\r\n\r\n

TCVN\r\n6990:2001

\r\n\r\n

CISPR\r\n17:1981

\r\n\r\n

PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐẶC TÍNH CHỐNG NHIỄU CỦA BỘ\r\nLỌC THỤ ĐỘNG TẦN SỐ RAĐIÔ VÀ LINH KIỆN CHỐNG NHIỄU

\r\n\r\n

Methods\r\nof measurement of the suppression characteristics of passive radio interference\r\nfilters and suppression components

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

Lời nói đầu

\r\n\r\n

TCVN 6990:2001 hoàn\r\ntoàn tương đương với tiêu chuẩn CISPR 17:1981;

\r\n\r\n

TCVN 6990:2001 do Ban\r\nkỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC/E3 Thiết bị điện tử dân dụng biên soạn, Tổng cục\r\nTiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học Công nghệ và Môi trường\r\n(nay là Bộ khoa học và Công nghệ) ban hành.

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này được\r\nchuyển đổi năm 2008 từ Tiêu chuẩn Việt Nam cùng số hiệu thành Tiêu chuẩn Quốc gia\r\ntheo quy định tại khoản 1 Điều 69 của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật và\r\nđiểm a khoản 1 Điều 6 Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 1/8/2007 của Chính phủ\r\nquy định chi tiết thi hành một số điều của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ\r\nthuật.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

PHƯƠNG\r\nPHÁP ĐO ĐẶC TÍNH CHỐNG NHIỄU CỦA BỘ LỌC THỤ ĐỘNG TẦN SỐ RAĐIÔ VÀ LINH KIỆN\r\nCHỐNG NHIỄU

\r\n\r\n

Methods\r\nof measurement of the suppression characteristics of passive radio interference\r\nfilters and suppression components

\r\n\r\n

1. Giới thiệu

\r\n\r\n

Theo nguyên tắc\r\nchung, đặc tính chống nhiễu tần số rađiô của các linh kiện như tụ điện, điện\r\ncảm và bộ lọc, không những phụ thuộc vào trở kháng giữa chúng khi làm việc (có\r\nvai trò quyết định đối với năng lượng phản xạ tại đầu vào của bộ lọc), vào mức\r\ndòng điện và điện áp làm việc mà còn phụ thuộc vào các yếu tố khác, ví dụ như\r\nnhiệt độ môi trường.

\r\n\r\n

Để so sánh kết quả đo\r\ncác đặc tính chống nhiễu thực hiện ở các phòng thí nghiệm khác nhau, hoặc được\r\nghi lại bởi các nhà chế tạo khác nhau, phải sử dụng các phương pháp thử nghiệm\r\ntiêu chuẩn.

\r\n\r\n

2. Phạm vi áp dụng

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này quy\r\nđịnh các phương pháp đo tổn hao lắp ghép của bộ lọc thụ động chống nhiễu tần số\r\nrađiô, có thể gồm các thành phần riêng lẻ, như tụ điện, điện cảm hoặc điện trở,\r\nhoặc kết hợp điện cảm, tụ điện và điện trở kiểu tập trung hoặc kiểu phân tán.\r\nCác phương pháp này gồm các phương pháp dùng trong phòng thử nghiệm hoặc trong dây\r\nchuyền sản xuất, sử dụng đầu ra có trở kháng cố định hoặc đầu ra “trường hợp\r\nxấu nhất”, và các phương pháp dùng trong lắp ghép tại hiện trường hoặc lắp ghép\r\nmẫu, và cung cấp tải điện áp và dòng điện.

\r\n\r\n

3. Định nghĩa

\r\n\r\n

3.1. Tổn hao lắp ghép

\r\n\r\n

Tổn hao lắp ghép của\r\nmột bộ lọc được nối vào một hệ thống phát cho trước ở tần số cho trước được xác\r\nđịnh là tỷ số giữa các điện áp xuất hiện trên đường dây ngay phía bên kia của điểm\r\nlắp ghép, trước và sau khi lắp ghép bộ lọc thử nghiệm.

\r\n\r\n

3.2. Dòng điện tải

\r\n\r\n

Dòng điện một chiều\r\nhoặc xoay chiều tần số nguồn (tần số điện lưới) chạy trên (các) dây dẫn dòng của\r\nbộ lọc thử nghiệm.

\r\n\r\n

3.3. Điện áp tải

\r\n\r\n

Điện áp một chiều\r\nhoặc xoay chiều tần số nguồn (tần số điện lưới) đặt giữa các phần quy định của bộ\r\nlọc thử nghiệm.

\r\n\r\n

3.4. Trở kháng mạch\r\nthử nghiệm

\r\n\r\n

Trở kháng trên các\r\nđầu ra của mạch thử nghiệm không nối với bộ lọc.

\r\n\r\n

3.5. Mạch thử nghiệm\r\nkhông đối xứng

\r\n\r\n

Mạch thử nghiệm trong\r\nđó bộ lọc thử nghiệm được nối với cáp đồng trục mà dây dẫn ngoài tạo thành\r\nđường về cho dòng điện tần số cao.

\r\n\r\n

3.6. Mạch thử nghiệm\r\nđối xứng

\r\n\r\n

Mạch thử nghiệm trong\r\nđó bộ lọc thử nghiệm được nối với cặp dây dẫn chống nhiễu có điện áp không đối\r\nxứng đủ nhỏ để được bỏ qua.

\r\n\r\n

3.7. Hệ số đối xứng\r\ncủa mạch thử nghiệm đối xứng

\r\n\r\n

Tỷ số giữa điện áp\r\nđối xứng và không đối xứng xuất hiện ở các điểm đấu nối của bộ lọc thử nghiệm\r\n(tính bằng đexiben).

\r\n\r\n

4. Phương pháp thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

Nếu bộ lọc được thiết\r\nkế để sử dụng với dòng điện không phải hình sin (ví dụ nguồn cung cấp ở chế độ\r\nđóng cắt), thì cần phải thử nghiệm bộ lọc với tải dòng điện bằng giá trị đỉnh\r\ncủa dạng sóng không phải hình sin cần chặn.

\r\n\r\n

Các phương pháp có\r\nthể được chia như sau:

\r\n\r\n

4.1. Phương pháp tiêu\r\nchuẩn

\r\n\r\n

Phép đo đặc tính\r\nchống nhiễu của bộ lọc được thực hiện với đầu vào và đầu ra có điện trở cố định\r\nvà bằng nhau, thường từ 50 Ω đến 75 Ω. Hai dạng khác nhau được sử dụng:

\r\n\r\n

- lọc không tải;

\r\n\r\n

- lọc đầy tải một\r\nchiều hoặc xoay chiều (dòng điện và/hoặc điện áp).

\r\n\r\n

Các đặc tính thu được\r\ncó thể khác so với các kết quả trên thực tế vì trở kháng đầu nối trong quá\r\ntrình đo không giống với trở kháng trong quá trình sử dụng cơ cấu thực.

\r\n\r\n

Hiện tại, phương pháp\r\nnày được sử dụng ở nhiều nước để nghiên cứu bộ lọc:

\r\n\r\n

- không tải trong dải\r\ntần từ 10 kHz đến 1 GHz;

\r\n\r\n

- hoặc chịu tải dòng\r\nđiện lên đến 100 A trong dải tần từ 10 kHz đến 100 MHz;

\r\n\r\n

- hoặc chịu tải điện\r\náp (bộ lọc gốm) đến vài kilôvôn trong dải tần từ 10 MHz đến 300 MHz.

\r\n\r\n

Các phép đo sử dụng\r\nphương pháp tiêu chuẩn phải được thực hiện phù hợp với quy trình mô tả trong\r\nphụ lục A.

\r\n\r\n

4.2. Phương pháp\r\ntrường hợp xấu nhất

\r\n\r\n

4.2.1. Giới thiệu

\r\n\r\n

Phương pháp trường\r\nhợp xấu nhất có thể áp dụng cho bộ lọc chỉ có phần tử thuần kháng để có độ lợi lắp\r\nghép tại hiện trường ở tần số trong khoảng hoặc ngoài dải thông, đặc biệt khi\r\nmạch đấu nối có mạch tương đương chi phối bởi phần tử thuần kháng.

\r\n\r\n

4.2.2. Phương pháp đo

\r\n\r\n

Hai loại phương pháp\r\nđo được mô tả. Phương pháp thứ nhất, mục đích là đạt được các giá trị đúng của\r\ntrường hợp xấu nhất. Phương pháp thứ hai là phương pháp gần đúng đơn giản hơn\r\nđược sử dụng.

\r\n\r\n

4.2.2.1. Phương pháp\r\ntrường hợp xấu nhất

\r\n\r\n

Có hai phương pháp\r\nkhác nhau được mô tả. Trong phương pháp thứ nhất, phép đo được thực hiện với tải\r\ncó trở kháng thay đổi trong toàn dải giá trị của điện trở và điện kháng nối\r\ntiếp hiệu dụng cho đến khi đạt được mức suy giảm nhỏ nhất. Trong phương pháp\r\nthứ hai, sử dụng phương pháp cận-phân tích.

\r\n\r\n

4.2.2.1 a) Phương\r\npháp thay đổi trở kháng (cần được thiết lập)

\r\n\r\n

4.2.2.1 b) Phương\r\npháp cận-phân tích

\r\n\r\n

A. Nguyên lý của\r\nphương pháp

\r\n\r\n

Xem xét mạch dưới\r\nđây:

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Mạch Thevenin tương\r\nđương:

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Suy giảm điện áp nhỏ\r\nnhất đạt được ở từng tần số trong dải mong muốn nhờ hai phép đo bộ lọc:

\r\n\r\n

1) trở kháng\r\nThevenin, là trở kháng của bộ lọc ở các đầu ra tải với đầu vào ngắn mạch, và

\r\n\r\n

2) trở kháng truyền,\r\nlà tỷ số giữa điện áp truyền đi và dòng điện thu được khi ngắn mạch ở các đầu\r\nra tải. Từ hai phép đo này, suy giảm điện áp nhỏ nhất (α V_min) (ở\r\nđây là tỷ số điện áp giữa đầu vào và đầu ra) được cho bởi:

\r\n\r\n

α\r\nV_min\r\n= 20 log₁₀ (Z₀ x g₀) dB

\r\n\r\n

trong đó Z₀ là trở kháng truyền,\r\ntính bằng ôm, và

\r\n\r\n

g₀ =

\r\n\r\n

trong đó (R + jX) là\r\ntrở kháng Thevenin.

\r\n\r\n

B. Phương pháp đo

\r\n\r\n

Phương pháp đo trở\r\nkháng truyền được chỉ ra dưới dạng giản đồ ở hình 1a. Máy tạo tín hiệu, nên\r\ndùng loại có trở kháng đầu ra thấp, được nối với các đầu vào của mạng lọc và\r\nđược kiểm soát bằng một vôn mét điện tử. Các đầu ra của mạng được ngắn mạch và\r\nđầu dò dòng điện (ở đây là máy biến dòng tần số rađiô) được dùng để đo dòng\r\nđiện ngắn mạch cần thiết cho việc tính trở kháng truyền.

\r\n\r\n

Để đo trở kháng\r\nThevenin của mạng, chọn giản đồ trên hình 1b. Mạch này sử dụng các thiết bị của\r\n1a có bổ sung thêm cầu đo trở kháng tần số rađiô. Trong trường hợp này, máy tạo\r\ntín hiệu trở thành nguồn năng lượng cho cầu đo và thiết bị đo của bộ tách sóng.

\r\n\r\n

C. Nguồn gây sai số

\r\n\r\n

Trở kháng truyền

\r\n\r\n

Trong phép đo này,\r\nsai số điện áp đầu vào trong khoảng ± 3% và sai số dòng điện thu được trong\r\nkhoảng ± 15%. Vì vậy, sai số tổng, tính bằng dexiben, sẽ không lớn hơn 1,5 dB.

\r\n\r\n

Nguồn gây sai số lớn\r\nhơn không có khả năng tạo được ngắn mạch cho mạng ở tần số cao hơn, vì mạch này\r\nphải đủ dài để nối cả đầu dò dòng điện. Đầu dò dòng điện cũng gây ra trở kháng\r\nnào đó vào “ngắn mạch” và, nếu không chú ý, trở kháng này có thể là đáng kể.

\r\n\r\n

May mắn là các sai số\r\nnày không nghiêm trọng vì các lý do sau: ở tần số đạt đến ngưỡng đối với bộ lọc\r\nđiển hình (tức là f_c = 50 kHz), ngắn mạch\r\ncó trở kháng nhỏ và phép đo chỉ có sai số là 1,5 dB. ở tần số cao hơn tần số\r\nngưỡng, trở kháng ngắn mạch sẽ tăng; coi trở kháng là 20 Ω ở 10 MHz đối với mạch\r\nđiển hình chỉ ra trên hình 2. ở tần số này, điện kháng của cuộn cảm khoảng 2\r\n000 Ω và sai số phép đo sẽ nhỏ hơn 10 dB. Tuy nhiên, tại các tần số xuất hiện\r\ngiá trị này là gấp nhiều lần tần số ngưỡng và, với mạch chỉ ra trên hình 2, mức\r\nsuy giảm tối thiểu, theo lý thuyết, là 100 dB. Trong mọi trường hợp, điện cảm cộng\r\nthêm do đặt đầu dò dòng điện không lớn so với điện cảm điển hình của dây nối.

\r\n\r\n

Trên thực tế, tính\r\nnăng đo được của bộ lọc ở tần số cao hơn tần số ngưỡng được xác định bởi không có\r\nkhả năng tách dòng điện thu được.

\r\n\r\n

Trở kháng Thevenin

\r\n\r\n

Độ chính xác của cầu\r\nđo là ± 3% và nguồn có khả năng gây sai số khác duy nhất là ngắn mạch đặt vào\r\ncác đầu ra truyền, P. Tuy nhiên, khác với phép đo trở kháng truyền, đường dây\r\nngắn mạch có thể đủ ngắn do không có đầu dò dòng điện và bộ lọc có thể ngắn\r\nmạch thực sự.

\r\n\r\n

Trường rò

\r\n\r\n

Như đã nêu ở trên,\r\ndòng điện thu được xác định bằng cách đo điện áp tạo ra trong đầu dò dòng điện.\r\nĐiện áp này là khoảng vài micrôvôn ở tần số thấp khoảng vài megahez, và tín hiệu\r\nnày tương tự như tín hiệu do từ trường tạp tán tạo ra giống như do dòng điện\r\ntrong ngắn mạch tạo ra.

\r\n\r\n

Phương pháp làm giảm\r\nhiệu ứng của trường tạp tán và cho giá trị thỏa mãn đến hàng chục megahez được\r\nchỉ ra trên hình 3. Bộ lọc được đặt trong một hộp bằng đồng sao cho đầu ra của nó\r\ncũng chính là lối đưa nó vào. Ngắn mạch nằm trong hộp có đầu dò cố định đồng\r\ntrục với nó. Theo cách này, hiệu ứng của các dòng điện tần số rađiô, có hướng\r\nhội tụ theo mặt ngoài của lưới lọc, được giảm đáng kể. Cần phải có chống nhiễu\r\nbổ sung từ hộp bằng đồng ra xung quanh bộ lọc thử nghiệm. Nếu sau đó tất cả các\r\nthiết bị được đặt trên mặt bằng thì không được có trường tạp tán của bất kỳ vật\r\ngì ở gần đầu dò dòng điện.

\r\n\r\n

D. Hạn chế của phương\r\npháp

\r\n\r\n

Các hạn chế của\r\nphương pháp chủ yếu liên quan đến tần số và, đặc biệt, đến phép đo trở kháng\r\ntruyền.

\r\n\r\n

Do cách nối vôn mét\r\nđiện tử với đầu vào của bộ suy giảm, có một tần số giới hạn, mà tại đó khoảng\r\ncách giữa chúng không thể trở thành nhỏ không đáng kể. Kết quả là, ở một phần\r\nbăng tần VHF và cao hơn, điện áp đo được sẽ không phải là điện áp đặt vào bộ\r\nchặn vì các sóng đứng.

\r\n\r\n

Vì vậy, phương pháp\r\nnày này phải được coi là thỏa mãn ở tần số đến 100 MHz. Để đánh giá mức suy\r\ngiảm nhỏ nhất của bộ lọc ở tần số cao hơn, một phương pháp khác là đối tượng\r\nnghiên cứu của một tài liệu riêng đang được xây dựng.

\r\n\r\n

Thật vậy, rất lâu\r\ntrước khi đạt được tần số 100 MHz, đối với nhiều bộ lọc, không thể đo được dòng\r\nđiện thu được vì tín hiệu thấp hơn nhiều so với tạp âm điện trong thiết bị đo.

\r\n\r\n

4.2.2.2. Phương pháp\r\ngần đúng đối với bộ lọc nguồn cung cấp

\r\n\r\n

A. Giới thiệu

\r\n\r\n

Trong phương pháp\r\nnày, áp dụng cho bộ lọc nguồn cung cấp, thay cho việc đo tổn hao lắp ghép trong\r\nhệ thống 50 Ω/50 Ω (75/75), bộ lọc phải được đo ở hệ thống 0,1 Ω/100 Ω (và\r\nngược lại). Trong dải tần từ 1 kHz đến 300 kHz, yêu cầu hai bộ biến đổi băng\r\ntần rộng (1,4:1 và 22:1 với hệ thống 50 Ω).

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n1a - Phép đo trở kháng truyền

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n1b - Phép đo trở kháng Thevenin

\r\n\r\n

Chú thích - Đối với phép đo với\r\ntải dòng điện hoặc điện áp, xem phụ lục A.

\r\n\r\n

Hình\r\n1 - Bố trí phép đo

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n2 - Mạch của bộ lọc có điện trở làm nhụt

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Chú thích - Đối với phép đo với tải\r\nlà dòng điện hoặc điện áp, xem phụ lục A.

\r\n\r\n

Hình\r\n3 - Phương pháp chống nhiễu điển hình đối với phép đo trở kháng truyền.

\r\n\r\n

B. Nguyên lý của\r\nphương pháp

\r\n\r\n

Trong phương pháp đo\r\nnày, mục đích để xác định rằng trong thực tế, có trở kháng tương hỗ không ổn\r\nđịnh, bộ lọc,

\r\n\r\n

1) ở băng tần chặn quy\r\nđịnh, có đặc tính tổn hao lắp ghép tốt và hợp lý dự đoán được, và

\r\n\r\n

2) ở băng tần thông, không\r\ntạo ra tiếng rít không chấp nhận được.

\r\n\r\n

Phương pháp này có\r\ntính đến các điều kiện đường biên đại diện cho mạch thực về mặt trở kháng được\r\nthiết lập theo kinh nghiệm từ các dữ liệu thống kê (nguồn và tải).

\r\n\r\n

Từ phân tích lý\r\nthuyết các bộ lọc không thích ứng, có thể đưa ra hai khu vực gây vấn đề tồn tại\r\nlà:

\r\n\r\n

1) Tiếng rít ở băng\r\ntần thông và băng tần chuyển tiếp gây ra do hai phương thức khác nhau có ý\r\nnghĩa khác nhau:

\r\n\r\n

a) Cộng hưởng tương\r\nhỗ (bộ lọc cộng hưởng với máy tạo sóng và/hoặc trở kháng tải tương ứng với các đầu\r\nra tham số ảnh). May mắn là, trong mạch thực, các cộng hưởng như vậy được làm\r\ngiảm đáng kể do Q của mạch liên quan thấp. (Có một ngoại lệ đối với phương thức\r\nthông thường, nhưng điều này có thể dễ dàng khắc phục.)

\r\n\r\n

b) Tiếng rít rõ rệt\r\ncó thể do cộng hưởng EIGEN* của bộ lọc. Cộng hưởng eigen tới hạn có thể\r\nxuất hiện khi, và chỉ khi, một trở kháng tương hỗ cao hơn rất nhiều và trở\r\nkháng kia thấp hơn rất nhiều so với trở kháng đặc trưng của bộ lọc. Khi đó, hệ\r\nsố phẩm chất Q cao của bản thân bộ lọc sẽ chiếm ưu thế. Điều này có thể dẫn đến\r\nđộ lợi lắp ghép (tổn hao lắp ghép âm) lên đến 30 dB. Hiện tượng này xuất hiện ở\r\nhệ thống đo 0,1/100 Ω (và ngược lại). Có thể loại bỏ hiện tượng này bằng thiết\r\nkế bộ lọc phù hợp.

\r\n\r\n

2) Tính năng kém\r\ntrong phần thấp hơn của băng tần chặn. Nói chung, đối với bộ lọc thông thấp như\r\nbộ lọc nguồn cung cấp, ảnh hưởng của sự không tương thích trở kháng nghiêm\r\ntrọng nhất ở tần số nằm trong phần thấp nhất của băng tần chặn. ở đây, phương\r\npháp 0,1/100 Ω (và ngược lại) sẽ phân định bộ lọc bất kỳ có sai lệch đáng kể về\r\ntính năng mong muốn so với các kết quả của phép đo trong hệ thống 50 Ω. Trong\r\ntrường hợp này, cần đề cập rằng bộ lọc nhiều ngăn (bộ lọc “chia ngăn”) không chỉ\r\ntốt hơn nhiều ở điều kiện không tương thích mà còn nhỏ hơn và kinh tế hơn nhiều\r\nso với bộ lọc đơn giản (nội dung chi tiết, xem ghi chú 1 dưới đây).

\r\n\r\n

3) Phương pháp đo.\r\nThử nghiệm được thực hiện với mạch sau đây.

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Ngoài ra, các thử\r\nnghiệm phải được thực hiện với bộ biến đổi thay thế và biến đổi đảo cực. Các bộ\r\nbiến đổi này phải là loại băng tần rộng (lõi ferit) và có dải tần từ 1 kHz đến\r\n300 kHz. Đối với hệ thống 75 Ω, tỷ số biến đổi phải là 27:1 và 1,15:1.

\r\n\r\n

Chú thích - Khi có sẵn thiết bị\r\ncó đủ độ nhạy, có thể sử dụng mạch thử nghiệm cho đầu ra điện trở yêu cầu mà\r\nkhông cần dùng bộ biến đổi.

\r\n\r\n

Với bộ lọc thích hợp,\r\ntrong dải tần từ 1 kHz đến 100 kHz, độ lợi lắp ghép lớn nhất ở tần số bất kỳ\r\nphải nhỏ hơn 10 dB. Trong dải tần của băng tần chặn, tổn hao lắp ghép không\r\nđược sai lệch quá 10 dB so với giá trị quy định.

\r\n\r\n

Ghi chú

\r\n\r\n

1. H.M Schlicke: Bộ\r\nlọc hiệu quả chắc chắn, TEEE tài liệu về EMC, tập EMC-18, trang 106 - 110, tháng\r\n8, 1976.

\r\n\r\n

4.3. Phương pháp tại\r\nhiện trường

\r\n\r\n

Phép đo đặc tính\r\nchống nhiễu của bộ lọc trong các ứng dụng cụ thể được thực hiện ở các điều kiện\r\nsử dụng bình thường.

\r\n\r\n

Để đánh giá tổn hao\r\nlắp ghép, mức nhiễu từ cơ cấu cụ thể được đo không có bộ lọc và sau đó là có bộ\r\nlọc.

\r\n\r\n

4.4. Phương pháp lắp\r\nghép mẫu

\r\n\r\n

Phép đo được thực\r\nhiện với đặc tính chống nhiễu của bộ lọc trong mạng mô phỏng nguồn nhiễu thực.

\r\n\r\n

Phương pháp này được\r\náp dụng khi việc sử dụng phương pháp tại hiện trường không thuận lợi. Cho đến\r\nnay, phương pháp này đã được áp dụng trong việc nghiên cứu các thành phần chặn\r\nđối với mạch cao áp của các hệ thống đánh lửa. ứng dụng đặc biệt này được mô tả\r\ntrong CISPR, báo cáo số 37/1 (CISPR 12).

\r\n\r\n

Chú thích - Sau khi nghiên cứu thêm,\r\ncác quy định kỹ thuật cho các phương pháp nêu trong 4.3 và 4.4 cũng sẽ được\r\nsoạn thảo.

\r\n\r\n

5. Bố trí giá lắp\r\nghép

\r\n\r\n

Bộ lọc hoặc linh kiện\r\nthử nghiệm phải được đặt trong hộp thử nghiệm thích hợp. Nếu không có quy định về\r\nbố trí thử nghiệm đặc biệt khác, như nêu trong 4.3 và 4.4, hoặc, đối với ứng\r\ndụng đặc biệt, của người sử dụng, nhà chế tạo hoặc người có thẩm quyền thử\r\nnghiệm thích hợp, hộp thử nghiệm phải như được mô tả dưới đây.

\r\n\r\n

5.1. Kết cấu của hộp

\r\n\r\n

Các thành phần và bộ\r\nlọc nhiễu, không có chống nhiễu và phích cắm đồng trục riêng ở đầu vào và đầu\r\nra, được đặt để đo trong một hộp thử nghiệm có kích thước phụ thuộc vào kích\r\nthước của vật thử nghiệm (ví dụ, chiều dài l, chiều cao h, và chiều rộng w).\r\nHộp chứa là hộp có nắp đậy và làm bằng kim loại phi từ tính. Hộp chứa được\r\nthiết kế để đo tụ điện xuyên và bộ lọc có gờ nổi phải có vách ngăn bên trong có\r\nlỗ để lắp ghép tụ điện và bộ lọc. Cần có tiếp xúc điện chắc chắn giữa các phần\r\nriêng rẽ của hộp chứa. Các phần riêng rẽ của vỏ bọc được ghép với nhau bằng\r\ncách hàn thiếc hoặc hàn giáp nối liên tục; nắp đậy và vỏ bọc được ghép với nhau\r\nbằng cơ cấu tiếp xúc kiểu lò xo hoặc bằng vít nối, và phải đặc biệt chú ý để\r\nđảm bảo rằng nắp đậy tiếp xúc tốt với gờ nổi dọc theo toàn bộ chiều dài của nó\r\nkhi đo bộ lọc và tụ điện xuyên đồng trục.

\r\n\r\n

Các giắc cắm đồng\r\ntrục được gắn trên hai thành của hộp chứa.

\r\n\r\n

5.2. Cách lắp ghép\r\nthiết bị chống nhiễu trong hộp chứa

\r\n\r\n

Mạch sau đây đưa ra\r\ncác bố trí phổ biến nhất. Trong các trường hợp không đề cập ở đây, cách bố trí phải\r\nđược chọn càng giống với cấu hình mà cơ cấu sẽ được sử dụng càng tốt.

\r\n\r\n

5.2.1. Tụ điện và bộ\r\nlọc

\r\n\r\n

5.2.1.1. Tụ điện\r\nkhông xuyên và bộ lọc nhiều đầu ra

\r\n\r\n

Tụ điện có hai chân\r\nphải được lắp ráp như trên hình 4a, lưu ý rằng, nếu không có quy định nào khác,\r\nchiều dài của mỗi dây là 6 mm và 50 mm tương ứng với dây trần và dây có bọc cách\r\nđiện.

\r\n\r\n

Tụ điện có chân loại\r\nkhác được lắp ghép như trên hình 4b và 4c.

\r\n\r\n

Tụ điện có một chân\r\nnối với vỏ bảo vệ được lắp ghép như trên hình 4c.

\r\n\r\n

Tụ điện nối tam giác được\r\nlắp ghép như trên hình 4d, sử dụng ba đầu ra (hai), và được thử nghiệm, ngược\r\nvới A1.5, không nối với đầu ra không sử dụng trong quá trình thử nghiệm đối\r\nxứng, mà nối đầu ra không sử dụng này với trở kháng Z₀/2 (Z₀ là trở kháng của mạch\r\nthử nghiệm) đối với thử nghiệm không đối xứng. Bộ lọc bốn đầu ra được lắp ghép\r\nnhư trên hình 4d.

\r\n\r\n

5.2.1.2. Tụ điện\r\nxuyên và bộ lọc LC

\r\n\r\n

Tụ điện đồng trục và\r\nbộ lọc LC có gờ nổi để lắp ghép được lắp ghép như trên hình 5a.

\r\n\r\n

Các bộ lọc LC và tụ\r\nđiện xuyên đồng trục hoặc không đồng trục không có gờ nổi để lắp ghép được lắp\r\nghép như trên hình 5b. Các bộ lọc có dây dẫn bọc lưới được lắp ghép như trên\r\nhình 5c.

\r\n\r\n

Nếu việc đấu nối hàng\r\nloạt được thực hiện qua một đầu dây ra, thì dây này phải được sử dụng với độ\r\ndài ban đầu của nó và bố trí thẳng hàng. Các kiểu đầu ra khác phải được nối đến\r\nlưới kim loại bằng dây càng ngắn càng tốt.

\r\n\r\n

Xử lý đối với bộ lọc\r\nxuyên có bốn hoặc năm chân và tụ điện kết hợp, đồng trục hoặc không đồng trục,\r\nđang được xem xét.

\r\n\r\n

5.2.2. Cuộn cản

\r\n\r\n

Cách lắp ghép và đấu\r\nnối của cuộn cản cỡ lớn được cho trên hình 6a, và cuộn cản cỡ nhỏ (có đường\r\nkính đến 10 mm) đỡ bằng các đầu ra, được lắp ghép như trên hình 6b.

\r\n\r\n

Chiều dài và cách lắp\r\nghép các đầu ra bằng dây (hoặc cáp) nêu trong các điều trên đây là có hiệu lực.

\r\n\r\n

5.2.3. Điện trở, cáp\r\nvà các cơ cấu chống nhiễu khác dùng để chống nhiễu từ các hệ thống đánh lửa của\r\ncác phương tiện giao thông

\r\n\r\n

Cách lắp ghép, việc\r\nđấu nối và thực hiện phép đo phải phù hợp với các yêu cầu của 7.1 của CISPR 12.

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n Hình 4a \r\n	\r\n Hình 4b \r\n
\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n Hình 4c \r\n	\r\n Hình 4d \r\n
\r\n 1 - hộp chứa \r\n 3 - thành phần của giá lắp ghép \r\n	\r\n 2 - phích cắm đồng\r\n trục \r\n 4 - đối tượng thử\r\n nghiệm \r\n

\r\n\r\n

l₁ không lớn hơn 1 + 20\r\nmm, l₂ không lớn hơn 20 mm,\r\nh₁ và w₁ không lớn hơn 80 mm.

\r\n\r\n

Chú thích - ở tần số cao, các kết\r\nquả của phép đo phụ thuộc vào việc đấu nối - Điều này cần được mô tả trong báo\r\ncáo thử nghiệm.

\r\n\r\n

Hình\r\n4 - Bố trí lắp ghép đối với tụ điện không xuyên và bộ lọc bốn đầu

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n5a

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n5b

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n5c

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n 1 - hộp chứa \r\n 3 - thành phần của\r\n giá lắp ghép \r\n 5 - dây dẫn có vỏ bảo vệ \r\n

\r\n 2 - phích cắm đồng\r\n trục \r\n 4 - đối tượng thử\r\n nghiệm \r\n 6 - phích cắm có vỏ chống nhiễu \r\n

\r\n\r\n

l₁ không lớn hơn 10 mm,\r\nl₂ không lớn hơn 20 mm,\r\nh₁ và w₁ không lớn hơn 40 mm.

\r\n\r\n

Hình\r\n5 - Bố trí lắp ghép đối với tụ điện xuyên và bộ lọc LC

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n6a

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n6b

\r\n\r\n

1 - hộp chứa                                                     2\r\n- phích cắm đồng trục

\r\n\r\n

3 - thành phần của giá\r\nlắp ghép                         4 - đối tượng thử nghiệm

\r\n\r\n

l₁ không lớn hơn 10 mm,\r\nl₂ không lớn hơn 20 mm.

\r\n\r\n

l - chiều dài cuộn cản

\r\n\r\n

Hình\r\n6 - Bố trí lắp ghép cho cuộn cản

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

Phụ lục A

\r\n\r\n

Phương pháp phòng thử nghiệm tiêu\r\nchuẩn để đo tổn hao lắp ghép của bộ lọc chặn

\r\n\r\n

A1. Yêu cầu

\r\n\r\n

A1.1. Mạch thử nghiệm\r\ncơ bản

\r\n\r\n

Mạch thử nghiệm cơ\r\nbản phải được bố trí như trên hình A1 và A2. Tất cả các thành phần của mạch\r\nphải được chống nhiễu. Mạch thử nghiệm (đồng trục) không đối xứng phải được sử\r\ndụng cho phép đo của bộ lọc thiết kế để chặn điện áp nhiễu không đối xứng và\r\nmạch thử nghiệm đối xứng phải được sử dụng cho phép đo của bộ lọc được thiết kế\r\nđể chặn điện áp nhiễu đối xứng trong dải tần đến 30 MHz.

\r\n\r\n

Chú thích - Các thay đổi thực tế\r\nso với mạch thử nghiệm cho trên hình A1 và A2 được nêu trong điều A3.

\r\n\r\n

A1.2. Các đặc tính cơ\r\nbản của mạch thử nghiệm

\r\n\r\n

Các đặc tính cơ bản\r\ncủa mạch thử nghiệm phải nằm trong giới hạn cho trong bảng A1.

\r\n\r\n

Bảng\r\nA1

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Đặc\r\n tính của mạch thử nghiệm \r\n	\r\n Giá\r\n trị \r\n
\r\n Trở kháng \r\n	\r\n Giá\r\n trị cụ thể bất kỳ giữa 50 Ω và 75 Ω \r\n
\r\n V.S.W.R. \r\n	\r\n Lớn\r\n nhất là 1,2 \r\n
\r\n Hệ số đối xứng \r\n (chỉ đối với mạch\r\n thử nghiệm đối xứng) \r\n	\r\n Nhỏ\r\n nhất là 26 dB \r\n
\r\n Độ chính xác: \r\n đối với tổn hao lắp\r\n ghép ≤ 80 dB \r\n đối với tổn hao lắp\r\n ghép > 80 dB \r\n tần số \r\n	\r\n   \r\n ±\r\n 3 dB \r\n ±\r\n 6 dB \r\n ±\r\n 2,0 % \r\n

\r\n\r\n

Chú thích - Các đặc tính cho\r\ntrong bảng A1 được giữ với từng tần số đo và với từng giá trị dòng điện và điện\r\náp tải.

\r\n\r\n

A1.3. Thiết bị thử\r\nnghiệm1)

\r\n\r\n

A1.3.1. Máy tạo tín\r\nhiệu

\r\n\r\n

Khuyến cáo sử dụng máy\r\ntạo tín hiệu hình sin. Các máy tạo các tín hiệu khác (ví dụ tạp âm hoặc xung), có\r\nphổ đầu ra đồng nhất trong dải tần nghiên cứu, có thể dược sử dụng, nhưng trong\r\ntrường hợp như vậy máy thu phải có độ chọn lọc cao và loại bỏ tín hiệu tạp.

\r\n\r\n

A1.3.2. Máy thu

\r\n\r\n

Khuyến nghị sử dụng máy\r\nthu chọn lọc (có ít nhất một mạch cộng hưởng trước giai đoạn khuếch đại đầu\r\ntiên). Việc sử dụng máy thu không chọn lọc được chấp nhận nếu tần số hài và tần\r\nsố không mong muốn khác ở đầu ra của máy tạo sóng là đủ nhỏ để không ảnh hưởng\r\nđến kết quả đo.

\r\n\r\n

A1.3.3. Nguồn cung\r\ncấp tải dòng điện hoặc tải điện áp

\r\n\r\n

Nguồn cung cấp dòng\r\nđiện hoặc tải điện áp phải là nguồn có đầu ra linh hoạt và có hai đầu (E và F\r\ntrên hình A2) được cách ly với đất và có khả năng nối đất bất kỳ đầu nào khi\r\nthích hợp.

\r\n\r\n

Trước khi thử nghiệm\r\nmức suy giảm của bộ lọc có tải, phải xác định bằng một thử nghiệm sơ bộ (hình\r\nA1) tiến hành khi không có dòng điện hoặc điện áp (bộ lọc không tải) để chứng tỏ\r\nrằng thử nghiệm ở dải tần nghiên cứu không bị ảnh hưởng vượt quá 1 dB do mạng\r\nđệm UO và trở kháng nguồn tạo tải (hình A2).

\r\n\r\n

Chú thích - Ví dụ về mạng đệm\r\nđược cho trong phụ lục B.

\r\n\r\n

A1.4. Phương pháp thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

Phép đo phải được\r\ntiến hành theo hai bước. Trong bước thứ nhất, mạch thử nghiệm phải được bố trí\r\nkhông có bộ lọc thử nghiệm và máy tạo sóng, máy thu phải được nối trực tiếp\r\nbằng cáp thích hợp. Máy tạo sóng phải được điều chỉnh đến tần số mong muốn và\r\nmáy thu được điều chỉnh để cộng hưởng ở tần số đó của máy tạo sóng. Điện áp ra\r\ncủa máy tạo sóng và điện áp vào của máy thu phải được ghi lại.

\r\n\r\n

Trong bước thứ hai,\r\nmạch thử nghiệm phải được bố trí ở điều kiện có bộ lọc và các điện áp phải được\r\nghi lại một lần nữa.

\r\n\r\n

Tổn hao lắp ghép của\r\nbộ lọc thử nghiệm có thể được tính từ công thức:

\r\n\r\n

\r\n\r\n

trong đó:

\r\n\r\n

U₀₁ - điện áp đầu vào của\r\nmáy thu trong điều kiện không có bộ lọc

\r\n\r\n

U₀₂ - điện áp đầu vào của\r\nmáy thu trong điều kiện có bộ lọc

\r\n\r\n

E_g1 - e.m.f. của máy tạo\r\nsóng trong điều kiện không có bộ lọc

\r\n\r\n

E_g2 - e.m.f. của máy tạo\r\nsóng trong điều kiện có bộ lọc

\r\n\r\n

A_tr - giá trị suy giảm\r\n(tính bằng đêxiben) đối với bộ suy giảm đã hiệu chỉnh thay cho bộ lọc thử\r\nnghiệm trong mạch thích hợp (xem điều A3).

\r\n\r\n

Chú thích - Trên thực tế, chỉ\r\nthuận lợi để xử lý số đọc từ máy tạo sóng (hoặc máy thu) và với mục đích này,\r\nđiện áp thứ hai được duy trì không đổi U₀₁ = U₀₂ (hoặc E_g1 = E_g2); nội dung chi tiết xem điều A3.

\r\n\r\n

A1.5. Đấu nối bộ lọc\r\nhoặc linh kiện thử nghiệm

\r\n\r\n

Các linh kiện và bộ lọc\r\ndùng cho mạch hai dây phải được thử nghiệm tương ứng trên mạch thử nghiệm đối\r\nxứng và không đối xứng.

\r\n\r\n

Các bộ lọc mạch hai\r\ndây và mạch bội không ghép phải được thử nghiệm với từng dây dẫn riêng biệt. Z₀ phải được đặt trên\r\ntất cả các đầu ra không sử dụng và phải phù hợp với Z₀ của đường dây, máy tạo\r\nsóng và máy thu. Ngoài ra, ghép nối giữa các dây dẫn riêng phải được thử nghiệm\r\nvới dây dẫn mang tải có Z₀ như cho trên sơ đồ dưới đây:

\r\n\r\n

\r\n\r\n

A1.6. Lắp ghép bộ lọc\r\ntrong mạch thử nghiệm

\r\n\r\n

Việc lắp ghép bộ lọc\r\ntrong mạch thử nghiệm phải đúng như trong sử dụng bình thường. Sự bố trí không được\r\nlàm ảnh hưởng đến tính liên tục và tính hiệu quả chống nhiễu mạch thử nghiệm.\r\nNếu không có quy định nào khác, bộ lọc thử nghiệm phải được đặt trong hộp thử\r\nnghiệm như quy định ở điều 5.

\r\n\r\n

A1.7. Thể hiện kết\r\nquả

\r\n\r\n

Báo cáo các phép đo\r\nphải bao gồm các dữ liệu cụ thể sau:

\r\n\r\n

- trở kháng mạch thử\r\nnghiệm;

\r\n\r\n

kết quả của phép đo (ví\r\ndụ, dưới dạng bảng hoặc biểu đồ biểu diễn tổn hao lắp ghép, tính bằng đêxiben,\r\nlà hàm của tần số theo tọa độ vuông góc nửa lôgarit);

\r\n\r\n

- mô tả (phác thảo) đấu\r\nnối và lắp ghép bộ lọc trong mạch thử nghiệm, đưa ra hình dạng và kích thước\r\ncủa hộp thử nghiệm và dây nối (nếu yêu cầu);

\r\n\r\n

- tổn hao lắp ghép\r\nlớn nhất đo được của mạch thử nghiệm (chỉ yêu cầu nếu nằm trong khoảng 10 dB giá\r\ntrị thực đo được của bộ lọc thử nghiệm).

\r\n\r\n

A2. Phương pháp kiểm\r\ntra các tham số chính của mạch thử nghiệm

\r\n\r\n

A2.1. Kiểm tra tỷ số\r\nđiện áp sóng đứng (V.S.W.R.)

\r\n\r\n

Phương pháp I: Mạch thử nghiệm phải\r\nđược chia thành hai phần tại các điểm nối của bộ lọc thử nghiệm, một phần chứa\r\nmáy tạo sóng và phần kia chứa máy thu. Sau đó, trở kháng của mỗi phần phải được\r\nđo riêng rẽ tại các điểm nối của bộ lọc. V.S.W.R. phải được tính (đối với từng\r\nphần riêng biệt) theo công thức sau:

\r\n\r\n

V.S.W.R. =

\r\n\r\n

trong đó: r =

\r\n\r\n

và Z - giá trị phức của\r\ntrở kháng đo được

\r\n\r\n

r - điện trở danh định\r\ncủa mạch thử nghiệm.

\r\n\r\n

Phương pháp II: Mạch thử nghiệm phải\r\nđược chia thành hai phần như trong Phương pháp I. Sau đó V.S.W.R. phải được đo\r\ntrực tiếp (ví dụ, có trợ giúp của các đường khe) từng phần riêng rẽ. Sai số lớn\r\nnhất của phép đo V.S.W.R. phải là ± 5%.

\r\n\r\n

Chú thích

\r\n\r\n

1) Khi kiểm tra\r\nV.S.W.R. trong mạch thử nghiệm sử dụng bộ suy giảm cách ly, được phép thay thế\r\nmáy tạo sóng và máy thu bằng các điện trở có giá trị bằng giá trị điện trở danh\r\nđịnh.

\r\n\r\n

2) Việc kiểm tra mạch\r\ncũng cần được thực hiện với mạng đệm, nếu sử dụng.

\r\n\r\n

A2.2. Kiểm tra độ\r\nchính xác suy giảm

\r\n\r\n

Kiểm tra độ chính xác\r\nphải được thực hiện với bộ suy giảm tiêu chuẩn có các đặc tính sau đây:

\r\n\r\n

- mức suy giảm 50 ±\r\n0,5 dB trong dải tần nghiên cứu;

\r\n\r\n

- V.S.W.R. lớn nhất\r\nlà 1,2 trong dải tần nghiên cứu;

\r\n\r\n

- trở kháng đầu vào\r\nvà đầu ra phù hợp với mạch thử nghiệm;

\r\n\r\n

- hệ số đối xứng nhỏ\r\nnhất là 26 dB (chỉ đối với mạch thử nghiệm đối xứng).

\r\n\r\n

Bộ suy giảm tiêu chuẩn\r\nphải được đặt vào mạch thử nghiệm thay cho bộ lọc thử nghiệm và phải đo tổn hao\r\nlắp ghép của nó.

\r\n\r\n

Mạch thử nghiệm có\r\nmạng đệm và các bố trí khác để nối nguồn điện áp hoặc dòng điện phải được kiểm\r\ntra toàn bộ kể cả mạng và các bố trí khác. Bản thân nguồn phải được ngắt điện\r\nvà các đầu ra để đấu nối phải được ngắn mạch.

\r\n\r\n

A2.3. Độ chính xác\r\ntần số

\r\n\r\n

Việc kiểm tra phải\r\nđược thực hiện với thiết bị có độ chính xác tốt hơn 2%.

\r\n\r\n

A2.4. Kiểm tra tổn\r\nhao lắp ghép lớn nhất đo được

\r\n\r\n

Tổn hao lắp ghép lớn\r\nnhất đo được bị giới hạn bởi công suất của máy tạo sóng, độ nhạy của máy thu,\r\ntín hiệu rò từ máy tạo sóng ra máy thu xung quanh bộ lọc thử nghiệm và bởi sự\r\nxâm nhập của tín hiệu không mong muốn bên ngoài.

\r\n\r\n

Mạch thử nghiệm phải được\r\nbố trí như chỉ ra trên hình A1b hoặc A2b, ngoài ra, bộ lọc thử nghiệm phải được\r\nthay bằng một ngắn mạch và phải đo tổn hao lắp ghép của ngắn mạch đó. (Ví dụ về\r\nngắn mạch này được cho trên hình A3.)

\r\n\r\n

Nếu điện áp máy thu\r\ncao hơn mức tạp âm của mạch nhiều hơn 1 dB, thì khi đó tổn hao lắp ghép lớn\r\nnhất đo được được bị giới hạn bởi tín hiệu thử nghiệm rò từ máy tạo sóng ra máy\r\nthu hoặc bởi tín hiệu không mong muốn bên ngoài. Nếu không, nó sẽ được giới hạn\r\nbởi công suất của máy tạo sóng hoặc độ nhạy của máy thu.

\r\n\r\n

A2.5. Kiểm tra hệ số\r\nđối xứng

\r\n\r\n

Mạch thử nghiệm phải\r\nđược chia thành hai phần tại điểm nối của bộ lọc thử nghiệm, một phần chứa máy\r\ntạo sóng và phần kia chứa máy thu. Sau đó, sử dụng máy tạo sóng phụ trợ và máy thu\r\nphụ trợ, các điện áp U₁ và\r\nU₂ phải được đo như chỉ\r\nra trên hình A4.

\r\n\r\n

Hệ số đối xứng phải\r\nđược tính từ công thức:

\r\n\r\n

k\r\n= 20 log

\r\n\r\n

A3. Sửa đổi của mạch\r\nthử nghiệm cơ bản

\r\n\r\n

Các phép đo thực hiện\r\ntrên mạch thử nghiệm cơ bản (hình A1b và A2b) đòi hỏi mức chuẩn (0 dB) xác định\r\ntrước trong mạch cho trên hình A1a và A2a. Nếu độ ổn định các thông số của\r\nthiết bị sử dụng đủ để duy trì độ chính xác yêu cầu của phép đo, thì mạch thử\r\nnghiệm có thể được hiệu chuẩn một lần ở toàn bộ dải tần trước khi đo. Nếu độ ổn\r\nđịnh không đủ thì mạch thử nghiệm phải được hiệu chuẩn riêng trước mỗi phép đo.

\r\n\r\n

Ví dụ về các mạch thử\r\nnghiệm dùng cho các phép đo, tương đương với mạch thử nghiệm cơ bản, được cho\r\ntrên hình A5, A6 và A7.

\r\n\r\n

Chú thích - Nếu bộ lọc thử nghiệm\r\nkhông được lắp ghép trong hộp có vỏ bảo vệ, thì các thử nghiệm này được thực\r\nhiện trên một tấm kim loại dẫn điện, với tất cả các linh kiện được nối với tấm\r\nđó.

\r\n\r\n

Tổng chiều dài của mỗi\r\ncáp nối x và y trên hình A5 và A6 giữa bộ lọc thử nghiệm hoặc bộ suy giảm tiêu\r\nchuẩn với các bộ suy giảm cách ly, không được lớn hơn 0,05 bước sóng ở tần số\r\nthử nghiệm bất kỳ. Nếu gặp khó khăn trong việc thỏa mãn điều kiện này, ví dụ ở\r\ntần số cao hơn 50 MHz, thì có thể sử dụng mạch thử nghiệm cho trên hình A7 thay\r\ncho mạch thử nghiệm ở hình A5. Hai bộ suy giảm cách ly trong nhánh chứa bộ suy\r\ngiảm đã hiệu chuẩn có thể được bỏ qua nếu các thử nghiệm cho thấy rằng, với chuyển\r\nmạch đồng trục ở vị trí 1, yêu cầu về V.S.W.R. của A2.1 được giữ phù hợp giữa\r\nmáy tạo sóng và máy thu. Có thể sử dụng mạch tương ứng thay cho mạch ở hình A6.

\r\n\r\n

Phép đo bộ lọc có tải\r\ncũng có thể thực hiện theo nguyên tắc của hình A5, A6 và A7, nhưng bộ lọc thử\r\nnghiệm phải được thay bằng các thành phần cho trên hình A8 (xem phụ lục B).

\r\n\r\n

A3.1. Phương pháp thử\r\nnghiệm chung với hai chuyển mạch đồng trục (xem hình A5)

\r\n\r\n

Phương pháp I: T_R được bỏ qua hoặc A_tr được đặt bằng\r\n“không”. Điện áp đầu vào của máy thu phải được giữ ở mức không đổi khi chuyển\r\nmạch ở vị trí có bộ lọc và không có bộ lọc (U₀₁ = U₀₂). Tổn hao lắp ghép\r\nphải được tính từ công thức cho trong A1.4, trong đó thành phần đầu tiên và\r\nthành phần cuối bằng “không”.

\r\n\r\n

Phương pháp II: T_R được bỏ qua hoặc A_tr được đặt bằng\r\n“không”. Sức điện động của máy tạo sóng phải được giữ, với cả hai vị trí của chuyển\r\nmạch, ở mức không đổi (E_g1 =\r\nE_g2). Tổn hao lắp ghép\r\nphải được tính từ công thức cho trong A1.4, trong đó thành phần thứ hai và\r\nthành phần cuối bằng “không”.

\r\n\r\n

Phương pháp III: Cả sức điện động của\r\nmáy tạo sóng lẫn điện áp đầu vào của máy thu được giữ không đổi khi có bộ lọc\r\nvà khi bộ lọc được thay bằng bộ suy giảm đã hiệu chuẩn có thang 1 dB. Mức suy\r\ngiảm khi đó được tính từ công thức cho trong A1.4, trong đó số hạng đầu tiên và\r\nsố hạng thứ hai bằng “không”.

\r\n\r\n

A3.2. Phương pháp thử\r\nnghiệm với hai chuyển mạch đồng trục và bộ suy giảm đã hiệu chuẩn mắc nối tiếp\r\nvới bộ lọc thử nghiệm (hình A6)

\r\n\r\n

Sức điện động của máy\r\ntạo sóng và điện áp đầu vào của máy thu phải được giữ ở mức không đổi với cả\r\nhai vị trí của chuyển mạch. Tổn hao lắp ghép (tính bằng đêxiben) của bộ lọc thử\r\nnghiệm phải được tính bằng công thức:

\r\n\r\n

A\r\n= A_T1 - A_T2 (dB)

\r\n\r\n

trong đó:

\r\n\r\n

A_T1 - tổn hao lắp ghép\r\ncủa bộ suy giảm đã hiệu chuẩn với chuyển mạch ở vị trí 1

\r\n\r\n

A_T2 - tổn hao lắp ghép\r\ncủa bộ suy giảm đã hiệu chuẩn với chuyển mạch ở vị trí 2.

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA1a - Mạch chuẩn

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA1b - Mạch đo

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     T - bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

G - máy phát                                                     O\r\n- máy thu

\r\n\r\n

Hình\r\nA1 - Mạch thử nghiệm cơ bản cho phép đo không tải.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA2a - Mạch chuẩn

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA2b - Mạch đo

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n BO - bộ lọc thử\r\n nghiệm \r\n	\r\n T - bộ suy giảm\r\n cách ly 10 dB \r\n
\r\n UO - mạng đệm \r\n	\r\n G - máy phát \r\n
\r\n O - máy thu \r\n	\r\n Z - nguồn dòng điện\r\n hoặc điện áp, các đầu ra E và F không được nối đất \r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA2 - Mạch thử nghiệm cơ bản cho phép đo có tải.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

\r\n\r\n

b)\r\nBằng cách dùng hộp hình trụ

\r\n\r\n

SP\r\n- Tấm bạc ngắn mạch

\r\n\r\n

Hình\r\nA3 - Ví dụ về ngắn mạch trong mạch thử nghiệm

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA4a - Kiểm tra máy tạo sóng

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA4b - Kiểm tra máy thu

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n G - máy tạo sóng\r\n thử nghiệm \r\n	\r\n R - điện trở phù\r\n hợp với máy tạo sóng hoặc máy thu thử nghiệm \r\n
\r\n PO - máy thu phụ\r\n trợ có đầu vào không đối xứng \r\n	\r\n   \r\n
\r\n PG - máy tạo sóng\r\n phụ trợ có đầu ra không đối xứng \r\n	\r\n O - máy thu \r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nA4 - Kiểm tra hệ số đối xứng của mạch thử nghiệm.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

G - máy tạo sóng                                              T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

P - chuyển mạch đồng\r\ntrục                                O - máy thu

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     X, Y - cặp cáp đồng nhất

\r\n\r\n

TR - bộ suy giảm đã\r\nhiệu chuẩn (điều chỉnh được)

\r\n\r\n

Hình\r\nA5 - Mạch thử nghiệm có hai chuyển mạch đồng trục và bộ suy giảm đã hiệu chuẩn\r\nmắc song song với bộ lọc thử nghiệm.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

G - máy tạo sóng                                              T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

P - chuyển mạch đồng\r\ntrục                                O - máy thu

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     X, Y - cặp cáp đồng nhất

\r\n\r\n

TR - bộ suy giảm đã\r\nhiệu chuẩn (điều chỉnh được)

\r\n\r\n

Chú thích - Khi có những thay đổi\r\ntrên mạch này, bộ suy giảm đã hiệu chỉnh TR cũng có thể được đặt ngay sau máy\r\ntạo sóng G, hoặc trên thực tế, có thể kết hợp bên trong.

\r\n\r\n

Hình\r\nA6 - Mạch thử nghiệm có hai chuyển mạch đồng trục và bộ suy giảm đã hiệu chuẩn\r\nmắc nối tiếp để thay thế bộ lọc thử nghiệm.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

G - máy tạo sóng                                              TR\r\n- bộ suy giảm đã hiệu chuẩn

\r\n\r\n

P - chuyển mạch đồng\r\ntrục                                T - bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

O - máy thu                                                       X,\r\nY - cặp cáp đồng nhất

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

Xem\r\nchú thích 2 của điều A3.

\r\n\r\n

Hình\r\nA7 - Mạch thử nghiệm có hai chuyển mạch đồng trục và bộ suy giảm đã hiệu chuẩn để\r\nthay thế mắc song song

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     UO - mạng đệm

\r\n\r\n

Z - nguồn dòng điện\r\nhoặc nguồn điện áp

\r\n\r\n

Hình\r\nA8 - Tập hợp các thành phần thay thế bộ lọc thử nghiệm trong hình A5, A6 và A7\r\nkhi thực hiện phép đo với tải dòng điện hoặc điện áp

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

Phụ lục B

\r\n\r\n

Mạch đo chính và nhận biết mạng đệm

\r\n\r\n

B1. Mạch đo chính

\r\n\r\n

Cách nối mạng đệm đối\r\nvới tải dòng điện và điện áp trong các mạch thử nghiệm đối xứng, không đối xứng\r\nvà các thử nghiệm “V” được cho trên các hình từ B2 đến B7.

\r\n\r\n

B2. Ví dụ về mạng đệm

\r\n\r\n

B2.1. Mạng đệm dùng\r\ntrong dải tần hạn chế

\r\n\r\n

Sơ đồ mạch của mạng\r\nđệm để thử nghiệm có tải trong dải tần từ 0,1 MHz đến 30 MHz và từ 30 MHz đến 300\r\nMHz được cho trên hình B1. Quy định kỹ thuật về các thành phần của mạng đệm\r\nđược cho trong bảng B1.

\r\n\r\n

Trước khi thử nghiệm\r\nmức suy giảm của bộ lọc có tải, phải xác định bằng một thử nghiệm sơ bộ thực\r\nhiện không có dòng điện hoặc điện áp (bộ lọc không tải) rằng các thử nghiệm\r\ntrong dải tần xem xét không bị ảnh hưởng bởi mạng đệm UO và nguồn Z.

\r\n\r\n

Bảng\r\nB1

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Thành\r\n phần \r\n	\r\n 0,1 MHz đến 30 MHz \r\n	\r\n 30 MHz đến 300 MHz \r\n
\r\n C1 \r\n	\r\n Tụ điện không điện\r\n cảm 0,1 µF \r\n	\r\n Tụ điện không điện\r\n cảm 2 nF \r\n
\r\n C2 \r\n	\r\n Tụ điện xuyên 1 µF/100\r\n A \r\n	\r\n Tụ điện xuyên 1 µF/100\r\n A \r\n
\r\n L \r\n	\r\n Cuộn cản dây quấn\r\n phân đoạn \r\n Bẩy ngăn: mỗi ngăn\r\n 20 vòng quấn năm lớp \r\n Độ rộng ngăn khoảng\r\n 20 mm \r\n Khoảng cách giữa\r\n các ngăn khoảng 6 mm \r\n Dây bọc cốttông F 4 mm \r\n Lõi ferit hở: \r\n bẩy thanh ferit\r\n Ni-Zn F 8 mm x 220 mm có \r\n µi = 200 \r\n Chiều dài cuộn cản:\r\n 176 mm \r\n Đường kính cuộn cản:\r\n 75 mm \r\n L1 kHz = 1,2 mH \r\n	\r\n Mỗi cuộn cản: \r\n Một lớp dây quấn:\r\n 12 vòng \r\n   \r\n   \r\n Dây bọc cốttông F 3 mm \r\n Lõi ferit hở: \r\n thanh ferit Ni-Zn F 8 mm x 42 mm có \r\n µi = 200 \r\n Chiều dài cuộn cản\r\n khoảng: 45 mm \r\n Đường kính cuộn cản\r\n khoảng: 14 mm \r\n L1 kHz = 2 µH \r\n

\r\n\r\n

Chú thích - Mạng đệm có các thông\r\nsố cho trong bảng B1 được thiết kế cho tải liên tục 60 A và tải ngắn hạn 100 A.\r\nCó thể cần phải làm lạnh cưỡng bức. Mạng này có thể dùng cho phép đo bộ lọc có mức\r\nsuy giảm đến khoảng 85 dB trong dải tần từ 0,15 MHz đến 300 MHz.

\r\n\r\n

B2.2. Các mạng khác

\r\n\r\n

(Đang xem xét, xem\r\nbáo cáo số 53 CISPR.)

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n a) Đối với dải tần\r\n từ 0,1 MHz đến 30 MHz \r\n	\r\n b) Đối với dải tần\r\n từ 30 MHz đến 300 MHz \r\n

\r\n\r\n

1 - đến máy tạo sóng\r\nhoặc máy thu 3 - đến nguồn cung cấp tải dòng điện hoặc tải điện áp

\r\n\r\n

2 - đến bộ lọc thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

Hình\r\nB1 - Ví dụ về mạng đệm đối với thử nghiệm có tải.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     G - máy tạo sóng

\r\n\r\n

O - máy thu                                                       T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

UO - mạng đệm                                                 Z\r\n- nguồn cung cấp tải dòng điện

\r\n\r\n

Chú thích - Hình B2 không áp dụng\r\ncho bộ lọc mạch bội có dây quấn trên một hoặc nhiều lõi từ chung.

\r\n\r\n

Hình\r\nB2 - Ví dụ về nối mạng đệm cho nguồn cung cấp tải dòng điện trong mạch thử\r\nnghiệm không đối xứng.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n BO - bộ lọc thử\r\n nghiệm \r\n	\r\n G - máy tạo sóng \r\n
\r\n O - máy thu \r\n	\r\n T - bộ suy giảm\r\n cách ly 10 dB \r\n
\r\n UO - mạng đệm \r\n	\r\n Z - nguồn cung cấp\r\n tải dòng điện (xem chú thích, hình B5) \r\n

\r\n\r\n

Hình\r\nB3 - Ví dụ về nối mạng đệm cho nguồn cung cấp tải dòng điện trong mạch thử\r\nnghiệm đối xứng.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     G - máy tạo sóng

\r\n\r\n

O - máy thu                                                       T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

UO - mạng đệm                                                 Z\r\n- nguồn cung cấp tải điện áp

\r\n\r\n

Hình\r\nB4 - Ví dụ về nối mạng đệm cho nguồn cung cấp tải điện áp trong mạch thử nghiệm\r\nkhông đối xứng.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     G - máy tạo sóng

\r\n\r\n

O - máy thu                                                       T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

UO - mạng đệm                                                 Z\r\n- nguồn cung cấp tải điện áp

\r\n\r\n

Chú thích - Trong mạch thử nghiệm\r\nđối xứng cho trên hình B3 và B5, máy tạo sóng và máy thu đối xứng có thể được\r\nthay bằng máy tạo sóng và máy thu không đối xứng dùng kết hợp với biến áp không\r\ncân bằng thành cân bằng thích hợp.

\r\n\r\n

Hình\r\nB5 - Ví dụ về nối mạng đệm cho nguồn cung cấp tải điện áp trong mạch thử nghiệm\r\nđối xứng.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     G - máy tạo sóng

\r\n\r\n

O - máy thu                                                       T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

UO - mạng đệm                                                 Z\r\n- nguồn cung cấp tải dòng điện

\r\n\r\n

Hình\r\nB6 - Ví dụ về nối bộ lọc đối xứng dùng cho phép đo tổn hao lắp ghép không đối\r\nxứng.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

\r\n\r\n

BO - bộ lọc thử\r\nnghiệm                                     G - máy tạo sóng

\r\n\r\n

O - máy thu                                                       T\r\n- bộ suy giảm cách ly 10 dB

\r\n\r\n

UO - mạng đệm                                                 Z\r\n- nguồn cung cấp tải dòng điện

\r\n\r\n

Z0 - trở kháng của mạch\r\nthử nghiệm

\r\n\r\n

Hình\r\nB7 - Ví dụ về nối mạng đệm đối với nguồn cung cấp tải dòng điện trong mạch thử\r\nnghiệm “V” dùng cho bộ lọc hai chiều.

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

MỤC LỤC

\r\n\r\n

1. Giới thiệu

\r\n\r\n

2. Phạm vi áp dụng

\r\n\r\n

3. Định nghĩa

\r\n\r\n

3.1. Tổn hao lắp ghép

\r\n\r\n

3.2. Dòng điện tải

\r\n\r\n

3.3. Điện áp tải

\r\n\r\n

3.4. Trở kháng mạch thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

3.5. Mạch thử nghiệm không\r\nđối xứng

\r\n\r\n

3.6. Mạch thử nghiệm đối\r\nxứng

\r\n\r\n

3.7. Hệ số đối xứng của\r\nmạch thử nghiệm đối xứng

\r\n\r\n

4. Phương pháp thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

4.1. Phương pháp tiêu\r\nchuẩn

\r\n\r\n

4.2. Phương pháp\r\ntrường hợp xấu nhất

\r\n\r\n

4.3. Phương pháp tại\r\nhiện trường

\r\n\r\n

4.4. Phương pháp lắp\r\nghép mẫu

\r\n\r\n

5. Bố trí giá lắp\r\nghép

\r\n\r\n

5.1. Kết cấu của hộp

\r\n\r\n

5.2. Cách lắp ghép cơ\r\ncấu chống nhiễu trong hộp chứa

\r\n\r\n

Phụ lục A Phương pháp phòng thử\r\nnghiệm tiêu chuẩn để đo tổn hao lắp ghép của bộ lọc chặn

\r\n\r\n

Phụ lục B Mạch đo chính và nhận\r\nbiết mạng đệm

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n

 

\r\n\r\n