KỸ THUẬT THỬ NGHIỆM ĐIỆN ÁP CAO –
\r\n\r\nPHẦN 1: ĐỊNH NGHĨA CHUNG VÀ YÊU CẦU THỬ NGHIỆM
\r\n\r\nHigh-voltage\r\ntest techniques-
\r\n\r\nPart\r\n1: General definitions and test requirements
\r\n\r\nLời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 6099-1 : 2007 thay thế TCVN\r\n6099-1 : 1996 và TCVN 6099-2 : 1996;
\r\n\r\nTCVN 6099-1 : 2007 hoàn toàn tương\r\nđương với tiêu chuẩn IEC 60060-1 : 1989;
\r\n\r\nTCVN 6099-1 : 2007 do Ban kỹ thuật\r\ntiêu chuẩn TCVN/TC/E1 Máy điện khí cụ điện biên soạn, Tổng cục Tiêu\r\nchuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\n\r\n\r\n
KỸ\r\nTHUẬT THỬ NGHIỆM ĐIỆN ÁP CAO –
\r\n\r\nPHẦN\r\n1: ĐỊNH NGHĨA CHUNG VÀ YÊU CẦU THỬ NGHIỆM
\r\n\r\nHigh-voltage\r\ntest techniques-
\r\n\r\nPart\r\n1: General definitions and test requirements
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\nTiêu chuẩn này áp dụng cho:
\r\n\r\n- thử nghiệm điện môi bằng điện áp\r\nmột chiều;
\r\n\r\n- thử nghiệm điện môi bằng điện áp\r\nxoay chiều;
\r\n\r\n- thử nghiệm điện môi bằng điện áp\r\nxung;
\r\n\r\n- thử nghiệm bằng dòng điện xung;
\r\n\r\n- phối hợp các thử nghiệm trên.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này chỉ áp dụng cho các\r\nthử nghiệm trên các thiết bị có điện áp cao nhất dùng cho thiết bị là Um\r\nlớn hơn 1 kV.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này không áp dụng cho\r\ncác thử nghiệm tương thích điện từ trên các thiết bị điện hoặc điện tử.
\r\n\r\n\r\n\r\nMục đích của tiêu chuẩn này là:
\r\n\r\n- xác định về khả năng áp dụng\r\nchung và riêng;
\r\n\r\n- đưa ra các yêu cầu chung liên\r\nquan đến đối tượng thử nghiệm và qui trình thử nghiệm;
\r\n\r\n- mô tả các phương pháp tạo và đo\r\ncác điện áp và dòng điện thử nghiệm;
\r\n\r\n- mô tả các qui trình thử nghiệm;
\r\n\r\n- mô tả phương pháp đánh giá kết\r\nquả thử nghiệm và chỉ ra tiêu chí chấp nhận hoặc không chấp nhận.
\r\n\r\nCác định nghĩa và các yêu cầu liên\r\nquan đến các dụng cụ đo được công nhận và phương pháp kiểm tra được cho trong\r\nTCVN 6099-2 (IEC 60060-2), Kỹ thuật thử nghiệm điện áp cao – Hệ thống đo.
\r\n\r\nCó thể cần các qui trình thử nghiệm\r\nthay thế để thu được các kết quả có khả năng lặp lại và có ý nghĩa.
\r\n\r\nViệc lựa chọn qui trình thử nghiệm\r\nthích hợp cần được tiến hành bởi Ban kỹ thuật có liên quan.
\r\n\r\n\r\n\r\n3. xung\r\n(impulses)
\r\n\r\nđiện áp hoặc dòng điện quá độ không\r\nchu kỳ được đặt có chủ ý, thường tăng nhanh đến giá trị đỉnh và sau đó giảm\r\nchậm hơn về không (0)
\r\n\r\nVới mục đích riêng, có thể sử dụng\r\ncác xung có đầu sóng tăng gần tuyến tính hoặc các quá độ dạng dao động hoặc\r\ndạng gần hình chữ nhật.
\r\n\r\nThuật ngữ “xung” cần được phân biệt\r\nvới thuật ngữ “tăng đột biến” liên quan đến quá độ xuất hiện trong thiết bị\r\nđiện hoặc các mạng lưới đang vận hành.
\r\n\r\n3.1. xung sét và xung đóng cắt\r\n(lightning and switching impulses)
\r\n\r\nsự phân biệt giữa xung sét và xung\r\nđóng cắt được dựa vào độ rộng đầu sóng. Xung có độ rộng đầu sóng đến 20 ms được coi là xung sét và các xung có độ\r\nrộng đầu sóng dài hơn được coi là xung đóng cắt.
\r\n\r\nThông thường, xung đóng cắt còn\r\nđược đặc trưng bởi độ rộng tổng dài hơn đáng kể so với độ rộng tổng của xung\r\nsét.
\r\n\r\n4. Đặc điểm\r\nliên quan đến phóng điện đánh thủng và điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n4.1. Phóng điện đánh thủng\r\n(disruptive discharge)
\r\n\r\nTrong tiêu chuẩn này, thuật ngữ\r\n“phóng điện đánh thủng” (đôi khi còn gọi là “sự đánh thủng về điện”) có liên\r\nquan đến các hiện tượng kết hợp với hỏng cách điện dưới tác dụng của ứng suất\r\nđiện, trong đó phóng điện nối tắt hoàn toàn cách điện đang thử nghiệm, làm giảm\r\nđiện áp giữa các điện cực gần như về “không”. Điều này áp dụng cho sự đánh\r\nthủng về điện trong các điện môi rắn, lỏng, khí và tổ hợp của chúng.
\r\n\r\nCó thể xảy ra phóng điện đánh thủng\r\nkhông duy trì khi đối tượng thử nghiệm bị nối tắt tạm thời bởi tia lửa điện\r\nhoặc hồ quang. Trong quá trình trên, điện áp trên đối tượng thử nghiệm bị giảm\r\ntạm thời về “không” hoặc tới một giá trị rất nhỏ. Tùy thuộc vào các đặc điểm\r\ncủa mạch thử nghiệm và đối tượng thử nghiệm, sự phục hồi về độ bền điện môi có\r\nthể xảy ra và thậm chí cho phép điện áp thử nghiệm đạt tới một giá trị cao hơn.\r\nHiện tượng này được giải thích như một phóng điện đánh thủng nếu không có qui\r\nđịnh nào khác của Ban kỹ thuật liên quan.
\r\n\r\nPhóng điện không đánh thủng như\r\nphóng điện giữa các điện cực hoặc dây dẫn trung gian có thể xảy ra mà không có\r\nviệc giảm điện áp thử nghiệm về “không”. Hiện tượng này không được coi là phóng\r\nđiện đánh thủng trừ khi Ban kỹ thuật liên quan qui định là phóng điện đánh\r\nthủng.
\r\n\r\nMột số phóng điện không đánh thủng\r\nđược gọi là “phóng điện cục bộ” và được đề cập trong IEC 60270: Đo phóng điện\r\ncục bộ.
\r\n\r\nThuật ngữ “phóng điện tia lửa” được\r\ndùng khi phóng điện đánh thủng xuất hiện trong môi trường chất khí hoặc lỏng.
\r\n\r\nThuật ngữ “phóng điện bề mặt” được\r\ndùng khi phóng điện đánh thủng xảy ra trên bề mặt của điện môi trong môi chất\r\nkhí hoặc lỏng
\r\n\r\nThuật ngữ “phóng điện xuyên thủng”\r\nđược dùng khi phóng điện đánh thủng xảy ra xuyên qua điện môi rắn.
\r\n\r\nPhóng điện đánh thủng trong điện\r\nmôi rắn làm mất hẳn độ bền cách điện; trong điện môi lỏng hoặc khí thì độ bền\r\ncách điện có thể chỉ mất tạm thời.
\r\n\r\n4.2. đặc tính của điện áp thử\r\nnghiệm (characteristics of the test voltage)
\r\n\r\ncác đặc tính của điện áp qui định\r\ntrong tiêu chuẩn này để chỉ ra các kiểu sai lệch điện áp khác nhau nhằm qui\r\nđịnh điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\n4.2.1. đặc tính kỳ vọng của điện\r\náp thử nghiệm (prospective characteristics of a test object)
\r\n\r\nđặc tính kỳ vọng của điện áp thử\r\nnghiệm gây ra phóng điện đánh thủng là các đặc tính có thể có được nếu không có\r\nphóng điện đánh thủng nào xảy ra. Khi sử dụng đặc tính kỳ vọng thì phải nêu rõ\r\nđiều này.
\r\n\r\n4.2.2. đặc tính thực của điện áp\r\nthử nghiệm (actual characteristics of a test voltage)
\r\n\r\ncác đặc tính xuất hiện trong quá\r\ntrình thử nghiệm tại các đầu nối của đối tượng thử nghiệm
\r\n\r\n4.2.3. giá trị của điện áp thử\r\nnghiệm (value of the test voltage)
\r\n\r\ngiá trị được xác định trong các\r\nđiều liên quan của tiêu chuẩn này
\r\n\r\n4.3. điện áp phóng điện đánh\r\nthủng của đối tượng thử nghiệm (disruptive discharge voltage of a test\r\nobject)
\r\n\r\ngiá trị điện áp thử nghiệm gây nên\r\nphóng điện đánh thủng, như qui định, đối với các thử nghiệm khác nhau, trong\r\ncác điều liên quan của tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n4.4. đặc tính thống kê của điện\r\náp phóng điện đánh thủng (statistical characteristics of disrutive\r\ndischarge voltages)
\r\n\r\nđiện áp phóng điện đánh thủng phải\r\nchịu các biến động ngẫu nhiên và thông thường phải thực hiện các quan sát để\r\nthu được giá trị điện áp thống kê có ý nghĩa. Các qui trình thử nghiệm, mô tả\r\ntrong tiêu chuẩn này, thường dựa trên các xem xét thống kê. Thông tin về việc\r\nđánh giá thống kê các kết quả thử nghiệm được cho trong phụ lục A.
\r\n\r\n4.4.1. xác xuất phóng điện đánh\r\nthủng p của đối tượng thử nghiệm (disruptive discharge probability p\r\nof a test object)
\r\n\r\nxác suất để đặt một giá trị điện áp\r\nkỳ vọng nhất định có dạng cho trước sẽ gây ra phóng điện đánh thủng trên đối\r\ntượng thử nghiệm. Tham số p có thể biểu diễn bằng phần trăm hoặc phân\r\nsố.
\r\n\r\n4.4.2. xác suất chịu thử q của\r\nđối tượng thử nghiệm (withstand probability q of a test object)
\r\n\r\nxác suất để khi đặt một giá trị\r\nđiện áp kỳ vọng nhất định có dạng cho trước sẽ không gây phóng điện đánh thủng\r\ntrên đối tượng thử nghiệm. Nếu xác suất phóng điện đánh thủng là p, thì\r\nxác suất chịu thử q bằng (1 - p)
\r\n\r\n4.4.3. điện áp phóng điện đánh\r\nthủng 50 % U50, của đối tượng thử nghiệm (50 % disruptive\r\ndischarge voltage U50 of a test object)
\r\n\r\ngiá trị điện áp kỳ vọng có xác suất\r\ngây ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm là 50 %
\r\n\r\n4.4.4. điện áp phóng điện đánh\r\nthủng p %, Up, của đối tượng thử nghiệm (p % disruptive discharge\r\nvoltage Up of a test object)
\r\n\r\ngiá trị điện áp kỳ vọng có xác suất\r\ngây ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm là p %.
\r\n\r\n4.4.5. độ lệch qui ước z của\r\nđiện áp phóng điện đánh thủng của đối tượng thử nghiệm (conventional\r\ndeviation z of the disruptive discharge voltage of a test object)
\r\n\r\nhiệu số giữa các điện áp phóng điện\r\nđánh thủng 50 % và 16 % của đối tượng thử nghiệm đó. Độ lệch này thường được\r\nbiểu thị bằng giá trị trên một đơn vị hoặc giá trị phần trăm, được qui về điện\r\náp phóng điện đánh thủng 50 %.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu hàm xác suất phóng\r\nđiện đánh thủng (xem phụ lục A) gần với hàm Gauxơ thì z sẽ tương đối sát với độ\r\nlệch chuẩn của nó.
\r\n\r\n4.5. điện áp chịu thử của đối\r\ntượng thử nghiệm (withstand voltage of a test object)
\r\n\r\ngiá trị qui định của điện áp kỳ\r\nvọng, đặc trưng cho cách điện của đối tượng liên quan đến thử nghiệm chịu thử.
\r\n\r\nNếu không có qui định nào khác,\r\nđiện áp chịu thử được qui đổi về các điều kiện khí hậu chuẩn tham khảo (xem\r\n11.1).
\r\n\r\n4.6. điện áp phóng điện đánh\r\nthủng đảm bảo của đối tượng thử nghiệm (assured disruptive discharge\r\nvoltage of a test object)
\r\n\r\ngiá trị điện áp kỳ vọng qui định\r\nđặc trưng cho tính năng của đối tượng thử nghiệm liên quan đến thử nghiệm phóng\r\nđiện đánh thủng
\r\n\r\n5. Phân loại\r\ncách điện trong đối tượng thử nghiệm
\r\n\r\nHệ thống cách điện của thiết bị và\r\nkết cấu điện áp cao về cơ bản phải được phân loại thành cách điện tự phục hồi và\r\ncách điện không tự phục hồi và có thể bao gồm cách điện ngoài và/hoặc cách điện\r\ntrong.
\r\n\r\n5.1. cách điện ngoài\r\n(external insulation)
\r\n\r\ncách điện bằng không khí và bằng\r\ncác bề mặt cách điện rắn lộ ra bên ngoài của thiết bị, cách điện này phải chịu\r\ncác ứng suất điện môi và các ảnh hưởng của điều kiện khí quyển và các điều kiện\r\nbên ngoài khác như nhiễm bẩn, ẩm ướt và động vật.
\r\n\r\n5.2. cách điện trong\r\n(internal insulation)
\r\n\r\ncác phần tử cách điện dạng rắn,\r\nlỏng hoặc khí nằm bên trong thiết bị, được bảo vệ khỏi các ảnh hưởng của điều\r\nkiện khí quyển và các điều kiện bên ngoài khác như nhiễm bẩn, ẩm ướt và động\r\nvật.
\r\n\r\n5.3. cách điện tự phục hồi\r\n(self-restoring insulation)
\r\n\r\ncách điện phục hồi hoàn toàn các\r\nthuộc tính cách điện của nó sau một phóng điện đánh thủng do đặt điện áp thử\r\nnghiệm.
\r\n\r\n5.4. cách điện không tự phục hồi\r\n(non-self-restoring insulation)
\r\n\r\ncách điện mất đi các thuộc tính\r\ncách điện hoặc không phục hồi hoàn toàn các thuộc tính cách điện của nó sau một\r\nphóng điện đánh thủng do đặt điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong các thiết bị điện\r\náp cao, các bộ phận của cả cách điện tự phục hồi và không tự phục hồi luôn hoạt\r\nđộng phối hợp và một số bộ phận có thể bị suy giảm do việc đặt điện áp lặp lại\r\nhoặc liên tục. Khi qui định các qui trình thử nghiệm để áp dụng, Ban kỹ thuật\r\nliên quan phải tính đến tính chất của cách điện về mặt này.
\r\n\r\nMỤC 3: YÊU CẦU\r\nCHUNG LIÊN QUAN ĐẾN QUI TRÌNH THỬ NGHIỆM VÀ ĐỐI TƯỢNG THỬ NGHIỆM
\r\n\r\n6. Yêu cầu\r\nchung đối với qui trình thử nghiệm
\r\n\r\nQui trình thử nghiệm áp dụng cho\r\ncác loại đối tượng thử nghiệm cụ thể, ví dụ, cực tính được sử dụng, thứ tự ưu\r\ntiên nếu sử dụng cả hai cực tính, số lần đặt điện áp và khoảng thời gian giữa\r\ncác lần đặt phải do Ban kỹ thuật liên quan qui định, có tính đến các yếu tố\r\nnhư:
\r\n\r\n- độ chính xác yêu cầu của kết quả\r\nthử nghiệm;
\r\n\r\n- tính chất ngẫu nhiên của hiện\r\ntượng được quan sát và bất kỳ sự phụ thuộc về cực tính nào của các đặc tính đo\r\nđược;
\r\n\r\n- khả năng hỏng tăng dần theo các\r\nlần đặt điện áp lặp lại.
\r\n\r\n7. Bố trí chung\r\ncủa đối tượng thử nghiệm
\r\n\r\nTrong thời gian thử nghiệm, đối\r\ntượng thử nghiệm phải được lắp ráp hoàn chỉnh với tất cả các chi tiết cần thiết\r\nvà được xử lý theo cách bình thường đối với các thiết bị tương tự.
\r\n\r\nCác đặc tính phóng điện đánh thủng\r\ncủa đối tượng có thể bị ảnh hưởng bởi cách bố trí chung của nó (ví dụ, khoảng\r\ncách từ đối tượng đến các kết cấu mang điện hoặc kết cấu nối đất khác, độ cao\r\nso với mặt đất và cách bố trí dây dẫn điện áp cao của đối tượng). Ban kỹ thuật\r\nliên quan cần qui định cách bố trí chung.
\r\n\r\nKhoảng cách đến các kết cấu bên\r\nngoài lớn hơn hoặc bằng 1,5 lần chiều dài đường phóng điện ngắn nhất trên đối\r\ntượng thử nghiệm làm cho các ảnh hưởng này trở nên không đáng kể. Trong thử\r\nnghiệm ướt hoặc thử nghiệm nhiễm bẩn hoặc khi phân bố điện áp dọc theo đối\r\ntượng thử nghiệm và trường điện quanh điện cực mang điện của đối tượng không\r\nphụ thuộc vào các ảnh hưởng bên ngoài thì khoảng cách ngắn hơn có thể chấp nhận\r\nđược, với điều kiện là không xảy ra phóng điện với các kết cấu bên ngoài.
\r\n\r\nTrong trường hợp thử nghiệm xoay\r\nchiều hoặc thử nghiệm xung đóng cắt cực tính dương trên 750 kV (đỉnh), ảnh\r\nhưởng của kết cấu bên ngoài có thể coi là không đáng kể nếu khoảng cách tính từ\r\nkết cấu này đến điện cực mang điện cũng không nhỏ hơn chiều cao của điện cực so\r\nvới mặt đất. Giới hạn thấp hơn áp dụng được cho khoảng cách này được cho trên\r\nhình 1, là hàm số của điện áp thử nghiệm cao nhất.
\r\n\r\nThử nghiệm chịu thử có thể chấp\r\nnhận khi được tiến hành toàn bộ ở khoảng cách ngắn hơn đến đối tượng được nối\r\nđất.
\r\n\r\n\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm phải khô và\r\nsạch. Nếu không có qui định nào khác của Ban kỹ thuật liên quan thì thử nghiệm\r\ncần được tiến hành ở nhiệt độ xung quanh và qui trình đặt điện áp phải như qui\r\nđịnh trong các điều liên quan của tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n\r\n\r\nQui trình thử nghiệm ướt được lựa\r\nchọn, mô tả trong 9.1, nhằm mô phỏng ảnh hưởng của mưa tự nhiên đến cách điện\r\nngoài và là cách xem xét lại các phương pháp thử nghiệm trước đây. Nên áp dụng\r\nqui định này khi tiến hành các thử nghiệm với tất cả các loại điện áp thử\r\nnghiệm và trên tất cả các loại thiết bị, tuy nhiên, được phép sử dụng một trong\r\nhai phương pháp thử nghiệm thay thế dưới đây nếu Ban kỹ thuật liên quan qui\r\nđịnh.
\r\n\r\nHai phương pháp thử nghiệm trước\r\nđây, không nhằm mô phỏng mưa tự nhiên, được mô tả trong 9.2. Hai phương pháp\r\nnày đã được sử dụng trong nhiều năm cho thử nghiệm bằng điện áp xoay chiều trên\r\nthiết bị có Um đến 420 kV và hiện có nhiều số liệu thử nghiệm thu được\r\nbằng các phương pháp này.
\r\n\r\nĐối với thiết bị điện xoay chiều có\r\nkích thước lớn, như các thiết bị có Um cao hơn 800 kV, hiện chưa có\r\nqui trình thử nghiệm ướt thích hợp.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh cách bố trí đối tượng thử nghiệm trong suốt qui trình thử nghiệm.
\r\n\r\n9.1. Qui\r\ntrình thử nghiệm ướt tiêu chuẩn
\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm phải được phun\r\nnước có điện trở suất và nhiệt độ qui định (xem bảng 1) rơi trên đối tượng ở\r\ndạng các hạt nhỏ (tránh dạng sương và sương mù) và hướng sao cho các thành phần\r\ntheo phương thẳng đứng và nằm ngang của mật độ phun xấp xỉ bằng nhau. Mật độ\r\nnày được đo bằng bình góp ngăn đôi có các miệng rộng từ 100 cm2 đến\r\n750 cm2, một nằm ngang và một thẳng đứng, miệng thẳng đứng hướng về với\r\ndòng phun.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui định\r\nvị trí của đối tượng thử nghiệm so với các thành phần mưa thẳng đứng và tạt\r\nngang.
\r\n\r\nThông thường, độ tái lặp của các\r\nkết quả thử nghiệm ướt thấp hơn so với các thử nghiệm phóng điện hoặc chịu điện\r\náp cao khác. Để giảm thiểu sự phân tán của các kết quả thử nghiệm, phải được\r\nthực hiện các biện pháp phòng ngừa dưới đây:
\r\n\r\n- bình góp phải được đặt gần đối\r\ntượng thử nghiệm nhưng tránh không hứng các giọt rơi hoặc bắn ra từ đối tượng\r\nthử nghiệm. Trong quá trình đo, bình góp cần được dịch chuyển chậm trên một diện\r\ntích đủ để có được giá trị trung bình nhưng không che phủ hoàn toàn tính không\r\nđều của dòng nước từ các miệng phun riêng rẽ. Vùng đo này phải có chiều rộng\r\nbằng chiều rộng của đối tượng thử nghiệm và có độ cao lớn nhất là 1m.
\r\n\r\n- đối với các đối tượng thử nghiệm\r\ncao từ 1 m đến 3 m, phải thực hiện các phép đo riêng ở đỉnh, ở giữa và ở đáy\r\ncủa đối tượng thử nghiệm. Mỗi vùng đo chỉ được bao trùm một phần ba chiều cao\r\ncủa đối tượng thử nghiệm;
\r\n\r\n- đối với các đối tượng thử nghiệm\r\ncao hơn 3 m, số lượng vùng đo phải tăng lên để bao trùm toàn bộ chiều cao của\r\nđối tượng thử nghiệm nhưng không được trùm lên nhau;
\r\n\r\n- các qui định trên phải được sửa\r\nđổi cho thích hợp với các đối tượng thử nghiệm có kích thước lớn theo chiều\r\nngang;
\r\n\r\n- có thể giảm độ phân tán của các\r\nkết quả nếu đối tượng thử nghiệm được làm sạch bằng chất tẩy bề mặt công hiệu,\r\nvà loại bỏ chất tẩy trước khi bắt đầu làm ướt;
\r\n\r\n- độ phân tán của các kết quả cũng\r\ncó thể bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi bất thường cục bộ hóa (cao hoặc thấp) của\r\ncường độ phun. Nên phát hiện điều này bằng các phép đo cục bộ và làm tăng tính\r\nđồng đều của dòng nước phun, nếu cần.
\r\n\r\nThiết bị phun phải được điều chỉnh\r\nđể tạo ra các điều kiện mưa trên đối tượng thử nghiệm trong phạm vi dung sai\r\nqui định cho ở bảng 1.
\r\n\r\nCó thể sử dụng bất kỳ kiểu và cách\r\nbố trí nào của các miệng phun thỏa mãn các yêu cầu cho trong bảng 1. Ví dụ về\r\nmột số kiểu miệng phun thỏa mãn trong thực tế được cho trên hình 2a, 2b và 2c,\r\ncùng với các số liệu về tính năng điển hình đối với mỗi kiểu. Có thể đạt được\r\ncác khoảng cách phun lớn hơn nếu miệng phun hướng lên một góc khoảng 150\r\n– 250 so với phương nằm ngang. Chú ý rằng nếu áp suất nước tăng cao\r\nhơn giới hạn khuyến cáo thì các tia nước có thể tản ra quá sớm và tạo nên dòng\r\nphun không thích hợp trên đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\nBảng\r\n1 – Điều kiện mưa đối với qui trình tiêu chuẩn
\r\n\r\n\r\n Cường độ mưa trung bình của tất\r\n cả các phép đo \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n - thành phần thẳng đứng \r\n | \r\n \r\n mm/min \r\n | \r\n \r\n 1,0\r\n đến 2,0 \r\n | \r\n
\r\n - thành phần nằm ngang \r\n | \r\n \r\n mm/min \r\n | \r\n \r\n 1,0\r\n đến 2,0 \r\n | \r\n
\r\n Các giới hạn đối với bất kỳ phép\r\n đo riêng biệt nào và đối với mỗi thành phần \r\n | \r\n \r\n mm/min \r\n | \r\n \r\n ±\r\n 0,5 từ giá trị trung bình \r\n | \r\n
\r\n Nhiệt độ của nước \r\n | \r\n \r\n 0C \r\n | \r\n \r\n Nhiệt\r\n độ xung quanh ± 15 \r\n | \r\n
\r\n Điện trở suất của nước \r\n | \r\n \r\n Wm \r\n | \r\n \r\n 100\r\n ± 15 \r\n | \r\n
Nhiệt độ và điện trở suất của nước\r\nphải được đo trên mẫu thu được ngay truớc khi nước tới đối tượng thử nghiệm.\r\nCũng có thể đo ở các vị trí khác (ví dụ như trong bể chứa) với điều kiện là\r\nkiểm tra đảm bảo rằng không có thay đổi đáng kể nào xảy ra lúc nước tới đối\r\ntượng thử nghiệm.
\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm phải được làm\r\nướt trước trong ít nhất 15 min trong các điều kiện qui định ở trên và các điều\r\nkiện này phải duy trì trong phạm vi dung sai qui định trong suốt thử nghiệm\r\nđược tiến hành mà không gián đoạn việc làm ướt. Thời gian làm ướt trước không\r\nbao gồm thời gian cần thiết để điều chỉnh dòng phun. Việc làm ướt trước cũng có\r\nthể được thực hiện bằng nước máy chưa qua xử lý trong 15 min, tiếp tục mà không\r\ngián đoạn dòng phun bằng việc làm ướt lần thứ hai trong ít nhất 2 min trước khi\r\nbắt đầu thử nghiệm, sử dụng nước với tất cả các điều kiện mưa như qui đinh, cần\r\nđược đo ngay trước khi bắt đầu thử nghiệm.
\r\n\r\nNếu không có qui định nào khác của\r\nBan kỹ thuật liên quan, qui trình thử nghiệm đối với thử nghiệm ướt phải giống\r\nnhư qui trình qui định cho các thử nghiệm khô tương ứng. Thời gian thử nghiệm\r\nđối với thử nghiệm điện xoay chiều phải là 60 s, nếu không có qui định nào\r\nkhác. Thông thường, đối với thử nghiệm chịu ướt bằng điện xoay chiều và một chiều,\r\ncần cho phép có một phóng điện bề mặt với điều kiện là trong thử nghiệm lặp lại\r\nkhông xảy ra một phóng điện bề mặt nào nữa.
\r\n\r\n9.2. Qui\r\ntrình truyền thống đối với thử nghiệm ướt bằng điện áp xoay chiều.
\r\n\r\nĐối với thử nghiệm điện áp xoay\r\nchiều, còn có hai qui trình khác cũng được sử dụng, nội dung cụ thể được cho\r\nbảng 2. Hai qui trình này khác với qui trình tiêu chuẩn, 9.1, chủ yếu là ở\r\ncường độ mưa cao hơn và thời gian làm ướt trước tối thiểu chỉ là 1 min.
\r\n\r\nChỉ qui định thành phần thẳng đứng\r\ncủa dòng phun; việc xác định thành phần nằm ngang được thay thế bằng việc đánh\r\ngiá bằng mắt góc phun, góc này cần xấp xỉ 450 tại đối tượng thử\r\nnghiệm.
\r\n\r\nBảng\r\n2 – Điều kiện mưa đối với qui trình truyền thống bằng điện áp xoay chiều
\r\n\r\n\r\n Đặc\r\n điểm \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n Thông\r\n lệ ở Châu Âu \r\n | \r\n \r\n Thông\r\n lệ ở Mỹ \r\n | \r\n
\r\n Cường độ mưa trung bình của tất\r\n cả các phép đo \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n - thành phần thẳng đứng \r\n | \r\n \r\n mm/min \r\n | \r\n \r\n 3 ±\r\n 0,3 \r\n | \r\n \r\n 5 ±\r\n 0,5 \r\n | \r\n
\r\n Các giới hạn đối với bất kỳ phép\r\n đo riêng biệt nào \r\n | \r\n \r\n mm/min \r\n | \r\n \r\n 3 ±\r\n 0,75 \r\n | \r\n \r\n 5 ±\r\n 1,25 \r\n | \r\n
\r\n Nhiệt độ nước \r\n | \r\n \r\n 0C \r\n | \r\n \r\n Nhiệt\r\n độ xung quanh ± 15 \r\n | \r\n |
\r\n Điện trở suất của nước \r\n | \r\n \r\n Wm \r\n | \r\n \r\n 100\r\n ± 10 \r\n | \r\n \r\n 178\r\n ± 27 \r\n | \r\n
\r\n Kiểu miệng phun được trình bày\r\n trong các hình \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n \r\n 2a,\r\n 2b, 2c \r\n | \r\n \r\n 2d \r\n | \r\n
\r\n Thời gian của thử nghiệm chịu ướt \r\n | \r\n \r\n s \r\n | \r\n \r\n 60 \r\n | \r\n \r\n 10 \r\n | \r\n
10. Thử nghiệm\r\nnhiễm bẩn nhân tạo
\r\n\r\nCác thử nghiệm nhiễm bẩn nhân tạo\r\nnhằm cung cấp thông tin về đặc tính của cách điện ngoài trong các điều kiện\r\nđiển hình của nhiễm bẩn trong vận hành, mặc dù chúng không nhất thiết mô phỏng\r\nbất kỳ điều kiện làm việc cụ thể nào.
\r\n\r\nCác qui định dưới đây đưa ra một số\r\nhướng dẫn chung về thử nghiệm nhiễm bẩn nhân tạo. Việc thay đổi hoặc bổ sung\r\ncác yêu cầu cụ thể hơn đối với các loại thiết bị cụ thể do Ban kỹ thuật liên\r\nquan qui định. Các thông tin riêng như vậy được cho trong một ví dụ của IEC\r\n60507.
\r\n\r\nTác dụng của việc làm sạch cách\r\nđiện trong vận hành bằng mưa tự nhiên không được xét đến trong bất kỳ qui trình\r\nđược qui định nào.
\r\n\r\n10.1. Chuẩn\r\nbị đối tượng thử nghiệm
\r\n\r\nTrước khi thử nghiệm lần đầu, các\r\nbộ phận kin loại của đối tượng thử nghiệm, và các chỗ gắn bằng xi măng bất kỳ,\r\ncó thể được sơn bằng sơn chịu nước muối để đảm bảo rằng các sản phẩm ăn mòn\r\nkhông làm nhiễm bẩn bề mặt cách điện trong quá trình thử nghiệm.
\r\n\r\nSau đó, đối tượng thử nghiệm cần\r\nđược làm sạch cẩn thận bằng nước máy đã được pha thêm Natri photphat (Na3PO3)\r\nvà tráng bằng nước máy sạch. Sau đó không được chạm tay vào. Thông thường, các\r\nbề mặt cách điện có thể được coi là đủ sạch và không có mỡ hoặc vật liệu làm\r\nnhiễm bẩn khác nếu theo dõi trong quá trình làm ướt thấy vùng ướt loang rộng ra\r\nmột cách liên tục.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan sẽ quyết\r\nđịnh việc đối tượng thử nghiệm cần được thử nghiệm ở vị trí thẳng đứng, nằm\r\nngang hay đặt nghiêng.
\r\n\r\n\r\n\r\nThử nghiệm nhiễm bẩn nhân tạo được\r\nthực hiện bằng cách đưa nhiễm bẩn vào và đặt điện áp đồng thời hoặc sau đó.\r\nThông thường, chỉ khuyến cáo các phương pháp trong đó điện áp thử nghiệm được\r\ngiữ nguyên không đổi trong ít nhất vài phút. Các phương pháp khác trong đó điện\r\náp tăng dần tới phóng điện bề mặt không được đề xuất cho việc tiêu chuẩn hóa\r\nnhưng có thể sử dụng cho các mục đích đặc biệt.
\r\n\r\nThử nghiệm nhiễm bẩn có thể được\r\ntiến hành nhằm xác định mức nhiễm bẩn cực đại của đối tượng thử nghiệm cho phép\r\nchịu đựng được một điện áp thử nghiệm đã cho hoặc để xác định điện áp chịu thử\r\nđối với mức nhiễm bẩn qui định. Để so sánh các kết quả của nhiều thử nghiệm\r\nhoặc tính năng của nhiều đối tượng thử nghiệm khác nhau thì qui trình đầu thích\r\nhợp hơn. Dù lựa chọn qui trình thử nghiệm nào thì số lượng phép đo cũng cần\r\nphải đủ để thu được giá trị trung bình ổn định, có tính đến tính chất thống kê\r\ncủa hiện tượng. Ban kỹ thuật liên quan phải qui định số lượng thử nghiệm cần\r\nthiết.
\r\n\r\nCác thử nghiệm nhiễm bẩn được chia\r\nthành hai cấp, phương pháp sương-muối và phương pháp nhiễm bẩn lắng đọng trước.
\r\n\r\na) Phương pháp sương-muối
\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm được đặt trong\r\nmột buồng đặc biệt chứa đầy sương-muối. Phương pháp tạo sương được mô tả trong\r\nphụ lục B1. Nhiệt độ môi trường trong buồng khi bắt đầu thử nghiệm không được\r\nthấp hơn 5 0C cũng không được cao hơn 30 0C, đối tượng\r\nthử nghiệm và nước muối phải ở trạng thái cân bằng nhiệt với nhiệt độ môi\r\ntrường.
\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm phải được làm\r\nướt hoàn toàn bằng nước máy sạch. Hệ thống sương-muối, được cấp bằng nước có độ\r\nmặn qui định, bắt đầu khi đối tượng thử nghiệm vẫn còn ướt, đồng thời, đặt điện\r\náp lên đối tượng thử nghiệm, tăng nhanh đến giá trị qui định và giữ không đổi\r\ntrong thời gian qui định, thường là 1 h, hoặc cho đến khi xảy ra phóng điện bề\r\nmặt. Lặp lại qui trình này vài lần. Trước mỗi qui trình, đối tượng thử nghiệm\r\nđược rửa kỹ bằng nước máy sạch để loại bỏ hết vết muối.
\r\n\r\nĐối với phương pháp sương-muối,\r\nkhoảng cách tối thiểu giữa bất kỳ bộ phận nào của đối tượng thử nghiệm đến vật\r\nbất kỳ được nối đất ngoài các vòi phun và kết cấu đỡ cái cách điện không được\r\nnhỏ hơn 0,5 m trên 100 kV điện áp thử nghiệm và, trong mọi trường hợp, không\r\nđược ngắn hơn 2 m.
\r\n\r\nNếu thử nghiệm nhằm xác định độ mặn\r\nlớn nhất đối với một điện áp chịu thử quy định thì phải lặp lại toàn bộ quy trình\r\nnày bằng cách sử dụng các độ mặn khác nhau.
\r\n\r\nTrước khi bắt đầu thử nghiệm thực\r\nsự, cần ổn định trước đối tượng thử nghiệm bằng một số phóng điện bề mặt trong\r\nkhi làm nhiễm bẩn. Sau khi ổn định trước, cần rửa sạch đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\nb) Phương pháp nhiễm bẩn lắng đọng\r\nnước
\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm được phủ bằng\r\nmột lớp đồng đều vừa phải chất ngưng kết dẫn điện và để cho đến khô. Nhiệt độ\r\nmôi trường trong buồng thử nghiệm khi bắt đầu thử nghiệm không nhỏ hơn 5 0C\r\nvà không lớn hơn 30 0C, đối tượng thử nghiệm cần ở trạng thái cân\r\nbằng nhiệt với môi trường xung quanh. Phải thực hiện việc làm ướt bằng nguồn\r\ntạo sương hơi nước phân bố sương đồng đều trên toàn bộ chiều dài và xung quanh\r\nđối tượng thử nghiệm. Nhiệt độ của sương trong vùng lân cận đối tượng thử nghiệm\r\nkhông được vượt quá 400C. Để đạt được sự làm ướt cần thiết trong\r\nthời gian hợp lý, phải đưa vào bên trong buồng thử nghiệm đủ lượng sương hơi\r\nnước. Ban kỹ thuật liên quan phải qui định tốc độ tạo hơi nước.
\r\n\r\nTrong một qui trình, đặt điện áp\r\ntrước khi đối tượng thử nghiệm được làm ướt bởi sương và duy trì cho đến khi có\r\nphóng điện bề mặt hoặc trong khoảng hai lần thời gian để cách điện đạt được độ\r\ndẫn điện lớn nhất. Trong một qui trình khác, điện áp thử nghiệm chỉ được đặt\r\nkhi độ dẫn điện đạt đến giá trị lớn nhất, điều này xảy ra trong khoảng từ 20\r\nmin đến 40 min tính từ khi bắt đầu phun sương. Điện áp phải giữ không đổi trong\r\nthời gian thử nghiệm 15 min qui định hoặc cho đến khi xảy ra phóng điện bề mặt.
\r\n\r\nVí dụ về qui trình phủ và làm ướt\r\nthích hợp và ví dụ về phép đo điện trở suất bề mặt được cho trong phụ lục B.
\r\n\r\nQui trình trên có thể được lặp lại\r\nvài lần; trước mỗi thử nghiệm, đối tượng thử nghiệm phải được rửa, phủ lại và\r\nđể khô.
\r\n\r\nTrường hợp thử nghiệm để xác định\r\nđộ nhiễm bẩn lớn nhất đối với một điện áp chịu thử qui định các qui trình phủ,\r\nlàm ướt và qui trình thử nghiệm được lặp lại bằng cách sử dụng chất ngưng kết\r\ncó điện trở suất khác nhau.
\r\n\r\nKhoảng cách nhỏ nhất giữa bất kỳ bộ\r\nphận nào của đối tượng thử nghiệm và vật bất kỳ được nối đất ngoài các kết cấu\r\nđỡ đối tượng thử nghiệm không được nhỏ hơn 0,5 m trên 100kV điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\nĐộ nhiễm bẩn của đối tượng thử\r\nnghiệm được qui định bởi độ mặn (g/l) của sương mù muối, bởi độ dẫn điện bề mặt\r\n(mS) hoặc bởi lượng muối (NaCl) trên\r\nmỗi centimét vuông bề mặt cách điện (mg/cm2). Đại lượng cuối được\r\ngọi là mật độ ngưng tụ muối (SDD). Thông tin về các phương pháp này được cho\r\ntrong phụ lục B.
\r\n\r\n\r\n\r\n11.1. Khí\r\nhậu tham chiếu tiêu chuẩn
\r\n\r\nKhí hậu tham chiếu tiêu chuẩn là
\r\n\r\nnhiệt độ t0 = 20 0C
\r\n\r\náp suất b0 = 101,3 kPa\r\n(1013 mbar)
\r\n\r\nđộ ẩm tuyệt đối h0 = 11\r\ng/m3
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Áp suất 101,3 kPa tương\r\nứng với chiều cao 760 mm trên áp kế thủy ngân ở 00C. Nếu chiều cao\r\náp kế là H mm thủy ngân thì áp suất khí quyển tính bằng kilôpascal xấp xỉ bằng:
\r\n\r\nb =\r\n0,1333 H kPa
\r\n\r\nViệc hiệu chỉnh nhiệt độ theo chiều\r\ncao của cột thủy ngân được coi là không đáng kể.
\r\n\r\n11.2. Hệ số\r\nhiệu chỉnh khí hậu
\r\n\r\nPhóng điện đánh thủng của cách điện\r\nngoài phụ thuộc vào điều kiện khí hậu. Thông thường, điện áp phóng điện đánh\r\nthủng theo một đường cho trước trong không khí tăng theo mật độ hoặc độ ẩm\r\nkhông khí. Tuy nhiên, khi độ ẩm tương đối vượt quá khoảng 80 % thì điện áp\r\nphóng điện đánh thủng sẽ không theo qui luật, đặc biệt khi phóng điện đánh\r\nthủng xảy ra trên bề mặt cách điện.
\r\n\r\nBằng cách sử dụng các hệ số hiệu\r\nchỉnh, điện áp phóng điện đánh thủng đo được trong các điều kiện thử nghiệm cho\r\ntrước (nhiệt độ t, áp suất b, độ ẩm h) có thể được qui đổi về giá trị thu được\r\ntrong các điều kiện khí hậu tham chiếu tiêu chuẩn (t0, b0,\r\nh0).Ngược lại, điện áp thử nghiệm qui định trong các điều kiện tham\r\nchiếu đã cho có thể được qui đổi về giá trị tương đương trong các điều kiện thử\r\nnghiệm.
\r\n\r\nĐiện áp phóng điện đánh thủng tỷ lệ\r\nvới hệ số hiệu chỉnh khí hậu K1, hệ số K1 là tích số của\r\nhai hệ số hiệu chỉnh:
\r\n\r\n- hệ số hiệu chỉnh mật độ không khí\r\nk1 (xem 11.2.1);
\r\n\r\n- hệ số hiệu chỉnh độ ẩm k2\r\n(xem 11.2.2).
\r\n\r\nK1\r\n= k1k2
\r\n\r\nNếu không có qui định nào khác của\r\nBan kỹ thuật liên quan thì điện áp U được đặt trong quá trình thử nghiệm trên\r\ncách điện ngoài xác định bằng cách nhân điện áp thử nghiệm qui định U0\r\nvới K1:
\r\n\r\nU =\r\nU0K1
\r\n\r\nTương tự, điện áp phóng điện đánh\r\nthủng đo được U được hiệu chỉnh về U0 tương ứng với khí hậu tham\r\nchiếu tiêu chuẩn bằng cách chia cho K1:
\r\n\r\nU0\r\n= U/K1
\r\n\r\nTrong hồ sơ thử nghiệm phải có các\r\nđiều kiện khí hậu thực tế khi thử nghiệm và các hệ số hiệu chỉnh được sử dụng.
\r\n\r\n11.2.1. Hệ số hiệu chỉnh mật độ\r\nkhông khí k1
\r\n\r\nHệ số hiệu chỉnh mật độ không khí k1\r\nphụ thuộc vào mật độ tương đối của không khí d\r\nvà có thể được biểu thị một cách tổng quát như:
\r\n\r\nk1\r\n= dm
\r\n\r\ntrong đó m là số mũ được cho trong\r\n11.2.3.
\r\n\r\nKhi các nhiệt độ t và t0\r\nđược biểu thị theo độ C và các áp suất khí quyển b và b0 được biểu\r\nthị cùng đơn vị (kilôpascal hoặc milibar) thì mật độ tương đối của không khí\r\nlà:
\r\n\r\n11.2.2. Hệ số hiệu chỉnh độ ẩm k2
\r\n\r\nHệ số hiệu chỉnh độ ẩm k2\r\ncó thể được biểu thị là:
\r\n\r\n\r\nk2 = kw
\r\n\r\nTrong đó w là số mũ được cho trong\r\n11.2.3 và k là một tham số, phụ thuộc vào loại điện áp thử nghiệm và, đối với\r\ncác mục đích thực tiễn, có thể thu được gần đúng như một hàm số của tỷ số giữa\r\nđộ ẩm tuyệt đối, h, và mật độ không khí tương đối, d, bằng cách sử dụng các đường cong của hình 3. Hệ số hiệu chỉnh\r\nđộ ẩm đối với các giá trị của h/d vượt\r\nquá 15 g/m3 đang được xem xét và các đường cong trên hình 3 có thể\r\ncoi như là các giới hạn trên.
\r\n\r\n11.2.3. Số mũ m và w
\r\n\r\nVì hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc vào\r\ndạng trước phóng điện nên thực tế này có thể được tính đến bằng cách xem xét\r\ntham số:
\r\n\r\ntrong đó UB là điện áp\r\nphóng điện đánh thủng 50 % (đo được hoặc ước lượng được), tính bằng kilôvôn,\r\ntrong các điều kiện khí hậu thực tế, L là đường phóng điện ngắn nhất, tính bằng\r\nmét, với các giá trị thực tế của mật độ không khí tương đối d và của tham số k. Trong trường hợp thử\r\nnghiệm điện áp chịu thử mà không có sẵn giá trị ước tính của điện áp phóng điện\r\nđánh thủng 50 % có thể giả định UB bằng 1,1 lần điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\nCác số mũ m và w đang\r\nđược xem xét. Các giá trị gần đúng được cho trên hình 4.
\r\n\r\n11.3. Thử\r\nnghiệm ướt, thử nghiệm nhiễm bẩn nhân tạo và thử nghiệm phối hợp
\r\n\r\nKhông phải hiệu chỉnh độ ẩm đối với\r\nthử nghiệm ướt hoặc thử nghiệm nhiễm bẩn nhân tạo. Vấn đề hiệu chỉnh mật độ\r\ntrong quá trình các thử nghiệm này đang được xem xét. Đối với thử nghiệm phối\r\nhợp, xem 26.5.
\r\n\r\n11.4. Yêu\r\ncầu trái ngược nhau trong thử nghiệm cách điện trong và cách điện ngoài.
\r\n\r\nTrong khi các mức chịu thử được qui\r\nđịnh ở các điều kiện khí hậu tiêu chuẩn thì vẫn nảy sinh các trường hợp mà việc\r\náp dụng các hiệu chỉnh khí hậu (do độ cao so với mực nước biển của phòng thí\r\nnghiệm hoặc các điều kiện khí hậu đặc biệt) dẫn đến mức chịu thử đối với cách\r\nđiện trong cao hơn đáng kể so với cách điện ngoài kết hợp. Trong những trường\r\nhợp như vậy thì phải chấp nhận các biện pháp nhằm nâng cao mức chịu thử của\r\ncách điện ngoài để cho phép đặt điện áp thử nghiệm chính xác lên cách điện\r\ntrong. Các biện pháp này bao gồm việc ngâm cách điện ngoài vào chất lỏng hoặc\r\nkhí nén và do Ban kỹ thuật liên quan qui định có xét đến yêu cầu của các loại\r\nthiết bị cụ thể. Trong những trường hợp mà điện áp thử nghiệm của cách điện ngoài\r\ncao hơn so với của cách điện trong thì chỉ có thể thử nghiệm một cách chính xác\r\ncách điện ngoài khi cách điện trong được thiết kế đặc biệt với độ bền được tăng\r\ncao. Nếu không thì cách điện trong cần được thử nghiệm với giá trị danh định và\r\ncách điện ngoài được thử nghiệm bằng vật giả, nếu không có qui định nào khác\r\ncủa Ban kỹ thuật liên quan, trong trường hợp đó, phải qui định qui trình thử\r\nnghiệm để sử dụng.
\r\n\r\n\r\n\r\nĐộ ẩm phải được xác định tốt nhất\r\nlà bằng đồng hồ đo trực tiếp độ ẩm tuyệt đối có sai số tuyệt đối không lớn hơn\r\n1 g/m3. Việc đo độ ẩm tương đối kết hợp với phép đo nhiệt độ cũng\r\ncho phép xác định độ ẩm tuyệt đối và có thể sử dụng với điều kiện là độ chính\r\nxác của việc xác định độ ẩm tuyệt đối trong trường hợp này giống như yêu cầu\r\ntrên.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cũng có thể thực hiện\r\nphép đo này bằng ẩm kế bầu khô và bầu ướt được thông gió. Độ ẩm tuyệt đối là\r\nhàm số của các số đọc trên nhiệt kế được xác định từ hình 5 cũng cho phép xác\r\nđịnh độ ẩm tương đối. Điều quan trọng là cung cấp đủ luồng không khí để đạt\r\nđược trạng thái ổn định và đọc nhiệt kế một cách cẩn thận để tránh sai số quá\r\nmức trong việc xác định độ ẩm.
\r\n\r\nMỤC 4: THỬ\r\nNGHIỆM BẰNG ĐIỆN ÁP MỘT CHIỀU
\r\n\r\n12. Định nghĩa\r\nđối với thử nghiệm điện áp một chiều
\r\n\r\n12.1. giá trị điện áp thử nghiệm\r\n(value of the test voltage)
\r\n\r\ngiá trị trung bình số học của điện\r\náp thử nghiệm
\r\n\r\n12.2. gợn sóng (ripple)
\r\n\r\nsai lệch theo chu kỳ khỏi giá trị\r\ntrung bình số học của điện áp. Biên độ của gợn sóng theo định nghĩa bằng nửa\r\nhiệu giữa các giá trị cực đại và cực tiểu. Hiệu số gợn sóng là tỷ số giữa biên\r\nđộ gợn sóng và giá trị điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\n13.1. Yêu\r\ncầu đối với điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n13.1.1. Dạng điện áp
\r\n\r\nĐiện áp thử nghiệm, đặt lên đối\r\ntượng thử nghiệm, cần phải là điện áp một chiều có hệ số gợn sóng không lớn hơn\r\n3 %, nếu không có qui định nào khác của Ban kỹ thuật liên quan. Lưu ý là hệ số\r\ngợn sóng có thể bị ảnh hưởng bởi sự có mặt của đối tượng thử nghiệm và điều\r\nkiện thử nghiệm, đặc biệt trong các thử nghiệm ướt và thử nghiệm nhiễm bẩn nhân\r\ntạo.
\r\n\r\n13.1.2. Dung sai
\r\n\r\nĐối với thời gian thử nghiệm không\r\nquá 60 s, giá trị điện áp thử nghiệm đo được phải duy trì trong phạm vi ± 1 %\r\nmức qui định trong suốt thời gian thử nghiệm. Đối với thời gian thử nghiệm 60\r\ns, giá trị điện áp thử nghiệm đo được phải duy trì trong phạm vi ± 3 % mức qui\r\nđịnh trong suốt quá trình thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần nhấn mạnh rằng dung\r\nsai là hiệu số cho phép giữa giá trị qui định và giá trị thực tế đo được. Hiệu\r\nsố này cần được phân biệt với sai số đo là hiệu số giữa giá trị đo được và giá\r\ntrị thực.
\r\n\r\n13.2. Tạo\r\nđiện áp thử nghiệm
\r\n\r\nĐiện áp thử nghiệm được tạo bởi các\r\nbộ chỉnh lưu, mặc dù đôi khi sử dụng các máy phát tĩnh điện. Các yêu cầu đối\r\nvới nguồn điện áp thử nghiệm phụ thuộc đáng kể vào loại thiết bị cần thử nghiệm\r\nvà các điều kiện thử nghiệm. Các yêu cầu này chủ yếu được xác định bằng giá trị\r\nvà tính chất của dòng điện thử nghiệm cần cung cấp, các thành phần quan trọng\r\nđược trình bày trong 13.4.
\r\n\r\nNguồn cần có đặc trưng là cho phép\r\nnạp điện dung cho đối tượng thử nghiệm trong một thời gian ngắn hợp lý. Trong\r\ntrường hợp đối tượng thử nghiệm có điện dung lớn thì đôi khi phải chấp nhận\r\nthời gian nạp đến vài phút. Nguồn, kể cả điện dung nạp của nguồn, cũng cần phải\r\nđủ để cung cấp dòng điện rò và dòng điện hấp thụ và bất kỳ dòng điện phóng điện\r\nkhông đánh thủng bên trong và bên ngoài nào mà không gây sụt quá 10 %. Khi thử\r\nnghiệm cách điện trong, dòng điện này thường nhỏ nhưng khi thử nghiệm cách điện\r\nướt, đôi khí vẫn xảy ra dòng điện rò đến vài chục miliampe hoặc có xung phóng\r\nđiện trước khoảng 10-2 C.
\r\n\r\nCác tham số của nguồn đối với thử\r\nnghiệm nhiễm bẩn bằng điện áp một chiều đang được xem xét.
\r\n\r\n13.3. Đo\r\nđiện áp thử nghiệm
\r\n\r\n13.3.1. Đo bằng các dụng cụ đo theo\r\nTCVN 6099-2 (IEC 60060-2): Kỹ thuật thử nghiệm điện áp cao – Hệ thống đo
\r\n\r\nNói chung, phép đo giá trị trung\r\nbình số học, giá trị lớn nhất, hệ số gợn sóng và sụt điện áp thử nghiệm quá độ\r\nbất kỳ, cần được thực hiện bằng các thiết bị đã qua qui trình phê chuẩn đề cập trong\r\nTCVN 6099-2 (IEC 60060-2). Cần chú ý đến các yêu cầu về đặc tính đáp tuyến của\r\nthiết bị dùng để đo gợn sóng, các quá độ hoặc tính ổn định điện áp.
\r\n\r\n13.3.2. Hiệu chuẩn dụng cụ đo chưa\r\nđược công nhận bằng dụng cụ đo được công nhận
\r\n\r\nQui trình này thường gồm có việc\r\nthiết lập quan hệ giữa hiển thị của một dụng cụ liên quan đến điện áp thử\r\nnghiệm và phép đo cùng một điện áp được tiến hành theo 13.3.1, bằng khe hở cầu,\r\nsử dụng theo IEC 60052, hoặc bằng khe hở thanh/thanh theo 13.3.3.
\r\n\r\nQuan hệ này có thể phụ thuộc vào sự\r\ncó mặt của đối tượng thử nghiệm, khe hở cầu hoặc khe hở thanh/thanh, lượng mưa\r\ntrong thử nghiệm ướt, v.v… Vì vậy, điều quan trọng là các điều kiện này phải\r\nnhư nhau trong quá trình hiệu chuẩn và thử nghiệm thực, ngoài ra, trong quá\r\ntrình thử nghiệm, khe hở cầu hoặc khe hở thanh/thanh phải mở đủ để ngăn ngừa\r\nphóng điện tia lửa. Quan hệ giữa điện áp nguồn và điện áp đầu ra có thể không\r\nđủ ổn định cho mục đích đo.
\r\n\r\nCần chú ý đến các biện pháp phòng\r\nngừa cần thiết khi sử dụng khe hở cầu ở điện áp một chiều, do sự xuất hiện của\r\ncác phóng điện bề mặt ở giá trị điện áp thấp hơn chủ yếu do sự có mặt của phần\r\ntử dạng sợi rất nhỏ. Phải thực hiện một loạt các lần đặt điện áp và lấy giá trị\r\nđiện áp cao nhất làm giá trị thực.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Vấn đề phần tử dạng\r\nsợi có thể được khắc phục bằng cách cung cấp một luồng không khí không nhỏ hơn\r\n3 m/s qua khe hở.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Vì sự có mặt của gợn\r\nsóng nên các khe hở cầu không đo được giá trị tring bình số học của điện áp.
\r\n\r\nViệc hiệu chuẩn được ưu tiên thực\r\nhiện tại hoặc gần 100 % điện áp thử nghiệm, nhưng đối với các thử nghiệm trên\r\nđối tượng có cách điện không tự phục hồi, việc ngoại suy có thể được tiến hành\r\ntừ một giá trị không thấp hơn 50 % điện áp này. Việc ngoại suy có thể không thỏa\r\nmãn nếu dòng điện trong mạch thử nghiệm biến thiên không tuyến tính với điện áp\r\nđặt.
\r\n\r\n13.3.3. Khe hở thanh/thanh là thiết\r\nbị đo được công nhận
\r\n\r\nKhe hở thanh/thanh với các kích\r\nthước như cho trong phụ lục C và sử dụng phù hợp với phụ lục này là một thiết\r\nbị đo được công nhận để đo điện áp một chiều.
\r\n\r\n13.4. Đo dòng điện thử nghiệm
\r\n\r\nKhi thực hiện các phép đo dòng điện\r\nđi qua đối tượng thử nghiệm, có thể nhận biết được một số thành phần riêng rẽ.\r\nCác thành phần này khác nhau vài bậc độ lớn với cùng một đối tượng thử nghiệm\r\nvà điện áp thử nghiệm. Đó là:
\r\n\r\n- dòng điện điện dung, do việc đặt\r\nban đầu điện áp thử nghiệm và do bất kỳ gợn sóng hoặc các thăng giáng khác tác\r\nđộng lên dòng điện điện dung;
\r\n\r\n- dòng điện hấp thụ điện môi, do\r\ncác dịch chuyển điện tích chậm bên trong cách điện và kéo dài trong khoảng thời\r\ngian vài giây đến vài giờ. Quá trình này là thuận nghịch một phần, các dòng\r\nđiện có cực tính ngược lại được quan sát khi đối tượng thử nghiệm bị phóng điện\r\nhay ngắn mạch;
\r\n\r\n- dòng điện rò liên tục, dòng điện\r\nmột chiều ổn định cuối cùng, đạt được ở điện áp đặt không đổi sau khi các thành\r\nphần trên đã giảm về không;
\r\n\r\n- dòng điện phóng điện cục bộ.
\r\n\r\nPhép đo ba thành phần đầu tiên đòi\r\nhỏi sử dụng các dụng cụ đo dòng điện có phạm vi đo rộng. Điều quan trọng là đảm\r\nbảo rằng dụng cụ đo hoặc phép đo một thành phần bất kỳ của dòng điện không bị\r\nảnh hưởng bất lợi bởi các thành phần khác. Thông tin liên quan đến trạng thái\r\ncủa cách điện khi có thể thu được bằng cách trong thời gian thử nghiệm không\r\nphá hủy, quan sát biến thiên dòng điện theo thời gian.
\r\n\r\nĐộ lớn tương đối và tầm quan trọng\r\ncủa mỗi thành phần dòng điện phụ thuộc vào kiểu và tình trạng của đối tượng thử\r\nnghiệm, mục đích tiến hành thử nghiệm và thời gian thử nghiệm. Do đó, Ban kỹ\r\nthuật liên quan cần qui định các qui trình đo, đặc biệt là khi cần phân biệt\r\nmột thành phần cụ thể.
\r\n\r\nCác phép đo dòng điện xung phóng\r\nđiện cục bộ được thực hiện bằng các dụng cụ đo đặc biệt được đề cập trong IEC\r\n60270 : 1981, Phép đo phóng điện cục bộ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần chú ý đến giá trị\r\ncủa dòng điện có thể có trong trường hợp phóng điện đánh thủng dẫn đến làm hỏng\r\nđồng hồ không được bảo vệ thích hợp.
\r\n\r\n\r\n\r\n14.1. Thử nghiệm điện áp chịu\r\nthử
\r\n\r\nBan đầu, đặt điện áp lên đối tượng\r\nthử nghiệm ở một giá trị đủ thấp để ngăn ngừa ảnh hưởng bất kỳ của quá điện áp\r\ndo các quá độ đóng cắt. Điện áp này được tăng đủ chậm để cho phép đọc được trên\r\ndụng cụ đo nhưng không được chậm đến mức gây sự kéo dài không cần thiết của ứng\r\nsuất điện áp lên đối tượng thử nghiệm khi gần đến điện áp thử nghiệm U.\r\nCác yêu cầu này thường được thỏa mãn nếu tốc độ tăng xấp xỉ 2 % điện áp U\r\nmỗi giây khi điện áp đạt trên 75 % của U. Điện áp này phải được duy trì\r\ntrong thời gian qui định và sau đó giảm bằng cách phóng điện điện dung của\r\nmạch, kể cả của đối tượng thử nghiệm, qua một điện trở thích hợp.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh thời gian thử nghiệm có tính đến thời gian đạt tới phân bố điện áp ở trạng\r\nthái ổn định phụ thuộc vào điện trở và điện dung của các thành phần của đối\r\ntượng thử nghiệm. Nếu không có qui định nào khác của Ban kỹ thuật liên quan thì\r\nthời gian của thử nghiệm điện áp chịu thử phải là 60 s.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh cực tính của điện áp hoặc thứ tự đặt điện áp của mỗi cực tính và sai lệch\r\nbất kỳ so với các qui định trên.
\r\n\r\nCác yêu cầu của thử nghiệm được coi\r\nlà thỏa mãn nếu không xảy ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\n14.2. Thử nghiệm điện áp phóng\r\nđiện đánh thủng
\r\n\r\nĐiện áp phải được đặt và tăng liên\r\ntục cho đến khi xảy ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm. Phải\r\nghi lại giá trị điện áp đạt tới tại thời điểm phóng điện đánh thủng.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh tốc độ tăng điện áp, số lần đặt điện áp và qui trình đánh giá kết quả thử\r\nnghiệm (xem phụ lục A).
\r\n\r\n14.3. Thử nghiệm điện áp phóng\r\nđiện đánh thủng đảm bảo
\r\n\r\nĐiện áp phải được đặt và tăng liên\r\ntục cho đến khi xảy ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm. Phải\r\nghi lại giá trị điện áp đạt tới tại thời điểm phóng điện đánh thủng.
\r\n\r\nCác yêu cầu của thử nghiệm thường\r\nđược thỏa mãn nếu điện áp này không vượt quá điện áp phóng điện đánh thủng đảm\r\nbảo với số lần đặt điện áp qui định.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh số lần đặt điện áp và tốc độ tăng điện áp.
\r\n\r\nMỤC 5: THỬ\r\nNGHIỆM BẰNG ĐIỆN ÁP XOAY CHIỀU
\r\n\r\n15. Định nghĩa\r\nđối với thử nghiệm điện áp xoay chiều
\r\n\r\n15.1. Định nghĩa đối với thử\r\nnghiệm điện áp xoay chiều
\r\n\r\n15.1.1. giá trị của điện áp thử\r\nnghiệm (value of the test voltage)
\r\n\r\ngiá trị đỉnh của điện áp chia
CHÚ THÍCH: Ban kỹ thuật liên quan\r\ncó thể yêu cầu phép đo giá trị hiệu dụng của điện áp thử nghiệm thay cho giá\r\ntrị đỉnh trong các trường hợp giá trị hiệu dụng có thể quan trọng, ví dụ, khi\r\ncó liên quan đến các hiệu ứng nhiệt.
\r\n\r\n15.2. giá trị đỉnh (peak\r\nvalue)
\r\n\r\ngiá trị lớn nhất của điện áp này.\r\nTuy nhiên, phải bỏ qua các dao động cao tần nhỏ, ví dụ phát sinh từ các phóng\r\nđiện không đánh thủng
\r\n\r\n15.3. giá trị hiệu dụng\r\n(r.m.s) (r.m.s value)
\r\n\r\ncăn bậc hai của giá trị trung bình\r\ncủa bình phương các giá trị điện áp trong phạm vi một chu kỳ hoàn chỉnh.
\r\n\r\n\r\n\r\n16.1. Yêu\r\ncầu đối với điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n16.1.1. Dạng sóng của điện áp
\r\n\r\nĐiện áp thử nghiệm phải là điện áp\r\nxoay chiều thường có tần số nằm trong dải từ 45 Hz đến 65 Hz, thường được gọi\r\nlà điện áp thử nghiệm tần số công nghiệp. Các thử nghiệm đặc biệt có thể được\r\nyêu cầu ở các tần số thấp hơn hoặc cao hơn đáng kể so với dải này, theo qui\r\nđịnh của Ban kỹ thuật liên quan.
\r\n\r\nDạng sóng điện áp phải xấp xỉ hình\r\nsin với hai nửa chu kỳ gần giống nhau. Kết quả của thử nghiệm điện áp cao được\r\ngọi là không bị ảnh hưởng bởi sai lệch nhỏ so với hình sin nếu tỷ số giá trị\r\nđỉnh và giá trị hiệu dụng bằng trong phạm vi ± 5\r\n%.
Đối với một số mạch thử nghiệm\r\nthông dụng, phải chấp nhận các sai lệch lớn hơn. Chú ý rằng đối tượng thử\r\nnghiệm, đặc biệt nếu có đặc tính trở kháng phi tuyến, có thể ảnh hưởng đáng kể\r\nđến sai lệch khỏi hình sin.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nói chung, có thể giả\r\nđịnh rằng các yêu cầu trên về sai lệch khỏi hình sin sẽ được thỏa mãn nếu giá\r\ntrị hiệu dụng của các hài không vượt quá 5 % giá trị hiệu dụng của sóng cơ bản.
\r\n\r\n16.1.2. Dung sai
\r\n\r\nNếu không có qui đinh nào khác của\r\nBan kỹ thuật liên quan thì giá trị điện áp thử nghiệm đo được phải được duy trì\r\ntrong phạm vi ± 1 % mức qui định trong suốt quá trình thử nghiệm. Đối với các\r\nkhoảng thời gian thử nghiệm dài hơn 60 s thì giá trị điện áp thử nghiệm đo được\r\nphải được duy trì trong phạm vi ± 3 % mức qui định suốt thời gian thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần nhấn mạng rằng dung\r\nsai là hiệu số cho phép giữa giá trị qui định và giá trị thực tế đo được. Hiệu\r\nsố này cần được phân biệt với sai số đo là hiệu số giữa giá trị đo được và giá\r\ntrị thực.
\r\n\r\n16.2. Tạo\r\nđiện áp thử nghiệm
\r\n\r\n16.2.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\nĐiện áp thử nghiệm thường được cung\r\ncấp từ máy biến áp tăng áp. Một cách khác, nó có thể được tạo ra bằng một mạch\r\ncộng hưởng nối tiếp.
\r\n\r\nĐiện áp trong mạch thử nghiệm phải\r\nđủ ổn định để không bị ảnh hưởng bởi các dòng điện rò khác nhau. Các phóng điện\r\nkhông đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm không được làm giảm điện áp thử\r\nnghiệm tới mức và đến lúc mà điện áp phóng điện đánh thủng đo được của đối\r\ntượng thử nghiệm bị ảnh hưởng đáng kể.
\r\n\r\nTrong trường hợp phóng điện không\r\nđánh thủng, nếu không có qui định nào khác của Ban kỹ thuật liên quan thì điện\r\náp chịu thử được coi là thỏa mãn khi có thể chứng tỏ rằng giá trị đỉnh của điện\r\náp thử nghiệm không sai lệch quá 5 % trong các chu kỳ liên tiếp và sụt áp tức\r\nthời trong quá trình phóng điện không đánh thủng không vượt quá 20 % điện áp\r\nđỉnh. Đặc tính của mạch thử nghiệm cần thiết để thỏa mãn các yêu cầu trên phụ thuộc\r\nvào kiểu thử nghiệm (khô, ướt, v.v…), mức điện áp thử nghiệm và đặc tính của\r\nđối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần lưu ý đến khả năng\r\ncác phóng điện không đánh thủng có thể gây ra sự biến đổi đột ngột lớn của điện\r\náp giữa các đầu nối của đối tượng thử nghiệm. Hiện tượng này có thể gây hỏng\r\ncho đối tượng thử nghiệm hoặc máy biến áp thử nghiệm. Biện pháp khắc phục\r\nthường có thể thực hiện bằng cách thay đổi tần số tự nhiên của nguồn điện áp\r\nhoặc đưa vào hệ thống một lượng suy giảm nhất định.
\r\n\r\n16.2.2. Yêu cầu đối với mạch thử\r\nnghiệm bằng máy biến áp
\r\n\r\nĐể có điện áp thử nghiệm thực tế\r\nkhông bị ảnh hưởng bởi các dòng điện rò biến thiên thì dòng điện ngắn mạch do\r\nmáy biến áp cung cấp khi đối tượng thử nghiệm bị ngắn mạch ở điện áp thử nghiệm\r\ncần đủ lớn so với dòng điện rò ở tần số nguồn và trong mọi trường hợp cần tuân\r\nthủ hướng dẫn dưới đây:
\r\n\r\n- đối với thử nghiệm khô trên các\r\nmẫu nhỏ của cách điện rắn, cách điện lỏng hoặc kết hợp của cả hai, dòng điện\r\nngắn mạch khoảng 0,1 A (giá trị hiệu dụng) là thích hợp;
\r\n\r\n- đối với thử nghiệm trên cách điện\r\nngoài tự phục hồi (cái cách điện, dao cách ly, v.v…) dòng điện ngắn mạch không\r\nnhỏ hơn 0,1A (giá trị hiệu dụng) đối với thử nghiệm khô và 0,5 A (giá trị hiệu\r\ndụng) đối với thử nghiệm ướt là thích hợp; tuy nhiên, đối với thử nghiệm ướt\r\ntrên đối tượng có kích thước lớn có thể dẫn đến dòng điện rò lớn thì có thể cần\r\ndòng điện ngắn mạch đến 1 A.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Khi mạch thử nghiệm được\r\ncấp bởi máy phát điện quay, cần xét đến dòng điện ngắn mạch quá độ (xem IEC\r\n60034-4).
\r\n\r\nĐiện dung tổng của đối tượng thử\r\nnghiệm và điện dung phụ bất kỳ cần đủ để đảm bảo rằng điện áp phóng điện đo\r\nđược không bị ảnh hưởng bởi phóng điện cục bộ không đánh thủng hoặc cách phóng\r\nđiện trước trên đối tượng thử nghiệm. Giá trị điện dung trong phạm vi từ 0,5 nF\r\nđến 0,1 nF thường là đủ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nếu bất kỳ điện trở bảo\r\nvệ nào bên ngoài máy biến áp không vượt quá 10 kW,\r\nđiện dung hữu ích trên đầu cực của máy biến áp có thể được coi là ghép song\r\nsong với đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\nĐối với thử nghiệm nhiễm bẩn nhân\r\ntạo, các giá trị cao hơn của dòng điện ngắn mạch, đến 15 A hoặc cao hơn, là cần\r\nthiết (xem IEC 60507); cơ sở thử nghiệm cũng phải tuân thủ hai điều kiện dưới\r\nđây:
\r\n\r\n- tỷ số điện trở/điện kháng (R/X)\r\nbằng hoặc cao hơn 0,1;
\r\n\r\n- tỷ số dòng điện điện dung/dòng\r\nđiện ngắn mạch không vượt quá phạm vi từ 0,001 đến 0,1.
\r\n\r\nSự ổn định điện áp có thể được kiểm\r\ntra bằng việc ghi trực tiếp điện áp đặt lên đối tượng thử nghiệm, bằng hệ thống\r\nđo điện áp cao thích hợp.
\r\n\r\n16.2.3. Mạch cộng hưởng nối tiếp
\r\n\r\nMạch cộng hưởng nối tiếp chủ yếu\r\ngồm một cuộn cảm mắc nối tiếp với đối tượng thử nghiệm hoặc tải điện dung và\r\nnối với nguồn công suất trung áp. Một cách khác, mạch này có thể gồm một tụ\r\nđiện mắc nối tiếp với đối tượng thử nghiệm kiểu điện cảm. Bằng cách thay đổi\r\ncác tham số mạch hoặc tần số nguồn cung cấp, mạch có thể được điều chỉnh tới\r\ncộng hưởng khi một điện áp lớn hơn đáng kể so với điện áp nguồn và các dạng về\r\ncơ bản là hình sin được đặt vào đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\nSự ổn định của điều kiện cộng hưởng\r\nvà của điện áp thử nghiệm phụ thuộc vào sự không thay đổi của tần số nguồn và vào\r\ncác đặc tính của mạch thử nghiệm.
\r\n\r\nKhi xảy ra phóng điện, nguồn tạo ra\r\nmột dòng điện tương đối nhỏ làm hạn chế việc hỏng điện môi của đối tượng thử\r\nnghiệm.
\r\n\r\nMạch cộng hưởng nối tiếp đặc biệt\r\ncó ích khi đối tượng thử nghiệm như cáp, tụ điện hoặc hệ thống cách điện bằng\r\nkhí trong đó dòng điện rò trên cách điện ngoài rất nhỏ so với dòng điện điện\r\ndung qua đối tượng thử nghiệm hoặc năng lượng hình thành phóng điện đánh thủng\r\nlà rất nhỏ. Mạch cộng hưởng nối tiếp cũng có ích đối với thử nghiệm của cuộn\r\nkháng.
\r\n\r\nMạch này có thể không thích hợp đối\r\nvới cách điện ngoài trong điều kiện ướt hoặc nhiễm bẩn, trừ trường hợp thỏa mãn\r\ncác yêu cầu của 16.2.1.
\r\n\r\n16.3. Đo\r\nđiện áp thử nghiệm
\r\n\r\n16.3.1. Đo bằng các dụng cụ đo phù\r\nhợp với TCVN 6099-2 (IEC 60060-2)
\r\n\r\nViệc đo giá trị đỉnh, giá trị hiệu\r\ndụng, sai lệch khỏi hình sin và các sụt áp quá độ thường được tiến hành bằng\r\ncác dụng cụ đo phù hợp với TCVN 6099-2 (IEC 60060-2).
\r\n\r\nCần chú ý đến các yêu cầu về đặc\r\ntính đáp tuyến của các dụng cụ dùng để đo sụt áp quá độ.
\r\n\r\n16.3.2. Hiệu chuẩn thiết bị đo chưa\r\nđược công nhận bằng thiết bị đo được công nhận
\r\n\r\nQui trình này thường bao gồm việc\r\nthiết lập quan hệ giữa hiển thị của dụng cụ đo nhất định liên quan đến điện áp\r\nthử nghiệm và phép đo cùng một điện áp được thực hiện theo 16.3.1 hoặc bằng\r\nviệc sử dụng khe hở cầu theo IEC 60052.
\r\n\r\nMối quan hệ này có thể phụ thuộc\r\nvào sự có mặt của đối tượng thử nghiệm và khe hở cầu, lượng mưa trong các thử\r\nnghiệm ướt, v.v… Vì thế, điều quan trọng là các điều kiện này phải như nhau\r\ntrong quá trình hiệu chuẩn và thử nghiệm thực, trừ trường hợp, trong quá trình\r\nthử nghiệm khe hở cầu có thể được mở đủ để ngăn ngừa phóng điện tia lửa.
\r\n\r\nMối liên quan giữa điện áp nguồn và\r\nđiện áp đầu ra có thể không đủ ổn định để đo.
\r\n\r\nƯu tiên thực hiện việc hiệu chuẩn\r\ntại hoặc gần 100 % điện áp thử nghiệm, nhưng đối với các thử nghiệm trên đối\r\ntượng có cách điện không tự phục hồi thì có thể thực hiện việc ngoại suy từ giá\r\ntrị không thấp hơn 50 % điện áp này. Việc ngoại suy có thể không thỏa mãn nếu\r\ndòng điện trong mạch thử nghiệm biến thiên không tuyến tính với điện áp đặt,\r\nhoặc nếu có bất kỳ thay đổi trong dạng điện áp hoặc tần số giữa mức điện áp\r\nhiệu chuẩn và mức thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\n17.1. Thử nghiệm điện áp chịu\r\nthử
\r\n\r\nĐiện áp này phải được đặt lên đối\r\ntượng thử nghiệm bắt đầu từ một giá trị đủ thấp để ngăn ngừa bất kỳ tác động\r\nnào của các quá điện áp do quá độ đóng cắt. Điện áp thử nghiệm được tăng đủ\r\nchậm để cho phép đọc được trên dụng cụ đo nhưng không được quá chậm vì sẽ gây\r\nsự kéo dài không cần thiết của ứng suất điện trong đối tượng thử nghiệm ở giá\r\ntrị sát với điện áp thử nghiệm U. Các yêu cầu này thường được thỏa mãn\r\nnếu tốc độ tăng bằng khoảng 2 % U trong một giây, khi điện áp đặt trên\r\n75 % U. Điện áp này phải được duy trì trong thời gian qui định và sau đó\r\ngiảm nhanh, nhưng không ngắt đột ngột vì có thể gây ra các quá độ đóng cắt có\r\nthể làm hỏng hoặc cho kết quả thử nghiệm không đáng tin cậy.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh thời gian thử nghiệm và thời gian này phải độc lập với tần số trong dải\r\ntần từ 45 Hz đến 65 Hz. Nếu Ban kỹ thuật liên quan không qui định thì thời gian\r\nthử nghiệm chịu thử phải là 60 s.
\r\n\r\nCác yêu cầu của thử nghiệm được thỏa\r\nmãn nếu không có phóng điện đánh thủng nào xảy ra trên đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\n17.2. Thử nghiệm điện áp phóng\r\ndiện đánh thủng
\r\n\r\nĐiện áp phải được đặt và tăng liên\r\ntục cho đến khi xảy ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm. Phải\r\nghi lại giá trị điện áp thử nghiệm đạt tới tại thời điểm phóng điện đánh thủng.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh tốc độ tăng điện áp, số lần đặt điện áp và qui trình đánh giá kết quả thử\r\nnghiệm (xem phụ lục A).
\r\n\r\n17.3. Thử nghiệm điện áp phóng\r\nđiện đánh thủng đảm bảo
\r\n\r\nĐiện áp phải được đặt và tăng liên\r\ntục cho đến khi xảy ra phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm. Phải\r\nghi lại giá trị điện áp thử nghiệm đạt tới tại thời điểm phóng điện đánh thủng.
\r\n\r\nCác yêu cầu thử nghiệm này thường\r\nđược thỏa mãn nếu điện áp này không cao hơn so với điện áp phóng điện đánh\r\nthủng đảm bảo trong tất cả các lần qui định về đặt điện áp.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên qua phải qui định\r\nsố lần đặt điện áp và tốc độ tăng điện áp.
\r\n\r\nMỤC 6: THỬ\r\nNGHIỆM BẰNG ĐIỆN ÁP XUNG SÉT
\r\n\r\n18. Định nghĩa\r\nđối với thử nghiệm xung sét
\r\n\r\n18.1. Định\r\nnghĩa áp dụng chung
\r\n\r\nCác định nghĩa này áp dụng cho các\r\nxung không có dao động hoặc bướu xung hoặc áp dụng cho đường cong trung bình\r\nđược vẽ xuyên qua các dao động hoặc bướu xung.
\r\n\r\n18.1.1. xung sét toàn sóng\r\n(full lightning impulse)
\r\n\r\nxung sét không bị gián đoạn bởi\r\nphóng điện đánh thủng (xem hình 6). Xem điều 3 về định nghĩa của xung và 3.1 về\r\nsự khác biệt giữa xung sét và xung đóng cắt.
\r\n\r\n18.1.2. xung sét cắt\r\n(chopped lightning impulse)
\r\n\r\nxung sét mà trong thời gian xung,\r\nphóng điện đánh thủng gây ra giảm điện áp đột ngột, hầu như tới giá trị không\r\n(xem các hình từ 7 đến 9). Sự giảm đột ngột này có thể xảy ra trên đầu sóng\r\nhoặc đuôi sóng
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Sự cắt có thể do một khe\r\nhở cắt bên ngoài hoặc có thể xảy ra do phóng điện trên cách điện trong hoặc\r\ncách điện ngoài của đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\n18.1.3. giá trị điện áp thử\r\nnghiệm (value of the test voltage)
\r\n\r\ngiá trị đỉnh đối với xung sét không\r\ntheo chu kỳ
\r\n\r\nViệc xác định giá trị đỉnh trong\r\ntrường hợp có các dao động hoặc bướu xung trên các xung sét tiêu chuẩn được xét\r\nđến trong 19.2.
\r\n\r\nĐối với các dạng xung khác (xem ví\r\ndụ các hình 10e đến 10h), Ban kỹ thuật liên quan phải xác định giá trị điện áp\r\nthử nghiệm có tính đến kiểu thử nghiệm và đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\n18.1.4. thời gian đầu sóng T1\r\n(front time T1)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\n1,67 lần khoảng thời gian T giữa các thời điểm khi xung là 30 % và 90 % của giá\r\ntrị đỉnh (các điểm A và B, các hình từ 6 đến 9)
\r\n\r\n18.1.5. điểm gốc giả định O1\r\n(virtual origin O1)
\r\n\r\nthời điểm trước thời điểm ứng với\r\nđiểm A (xem các hình từ 6 đến 9) một khoảng thời gian bằng 0,3 T1.\r\nĐối với các dữ liệu có thang thời gian tuyến tính, đó là giao điểm với trục\r\nthời gian của đường thẳng vẽ qua điểm chuẩn A và B ở đầu sóng
\r\n\r\n18.1.6. thời gian tới nửa giá\r\ntrị T2 (time to half-value T2)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc giả định O1 và thời điểm khi điện áp\r\nđã giảm tới nữa giá trị đỉnh
\r\n\r\n18.2. Định\r\nnghĩa chỉ áp dụng cho xung cắt
\r\n\r\nXung sét cắt là một xung sét mà\r\ntrong thời gian của xung phóng điện đánh thủng gây ra giảm đột ngột điện áp,\r\nđiện áp khi đó giảm tới không hoặc gần tới không, có hoặc không có các dao động\r\n(xem các hình từ 7 đến 9).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Với một số đối tượng thử\r\nnghiệm hoặc cách bố trí thử nghiệm, có thể có sự san phẳng đỉnh hoặc làm tròn\r\nđiện áp trước lần giảm điện áp đột ngột cuối cùng. Ảnh hưởng tương tự cũng có\r\nthể thấy do thiếu sót của hệ thống đo. Việc xác định chính xác các tham số liên\r\nquan đến sự cắt (18.2.1 đến 18.2.5) đòi hỏi có điểm cắt rõ ràng và hệ thống đo\r\nđặc biệt. Các trường hợp khác do Ban kỹ thuật liên quan xem xét.
\r\n\r\n18.2.1. thời điểm cắt\r\n(instant of chopping)
\r\n\r\nthời điển lần đầu tiên xảy ra giảm\r\nđiện áp đột ngột đặc trưng cho sự cắt
\r\n\r\n18.2.2. thời gian tới thời điểm\r\ncắt Tc (time t chopping Tc)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc giả định O1 và thời điểm cắt
\r\n\r\n18.2.3. đặc tính liên quan\r\nđến sự giảm điện áp đột ngột trong lúc cắt (characteristics related to the\r\nvoltage collapse during chopping)
\r\n\r\ncác đặc tính giả định của sự giảm\r\nđiện áp đột ngột trong khi cắt được xác định bằng hai điểm C và D ở 70 % và 10\r\n% điện áp tại thời điểm cắt, xem hình 7. Khoảng thời gian giảm điện áp là 1,67\r\nlần khoảng thời gian giữa các điểm C và D. Tốc độ giảm điện áp là tỷ số giữa\r\nđiện áp ở thời điểm cắt và thời gian giảm điện áp
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Chỉ sử dụng các điểm C\r\nvà D để xác định; điều này không ngụ ý rằng có thể đo thời gian và tốc độ cắt\r\nvới độ chính xác bất kỳ bằng các hệ thống đo qui ước.
\r\n\r\n18.2.4. xung cắt đầu sóng tăng\r\ntuyến tính (linearly rising-chopped impulses)
\r\n\r\nđiện áp tăng với tốc độ gần như\r\nkhông đổi, cho đến khi cắt bằng phóng điện đánh thủng
\r\n\r\nĐể xác định xung này, vạch một\r\nđường thẳng thích hợp nhất xuyên qua phần đầu sóng giữa 30 % và 90 % biên độ\r\nđỉnh, các giao điểm với biên độ 30 % và 90 % khi đó được gọi là E và F, tương\r\nứng (xem hình 9).
\r\n\r\nXung được xác định bởi:
\r\n\r\n- điện áp đỉnh U;
\r\n\r\n- thời gian đầu sóng T1;
\r\n\r\n- tốc độ giả định S:
\r\n\r\nS =\r\nU / T1
\r\n\r\nĐó là độ dốc của đường thẳng vẽ qua\r\ncác điểm E và F, thường được biểu thị bằng kilôvôn trên micrôgiây.
\r\n\r\nXung cắt này được coi là tăng gần\r\ntuyến tính nếu đầu sóng, từ 30 % biên độ tới thời điểm cắt, hoàn toàn nằm giữa\r\nhai đường song song với đường EF, với độ xê dịch khỏi đường này theo thời gian\r\nlà ± 0,05 T1 (xem hình 9)
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giá trị và dung sai của\r\nđộ dốc giả định S phải do Ban kỹ thuật liên quan qui định.
\r\n\r\n18.3. Đường\r\ncong điện áp/thời gian
\r\n\r\n18.3.1. đường cong điện áp/thời gian\r\nđối với xung tăng tuyến tính (voltage/time curves for linearly rising\r\nimpulses)
\r\n\r\nđường cong liên hệ điện áp đỉnh với\r\nthời gian đầu sóng T1. Đường cong nhận được bằng cách đặt các xung\r\ncó các đầu sóng tuyến tính với độ dốc khác nhau
\r\n\r\n18.3.2. đường cong điện áp/thời\r\ngian đối với các xung có dạng kỳ vọng không đổi (voltage/time curves for\r\nimpulses of constant prospective shape)
\r\n\r\nđường cong liên hệ giữa điện áp\r\nphóng điện của đối tượng thử nghiệm với thời gian tới thời điểm cắt. Việc cắt\r\nnày có thể xảy ra tại đầu sóng, tại đỉnh hoặc đuôi sóng. Đường cong này nhận\r\nđược bằng cách đặt điện áp xung có dạng không đổi nhưng có các giá trị đỉnh kỳ\r\nvọng khác nhau (xem hình 11)
\r\n\r\n\r\n\r\n19.1. Xung sét tiêu chuẩn
\r\n\r\nXung sét tiêu chuẩn là xung sét\r\ntoàn sóng có thời gian đầu sóng là 1,2 ms\r\nvà thời gian tới nửa giá trị là 50 ms.\r\nXung như vậy gọi là xung 1,2/50.
\r\n\r\n19.2. Dung sai
\r\n\r\nNếu không có qui định nào khác của\r\nBan kỹ thuật liên quan thì các sai lệch dưới đây được chấp nhận giữa các giá\r\ntrị qui định đối với xung tiêu chuẩn và các giá trị đã được ghi trong thực tế:
\r\n\r\nGiá trị đỉnh ± 3 %
\r\n\r\nThời gian đầu sóng T1 ±\r\n30 %
\r\n\r\nThời gian tới nửa giá trị T2\r\n± 20 %
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Cần nhấn mạnh rằng,\r\ndung sai của giá trị đỉnh, thời gian đầu sóng và thời gian tới nửa giá trị là\r\ncác chênh lệch cho phép giữa giá trị qui định và giá trị ghi được trong thực tế\r\nnhờ các phép đo. Các chênh lệch này cần được phân biệt với sai số đo là chênh\r\nlệch giữa giá trị ghi được thực tế và giá trị thực. Thông tin về sai số đo xem\r\ntrong TCVN 6099-2 (IEC 60060-2).
\r\n\r\nVới một số mạch thử nghiệm, các dao\r\nđộng hoặc bướu xung có thể xuất hiện ở đỉnh xung, xem các hình từ 10 a đến 10\r\nd; nếu tần số của các dao động này không nhỏ hơn 0,5 MHz hoặc thời gian của\r\nbướu xung không lớn hơn 1 ms thì một\r\nđường cong trung bình được vẽ như trên các hình 10 a và 10 b và, nhằm mục đích\r\nđo, biên độ cực đại của đường cong này được chọn làm giá trị đỉnh xác định giá\r\ntrị điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\nBướu xung hoặc các dao động ở lân\r\ncận đỉnh, đo bằng hệ thống phù hợp với TCVN 6099-2 (IEC 60060-2), được châm\r\nchước với điều kiện là biên độ đỉnh hơn của chúng không lớn hơn 5 % của giá trị\r\nđỉnh. Trong các mạch máy phát xung thông dụng, các dao động trên phần đầu sóng,\r\nmà trong thời gian này điện áp không vượt quá 90 % giá trị đỉnh, thường có ảnh\r\nhưởng không đáng kể đến kết quả thử nghiệm. Nếu Ban kỹ thuật liên quan xét thấy\r\nđiều này là quan trọng thì khuyến cáo đo biên độ dao động này bằng dụng cụ đo\r\nthích hợp, như quy định trong TCVN 6099-2 (IEC 60060-2), dưới đường thẳng vẽ\r\nqua các điểm A’B’ (xem hình 12). Các tiêu chuẩn này được\r\nlấy trên các đường thẳng của điểm A và B, tương ứng, xác định theo 18.1.4,\r\nkhoảng cách AA’ bằng 25 % và BB’ bằng 5 % của giá trị\r\nđỉnh.
\r\n\r\nXung cần là xung đơn hướng, nhưng\r\nxem chú thích 2.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Trong các trường hợp\r\ncụ thể, ví dụ như trong quá trình thử nghiệm đối tượng có trở kháng thấp hoặc\r\nmạch thử nghiệm UHV có kích thước lớn, có thể không điều chỉnh được dạng xung\r\ntrong phạm vi dung sai khuyến cáo, không giữ được các dao động và/hoặc bướu\r\nxung trong phạm vi giới hạn qui định hoặc không tránh được sự đảo cực tính. Các\r\ntrường hợp như vậy cần được Ban kỹ thuật liên quan giải quyết.
\r\n\r\n19.3. Xung sét cắt tiêu chuẩn
\r\n\r\nXung sét cắt tiêu chuẩn là xung\r\ntiêu chuẩn cắt bởi một khe bên ngoài sau từ 2 ms\r\nđến 5ms. Các thời gian tới thời điểm\r\ncắt khác có thể được Ban kỹ thuật liên quan qui định. Do khó khăn thực tế trong\r\nphép đo, thời gian giảm điện áp không được tiêu chuẩn hóa.
\r\n\r\n19.4. Xung sét đặc biệt
\r\n\r\nTrong một số trường hợp có thể sử\r\ndụng các xung sét dao động. Điều này dẫn đến khả năng tạo các xung có thời gian\r\nđầu sóng ngắn hơn hoặc có giá trị đỉnh ứng với hiệu suất máy phát lớn hơn 1.
\r\n\r\n19.5. Tạo điện áp thử nghiệm
\r\n\r\nXung thường được tạo bởi một máy\r\nphát xung chủ yếu có một số tụ điện nạp song song từ nguồn điện áp một chiều và\r\nsau đó phóng điện nối tiếp vào mạch có đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\n19.6. Đo điện áp thử nghiệm và\r\nxác định dạng xung
\r\n\r\n19.6.1. Đo bằng các thiết bị đo phù\r\nhợp với TCVN 6099-2 (IEC 60060-2)
\r\n\r\nViệc đo giá trị đỉnh, các tham số\r\nthời gian và bướu xung hoặc các dao động trên điện áp thử nghiệm nói chung nên\r\nđược tiến hành bằng các thiết bị đo đã được công nhận theo TCVN 6099-2 (IEC\r\n60060-2). Phải thực hiện phép đo với đối tượng thử nghiệm trong mạch và, thông\r\nthường, phải kiểm tra dạng xung đối với từng đối tượng thử nghiệm. Trường hợp\r\nmột số đối tượng thử nghiệm có cùng thiết kế và kích thước, được thử nghiệm\r\ntrong các điều kiện giống nhau, thì chỉ cần kiểm tra dạng xung một lần.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Việc xác định dạng xung\r\nbằng tính toán các thông số mạch thử nghiệm không được xem là thỏa đáng.
\r\n\r\n19.6.2. Hiệu chuẩn thiết bị đo chưa\r\nđược công nhận bằng thiết bị đo được công nhận
\r\n\r\nQui trình này thường bao gồm việc\r\nthiết lập mối quan hệ giữa giá trị hiển thị của một số dụng cụ đo nào đó liên\r\nquan đến điện áp thử nghiệm (ví dụ điện áp cực đại của tầng thứ nhất của máy\r\nphát xung) và phép đo cùng một điện áp được tiến hành theo 19.6.1 hoặc bằng khe\r\nhở cầu, áp dụng theo IEC 60052.
\r\n\r\nMối quan hệ này có thể phụ thuộc\r\nvào sự có mặt của đối tượng thử nghiệm, khe hở cầu, v.v… Do đó điều quan trọng\r\nlà những điều kiện này phải như nhau trong quá trình hiệu chuẩn và thử nghiệm\r\nthực, ngoài ra trong quá trình thử nghiệm, khe hở cầu có thể mở đủ để ngăn ngừa\r\nphóng điện tia lửa.
\r\n\r\nĐối với thử nghiệm trên đối tượng\r\ncó cách điện tự phục hồi, việc hiệu chuẩn cần thực hiện tại hoặc gần 100 % điện\r\náp thử nghiệm. Đối với thử nghiệm trên đối tượng thử nghiệm có cách điện không\r\ntự phục hồi, có thể không tránh khỏi việc ngoại suy nhưng phải thực hiện việc\r\nngoại suy này từ giá trị không nhỏ hơn 50 % điện áp thử nghiệm. Chỉ cho phép\r\nngoại suy nếu có thể chứng tỏ rằng điện áp thử nghiệm tỷ lệ với đại lượng liên\r\nquan.
\r\n\r\n19.7. Đo dòng điện trong thử\r\nnghiệm bằng điện áp xung
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh các đặc tính của dòng điện chạy trong đối tượng thử nghiệm có thể được đo\r\ntrong quá trình thử nghiệm bằng điện áp xung cao áp. Khi sử dụng kiểu đo này để\r\nso sánh thì dạng xung là quan trọng và việc đo giá trị tuyệt đối của dòng điện\r\nnày có thể kém quan trọng hơn.
\r\n\r\n\r\n\r\n20.1. Thử\r\nnghiệm điện áp chịu thử
\r\n\r\nQui trình thử nghiệm khuyến cáo phụ\r\nthuộc vào bản chất của đối tượng thử nghiệm, như xác định điều 5. Ban kỹ thuật\r\nliên quan phải quy định phải áp dụng qui trình nào.
\r\n\r\nTrong các qui trình A, B và C, điện\r\náp đặt lên đối tượng thử nghiệm chỉ là giá trị chịu thử qui định, trong khi ở\r\nqui trình D thì phải sử dụng nhiều mức điện áp khác nhau.
\r\n\r\n20.1.1 Thử nghiệm điện áp chịu thử:\r\nQui trình A
\r\n\r\nĐặt lên đối tượng thử nghiệm ba\r\nxung có hình dạng và cực tính qui định, ở mức điện áp chịu thử danh định. Yêu\r\ncầu của thử nghiệm được thỏa mãn nếu không phát hiện được dấu hiệu hỏng khi sử\r\ndụng các phương pháp phát hiện do Ban kỹ thuật liên quan qui định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Qui trình này được\r\nkhuyến cáo đối với các thử nghiệm trên cách điện giảm chất lượng hoặc cách điện\r\nkhông tự phục hồi.
\r\n\r\n20.1.2 Thử nghiệm điện áp chịu thử:\r\nQui trình B
\r\n\r\nĐặt lên đối tượng thử nghiệm mười\r\nlăm xung có hình dạng và cực tính qui định, ở mức điện áp chịu thử. Yêu cầu của\r\nthử nghiệm được thỏa mãn nếu xuất hiện không quá hai phóng điện đánh thủng trên\r\nphần tự phục hồi của cách điện và nếu không phát hiện được dấu hiệu hỏng trên\r\ncách điện không tự phục hồi khi sử dụng các phương pháp phát hiện do Ban kỹ\r\nthuật liên quan qui định.
\r\n\r\n20.1.3. Thử nghiệm điện áp chịu\r\nthử: Qui trình C
\r\n\r\nĐặt lên đối tượng thử nghiệm ba\r\nxung có hình dạng và cực tính qui định, ở mức điện áp chịu thử. Nếu không xảy\r\nra phóng điện đánh thủng thì đối tượng thử nghiệm đã qua được thử nghiệm. Nếu\r\ncó nhiều hơn một phóng điện đánh thủng thì đối tượng thử nghiệm được coi là\r\nkhông qua được thử nghiệm. Nếu xảy ra một phóng điện đánh thủng trên phần tự\r\nphục hồi của cách điện thì đặt thêm chín xung nữa và nếu không xuất hiện phóng\r\nđiện đánh thủng thì đối tượng thử nghiệm đã qua được thử nghiệm.
\r\n\r\nNếu trong thời gian bất kỳ của thử\r\nnghiệm, bất kỳ hỏng hóc nào được phát hiện trong phần không tự phục hồi của\r\ncách điện khi quan sát bằng các phương pháp phát hiện do Ban kỹ thuật liên quan\r\nqui định thì đối tượng thử nghiệm được coi là không đạt yêu cầu của thử nghiệm
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Qui trình này phù hợp\r\nvới thông lệ ở Mỹ đã được sửa đổi để tương đương về mặt thống kê với qui trình\r\nB.
\r\n\r\n20.1.4. Thử nghiệm điện áp chịu\r\nthử: Qui trình D
\r\n\r\nĐối với cách điện tự phục hồi, có\r\nthể đánh giá điện áp xung phóng điện đánh thủng 10 % U10 bằng\r\ncách sử dụng qui trình thử nghiệm thống kê mô tả trong phụ lục A.
\r\n\r\nCác phương pháp thử nghiệm này cho\r\nphép đánh giá trực tiếp U10 và U50 hoặc\r\nđánh giá gián tiếp U10.
\r\n\r\nTrong trường hợp đánh giá gián\r\ntiếp, U10 có thể được suy ra từ giá trị U50\r\nbằng cách sử dụng công thức:
\r\n\r\nU10\r\n= U50 (1 - 1,3z)
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh giá trị được giả định cho độ lệch qui ước z của điện áp phóng điện đánh\r\nthủng. Đối với thử nghiệm khô trên cách điện không khí, không có liên quan đến\r\ncách điện khác, có thể sử dụng giá trị theo đơn vị tương đối z = 0,03.
\r\n\r\nĐối tượng thử nghiệm được xem là\r\nphù hợp nếu U10 không nhỏ hơn điện áp xung chịu thử qui định.
\r\n\r\nCó thể sử dụng các phương pháp thử\r\nnghiệm sau để đánh giá U50:
\r\n\r\na) phương pháp nhiều mức (xem\r\nA.1.1) với n ≥ 4 mức điện áp và m ≥ 10 xung trên một mức;
\r\n\r\nb) phương pháp tăng và giảm (xem\r\nA.1.2) với m = 1 xung mỗi nhóm và n ≥ 20 lần đặt có ích.
\r\n\r\nĐể đánh giá U10, có\r\nthể sử dụng phương pháp chịu thử tăng và giảm, với m = 7 xung mỗi nhóm và ít\r\nnhất là tám nhóm có ích.
\r\n\r\nTrong mọi trường hợp, khoảng điện\r\náp giữa các mức DU nên xấp xỉ từ 1,5 %\r\nđến 3 % giá trị ước lượng của U50.
\r\n\r\n20.2. Qui\r\ntrình thử nghiệm điện áp phóng điện đảm bảo
\r\n\r\nQui trình dùng cho thử nghiệm điện\r\náp phóng điện đảm bảo giống với các qui trình mô tả trong 20.1 với các thay đổi\r\nthích hợp giữa điều kiện phóng điện và điều kiện chịu thử.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan cũng có thể\r\nqui định các qui trình khác cho các đối tượng thử nghiệm cụ thể.
\r\n\r\nMỤC 7: THỬ\r\nNGHIỆM BẰNG XUNG ĐÓNG CẮT
\r\n\r\n21. Định nghĩa\r\nđối với các thử nghiệm xung đóng cắt
\r\n\r\n21.1. xung đóng cắt\r\n(switching impulse)
\r\n\r\nxung đóng cắt (khác với xung sét)\r\nđược định nghĩa trong 3.1. Đặc tính của xung đóng cắt được biểu thị bằng các\r\ntham số xác định trong 21.2 đến 21.7 (xem hình 13)
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan có thể qui\r\nđịnh các tham số phụ khi xem xét các thử nghiệm cụ thể.
\r\n\r\n21.2. giá trị điện áp thử nghiệm\r\n(value of the test voltage)
\r\n\r\ngiá trị đỉnh kỳ vọng, nếu không có\r\nqui định nào khác của Ban kỹ thuật liên quan
\r\n\r\n21.3. thời gian tới đỉnh Tp\r\n(time to peak Tp)
\r\n\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc thực\r\nvà thời điểm khi điện áp đạt tới giá trị đỉnh của nó
\r\n\r\n21.4. thời gian tới nửa giá trị\r\nT2 (time to half-value T2)
\r\n\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc thực\r\nvà thời điểm khi điện áp lần đầu tiên giảm tới nửa giá trị đỉnh
\r\n\r\n21.5. thời gian trên 90% Td\r\n(time above 90% Td)
\r\n\r\nkhoảng thời gian trong đó\r\nđiện áp xung vượt quá 90 % giá trị đỉnh của nó
\r\n\r\n21.6. thời gian tới giá trị\r\nkhông T0 (time to zero T0)
\r\n\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc thực\r\nvà thời điểm khi điện áp lần đầu tiên tới không
\r\n\r\nViệc qui định thời gian trên 90 %\r\nvà thời gian tới giá trị “không” thay cho thời gian tới nửa giá trị là có ích,\r\nví dụ, khi dạng xung bị ảnh hưởng bởi hiện tượng bão hòa trong đối tượng thử\r\nnghiệm hoặc mạch thử nghiệm, hoặc trong trường hợp tính khắc nghiệt của thử\r\nnghiệm trên những bộ phận quan trọng của cách điện trong của đối tượng thử\r\nnghiệm được coi là phụ thuộc nhiều vào các tham số này. Khi qui định xung đóng\r\ncắt, thường chỉ một nhóm tham số liên quan đến dạng sóng là được cho trước. Các\r\ntham số thời gian cụ thể xác định cần phải được chỉ rõ bằng ký hiệu tiêu chuẩn,\r\nví dụ, với xung Tp/T2 hoặc xung Tp/Td/T0.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Từ 21.3 đến 21.6: Thời\r\ngian đầu sóng của xung đóng cắt đôi khi được xác định theo cách tương tự như\r\nđầu sóng của xung sét (18.1.4) hoặc theo cách tương tự với các điểm chuẩn khác\r\nvà các hệ số nhân khác. Đối với các xung đóng cắt có tham số thời gian như cho\r\ntrong 22.1, thời gian tới đỉnh là từ 1,4 đến 1,8 lần thời gian đầu sóng.
\r\n\r\n21.7. thời gian tới thời điểm\r\ncắt Tc (time to chopping Tc)
\r\n\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc thực\r\nvà thời điểm cắt
\r\n\r\n21.8. xung tăng tuyến tính\r\n(linearly rising impulse)
\r\n\r\nxem 18.2.4 (áp dụng cho cả xung sét\r\nvà xung đóng cắt)
\r\n\r\n\r\n\r\n22.1. Xung đóng cắt tiêu chuẩn
\r\n\r\nXung đóng cắt tiêu chuẩn là một\r\nxung có thời gian tới đỉnh Tp là 250 ms\r\nvà thời gian tới nửa giá trị T2 là 2500 ms. Xung này được biểu thị là xung 250/2500.
\r\n\r\n22.2. Dung sai
\r\n\r\nNếu không có qui định nào khác của\r\nBan kỹ thuật liên quan thì các khác biệt dưới đây giữa giá trị qui định và giá\r\ntrị ghi được thực tế là được chấp nhận với cả xung tiêu chuẩn và xung đặc biệt\r\n(xem chú thích 1 của 19.2):
\r\n\r\nGiá trị đỉnh ± 3%
\r\n\r\nThời gian tới đỉnh ± 20 %
\r\n\r\nThời gian tới nửa giá trị ± 60 %
\r\n\r\nTrong một số trường hợp nhất định,\r\nví dụ với đối tượng thử nghiệm có trở kháng thấp, có thể khó điều chỉnh dạng\r\nxung trong phạm vi dung sai khuyến cáo. Trong những trường hợp như vậy Ban kỹ\r\nthuật liên quan có thể qui định dung sai khác hoặc dạng xung khác.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Điện áp phóng điện đánh\r\nthủng của khe hở dài trong không khí có thể bị ảnh hưởng bởi thời gian tới đỉnh\r\nvà thời gian tới nửa giá trị của xung đóng cắt. Do đó, đối với các đối tượng\r\nthử nghiệm này khuyến cáo sử dụng xung đóng cắt được đặc trưng bởi các tham số\r\nthời gian của xung. Dung sai lớn hơn về thời gian tới nửa giá trị kỳ vọng có\r\nthể được chấp nhận trong trường hợp phóng điện đánh thủng xảy ra trước hoặc tại\r\nđỉnh.
\r\n\r\n22.3. Xung đóng cắt đặc biệt
\r\n\r\nNhằm các mục đích đặc biệt, khi sử\r\ndụng xung đóng cắt tiêu chuẩn không được coi là đầy đủ hoặc thích hợp, Ban kỹ\r\nthuật có thể qui định các xung đóng cắt đặc biệt không theo chu kỳ hoặc có chu\r\nkỳ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Khi phóng điện được bắt\r\nđầu bằng một tiên đạo trong không khí từ điện cực tích điện dương, có thể coi\r\nhai xung là tương đương, khi chúng có cùng giá trị đỉnh và cùng khoảng thời\r\ngian giữa hai điểm tương ứng trên đầu sóng ở 70 % và 100 % giá trị đỉnh.
\r\n\r\n22.4. Tạo điện áp thử nghiệm
\r\n\r\nXung đóng cắt thường được tạo bởi\r\nmáy phát xung thông thường (xem 19.5). Các xung này cũng có thể được tạo bởi\r\nviệc đặt một xung điện áp lên cuộn dây hạ áp của máy biến áp thử nghiệm (hoặc\r\nmáy biến áp cần thử nghiệm). Các phương pháp tạo xung khác có thể được sử dụng,\r\nví dụ, khi cắt nhanh dòng điện trong một cuộn dây máy biến áp.
\r\n\r\nCác phần tử của mạch điện để tạo\r\nxung đóng cắt cần được chọn sao cho tránh làm méo quá mức dạng xung do dòng\r\nđiện phóng điện không đánh thủng trong đối tượng thử nghiệm. Dòng điện như vậy\r\ncó thể đạt tới giá trị tương đối lớn, đặc biệt là trong quá trình thử nghiệm\r\nnhiễm bẩn trên cách điện ngoài ở điện áp cao. Trong các mạch thử nghiệm có trở\r\nkháng trong cao, các dòng điện này có thể gây méo điện áp nghiêm trọng hoặc\r\nthậm chí ngăn cản việc xảy ra phóng điện đánh thủng.
\r\n\r\n22.5. Đo điện áp thử nghiệm và\r\nxác định dạng xung
\r\n\r\nViệc đo điện áp thử nghiệm và xác\r\nđịnh dạng xung cần được tiến hành như mô tả trong 19.6.1 và 19.6.2. Lưu ý là\r\nmặc dù IEC 60052 không cung cấp thông tin cụ thể liên quan đến phép đo giá trị\r\nđỉnh của xung đóng cắt nhưng các phép đo chỉ ra rằng khe hở cầu có thể được coi\r\nlà dụng cụ đo được công nhận đối với điện áp xung đóng cắt.
\r\n\r\n\r\n\r\nNói chung, các qui trình thử nghiệm\r\ngiống như đối với thử nghiệm xung sét và phải tuân theo các qui luật thống kê\r\ntương tự (xem điều 20 và phụ lục A). Nếu không có qui định nào khác của Ban kỹ\r\nthuật liên quan thì độ lệch qui ước của điện áp phóng điện đánh thủng đối với các\r\nthử nghiệm khô và ướt trên cách điện không khí, không liên quan đến bất kỳ cách\r\nđiện nào khác, có thể giả định là
\r\n\r\nz =\r\n0,06
\r\n\r\nCác khoảng điện áp DU rộng hơn tương ứng có thể sử dụng khi áp\r\ndụng qui trình đa mức hoặc qui trình tăng hoặc giảm.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Với các xung đóng cắt,\r\ncác phóng điện đánh thủng thường xuất hiện ở các thời gian ngẫu nhiên khá sớm\r\ntrước giá trị đỉnh. Khi trình bày các kết quả thử nghiệm phóng điện được tiến\r\nhành theo 20.1.4, quan hệ giữa xác suất phóng điện đánh thủng và điện áp thường\r\nđược biểu thị bằng giá trị đỉnh kỳ vọng. Tuy nhiên, cũng có thể sử dụng phương\r\npháp khác trong đó điện áp phóng điện đánh thủng thực đối với mỗi xung được đo;\r\nphân bố xác suất của giá trị điện áp đo được khi đó được xác định bằng phương\r\npháp mô tả đối với các thử nghiệm loại 3 trong phụ lục A.
\r\n\r\nMỤC 8: THỬ NGHIỆM\r\nBẰNG DÒNG ĐIỆN XUNG
\r\n\r\n24. Định nghĩa\r\nđối với các thử nghiệm dòng điện xung
\r\n\r\n24.1. dòng điện xung\r\n(impulse current)
\r\n\r\ncó hai kiểu dòng điện xung được sử\r\ndụng. Kiểu thứ nhất có dạng tăng từ không tới giá trị đỉnh trong thời gian ngắn\r\nvà sau đó giảm tới không theo dạng gần hàm mũ hoặc theo dạng hình sin tắt dần\r\nnhanh. Kiểu này được xác định bằng thời gian đầu sóng T1 và thời\r\ngian tới nửa giá trị T2 (xem 24.3 và 24.5).
\r\n\r\nLoại thứ hai có dạng gần giống hình\r\nchữ nhật và được xác định bằng thời gian của đỉnh và tổng thời gian (xem 24.6\r\nvà 24.7).
\r\n\r\n24.2. giá trị của dòng điện thử\r\nnghiệm (value of the test current)
\r\n\r\nthường được xác định bằng giá trị\r\nđỉnh. Với một số mạch thử nghiệm, bướu xung hoặc dạng dao động có thể có trên\r\ndạng sóng của dòng điện. Ban kỹ thuật liên quan phải qui định giá trị dòng điện\r\nthử nghiệm cần được xác định bằng giá trị đỉnh thực hay bằng đường cong trơn\r\nđược vẽ qua các dao động.
\r\n\r\n24.3. thời gian đầu sóng T1\r\n(front time T1)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\n1,25 lần khoảng thời gian T giữa các thời điểm khi xung là 10 % và 90 % giá trị\r\nđỉnh (xem hình 14a). Nếu các dao động có mặt đầu sóng thì các giá trị 10 % và\r\n90 % phải được suy ra từ đường cong trung bình được vẽ qua các dao động này\r\ntheo các tương tự với cách sử dụng đối với xung sét có dao động trên đầu sóng.
\r\n\r\n24.4. điểm gốc giả định O1\r\n(virtual origin O1)
\r\n\r\nở 0,1 T1 trước thời điểm\r\ndòng điện đạt tới 10 % giá trị đỉnh của nó. Đối với các biểu đồ có các thang\r\nthời gian tuyến tính, đó là giao điểm với trục thời gian của đường thẳng được\r\nvẽ qua các điểm chuẩn 10 % và 90 % trên đầu sóng
\r\n\r\n24.5. thời gian tới nửa giá trị T2\r\n(time to half-value T2)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\nkhoảng thời gian giữa điểm gốc giả định O1 với thời điểm dòng điện\r\nđã giảm tới nửa giá trị đỉnh
\r\n\r\n24.6. thời gian của đỉnh dòng\r\nđiện xung hình chữ nhật Td (duration of peak a\r\nrectangular impulse current Td)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\nkhoảng thời gian trong đó dòng điện lớn hơn 90 % giá trị đỉnh của nó (xem hình\r\n14b)
\r\n\r\n24.7. thời gian tổng của dòng\r\nđiện xung hình chữ nhật Tt (total duration of a rectangular\r\nimpulse current TL)
\r\n\r\ntham số giả định được xác định bằng\r\nkhoảng thời gian trong đó dòng điện lớn hơn 10 % giá trị đỉnh của nó (xem hình\r\n14b). Nếu các dao động có mặt trên đầu sóng thì một đường cong trung bình sẽ\r\nđược vẽ để xác định tại đó đạt tới giá trị 10 %.
\r\n\r\n\r\n\r\n25.1. Dòng điện xung tiêu chuẩn
\r\n\r\nSử dụng bốn dòng điện xung tiêu\r\nchuẩn ứng với kiểu thứ nhất của xung được sử dụng như định nghĩa trong 24.1.
\r\n\r\n- xung 1/20: thời gian đầu sóng 1 ms; thời gian tới nửa giá trị 20 ms;
\r\n\r\n- xung 4/10: thời gian đầu sóng 4 ms; thời gian tới nửa giá trị 10 ms;
\r\n\r\n- xung 8/20: thời gian đầu sóng 8 ms; thời gian tới nửa giá trị 20 ms;
\r\n\r\n- xung 30/80: thời gian đầu sóng 30\r\nms; thời gian tới nửa giá trị 80 ms.
\r\n\r\nDòng diện xung hình chữ nhật có\r\nthời gian đỉnh Td là 500 ms,\r\n1000 ms hoặc 2000 ms hoặc giữa 2000 ms và 3200 ms.
\r\n\r\n25.2. Dung sai
\r\n\r\nNếu không có qui định nào khác của\r\nBan kỹ thuật liên quan thì các khác biệt dưới đây được chấp nhận giữa các giá\r\ntrị qui định với dòng điện xung tiêu chuẩn và các giá trị ghi được thực tế:
\r\n\r\nĐối với các xung 1/20, 4/10, 8/20\r\nvà 30/80:
\r\n\r\ngiá trị đỉnh ± 10 %
\r\n\r\nthời gian đầu sóng T1 ±\r\n10 %
\r\n\r\nthời gian tới nửa giá trị T2\r\n± 10 %
\r\n\r\nBướu xung hoặc dao động nhỏ được bỏ\r\nqua với điều kiện là biên độ đỉnh đơn ở lân cận đỉnh của xung không lớn hơn 5 %\r\ngiá trị đỉnh. Sự đảo cực tính bất kỳ sau khi dòng điện giảm tới “không” không\r\nđược lớn hơn 20 % giá trị đỉnh.
\r\n\r\nĐối với xung hình chữ nhật:
\r\n\r\ngiá trị đỉnh + 20 %; - 0 %
\r\n\r\nthời gian của đỉnh + 20 %; - 0 %
\r\n\r\nBướu xung hoặc dao động được bỏ qua\r\nvới điều kiện là biên độ đỉnh đơn không lớn hơn 10 % giá trị đỉnh. Tổng thời\r\ngian của xung hình chữ nhật không được lớn hơn 1,5 lần thời gian của đỉnh và\r\nđảo cực tính cần được giới hạn ở 10 % giá trị đỉnh.
\r\n\r\n25.3. Đo dòng điện thử nghiệm
\r\n\r\nDòng điện thử nghiệm phải được đo\r\nbằng dụng cụ đo đã qua qui trình công nhận đề cập trong TCVN 6099-2 (IEC\r\n60060-2).
\r\n\r\n25.4. Đo điện áp trong quá trình\r\nthử nghiệm bằng dòng điện xung
\r\n\r\nĐiện áp xuất hiện trên đối tượng\r\nthử nghiệm trong quá trình thử nghiệm bằng dòng điện xung lớn cần được đo bằng thiết\r\nbị đã qua qui trình công nhận nêu trong TCVN 6099-2 (IEC 60060-2) để đo điện áp\r\nxung.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Dòng điện xung có thể\r\ntạo nên điện áp đáng kể trong mạch đo điện áp, gây sai số lớn. Do đó, để kiểm\r\ntra, đoạn dây dẫn thường nối bộ phận phân áp với đầu mang điện của đối tượng\r\nthử nghiệm được tháo ra khỏi điểm này và thay vào đó được nối tới đầu nối đất\r\ncủa đối tượng thử nghiệm, nhưng vẫn duy trì đường vòng gần như vậy. Một cách\r\nkhác, đối tượng thử nghiệm có thể được nối tắt hoặc được thay bằng dây dẫn kim\r\nloại chắc chắn. Dạng hình học của mạch thử nghiệm cần được sửa đổi cho tới khi\r\nđiện áp đo được máy phát phóng điện ở bất kỳ trong số các điều kiện này là\r\nkhông đáng kể so với điện áp trên đối tượng thử nghiệm, ít nhất là trong thời\r\ngian của phần xung quan trọng đối với việc đánh giá kết quả thử nghiệm.
\r\n\r\nMỤC 9: THỬ\r\nNGHIỆM PHỐI HỢP VÀ TỔNG HỢP
\r\n\r\n26. Thử nghiệm\r\nđiện áp phối hợp
\r\n\r\nThử nghiệm điện áp phối hợp là thử\r\nnghiệm trong đó hai nguồn riêng biệt, tạo ra điện áp đối với đất, được nối với\r\nhai đầu cực của đối tượng thử nghiệm (ví dụ máy cắt điện hở mạch, xem hình 15\r\na). Trong thử nghiệm này, bất kỳ hai trong các điện áp xung sét, xung đóng cắt,\r\nmột chiều hoặc xoay chiều tần số công nghiệp đều có thể phối hợp với nhau.
\r\n\r\nĐiện áp thử nghiệm được đặc trưng\r\nbởi biên độ điện áp, thời gian trễ Dt\r\nvà dạng sóng, giá trị đỉnh và cực tính của từng thành phần.
\r\n\r\nKhi thực hiện các thử nghiệm điện\r\náp phối hợp trên thiết bị đóng cắt là nhằm mô phỏng các điều kiện trong đó một\r\nđầu cực của thiết bị đóng cắt hở mạch mang điện áp tần số công nghiệp còn đầu\r\ncực kia chịu quá điện áp xung sét hoặc quá điện áp xung đóng cắt. Mạch thử\r\nnghiệm phải mô phỏng điều kiện này trên cách điện trong và cách điện ngoài. Trong\r\ncác trường hợp đặc biệt, Ban kỹ thuật liên quan có thể cho phép mô phỏng điện\r\náp tần số công nghiệp bằng các xung đóng cắt có dạng thích hợp.
\r\n\r\n26.1. Giá trị điện áp thử nghiệm\r\nU
\r\n\r\nGiá trị điện áp thử nghiệm U\r\nlà hiệu điện thế lớn nhất giữa các đầu cực mang điện của đối tượng thử nghiệm\r\n(xem hình 15 b).
\r\n\r\n26.2. Thời gian trễ Dt
\r\n\r\nThời gian trễ Dt của điện áp phối hợp là khoảng thời gian\r\ngiữa các thời điểm khi các thành phần điện áp đạt tới giá trị đỉnh, đo được từ\r\nthời điểm của đỉnh âm (xem hình 20). Giá trị này có dung sai là ± 0,05 Tpmax,\r\ntrong đó Tp là thời gian tới đỉnh hoặc thời gian đầu sóng đối với\r\nxung và một phần tư chu kỳ đối với điện áp xoay chiều và Tpmax là\r\ngiá trị lớn hơn trong số các giá trị Tp của hai thành phần.
\r\n\r\nHai điện áp của thử nghiệm điện áp\r\nxung phối hợp được gọi là đồng bộ khi thời gian trễ Dt của chúng bằng không, trong phạm vi dung sai qui định.
\r\n\r\n26.3. Dạng điện áp thực
\r\n\r\nDo ngẫu cảm giữa hai hệ thống\r\nnguồn, dạng và biên độ của hai thành phần của thử nghiệm điện áp phối hợp sẽ\r\nkhác với dạng và biên độ được tạo bởi các nguồn tương tự nhưng được sử dụng\r\nriêng. Do đó, chúng phải được đo phối hợp, tốt nhất là bằng các hệ thống đo\r\nriêng rẽ với đất.
\r\n\r\nMỗi hệ thống đo phải phù hợp để đo\r\ndạng sóng của cả hai thành phần nhằm tránh sai số khi ghi ảnh hưởng lẫn nhau\r\ncủa chúng.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan phải qui\r\nđịnh sai lệch cho phép lớn nhất so với dạng điện áp qui định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Cần tính đến trường hợp\r\nphóng điện đánh thủng xuất hiện trong thử nghiệm điện áp phối hợp, cả hai nguồn\r\nđiện áp sẽ tác động trực tiếp với nhau nếu không có phần tử bảo vệ bổ sung (ví\r\ndụ như điện trở hoặc khe hở bảo vệ) trong mạch điện. Trong bất kỳ trường hợp\r\nnào phân bố điện áp giữa hai nguồn điện áp sẽ thay đổi hoàn toàn khi có phóng\r\nđiện đánh thủng.
\r\n\r\n26.4. Bố trí đối tượng thử\r\nnghiệm
\r\n\r\nCách bố trí đối tượng thử nghiệm,\r\nđặc biệt với các kết cấu nối đất phải được Ban kỹ thuật liên quan qui định.
\r\n\r\n26.5. Hệ số hiệu chỉnh khí hậu
\r\n\r\nTrong thử nghiệm điện áp phối hợp,\r\nhệ số hiệu chỉnh khí hậu liên quan đến thành phần giá trị cao nhất phải được sử\r\ndụng cho giá trị điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\nĐiện áp tổng hợp là điện áp do hai\r\nnguồn điện áp khác nhau được nối một cách thích hợp, đặt lên một đầu cực của\r\nđối tượng thử nghiệm đối với đất.
\r\n\r\nBan kỹ thuật liên quan cần đưa ra\r\nđịnh nghĩa về các tham số của điện áp này.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Thử nghiệm tổng hợp cũng\r\ncó thể được thực hiện bằng cách đặt nguồn điện áp và nguồn dòng điện xung lên\r\nđối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
(qui\r\nđịnh)
\r\n\r\nXử lý thống kê các kết quả thử nghiệm
\r\n\r\nA.1. Phân loại thử nghiệm
\r\n\r\nCác qui trình thử nghiệm phóng điện\r\nđánh thủng có thể chia thành ba loại để đánh giá thống kê.
\r\n\r\nA.1.1. Loại 1: Thử nghiệm đa mức
\r\n\r\nTrong thử nghiệm loại 1, ứng suất\r\nđiện áp m1 về cơ bản là bằng nhau được sử dụng ở mỗi trong số\r\nn mức điện áp Ui (i = 1, 2, …, n). Mặc dù qui\r\ntrình này thường được sử dụng với điện áp xung, một số thử nghiệm bằng điện áp\r\nxoay chiều và một chiều cũng thuộc loại này.
\r\n\r\nCác kết quả thử nghiệm là n số mi\r\nlần đặt điện áp và số tương ứng di các lần phóng điện đánh thủng ở\r\nmỗi mức điện áp thử nghiệm Ui.
\r\n\r\nA.1.2. Loại 2: Thử nghiệm tăng\r\nvà giảm
\r\n\r\nTrong thử nghiệm loại 2, n nhóm gồm\r\nm ứng suất điện áp về cơ bản là bằng nhau được sử dụng ở các mức điện áp Ui.\r\nMức điện áp cho mỗi nhóm ứng suất kế tiếp nhau được tăng hoặc giảm một lượng\r\nnhỏ DU tùy theo kết quả của nhóm\r\nứng suất trước đó.
\r\n\r\nCó hai qui trình thử nghiệm thường\r\nđược sử dụng. Qui trình chịu thử, nhằm tìm ra các mức điện áp ứng với xác suất\r\nphóng điện đánh thủng thấp và qui trình phóng điện nhằm tìm ra các mức điện áp\r\nứng với xác suất phóng điện đánh thủng cao hơn. Trong qui trình chịu thử, mức điện\r\náp tăng một lượng DU nếu không\r\nxảy ra phóng điện đánh thủng trong nhóm gồm m lần đặt điện áp, nếu không thì\r\nmức điện áp sẽ giảm đi một lượng tương tự. Trong qui trình phóng điện, mức điện\r\náp được tăng lên một lượng DU\r\nnếu có một hoặc nhiều lần chịu thử, nếu không thì sẽ giảm đi một lượng tương\r\ntự.
\r\n\r\nKhi m =1, hai qui trình này\r\ntrở nên giống nhau và tương ứng thử nghiệm điện áp phóng điện đánh thủng 50 %\r\ntăng và giảm.
\r\n\r\nCác thử nghiệm với các giá trị khác\r\ncủa m cũng được sử dụng để xác định các điện áp ứng với các xác suất phóng điện\r\nđánh thủng khác. Kết quả là các số ki của các nhóm ứng suất được sử\r\ndụng ở các mức điện áp Ui. Mức điện áp Ui\r\nđầu tiên được tính đến là mức mà tại đó sử dụng ít nhất là hai nhóm ứng suất.\r\nTổng số nhóm có ích là n = Ski.
\r\n\r\nA.1.3. Loại 3: Thử nghiệm\r\nphóng điện kế tiếp
\r\n\r\nTrong thử nghiệm loại 3, qui trình\r\ndẫn đến phóng điện đánh thủng trên đối tượng thử nghiệm áp dụng n lần. Điện áp\r\nthử nghiệm có thể tăng liên tục cho đến khi xảy ra phóng điện đánh thủng hoặc\r\ngiữ không đổi ở một mức nào đó đến khi quan sát thấy phóng điện đánh thủng. Kết\r\nquả là n giá trị điện áp Ui hoặc thời gian ti tại\r\nđó xảy ra phóng điện đánh thủng.
\r\n\r\nCác thử nghiệm này được tiến hành ở\r\nđiện áp một chiều, xoay chiều hoặc điện áp xung. Các thử nghiệm mà phóng điện\r\nđánh thủng xảy ra trên đầu sóng của xung cũng thuộc loại này.
\r\n\r\nA.2. Đặc điểm thống kê của\r\nphóng điện đánh thủng
\r\n\r\nKhi p, xác suất phóng điện\r\nđánh thủng trong qui trình thử nghiệm cho trước, chỉ phụ thuộc vào điện áp thử\r\nnghiệm, U, thì đặc điểm của đối tượng thử nghiệm có thể được đặc trưng\r\nbởi hàm số p(U) được xác định từ quá trình diễn biến của phóng điện.\r\nTrên thực tế, hàm số này, hàm số xác suất phóng điện đánh thủng, có thể được\r\nbiểu diễn toán học bằng biểu thức phụ thuộc vào ít nhất hai tham số U50\r\nvà z. U50 là điện áp phóng điện 50 % có p(U) = 0,5\r\nvà z là độ lệch qui ước; z = U50 – U16,\r\ntrong đó U16 là điện áp có p(U) = 0,16.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Ví dụ về p(U) có thể\r\nđược lấy từ các hàm số phân bố xác suất Gauxơ (hoặc phân bố chuẩn), Weibull\r\nhoặc Gumbel. Kinh nghiệm cho thấy đối với 0,15 < p < 0,85 phần lớn các\r\nphân bố lý thuyết có thể được coi là tương đương nhau. Các phân bố đặc biệt\r\nWeibull hoặc Gumbell là các gần đúng chấp nhận được của phân bố Gauxơ có U50\r\nvà z cho trước đối với p nằm giữa 0,02 và 0,98. Ngoài các giới hạn này\r\ncó rất ít thông tin có giá trị.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Đôi khi p là\r\nhàm số của hai hoặc nhiều tham số, ví dụ U và dU/dt. Trong các\r\ntrường hợp này, không một hàm đơn giản nào có thể sử dụng để mô tả p. Chi tiết\r\nvề các trường hợp này có thể xem trong tài liệu kỹ thuật.
\r\n\r\nHàm số p(U) và các tham số U50\r\nvà z có thể tìm ra từ các thử nghiệm với số lần đặt điện áp rất lớn, với\r\nđiều kiện là các đặc tính của đối tượng thử nghiệm giữ không đổi trong suốt thử\r\nnghiệm.
\r\n\r\nTrên thực tế, số lần đặt điện áp\r\nthường có giới hạn và các ước lượng của U50 và z dựa trên\r\ndạng giả định của p(U) sẽ phụ thuộc vào độ không đảm bảo thống kê.
\r\n\r\nA.2.1. Giới hạn độ tin cậy và\r\nsai số thống kê
\r\n\r\nNếu tham số y được ước lượng\r\ntừ n kết quả thử nghiệm thì có thể xác định các giới hạn độ tin cậy trên và\r\ndưới yu và yL với xác suất C là giá\r\ntrị đúng của y nằm trong các giới hạn này. C được gọi là độ tin cậy và nửa\r\nchiều rộng er = (yu – yL)\r\n/ 2 của khoảng tin cậy được gọi là sai số thống kê.
\r\n\r\nThông thường, C được lấy bằng 0,95\r\n(hoặc 0,90) và giới hạn tương ứng được gọi là giới hạn độ tin cậy 95 % (hoặc 90\r\n%).
\r\n\r\nSai số thống kê er phụ\r\nthuộc vào n và giá trị độ lệch qui ước z. Khi có thể, cần ước lượng độ lệch qui\r\nước z từ các thử nghiệm thực hiện trong các điều kiện thực tế. Nói chung, càng\r\nthực hiện nhiều thử nghiệm thì càng ước lượng độ lệch z tốt hơn. Tuy nhiên,\r\ncần nhớ rằng trong thời gian một chuỗi thử nghiệm kéo dài, điều kiện môi trường\r\ncó thể thay đổi đến mức làm mất đi lợi ích về độ chính xác do số lần thử nghiệm\r\ntăng lên.
\r\n\r\nVì không thể ước lượng chính xác độ\r\nlệch z từ một chuỗi giới hạn các thử nghiệm nên giá trị ước lượng từ các\r\nkết quả tích lũy của nhiều thử nghiệm thường do Ban kỹ thuật liên quan đưa ra.
\r\n\r\nSai số thống kê er\r\ncó thể kết hợp với các sai số ước lượng khác (ví dụ như sai số đo) để xác định\r\ngiới hạn sai số tổng dùng cho việc xác định một tham số cụ thể.
\r\n\r\nA.3. Phân tích các kết quả thử\r\nnghiệm
\r\n\r\nĐiều này áp dụng cho những trường\r\nhợp kết quả thử nghiệm có thể coi là các ước lượng độc lập nhau, nghĩa là kết\r\nquả thứ n không bị ảnh hưởng bởi những gì xảy ra trong thử nghiệm thứ (n\r\n– 1) hoặc (n – j).
\r\n\r\nA.3.1. Xử lý các kết quả từ các\r\nthử nghiệm loại 1
\r\n\r\nTrong trường hợp này, tần số phóng\r\nđiện ¦i = di / mi\r\nở mức điện áp Ui được lấy bằng ước lượng của p(Ui) là xác\r\nsuất phóng điện tại mức điện áp Ui, n ước lượng của p(Ui)\r\nthu được trong thử nghiệm loại 1 khi đó có thể phù hợp với một hàm phân bố xác\r\nsuất giả định p(U) và các tham số U50 và z xác định.
\r\n\r\nViệc này có thể thực hiện bằng cách\r\nvẽ đồ thị ¦i theo Ui\r\ntrên giấy vẽ đặc biệt được thiết kế để tạo ra đồ thị đường thẳng khi các xác\r\nsuất ước lượng phù hợp với một hàm phân bố thống kê cụ thể p(U) nào đó. Ví dụ\r\nphổ biến là giấy xác suất Gauxơ hoặc chuẩn mang lại đồ thị đường thẳng cho các\r\nước lượng phù hợp với hàm phân bố Gauxơ:
\r\n\r\nexp[- (u – U50)2\r\n/ 2 z2] du
CHÚ THÍCH: Giấy xác suất chuẩn\r\nkhông có thang tung độ bao trùm các giá trị p = 0 hoặc p = 1. Vì vậy, không thể\r\nvẽ trực tiếp các thử nghiệm ở các mức điện áp gây nên tất cả các phóng điện di\r\n= mi hoặc không có phóng điện nào di = 0. Biện pháp có\r\nthể để sử dụng các kết quả này là kết hợp chúng với các giá trị thu được ở mức\r\nđiện áp liền kề và vẽ như điện áp trung bình có trọng số.
\r\n\r\nMột cách khác, có thể sử dụng\r\nphương pháp giải tích bao gồm phương pháp bình phương nhỏ nhất hoặc các phương\r\npháp có thể (xem A.4) để tìm U50, z và giới hạn độ tin\r\ncậy của các ước lượng này.
\r\n\r\nTrong mọi trường hợp, cần sử dụng các\r\nphương pháp thích hợp (như hệ số hồi qui quy ước hoặc giới hạn độ tin cậy) để\r\nkiểm tra xem hàm xác suất giả định có phù hợp với các điểm đo được với đủ độ\r\nchính xác hay không. Tham khảo thêm tài liệu kỹ thuật liên quan.
\r\n\r\nNhư hướng dẫn chung, sai số thống\r\nkê có xu hướng biến thiên ngược với căn bậc hai của số lần đặt điện áp ở mỗi\r\nmức mi và tỷ lệ nghịch với số mức được sử dụng n. Cần lưu ý rằng nếu\r\ntất cả các giá trị của ¦i\r\nđều khác không và khác một thì với 10 lần đặt điện áp (m = 10) ở mỗi trong số\r\nnăm mức (n = 5) giới hạn độ tin cậy 95 % sẽ là:
\r\n\r\nĐối với U50:
\r\n\r\n(U*50\r\n– 0,75 z*) ≤ U50 ≤ (U*50 + 0,75 z*)
\r\n\r\nvà đối với z:
\r\n\r\n0,4\r\nz* ≤ z ≤ 2,0 z*
\r\n\r\nTrong đó U*50\r\nvà z* là các ước lượng của U50 và z thu được bằng cách\r\nlàm cho các kết quả thử nghiệm phù hợp với hàm phân bố xác suất phóng điện p(U)\r\ngiả định. Ngoài ra, sai số thống kê có xu hướng ngả về phía các giá trị thấp\r\nhơn đối với các ước lượng của Up ở lân cận p = 0,5 hoặc 50 %.
\r\n\r\nA.3.2. Xử lý các kết quả từ các\r\nthử nghiệm loại 2
\r\n\r\nThử nghiệm loại 2 cung cấp các ước\r\nlượng của Up là điện áp tại đó xác suất phóng điện đánh thủng là p.\r\nU*p, giá trị ước lượng của Up, được cho bởi:
\r\n\r\ntrong đó ki là số nhóm\r\nứng suất được sử dụng ở mức điện áp Ui. Để có công thức chính xác\r\nhơn, xem trong tài liệu kỹ thuật.
\r\n\r\nNhằm tránh các sai số đáng kể, mức\r\nđiện áp thấp nhất được xem xét không được sai khác so với U*p\r\nquá 2 DU.
\r\n\r\nQui trình chịu thử được mô tả trong\r\nA.1.2 cung cấp các ước lượng của Up đối với xác suất phóng điện đánh\r\nthủng p được cho bởi:
\r\n\r\np =\r\n1 – (0,5)1/m
\r\n\r\nTrong khi qui trình phóng điện cho\r\nUp đối với:
\r\n\r\np =\r\n(0,5)1/m
\r\n\r\nCác giá trị của p mà từ đó có thể\r\nước lượng Up trong các thử nghiệm tăng và giảm bị hạn chế bởi yêu\r\ncầu là m phải là số nguyên. Ví dụ được cho trong bảng A1.
\r\n\r\nBảng\r\nA1
\r\n\r\n\r\n m\r\n = \r\n | \r\n \r\n 70 \r\n | \r\n \r\n 34 \r\n | \r\n \r\n 14 \r\n | \r\n \r\n 7 \r\n | \r\n \r\n 4 \r\n | \r\n \r\n 3 \r\n | \r\n \r\n 2 \r\n | \r\n \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n p\r\n = \r\n | \r\n \r\n 0,01 \r\n | \r\n \r\n 0,02 \r\n | \r\n \r\n 0,05 \r\n | \r\n \r\n 0,10 \r\n | \r\n \r\n 0,15 \r\n | \r\n \r\n 0,20 \r\n | \r\n \r\n 0,30 \r\n | \r\n \r\n 0,50 \r\n | \r\n \r\n (qui\r\n trình chịu thử) \r\n | \r\n
\r\n p\r\n = \r\n | \r\n \r\n 0,99 \r\n | \r\n \r\n 0,98 \r\n | \r\n \r\n 0,95 \r\n | \r\n \r\n 0,90 \r\n | \r\n \r\n 0,85 \r\n | \r\n \r\n 0,80 \r\n | \r\n \r\n 0,70 \r\n | \r\n \r\n 0,50 \r\n | \r\n \r\n (qui\r\n trình chịu thử) \r\n | \r\n
Qui trình để ước lượng z và các\r\ngiới hạn độ tin cậy của có cũng có sẵn nhưng không được khuyến cáo để sử dụng\r\nchung.
\r\n\r\nA.3.3. Xử lý các kết quả từ các\r\nthử nghiệm loại 3
\r\n\r\nCác kết quả của thử nghiệm loại 3\r\nthường là một chuỗi n điện áp Ui từ đó xác định các tham số U50\r\nvà z của hàm xác suất phóng điện đánh thủng. Đối với phân bố Gauxơ (hoặc\r\nphân bố chuẩn), các ước lượng của U50 và z được cho\r\nbởi:
\r\n\r\nĐối với các phân bố khác, có thể sử\r\ndụng các phương pháp hợp lý để ước lượng U50 và z (xem\r\nA.4).
\r\n\r\nCác biểu thức và các phương pháp\r\ntương tự áp dụng trong các trường hợp cần phân tích số lần đến khi xuất hiện\r\nphóng điện đánh thủng ti.
\r\n\r\nGiới hạn độ tin cậy đối với phân bố\r\nGauxơ có thể tìm được bằng cách sử dụng các phân bố Student hoặc c-bình phương như mô tả trong tài liệu kỹ\r\nthuật.
\r\n\r\nNhư một ví dụ, trong trường hợp\r\nphân bố Gauxơ, giới hạn độ tin cậy 95 % đối với các ước lượng của U50\r\nvà z thu được thử nghiệm với n = 20 là:
\r\n\r\n(U*50\r\n– 0,47z*) ≤ U50 ≤ (U*50 + 0,47 z*)
\r\n\r\nvà
\r\n\r\n0,76z*\r\n≤ z ≤ 1,46z*
\r\n\r\nA.4. Ứng dụng các phương pháp\r\nhợp lý
\r\n\r\nCó thể sử dụng các phương pháp hợp\r\nlý khác để phân tích các kết quả của tất cả các loại thử nghiệm nói trên. Các\r\nphương pháp này cho phép ước lượng U50 và z và từ đó Up\r\nkhi chọn được hàm phân bố xác suất phóng điện p(U; U50,\r\nz).
\r\n\r\nNgoài ra, có thể sử dụng tất cả các\r\nkết quả thu được và có thể tìm được giới hạn độ tin cậy ứng với bất kỳ độ tin\r\ncậy C mong muốn nào.
\r\n\r\nA.4.1. Hàm hợp lý
\r\n\r\nĐối với các thử nghiệm loại 1 và\r\nloại 2, số lần phóng điện, di và số lần chịu thử wi tìm\r\nđược ở mỗi mức điện áp Ui đều đã biết. Nếu dạng hàm phân bố xác suất\r\nphóng điện p(U; U50, z) đã biết hoặc giả định thì xác\r\nsuất của một phóng điện ở mức Ui là p(Ui; U50,\r\nz) và xác suất một lần chịu thử là (1 – p(Ui; U50,\r\nz)). Hàm hợp lý Li tương ứng với di phóng điện và wi\r\nlần chịu thử xảy ra ở mức điện áp Ui khi đó sẽ là:
\r\n\r\nVì Ui, di\r\nvà wi đều đã biết nên Li chỉ là hàm số của U50\r\nvà z.
\r\n\r\nHàm hợp lý của một tập đầy đủ các\r\nkết quả gồm n giá trị của Ui lúc này trở thành:
\r\n\r\nL =\r\nLiL2….Li….Ln = L (U50,\r\nz)
\r\n\r\nĐối với các thử nghiệm loại 3, mỗi\r\nmức điện áp Ui xuất hiện trong các kết quả sẽ ứng với một phóng điện\r\nđánh thủng. Thông thường, một mức điện áp Ui sẽ xuất hiện mi\r\nlần, trong đó mi ≥ 1. Hàm hợp lý L sẽ trở thành
\r\n\r\nTrong đó
\r\n\r\n¦ = dp/du
\r\n\r\nPhương pháp tính L từ các tập kết\r\nquả mở rộng bằng cách xem xét các nhóm kết quả nằm trong một số các khoảng điện\r\náp có thể tìm được trong tài liệu.
\r\n\r\nA.4.2. Ước lượng U50\r\nvà z
\r\n\r\nCác ước lượng tốt nhất của U50\r\nvà z là các giá trị U*50 và z* làm giá\r\ntrị L cực đại.
\r\n\r\nCác ước lượng này thường được tìm\r\nra bằng cách sử dụng máy tính để thực hiện các tính toán lặp lại của L đối với\r\ncác giá trị U*50 và z* giả định. Với U*50\r\nvà z* cố định, có thể tìm ra Up ứng với giá trị\r\nmong muốn bất kỳ của xác suất phóng điện, p, từ hàm phân bố xác suất phóng điện\r\ngiả định với U50 = U*50 và z = z*.\r\nCác phương pháp xác định giới hạn độ tin cậy của U*50 và\r\nz* đều được tìm thấy trong tài liệu. Đối với các trường hợp C= 0,9\r\nphương trình L(U50, z) = 0,1 Lmax cho phép xác định được\r\ncác giới hạn độ tin cậy này.
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
(qui\r\nđịnh)
\r\n\r\nQui trình thử nghiệm nhiễm bẩn
\r\n\r\nB.1. Phương pháp tạo sương-muối
\r\n\r\nB.1.1. Chuẩn bị dung dịch muối
\r\n\r\nDung dịch muối cần được làm từ muối\r\n(NaCl tinh khiết) có độ mặn yêu cầu và nước máy thông thường. Nồng độ cần nằm\r\ntrong phạm vi ± 5 % của một trong các giá trị sau: 2,5 g; 3,5 g; 5 g; 7 g; 10\r\ng; 14 g; 20 g; 28 g; 40 g; 56 g; 80 g; 112 g; 160 g; hoặc 224 g trong một lít\r\ndung dịch.
\r\n\r\nThành phần cô đặc có thể được xác\r\nđịnh bằng cách đo điện trở suất hoặc nồng độ của dung dịch muối. Hình 16 và 17\r\nđưa giá giá trị điện trở suất và nồng độ, tương ứng, là hàm số của nồng độ muối\r\nở 100 C, 200 C và 300 C.
\r\n\r\nB.1.2. Các chi tiết của hệ thống\r\nphun
\r\n\r\nSương được tạo ra trong buồng thử\r\nnghiệm bằng một số vòi phun như thể hiện trên hình 18 và mô tả chi tiết dưới\r\nđây. Mỗi vòi phun có hai miệng phun, một miệng phun hoạt động như lỗ thoát\r\nkhông khí còn miệng phun kia làm lỗ thoát dung dịch muối. Khí nén theo đó thổi\r\nngang qua miệng phun dung dịch và tạo nên lớp sương bụi của dung dịch.
\r\n\r\nMiệng phun không khí cần phải được\r\ncung cấp không khí đã được lọc, không có dầu và ở áp suất cao hơn áp suất khí\r\nquyển 700 kPa, với dung sai ± 4 %. Miệng phun dung dịch cần được cung cấp dung\r\ndịch muối qui định ở áp suất được điều chỉnh sao cho trong thời gian thử nghiệm\r\ndòng dung dịch qua mỗi miệng phun là 0,5 L/min ± 10 %; dung sai của tổng dòng\r\nchảy của tất cả các vòi phun là ± 5 % giá trị danh nghĩa. Do đó, áp suất của\r\ndung dịch cũng phải giữ không đổi trong suốt thử nghiệm.
\r\n\r\nCác vòi phun được lắp cách nhau 0,6\r\nm theo hai dãy thẳng hàng, song cùng với đường tâm của đối tượng thử nghiệm\r\n(mỗi bên một dãy), dãy nọ cách dãy kia 3 m và trên cùng một mặt phẳng, với các\r\nvòi phun trên mỗi dãy chĩa thẳng vào nhau. Mỗi dãy cần được kéo dài ít nhất 0,6\r\nm vượt xa hơn các đầu của phần cách điện của đối tượng thử nghiệm; đối tượng\r\nthử nghiệm đặt thẳng đứng, nằm ngang hoặc nghiêng theo qui định của Ban kỹ\r\nthuật liên quan, nhưng cần đặt sao cho vòi phun thấp nhất ở cao hơn sàn ít nhất\r\nlà 0,6 m.
\r\n\r\nB.2. Nhiễm bẩn lắng đọng trước,\r\nqui trình phủ và làm ướt
\r\n\r\nB.2.1. Chuẩn bị vật liệu phủ
\r\n\r\nCần sử dụng một trong hai hợp chất\r\ndưới đây của chất ngưng kết:
\r\n\r\na) - 100 g đất tảo cát kieselgur\r\n(đất có nhiều tảo cát, diatomit),
\r\n\r\n- 10 g dioxit silic phân giải ở mức\r\nđộ cao, kích thước hạt 2 - 20 mm,
\r\n\r\n- 1000 g nước được khử khoáng
\r\n\r\nĐộ dẫn điện khối của chất ngưng kết\r\nphải được điều chỉnh bằng cách cho thêm một lượng muối (NaCl) thích hợp nhằm\r\nđạt đến giá trị được chọn từ các giá trị của bảng dưới đây, tương ứng với độ\r\ndẫn điện mặt chuẩn yêu cầu của lớp phủ. Chất ngưng kết được pha chế như vậy sau\r\nđó phải được áp vào bề mặt của cách điện để tạo ra một lớp có độ dày thích hợp\r\nnhằm đạt được độ dẫn điện chuẩn.
\r\n\r\n\r\n Độ dẫn điện mặt chuẩn ở 200C,\r\n mS (dung sai ± 15 %) \r\n | \r\n \r\n 7,5 \r\n | \r\n \r\n 10 \r\n | \r\n \r\n 15 \r\n | \r\n \r\n 20 \r\n | \r\n \r\n 30 \r\n | \r\n \r\n 40 \r\n | \r\n \r\n 60 \r\n | \r\n \r\n 80 \r\n | \r\n
\r\n Giá trị độ dẫn điện khối tương\r\n ứng của chất ngưng kết pha chế ở 200C. mS/cm \r\n | \r\n \r\n 2,25 \r\n | \r\n \r\n 3,0 \r\n | \r\n \r\n 4,5 \r\n | \r\n \r\n 6,0 \r\n | \r\n \r\n 9,0 \r\n | \r\n \r\n 12,0 \r\n | \r\n \r\n 8,0 \r\n | \r\n \r\n 24,0 \r\n | \r\n
b) - 40 g cao lanh hoặc tonoko
\r\n\r\n- 1000 g nước được khử khoáng
\r\n\r\nĐộ dẫn điện khối của chất ngưng kết\r\nphải được điều chỉnh bằng cách cho thêm một lượng muối (NaCl) thích hợp nhằm\r\nđạt đến mật độ ngưng tụ muối chuẩn yêu cầu.
\r\n\r\nSau đó, chất ngưng kết phải được áp\r\nvào bề mặt của cách điện để tạo ra một lớp có độ dày thích hợp nhằm đạt được\r\nmật độ ngưng tụ muối chuẩn.
\r\n\r\nB.2.2. Đặc điểm chính của các\r\nchất trơ
\r\n\r\nPhạm vi các giá trị đối với các đặc\r\nđiểm chính của chất trơ, xác định các loại đất tảo cát, cao lanh và tonoko nên\r\nsử dụng cho các chất ngưng kết được cho trong bảng dưới đây:
\r\n\r\n\r\n \r\n | \r\n \r\n Thành\r\n phần theo khối lượng tính bằng % của \r\n | \r\n \r\n Kích\r\n thước hạt, mm (phân bố tích lũy) \r\n | \r\n \r\n Độ\r\n dẫn điện khối ở 200C, mS/cm \r\n | \r\n |||||
\r\n Chất trơ \r\n | \r\n \r\n SiO2 \r\n | \r\n \r\n Al2O3 \r\n | \r\n \r\n Fe2O3 \r\n | \r\n \r\n H2O \r\n | \r\n \r\n 16\r\n % \r\n | \r\n \r\n 50\r\n % \r\n | \r\n \r\n 84\r\n % \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n Đất tảo cát \r\n | \r\n \r\n 70-90 \r\n | \r\n \r\n 5-25 \r\n | \r\n \r\n 0,5-6 \r\n | \r\n \r\n 7-14 \r\n | \r\n \r\n 0,1-0,2 \r\n | \r\n \r\n 0,4-1 \r\n | \r\n \r\n 2-10 \r\n | \r\n \r\n 15-200 \r\n | \r\n
\r\n Cao lanh \r\n | \r\n \r\n 40-50 \r\n | \r\n \r\n 30-40 \r\n | \r\n \r\n 0,3-2 \r\n | \r\n \r\n 7-14 \r\n | \r\n \r\n 0,1-0,2 \r\n | \r\n \r\n 0,4-1 \r\n | \r\n \r\n 2-10 \r\n | \r\n \r\n 15-200 \r\n | \r\n
\r\n Tonoko \r\n | \r\n \r\n 60-70 \r\n | \r\n \r\n 10-20 \r\n | \r\n \r\n 4-8 \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n \r\n 0,8-1,5 \r\n | \r\n \r\n 3-5 \r\n | \r\n \r\n 8-15 \r\n | \r\n \r\n 20-100 \r\n | \r\n
B.2.3. Qui trình phủ bền và làm\r\nướt
\r\n\r\nChất ngưng kết có thể được ngưng tụ\r\ntrên bề mặt sạch của đối tượng thử nghiệm bằng cách nhúng, phun hoặc đổ rót lớp\r\nphủ. Lớp phủ được tạo nên cần phân bố đều đến mức có thể thể trên toàn bộ bề\r\nmặt cách điện của đối tượng thử nghiệm.
\r\n\r\nLớp phủ phải được sấy khô trước khi\r\nbắt đầu thử nghiệm.
\r\n\r\nB.3. Đo độ nhiễm bẩn
\r\n\r\nĐộ nhiễm bẩn trên bề mặt của đối\r\ntượng thử nghiệm có thể được xác định bằng phương pháp cho trong B.3.1 hoặc\r\nbằng phương pháp cho trong B.3.2.
\r\n\r\nB.3.1. Độ dẫn điện mặt của bề\r\nmặt cách điện
\r\n\r\nĐể xác định độ dẫn điện mặt của bề\r\nmặt, điện dẫn rò Gq được đo\r\ngiữa hai điện cực trần trên đối tượng thử nghiệm. Từ điện dẫn này, độ dẫn điện\r\nbề mặt được tính bằng cách sử dụng hệ số hình dạng từ dạng hình học của bề mặt\r\ncách điện, xem dưới đây.
\r\n\r\nĐể cho các kết quả ổn định, điện áp\r\nsử dụng cho phép đo điện dẫn cần bằng khoảng 2 kV/m đường rò.
\r\n\r\nĐộ dẫn điện bề mặt Kq được tìm từ:
\r\n\r\nKq = Gq¦
\r\n\r\ntrong đó ¦ là hệ số hình dạng được cho bởi:
\r\n\r\ntrong đó:
\r\n\r\nL - chiều dài tổng của đường rò
\r\n\r\ndx - chiều dài của một vi phân\r\nđường rò, ở khoảng cách x tính từ một điện cực (0 ≤ x ≤ L)
\r\n\r\nB(x) - chiều rộng hoặc chu vi của\r\nđường rò ở khoảng cách x.
\r\n\r\nĐộ dẫn điện mặt Kq được hiệu chỉnh về 20 0C\r\nbằng công thức dưới đây để tính K20:
\r\n\r\ntrong đó q là nhiệt độ bề mặt cách điện, tính bằng độ C.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Việc xác định độ dẫn\r\nđiện mặt từ điện dẫn và hệ số hình dạng có thể cho các kết quả không đúng nếu\r\nđộ dẫn điện mặt không là hằng số hợp lý dọc theo chiều dài của đối tượng thử\r\nnghiệm hoặc phần chiều dài được đo.
\r\n\r\nB.3.2. Lượng natri clorua tương\r\nđương trên một centimét vuông bề mặt cách điện (S.D.D, mg/cm2)
\r\n\r\nBề mặt cách điện bị nhiễm bẩn hoặc\r\nmột phần nào đó của cách điện được rửa bằng nước được chưng cất, tất cả được\r\ngom cẩn thận lại. Điện trở suất của nước gom lại được đo và hiệu chỉnh về 20 0C.\r\nTheo hình 16, xác định lượng tương đương C của natri clorua tính bằng gam trên mỗi\r\nlít dung dịch. Từ đó, lượng tương đương M của natri clorua trên mỗi đơn vị diện\r\ntích bề mặt tính bằng miligam trên centimét vuông được xác định bằng
\r\n\r\nM =\r\nCV/A
\r\n\r\ntrong đó:
\r\n\r\nA - diện tích của bề mặt sạch tính\r\nbằng centimét vuông;
\r\n\r\nV - thể tích của nước được gom tính\r\nbằng centimét khối.
\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n
(qui\r\nđịnh)
\r\n\r\nHiệu chuẩn dụng cụ đo chưa được công nhận bằng\r\nkhe hở thanh/thanh
\r\n\r\nC.1. Bố trí chung của khe hở\r\nthanh/thanh
\r\n\r\nCách bố trí chung của khe hở\r\nthanh/thanh phải như hình 19a (khe hở thẳng đứng) hoặc hình 19b (khe hở nằm\r\nngang).
\r\n\r\nCác thanh phải được làm bằng thép\r\nhoặc đồng thau, có mặt cắt vuông với kích thước từ 15 mm đến 25 mm và có một\r\ntrục chung. Các đầu thanh phải được cắt vuông góc với trục để lại các cạnh sắc.
\r\n\r\nKhoảng cách từ đầu thanh điện áp\r\ncao đến đối tượng được nối đất và các vách, trừ mặt đất, không được nhỏ hơn 5\r\nm.
\r\n\r\nC.2. Giá trị chuẩn
\r\n\r\nĐiện áp phóng điện đánh thủng U0\r\nđối với điện áp một chiều cực tính dương và âm ở khí hậu tham chiếu chuẩn đối\r\nvới khe hở thẳng đứng hoặc nằm ngang, được tính bằng
\r\n\r\nU0\r\n= 2 + 0,534 d (C-1)
\r\n\r\ntrong đó U0 tính bằng\r\nkilôvôn và d là khoảng cách khe hở tính bằng milimét.
\r\n\r\nPhương trình (C-1) có giá trị đối\r\nvới:
\r\n\r\n250\r\nmm ≤ d ≤ 2500 mm
\r\n\r\n1\r\ng/m3 ≤ h/d ≤\r\n13 g/m3
\r\n\r\nTrong các điều kiện này, độ không\r\nđảm bảo đo được ước lượng nhỏ hơn ± 3 %.
\r\n\r\nKhông sử dụng khe hở thanh/thanh\r\nlàm dụng cụ đo được công nhận ở khoảng cách khe hở nhỏ hơn 250 mm vì không có\r\ncác phóng điện trước kiểu tiên đạo. Chưa có bằng chứng thực nghiệm nào chứng\r\nminh khả năng sử dụng khe hở này ở khoảng cách khe hở lớn hơn 2500 mm.
\r\n\r\nC.3. Qui trình hiệu chuẩn
\r\n\r\nKhoảng cách, d, giữa các\r\nthanh phải được đặt và điện áp được đặt và tăng sao cho khoảng thời gian giữa\r\n75 % và 100 % điện áp phóng điện đánh thủng là khoảng 1 min.
\r\n\r\nPhải lấy mười số đo điện áp ở thời\r\nđiểm phóng điện tia lửa với dụng cụ đo chưa được công nhận cần hiệu chuẩn. Điện\r\náp, ở khí hậu tham khảo tiêu chuẩn, tương ứng với giá trị trung bình mười giá\r\ntrị này được cho bởi phương trình (C-1). Điện áp này phải được hiệu chỉnh về\r\ncác điều kiện khí hậu thực theo 11.2.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Các\r\nhình vẽ
\r\n\r\nHình\r\n1 - Khoảng cách tối thiểu D tính từ các vật mang điện bên ngoài hoặc vật\r\nđược nối đất đến điện cực mang điện của đối tượng thử nghiệm, trong quá trình\r\nthử nghiệm điện áp xoay chiều hoặc xung đóng cắt dương ở điện áp U lớn nhất\r\nđược đặt trong quá trình thử nghiệm
\r\n\r\nA - Vít kẹp miệng phun
\r\n\r\nB - Ống cấp nước
\r\n\r\nC - Chi tiết có thể thay được
\r\n\r\nHình\r\n2a) Miệng phun kiểu I
\r\n\r\nA- Chi tiết bằng chất dẻo để giảm\r\nnguy cơ tắc nghẽn do bụi bẩn
\r\n\r\nB - Miếng bịt bằng cao su
\r\n\r\nC - Nắp chặn nước
\r\n\r\nHình\r\n2b) Miệng phun kiểu II
\r\n\r\nHình\r\n2c) Miệng phun kiểu III (chỉ mô tả chi tiết đối với lỗ)
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Chiều dài tia nước có\r\nthể thu được phụ thuộc vào đường kính lỗ và áp suất nước. Ở áp suất tối ưu, thường\r\nlà 300 kPa - 400 kPa chỉ phụ thuộc vào độ nhẵn của lỗ và bố trí của ống cấp\r\nnước, chiều dài gần đúng của tia nước đạt được với các miệng phun thể hiện trên\r\ncác hình 2a đến 2d được cho trong bảng dưới đây:
\r\n\r\n\r\n Kiểu\r\n miệng phun \r\n | \r\n \r\n Đường\r\n kính lỗ \r\nmm \r\n | \r\n \r\n Chiều\r\n dài tia nước \r\nm \r\n | \r\n
\r\n I\r\n và II \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n \r\n 4 \r\n | \r\n
\r\n I\r\n và II \r\n | \r\n \r\n 0,8 \r\n | \r\n \r\n 6 \r\n | \r\n
\r\n III \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n 10 \r\n | \r\n
\r\n (Hình\r\n nón) \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n \r\n 9-11 \r\n | \r\n
Hình\r\n2d) Miệng phun kiểu IV (thông lệ ở Mỹ)
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Miệng phun kiểu IV thể\r\nhiện trên hình 2d (thông lệ ở Mỹ) có lỗ đồng tâm với kích thươc cho trên hình\r\nvẽ. Với áp suất nước 250 kPa - 450 kPa cho chiều dài tia nước 2 m đến 3 m.
\r\n\r\nHình\r\n3 - k là hàm số của tỷ số giữa độ ẩm tuyệt đối h với mật độ không khí tương đối\r\nd
\r\n\r\nHình\r\n4 - Các giá trị của chỉ số mũ m trong hiệu chỉnh mật độ không khí và w\r\ntrong hiệu chỉnh độ ẩm là hàm số của tham số g: xem 11.2.3
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các giá trị của chỉ số\r\nmũ m và w được suy ra từ các giá trị thực nghiệm thu được trong các điều kiện\r\nkhác nhau. Tuy nhiên, chúng được giới hạn ở các độ cao so với mặt biển ít hơn\r\n2000 m.
\r\n\r\nHình\r\n5 - Độ ẩm tuyệt đối của không khí là hàm số của các số đọc của nhiệt kế bầu khô\r\nvà bầu ướt; xem 11.5. Đường cong của độ ẩm tương đối cũng được cho trên hình vẽ
\r\n\r\nHình\r\n6 - Xung sét toàn sóng
\r\n\r\nHình\r\n7 - Xung sét bị cắt trên đầu sóng
\r\n\r\nHình\r\n8 - Xung sét bị cắt trên đuôi sóng
\r\n\r\nHình\r\n9 - Xung cắt có đầu sóng tăng tuyến tính
\r\n\r\nHình\r\n10 - Ví dụ của xung sét có dao động hoặc bướu xung
\r\n\r\na, b Giá trị điện áp thử nghiệm\r\nđược xác định bởi đường cong trung bình (đường đứt nét).
\r\n\r\nc, d Giá trị điện áp thử nghiệm\r\nđược xác định bởi giá trị đỉnh.
\r\n\r\ne, f, g, h Không thể đưa ra hướng\r\ndẫn chung nào để xác định giá trị của điện áp thử nghiệm.
\r\n\r\nHình\r\n11- Đường cong điện áp/thời gian đối với các xung có dạng kỳ vọng không đổi
\r\n\r\nHình\r\n12 - Biên độ lớn nhất cho phép của dao động trên đầu sóng
\r\n\r\nHình\r\n13- Xung đóng cắt toàn sóng
\r\n\r\nHình\r\n14 a) - Dòng điện xung - theo hàm mũ
\r\n\r\nHình\r\n14 b) - Dòng điện xung - Hình chữ nhật
\r\n\r\nHình\r\n15 a) - Ví dụ về mạch thử nghiệm dùng cho thử nghiệm điện áp phối hợp
\r\n\r\nHình\r\n15 b) - Ví dụ về sóng điện áp cho giá trị điện áp thử nghiệm U trong quá\r\ntrình thử nghiệm điện áp phối hợp
\r\n\r\nHình\r\n16 - Điện trở suất của dung dịch natri clorua (NaCl) trong nước là hàm số của\r\nđộ mặn ở nhiệt độ dung dịch t là 100C, 200C và 300C
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Độ mặn được tính bằng\r\ngam trên lít khi xác định ở nhiệt độ 200C
\r\n\r\nHình\r\n17 - Nồng độ của dung dịch natri clorua (NaCl) là hàm số của độ mặn ở nhiệt độ\r\ndung dịch t là 100C, 200C và 300C
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Độ mặn được tính bằng\r\ngam trên lít khi xác định nhiệt độ 200C
\r\n\r\nA - thân bằng pecpêch
\r\n\r\nB - mối nối tiêu chuẩn đối với ống\r\nnòng chuẩn 8 mm (thép không gỉ)
\r\n\r\nC - thép không gỉ (đường ren SI\r\nchuẩn 6 mm với ống nòng 1,6 mm)
\r\n\r\nD - nilông (đường ren SI chuẩn 6\r\nmm, vít dài 16 mm với ống thép không gỉ đồng tâm)
\r\n\r\nE - chốt bằng pecpêch
\r\n\r\nHình\r\n18 - Vòi phun sương-muối, xem phụ lục B
\r\n\r\nHình\r\n19 a) - Bố trí thẳng đứng của khe hở thanh/thanh
\r\n\r\nHình\r\n19b) - Bố trí nằm ngang của khe hở thanh/thanh
\r\n\r\nHình\r\n20 - Xác định thời gian trễ Dt
\r\n\r\na) Phối hợp của hai điện áp xung
\r\n\r\nb) Phối hợp của một điện áp xung và\r\nmột điện áp xoay chiều tần số công nghiệp.
\r\n\r\n\r\n\r\n
MỤC\r\nLỤC
\r\n\r\nLời nói đầu
\r\n\r\nMục 1: Khái quát
\r\n\r\n1 Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2 Mục đích
\r\n\r\nMục 2: Định nghĩa chung
\r\n\r\n3 Xung
\r\n\r\n4 Đặc điểm liên quan đến phóng điện\r\nđánh thủng và điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n5 Phân loại cách điện trong đối\r\ntượng thử nghiệm
\r\n\r\nMục 3: Yêu cầu chung liên quan đến\r\nqui trình thử nghiệm và đối tượng thử nghiệm
\r\n\r\n6 Yêu cầu chung đối với qui trình\r\nthử nghiệm
\r\n\r\n7 Bố trí chung của đối tượng thử\r\nnghiệm
\r\n\r\n8 Thử nghiệm khô
\r\n\r\n9 Thử nghiệm ướt
\r\n\r\n10 Thử nghiệm nhiễm bẩn nhân tạo
\r\n\r\n11 Điều kiện khí hậu
\r\n\r\nMục 4: Thử nghiệm bằng điện áp một\r\nchiều
\r\n\r\n12 Định nghĩa đối với thử nghiệm áp\r\ndụng một chiều
\r\n\r\n13 Điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n14 Qui trình thử nghiệm
\r\n\r\nMục 5: Thử nghiệm bằng điện áp xoay\r\nchiều
\r\n\r\n15 Định nghĩa đối với thử nghiệm\r\nđiện áp xoay chiều
\r\n\r\n16 Điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n17 Qui trình thử nghiệm
\r\n\r\nMục 6: Thử nghiệm bằng điện áp xung\r\nsét
\r\n\r\n18 Định nghĩa đối với thử nghiệm\r\nxung sét
\r\n\r\n19 Điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n20 Qui trình thử nghiệm
\r\n\r\nMục 7: Thử nghiệm bằng xung đóng\r\ncắt
\r\n\r\n21 Định nghĩa đối với thử nghiệm\r\nxung đóng cắt
\r\n\r\n22 Điện áp thử nghiệm
\r\n\r\n23 Qui trình thử nghiệm
\r\n\r\nMục 8: Thử nghiệm bằng dòng điện\r\nxung
\r\n\r\n24 Định nghĩa đối với thử nghiệm\r\ndòng điện xung
\r\n\r\n25 Dòng điện thử nghiệm
\r\n\r\nMục 9: Thử nghiệm phối hợp và tổng\r\nhợp
\r\n\r\n26 Thử nghiệm điện áp phối hợp
\r\n\r\n27 Thử nghiệm tổng hợp
\r\n\r\nPhụ lục A – Xử lý thống kê các kết\r\nquả thử nghiệm
\r\n\r\nPhụ lục B – Qui trình thử nghiệm\r\nnhiễm bẩn
\r\n\r\nPhụ lục C – Hiệu chuẩn dụng cụ đo\r\nchưa được công nhận bằng khe hở thanh/thanh
\r\n\r\nCác hình vẽ
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6099-1:2007 (IEC 60060-1:1989) về Kỹ thuật thử nghiệm điện áp cao – Phần 1: Định nghĩa chung và yêu cầu thử nghiệm đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6099-1:2007 (IEC 60060-1:1989) về Kỹ thuật thử nghiệm điện áp cao – Phần 1: Định nghĩa chung và yêu cầu thử nghiệm
Tóm tắt
Cơ quan ban hành | Đã xác định |
Số hiệu | TCVN6099-1:2007 |
Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
Người ký | Đã xác định |
Ngày ban hành | 2007-01-01 |
Ngày hiệu lực | |
Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
Tình trạng | Hết hiệu lực |