tốt là rất quan trọng vì ngay cả khi sai lệch nhỏ so với\r\nđịnh luật cosin có thể gây ra sai số hiệu chuẩn. Hiệu chuẩn thiết bị đo bức xạ UV\r\ntại góc nghiêng được khuyến nghị nhằm đạt được các phép đo chính xác nhất. Điều\r\nnày đặc biệt quan trọng khi chúng được sử dụng trong điều kiện khí hậu mà ở đó\r\ncó tỷ lệ tia tử ngoại khuếch tán cao đối với bức xạ tia tử ngoại chùm.
\r\n\r\n6.1.3. Đối với việc hiệu\r\nchuẩn các thiết bị đo bức xạ được sử dụng cho các thử nghiệm phơi nhiễm phòng\r\nthử nghiệm, thiết bị đo bức xạ phải được lắp đặt sao cho bề mặt bộ nhận ảnh\r\nvuông góc với trục quang học của nguồn bức xạ. Thiết bị đo bức xạ tốt nhất nên\r\nđược hiệu chuẩn theo các điều kiện xấp xỉ, gần nhất có thể với các điều kiện\r\ncác phép đo phạm vi được thực hiện. Có thể cần thiết sử dụng hệ số chuyển đổi\r\nphù hợp với các khuyến nghị của nhà sản xuất.
\r\n\r\n6.2. Thiết bị đo bức xạ trường và chuẩn
\r\n\r\n6.2.1. Hiệu chuẩn các thiết\r\nbị đo bức xạ không chọn lọc quang phổ phải liên kết được với Chuẩn bức xạ kế thế\r\ngiới (WRR).
\r\n\r\n6.2.2. Hiệu chuẩn các trực\r\nxạ kế theo ISO 9059. Hiệu chuẩn các nhật xạ kế theo ISO 9846. Việc truyền hiệu\r\nchuẩn từ các thiết bị đo bức xạ chuẩn sang các thiết bị đo bức xạ được sử dụng\r\ntrong trường phải phù hợp với ISO 9847.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: ASTM E 816, ASTM E 824 và\r\nASTM G 67 có quy trình hiệu chuẩn tương tự như ISO 9059 và ISO 9846, nhưng bao\r\ngồm thông tin bổ sung về độ không đảm bảo đo của hiệu chuẩn và phép đo.
\r\n\r\n6.3. Thiết bị đo bức xạ chuẩn chọn lọc
\r\n\r\n6.3.1. Trừ khi được quy định\r\nkhác, các thiết bị đo bức xạ chuẩn chọn lọc quang phổ phải được hiệu chuẩn phù\r\nhợp với ASTM G 130 bằng cách so sánh tín hiệu của chúng với các phép đo chiếu xạ\r\nquang phổ tích hợp được thực hiện bởi thiết bị đo bức xạ phổ. Trừ khi được quy\r\nđịnh khác, thiết bị đo bức xạ phổ phải được hiệu chuẩn phù hợp với ASTM G 138.\r\nTích hợp dữ liệu thiết bị đo bức xạ phổ đối với dải phổ của thiết bị đo bức xạ\r\nbộ lọc. Đối với các thiết bị đo bức xạ có bộ lọc được sử dụng để đo bức xạ mặt\r\ntrời, sử dụng mặt trời làm nguồn sáng. Đối với các thiết bị đo bức xạ có bộ lọc\r\nđược sử dụng để đo các nguồn sáng thử nghiệm, sử dụng cùng loại và cùng kiểu\r\nnguồn sáng như được sử dụng trong thử nghiệm phơi nhiễm.
\r\n\r\n6.3.2. Đối với các thiết bị\r\nphong hóa tăng tốc phòng thử nghiệm, thiết bị đo bức xạ chuẩn được sử dụng để\r\nhiệu chuẩn thiết bị đo bức xạ trường phải được hiệu chuẩn trong vùng phát xạ của\r\nnguồn sáng được sử dụng. Trừ khi có quy định khác, hiệu chuẩn các thiết bị đo bức\r\nxạ tia tử ngoại chuẩn dải hẹp hoặc rộng có thiết bị đo bức xạ phổ phải được tiến\r\nhành phù hợp với ASTM G 130. Thiết bị đo bức xạ chuẩn phải được hiệu chuẩn sử dụng\r\nnguồn sáng cùng loại với nguồn sáng sẽ được sử dụng để thử nghiệm, và hiệu chuẩn\r\nphải được tiến hành sử dụng buồng thử nghiệm có hình dạng tương tự (nghĩa là\r\nđèn đến cùng hướng và khoảng cách mặt phẳng mẫu) như được sử dụng đối với thiết\r\nbị đo bức xạ trường. Hiệu chuẩn phải được kiểm tra phù hợp với các chỉ dẫn của\r\nnhà sản xuất về thiết bị đo bức xạ.
\r\n\r\n6.3.3. Các quy trình hiệu\r\nchuẩn khác có thể được sử dụng nếu nó có thể chỉ ra rằng chúng mang lại độ\r\nkhông đảm bảo nhỏ hơn ± 10 % (tại mức độ tin cậy 95 %) trong vùng UV từ 300 nm\r\nđến 400 nm.
\r\n\r\n6.3.4. Khi được sử dụng với\r\ncác nguồn có sự phân bố bức xạ phổ khác, thiết bị đo bức xạ phải được điều chỉnh\r\nđối với nguồn đó.
\r\n\r\n6.3.5. Để tính toán hằng số\r\nhiệu chuẩn (hoặc hằng số độ nhạy), dữ liệu chiếu xạ quang phổ nhận được bởi thiết\r\nbị đo phổ bức xạ phải được tích hợp đối với dải bước sóng thích hợp.
\r\n\r\n6.3.6. Hiệu chuẩn toàn bộ\r\nthiết bị đo bức xạ mà có thể liên kết đến cơ quan tiêu chuẩn về bức xạ được\r\ncông nhận phải được tiến hành ít nhất mỗi năm một lần. Nên thực hiện các hiệu\r\nchuẩn thường xuyên hơn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Tóm tắt các kết quả từ so\r\nsánh quốc tế các hệ số hiệu chuẩn của đèn chiếu xạ phổ chuẩn quốc gia được nêu\r\ntrong tài liệu tham khảo [19] trong thư mục tài liệu tham khảo.
\r\n\r\n6.4. Thiết bị đo bức xạ trường chọn lọc
\r\n\r\n6.4.1. Đối với phép đo bức\r\nxạ mặt trời, việc truyền hiệu chuẩn từ các thiết bị đo bức xạ chuẩn chọn lọc\r\nquang phổ sang các thiết bị đo bức xạ trường chọn lọc quang phổ phải được thực hiện\r\nphù hợp với ISO 9847 hoặc ASTM E 824. Khi hiệu chuẩn truyền sang các thiết bị\r\nđo bức xạ trường, tốt nhất là sử dụng thiết bị đo bức xạ chuẩn của cùng nhà sản\r\nxuất, cùng loại và mẫu mã như thiết bị đo bức xạ trường được hiệu chuẩn và điều\r\nquan trọng là thiết bị đo bức xạ chuẩn có chức năng phân loại độ nhạy quang phổ\r\nvà độ nhạy cosin đồng nhất đối với chức năng của thiết bị đo bức xạ trường được\r\nhiệu chuẩn. Đối với mục đích này, hàm độ nhạy quang phổ do nhà sản xuất cung cấp\r\nsẽ luôn thích hợp.
\r\n\r\n6.4.2. Độ rộng dải quang phổ\r\nvà đặc tính độ nhạy của thiết bị đo bức xạ phải được xác định và báo cáo.
\r\n\r\n6.5. Các yêu cầu khác
\r\n\r\n6.5.1. Bằng quy trình hiệu\r\nchuẩn, thiết bị đo bức xạ phải biểu thị các giá trị tuyệt đối của chiếu xạ,\r\ntính bằng W.m-2, đối với tổng bức xạ bán cầu được đo bằng các thiết\r\nbị đo bức xạ không chọn lọc quang phổ. Đối với các thiết bị đo bức xạ chọn lọc\r\nquang phổ, giá trị tuyệt đối của chiếu xạ, tính bằng W.m-2, phải được\r\nđưa ra trong dải phổ quy định. Hằng số hiệu chuẩn của dạng W.m-2.V-1\r\nđối với các dải quang phổ được chỉ ra ở trên có thể được sử dụng.
\r\n\r\n6.5.2. Độ nhạy cosin và độ\r\nnhạy nhiệt độ của tất cả các thiết bị đo bức xạ được sử dụng phải được người sử\r\ndụng xác định (hoặc được biết đến và được ghi lại). Các yêu cầu kỹ thuật của\r\nnhà sản xuất luôn luôn phù hợp với mục đích này.
\r\n\r\n\r\n\r\n7.1. Phong hóa tự nhiên - Phơi nhiễm\r\ntheo hướng xích đạo hoặc góc cố định
\r\n\r\n7.1.1. Lắp detector chắc chắn\r\nvà cố định trên giá hoặc bàn, có mặt phẳng bộ thu quang được lắp trong mặt phẳng\r\nsong song với mặt phẳng của mẫu thử đang được phơi nhiễm, ví dụ tại 0° (nằm\r\nngang đường chân trời), tại 45°, tại góc vĩ độ hoặc tại một số hướng như đã thỏa\r\nthuận khác, với dung sai ± 2°. Đảm bảo rằng thiết bị đo bức xạ được lắp tại độ\r\ncao trên mặt đất mà không ít hơn khoảng cách từ mặt đất đến nửa độ cao của giá\r\nphơi nhiễm ± 5 %.
\r\n\r\n7.1.2. Tuân thủ quy trình\r\nđược mô tả trong ASTM G 183 đối với việc lắp đặt, thao tác và bảo trì các trực\r\nxạ kế, nhật xạ kế và thiết bị đo bức xạ được sử dụng để đo bức xạ mặt trời đối\r\nvới các phơi nhiễm góc cố định.
\r\n\r\n7.1.3. Ghi lại và cộng dồn\r\ntổng chiếu xạ hàng ngày để thiết lập các mức phơi nhiễm theo yêu cầu.
\r\n\r\n7.2. Phong hóa tự nhiên tăng tốc - Hệ\r\ngương hội tụ phản chiếu Fresnel sử dụng các phơi nhiễm mặt trời tập trung
\r\n\r\n7.2.1. Thành phần trực tiếp\r\ncủa tổng bức xạ mặt trời phải được đo sử dụng trực xạ kế loại một đã được hiệu\r\nchuẩn phù hợp với các tiêu chuẩn được công nhận. Các quy trình hiệu chuẩn được\r\nnêu tại ISO 9059 và ASTM E 816. Đo thành phần trực tiếp của bức xạ tia tử ngoại\r\nmặt trời theo ASTM G 90 sử dụng một cặp theo dõi các thiết bị đo bức xạ tia tử\r\nngoại, một trong số đó liên tục được che bóng để loại trừ thành phần trực tiếp.\r\nTính toán thành phần trực tiếp là sự chênh lệch số liệu giữa thiết bị đo bức xạ\r\ntia tử ngoại che bóng và không che. Hiệu chuẩn các thiết bị đo bức xạ tia tử\r\nngoại theo ASTM G 130, có sự truyền hiệu chuẩn từ thiết bị đo bức xạ chuẩn đến\r\nthiết bị đo bức xạ trường phù hợp với ISO 9847 hoặc ASTM E 824.
\r\n\r\nỐng so sánh nhật xạ kế có trường quan\r\nsát 6° có thể được sử dụng làm phần gắn kết với thiết bị đo bức xạ UV để hút giữ\r\nbức xạ khuếch tán (bầu trời), miễn là nó có thể được chỉ ra là tương đương hoặc\r\ntốt hơn phương pháp dùng đĩa che.
\r\n\r\n7.2.2. Điều quan trọng là\r\nhai thiết bị đo bức xạ tia tử ngoại cung cấp cùng giá trị chiếu xạ khi cùng được\r\nlắp trên cùng bệ. Vì vậy, chúng phải được so sánh với nhau trên cơ sở ít nhất\r\nlà hàng tháng và phải được hiệu chuẩn lại bất kỳ khi nào độ nhạy của chúng\r\nchênh nhau hơn ± 2 %.
\r\n\r\n7.2.3. Kiểm tra cơ chế đồng\r\nchỉnh khung của nhật xạ kế ít nhất hàng tuần nhằm đảm bảo rằng trường quan sát của\r\nthiết bị đo bức xạ đối diện chính xác với đĩa bức xạ mặt trời.
\r\n\r\n7.3. Phong hóa tăng tốc nhân tạo hoặc\r\nchiếu xạ tăng tốc nhân tạo
\r\n\r\n7.3.1. Detector có thể được\r\nlắp bên cạnh các mẫu thử nếu nó được thiết kế để hoạt động trong môi trường như\r\nvậy, trong trường hợp này cần phải lắp sao cho mặt phẳng bộ phận tiếp nhận của\r\ndetector đồng phẳng với bề mặt mẫu thử nghiệm. Nếu mặt phẳng của bộ phận thu nhận\r\nkhông nằm trong mặt phẳng song song với mặt phẳng mẫu thử nghiệm, độ nhạy của\r\nthiết bị đo bức xạ phải được điều chỉnh để chỉ báo chiếu xạ tại khoảng cách mẫu\r\nvà trong mặt phẳng của mẫu.
\r\n\r\n7.3.2. Cặn của các chất rắn\r\nbay hơi hoặc hơi ẩm trên bộ lọc đèn, bề mặt phản chiếu và bề mặt ngoài của bộ\r\nphận thu nhận sẽ ảnh hưởng phép đo bức xạ. Có thể cần thiết, đặc biệt khi thực\r\nhiện tại nhiệt độ cao và độ ẩm cao, làm sạch những bề mặt này hàng ngày. Làm sạch\r\nbề mặt kính của bộ phận thu nhận bằng một miếng vải mềm (ví dụ vải muxơlin) được\r\nlàm ẩm bằng cồn. Đối với các bề mặt khác (ví dụ những bề mặt có tiêu chuẩn phản\r\nchiếu), sử dụng chất làm sạch và quy trình làm sạch do nhà sản xuất thiết bị\r\nkhuyến nghị.
\r\n\r\n7.3.3. Ghi lại chiếu xạ tại\r\ncác khoảng thời gian được xác định theo sự thỏa thuận chung hoặc theo quy định\r\nbởi quy trình phơi nhiễm, hoặc theo định kỳ hàng ngày.
\r\n\r\n\r\n\r\nBáo cáo phơi nhiễm phải bao gồm những\r\nthông tin sau:
\r\n\r\na) Phơi nhiễm bức xạ phổ, tính bằng\r\njun trên mét vuông trên nano mét của dải phổ (J.m-2.nm-1),\r\nhoặc phơi nhiễm bức xạ, tính bằng jun trên mét vuông (J.m-2), đối với\r\ndải bước sóng dài xác định;
\r\n\r\nb) Chiếu xạ quang phổ, tính bằng oát\r\ntrên mét vuông trên nano mét của dải phổ (W.m-2.nm-1), hoặc\r\nchiếu xạ, tính bằng oát trên mét vuông (W.m-2), đối với dãy bước\r\nsóng dài xác định khi được sử dụng để điều khiển phơi nhiễm trong các thử nghiệm\r\nphòng thử nghiệm;
\r\n\r\nc) Thời gian trôi qua cần thiết để cộng\r\ndồn phơi nhiễm bức xạ;
\r\n\r\nd) Ngày phơi nhiễm nếu phong hóa tự\r\nnhiên hoặc phơi nhiễm tập trung mặt trời được thực hiện;
\r\n\r\ne) Nhà sản xuất thiết bị đo bức xạ được\r\nsử dụng và kiểu mẫu;
\r\n\r\nf) Nếu được yêu cầu, quy trình được sử\r\ndụng để hiệu chuẩn thiết bị đo bức xạ chuẩn chọn lọc;
\r\n\r\ng) Nếu được yêu cầu, quy trình được sử\r\ndụng để hiệu chuẩn Thiết bị đo phổ bức xạ;
\r\n\r\nh) Ngày hiệu chuẩn cuối cùng.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Đối với các mục đích thực tiễn, thiết\r\nbị đo bức xạ có phản hồi giống gauss có tính phản xạ thấp đáng kể tại bước sóng\r\n295 nm không có khả năng phát hiện thay đổi trong chiếu xạ quang phổ tại các bước\r\nsóng dưới 305 nm. Tuy nhiên, các thiết bị đo bức xạ được hiệu chuẩn đến cận\r\ntrên bước sóng dài 385 nm đo xấp xỉ 10 W.m-2 ít năng lượng tia tử\r\nngoại hơn thiết bị đo bức xạ có cận trên tại 400 nm dưới các điều kiện bầu trời\r\nquang vĩ độ trung bình, thời gian ban trưa tại tia tới vuông góc đối với mặt trời.\r\nBảng A.1 chỉ
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||||
| \r\n 12:58 (J51), New River, Arizona \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 11:00 (J52), West Phoenix, Arizona \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n 13:11 (J176), New River, Arizona \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n ||
| \r\n Choshi (Nhật Bản), 30° Nam, 1992 \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Choshi (Nhật Bản), đường chân trời,\r\n 2001 \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
CHÚ THÍCH: Các tín hiệu quang phổ khác\r\nnhau của thiết bị đo bức xạ dải rộng đo trong cùng dải phổ cũng có thể sản sinh\r\ncác kết quả khác nhau.
\r\n\r\n\r\n\r\n
[1] EN 13032-1, Light and lighting\r\n- Measurement and presentation of photometric data of lamps and luminaires -\r\nMeasurement and file format (Ánh sáng và chiếu sáng - Phép đo và trình bày dữ\r\nliệu đo sáng của đèn và nguồn phát sáng - Phép đo và định dạng tài liệu)
\r\n\r\n[2] ASTM E816, Standard Test Method\r\nfor Calibration of Pyrheliometers by Comparison to Reference Pyrheliometers\r\n(Phương pháp thử tiêu chuẩn đối với hiệu chuẩn các trực xạ kế bằng so sánh với\r\ncác trực xạ kế chuẩn)
\r\n\r\n[3] ASTM E824, Standard Test Method\r\nfor Transf
[4] ASTM G7, Standard Practice for\r\nAtmospheric Environmental Exposure Testing of Nonmetallic Materials (Tiêu chuẩn\r\nthực hành đối với thử nghiệm phơi nhiễm môi trường khí quyển của vật liệu phi\r\nkim loại)
\r\n\r\n[5] ASTM G24, Standard Practice for\r\nConducting Exposures to Daylight Filtered Through Glass\r\n(Tiêu chuẩn thực hành đối với việc thực hiện các phơi nhiễm qua kính lọc ánh\r\nsáng ban ngày)
\r\n\r\n[6] ASTM G113, Standard Terminology\r\nRelating to Natural and Artificial Weathering Tests of Nonmetallic Materials\r\n(Thuật ngữ tiêu chuẩn liên quan đến các thử nghiệm phong hóa nhân tạo và tự\r\nnhiên của vật liệu phi kim loại)
\r\n\r\n[7] ASTM G151, Standard Practice\r\nfor Exposing Nonmetallic Materials in Accelerated Test Devices that Use\r\nLaboratory Light Sources (Tiêu chuẩn thực hành đối với việc phơi nhiễm vật liệu\r\nphi kim loại trong thiết bị thử nghiệm tăng tốc sử dụng các nguồn sáng phòng thử\r\nnghiệm)
\r\n\r\n[8] ASTM G152, Standard Practice\r\nfor Operating Open Flame Carbon Arc Light Apparatus for Exposure of Nonmetallic\r\nMaterials (Tiêu chuẩn thực hành đối với việc thao tác các dụng cụ ánh sáng hình\r\ncung cácbon lửa mở đối với phơi nhiễm vật liệu phi kim loại)
\r\n\r\n[9] ASTM G153, Standard Practice\r\nfor Operating Enclosed Carbon Arc Light Apparatus for Exposure of Nonmetallic\r\nMaterials (Tiêu chuẩn thực hành đối với việc thao tác các dụng cụ ánh sáng hình\r\ncung cácbon đóng đối với phơi nhiễm vật liệu phi kim loại)
\r\n\r\n[10] ASTM G154, Standard Practice\r\nfor Operating Fluorescent Ultraviolet (UV) Lamp Apparatus for Exposure of Nonmetallic\r\nMaterials (Tiêu chuẩn thực hành đối với việc thao tác các dụng cụ ánh sáng huỳnh\r\nquang đối với phơi nhiễm UV các vật liệu phi kim loại)
\r\n\r\n[11] ASTM G155, Standard Practice\r\nfor Operating Xenon Arc Light Apparatus for Exposure of Non-Metallic Materials\r\n(Tiêu chuẩn thực hành đối với việc thao tác các dụng cụ ánh sáng hình cung đối\r\nvới phơi nhiễm vật liệu phi kim loại)
\r\n\r\n[12] ASTM G167, Standard Test\r\nMethod for Calibration of a Pyranometer Using a Pyrheliometer (Phương pháp thử\r\ntiêu chuẩn đối với hiệu chuẩn nhật xạ kế sử dụng trực xạ kế)
\r\n\r\n[13] ISO 4892-1, Plastics - Methods of\r\nexposure to laboratory light sources - Part 1: General guidance (Chất dẻo -\r\nPhương pháp phơi nhiễm đối với nguồn sáng phòng th
[14] ISO 4892-2, Plastics - Methods\r\nof exposure to laboratory light sources - Part 2: Xenon-arc lamps (Chất dẻo -\r\nPhương pháp phơi nhiễm đối với nguồn sáng phòng thử nghiệm – Phần 2: Đèn cung\r\nxenon)
\r\n\r\n[15] ISO 4892-3, Plastics - Methods\r\nof exposure to laboratory light sources - Part 3: Fluorescent UV lamps (Chất dẻo\r\n- Phương pháp phơi nhiễm đối với nguồn sáng phòng thử nghiệm - Phần 3: Đèn UV huỳnh\r\nquang)
\r\n\r\n[16] ISO 4892-4, Plastics - Methods\r\nof exposure to laboratory light sources - Part 4: Open- flame carbon-arc lamps\r\n(Chất dẻo - Phương pháp phơi nhiễm đối với nguồn sáng phòng thử nghiệm - Phần\r\n4: Đèn cung cácbon lửa mở)
\r\n\r\n[17] ISO 11341, Paints and\r\nvarnishes - Artificial weathering and exposure to artificial radiation -\r\nExposure to tiltered xenon-arc radiation (Sơn và vécni - Phong hóa nhân tạo và\r\nphơi nhiễm đối với bức xạ nhân tạo - Phơi nhiễm với bức xạ hình cung xenon lọc)
\r\n\r\n[18] ISO 11507, Paints and va
[19] Woolliams, E.R., Fox, N.P., Cox,\r\nM.G., Harris, P.M. và Harrison, N.J., Final report on CCPR K1-a: Spectral\r\nirradiance from 250 nm to 2 500 nm (Báo cáo cuối cùng về CCPR K1-a: Chiếu xạ\r\nquang phổ từ 250 nm đến 2500 nm), Metrologia, 43 (2006), Tech. Suppl.,\r\n02003
\r\n\r\n\r\n\r\n
1.
2.
3.
4.
4.1. Các chú ý chung
\r\n\r\n4.2.
4.3. Sự phong hóa tự nhiên tăng tốc -\r\nCác phơi nhiễm tập trung mặt trời sử dụng hệ gương hội tụ phản chiếu Fresnel
\r\n\r\n4.4. Sự\r\nphong hóa tăng tốc nhân tạo và chiếu xạ tăng tốc nhân tạo
\r\n\r\n5. Thiết bị, dụng cụ
\r\n\r\n5.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\n5.2. Các thiết bị đo bức xạ không chọn\r\nlọc (xem Bảng 1)
\r\n\r\n5.3. Các thiết bị đo bức xạ chọn lọc\r\n(UV) (xem Bảng 2)
\r\n\r\n5.4. Bộ phận ghi và máy ghi dữ liệu
\r\n\r\n6.
6.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\n6.2. Thiết bị đo bức xạ trường và chuẩn
\r\n\r\n6.3. Thiết bị đo bức xạ chuẩn chọn lọc
\r\n\r\n6.4. Thiết bị đo bức xạ trường chọn lọc
\r\n\r\n6.5. Các yêu cầu
7.
7.1. Phong hóa tự nhiên - Phơi nhiễm\r\ntheo hướng xích đạo hoặc góc cố định
\r\n\r\n7.2. Phong hóa tự nhiên tăng tốc - Hệ\r\ngương hội tụ phản chiếu Fresnel sử dụng các phơi nhiễm mặt trời tập trung
\r\n\r\n7.3. Phong hóa tăng tốc nhân tạo hoặc\r\nchiếu xạ tăng tốc nhân tạo
\r\n\r\n8.
Phụ\r\nlục A (Tham khảo) So sánh các thiết bị đo bức xạ UV dải rất rộng điển hình
\r\n\r\nThư mục tài liệu tham khảo
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 9852:2013 (ISO 9370:2009) về Chất dẻo – Xác định sự phơi nhiễm bức xạ trong phép thử phong hóa bằng thiết bị – Hướng dẫn chung và phương pháp thử cơ bản đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 9852:2013 (ISO 9370:2009) về Chất dẻo – Xác định sự phơi nhiễm bức xạ trong phép thử phong hóa bằng thiết bị – Hướng dẫn chung và phương pháp thử cơ bản
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN9852:2013 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2013-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Hóa chất |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |