\r\n\r\n

TIÊU CHUẨN QUỐC\r\nGIA

\r\n\r\n

TCVN 8769\r\n: 2011

\r\n\r\n

ISO/ASTM\r\n51818 : 2009

\r\n\r\n

TIÊU\r\nCHUẨN THỰC HÀNH ĐO LIỀU ÁP DỤNG CHO THIẾT BỊ XỬ LÝ CHIẾU XẠ BẰNG CHÙM TIA ĐIỆN\r\nTỬ CÓ NĂNG LƯỢNG TỪ 80 keV ĐẾN 300 keV

\r\n\r\n

Standard practice for\r\ndosimetry in an electron beam facility for radiation processing at energies\r\nbetween 80 and 300 keV

\r\n\r\n

Lời nói đầu

\r\n\r\n

TCVN 8769 : 2011 hoàn toàn tương đương với ISO/ASTM\r\n51818 : 2009;

\r\n\r\n

TCVN 8769 : 2011 do Ban kỹ thuật Tiêu chuẩn\r\nquốc gia TCVN/TC/F5 Vệ sinh Thực phẩm và chiếu xạ biên soạn, Tổng cục\r\nTiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

TIÊU CHUẨN THỰC HÀNH\r\nĐO LIỀU ÁP DỤNG CHO THIẾT BỊ XỬ LÝ CHIẾU XẠ BẰNG CHÙM TIA ĐIỆN TỬ CÓ NĂNG LƯỢNG\r\nTỪ 80 keV ĐẾN 300 keV

\r\n\r\n

Standard practice for\r\ndosimetry in an electron beam facility for radiation processing at energies\r\nbetween 80 and 300 keV[1]

\r\n\r\n

1. Phạm vi áp dụng

\r\n\r\n

1.1. Tiêu chuẩn thực hành này bao gồm các quy\r\ntrình đo liều để xác định hiệu suất của năng lượng liều thấp (300 keV hoặc thấp\r\nhơn) hoặc của các thiết bị xử lý bức xạ chùm tia điện tử khe đơn. Các tiêu\r\nchuẩn thực hành khác và các quy trình có liên quan đến các đặc tính của thiết\r\nbị, chất lượng quá trình và các quá trình xử lý thường xuyên cũng được xem xét\r\ntrong tiêu chuẩn này.

\r\n\r\n

1.2. Dải năng lượng điện tử đưa ra trong tiêu\r\nchuẩn này từ 80 keV đến 300 keV. Chùm tia điện tử này có thể được tạo ra từ sợi\r\nnhiệt tự phát khe đơn hoặc từ các máy gia tốc nguồn plasma.

\r\n\r\n

1.3. Tiêu chuẩn này không đề cập đến tất cả các\r\nvấn đề an toàn. Trách nhiệm của những người áp dụng tiêu chuẩn này là phải\r\nthiết lập được các tiêu chuẩn thực hành thích hợp đảm bảo an toàn về sức khỏe\r\ncũng như phải xác định rõ giới hạn quy định trước khi quyết định áp dụng tiêu\r\nchuẩn.

\r\n\r\n

2. Tài liệu viện dẫn

\r\n\r\n

2.1. Tiêu chuẩn ASTM [2]

\r\n\r\n

ASTM E 170, Terminology relating to\r\nradiation measurements and dosimetry (Thuật ngữ liên quan đến các phép đo bức\r\nxạ và đo liều).

\r\n\r\n

ASTM E 2232, Guide for selection and use\r\nof mathematical methods for calculating absorbed dose in radiation processing\r\napplications (Tiêu chuẩn hướng dẫn lựa chọn và sử dụng các mô hình toán học để\r\ntính toán liều hấp thụ trong các ứng dụng sử dụng bức xạ).

\r\n\r\n

ASTM E 2303, Guide for absorbed-dose\r\nmapping in radiation processing facilites (Hướng dẫn lập biểu đồ liều hấp thụ\r\ntrong quá trình chiếu xạ).

\r\n\r\n

2.2. Tiêu chuẩn ISO/ASTM²⁾

\r\n\r\n

TCVN 7910 (ISO/ASTM 551275), Tiêu chuẩn\r\nthực hành sử dụng hệ đo liều màng mỏng nhuộm màu trong xử lý bức xạ.

\r\n\r\n

TCVN 8232 (ISO/ASTM 51607), Tiêu chuẩn\r\nthực hành sử dụng hệ đo liều cộng hưởng thuận từ electron-alanin.

\r\n\r\n

TCVN 8233 (ISO/ASTM 51650), Tiêu chuẩn\r\nthực hành sử dụng hệ đo liều xenluloza triaxetat.

\r\n\r\n

ISO/ASTM 51261, Guide for selection and\r\ncalibration of dosimetry systems for radiatio processing (Hướng dẫn lựa chọn và\r\nhiệu chuẩn các hệ đo liều trong công nghệ xử lý bằng bức xạ).

\r\n\r\n

ISO/ASTM 51400, Practice for\r\ncharacterization and performance of a hig-dose radiation dosimetry calibration\r\nlaboratory (Thực hành xác định các đặc tính và chất lượng vận hành của phòng\r\nthử nghiệm hiệu chuẩn đo liều cao trong công nghệ bức xạ).

\r\n\r\n

ISO/ASTM 51649, Practice for dosimetry in\r\nan electron beam facility for radiation processing at energies between 300 keV\r\nand 25 MeV (Thực hành đo liều trong thiết bị chiếu xạ chùm tia điện tử ở năng\r\nlượng từ 300 keV đến 25 MeV trong công nghệ bức xạ).

\r\n\r\n

ISO/ASTM 51707, Guide for estimating\r\nuncertainties in dosimetry for radiation processing (Thực hành đánh giá sai số\r\nđối với các phép đo liều trong công nghệ xử lý bằng bức xạ).

\r\n\r\n

2.3. Báo cáo của ủy ban quốc tế phép đo và\r\nđơn vị bức xạ (ICRU)[3]

\r\n\r\n

ICRU Report 60, Fundamental quantities and\r\nunits for ionizing radiation (Các đơn vị và các loại cơ bản của bức xạ ion hóa).

\r\n\r\n

2.4. Quy tắc Monte Carlo để tính liều hấp thụ\r\nvà phân bố liều[4]

\r\n\r\n

ZTRAN

\r\n\r\n

PENELOPE

\r\n\r\n

Tập hợp các dãy số (ITS)

\r\n\r\n

Monte Carlo Neutron Proton (MCNP)

\r\n\r\n

Electron Gamma Shower (EGS4)

\r\n\r\n

Năng lượng kết lắng trong các lớp kép (EDMULT)

\r\n\r\n

3. Thuật ngữ và định\r\nnghĩa

\r\n\r\n

3.1. Định nghĩa

\r\n\r\n

3.1.1. Liều hấp thụ (D) (absorbed dose(D))

\r\n\r\n

Lượng năng lượng bức xạ ion hóa truyền cho\r\nmột đơn vị khối lượng vật chất xác định. Đơn vị đo liều hấp thụ của quốc tế SI\r\nlà gray (Gy), 1 Gy tương đương với sự hấp thụ 1 J trên 1 kg vật chất xác định\r\n(1 Gy = 1 J/kg). Biểu thức toán học là tỷ số giữa d và dm, trong đó dlà năng lượng hấp thụ trung bình mà bức xạ\r\nion hóa truyền cho khối vật chất có khối lượng là danh mục.

\r\n\r\n

D = d/dm  (1)

\r\n\r\n

3.1.1.1. Giải thích: Trước đây, đơn vị đo\r\nliều hấp thụ là rad (1 rad = 100 erg/g = 0,01 Gy). Cách gọi đơn giản liều hấp\r\nthụ được gọi là liều.

\r\n\r\n

3.1.2. Cường độ chùm tia trung bình (average beam current)

\r\n\r\n

Cường độ chùm tia điện tử phát ra từ máy gia\r\ntốc theo thời gian.

\r\n\r\n

3.1.3. Độ dài chùm tia (beam length)

\r\n\r\n

Kích thước của vùng chiếu xạ dọc theo hướng\r\nchuyển động của sản phẩm tại khoảng cách xác định đối với cửa sổ máy gia tốc.

\r\n\r\n

3.1.3.1. Giải thích: Đồ thị minh họa, xem\r\nISO/ASTM Practice 51649. (1) Thuật ngữ này thường áp dụng cho chiếu xạ điện tử.\r\n(2) Do đó, độ dài chùm tia vuông góc với độ rộng chùm tia và với trục chùm tia\r\nđiện tử. (3) Trong trường hợp sản phẩm chiếu xạ đặt cố định trong suốt quá\r\ntrình chiếu xạ, thì độ dài chùm tia và độ rộng chùm tia có thể hoán đổi cho\r\nnhau.

\r\n\r\n

3.1.4. Công suất chùm tia (beam power)

\r\n\r\n

Tích năng lượng trung bình của hạt điện tử\r\ntrong chùm tia với cường độ trung bình của chùm tia (đơn vị kW).

\r\n\r\n

3.1.5. Tính đồng nhất của chùm tia (beam\r\nuniformity)

\r\n\r\n

Sự thay đổi về liều phân bố dọc theo độ rộng\r\ncủa chùm tia.

\r\n\r\n

3.1.6. Độ rộng chùm tia (beam width)

\r\n\r\n

Kích thước của vùng chiếu xạ vuông góc với\r\nhướng chuyển động của sản phẩm tại khoảng cách được quy định trên cửa sổ máy\r\ngia tốc.

\r\n\r\n

3.1.6.1. Giải thích: Đồ thị minh họa, xem\r\nISO/ASTM Practice 51649, (1) Thuật ngữ này thường áp dụng cho chiếu xạ điện tử.\r\n(2) Độ rộng chùm tia vuông góc với độ dài chùm tia và vuông góc với trục chùm\r\ntia điện tử. (3) Trong trường hợp dùng máy gia tốc điện tử khe đơn năng lượng\r\nthấp, thì độ rộng chùm tia bằng độ dài hoạt động của cực âm lắp trong chân\r\nkhông. (4) Trong trường hợp sản phẩm chiếu xạ đặt cố định trong suốt quá trình\r\nchiếu xạ, thì độ rộng chùm tia và độ dài chùm tia có thể hoán đổi cho nhau. (5)\r\nĐộ rộng chùm tia có thể định lượng được là khoảng cách giữa hai điểm dọc theo\r\nbiểu đồ liều, nằm trong dao động xác định của giá trị liều cực đại trong biểu\r\nđồ liều. (6) Một số công nghệ khác nhau có thể được sử dụng để tạo ra các chùm\r\ntia điện tử có độ rộng đủ để bao phủ cả vùng sản phẩm được xử lý, ví dụ, phương\r\npháp quét điện từ của chùm tia hẹp (trong trường hợp đó độ rộng chùm tia cũng\r\nđược xem như độ rộng quét), phương pháp dùng các phần tử đặt cách xa tiêu điểm\r\nvà phương pháp dùng các lá tán xạ.

\r\n\r\n

3.1.7. Phân bố liều theo độ sâu (depth dose\r\ndistribution)

\r\n\r\n

Sự thay đổi liều hấp thụ theo độ sâu tính từ\r\nbề mặt tới của vật liệu được chiếu xạ đối với bức xạ xác định.

\r\n\r\n

3.1.7.1. Giải thích: Trong Hình 1 là các\r\ngiá trị tính được đối với mức năng lượng điện tử từ 100 keV đến 300 keV.

\r\n\r\n

3.1.8. Hệ số đồng đều về liều (dose uniformmity\r\nratio)

\r\n\r\n

Tỷ số giữa liều hấp thụ cực đại và cực tiểu\r\ntrong một đơn vị nạp hàng. Khái niệm này cũng là tỉ số liều tối đa/tối thiểu.

\r\n\r\n

3.1.9. Liều kế (dosimeter)

\r\n\r\n

Dụng cụ, khi bị chiếu xạ sẽ tạo ra sự thay\r\nđổi có thể định lượng được, sự thay đổi này có thể liên quan đến liều hấp thụ\r\ntrong vật liệu bằng cách sử dụng các thiết bị và phương pháp đo thích hợp.

\r\n\r\n

3.1.10. Hệ đo liều (dosimetry system)

\r\n\r\n

Hệ được dùng để xác định liều hấp thụ bao gồm\r\ncác liều kế, các dụng cụ đo liều và các chuẩn có liên quan cũng như các quy\r\ntrình sử dụng chúng.

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình 1 – Đường cong\r\nphân bố liều theo độ sâu được tính theo phương pháp Monte Carlo (ITS) với điện\r\náp gia tốc trong dải từ 100 keV đến 300 keV có gia số là 25 keV. Các đường cong\r\nnày chỉ cho thấy độ sâu về liều trong chất mẫu có mật độ bằng một đi qua chùm\r\ntia (cửa sổ titan 13 µm, khe không khí 20 mm).

\r\n\r\n

3.1.11. Năng lượng chùm tia điện tử (electron beam energy)

\r\n\r\n

Động năng lượng trung bình của điện tử được\r\ngia tốc trong chùm tia. [Đơn vị: eV (electron vol)].

\r\n\r\n

3.1.11.1. Giải thích: Thông thường, giá\r\ntrị bằng số của gia tốc điện áp được tính bằng kV sử dụng để mô tả năng lượng\r\nchùm tia trong kiloelectron vol (keV). Năng lượng tối đa của chùm tia bên trong\r\nmáy gia tốc bằng với gia tốc điệp áp nhưng được biểu thị bằng đơn vị là keV.\r\nNăng lượng chùm tia ở bề mặt sản phẩm nhỏ hơn năng lượng tối đa trong máy gia\r\ntốc do sự hao hụt về dải chùm tia qua cửa sổ hoặc khe không khí.

\r\n\r\n

3.1.12. Quãng chạy của chùm tia điện tử, R_p (practical electron\r\nrange, R_p)

\r\n\r\n

Độ sâu tính từ bề mặt vật liệu mà điện tử đi\r\nvào đến điểm mà ở đó tiếp tuyến tại điểm dốc nhất (điểm uốn) trên phần thẳng\r\ndốc xuống của đường phân bố liều theo độ sâu gặp trục tia X ngoại suy.

\r\n\r\n

3.1.12.1. Giải thích: Đồ thị minh họa, xem\r\nISO/ASTM Practice 51649.

\r\n\r\n

3.1.13. Đơn vị nạp hàng (process load)

\r\n\r\n

Thể tích vật liệu với cấu hình nạp hàng cụ\r\nthể như một thực thể riêng rẽ để chiếu xạ.

\r\n\r\n

3.1.14. Chu trình chiếu xạ [production run (for\r\ncontinuous-flow and shuffle-dwell irradiation)] (dùng cho chiếu xạ dòng chảy\r\nliên tục và ngắt quãng)

\r\n\r\n

Dãy các đơn vị nạp hàng bao gồm các vật liệu\r\nhoặc sản phẩm có đặc tính hấp thụ bức xạ giống nhau được chiếu xạ liên tiếp với\r\ncùng một dải liều hấp thụ quy định.

\r\n\r\n

3.1.15. Máy gia tốc tự che chắn (self-shield\r\naccelerator)

\r\n\r\n

Nguồn chùm điện tử được thiết kế đầy đủ với\r\ntấm chắn bức xạ, hệ thống vận chuyển sản phẩm và khoang bức xạ.

\r\n\r\n

3.1.16. Tính liên kết chuẩn (Traceability)

\r\n\r\n

Đặc tính kết quả đo hoặc giá trị của chuẩn,\r\nhoặc các giá trị của chuẩn, có liên quan đến các chuẩn chính được viện dẫn,\r\nthông thường là chuẩn quốc gia hoặc quốc tế, qua chuỗi so sánh liên tục tất cả\r\ncác độ không đảm bảo đo đã công bố.

\r\n\r\n

3.1.17. Độ không đảm bảo đo (uncertainty)

\r\n\r\n

Thông số liên quan đến kết quả của phép đo,\r\nmô tả độ phân tán của các giá trị mà có thể được phân bố hợp lý từ phép đo hoặc\r\nlượng phân bố (xem ISO/ASTM Guide 51707).

\r\n\r\n

3.2. Các thuật ngữ đặc thù với tiêu chuẩn này

\r\n\r\n

3.2.1. Khe không khí (air gap)

\r\n\r\n

Khoảng cách giữa mặt phẳng của sản phẩm và\r\ncủa chùm tia điện tử.

\r\n\r\n

3.2.2. Bộ xử lý điện tử (electron processor)

\r\n\r\n

Máy gia tốc chùm tia điện tử và các thiết bị\r\ncó liên quan.

\r\n\r\n

3.2.3. Hệ số tốc độ tuyến tính (K_L) [linear\r\nrate coefficient (K_L)]

\r\n\r\n

Chiều dài được chiếu xạ trên đơn vị thời gian\r\nliên quan đến cường độ chùm tia và liều hấp thụ.

\r\n\r\n

3.2.3.1. Giải thích: Giá trị này thường\r\nđược biểu thị bằng kilogray met. Các giá trị lý thuyết này có thể tính được từ\r\nhệ số tốc độ xử lý bề mặt đưa ra trong Bảng 1 cho độ rộng chùm tia cụ thể.\r\nLượng này đôi khi được gọi là hệ số xử lý tuyến tính (xem 9.3). Trong tiêu\r\nchuẩn này thuật ngữ “rad” hoặc “megarad (Mrad)” được sử dụng không kể đến đơn\r\nvị SI để tạo thuận lợi cho một số nhà sản xuất công nghiệp.

\r\n\r\n

3.2.4. Tốc độ xử lý khối lượng (mass processing\r\nrate)

\r\n\r\n

Năng suất dựa vào năng lượng đầu ra (tính\r\nbằng wat) của chùm tia điện tử, khối lượng của vật liệu được chiếu xạ và liều.

\r\n\r\n

3.2.4.1. Giải thích: Giá trị điển hình\r\nnày được tính bằng kilogray kilogam trên kilowat giờ hoặc megarat pound trên\r\nkilowat giờ. Trong tiêu chuẩn này thuật ngữ “rad” hoặc “megarad (Mrad)” cũng\r\nđược sử dụng không kể đến đơn vị SI để tạo thuận lợi cho một số nhà sản xuất\r\ncông nghiệp.

\r\n\r\n

3.2.5. Mặt phẳng sản phẩm (product plane)

\r\n\r\n

Mặt phẳng tương đương với lớp bề mặt của sản\r\nphẩm được chiếu xạ.

\r\n\r\n

3.2.6. Máy gia tốc khe đơn (single-gap\r\naccelerator)

\r\n\r\n

Nguồn chùm tia điện tử gồm có buồng chân\r\nkhông và nguồn điện áp cao, mà có thể làm tăng chùm phân tán của các điện tử từ\r\nđiện thế tiếp đất trong một giai đoạn.

\r\n\r\n

3.2.7. Hệ số tốc độ xử lý bề mặt (K_A)\r\n[surface area rate coeficient (K_A)]

\r\n\r\n

Diện tích sản phẩm được chiếu xạ trên một đơn\r\nvị thời gian tính theo cường độ chùm tia và liều hấp thụ.

\r\n\r\n

3.2.7.1. Giải thích: Giá trị điển hình\r\nnày được tính bằng kilogray mét vuông trên miliampe phút hoặc megarad foot trên\r\nmiliampe phút. Các giá trị ví dụ được nêu trong Bảng 1. Đại lượng này đôi khi\r\nđược gọi là hệ số xử lý diện tích. Trong tiêu chuẩn này thuật ngữ “rad” hoặc\r\n“megarad (Mrad)” ngoài hệ SI cũng được sử dụng để tạo thuận lợi cho một số nhà\r\nsản xuất.

\r\n\r\n

3.3. Định nghĩa về các thuật ngữ khác dùng trong\r\ntiêu chuẩn này liên quan đến phép đo bức xạ và đo liều có thể tham khảo ở ASTM\r\nE170. Định nghĩa trong E170 phù hợp với ICRU 60; do đó, ICRU 60 có thể sử dụng\r\nlàm tài liệu tham khảo.

\r\n\r\n

Bảng 1 – Liều đo được\r\nở bề mặt, liều K_Af_i, thu được K_A,và các giá\r\ntrị thu được của f_i ở gia tốc điện áp cụ thể (cửa sổ titan 13 µm,\r\nkhe không khí 20 mm, khoảng chạy của bộ vi xử lý 30 cm với tốc độ 25 cm sec^-1\r\ncó cường độ chùm tia là 10 mA)

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Điện áp gia tăng\r\n của chùm điện tử \r\n	\r\n Hệ đo liều kGy\r\n (Mrad) \r\n	\r\n kGy m²/milliampe s\r\n (KAfi)A \r\n	\r\n Mrad fut²/milliampe\r\n min (KAfi)A \r\n	\r\n Kết quả từ phép\r\n tính Monte Carlo TIGER, kGy (Mrad) B \r\n	\r\n Hiệu ứng sử dụng\r\n cường độ chùm tia (fi) \r\n
\r\n 100 kV \r\n	\r\n 9,37 (0,937) \r\n	\r\n 0,0722 \r\n	\r\n 4,69 \r\n	\r\n 13,6 (1,36) \r\n	\r\n 0,69 \r\n
\r\n 125 kV \r\n	\r\n 34,3 (3,43) \r\n	\r\n 0,265 \r\n	\r\n 17,2 \r\n	\r\n 51,4 (5,15) \r\n	\r\n 0,67 \r\n
\r\n 150 kV \r\n	\r\n 46,2 (4,62) \r\n	\r\n 0,355 \r\n	\r\n 23,1 \r\n	\r\n 66,8 (6,68) \r\n	\r\n 0,69 \r\n
\r\n 175 kV \r\n	\r\n 49,5 (4,95) \r\n	\r\n 0,382 \r\n	\r\n 24,8 \r\n	\r\n 69,5 (6,95) \r\n	\r\n 0,71 \r\n
\r\n 200 kV \r\n	\r\n 47,3 (4,73) \r\n	\r\n 0,365 \r\n	\r\n 23,7 \r\n	\r\n 66,1 (6,61) \r\n	\r\n 0,72 \r\n
\r\n 225 kV \r\n	\r\n 45,1 (4,51) \r\n	\r\n 0,348 \r\n	\r\n 22,6 \r\n	\r\n 61,7 (6,17) \r\n	\r\n 0,73 \r\n
\r\n 250 kV \r\n	\r\n 41,2 (4,12) \r\n	\r\n 0,317 \r\n	\r\n 20,6 \r\n	\r\n 55,8 (5,58) \r\n	\r\n 0,74 \r\n
\r\n 275 kV \r\n	\r\n 39,6 (3,96) \r\n	\r\n 0,305 \r\n	\r\n 19,8 \r\n	\r\n 50,7 (5,07) \r\n	\r\n 0,78 \r\n
\r\n 300 kV \r\n	\r\n 35,8 (3,58) \r\n	\r\n 0,275 \r\n	\r\n 17,9 \r\n	\r\n 46,7 (4,67) \r\n	\r\n 0,77 \r\n
\r\n A Phép tính dựa trên hệ đo liều (8).\r\n Hệ số hiệu ứng sử dụng cường độ chùm tia (fi) là một phần không\r\n thể thiếu của phép tính. \r\n B Phép tính Monte Carlo TIGER 1-D không bao\r\n gồm hệ số hiệu ứng dùng cường độ chùm tia (fi). Khi so sánh phép\r\n tính với hệ đo liều, thì hệ số hiệu ứng dùng cường độ chùm tia (fi)\r\n nhận được đối với mỗi điện áp (xem chú thích 7 trong 9.2) \r\n

\r\n\r\n

4. Đặc điểm và ứng\r\ndụng

\r\n\r\n

4.1. Sự khác nhau về quá trình chiếu xạ hoặc xử\r\nlý dùng máy gia tốc có năng lượng điện tử thấp để thay đổi các đặc tính của sản\r\nphẩm. Các yêu cầu về đo liều, số lượng và tần suất của phép đo, các yêu cầu về\r\nlưu giữ hồ sơ cũng sẽ khác nhau phụ thuộc vào loại và mục đích sử dụng cuối\r\ncùng của sản phẩm cần xử lý. Phép đo liều thường được sử dụng cùng với các phép\r\nthử vật lý, hóa học hoặc sinh học của sản phẩm, để giúp cho việc kiểm tra xác\r\nnhận các thông số xử lý cụ thể.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Trong một số trường hợp có thể\r\ntiến hành xây dựng các dữ liệu đối chứng, so sánh các kết quả đo liều với phép\r\nthử định lượng sản phẩm khác, ví dụ có thể sử dụng các phép thử phân đoạn của\r\ngel, tốc độ nóng chảy, mô-đun, phân bố trọng lượng phân tử hoặc các phép thử phân\r\ntích sự lưu hóa để đánh giá liều bức xạ trong các vật liệu có liên quan cụ thể.

\r\n\r\n

4.2. Các quy định về xử lý bức xạ thường gồm các\r\ngiới hạn liều hấp thụ tối thiểu hoặc tối đa hoặc cả hai. Đối với ứng dụng nhất\r\nđịnh, các mức liều này có thể được quy định hoặc theo giới hạn của chính sản\r\nphẩm.

\r\n\r\n

4.3. Cần kiểm soát các thông số tới hạn của quá\r\ntrình để thu được độ lặp lại về sự phân bố liều trong các vật liệu chiếu xạ.\r\nNăng lượng chùm tia điện tử (tính bằng eV hoặc keV), cường độ chùm tia (tính\r\nbằng mA), sự phân bố chùm tia trong không gian và thời gian chiếu xạ hoặc tốc\r\nđộ vận chuyển ảnh hưởng liều hấp thụ.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: trong một số ứng dụng về polyme\r\nhóa từ lỏng thành rắn (thường được hiểu là sự lưu hóa bức xạ), cần kiểm soát mức\r\noxy dư trong suốt quá trình chiếu xạ để đạt được kết quả ổn định. Mức oxy dưa cao\r\ncó thể ảnh hưởng đến tính năng của sản phẩm trong các ứng dụng về sự lưu hóa\r\nnày, nhưng không ảnh hưởng đến liều hấp thụ. Tuy nhiên, cần phải tính đến các\r\nảnh hưởng của oxy lên hàm đặc trưng độ nhạy của liều kế được sử dụng trong phép\r\nđo liều.

\r\n\r\n

4.4. Trước khi sử dụng bất kỳ hệ thống xử lý bức\r\nxạ nào thì cũng cần phải đánh giá xác nhận để khẳng định tính hiệu lực của\r\nchúng. Điều này kéo theo phép thử thiết bị, hiệu chuẩn dụng cụ đo và chứng minh\r\nkhả năng cung cấp liều yêu cầu trong dải liều yêu cầu đáng tin cậy và khả năng\r\ntái lập.

\r\n\r\n

5. Hệ đo liều

\r\n\r\n

5.1. Mô tả các loại liều kế

\r\n\r\n

5.1.1. Liều kế có thể chia thành bốn loại cơ bản theo\r\nđặc trưng tương ứng của chúng và miền áp dụng: liều kế chuẩn đầu, chuẩn chính,\r\nliều kế truyền chuẩn và liều kế đo thường xuyên. ISO/ASTM Guide 51261 cung cấp\r\ncác thông tin để lựa chọn hệ liều kế cho các ứng dụng khác nhau. Tất cả các\r\nloại liều kế, trừ liều kế chuẩn đầu , các loại còn lại phải được hiệu chuẩn\r\ntrước khi dùng.

\r\n\r\n

5.1.1.1. Liều kế chuẩn đầu

\r\n\r\n

Loại liều kế được thiết lập và duy trì bởi\r\ncác phòng thử nghiệm chuẩn quốc gia để hiệu chuẩn các trường bức xạ và các loại\r\nliều kế khác. Hai loại liều kế chuẩn đầu thường dùng nhất là buồn ion hóa và\r\nliều kế đo nhiệt lượng.

\r\n\r\n

5.1.1.2. Liều kế chuẩn chính

\r\n\r\n

Loại liều kế được dùng để hiệu chuẩn các\r\ntrường bức xạ và liều kế đo thường xuyên. Loại liều kế này cũng có thể được\r\ndùng làm liều kế đo thường xuyên. Các ví dụ về các loại kế chuẩn chính và dải\r\nliều kế sử dụng của chúng được đưa ra trong ISO/ASTM Guide 51261.

\r\n\r\n

5.1.1.3. Liều kế truyền chuẩn

\r\n\r\n

Loại liều kế được lựa chọn chuyên dùng để\r\ntruyền thông tin về liều từ phòng thử nghiệm chuẩn quốc gia hoặc được công nhận\r\ntới một thiết bị chiếu xạ để xác nhận độ chính xác cho thiết bị đó. Những liều\r\nkế này cần được dùng cẩn thận trong điều kiện quy định bởi phòng thử nghiệm phát\r\nhành liều kế. Loại liều kế này có thể được chọn từ liều kế chuẩn chính hoặc\r\nliều kế đo thường xuyên, được liệt kê trong ISO/ASTM Guide 51261.

\r\n\r\n

5.1.1.4. Liều kế đo thường xuyên

\r\n\r\n

Loại liều kế có thể được dùng để kiểm soát chất\r\nlượng trong xử lý bức xạ, kiểm soát liều và phân bố liều. Kỹ thuật đo liều đúng\r\ncách, bao gồm cả hiệu chuẩn được dùng để đảm bảo rằng phép đo có độ tin cậy và\r\nchính xác. Ví dụ về các loại liều kế đo thường xuyên và dải liều sử dụng của\r\nchúng được nêu trong ISO/ASTM Guide 51261.

\r\n\r\n

5.2. Các tài liệu được liệt kê trong Điều 2 cung\r\ncấp thông tin chi tiết về sự lựa chọn và cách sử dụng hệ đo liều thích hợp đối\r\nvới chiếu xạ chùm tia điện tử. Do bị giới hạn về độ đâm xuyên của chùm điện tử\r\nnăng lượng thấp và khe không khí hẹp nên thường được sử dụng các liều kế màng\r\nmỏng đi cùng với thiết bị hơn là hệ liều kế dày (xem Tài liệu tham khảo 1-6[5],\r\nTCVN 7910 (ISO/ASTM 51275), TCVN 8232 (ISO/ASTM 51607), TCVN 8233 (ISO/ASTM\r\n51650) và ISO/ASTM Guide 51261).

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Các hệ đo liều có bán sẵn đưa ra\r\nsự lựa chọn về việc sử dụng phương pháp liều kế đo một điểm đơn hoặc kỹ thuật\r\nđọc diện tích quét liên tục để sử dụng với dải màng mỏng hoặc các đoạn màng.

\r\n\r\n

6. Hiệu chuẩn hệ đo\r\nliều

\r\n\r\n

6.1. Hệ đo liều phải được hiệu chuẩn trước khi sử\r\ndụng và được hiệu chuẩn định kỳ theo quy trình hướng dẫn sử dụng, trong đó quy\r\nđịnh chi tiết quá trình hiệu chuẩn và yêu cầu đảm bảo chất lượng. Phương pháp\r\nhiệu chuẩn được nêu trong ISO/ASTM Guide 51261.

\r\n\r\n

6.2. Chiếu xạ hiệu chuẩn

\r\n\r\n

Chiếu xạ là một thành phần quan trọng của\r\nphép hiệu chuẩn hệ đo liều. Cách thực hiện chiếu xạ hiệu chuẩn có thể chấp nhận\r\nphụ thuộc vào liều kế được sử dụng là liều kế chuẩn chính, truyền chuẩn hoặc\r\nliều kế đo thường xuyên.

\r\n\r\n

6.2.1. Liều kế chuẩn chính hoặc liều kế\r\ntruyền chuẩn

\r\n\r\n

Chiếu xạ hiệu chuẩn được thực hiện trong\r\nphòng thử nghiệm quốc gia hoặc phòng thử nghiệm đã được công nhận theo quy định\r\ntrong ISO/ASTM Practice 51400.

\r\n\r\n

6.2.2. Liều kế đo thường xuyên

\r\n\r\n

Chiếu xạ hiệu chuẩn có thể thực hiện bằng\r\nchiếu xạ các liều kế tại (a) phòng thử nghiệm quốc gia hoặc phòng thử nghiệm đã\r\nđược công nhận sử dụng các chuẩn quy định trong ISO/ASTM Practice 51400, (b)\r\ntại thiết bị chiếu xạ cung cấp liều (hoặc suất liều) có liên kết quốc gia hoặc\r\nquốc tế được công nhận, hoặc (c) ở điều kiện chiếu xạ thực tế, chiếu cùng với\r\nliều kế chuẩn chính hoặc liều kế truyền chuẩn có liên kết với chuẩn quốc gia\r\nhoặc quốc tế công nhận. Trong trường hợp chọn (a) hoặc (b), đường chuẩn tạo\r\nthành phải được xác nhận cho các điều kiện sử dụng thực tế (xem ISO/ASTM Guide\r\n51261).

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 4: Trong khi 6.2.2 có hiệu lực đối\r\nvới hầu hết các phép hiệu chuẩn các liều kế, phải công nhận rằng việc chiếu xạ\r\nnhiều liều kế với năng lượng điện tử thấp (nhỏ hơn 300 keV) sẽ tạo ra gradient\r\nliều qua độ dày của liều kế. Khi các liều kế được đo sẽ cho liều biểu kiến liên\r\nquan đến sự phân bố liều. Ở các điều kiện chiếu xạ xác định, liều biểu kiến sẽ\r\nphụ thuộc vào độ dày của liều kế, nghĩa là các liều kế có độ dày khác nhau sẽ\r\ncho các liều biểu kiến khác nhau (7). Biện pháp khắc phục vấn đề này là\r\ntất cả các phép đo liều được tham chiếu theo liều trong nước trong vi kế đầu\r\ntiên của vật liệu hấp thụ và được ký hiệu là D_µ và không phụ thuộc\r\nvào độ dày của liều kế.

\r\n\r\n

Mối liên hệ giữa D_µ và liều biểu\r\nkiến phụ thuộc nhiều vào hàm đặc trưng độ nhạy của liều kế, độ dày của liều kế,\r\nliều, năng lượng bức xạ, vật liệu và độ dày của cửa sổ máy gia tốc, khoảng cách\r\ncủa cửa sổ đến liều kế và nhiệt độ của không khí giữa cửa sổ và liều kế. Mối\r\nquan hệ này cần được tính cho trong từng điều kiện chiếu xạ đã định. Mối quan\r\nhệ này phải được áp dụng để hiệu chuẩn bằng cách so sánh giữa hai hệ liều kế\r\nkhác nhau. (ISO/ASTM Guide 51261).

\r\n\r\n

6.3. Hiệu chuẩn dụng cụ đo và xác nhận tính\r\nnăng hoạt động

\r\n\r\n

Để hiệu chuẩn thiết bị và đánh giá xác nhận\r\ntính năng của thiết bị giữa các lần hiệu chuẩn, xem ISO/ASTM Guide 51261, tiêu\r\nchuẩn ISO/ASTM hoặc ASTM tương ứng về hệ số đo liều, và/hoặc sổ tay hướng dẫn vận\r\nhành thiết bị cụ thể.

\r\n\r\n

7. Đánh giá chất\r\nlượng lắp đặt

\r\n\r\n

7.1. Tiến hành đánh giá chất lượng lắp đặt để xác\r\nđịnh các hoạt động của thiết bị chiếu xạ phù hợp với các chi tiết kỹ thuật được\r\nthiết kế. Quy trình này bao gồm phép thử cơ học và điện của máy gia tốc chùm\r\ntia điện tử và các thiết bị chiếu xạ có lqn nhưng không bị giới hạn bao gồm:

\r\n\r\n

7.1.1. Vận hành của tất cả các bộ phận kiểm tra\r\ntheo dõi bức xạ.

\r\n\r\n

7.1.2. Vận hành của tất cả các hệ thống các khóa\r\nliên động.

\r\n\r\n

7.1.3. Khi chứng minh thêm về hiệu năng của hệ chùm\r\ntia điện tử ở tốc độ quy định.

\r\n\r\n

7.1.4. Vận hành hệ chùm tia điện tử trên toàn dải\r\nliều của cường độ chùm tia và dòng điện áp.

\r\n\r\n

7.1.5. Kiểm soát bức xạ ở dòng điện áp vận hành tối\r\nđa.

\r\n\r\n

7.1.6. Kiểm tra phần cơ của hệ thống,

\r\n\r\n

7.1.7. Kiểm tra phần điện của hệ thống,

\r\n\r\n

7.1.8. Hiệu suất của hệ thống xả khí trơ, nếu áp\r\ndụng,

\r\n\r\n

7.1.9. Hiệu suất của hệ thống khí ozon, nếu áp\r\ndụng, và

\r\n\r\n

7.1.10. Phép thử và hiệu chuẩn hệ thống vận\r\nhành sản phẩm trên toàn dải vận hành.

\r\n\r\n

7.2. Tiến hành đánh giá chất lượng vận hành để\r\nthể hiện đặc tính của thông báo sử dụng hệ đo liều. Mục đích của phép đo này là\r\nđể xác nhận các đặc tính phân bố liều của thiết bị được chấp nhận và được dùng\r\nđể đối chứng tiếp sau. Quy trình này phải bao gồm nhưng không giới hạn các vấn\r\nđề sau:

\r\n\r\n

7.2.1. Phép đo hệ số tốc độ xử lý bề mặt: Sử\r\ndụng tối thiểu năm phép đo trên dải điện áp quan tâm bằng ít nhất năm liều kế\r\nhoặc phép đo liều cách đều ngang qua chiều rộng của chùm tia với mức liều thông\r\nthường trên mặt phẳng sản phẩm. Các phép đo tốc độ xử lý bề mặt được lặp lại ở\r\nmức điện áp vận hành điển hình tại các mức dòng chùm tia khác nhau để thiết lập\r\nvà kiểm tra độ tuyến tính giữa dòng chùm tia và liều bề mặt (xem Phụ lục A1).

\r\n\r\n

7.2.2. Phép đo độ đồng đều của chùm tia: Sử dụng tối thiểu\r\nmột liều kế hoặc phép đo liều trên 2,5 cm trên toàn bộ độ rộng chùm tia (xem\r\nPhụ lục A1).

\r\n\r\n

7.2.3. Phép đo độ sâu của liều: Các phép đo\r\nđộ sâu liều phải được tiến hành trên dải điện áp quan tâm. Tiến hành tối thiểu\r\nba phép đo ở từng điện áp được lựa chọn để thử. Thực tế phép đo này là để đo độ\r\nsâu của liều bằng một bộ các liều kế ở bề mặt sản phẩm (xem Phụ lục A1).

\r\n\r\n

8. Đánh giá chất\r\nlượng vận hành

\r\n\r\n

8.1. Đánh giá chất lượng của hệ thống ban đầu\r\nphải phù hợp với Điều 7 để thiết lập cơ sở thực hiện cho thiết bị cụ thể.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 5: Các phép đo sự phân bố liều hấp\r\nthụ có thể cần đối với các ứng dụng đã quy định. Đối với hệ thống xử lý bức xạ\r\nvà hướng dẫn biểu đồ phân bố liều trong sản phẩm xem ASTM E 2303.

\r\n\r\n

8.2. Phải thực hiện các phép đo tốc độ xử lý bề\r\nmặt trong suốt quy trình đánh giá xác nhận sản phẩm để so sánh với các kết quả\r\ncủa phép thử nghiệm sản phẩm.

\r\n\r\n

8.3. Tần suất của phép đo liều

\r\n\r\n

8.3.1. Bảo dưỡng thường xuyên: Sau khi bảo\r\ndưỡng thường xuyên vì có sự thay đổi cửa sổ máy gia tốc, do đó cần tiến hành tối\r\nthiểu ba phép đo hệ số tốc độ xử lý bề mặt.

\r\n\r\n

8.3.2. Bảo dưỡng hệ thống chính: Sau khi bảo\r\ndưỡng hệ thống chính vì catot hoặc lớp lót cách điện được thay thế, do đó cần\r\ntiến hành tối thiểu ba phép đo hệ số tốc độ xử lý bề mặt và thực hiện đo độ\r\nđồng đều của chùm tia để đảm bảo rằng quang học chùm tia không bị tổn thất.

\r\n\r\n

8.3.3. Kiểm soát quá trình thường xuyên: Có\r\nthể thực hiện phép đo tốc độ xử lý bề mặt trong suốt quá trình vận hành sản\r\nphẩm. Trong một số ứng dụng có thể yêu cầu luật định về kiểm soát phép đo liều\r\nở một thời điểm cụ thể hoặc một số điểm của lô hàng hoặc để lưu hồ sơ kiểm soát\r\nchất lượng sản phẩm.

\r\n\r\n

9. Tính toán về tốc\r\nđộ

\r\n\r\n

9.1. Tốc độ xử lý khối lượng

\r\n\r\n

Năng lượng chùm tia của máy gia tốc điện tử\r\ncó thể được tính bằng wat (W), là sản phẩm của gia tốc điện áp trung bình tính\r\nbằng kilovol (kV) và cường độ chùm tia trung bình tính miliampe (mA) hoặc bằng\r\nkilowat (kW), là sản phẩm tính bằng megavol (MV) và miliampe (mA). Liều hấp thụ\r\n10 kGy (1 Mrad) tương ứng liều hấp thụ đồng đều 10 kilowat giây (10 kilojun)\r\ncủa năng lượng trong 1 kilogam sản phẩm. Đối với máy có công suất 1 kilowat thì\r\ncó thể được chuyển đổi tốc độ xử lý khối lượng 360 kg (794 lb) sản phẩm trên 1\r\nh với liều hấp thụ 10 kGy (1 Mrad) giả định ứng dụng 100% năng lượng chùm tia.

\r\n\r\n

9.1.1. Ứng dụng năng lượng chùm tia thực tế là thấp\r\nhơn 100%, vì vậy để chấp nhận khái niệm này cho từng tình huống đã cho, thì cần\r\nphải biết được hiệu suất hấp thụ bức xạ trong sản phẩm. Khái niệm điển hình này\r\nđược biểu thị theo công thức đơn giản sau:

\r\n\r\n

Tốc độ xử lý khối\r\nlượng =  (2)

\r\n\r\n

Trong đó

\r\n\r\n

C_cap là 3600 kGy kg/kW h hoặc 794\r\nMrad lb/kW h

\r\n\r\n

P là năng lượng chùm tia, tính bằng kW,

\r\n\r\n

f_P là hiệu suất ứng dụng năng\r\nlượng chùm tia, và

\r\n\r\n

D là liều, tính bằng kGy hoặc Mrad

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 6 Hệ số hiệu suất ứng dụng năng\r\nlượng chùm tia, f_P, là phần năng lượng chùm tia được hấp thụ vào sản\r\nphẩm. Liều D, trong công thức này là liều trung bình trong toàn bộ sản phẩm.

\r\n\r\n

9.2. Tốc độ xử lý bề mặt: Để tính tốc độ xử lý\r\nbề mặt thì sử dụng hệ số tốc độ xử lý bề mặt, K_A. Phương pháp này gồm\r\nmột công thức đơn giản dựa trên hệ số xử lý tốc độ bề mặt, K_A, được\r\nlấy để tính năng lượng chùm tia điện tử, cường độ chùm tia trung bình và tốc độ\r\nđường truyền. Tốc độ xử lý bề mặt được tính bằng Công thức 3. Bảng 1 đưa ra\r\ncách tính giá trị K_Af_i ở gia tốc điện áp cụ thể. Các kết\r\nquả trong bảng 1 là đặc trưng cho phép đo liều đối với máy gia tốc điện áp cụ\r\nthể. Các kết quả trong Bảng 1 là đặc trưng cho phép đo liều đối với máy gia tốc\r\nđiện áp thấp loại màn che có sự so sánh với công thức Monte Carlo dựa trên mô\r\nhình ITS/TIGER. Xem Tài liệu tham khảo (8) mô tả chi tiết hơn nghiên cứu này.

\r\n\r\n

Tốc độ xử lý bề mặt =\r\n  (3)

\r\n\r\n

Trong đó

\r\n\r\n

K_A là hệ số tốc độ xử lý bề mặt,\r\ntính bằng kGy m²/mA min (Mrad ft²/mA)) min,

\r\n\r\n

D là liều, tính bằng kGy (Mrad),

\r\n\r\n

W_b là độ rộng chùm tia,\r\nm (ft),

\r\n\r\n

V_l là tốc độ xử lý\r\ntuyến tính hoặc tốc độ đường truyền, m/min (ft/min)

\r\n\r\n

f_i là hiệu suất ứng\r\ndụng cường độ chùm tia, và

\r\n\r\n

l là cường độ chùm tia trung bình, mA.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 7 Hiệu suất ứng dụng cường độ chùm\r\ntia, f_i là phần cường độ chùm tia bị chắn bởi sản phẩm/liều kế. Điều\r\nnày tính đến các thất thoát khác về cường độ chùm tia bị chắn bởi lưới đỡ cửa\r\nsổ chân không của máy gia tốc và cường độ chùm tia có thể có như độ rộng chùm\r\ntia lớn hơn độ rộng giữa các sản phẩm. Trong Bảng 1, f_i là tỷ số\r\ngiữa kết quả của phép đo liều (các giá trị đo được) và kết quả theo công thức\r\nMonte Carlo tương ứng. Các giá trị điển hình của f_i nằm trong dải từ\r\n0,7 đến 0,8 trong các máy xử lý bán sẵn trên thị trường. Trường hợp mô tả trong\r\nbảng 1, các giá trị f_i gần với hệ số chùm tia dừng đo được (có cấu\r\ntrúc giá đỡ) 0,78 và sự thay đổi nhỏ về điện áp. Mô hình ITS/ACCEPT 3-D được\r\ndựng lên theo các yếu tố 3-D của lưới đỡ và nguồn. Các kết quả hầu hết hiệu\r\nchỉnh theo mô tả chùm tia (8).

\r\n\r\n

9.3. Tốc độ xử lý tuyến tính: Đây là phép thực\r\nhành thông thường để chỉ rõ tính năng của máy gia tốc điện tử năng lượng thấp\r\nliên quan đến tốc độ xử lý tuyến tính hoặc tốc độ đường truyền. Tốc độ này có\r\nthể thu được từ công thức 3 theo cách sắp xếp lại như sau:

\r\n\r\n

Tốc độ xử lý tuyến\r\ntính = V_l =   (4)

\r\n\r\n

(K_A/W_b) có thể được coi\r\nlà hệ số tốc độ xử lý tuyến tính, K_L. Công thức này có thể được viết\r\nnhư sau:

\r\n\r\n

Tốc độ xử lý tuyến\r\ntính = V_l =   (5)

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 8: Trong công thức 3 và 4, giá trị\r\nK_A phụ thuộc vào độ rộng chùm tia, nhưng giá trị K_L trong\r\ncông thức 5 nghịch đảo với độ rộng chùm tia. Do đó, các máy xử lý có cùng giá\r\ntrị K_A nhưng có độ rộng chùm tia khác nhau có thể có các giá trị K_L\r\nkhác nhau. Các giá trị K_L có thể được tính từ K_A nêu\r\ntrong Bảng 1 đối với các giá trị độ rộng chùm tia, W_b, tương ứng với\r\nmáy xử lý được sử dụng đối với một ứng dụng cụ thể.

\r\n\r\n

10. Độ không đảm bảo\r\nđo

\r\n\r\n

10.1. Phép đo liều cần phải kèm theo đánh giá độ\r\nkhông đảm bảo đo mới có ý nghĩa.

\r\n\r\n

10.2. Các thành phần độ không đảm bảo đo sẽ được\r\nphân thành hai loại sau đây:

\r\n\r\n

10.2.1. Loại A: Được đánh giá bằng phương\r\npháp thống kê, hoặc

\r\n\r\n

10.2.2. Loại B: Được đánh giá bằng phương\r\npháp khác.

\r\n\r\n

10.3. Các cách khác về phân loại độ không đảm bảo\r\nđo đã được dùng rộng rãi và có thể có ích cho báo cáo về độ không đảm bảo đo.\r\nVí dụ, thuật ngữ độ chính xác và độ lệch, sai số ngẫu nhiên và sai số hệ thống\r\n(không ngẫu nhiên) được dùng để mô tả các loại sai số khác nhau.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 9: Nhận biết độ không đảm bảo đo\r\nloại A và loại B dựa trên phương pháp đánh giá độ không đảm bảo đo xuất bản năm\r\n1995 bởi Tổ chức Tiêu chuẩn hóa quốc tế (ISO) trong tài liệu hướng dẫn về biểu\r\nthức không đảm bảo đo trong phép đo (9). Mục đích dùng loại đặc trưng này là để\r\ntăng sự hiểu biết về độ không đảm bảo đo và tạo cơ sở để so sánh với quốc tế về\r\ncác kết quả đo.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 10: ISO/ASTM Guide 51707 định nghĩa\r\nnguồn không đảm bảo đo có thể trong đo liều ở thiết bị chiếu xạ và đưa ra quy trình\r\nđánh giá độ không đảm bảo đo trong đo liều sử dụng hệ đo liều. Tài liệu định\r\nnghĩa và thảo luận các khái niệm cơ bản về phép đo, bao gồm đánh giá giá trị đo\r\nvề lượng, giá trị thực, độ sai lệch và độ không đảm bảo đo. Thành phần độ không\r\nđảm bảo đo được thảo luận và phương pháp đánh giá các giá trị sai số. Các\r\nphương pháp cũng tính toán kết hợp các sai số chuẩn và sai số mở rộng (toàn bộ)

\r\n\r\n

11. Chứng chỉ

\r\n\r\n

11.1. Hồ sơ

\r\n\r\n

11.1.1. Thiết lập dữ liệu thu được và xây\r\ndựng lại hệ thống các tài liệu của tất cả dữ liệu hệ đo liều từ các quy trình\r\nđảm bảo chất lượng lắp đặt, đánh giá quá trình, bảo dưỡng máy móc và các thay\r\nđổi khác.

\r\n\r\n

11.1.1.1. Lưu hồ sơ các phép đo hiệu suất đánh\r\ngiá các đặc tính phân bố liều của thiết bị. Báo cáo kiểm soát chiếu xạ phải\r\nđược ghi ngày tháng, thời gian, các thông số quá trình cụ thể và tên người vận\r\nhành máy móc (xem 4.3)

\r\n\r\n

11.1.1.2. Khi thích hợp, lưu hồ sơ các kết quả\r\nđo liều và các giá trị thông số quá trình ảnh hưởng liều hấp thụ cùng với thông\r\ntin đầy đủ về việc nhận biết các thông số này trong quy trình vận hành cụ thể.

\r\n\r\n

11.1.1.3. Lưu hồ sơ hoặc viện dẫn việc hiệu\r\nchuẩn và bảo dưỡng thiết bị và dụng cụ sử dụng để kiểm soát hoặc đo liều phân\r\nbố trong sản phẩm (xem ISO/ASTM Guide 51261).

\r\n\r\n

11.1.2. Nhật ký thiết bị

\r\n\r\n

11.1.2.1. Ghi chép ngày tháng và thời gian của\r\nbất kỳ quá trình bảo dưỡng thiết bị nào, bao gồm các thành phần cụ thể được\r\nthay thế. Ghi lại tất cả các lỗi của thiết bị, nguồn gốc nguyên nhân gây ra lỗi\r\nvà các bất kỳ hoạt động hiệu chỉnh nào được thực hiện.

\r\n\r\n

11.2. Xem xét lại và phê chuẩn

\r\n\r\n

11.2.1. Xem xét lại và phê chuẩn tất cả các hồ\r\nsơ hệ đo liều phù hợp với chương trình bảo đảm chất lượng đã thiết lập.

\r\n\r\n

11.2.2. Định kỳ kiểm tra tất cả các tài liệu\r\nđể đảm bảo rằng hồ sơ là chính xác và đầy đủ.

\r\n\r\n

11.3. Lưu giữ hồ sơ

\r\n\r\n

11.3.1. Lưu giữ tất cả các hồ sơ ở cơ sở\r\nchiếu xạ và sẵn sàng cho việc kiểm tra khi cần. Giữ các file tài liệu định kỳ\r\ntheo các luật định có liên quan (xem 4.1).

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

PHỤ\r\nLỤC A

\r\n\r\n

(Tham\r\nkhảo)

\r\n\r\n

Α.1. Phương pháp đo\r\nhệ số tốc độ xử lý bề mặt hiệu quả (KAfi), sự phân liều theo độ sâu và độ đồng\r\nđều liều

\r\n\r\n

Α.1.1. Phụ lục này mô tả phương pháp đo hệ số tốc\r\nđộ xử lý bề mặt hiệu quả (K_Af_i), sự phân bố liều\r\ntheo độ sâu và độ đồng đều liều.

\r\n\r\n

Α1.2. Phương pháp đo hệ số tốc độ xử lý bề\r\nmặt hiệu quả (K_Af_i­);

\r\n\r\n

A1.2.1. Hệ số tốc độ xử lý bề mặt hiệu quả (K_Af_i)\r\nlà phép đo hiệu suất của chùm tia điện tử ở bề mặt của sản phẩm. Hệ số này được\r\nxác định bằng phép đo liều bề mặt trên dải điện áp vận hành.

\r\n\r\n

Α1.2.2. Điều quan trọng là xác định giá trị K_Af_i\r\ntrên khắp dải điện áp bởi vì giá trị K_Af_i có thể thay đổi\r\nnhiều theo điện áp. Nhìn chung, K_Af_i sẽ cao nhất ở điện\r\náp khoảng 175 kV. Ở điện áp thấp hơn, sự thay đổi giá trị K_A là kết\r\nquả của sự suy yếu tăng dần của liều gây ra do hao hụt năng lượng trong cửa sổ\r\nvà khe không khí. Ở các điện áp cao hơn, việc giảm K_Af_i\r\nlà kết quả của việc giảm pic năng lượng ra ngoài mặt phẳng liều kế.

\r\n\r\n

A1.2.3. Giá trị K_Af_i\r\nxác định được từ phép đo liều ở các điện áp khác nhau sử dụng công thức đơn\r\ngiản trong 9.2.

\r\n\r\n

Α1.2.4. Bước đầu tiên trong việc xác định K_Af_i\r\nlà chuẩn bị các dãy liều kế hoặc dải màng mỏng được gắn trên vật liệu\r\nmang thích hợp. Mỗi bộ liều kế hoặc các dải này sẽ có tối thiểu năm liều kế\r\nriêng biệt. Các liều kế sẽ được đặt nối tiếp từ liều kế này đến liều kế khác\r\ntrên một dãy dọc theo tâm của vật mang. Các liều kế sẽ được đối xứng với vật\r\nmang tại các mép liều kế. Khi rút các liều kế từ vật mang phải tiến hành cẩn\r\nthận không để che phần giữa của liều kế khi tiến hành đọc.

\r\n\r\n

A1.2.5. Điều quan trọng là giảm thiểu các\r\nelectron bị phân tán từ sự phân bố đến phép đo K_Af_i . Giá\r\ntrị K_Af_i sẽ liên quan trực tiếp đến công suất của chùm\r\ntia ban đầu.

\r\n\r\n

A1.2.6. Liều kế thường được sử dụng cho phép\r\nđo loại này là liều kế màng mỏng nhuộm màu [xem TCVN 7910 (ISO/ASTM 51275)].

\r\n\r\n

Α1.2.7. Thực hành cẩn thận trong khi chuẩn bị\r\ncác liều kế trên vật liệu mang sao cho để giảm sự phơi nhiễm của các liều kế\r\nvới ánh sáng môi trường như năng lượng UV, có thể cũng gây ra sự thay đổi mật\r\nđộ quang của hầu hết các liều kế bức xạ nhuộm màu. Việc xử lý và đọc dữ liệu\r\nđối với liều kế đưa ra theo chỉ dẫn của nhà sản xuất liều kế.

\r\n\r\n

A1.2.8. Mỗi khi liều kế được chuẩn bị, chúng\r\ncó thể được gắn lên một đĩa chuyển động để kiểm tra chúng qua chùm điện tử.

\r\n\r\n

Α1.2.9. Mỗi khi cường độ chùm tia và tốc độ\r\nđĩa được cài đặt trước khi lựa chọn điện áp chùm tia, thì bộ liều kế phải đi\r\nqua chùm điện tử. Nếu các liều kế không được bọc lại trong suốt quá trình phơi\r\nnhiễm thì cần phải thực hành cẩn thận để tránh sai số do phơi nhiễm ánh sáng\r\nUV, phơi nhiễm với thay đổi độ ẩm và nhiễm bẩn. Nếu dùng các vật liệu mỏng được\r\nbọc để bảo vệ liều kế thì phải áp dụng hệ số hiệu chỉnh đối với giá trị K_Af_i\r\nđể bù cho việc giảm đi của vật liệu bao bọc.

\r\n\r\n

Α1.2.10. Điện áp tối thiểu, tối đa và một vài\r\nđiện áp trung gian sẽ được lựa chọn để đưa ra số lượng đầy đủ các phép đo xác\r\nđịnh chính xác các giá trị K_Af_i trong vùng điện áp quan\r\ntâm.

\r\n\r\n

Α1.2.11. Lưu hồ sơ liều trung bình ở từng điện\r\náp. Các dữ liệu này kèm theo tốc độ mạng, dòng điện và độ rộng chùm tia sẽ xác\r\nđịnh được giá trị K_Af_i.

\r\n\r\n

Α1.3. Phương pháp đo sự phân bố liều theo độ\r\nsâu

\r\n\r\n

A1.3.1. xử lý các vật liệu đồng nhất bằng chùm\r\ntia điện tử tạo ra sự phân bố liều hấp thụ, thay đổi theo độ sâu. Hình dạng của\r\nđường cong liều theo độ sâu được xác định bởi sự va chạm của các điện tử sơ cấp\r\nvà thứ cấp với electron nguyên tử và hạt nhân trong vật liệu hấp thụ. Vì vậy,\r\nhình dạng này phụ thuộc vào vị trí nguyên tử của vật liệu và năng lượng điện tử\r\nđó.

\r\n\r\n

Độ đâm xuyên (dải điện tử) phụ thuộc vào năng\r\nlượng điện tử. Mối liên quan này được thể hiện trong họ đường cong liều theo độ\r\nsâu nêu trong Hình A1.1.

\r\n\r\n

Α1.3.2. Các đường cong liều theo độ sâu thường\r\nđược dựng bằng đơn vị đã chuẩn hóa. Độ đâm xuyên được biểu thị bằng khối lượng\r\ntrên đơn vị diện tích hoặc độ dày nhân với tỷ trọng.

\r\n\r\n

Α1.3.3. Bước đầu tiên trong phép đo và vẽ sự\r\nphân bố liều theo độ sâu của máy là để chuẩn bị bộ liều kế. Độ dày của bộ liều\r\nkế phải lớn hơn dải điện tử thực tế của năng lượng quan tâm. Các liều kế màng\r\nmỏng nhuộm màu thường được sử dụng cho mục đích này (1-6).

\r\n\r\n

Α1.3.4. Cần thực hành cẩn thận khi chuẩn bị bộ\r\nliều kế để giảm thiểu sự phơi nhiễm của các liều kế với ánh sáng môi trường vì\r\nnăng lượng UV cũng sẽ gây ra sự thay đổi về mật độ quang của hầu hết các liều\r\nkế nhuộm màu. Xử lý và đọc liều đúng theo hướng dẫn của nhà sản xuất liều kế\r\nđối với liều kế đã cho.

\r\n\r\n

Α1.3.5. Mỗi khi bộ liều kế đã chuẩn bị, thì\r\nnên đặt lên vật liệu lót có thành phần tương tự, có ít nhất 1/3 dải điện tử\r\nthực tế của năng lượng quan tâm. Điều này sẽ ngăn cản sự phân tán các điện tử từ\r\ncác băng chuyền sản phẩm, trống (bể) làm nguội, hoặc các cấu trúc khác trong\r\nkhoang sản phẩm khỏi ảnh hưởng của các liều kế gần đáy của của bộ liều kế.

\r\n\r\n

A1.3.6. Bộ liều kế sau đó đi qua cửa sổ chùm\r\ntia điện tử và điều chỉnh chiếu xạ đến mức đủ để cho phép đo được sự phân bố\r\nliều.

\r\n\r\n

A1.3.7. Độ dày, liều và vị trí của mỗi liều\r\nkế trong bộ liều kế sẽ được ghi lại và lưu hồ sơ.

\r\n\r\n

A1.3.8. Bước tiếp theo là chuẩn hóa cả số đọc\r\nliều và các phép đo độ dày. Số đọc liều thường được chuẩn hóa bằng cách chia số\r\nđọc của từng liều riêng biệt cho liều bề mặt và sau đó biểu thị các kết quả\r\ntheo phần trăm. Có thể tính độ sâu của từng lớp bằng các nhân độ dày của từng\r\nlớp liều kế riêng biệt với tỷ trọng của liều kế.

\r\n\r\n

A1.3.9. Bảng Α1.1 đưa ra ví dụ về các bước\r\nthực hiện nói trên. Hình A1.1 là đồ thị điển hình theo dữ liệu trong Bảng Α1.1

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình A1.1 Đường cong\r\nliều theo độ sâu 300 kV (khe không khí 2,5 cm, cửa sổ lá Titan 13 µm). Khoảng\r\ncách giá trị theo độ sâu dựa trên các phép đo độ sâu từ bề mặt sau của liều kế

\r\n\r\n

Α1.4. Phương pháp đo độ đồng đều liều ngang\r\nqua độ rộng của chùm tia điện tử

\r\n\r\n

A1.4.1. Sự phân bố liều dọc theo độ rộng chùm\r\ntia phụ thuộc vào độ đồng đều của nguồn điện tử và khoảng cách giữa nguồn và\r\nsản phẩm. Để đo sự phân bố liều của chùm tia điện tử cần thực hiện các bước\r\nsau:

\r\n\r\n

A1.4.1.1. Các liều kế cần được đặt trên vật liệu\r\nlót hơi rộng hơn độ rộng hoạt động của chùm tia được thử nghiệm. Tiếp theo, vật\r\nliệu lót phải có thành phần giống với liều kế và có độ dày bằng với dải điện tử\r\nthực tế để ngăn cản các điện tử phân tán từ băng chuyền sản phẩm, trống làm\r\nnguội hoặc các cấu trúc khác trong khoang sản phẩm hơi vênh với phép đo liều.

\r\n\r\n

A1.4.1.2. Các liều kế cần được đặt ở các khoảng\r\ncách khoảng 2,5 cm dọc khắp độ rộng của chùm tia điện tử. Tiến hành cẩn thận\r\ntheo các khuyến cáo của nhà cung cấp liều kế về cách xử lý và đọc các liều kế\r\ntrước và sau phơi nhiễm. Nếu sử dụng các liều kế liên tiếp, ví dụ dưới dạng các\r\ndải hoặc tấm bao trùm độ rộng của chùm tia thì cần đưa ra thông tin chi tiết\r\nhơn.

\r\n\r\n

Α1.4.1.3. Bước tiếp theo trong quá trình này là\r\ngắn mảng liều kế vào bộ phận vận chuyển sản phẩm thích hợp sao cho các liều kế\r\ncó thể đi qua khoang chiếu xạ ở khoảng cách từ cửa sổ bằng với mặt phẳng thông\r\nthường. Tiến hành cẩn thận để ghi chép và lưu lại đường tâm của chùm điện tử và\r\nđường tâm của mảng liều kế, càng thẳng hàng với tâm của chùm tia càng tốt trong\r\nsuốt quá trình phơi nhiễm.

\r\n\r\n

A1.4.1.4. Khi các liều kế bị phơi nhiễm với mức\r\nliều cho phép đo mặt cắt của chùm tia, thì có thể lấy chúng ra để đọc.

\r\n\r\n

Bảng A1.1 – Ví dụ về\r\nsự phân bố liều theo độ sâu ở 300 kV (khe không khí 2,5 cm, cửa sổ lá titan 13\r\nµm).

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Lớp \r\n	\r\n Độ dày riêng lẻ \r\n µm \r\n	\r\n Vẽ đồ thị theo độ\r\n sâu \r\n µm \r\n	\r\n Liều \r\n kGy \r\n	\r\n Độ sâu \r\n (mg/cm²) \r\n	\r\n Phần trăm liều đã được\r\n chuẩn hóa \r\n
\r\n 1 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 32,5 \r\n	\r\n 5,7 \r\n	\r\n 100% \r\n
\r\n 2 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 100 \r\n	\r\n 33,7 \r\n	\r\n 11,4 \r\n	\r\n 104% \r\n
\r\n 3 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 150 \r\n	\r\n 35,2 \r\n	\r\n 17,1 \r\n	\r\n 108% \r\n
\r\n 4 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 200 \r\n	\r\n 34,4 \r\n	\r\n 22,8 \r\n	\r\n 106% \r\n
\r\n 5 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 250 \r\n	\r\n 34,2 \r\n	\r\n 28,5 \r\n	\r\n 105% \r\n
\r\n 6 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 300 \r\n	\r\n 32,0 \r\n	\r\n 34,2 \r\n	\r\n 98% \r\n
\r\n 7 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 350 \r\n	\r\n 27,3 \r\n	\r\n 39,9 \r\n	\r\n 84% \r\n
\r\n 8 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 400 \r\n	\r\n 23,2 \r\n	\r\n 45,6 \r\n	\r\n 71% \r\n
\r\n 9 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 450 \r\n	\r\n 17,8 \r\n	\r\n 51,3 \r\n	\r\n 55% \r\n
\r\n 10 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 500 \r\n	\r\n 12,3 \r\n	\r\n 57 \r\n	\r\n 38% \r\n
\r\n 11 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 550 \r\n	\r\n 7,4 \r\n	\r\n 62,7 \r\n	\r\n 23% \r\n
\r\n 12 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 600 \r\n	\r\n 3,6 \r\n	\r\n 68,4 \r\n	\r\n 11% \r\n
\r\n 13 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 650 \r\n	\r\n 1,5 \r\n	\r\n 74,1 \r\n	\r\n 2% \r\n
\r\n 14 \r\n	\r\n 50 \r\n	\r\n 700 \r\n	\r\n 0 \r\n	\r\n 79,8 \r\n	\r\n 0% \r\n

\r\n\r\n

A1.4.1.5. Bước cuối cùng trong phép xác định độ\r\nđồng đều liều của chùm điện tử là vẽ đồ thị dữ liệu thu được theo các bước ở\r\ntrên. Mặt cắt liều theo chiều ngang lưới có thể được dựng theo đơn vị liều hoặc\r\nphần trăm của liều trung bình ngang qua độ rộng chùm tia. Hình A1.2 là đồ thị\r\nđiển hình của độ đồng đều liều ngang qua nguồn chùm tia điện tử rộng 60 cm. Sự\r\nthay đổi liều cần nằm trong dải quy định của nhà sản xuất máy gia tốc. Sự thay\r\nđổi nằm ngoài dải quy định có thể cho thấy sự sai về thành phần hoặc có vấn đề\r\nvề sự thẳng hàng chùm tia mà cần phải hiệu chỉnh.

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình A1.2 Độ đồng đều\r\nliều theo độ rộng chùm tia điện tử

\r\n\r\n

A2. Phương pháp tính liều bề mặt từ các thông\r\nsố chùm tia điện tử

\r\n\r\n

A2.1. Phụ lục này mô tả phương pháp tính liều bề\r\nmặt từ chùm tia điện tử có sử dụng hàm Monte Carlo (xem ASTM guid E 2232). Các\r\nquy phạm Monte Carlo chuẩn bao gồm ZTRAN, PENELOPE, ITS (TIGER), MCNP, EGS4 và\r\nEDMULT.

\r\n\r\n

A2.2. Năng lượng tích tụ trên điện tử, E (MeV/(g\r\ncm^-²)), tính được sử dụng công thức 1-D ITS TIGER đối với tổ hợp của\r\ngia tốc điện áp và khe không khí điển hình của thiết bị điện áp thấp. Độ dày\r\ncủa cửa sổ titan là 12 µm.

\r\n\r\n

A2.3. Liều D có thể tính được đối với các giá trị\r\ndòng điện (I) đã chọn, tốc độ lưới (V_l), độ rộng chùm tia (W_b)\r\nvà hiệu suất ứng dụng dòng chùm tia (f_i) theo công thức A2.1. Giá\r\ntrị thích hợp đối với E (xem A2.2) được lựa chọn từ Bảng A2.1. Cần lưu ý công\r\nthức 3 trong điều 9.2 với 1000 E = K_A, nhưng W_b và V_I\r\nđược tính bằng đơn vị centimét phù hợp với đầu ra của Monte Carlo chuẩn:

\r\n\r\n

                 (A2.1)

\r\n\r\n

A2.4. Cần điều tra về chênh lệch lớn giữa liều đo\r\nđược và liều dự kiến từ phép tính này. Có thể kết quả của đầu vào không đúng\r\nđối với công thức A2.1 nhung cũng có thể là không đồng nhất ngang qua độ rộng\r\nchùm tia, trục trặc trong việc cung cấp nguồn hoặc quy trình đo liều không\r\nđúng.

\r\n\r\n

Bảng A2.1 – Năng\r\nlượng tích tụ trên điện tử trong liều kế FWT tính được theo hàm Monte Carlo\r\n(MeV/g-cm^-²) (cửa sổ titan 12 µm, khe không khí có thể thay đổi)

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Tăng điện áp (kV) \r\n	\r\n Khe không khí \r\n 1cm \r\n	\r\n Khe không khí \r\n 2 cm \r\n	\r\n Khe không khí \r\n 3 cm \r\n	\r\n Khe không khí \r\n 4 cm \r\n	\r\n Khe không khí \r\n 5 cm \r\n
\r\n 100 \r\n	\r\n 5,21 \r\n	\r\n 3,88 \r\n	\r\n 2,67 \r\n	\r\n 1,64 \r\n	\r\n 0,87 \r\n
\r\n 125 \r\n	\r\n 7,65 \r\n	\r\n 7,10 \r\n	\r\n 6,26 \r\n	\r\n 5,58 \r\n	\r\n 4,72 \r\n
\r\n 150 \r\n	\r\n 7,79 \r\n	\r\n 7,61 \r\n	\r\n 7,33 \r\n	\r\n 7,03 \r\n	\r\n 6,56 \r\n
\r\n 175 \r\n	\r\n 7,21 \r\n	\r\n 7,34 \r\n	\r\n 7,28 \r\n	\r\n 7,08 \r\n	\r\n 7,06 \r\n
\r\n 200 \r\n	\r\n 6,84 \r\n	\r\n 6,84 \r\n	\r\n 6,86 \r\n	\r\n 6,77 \r\n	\r\n 6,68 \r\n
\r\n 225 \r\n	\r\n 6,00 \r\n	\r\n 6,02 \r\n	\r\n 6,26 \r\n	\r\n 6,25 \r\n	\r\n 6,37 \r\n
\r\n 250 \r\n	\r\n 5,39 \r\n	\r\n 5,48 \r\n	\r\n 5,56 \r\n	\r\n 5,66 \r\n	\r\n 5,75 \r\n
\r\n 275 \r\n	\r\n 4,92 \r\n	\r\n 5,07 \r\n	\r\n 5,18 \r\n	\r\n 5,30 \r\n	\r\n 5,36 \r\n
\r\n 300 \r\n	\r\n 4,44 \r\n	\r\n 4,64 \r\n	\r\n 4,66 \r\n	\r\n 4,82 \r\n	\r\n 4,92 \r\n

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM\r\nKHẢO

\r\n\r\n

(1) McLaughlin, W.L., Boyd. Α. W., Chadwick.\r\nK. H., McDonald. J. G., and Miller, Α, Dosimetry For Radiation Processing,\r\nTaylor & Francis, 1989.

\r\n\r\n

(2) McLaughlin, W.L., “Dosimetry for Low-Energy\r\nElectron Machine Performance and Process Control,” “Proceeding of RadTech 90\r\nNorth America. Chicago. March 1990, Vol 2, Radtech International North America,\r\n60 Revere Drive, Suite 500, Northbrook. IL 60062. 1990. pp 91-99.

\r\n\r\n

(3) McLaughlin, W.L., “Low-Energy Electron\r\nDose-Distribution Measurements with Thin-Film Dosimeters.” Beta-Gamma, Vol 4,\r\nNo.2 & 3. 1991, pp. 20-29.

\r\n\r\n

(4) McLaughlin, W.L., Humphreys, J.C, Hocken,\r\nD., and Chappas, W.J., “Radiochromic Dosimeters for Validation and\r\nCommissioning of Industrial Radiation Processes,” Radiat. Phys. Chem, 31, 1988.\r\npp.505-514.

\r\n\r\n

(5) Menezes. T.J., “Developments in Electron\r\nBeam Curing.” Radiat.\r\nPhys. Chem., 31, 1990, pp. 52-58.

\r\n\r\n

(6) Miller. Α., McLaughlin, W.L.,\r\n“Evaluation of Radiochromic Dye Film and Other Plastic Dose Meters Under\r\nRadiation Processing Coditions.” High-Dose Measurements in Indsutrial Radiation\r\nProcessing. Technical Report Series 205, International Atomic Energy Agency.\r\nVienna. 1981. pp. 119-138.

\r\n\r\n

(7) Helt-Hansen, J., Miller. Α., McEwen. M.,\r\nSharpe, P., and Duane. S., “Calibration of Thin-film Dosimeters Irradiated with\r\n80-120 keV Electrons,” Radiat. Phys. Chem., 71, 2004. pp. 353-357.

\r\n\r\n

(8) Weiss. D.E., Kalweit, H.W., and Kensek.\r\nR.P., “Low-voltage Electron-beam Simulation Using the Integrated Tiger Series\r\nMonte Carlo Code and Calibration Through Radiochromic Dosimetry. “ in\r\nIrradiation of Polymers, Fundamentals and Technological Applica-tions,\r\nClough.R.L., and Shalaby. S. W. (eds.), ACS Symposium Series 620 American\r\nChemical Society, Washington. 1994.

\r\n\r\n

(9) “Guide to the Expression of Uncertainty\r\nin Measurement.” International Organization for Standardization, 1995. ISBN\r\n92-67-10188-9. Available from International Organization for Standardization, I\r\nrue de Varembé. Case Postale 56. CH-1211. Geneva 20. Switzerland.

\r\n\r\n