Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 6989-1-3: 2008 hoàn toàn tương đương với\r\ntiêu chuẩn CISPR 16-1-3: 2005;
\r\n\r\nTCVN 6989-1-3: 2008 do Ban kỹ thuật tiêu\r\nchuẩn TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường\r\nChất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\nTCVN 6989-1: 2003 (CISPR 16-1) được biên soạn\r\nlại thành 5 tiêu chuẩn mới theo phương pháp chấp nhận tiêu chuẩn quốc tế, có tiêu\r\nđề chung là “Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm tần số radio”. Các phần mới của TCVN như sau:
\r\n\r\nTCVN 6989-1-1: 2008: Thiết bị đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm tần số radio – Thiết bị đo
\r\n\r\nTCVN 6989-1-3: 2008: Thiết bị đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm tần số radio – Thiết bị đo phụ trợ – Công suất nhiễu
\r\n\r\nTCVN 6989-1-5: 2008: Thiết bị đo nhiễu và\r\nmiễn nhiễm tần số radio – Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn anten trong dải tần từ\r\n30MHz đến 1 000MHz.
\r\n\r\nTrong thời gian chưa có TCVN 6989-1-2 và TCVN\r\n6989-1-4, các nội dung tương ứng trong TCVN 6989-1: 2003 (CISPR16-1) vẫn có\r\nhiệu lực áp dụng.
\r\n\r\nCấu trúc của bộ tiêu chuẩn quốc tế CISPR 16\r\ngồm 4 phần chia thành 14 tiêu chuẩn như sau:
\r\n\r\n1) CISPR 16-1-1, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-1: Radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus – Measurement apparatus
\r\n\r\n2) CISPR 16-1-2, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-2: Radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Conducted\r\ndisturbance
\r\n\r\n3) CISPR 16-1-3, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-3: Radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment –\r\nDisturbance power
\r\n\r\n4) CISPR 16-1-4, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-4: Radio disturbance\r\nand immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Radiated disturbance
\r\n\r\n5) CISPR 16-1-5, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-5: Radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus – Antenna calibration test sites\r\nfor 30 MHz to 1 000 MHz
\r\n\r\n6) CISPR 16-2-1, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-1: Methods of\r\nmeasurement of disturbances and immunity – Conducted disturbance measurements
\r\n\r\n7) CISPR 16-2-2, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-2: Methods of\r\nmeasurement of disturbances and immunity – Measurements of disturbance power
\r\n\r\n8) CISPR 16-2-3, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-3: Methods of\r\nmeasurement of disturbances and immunity – Radiated disturbance measurements
\r\n\r\n9) CISPR 16-2-4, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-4: Methods of\r\nmeasurement of disturbances and immunity – Immunity measurements
\r\n\r\n10) CISPR 16-3, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 3: CISPR\r\ntechnical reports
\r\n\r\n11) CISPR 16-4-1, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-1:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in standardized\r\nEMC tests
\r\n\r\n12) CISPR 16-4-2, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in EMC measurements
\r\n\r\n13) CISPR 16-4-3, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-3:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Statistics considerations in\r\nthe determination of EMC compliance of mass-produced products
\r\n\r\n14) CISPR 16-4-4, Specification for radio\r\ndisturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-4: Uncertainties,\r\nstatistics and limit modelling – Statistics of compliants and a model for the\r\ncalculation of limits
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này là tiêu chuẩn cơ bản qui định\r\nđặc điểm và hiệu chuẩn kẹp hấp thụ dùng cho phép đo công suất nhiễu tần số\r\nrađiô trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác tài liệu viện dẫn dưới đây là cần thiết\r\nđể áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu có ghi năm công bố, chỉ áp dụng\r\ncác bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm công bố, áp dụng bản mới\r\nnhất (kể cả các sửa đổi).
\r\n\r\nTCVN 6898-2-2: 2008 (CISPR 16-2-2: 2003), Yêu\r\ncầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số\r\nrađiô – Phần 2-2: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Đo công suất nhiễu)
\r\n\r\nCISPR 16-1-2: 2003, Specification for radio disturbance\r\nand immunity measuring apparatus and methods – Part 1-2: Radio disturbance and immunity\r\nmeasuring apparatus – Ancillary equipment – Conducted disturbances (Yêu cầu kỹ\r\nthuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô –\r\nPhần 1-2: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị phụ trợ –\r\nNhiễu dẫn)
\r\n\r\nCISPR 16-4-2: 2003, Specification for radio disturbance\r\nand immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2: Uncertainties,\r\nstatistics and limit modelling – Measurement instrumentation uncertainties (Yêu\r\ncầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số\r\nrađiô
\r\n\r\n– Phần 4-2: Độ không đảm bảo đo, mô hình\r\nthống kê và giới hạn – Độ không đảm bảo của dụng cụ đo)
\r\n\r\nIEC 60050 (161): 1990, amendment1 (1997), amendment\r\n2 (1998), International Electrotechnical Vocabulary (IEV) − Chapter 161: Electromagnetic\r\ncompatibility (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Chương 161: Tương thích\r\nđiện từ)
\r\n\r\n\r\n\r\n3.1.
\r\n\r\nXem IEC 60050-161, trong trường hợp thuộc đối\r\ntượng áp dụng.
\r\n\r\n3.2. Chữ viết tắt
\r\n\r\n| \r\n ACA \r\n | \r\n \r\n Cụm kẹp hấp thụ (Absorbing clamp assembly) \r\n | \r\n
| \r\n ACMM \r\n | \r\n \r\n Phương pháp đo bằng kẹp hấp thụ (Absorbing\r\n clamp measurement method) \r\n | \r\n
| \r\n ACRS \r\n | \r\n \r\n Vị trí chuẩn của kẹp hấp thụ (Absorbing\r\n clamp reference site) \r\n | \r\n
| \r\n ACTS \r\n | \r\n \r\n Vị trí thử nghiệm của kẹp hấp thụ\r\n (Absorbing clamp test site) \r\n | \r\n
| \r\n CF \r\n | \r\n \r\n Hệ số kẹp (Clamp factor) \r\n | \r\n
| \r\n CRP \r\n | \r\n \r\n Điểm kẹp chuẩn (Clamp reference point) \r\n | \r\n
| \r\n DF \r\n | \r\n \r\n Hệ số khử ghép (Decoupling factor) \r\n | \r\n
| \r\n DR \r\n | \r\n \r\n Hệ số khử ghép qui định việc khử ghép biến\r\n dòng khỏi trở kháng phương thức chung của máy thu đo (Decoupling factor that\r\n specifies the decoupling of the current transformer from the common mode\r\n impedance of the measurement receiver) \r\n | \r\n
| \r\n JTF \r\n | \r\n \r\n Hệ số truyền của đồ gá (Jig transfer\r\n factor) \r\n | \r\n
| \r\n LUT \r\n | \r\n \r\n Dây dẫn cần thử nghiệm (Lead under test) \r\n | \r\n
| \r\n RTF \r\n | \r\n \r\n Hệ số truyền chuẩn (Reference transfer\r\n factor) \r\n | \r\n
| \r\n SAD \r\n | \r\n \r\n Cơ cấu hấp thụ thứ cấp (Secondary absorbing\r\n device) \r\n | \r\n
| \r\n SAR \r\n | \r\n \r\n Phòng bán vang (Semi-anechoic room) \r\n | \r\n
| \r\n SRP \r\n | \r\n \r\n Điểm trượt chuẩn (Slide reference point) \r\n | \r\n
Phép đo công suất nhiễu sử dụng kẹp hấp thụ\r\nlà phương pháp dùng để xác định nhiễu bức xạ trong dải tần trên 30 MHz. Phương pháp\r\nđo này thể hiện một cách tiếp cận thay thế để đo cường độ trường nhiễu trên\r\nOATS. Phương pháp đo dùng kẹp hấp thụ (ACMM) được mô tả trong điều 7 của TCVN\r\n6989-2-2 (CISPR 16-2-2).
\r\n\r\nACMM sử dụng thiết bị đo dưới đây:
\r\n\r\n− cụm kẹp hấp thụ;
\r\n\r\n− cơ cấu hấp thụ thứ cấp;
\r\n\r\n− vị trí thử nghiệm của kẹp hấp thụ.
\r\n\r\nHình 1 đưa ra tóm tắt về phương pháp đo dùng kẹp\r\nhấp thụ, gồm có thiết bị đo được yêu cầu cho phương pháp này cùng với phương pháp\r\nhiệu chuẩn và đánh giá hiệu lực thiết bị đo. Yêu cầu đối với thiết bị đo dùng\r\ncho ACMM được qui định trong điều 4 này. Mô tả chi tiết về phương pháp hiệu\r\nchuẩn kẹp hấp thụ và đánh giá hiệu lực các đặc điểm khác của kẹp và cơ cấu hấp\r\nthụ thứ cấp được mô tả trong Phụ lục B. Mô tả chi tiết về đánh giá hiệu lực vị\r\ntrí thử nghiệm kẹp hấp thụ được mô tả trong Phụ lục C. Kẹp hấp thụ thích hợp\r\ncho phép đo nhiễu gây ra do một số loại thiết bị tùy thuộc vào cấu trúc và kích\r\nthước. Qui trình đo đúng và khả năng áp dụng qui trình cần được qui định cho\r\ntừng loại thiết bị. Nếu riêng EUT (không tính dây nối) có kích thước đạt tới\r\n1/4 bước sóng thì có thể xảy ra bức xạ vỏ trực tiếp. Công suất nhiễu của thiết\r\nbị có dây dẫn nguồn là dây dẫn ngoài duy nhất có thể được xem là công suất mà\r\nthiết bị có thể cung cấp để dây dẫn nguồn đóng vai trò là anten phát. Công suất\r\nnày gần bằng công suất được cung cấp từ thiết bị cho cơ cấu hấp thụ thích hợp\r\nđặt quanh dây dẫn ở vị trí có công suất hấp thụ lớn nhất. Không tính đến bức xạ\r\ntrực tiếp từ thiết bị. Thiết bị có dây dẫn ngoài không phải là dây dẫn nguồn có\r\nthể bức xạ năng lượng nhiễu từ các dây dẫn này, kể cả có bọc hoặc không bọc, theo\r\ncách giống như bức xạ từ dây dẫn nguồn. Phép đo dùng kẹp hấp thụ cũng có thể được\r\nthực hiện trên các loại dây dẫn này.
\r\n\r\nỨng dụng của ACMM được qui định chi tiết hơn\r\ntrong 7.9 của TCVN 6989-2-2 (CISPR 16-2-2).
\r\n\r\n\r\n\r\n4.2.1. Mô tả cụm kẹp hấp thụ
\r\n\r\nPhụ lục A mô tả cấu trúc của kẹp và nêu ví dụ\r\nđiển hình về kiểu cấu trúc này.
\r\n\r\nCụm kẹp hấp thụ gồm có năm bộ phận dưới đây:
\r\n\r\n− biến dòng RF băng tần rộng;
\r\n\r\n− bộ hấp thụ công suất RF băng tần rộng và ổn\r\nđịnh trở kháng cho dây dẫn cần thử nghiệm;
\r\n\r\n− ống hấp thụ hoặc cụm các xuyến ferit để\r\ngiảm dòng RF trên bề mặt cáp đồng trục dẫn từ biến dòng đến máy thu đo;
\r\n\r\n− bộ suy giảm 6 dB giữa đầu ra của kẹp hấp\r\nthụ và cáp đồng trục nối với máy thu đo;
\r\n\r\n− cáp đồng trục là cáp của máy thu.
\r\n\r\nĐiểm kẹp chuẩn (CRP) chỉ ra vị trí tung độ\r\ncủa mặt trước của biến dòng bên trong kẹp. Điểm chuẩn này được dùng để xác định\r\nvị trí của kẹp trong qui trình đo. CRP phải được chỉ ra trên vỏ bên ngoài của\r\nkẹp hấp thụ.
\r\n\r\n4.2.2. Hệ số kẹp và suy giảm vị trí kẹp
\r\n\r\nPhép đo thực tế của EUT sử dụng phương pháp\r\nACMM được biểu thị bằng sơ đồ trong Hình 2. Chi tiết về ACMM được nêu ở điều 7\r\ncủa TCVN 6989-2-2 (CISPR 16-2-2).
\r\n\r\nPhép đo công suất nhiễu được dựa vào phép đo\r\ndòng điện không đối xứng do EUT sinh ra, được đo tại đầu vào của kẹp hấp thụ sử\r\ndụng đầu dò dòng điện. Xuyến hấp thụ của kẹp xung quanh dây dẫn cần thử nghiệm\r\ncách ly biến dòng khỏi nhiễu nguồn. Dòng điện lớn nhất được xác định bằng cách\r\ndi chuyển kẹp hấp thụ dọc theo dây dẫn đã nắn thẳng đóng vai trò là đường\r\ntruyền dẫn. Đường truyền dẫn này truyền trở kháng đầu vào của kẹp hấp thụ đến\r\nđầu ra của EUT. Tại điểm điều chỉnh tối ưu, có thể đo được dòng điện nhiễu lớn\r\nnhất tại đầu dò dòng điện hoặc điện áp nhiễu lớn nhất tại đầu vào máy thu.
\r\n\r\nTrong trường hợp này, hệ số kẹp thực tế CFact\r\ncủa kẹp hấp thụ liên kết tín hiệu đầu ra của kẹp Vrec với giá trị\r\ncần đo, tức là công suất nhiễu Peut của EUT như sau:
\r\n\r\nPeut = CFact + Vrec (1)
\r\n\r\ntrong đó
\r\n\r\nPeut = công suất nhiễu của EUT,\r\ntính bằng dBpW;
\r\n\r\nVrec = công suất đo được, tính\r\nbằng dBm
CFact = hệ số kẹp hấp thụ, tính\r\nbằng dBpW/m
Về mặt lý thuyết, mức công suất thu được Prec,\r\ntính bằng dBpW tại đầu vào của máy thu có thể được tính bằng công thức sau:
\r\n\r\nPrec = Vrec – 10 log(Zi)\r\n= Vrec – 17 (2)
\r\n\r\ntrong đó
\r\n\r\nZi = 50 Ω, trở kháng đầu vào của máy\r\nthu đo, và
\r\n\r\nVrec = mức điện áp cần đo, tính\r\nbằng dBm
Sử dụng công thức (1) và (2) có thể rút ra\r\nmối liên quan giữa công suất nhiễu Peut phát ra bởi EUT và công suất\r\nPrec nhận được từ máy thu như sau:
\r\n\r\nPeut – Prec = CFact\r\n+ 17 (3)
\r\n\r\nMối liên quan lý tưởng này giữa công suất\r\nnhiễu của EUT và công suất nhận được từ máy thu được xác định nhờ độ suy giảm\r\nvị trí kẹp thực tế Aact (tính bằng dB).
\r\n\r\nAact ≡ Peut – Prec\r\n= CFact + 17 (4)
\r\n\r\nĐộ suy giảm vị trí kẹp hấp thụ phụ thuộc vào\r\nba đặc điểm sau:
\r\n\r\n− đặc điểm đáp ứng của kẹp,
\r\n\r\n− đặc điểm vị trí và
\r\n\r\n− đặc điểm của EUT.
\r\n\r\n4.2.3. Chức năng khử ghép của kẹp hấp thụ
\r\n\r\nNếu biến dòng của kẹp hấp thụ đo công suất\r\nnhiễu thì độ suy giảm khử ghép của xuyến ferit xung quanh dây dẫn cần thử\r\nnghiệm thiết lập trở kháng không đối xứng và khử ghép biến dòng khỏi một đầu ở\r\nxa của dây dẫn cần thử nghiệm. Việc khử ghép này giảm ảnh hưởng nhiễu của nguồn\r\nđược đấu nối và của trở kháng đầu ở xa và ảnh hưởng của nó lên dòng điện đo được.\r\nĐộ suy giảm khử ghép được gọi là hệ số khử ghép (DF).
\r\n\r\nCần có chức năng khử ghép thứ cấp cho kẹp hấp\r\nthụ. Chức năng khử ghép thứ cấp này là việc khử ghép biến dòng khỏi trở kháng\r\nkhông đồng bộ (hoặc phương thức chung) của cáp máy thu. Việc khử ghép này đạt được\r\ndo phần hấp thụ của xuyến ferit trên cáp từ biến dòng vào máy thu đo. Độ suy\r\ngiảm khử ghép này được gọi là hệ số khử ghép của máy thu đo (DR).
\r\n\r\n4.2.4. Yêu cầu đối với cụm kẹp hấp thụ (ACA)
\r\n\r\nKẹp hấp thụ dùng để đo công suất nhiễu phải\r\nđáp ứng được các yêu cầu dưới đây:
\r\n\r\na) Hệ số kẹp thực tế (CFact) của cụm\r\nkẹp hấp thụ, như qui định ở 4.2.1 phải được xác định theo phương pháp qui định\r\nmô tả trong Phụ lục B. Độ không đảm bảo đo của hệ số kẹp phải được xác định\r\ntheo yêu cầu cho trong Phụ lục B.
\r\n\r\nb) Hệ số khử ghép (DF) của bộ hấp thụ RF băng\r\ntần rộng và bộ ổn định trở kháng dùng cho dây dẫn cần thử nghiệm phải được kiểm\r\ntra theo qui trình đo như mô tả trong Phụ lục B. Hệ số khử ghép phải ít nhất là\r\n21 dB cho toàn bộ dải tần.
\r\n\r\nc) Chức năng khử ghép từ biến dòng đến đầu ra\r\nđo được (DR) của kẹp hấp thụ phải được xác định theo qui trình đo như mô tả\r\ntrong Phụ lục B. Hệ số khử ghép đến máy thu đo phải ít nhất là 30 dB cho toàn\r\nbộ dải tần. Giá trị 30 dB có 20,5 dB suy giảm từ kẹp hấp thụ và 9,5 dB từ mạng\r\nghép nối/khử ghép (CDN).
\r\n\r\nd) Chiều dài của vỏ kẹp phải là 600 mm ± 40\r\nmm.
\r\n\r\ne) Phải sử dụng bộ suy giảm RF 50 Ω ít nhất\r\nlà 6 dB trực tiếp tại đầu ra kẹp.
\r\n\r\nMục đích hiệu chuẩn kẹp là để xác định hệ số\r\nkẹp CF trong trường hợp càng giống với phép đo thực có EUT càng tốt. Tuy nhiên,\r\n4.2.2 chỉ ra rằng hệ số kẹp là hàm của EUT, đặc điểm của kẹp và đặc điểm vị\r\ntrí. Vì lý do tiêu chuẩn hóa (khả năng tái lập), phương pháp hiệu chuẩn phải sử\r\ndụng vị trí thử nghiệm có đặc điểm qui định, có khả năng tái lập, còn máy phát\r\ntín hiệu và máy thu có khả năng tái lập. Trong các điều kiện này, chỉ còn một\r\nbiến còn lại là kẹp hấp thụ đang được xem xét.
\r\n\r\nBa phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ được\r\nxây dựng dưới đây, mỗi phương pháp có các ưu điểm, nhược điểm và ứng dụng riêng\r\n(xem Bảng 1). Hình 3 đưa ra tóm tắt theo sơ đồ của ba phương pháp có thể.
\r\n\r\nNói chung, từng phương pháp hiệu chuẩn gồm có\r\nhai bước dưới đây.
\r\n\r\nĐầu tiên, để làm chuẩn, sử dụng một máy thu\r\nđể đo trực tiếp công suất ra Pgen của máy phát RF (có trở kháng đầu\r\nra là 50 Ω) thông qua bộ suy giảm 10 dB (Hình 3a). Tiếp đó, sử dụng một trong ba\r\nphương pháp dưới đây để đo bằng kẹp công suất nhiễu của cũng máy phát RF đó và\r\nbộ suy giảm 10 dB trên.
\r\n\r\na) Phương pháp gốc
\r\n\r\nPhương pháp hiệu chuẩn bố trí kẹp hấp thụ gốc\r\nsử dụng vị trí chuẩn gồm có mặt phẳng chuẩn thẳng đứng, rộng (Hình 3b). Theo định\r\nnghĩa, phương pháp này cho CF trực tiếp vì đây là phương pháp hiệu chuẩn gốc dùng\r\nđể xác định các giới hạn, và vì thế được coi là phương pháp chuẩn. Dây dẫn cần\r\nthử nghiệm được nối với dây dẫn giữa của bộ nối xuyên trong mặt phẳng chuẩn\r\nthẳng đứng. ở mặt sau của mặt phẳng thẳng đứng này, bộ nối xuyên được nối với máy\r\nphát. Với cấu hình hiệu chuẩn này, Porig được đo bằng cách di chuyển\r\nkẹp dọc theo dây dẫn cần thử nghiệm, theo qui trình mô tả trong Phụ lục B sao\r\ncho đạt được giá trị lớn nhất ở mỗi tần số. Độ suy giảm vị trí nhỏ nhất Aorig\r\nvà hệ số kẹp hấp thụ CForig có thể được xác định sử dụng công thức dưới\r\nđây:
\r\n\r\nAorig = Pgen – Porig\r\n 5)
\r\n\r\nvà
\r\n\r\nCForig = Aorig – 17 (6)
\r\n\r\nĐộ suy giảm vị trí nhỏ nhất Aorig nằm\r\ntrong khoảng từ 13 dB đến 22 dB.
\r\n\r\nb) Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá
\r\n\r\nPhương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá sử dụng đồ\r\ngá thích nghi với chiều dài của kẹp hấp thụ cần hiệu chuẩn và cơ cấu hấp thụ\r\nthứ cấp (SAD). Đồ gá này đóng vai trò là kết cấu chuẩn dùng cho kẹp hấp thụ\r\n(xem Hình 3c). Đối với cấu hình hiệu chuẩn này, Pjig được đo là hàm\r\ncủa tần số trong khi kẹp ở vị trí cố định bên trong đồ gá này. Độ suy giảm vị\r\ntrí Ajig và hệ số kẹp hấp thụ CFjiig có thể được xác định\r\nbằng công thức dưới đây:
\r\n\r\nAjig = Pgen – Pjig (7)
\r\n\r\nvà
\r\n\r\nCFjig = Ajig – 17 (8)
\r\n\r\nc) Phương pháp thiết bị chuẩn
\r\n\r\nPhương pháp thiết bị chuẩn sử dụng vị trí\r\nchuẩn (không có mặt phẳng chuẩn thẳng đứng) và thiết bị chuẩn được cấp tín hiệu\r\nqua dây dẫn cần thử nghiệm có kết cấu đồng trục dùng cho mục đích này (xem Hình\r\n3d)
\r\n\r\nĐối với kết cấu hiệu chuẩn này, Pref\r\nđược đo trong khi di chuyển kẹp hấp thụ dọc dây dẫn cần thử nghiệm theo qui\r\ntrình mô tả trong Phụ lục A sao cho đạt được giá trị lớn nhất ở mỗi tần số. Độ\r\nsuy giảm vị trí Aref và hệ số kẹp hấp thụ CFref có thể được\r\nxác định bằng công thức dưới đây:
\r\n\r\nAref = Pgen – Pref (9)
\r\n\r\nvà
\r\n\r\nCFref = Aref – 17 (10)
\r\n\r\nPhụ lục B mô tả chi tiết hơn về ba phương pháp\r\nhiệu chuẩn kẹp hấp thụ. Bản khảo sát về ba phương pháp hiệu chuẩn kẹp này cũng được\r\nđưa ra ở Hình 1. Hình 1 cũng đưa ra mối liên quan giữa phương pháp đo bằng kẹp\r\nvà các phương pháp hiệu chuẩn kẹp và vai trò của vị trí chuẩn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Hiệu chuẩn kẹp, bộ suy giảm và cáp\r\nphải được thực hiện cùng nhau.
\r\n\r\nHệ số kẹp hấp thụ có được nhờ phương pháp đồ\r\ngá và thiết bị chuẩn (CFjig, CFref) có khác về hệ thống\r\nso với hệ số kẹp hấp thụ gốc CForig. Cần phải thiết lập một cách có hệ\r\nthống quan hệ giữa các hệ số kẹp khác nhau như dưới đây.
\r\n\r\nHệ số truyền của đồ gá JTF được tính bằng:
\r\n\r\nJTF = CFjig – CForig (11)
\r\n\r\nJTF, tính bằng dB, cần được nhà chế tạo xác\r\nđịnh cho mỗi kiểu kẹp hấp thụ. Nhà chế tạo hoặc phòng thử nghiệm hiệu chuẩn được\r\ncông nhận có nhiệm vụ phải xác định JTF bằng cách tính trung bình các kết quả của\r\nít nhất năm lần hiệu chuẩn tái lập cho năm thiết bị của loạt sản xuất. Tương\r\ntự, hệ số truyền chuẩn RTF được xác định bởi:
\r\n\r\nRTF = CFref – CForig (12)
\r\n\r\nTương tự như vậy, RTF, tính bằng dB, cần được\r\nnhà chế tạo xác định cho mỗi kiểu kẹp hấp thụ. Nhà chế tạo hoặc phòng thử\r\nnghiệm hiệu chuẩn được công nhận có nhiệm vụ phải xác định RTF bằng cách tính\r\ntrung bình các kết quả của ít nhất năm lần hiệu chuẩn tái lập cho năm thiết bị\r\ncủa loạt sản xuất.
\r\n\r\nTóm lại, phương pháp hiệu chuẩn gốc cho giá\r\ntrị CForig trực tiếp. Phương pháp đồ gá và phương pháp thiết bị\r\nchuẩn cho CFjig và CFref tương ứng, từ đó hệ số kẹp hấp\r\nthụ gốc có thể tính được bằng công thức (11) và (12).
\r\n\r\nNgoài phần hấp thụ của kẹp, cơ cấu hấp thụ\r\nthứ cấp (SAD) ngay sau kẹp hấp thụ phải được đặt vào để giảm độ không đảm bảo đo.\r\nChức năng của SAD là để cung cấp độ suy giảm ngoài độ suy giảm do độ suy giảm\r\nkhử ghép của kẹp hấp thụ. SAD phải được di chuyển theo cách giống như kẹp hấp\r\nthụ trong khi hiệu chuẩn và đo. Vì vậy, SAD cần có các bánh xe để điều chỉnh quá\r\ntrình quét. Kích thước của SAD phải sao cho dây dẫn cần thử nghiệm ở cùng độ\r\ncao như kẹp hấp thụ.
\r\n\r\nHệ số khử ghép của SAD phải được kiểm tra\r\ntheo qui trình đo mô tả trong Phụ lục B. Hệ số khử ghép của SAD được đo cùng\r\nvới kẹp hấp thụ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Công nghệ mới có khả năng tích hợp\r\nchức năng bổ sung của SAD trong kẹp hấp thụ. Do đó, nếu bản thân kẹp hấp thụ\r\nđáp ứng yêu cầu kỹ thuật về hệ số khử ghép thì không cần đặt thêm SAD.
\r\n\r\n4.5.1. Mô tả ACTS
\r\n\r\nVị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS) là vị\r\ntrí được sử dụng để đặt ACMM. ACTS có thể là vị trí thuận tiện ở ngoài trời\r\nhoặc trong nhà và gồm các phần tử dưới đây (xem Phụ lục C, Hình C.1):
\r\n\r\n− bàn EUT, để đỡ khối EUT;
\r\n\r\n− bàn trượt kẹp, có bộ phận đỡ dây đã đấu nối\r\ncủa EUT (hoặc dây dẫn cần thử nghiệm LUT) và đỡ kẹp hấp thụ;
\r\n\r\n− phương tiện đỡ cáp máy thu của kẹp hấp thụ\r\ntrong quá trình trượt;
\r\n\r\n− phương tiện phụ trợ kiểu dây bện để di\r\nchuyển kẹp hấp thụ.
\r\n\r\nTất cả các phần tử của ACTS được đề cập ở\r\ntrên (ngoại trừ bàn EUT) phải được đo ở qui trình đánh giá hiệu lực ACTS.
\r\n\r\nỞ gần cuối của bàn trượt kẹp (về phía EUT) được\r\nđánh dấu là điểm trượt chuẩn (SRP, xem Hình C.1). SRP này được dùng để xác định\r\nkhoảng cách theo chiều ngang đến RCP của kẹp.
\r\n\r\n4.5.2. Chức năng của ACTS
\r\n\r\nACTS có các chức năng dưới đây.
\r\n\r\na) Chức năng vật lý: để cung cấp phương tiện\r\nđỡ qui định dùng cho EUT và LUT.
\r\n\r\nb) Chức năng điện: để cung cấp vị trí lý tưởng\r\n(đối với RF) dùng cho EUT và cụm kẹp và cung cấp môi trường đo đã xác định cho ứng\r\ndụng của kẹp hấp thụ (không làm méo phát xạ do các vách hoặc do phần tử đỡ như\r\nbàn EUT, bàn trượt kẹp, phương tiện đỡ và dịch chuyển cáp).
\r\n\r\n4.5.3. Yêu cầu đối với ACTS
\r\n\r\nYêu cầu dưới đây áp dụng cho ACTS:
\r\n\r\na) Chiều dài của bàn trượt kẹp phải đảm bảo rằng\r\nkẹp hấp thụ có thể được di chuyển trên chiều dài 5 m. Điều này nghĩa là bàn trượt\r\nkẹp phải có chiều dài là 6 m.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Để có khả năng tái lập, chiều dài\r\nbàn trượt kẹp và chiều dài quét của kẹp được cố định lần lượt ở ít nhất là 6 m\r\nvà 5 m. Chiều dài bàn trượt kẹp được xác định bằng tổng của chiều dài quét (5\r\nm), khoảng cách giữa SRP và CRP (0,15 m), chiều dài của kẹp hấp thụ (0,64 m) và\r\nchiều dài biên dự phòng để điều chỉnh cơ cấu cố định dây dẫn tại một đầu (0,1\r\nm). Tổng chiều dài cho bàn trượt kẹp này là 6 m.
\r\n\r\nb) Độ cao bàn trượt kẹp phải là 0,8 m ± 0,05 m.\r\nĐiều này nghĩa là bên trong kẹp hấp thụ, độ cao của LUT so với sàn sẽ lớn hơn\r\nmột vài centimét.
\r\n\r\nc) Vật liệu của bàn EUT và bàn trượt kẹp phải\r\nlà vật liệu không phản xạ, không dẫn và đặc tính điện môi có thể gần giống đặc\r\ntính điện môi của không khí. Theo cách này, bàn EUT là trong suốt theo quan điểm\r\nđiện từ.
\r\n\r\nd) Vật liệu của dây bện dùng để di chuyển kẹp\r\ndọc bàn trượt kẹp cũng phải trong suốt theo quan điểm điện từ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Ảnh hưởng của vật liệu làm bàn EUT\r\nvà bàn trượt kẹp có thể là đáng kể ở tần số trên 300 MHz.
\r\n\r\ne) Vị trí được coi là có đủ hiệu lực (xem\r\nchức năng điện của ACTS) nhờ so sánh hệ số kẹp đo được tại hiện trường của ACTS\r\n(CFin-situ) với hệ số kẹp đo được ở hiện trường chuẩn của kẹp hấp\r\nthụ (ACRS) (CForig) sử dụng phương pháp hiệu chuẩn gốc (xem Phụ lục\r\nC). Hiệu giá trị tuyệt đối giữa hai hệ số kẹp hấp thụ phải phù hợp với yêu cầu\r\ndưới đây:
\r\n\r\n∆ACTS = |CForig – CFin-situ| (13)
\r\n\r\nphải:
\r\n\r\n< 2,5 dB trong dải tần từ 30 MHz đến 150\r\nMHz,
\r\n\r\ngiảm dần từ 2,5 dB đến 2 dB trong dải tần từ\r\n150 MHz đến 300 MHz, và
\r\n\r\n< 2 dB trong dải tần từ 300 MHz đến 1000 MHz
\r\n\r\nQui trình đánh giá hiệu lực của vị trí được\r\nqui định chi tiết hơn ở 4.5.4.
\r\n\r\n4.5.4. Phương pháp đánh giá hiệu lực đối với\r\nACTS
\r\n\r\nCác đặc điểm của ACTS được đánh giá hiệu lực\r\nnhư dưới đây:
\r\n\r\n− Yêu cầu vật lý trong 4.5.3a) và 4.5.3b) có\r\nthể được đánh giá hiệu lực bằng cách xem xét.
\r\n\r\n− Chức năng điện của ACTS (yêu cầu 4.5.3e)\r\nphải được đánh giá hiệu lực bằng cách so sánh hệ số kẹp CF của kẹp đã hiệu\r\nchuẩn với hệ số kẹp CFin-situ đo được tại hiện trường, theo "phương\r\npháp hiệu chuẩn gốc" (xem Phụ lục C).
\r\n\r\nKết quả điều tra cho thấy OATS 10 m hoặc SAR\r\ncó hiệu lực đối với phép đo phát bức xạ có thể được xem là vị trí lý tưởng để\r\nthực hiện ACMM. Vì vậy, OATS 10 m hoặc SAR có hiệu lực được chấp nhận là vị trí\r\nchuẩn để đánh giá hiệu lực ACTS. Do đó, nếu OATS 10 m hoặc SAR có hiệu lực được\r\nsử dụng làm vị trí thử nghiệm kẹp thì chức năng điện của vị trí này không cần\r\nđánh giá hiệu lực thêm nữa.
\r\n\r\nQui trình đánh giá hiệu lực về chức năng điện\r\ncủa vị trí thử nghiệm kẹp được mô tả chi tiết ở Phụ lục C.
\r\n\r\n4.6.1. Tổng quan
\r\n\r\nTính năng của kẹp hấp thụ và cơ cấu hấp thụ\r\nthứ cấp có thể thay đổi theo thời gian sử dụng, lão hóa hoặc khuyết tật. Tương\r\ntự, tính năng của ACTS có thể thay đổi do thay đổi kết cấu hoặc do lão hóa.
\r\n\r\nPhương pháp hiệu chuẩn đồ gá và phương pháp\r\nhiệu chuẩn thiết bị chuẩn có thể sử dụng một cách thuận tiện cho qui trình đảm\r\nbảo chất lượng miễn là hệ số kẹp đồ gá và hệ số kẹp thiết bị chuẩn đã biết trước.
\r\n\r\n4.6.2. Kiểm tra đảm bảo chất lượng đối với\r\nACTS
\r\n\r\nDữ liệu về suy giảm vị trí Aref của\r\nACTS xác định tại thời điểm vị trí này có hiệu lực có thể được sử dụng làm chuẩn.
\r\n\r\nSau khoảng thời gian nhất định và sau khi\r\nthay đổi vị trí, phép đo suy giảm vị trí có thể được lặp lại và so sánh các kết\r\nquả này với dữ liệu chuẩn.
\r\n\r\nƯu điểm của phương pháp này là tất cả các\r\nphần tử của ACMM được đánh giá cùng một lần.
\r\n\r\n4.6.3. Kiểm tra đảm bảo chất lượng đối với\r\nkẹp hấp thụ
\r\n\r\nChức năng khử ghép và tính năng hệ số kẹp xác\r\nđịnh tại thời điểm kẹp có hiệu lực có thể sử dụng làm dữ liệu chuẩn.
\r\n\r\nSau các khoảng thời gian nhất định hoặc sau\r\nkhi thay đổi vị trí, các tham số tính năng này có thể được kiểm tra lại bằng cách\r\nđo hệ số khử ghép và đo hệ số kẹp sử dụng phương pháp đồ gá (Phụ lục B).
\r\n\r\n4.6.4. Tiêu chí đạt/không đạt đối với thử\r\nnghiệm đảm bảo chất lượng
\r\n\r\nTiêu chí đạt/không đạt đối với thử nghiệm đảm\r\nbảo chất lượng liên quan đến độ không đảm bảo đo của tham số đo cần xét. Điều\r\nnày nghĩa là thay đổi của tham số cần xét là chấp nhận được nếu thay đổi này\r\nnhỏ hơn một nhân với độ không đảm bảo đo.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image001.jpg\")
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Phương pháp gốc \r\n | \r\n \r\n Vị trí chuẩn của kẹp hấp thụ \r\n | \r\n \r\n Mặt phẳng chuẩn thẳng đứng, rộng và được\r\n cấp tín hiệu bởi máy phát đằng sau mặt phẳng chuẩn này \r\n | \r\n \r\n • Bố trí hiệu chuẩn giống như phép đo thực\r\n tế có EUT lớn \r\n– Khó khăn khi sử dụng mặt phẳng chuẩn\r\n thẳng đứng, rộng \r\n– Yêu cầu vị trí chuẩn (ACRS) \r\n+ Bằng cách xác định, phương pháp này cho\r\n CF trực tiếp vì phương pháp này là phương pháp hiệu chuẩn ban đầu và do đó,\r\n được xem là chuẩn \r\n | \r\n \r\n Hiệu chuẩn trực tiếp kẹp hấp thụ \r\n | \r\n
| \r\n Phương pháp đồ gá \r\n | \r\n \r\n Đồ gá hiệu chuẩn kẹp hấp thụ \r\n | \r\n \r\n Một trong các mặt bích thẳng đứng của đồ gá\r\n và được cấp tín hiệu bởi máy phát đằng sau mặt bích này \r\n | \r\n \r\n – Bố trí hiệu chuẩn không giống như thử\r\n nghiệm thực tế \r\n+ Sử dụng thuận tiện \r\n+ Không yêu cầu vị trí chuẩn (ACRS) \r\n+ Khả năng tái lập tốt \r\n– Không cho CF trực tiếp, CF tính \r\nđược nhờ sử dụng JTF \r\n | \r\n \r\n Hiệu chuẩn gián tiếp kẹp hấp thụ \r\nKiểm tra đảm bảo chất lượng của kẹp \r\n | \r\n
| \r\n Phương pháp thiết bị chuẩn \r\n | \r\n \r\n Vị trí chuẩn của kẹp hấp thụ \r\n | \r\n \r\n Thiết bị chuẩn nhỏ được cấp tín hiệu bởi\r\n máy phát từ đầu phía xa \r\n | \r\n \r\n • Bố trí hiệu chuẩn giống như phép đo thực\r\n tế có EUT lớn \r\n+ Thiết bị chuẩn dễ dàng sử dụng \r\n– Yêu cầu vị trí chuẩn (ACRS) \r\n– Không cho CF trực tiếp, CF tính được nhờ\r\n sử dụng RTF \r\n | \r\n \r\n Hiệu chuẩn gián tiếp kẹp hấp thụ \r\nĐánh giá hiệu lực ACTS \r\nKiểm tra đảm bảo chất lượng của toàn bộ bố\r\n trí đo kẹp \r\n | \r\n
| \r\n CHÚ THÍCH: ACRS là thiết bị OATS hoặc SAR\r\n 10 m đã được đánh giá hiệu lực. \r\n | \r\n ||||
\r\n\r\n
![](\"00910223_files/image002.jpg\")
Chú giải
\r\n\r\nPeut công suất nhiễu của\r\nEUT, tính bằng dBpW
\r\n\r\nVrec điện áp đo được,\r\ntính bằng dBm
CFact hệ số kẹp thực tế,\r\ntính bằng dBpW/m
Prec mức công suất thu được, tính\r\nbằng dBpW.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image003.jpg\")
Chú giải
\r\n\r\n| \r\n CForig, CFjig, CFref \r\n | \r\n \r\n Hệ số kẹp hấp thụ \r\n | \r\n
| \r\n Porig, Pjig, Pref \r\n | \r\n \r\n Đo P tùy thuộc vào phương pháp đánh giá\r\n hiệu lực được sử dụng \r\n | \r\n
| \r\n Pgen \r\n | \r\n \r\n Công suất đầu ra của máy phát và bộ suy\r\n giảm 10 dB \r\n | \r\n
CHÚ THÍCH: Hình 3b, 3c và 3d tương ứng với ba\r\nphương pháp của Bảng 1.
\r\n\r\n\r\n\r\n
A.1. Ví dụ về kết cấu kẹp hấp thụ
\r\n\r\nHình A.1 và A.2 mô tả cụm lắp ráp cơ bản của kẹp.\r\nBa bộ phận chính của kẹp hấp thụ mô tả ở 4.2 là biến dòng C, bộ hấp thụ công suất\r\nvà bộ ổn định trở kháng D và ống bọc ngoài E để hấp thụ. Bộ ổn định trở kháng D\r\ngồm các xuyến ferit còn ống E gồm các xuyến hoặc ống ferit. Lõi của biến dòng C\r\ncó hai hoặc ba xuyến thuộc loại dùng ở D. Cuộn dây thứ cấp của biến dòng là một\r\nvòng cáp đồng trục nhỏ quấn quanh các xuyến và được nối như hình vẽ. Cáp chạy\r\nqua ống E đến đầu nối đồng trục trên kẹp (có thể qua bộ suy giảm 6 dB). C và D\r\nđược đặt gần nhau và thẳng hàng trên cùng một trục để có thể dịch chuyển dọc theo\r\ndây dẫn B cần đo. Vì lý do thực tế, ống E thường được đặt dọc theo bộ hấp thụ\r\nD. Cả D và E dùng để suy giảm các dòng không đối xứng trên dây dẫn đi qua chúng.
\r\n\r\nVí dụ trên Hình A.2 cho thấy một số đặc trưng\r\ncải thiện tính năng của kẹp hấp thụ. Một hình trụ bằng kim loại (1) được đặt\r\nbên trong lõi của biến dòng C để làm nhiệm vụ như một màn chắn điện dung. Hình\r\ntrụ này được chia ra thành hai nửa. Một ống cách điện (2) dùng để tập trung dây\r\ndẫn vào bên trong biến dòng. Ống này kéo dài từ đầu vào của biến dòng đến xuyến\r\nđầu tiên của bộ hấp thụ D, và dùng cho quá trình hiệu chuẩn kẹp và cho dây dẫn\r\ncó đường kính nhỏ.
\r\n\r\nKẹp hấp thụ có thể được cấu trúc để bao trùm\r\ndải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz bằng cách sử dụng xuyến ferit phù hợp.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image004.jpg\")
CHÚ THÍCH: Bộ suy giảm 6 dB và cáp đo là bộ\r\nphận tích hợp của cụm kẹp
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
![](\"00910223_files/image005.gif\")
Chú giải
\r\n\r\nB là dây dẫn cần thử nghiệm
\r\n\r\nC là biến dòng
\r\n\r\nD là ngăn hấp thụ
\r\n\r\nE là ngăn hấp thụ trên cáp từ biến dòng
\r\n\r\n1 là hình trụ kim loại – có hai nửa
\r\n\r\n2 là ống tập trung dây dẫn B
\r\n\r\n3 là bộ nối đồng trục (dùng cho suy giảm 6\r\ndB)
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
B.1. Lời giới thiệu
\r\n\r\nPhụ lục này nêu chi tiết về các phương pháp\r\nhiệu chuẩn và đánh giá hiệu lực khác nhau đối với cụm kẹp hấp thụ và cho cơ cấu\r\nhấp thụ thứ cấp.
\r\n\r\nCác phương pháp hiệu chuẩn hệ số kẹp của kẹp\r\nhấp thụ (xem thêm 4.3) được nêu trong B.2. Các phương pháp đánh giá hiệu lực\r\nchức năng khử ghép DF và DR được nêu trong B.3.
\r\n\r\nB.2. Phương pháp hiệu chuẩn cụm kẹp hấp thụ
\r\n\r\nĐối với cả ba phương pháp, hệ số kẹp (CF) của\r\ncụm kẹp hấp thụ kể cả bộ suy giảm ít nhất là 6 dB và cáp máy thu đều đã được\r\nxác định.Vì việc khử ghép kẹp là không hoàn hảo nên kẹp tương tác với cáp. Do\r\nđó, kiểu và chiều dài của cáp có thể ảnh hưởng đến độ không đảm bảo đo của kết\r\nquả.Vì vậy, phải thực hiện hiệu chuẩn cùng với cáp máy thu.
\r\n\r\nB.2.1. Phương pháp hiệu chuẩn gốc
\r\n\r\nB.2.1.1. Bố trí và thiết bị hiệu chuẩn
\r\n\r\nHình B.1 chỉ ra bố trí hiệu chuẩn. Bố trí\r\nhiệu chuẩn phải được đặt trên ACRS để tránh ảnh hưởng đến môi trường trung gian\r\nxung quanh nó. Nếu ACRS không có mặt phẳng đất bằng kim loại thì yêu cầu có mặt\r\nphẳng đất nằm ngang điển hình 6 m x 2 m.
\r\n\r\nACRS có hiệu lực cho qui trình thử nghiệm là\r\nOATS hoặc SAR có khoảng cách đo 10 m là phù hợp với yêu cầu NSA của CISPR.
\r\n\r\nBố trí hiệu chuẩn gồm có các thành phần dưới\r\nđây:
\r\n\r\n− bàn trượt kẹp có kết cấu là vật liệu không phản\r\nxạ dài khoảng 6 m để đảm bảo rằng dây dẫn cần thử nghiệm cao hơn nền 0,8 m ±\r\n0,05 m. Điều này nghĩa là trong phạm vi kẹp hấp thụ và SAD, LUT nằm cao hơn mặt\r\nphẳng chuẩn vài centimet nữa;
\r\n\r\n− mặt phẳng đất thẳng đứng có kích thước rộng\r\nhơn 2,0 m x 2,0 m, nối với mặt phẳng đất kim loại và có giắc nối kiểu N được\r\nlắp đặt theo trục đối xứng vuông góc của nó ở độ cao 0,87 m. Mặt phẳng đất\r\nthẳng đứng này được định vị sát với mặt trước của bàn trượt kẹp, được gọi là\r\nđiểm chuẩn vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (SRP);
\r\n\r\n− dây dẫn có cách điện dùng cho mục đích thử\r\nnghiệm, có chiều dài 7,0 m ± 0,05 m và làm bằng dây có đường kính 4 mm không kể\r\ncách điện, một đầu dây dẫn được nối (ví dụ, hàn) với giắc lắp đặt. Đầu còn lại\r\ncủa dây dẫn được nối với pha và trung tính của CDN loại M (xem Hình 2 của CISPR\r\n16-1-2), mặt phẳng đất (nằm ngang) bằng kim loại; đầu đo CDN được nối với điện\r\ntrở 50 Ω (vì lý do an toàn, CDN không được nối với điện lưới). CDN cung cấp\r\ntrở kháng không đối xứng ổn định yêu cầu ở đầu phía xa của dây dẫn cần thử\r\nnghiệm trong dải tần từ 40 MHz đến 50 MHz;
\r\n\r\n− cơ cấu giữ chặt không phải bằng kim loại\r\ntại đầu còn lại của bàn trượt kẹp, để nắn thẳng dây dẫn cần thử nghiệm;
\r\n\r\n− cơ cấu hấp thụ thứ cấp (SAD), được định vị\r\ntrên bàn trượt kẹp cách kẹp cần hiệu chuẩn là 50 mm. Cơ cấu hấp thụ thứ cấp có thể\r\nlà kẹp ferit (trượt) có chức năng khử ghép DF lớn hơn hoặc bằng với chức năng\r\nxác định ở điều 4;
\r\n\r\n− bộ đệm bằng vật liệu trong suốt về mặt điện\r\ntừ, đặt gần mặt phẳng thẳng đứng để đảm bảo rằng CRP không khi nào nhỏ hơn 150\r\nmm so với mặt phẳng đất thẳng đứng.
\r\n\r\nMáy thu hoặc máy phân tích mạng được sử dụng để\r\nđo đầu ra của máy phát và đầu ra kẹp. Mức tín hiệu đo được phải cao hơn 40 dB\r\nso với tín hiệu xung quanh đo được tại đầu ra kẹp hấp thụ khi ngắt máy phát. Độ\r\nkhông tuyến tính của hệ thống đo phải nhỏ hơn 0,1 dB.
\r\n\r\nLà phép đo chuẩn nên đầu ra máy phát tự hiệu\r\nchỉnh của máy thu hoặc bộ phân tích mạng (NA) được nối bằng cáp đồng trục thông\r\nqua bộ suy giảm 10 dB đến đầu vào của NA.
\r\n\r\nB.2.1.2. Qui trình hiệu chuẩn
\r\n\r\nChi tiết dẫn hướng phi kim loại dùng cho dây\r\ndẫn cần thử nghiệm được lắp ở phía ngoài của kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây\r\ndẫn đi qua tâm của biến dòng (xem Hình B.2).
\r\n\r\nCả hai loại kẹp, kẹp cần thử nghiệm và kẹp\r\nhấp thụ thứ cấp (SAD), được định vị trên bàn trượt kẹp như chỉ ra trên Hình\r\nB.1. Biến dòng của kẹp cần thử nghiệm được đặt sao cho cạnh của nó hướng về\r\nphía mặt phẳng đất thẳng đứng. Mép phía trước của biến dòng là điểm kẹp chuẩn\r\nvà phải được nhà chế tạo đánh dấu. Kẹp được định vị ở khoảng cách 150 mm giữa\r\nCRP và mặt phẳng đất thẳng đứng. Dây dẫn cần thử nghiệm đi xuyên qua cả hai kẹp\r\nvà cần được nắn thẳng nhẹ nhàng bằng cơ cấu kẹp phi kim loại thích hợp tại một\r\nđầu bàn trượt kẹp. Dây dẫn cần thử nghiệm không được chạm vào mặt phẳng đất\r\nbằng kim loại trước khi nó được nối với CDN.
\r\n\r\nĐầu ra của NA được nối với giắc lắp đặt bằng một\r\ncáp đồng trục và bộ suy giảm 10 dB. Cáp máy thu của kẹp hấp thụ được nối với\r\nđầu vào của NA.
\r\n\r\nĐộ suy giảm vị trí được đo ở ít nhất là đến\r\n60 MHz theo các bước là 1 MHz, đến 120 MHz theo bước là 2 MHz, đến 300 MHz theo\r\nbước là 5 MHz và trên 300 MHz theo bước là 10 MHz.
\r\n\r\nĐộ suy giảm vị trí nhỏ nhất được đo trong khi\r\nhai loại kẹp (kẹp hấp thụ và SAD) được di chuyển cùng nhau với tốc độ thích hợp\r\ndọc bàn trượt kẹp. Các kẹp này có thể được kéo bằng dây phi kim loại. Tốc độ di\r\nchuyển kẹp phải tạo ra độ suy giảm vị trí cần đo tần số ở các khoảng nhỏ hơn 10\r\nmm.
\r\n\r\nHệ số kẹp CForig của cụm kẹp hấp\r\nthụ được tính từ độ suy giảm vị trí kẹp, sử dụng công thức (5) của 4.3.
\r\n\r\nB.2.2. Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá
\r\n\r\nB.2.2.1. Yêu cầu kỹ thuật của đồ gá hiệu\r\nchuẩn kẹp hấp thụ
\r\n\r\nNhư mô tả trong điều 4, đồ gá hiệu chuẩn kẹp\r\nhấp thụ có thể được dùng để hiệu chuẩn kẹp hấp thụ. Đồ gá được dùng để đo tổn\r\nhao do có kẹp hấp thụ cùng với SAD trong hệ thống đo 50 Ω. Chú ý rằng trở kháng\r\nđặc điểm của riêng đồ gá không phải là 50 Ω. Phép đo bằng đồ gá để đo tổn hao\r\nnày cách ly với môi trường. Yêu cầu kỹ thuật về kích thước đồ gá và bố trí kẹp\r\nđược cho trong Hình B.3 đến B.5.
\r\n\r\nB.2.2.2. Qui trình hiệu chuẩn
\r\n\r\nLắp một dẫn hướng phi kim loại dùng cho dây\r\ndẫn cần thử nghiệm ở mặt trước của kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây dẫn đi qua\r\ntâm của đầu dò dòng điện (Hình B.2). Sau đó định vị kẹp hấp thụ vào đồ gá để\r\nđiểm kẹp chuẩn (CRP) của kẹp hấp thụ cách mặt bích thẳng đứng 30 mm như chỉ ra\r\ntrong Hình B.3 và B.4. Khoảng cách 30 mm này cũng được sử dụng cho một đầu của SAD\r\nđến mặt bích thẳng đứng còn lại. Dây dẫn cần thử nghiệm được nối với ổ cắm ở\r\nmặt bích thẳng đứng nhờ phích cắm.
\r\n\r\nTổn hao do có kẹp hấp thụ và SAD được đo bằng\r\ncách sử dụng NA. Mức tín hiệu đo được phải cao hơn tín hiệu xung quanh 40 dB đo\r\ntại đầu ra của kẹp hấp thụ. Độ không tuyến tính của phép đo tổn hao này phải\r\nnhỏ hơn 0,1 dB.
\r\n\r\nĐầu ra của NA được nối qua cáp đồng trục và\r\nbộ suy giảm 10 dB đến đầu vào của NA để hiệu chuẩn bố trí đo.
\r\n\r\nSau khi hiệu chuẩn bố trí đo, đầu ra của NA được\r\nnối qua cáp đồng trục và bộ suy giảm 10 dB đến giắc lắp đặt ở phía đồ gá mà tại\r\nđó CRP của kẹp đã được định vị. Giắc lắp đặt đối diện CRP đã đấu nối có điện\r\ntrở 50 Ω. Đầu ra của kẹp hấp thụ được nối qua bộ suy giảm 6 dB và cáp máy thu\r\nđến đầu vào của NA.
\r\n\r\nSau đó, tổn hao do có kẹp hấp thụ và SAD được\r\nđo ở tần số tối thiểu là đến 60 MHz theo các bước là 1 MHz, đến 120 MHz theo bước\r\nlà 2 MHz, đến 300 MHz theo bước là 5 MHz và trên 300 MHz theo bước là 10 MHz.
\r\n\r\nHệ số kẹp CFjig được tính từ tổn\r\nhao do có kẹp hấp thụ và SAD sử dụng công thức (7). Nhà chế tạo phải xác định\r\nít nhất là hệ số truyền của đồ gá JTF, được xác định ở 4.3, công thức (11), cho\r\nphép tính được CForig cho loại kẹp hấp thụ này.
\r\n\r\nB.2.3. Phương pháp hiệu chuẩn thiết bị chuẩn
\r\n\r\nB.2.3.1. Yêu cầu kỹ thuật và sử dụng thiết bị\r\nchuẩn và vị trí thử nghiệm
\r\n\r\nThiết bị chuẩn phải có khả năng kích thích\r\nbằng cách ghép nối điện dung một dòng điện xác định trên dây dẫn cần thử\r\nnghiệm, không phụ thuộc vào môi trường, điện áp cung cấp và thiết bị đo. Điều\r\nnày được đảm bảo khi thiết bị chuẩn được cấp điện áp RF qua cáp đồng trục qua bộ\r\nsuy giảm 10 dB. Thiết bị chuẩn có kết cấu bằng vật liệu giống như tấm mạch in\r\nmột mặt. ở giữa tấm mạch in, có bộ nối đồng trục được lắp theo cách sao cho chỉ\r\ncó chân ở giữa được nối vào lá đồng. Bộ nối đồng trục được nối với bộ suy giảm\r\n10 dB (xem Hình B.7). Phải sử dụng cáp bọc kim hai lớp để nối thiết bị chuẩn\r\nnày để đảm bảo rằng dòng điện không đối xứng cảm ứng trên dây dẫn cần thử nghiệm\r\nlà do thiết bị chuẩn sinh ra chứ không phải do rò trực tiếp bên trong cáp.
\r\n\r\nThiết bị chuẩn thay thế cho mặt phẳng đất\r\nthẳng đứng trong qui trình hiệu chuẩn gốc trên ACRS. Bố trí hiệu chuẩn được chỉ\r\nra trên Hình B.6. Vị trí thích hợp cho phương pháp hiệu chuẩn này là ACRS. ACRS\r\ncó hiệu lực cho qui trình hiệu chuẩn này là OATS hoặc SAR với khoảng cách đo 10\r\nm là phù hợp với yêu cầu NSA của CISPR.
\r\n\r\nB.2.3.2. Qui trình hiệu chuẩn
\r\n\r\nLắp một dẫn hướng phi kim loại dùng cho dây\r\ndẫn cần thử nghiệm ở phía ngoài của kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây dẫn đi\r\nqua tâm của biến dòng (Hình B.2).
\r\n\r\nCả kẹp cần thử nghiệm và kẹp (ferit) thứ cấp\r\n(SAD), được định vị trên bàn trượt kẹp như chỉ ra trên Hình B.7. Biến dòng của kẹp\r\ncần thử nghiệm được đặt sao cho cạnh hướng về phía thiết bị chuẩn của nó, được\r\nđịnh vị tại SRP của bàn trượt kẹp. Mép phía trước của biến dòng là điểm kẹp\r\nchuẩn và phải được nhà chế tạo đánh dấu trên vỏ của kẹp. Kẹp được định vị ở\r\nkhoảng cách 150 mm giữa CRP và thiết bị chuẩn. Nắn thẳng nhẹ nhàng dây dẫn cần\r\nthử nghiệm (cáp đồng trục từ bộ phân tích mạng) đi qua cả hai kẹp bằng một cơ\r\ncấu kẹp phi kim loại thích hợp tại một đầu của bàn trượt kẹp.
\r\n\r\nCáp đồng trục (dây dẫn cần thử nghiệm) và bộ suy\r\ngiảm 10 dB được nối với đầu ra của NA. Cáp máy thu của kẹp hấp thụ được nối với\r\nđầu vào của NA.
\r\n\r\nSuy giảm vị trí được đo ở ít nhất là đến 60\r\nMHz theo các bước là 1 MHz, đến 120 MHz theo bước là 2 MHz, đến 300 MHz theo bước\r\nlà 5 MHz và trên 300 MHz theo bước là 10 MHz.
\r\n\r\nSuy giảm vị trí nhỏ nhất được đo trong khi\r\nhai loại kẹp được di chuyển với tốc độ thích hợp trong khoảng từ 150 mm đến xấp\r\nxỉ 4,5 m so với thiết bị chuẩn. Các kẹp này có thể được kéo bằng dây phi kim\r\nloại. Tốc độ di chuyển kẹp phải cho phép đo được tổn hao do có kẹp và SAD ở mỗi\r\ntần số tại các khoảng nhỏ hơn 10 mm.
\r\n\r\nHệ số kẹp CF của cụm kẹp hấp thụ được tính từ\r\nđộ suy giảm vị trí đo được nhỏ nhất, sử dụng công thức (9) của 4.3.
\r\n\r\nÍt nhất nhà chế tạo phải xác định được hệ số\r\ntruyền của thiết bị chuẩn RTF, được xác định ở 4.3 theo công thức (12), để tính\r\nđược CForig cho loại kẹp hấp thụ này.
\r\n\r\nB.2.4. Độ không đảm bảo đo của hiệu chuẩn kẹp\r\nhấp thụ
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo đo hiệu chuẩn cần được nêu\r\ntrong báo cáo hiệu chuẩn. Báo cáo hiệu chuẩn phải xem xét các yếu tố không đảm\r\nbảo dưới đây.
\r\n\r\n− Phương pháp hiệu chuẩn gốc:
\r\n\r\n• độ không đảm bảo đo của thiết bị đo,
\r\n\r\n• không tương xứng giữa đầu ra của kẹp hấp\r\nthụ (có bộ suy giảm 6 dB và cáp máy thu) và thiết bị đo, và
\r\n\r\n• khả năng tái lập của các lần hiệu chuẩn, kể\r\ncả các yếu tố như định tâm dây dẫn cần thử nghiệm trong biến dòng và dẫn hướng\r\ncáp máy thu đến bộ phân tích mạng.
\r\n\r\nKẹp hấp thụ phải đáp ứng yêu cầu tối thiểu về\r\nhệ số khử ghép DF và DR.
\r\n\r\n− Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá
\r\n\r\n• độ không đảm bảo đo của hệ số kẹp CF,
\r\n\r\n• độ không đảm bảo đo của thiết bị đo,
\r\n\r\n• không tương xứng giữa đầu ra của kẹp hấp\r\nthụ (có bộ suy giảm 6 dB và cáp máy thu) và thiết bị đo, và
\r\n\r\n• khả năng tái lập của các lần hiệu chuẩn, kể\r\ncả các yếu tố như định tâm dây dẫn cần thử nghiệm trong biến dòng.
\r\n\r\nKẹp hấp thụ phải đáp ứng yêu cầu tối thiểu về\r\nhệ số khử ghép DF và DR.
\r\n\r\n− Phương pháp hiệu chuẩn thiết bị chuẩn
\r\n\r\n• độ không đảm bảo đo của hệ số kẹp CF,
\r\n\r\n• độ không đảm bảo đo của thiết bị đo,
\r\n\r\n• không tương xứng giữa đầu ra của kẹp hấp\r\nthụ (có bộ suy giảm 6 dB và cáp máy thu) và thiết bị đo, và
\r\n\r\n• khả năng tái lập của các lần hiệu chuẩn, kể\r\ncả các yếu tố như định tâm dây dẫn cần thử nghiệm trong biến dòng và dẫn hướng\r\ncáp máy thu đến bộ phân tích mạng.
\r\n\r\nKẹp hấp thụ phải đáp ứng yêu cầu tối thiểu về\r\nhệ số khử ghép DF và DR.
\r\n\r\nHướng dẫn chi tiết về việc xác định độ không đảm\r\nbảo đo của phương pháp hiệu chuẩn kẹp được nêu ở CISPR 16-4-2.
\r\n\r\nB.3. Phương pháp đánh giá hiệu lực của chức\r\nnăng khử ghép
\r\n\r\nB.3.1. Hệ số khử ghép DF của kẹp hấp thụ có\r\ncơ cấu hấp thụ thứ cấp
\r\n\r\nPhương pháp đo hệ số khử ghép áp dụng cho kẹp\r\nhấp thụ có cơ cấu hấp thụ thứ cấp là yêu cầu đối với nhà chế tạo kẹp và là tùy\r\nchọn cho các đề xuất quản lý chất lượng.
\r\n\r\nHệ số khử ghép DF được đo bằng đồ gá hiệu\r\nchuẩn kẹp (xem Hình B.3, B.4 và B.5). Phép đo hệ số khử ghép DF sử dụng hệ\r\nthống đo 50 Ω cho cả phép đo chuẩn và phép đo có thiết bị cần thử nghiệm. Chuẩn\r\nvới đồ gá rỗng sẽ cho các giá trị đo không thực tế, vì trở kháng của đồ gá thay\r\nđổi khi kẹp được đưa vào đồ gá. Chú ý rằng trở kháng của đồ gá rỗng không phải\r\nlà hệ thống 50 Ω.
\r\n\r\nQui trình đo hệ số khử ghép DF như sau. Hình\r\nB.8 chỉ ra hai bước đo cần thiết khi sử dụng bộ phân tích phổ. Đầu tiên, thực\r\nhiện phép đo chuẩn. Đầu ra của máy phát được đo qua hai bộ suy giảm 10 dB. Sau đó\r\nđo đầu ra Pref. Sau khi định vị kẹp hấp thụ với SAD như mô tả trong B.2.2.2.\r\nTại hai mối nối của đồ gá, đặt bộ suy giảm 10 dB. Khoảng cách giữa mặt bích\r\nthẳng đứng của đồ gá và điểm chuẩn của thiết bị cần thử nghiệm (CRP trong trường\r\nhợp là kẹp) và một đầu của kẹp phải là 30 mm. Sau đó, đo đầu ra Pfil.\r\nHệ số khử ghép DF được xác định như sau:
\r\n\r\nDF = Pref – Pfil (B.1)
\r\n\r\nHệ số khử ghép dùng cho kẹp hấp thụ có SAD\r\nphải ít nhất là 21 dB trên toàn bộ băng tần cần xét.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thông tin thêm, DF của SAD đo\r\nriêng rẽ nên có giá trị xấp xỉ 15 dB.
\r\n\r\nPhép đo này cũng có thể được thực hiện với\r\nNA. Trong trường hợp này, có thể bỏ qua việc áp dụng bộ suy giảm nếu thực hiện\r\nhiệu chuẩn NA tại giao diện nối với đồ gá.
\r\n\r\nB.3.2. Hệ số khử ghép DR của kẹp hấp thụ
\r\n\r\nHệ số khử ghép DR được đo bằng đồ gá hiệu\r\nchuẩn kẹp (xem Hình B.3, B.4 và B.5) là một yêu cầu đối với nhà chế tạo kẹp và\r\nlà lựa chọn để đề nghị đánh giá quản lý chất lượng.
\r\n\r\nQui trình dùng cho phép đo hệ số khử ghép DR\r\nnhư sau (xem Hình B.8 và B.9). Đối với phép đo điện áp không đối xứng trên cáp\r\nđồng trục từ biến dòng, kẹp hấp thụ không có SAD được định vị trong đồ gá như\r\nmô tả trong B.2.2.2. Đầu ra cần đo được nối với CDN loại A (xem CISPR 16-1-2, Hình\r\nC.1) qua cáp đồng trục ngắn. CDN được định vị trên mặt phẳng đất kim loại. Tải\r\n50 Ω phải được dùng để kết thúc đấu nối của đồ gá tại phía đối diện của CRP của\r\ncác kẹp.
\r\n\r\nHình B.8, bước 1 chỉ ra phép đo chuẩn cần thiết\r\nkhi sử dụng bộ phân tích phổ. Đầu ra của máy phát được đo qua hai bộ suy giảm\r\n10 dB. Sau đó đo đầu ra Pref.
\r\n\r\nSau đó, kẹp hấp thụ được bố trí như chỉ ra\r\ntrên Hình B.9. Máy phát được nối với đồ gá (tại phía gần nhất với CRP của kẹp)\r\nqua bộ suy giảm 10 dB. Mối nối còn lại của đồ gá được kết thúc bằng tải 50 Ω.\r\nĐầu ra của kẹp được nối với CDN. Đầu ra cần đo của CDN được nối với máy thu qua\r\nbộ suy giảm 10 dB.
\r\n\r\nĐầu ra của CDN được kết thúc bằng 50 Ω. Sau đó,\r\nđo đầu ra Pfil. Hệ số khử ghép DR được xác định như sau:
\r\n\r\nDR = Pref – Pfil (B.2)
\r\n\r\nHệ số khử ghép dùng cho kẹp hấp thụ phải ít\r\nnhất là 30 dB trên toàn bộ băng tần cần xét. 30 dB gồm có độ suy giảm 20,5 dB\r\ntừ kẹp hấp thụ và 9,5 dB từ CDN.
\r\n\r\nPhép đo này cũng có thể được thực hiện cho\r\nNA. Trong trường hợp này, có thể bỏ qua việc áp dụng bộ suy giảm nếu thực hiện\r\nhiệu chuẩn NA tại giao diện nối với đồ gá và CDN.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image006.gif\")
![](\"00910223_files/image007.gif\")
Khi sử dụng cáp đồng trục đối với thiết bị\r\nchuẩn, rãnh phải vừa với đường kính cáp đồng trục.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image008.jpg\")
![](\"00910223_files/image009.jpg\")
Các mặt đáy phải được liên kết về điện với\r\nmặt phẳng đất.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image011.gif\")
![](\"00910223_files/image012.gif\")
![](\"00910223_files/image013.jpg\")
![](\"00910223_files/image014.jpg\")
![](\"00910223_files/image015.gif\")
Pfil = P suy giảm đo được bằng bộ\r\nlọc hấp thụ
\r\n\r\n\r\n\r\n
C.1. Lời giới thiệu
\r\n\r\nPhụ lục này nêu chi tiết phương pháp đánh giá\r\nhiệu lực vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ.
\r\n\r\nVị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS) phải được\r\nkiểm tra bằng cách so sánh hệ số kẹp CF của kẹp hiệu chuẩn với hệ số kẹp đo được\r\nở hiện trường tại ACTS CFin-situ sử dụng phương pháp hiệu chuẩn gốc (xem 4.3 và\r\nPhụ lục B).
\r\n\r\nC.2. Yêu cầu về thiết bị đối với đánh giá\r\nhiệu lực
\r\n\r\nPhương pháp gốc (xem Phụ lục B.2.1) có mặt phẳng\r\nđất thẳng đứng và dây dẫn cần thử nghiệm qui định được sử dụng để tạo ra dòng\r\nđiện phương thức chung xác định trên dây dẫn cần thử nghiệm. Dòng điện phương\r\nthức chung này có thể bị ảnh hưởng bởi môi trường của ACTS, có thể khác với\r\nACRS.
\r\n\r\nC.3. Qui trình đo đánh giá hiệu lực
\r\n\r\nQui trình hiệu chuẩn dưới đây được tiến hành\r\ntrên ACTS cần đánh giá hiệu lực.
\r\n\r\n Qui trình đo suy giảm vị trí
• Bước 1 – Phép đo chuẩn của công suất máy\r\nphát
\r\n\r\nĐầu tiên, để làm chuẩn, sử dụng một máy thu\r\nđể đo trực tiếp công suất ra Pgen của máy phát RF thông qua cáp và\r\nbộ suy giảm 10 dB (Hình C.1a). Tiếp đó, sử dụng một trong ba phương pháp dưới\r\nđây để đo bằng kẹp công suất nhiễu của cũng máy phát RF đó và bộ suy giảm 10 dB\r\ntrên.
\r\n\r\nĐầu tiên, để làm chuẩn, công suất đầu ra Pgen\r\ncủa máy phát được đo trực tiếp qua cáp được sử dụng và bộ suy giảm 10 dB sử\r\ndụng máy thu (Hình C.1a).
\r\n\r\n• Bước 2 – Đo hệ số kẹp tại hiện trường trên\r\nACTS
\r\n\r\nTiếp theo, sử dụng chế độ đặt máy phát và bộ suy\r\ngiảm tương tự và bố trí cho trong Hình C.1b để đo công suất nhiễu lớn nhất Pref\r\ntrên LUT.
\r\n\r\nKẹp cần thử nghiệm và kẹp hấp thụ thứ cấp\r\n(SAD), được định vị trên bàn trượt kẹp như chỉ ra trên Hình C.1. Điểm kẹp chuẩn\r\ncủa kẹp cần thử nghiệm được đặt theo hướng của mặt phẳng đất thẳng đứng. Mặt\r\nphẳng đất thẳng đứng được định vị tại SRP của bàn trượt kẹp. Dẫn hướng phi kim\r\nloại dùng cho LUT được gắn trên phía ngoài của kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để\r\ndây dẫn đi qua tâm của biến dòng (Hình B.2). Kẹp được định vị ở khoảng cách 150\r\nmm giữa CRP và mặt phẳng đất thẳng đứng. Dây dẫn cần thử nghiệm đi xuyên qua cả\r\nhai kẹp và cần được nắn thẳng nhẹ nhàng bằng một cơ cấu kẹp phi kim loại thích hợp\r\ntại một đầu bàn trượt kẹp. Dây dẫn cần thử nghiệm được nối với giắc lắp đặt trên\r\nmặt phẳng đất thẳng đứng.
\r\n\r\nĐầu ra của NA được nối với giắc lắp đặt tại\r\nmặt phẳng đất thẳng đứng qua bộ suy giảm 10 dB. Cáp máy thu của kẹp hấp thụ được\r\nnối với đầu vào của NA.
\r\n\r\nTín hiệu được đo tại tần số ít nhất là đến 60\r\nMHz theo các bước là 1 MHz, đến 120 MHz theo bước là 2 MHz, đến 300 MHz theo bước\r\nlà 5 MHz và trên 300 MHz theo bước là 10 MHz.
\r\n\r\nCông suất nhiễu lớn nhất được đo trong khi di\r\nchuyển kẹp với tốc độ thích hợp trong khoảng từ 150 mm đến xấp xỉ 4,5 m từ mặt\r\nphẳng thẳng đứng. Các kẹp này có thể được kéo bằng phương tiện là dây phi kim\r\nloại. Tốc độ tại đó kẹp được di chuyển phải cho phép đo được tổn hao do có kẹp\r\nvà SAD ở mỗi tần số tại các khoảng nhỏ hơn 10 mm.
\r\n\r\n• Bước 3 – Tính hệ số kẹp tại hiện trường
\r\n\r\nHệ số kẹp tại hiện trường (tính bằng dB) của vị\r\ntrí cần thử nghiệm (ACTS) có thể xác định được bằng công thức dưới đây:
\r\n\r\nCFin-situ = (Pgen – Pref)\r\n– 17 (C.1)
\r\n\r\nViệc xác định CForig và CFin-situ\r\nnày có thể được thực hiện bởi phòng thử nghiệm đã có hoặc bên thứ ba (phòng\r\nthử nghiệm hiệu chuẩn).
\r\n\r\nC.4. Đánh giá hiệu lực của ACTS
\r\n\r\nHệ số kẹp hấp thụ CForig phải được\r\nso sánh với hệ số kẹp tại hiện trường CFin-situ. Tiêu chí chấp nhận\r\nđể đánh giá hiệu lực của ACTS được nêu trong công thức (13) (xem 4.5.3) nếu\r\nphép đo đánh giá hiệu lực và qui trình hiệu chuẩn (C.3 và B.2.1) được thực hiện\r\nbởi phòng thử nghiệm sẵn có với điều kiện là yêu cầu về độ không đảm bảo đo nêu\r\nở C.5 được đáp ứng.
\r\n\r\nNếu hệ số kẹp được bên thứ ba xác định thì\r\ntiêu chí chấp nhận dùng cho đánh giá hiệu lực được thay đổi như sau:
\r\n\r\n< 3 dB trong dải tần từ 30 MHz đến 150\r\nMHz,
\r\n\r\ngiảm dần từ 3 dB đến 2,5 dB trong dải từ từ\r\n150 MHz đến 300 MHz, và
\r\n\r\n< 2 dB trong dải tần từ 300 MHz đến 1000 MHz
\r\n\r\nC.5. Độ không đảm bảo đo của phương pháp đánh\r\ngiá hiệu lực ACTS
\r\n\r\nĐộ không đảm bảo đo của đánh giá hiệu lực phụ\r\nthuộc vào:
\r\n\r\n− độ không đảm bảo đo của thiết bị đo
\r\n\r\n− không phù hợp giữa đầu ra của kẹp hấp thụ\r\n(có bộ suy giảm 6 dB) và thiết bị đo, và
\r\n\r\n− khả năng tái lập của các lần hiệu chuẩn, kể\r\ncả các yếu tố như định tâm dây dẫn cần thử nghiệm trong biến dòng và dẫn hướng\r\ncáp máy thu đến bộ phân tích mạng.
\r\n\r\nĐối với qui trình đánh giá hiệu lực của kẹp,\r\nphải tính đến các yêu cầu về độ không đảm bảo đo được đề cập ở trên.
\r\n\r\n![](\"00910223_files/image017.jpg\")
![](\"00910223_files/image018.gif\")
Lời nói đầu
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3. Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\n4. Thiết bị đo dùng kẹp hấp thụ
\r\n\r\n4.1. Lời giới thiệu
\r\n\r\n4.2. Cụm kẹp hấp thụ
\r\n\r\n4.3. Các phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ\r\nvà mối liên quan giữa chúng
\r\n\r\n4.4. Cơ cấu hấp thụ thứ cấp
\r\n\r\n4.5. Vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS)
\r\n\r\n4.6. Qui trình đảm bảo chất lượng đối với hệ\r\nthống đo dùng kẹp hấp thụ
\r\n\r\nPhụ lục A (tham khảo) – Kết cấu của kẹp hấp\r\nthụ
\r\n\r\nPhụ lục B (qui định) – Phương pháp hiệu chuẩn\r\nvà đánh giá hiệu lực đối với kẹp hấp thụ và thiết bị hấp thụ thứ cấp
\r\n\r\nPhụ lục C (qui định) – Đánh giá hiệu lực vị\r\ntrí thử nghiệm kẹp hấp thụ
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6989-1-3:2008 (CISPR 16-1-3 : 2004) về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-3: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị phụ trợ – Công suất nhiễu đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6989-1-3:2008 (CISPR 16-1-3 : 2004) về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-3: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị phụ trợ – Công suất nhiễu
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN6989-1-3:2008 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2008-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |