Tóm tắt
| Số hiệu | TCN68-255:2006 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn ngành |
| Cơ quan | Bộ Bưu chính Viễn thông |
| Ngày ban hành | 25/12/2006 |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày hiệu lực | 01/01/1970 |
| Tình trạng | Hết hiệu lực |
Tiêu chuẩn ngành TCN 68-255:2006 về trạm gốc điện thoại di động mặt đất công cộng - Phương pháp đo mức phơi nhiễm điện từ do Bộ Bưu chính Viễn thông ban hành
| Số hiệu | TCN68-255:2006 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn ngành |
| Cơ quan | Bộ Bưu chính Viễn thông |
| Ngày ban hành | 25/12/2006 |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày hiệu lực | 01/01/1970 |
| Tình trạng | Hết hiệu lực |
Lời nói đầu
\r\n\r\nTiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 255: 2006 “Trạm\r\ngốc điện thoại di động mặt đất công cộng – Phương pháp đo mức phơi nhiễm trường\r\nđiện từ” được xây dựng trên cơ sở Tiêu chuẩn EN 50400 và EN 50383 của Ủy ban\r\nTiêu chuẩn hóa về Kỹ thuật điện châu Âu (CENELEC), có tham khảo một số tiêu\r\nchuẩn khác và tài liệu kỹ thuật của các nhà sản xuất thiết bị.
\r\n\r\nTiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 255: 2006 do Cục\r\nQuản lý chất lượng Bưu chính, Viễn thông và Công nghệ thông tin biên soạn theo\r\nđề nghị của Vụ Khoa học - Công nghệ và được ban hành theo Quyết định số\r\n54/2006/QĐ-BBCVT ngày 25/12/2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này áp dụng cho các trạm gốc điện\r\nthoại di động mặt đất công cộng có ăng ten lắp đặt ngoài trời, hoạt động trong\r\ndải tần số từ 110 MHz đến 3 GHz.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này quy định phương pháp đo mức\r\nphơi nhiễm trường điện từ và đánh giá sự tuân thủ của trạm gốc điện thoại di\r\nđộng mặt đất công cộng với tiêu chuẩn về mức giới hạn phơi nhiễm không do nghề\r\nnghiệp, khi trạm gốc được đưa vào hoạt động.
\r\n\r\n[1] CENELEC EN 50400 (June 2006) “Basic\r\nstandard to demonstrate the compliance of fixed equipment for radio\r\ntransmission (110 MHz - 40 GHz) intended for use in wireless telecommunication\r\nnetworks with the basic restrictions or the reference levels related to general\r\npublic human exposure to radio frequency electromagnetic fields, when put into\r\nservice”.
\r\n\r\n[2] CENELEC EN 50383 (August 2002) “Basic standard\r\nfor the calculation and measurement of electromagnetic field strength and SAR\r\nrelated to human exposure from radio base station and fixed terminal stations\r\nfor wireless telecommunication systems (110 MHz – 40 GHz)”.
\r\n\r\n[3] TCVN 3718-1:2005 “Quản lý an toàn\r\ntrong trường bức xạ tần số rađiô – Phần 1: Mức phơi nhiễm lớn nhất trong dải\r\ntần từ 3 kHz đến 300 GHz”.
\r\n\r\n[4] AS/NZS 2772.1:1998 “Radiofrequency\r\nfields – Part 1: Maximum exposure levels – 3 kHz to 300 GHz”.
\r\n\r\n[5] Ericsson EN/LZT 123 7806 “Radio base\r\nstation antenna sites – Radio wave exposure at typical base station antennas\r\nsites”.
\r\n\r\n[6] Ericsson EN/LZT 123 7367 “Compliance\r\nboundary for UMTS radio base stations”.
\r\n\r\n3.1. Đại lượng vật lý
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Cường độ trường điện \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Vôn trên mét (V/m) \r\n | \r\n
| \r\n Cường độ trường từ \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Ampe trên mét (A/m) \r\n | \r\n
| \r\n Mật độ công suất \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Oát trên mét vuông (W/m2) \r\n | \r\n
| \r\n Tần số \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Héc (Hz) \r\n | \r\n
| \r\n Mức hấp thụ riêng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Oát trên kilôgam (W/kg) \r\n | \r\n
| \r\n Bước sóng \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n Mét (m) \r\n | \r\n
3.2. Hằng số vật lý
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Vận tốc ánh sáng trong chân không \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n Trở kháng không gian tự do \r\n | \r\n \r\n | \r\n \r\n | \r\n
4.1. Ăng ten – A. Antenna
\r\n\r\nĂng ten là thiết bị thực hiện việc chuyển đổi\r\nnăng lượng giữa sóng được dẫn hướng (ví dụ trong cáp đồng trục) và sóng trong\r\nmôi trường không gian tự do, hoặc ngược lại. Ăng ten có thể được sử dụng để\r\nphát hoặc thu tín hiệu vô tuyến. Trong tiêu chuẩn này, nếu không có quy định cụ\r\nthể, thuật ngữ ăng ten được dùng để chỉ ăng ten phát.
\r\n\r\n4.2. Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương\r\n– A. Equivalent Isotropic Radiated Power (EIRP)
\r\n\r\nCông suất bức xạ đẳng hướng tương đương được\r\nxác định bởi công thức:
\r\n\r\nTrong đó:
\r\n\r\n- PEIRP (dBm): công suất bức xạ\r\nđẳng hướng tương đương;
\r\n\r\n- Pt (dBm): tổng công suất của các\r\nmáy phát;
\r\n\r\n- L (dB): tổng suy hao từ các máy phát đến\r\năng ten (ví dụ do combiner, phi đơ...);
\r\n\r\n- G (dBi): độ tăng ích cực đại của ăng ten tương\r\nứng với ăng ten đẳng hướng.
\r\n\r\nhoặc: PEIRP = P x 10(G-L)/10
\r\n\r\nTrong đó:
\r\n\r\n- PEIRP (W): công suất bức xạ đẳng\r\nhướng tương đương;
\r\n\r\n- Pt (W): tổng công suất của các\r\nmáy phát;
\r\n\r\n- L (dB): tổng suy hao từ các máy phát đến\r\năng ten (ví dụ do combiner, phi đơ...);
\r\n\r\n- G (dBi): độ tăng ích cực đại của ăng ten\r\ntương ứng với ăng ten đẳng hướng.
\r\n\r\n4.3. Cường độ trường điện – A. Electric field\r\nstrength (E)
\r\n\r\nCường độ trường điện là độ lớn của véc tơ\r\ntrường tại một điểm, xác định bằng lực F trên một đơn vị điện tích q chia cho\r\nđiện tích đó:
\r\n\r\nCường độ trường điện có đơn vị là V/m.
\r\n\r\n4.4. Cường độ trường từ – A. Magnetic field\r\nstrength (H)
\r\n\r\nCường độ trường từ là độ lớn của véctơ trường\r\ntại một điểm gây ra bởi lực tĩnh điện F lên điện tích q chuyển động với vận tốc\r\nv:
\r\n\r\nCường độ trường từ có đơn vị là A/m.
\r\n\r\n4.5. Điểm đo – A. Point of Investigation (PI)
\r\n\r\nĐiểm đo là vị trí nằm trong vùng đo (DI) nơi\r\nthực hiện đo các giá trị trường điện E, trường từ H hoặc mật độ công suất S.
\r\n\r\n4.6. Điểm tham chiếu – A. Reference Point\r\n(RP)
\r\n\r\nĐối với ăng ten dạng tấm (panel antenna) thì\r\nđiểm tham chiếu là tâm của tấm phản xạ sau (rear reflector). Đối với ăng ten\r\nđẳng hướng (omni-directional) thì điểm tham chiếu là tâm của ăng ten. Với các\r\nloại ăng ten khác cần phải quy định điểm tham chiếu thích hợp.
\r\n\r\n4.7. Đường biên tuân thủ – A. Compliance\r\nBoundary (CB)
\r\n\r\nĐường biên tuân thủ là đường bao xác định một\r\nvùng thể tích mà ngoài vùng đó mức phơi nhiễm tại bất cứ vị trí nào cũng không\r\nvượt quá mức giới hạn phơi nhiễm, không tính đến ảnh hưởng của các nguồn bức xạ\r\nkhác.
\r\n\r\nVùng tuân thủ là vùng thể tích được bao bởi\r\nđường biên tuân thủ.
\r\n\r\n4.8. Mật độ công suất – A. Power density (S)
\r\n\r\nMật độ công suất là công suất bức xạ tới\r\nvuông góc với một bề mặt, chia cho diện tích bề mặt đó. Mật độ công suất có đơn\r\nvị là W/m2.
\r\n\r\n4.9. Mật độ công suất sóng phẳng tương đương\r\n– A. Equivalent plane wave power density
\r\n\r\nMật độ công suất sóng phẳng tương đương là\r\ncông suất trên một đơn vị diện tích được chuẩn hóa theo phương lan truyền của\r\nsóng phẳng trong không gian tự do được biểu diễn bởi:
\r\n\r\n4.10. Máy phát – A. Transmitter
\r\n\r\nMáy phát là thiết bị phát ra công suất điện\r\ntần số vô tuyến và được nối với ăng ten cho mục đích truyền thông tin.
\r\n\r\n4.11. Mức giới hạn phơi nhiễm – A. exposure\r\nlevel
\r\n\r\nMức giới hạn phơi nhiễm được dùng để so sánh\r\nvới các giá trị phơi nhiễm. Trong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz, các mức giới hạn\r\nphơi nhiễm có thể là giá trị cường độ trường điện, cường độ trường từ hoặc mật\r\nđộ công suất.
\r\n\r\n4.12. Mức hấp thụ riêng – A. Specific\r\nAbsorption Rate (SAR)
\r\n\r\nMức hấp thụ riêng là mức theo thời gian mà\r\nnăng lượng RF truyền vào một đơn vị khối lượng sinh học, biểu thị bằng Oát trên\r\nkilôgam (W/kg).
\r\n\r\n4.13. Nguồn liên quan – A. Relevant Source\r\n(RS)
\r\n\r\nNguồn liên quan là nguồn bức xạ vô tuyến\r\ntrong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz có Tỷ lệ phơi nhiễm lớn hơn 0,05 tại một\r\nđiểm đo (PI) xác định.
\r\n\r\n4.14. Phơi nhiễm – A. Exposure
\r\n\r\nPhơi nhiễm là hiện tượng xuất hiện khi con\r\nngười bị đặt trong trường RF hoặc dòng điện tiếp xúc.
\r\n\r\n4.15. Phơi nhiễm không do nghề nghiệp – A.\r\nNon-occupational exposure
\r\n\r\nPhơi nhiễm không do nghề nghiệp là phơi nhiễm\r\ncủa con người, không phải do trong khi làm việc hoặc do công việc.
\r\n\r\n4.16. Thiết bị cần đo kiểm – A. Equipment\r\nUnder Test (EUT)
\r\n\r\nThiết bị cần đo kiểm (EUT) là trạm gốc cần\r\nphải đo theo phương pháp quy định trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n4.17. Tính đẳng hướng – A. Isotropy
\r\n\r\nTính đẳng hướng là đặc tính vật lý không thay\r\nđổi trong mọi hướng.
\r\n\r\n4.18. Trạm gốc – A. Base Station (BS)
\r\n\r\nTrạm gốc là thiết bị cố định sử dụng để\r\ntruyền sóng vô tuyến được sử dụng trong mạng di động mặt đất công cộng. Trong\r\nphạm vi của tiêu chuẩn này, thuật ngữ trạm gốc bao gồm các máy phát vô tuyến và\r\năng ten đi kèm.
\r\n\r\n4.19. Trở kháng không gian tự do – A.\r\nintrinsic impedance of free space
\r\n\r\nTrở kháng đặc tính là tỉ số giữa cường độ\r\ntrường điện với cường độ trường từ của sóng điện từ lan truyền trong không\r\ngian. Trở kháng đặc tính của sóng phẳng trong không gian tự do (trở kháng không\r\ngian tự do) xấp xỉ bằng 377W\r\n(hay120 p
4.20. Tỷ lệ phơi nhiễm – A. Exposure Ratio\r\n(ER)
\r\n\r\nTỷ lệ phơi nhiễm là thông số được đánh giá\r\ntại một vị trí xác định cho mỗi tần số hoạt động của nguồn phát vô tuyến, được\r\nbiểu diễn bằng tỉ số giữa mật độ công suất sóng phẳng tương đương so với mức\r\ngiới hạn phơi nhiễm tương ứng.
\r\n\r\nTrong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz:
\r\n\r\nTrong đó:
\r\n\r\n- ER: Tỷ lệ phơi nhiễm tại mỗi tần số hoạt\r\nđộng của nguồn;
\r\n\r\n- f: tần số hoạt động của nguồn;
\r\n\r\n- S: mật độ công suất sóng phẳng tương đương\r\nđo được tại tần số f của nguồn;
\r\n\r\n- SL: mức giới hạn phơi nhiễm dẫn\r\nxuất dưới dạng mật độ công suất sóng phẳng tương đương tại tần số f ;
\r\n\r\n- E: cường độ trường điện đo được tại tần số\r\nf của nguồn;
\r\n\r\n- EL: mức giới hạn phơi nhiễm dẫn\r\nxuất dưới dạng cường độ trường điện tại tần số f.
\r\n\r\n4.21. Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng – A. Total\r\nExposure Ratio (TER)
\r\n\r\nTỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng là giá trị lớn\r\nnhất của tổng các giá trị phơi nhiễm của EUT và tất cả các nguồn liên quan\r\ntrong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz:
\r\n\r\nTrong đó:
\r\n\r\n- EREUT: Tỷ lệ phơi nhiễm của EUT;
\r\n\r\n- ERRS: Tỷ lệ phơi nhiễm của tất\r\ncả các nguồn liên quan.
\r\n\r\n4.22. Vùng đo – A. Domain of Investigation\r\n(DI)
\r\n\r\nVùng đo là phân vùng của vùng liên quan nơi\r\nngười dân có thể tiếp cận khi trạm gốc đã được đưa vào hoạt động.
\r\n\r\n4.23. Vùng liên quan – A. Relevant Domain\r\n(RD)
\r\n\r\nVùng liên quan là vùng xung quanh ăng ten,\r\ntrong đó Tỷ lệ phơi nhiễm do ăng ten đó gây nên lớn hơn 0,05.
\r\n\r\n4.24. Vùng thâm nhập – A. Public Access (PA)
\r\n\r\nVùng thâm nhập là nơi có thể diễn ra các hoạt\r\nđộng đi lại, sinh hoạt trong điều kiện bình thường của người dân.
\r\n\r\nMục này quy định phương pháp xác định Tỷ lệ\r\nphơi nhiễm tổng cộng (TER) trong các khu vực liên quan nơi người dân có\r\nthể tiếp cận.
\r\n\r\n5.1. Mô tả phương pháp
\r\n\r\nTỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (TER) được xác\r\nđịnh theo lưu đồ hình 1.
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image004.jpg\")
Chu trình minh họa trong hình 1 được thực\r\nhiện theo 3 bước như sau nhằm xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng:
\r\n\r\n- Bước 1: Xác định vùng tuân thủ của trạm gốc\r\ntheo mục 6.1. Nếu người dân có thể tiếp cận không gian trong đường biên tuân\r\nthủ (vùng tuân thủ) thì Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng sẽ lớn hơn 1.
\r\n\r\n- Bước 2: Xác định vùng liên quan và vùng đo\r\ntheo mục 6.3 và 6.4. Nếu người dân không có khả năng tiếp cận vào vùng liên\r\nquan, nghĩa là không tồn tại vùng đo, thì Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng sẽ nhỏ hơn\r\nhoặc bằng 1.
\r\n\r\n- Bước 3: Xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng\r\ntrong vùng đo theo mục 5.2.
\r\n\r\n5.2. Đánh giá toàn diện Tỷ lệ phơi nhiễm tổng\r\ncộng
\r\n\r\nViệc đánh giá toàn diện Tỷ lệ phơi nhiễm tổng\r\ncộng nhằm xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng lớn nhất trong các khu vực liên\r\nquan nơi mà người dân có thể tiếp cận (nghĩa là vùng đo).
\r\n\r\nNếu nhà khai thác thiết lập ranh giới của khu\r\nvực cấm (restricted area) nhằm ngăn sự tiếp cận của người dân tới khu vực xung\r\nquanh EUT và/hoặc các nguồn liên quan thì việc đánh giá phải được thực hiện tại\r\ncác điểm đo (PI) nằm sát với các ranh giới này (xem hình 2).
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image005.jpg\")
Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng được xác định tại\r\ncác điểm đo (PI, xem mục 4.5) bằng phương pháp mô tả trong mục 7 và mục 8. Bước\r\nlấy mẫu (khoảng cách giữa các điểm đo) tối đa là 2 m. Tập hợp các điểm đo phải\r\ntạo thành lưới với mắt lưới là hình vuông có kích thước tối đa là 2 m x 2 m.
\r\n\r\nTại mỗi điểm đo, Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng\r\nđược xác định là giá trị lớn nhất của các giá trị Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng đo\r\nđược tại các vị trí đo có độ cao so với mặt sàn nơi người dân tiếp cận (public\r\nwalkway) là 110 cm, 150 cm và 170 cm và nằm trong vùng đo (DI) như minh họa\r\ntrong hình 3.
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image006.jpg\")
6.1. Vùng tuân thủ
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image007.jpg\")
Vùng tuân thủ của một ăng ten định hướng\r\n(directional) là một hình trụ tròn (đường kính là D) và chiều cao bằng độ dài\r\nmặt bức xạ ăng ten cộng thêm 20 cm, mở rộng 10 cm về hai phía trên và dưới của\r\năng ten (H = h + 0,2 m), hình trụ này được bắt đầu từ sau ăng ten 10 cm và có\r\ntrục song song với trục của ăng ten (xem chi tiết tại hình 4).
\r\n\r\nCông thức xác định đường kính của vùng tuân\r\nthủ của ăng ten định hướng (xem Phụ lục A):
\r\n\r\n (m)
Trong đó:
\r\n\r\n- D (m): Đường kính của hình trụ (đường kính\r\ncủa vùng tuân thủ);
\r\n\r\n- PEIRP (W): Công suất bức xạ đẳng\r\nhướng tương đương của ăng ten (xem mục 4.2);
\r\n\r\n- SL (W/m2): Mức giới\r\nhạn phơi nhiễm không do nghề nghiệp (dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóng\r\nphẳng tương đương). SL là mức giới hạn phơi nhiễm nhỏ nhất trong các\r\nmức giới hạn phơi nhiễm tại các tần số phát khác nhau của ăng ten (nếu có).
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image009.jpg\")
Vùng tuân thủ của một ăng ten đẳng hướng (omni-directional)\r\nlà một hình trụ tròn (đường kính là D) và chiều cao bằng độ dài mặt bức xạ ăng\r\nten cộng thêm 20 cm, mở rộng 10 cm về hai phía trên và dưới của ăng ten (H = h\r\n+ 0,2 m), hình trụ này có trục trùng với trục của ăng ten (xem chi tiết tại\r\nhình 5).
\r\n\r\nCông thức xác định đường kính của vùng tuân\r\nthủ của ăng ten đẳng hướng (xem Phụ lục A):
\r\n\r\n(m)
Trong đó:
\r\n\r\n- D (m): Đường kính của hình trụ (đường kính\r\ncủa vùng tuân thủ);
\r\n\r\n- PEIRP (W): Công suất bức xạ đẳng\r\nhướng tương đương của ăng ten (xem mục 4.2);
\r\n\r\n- SL (W/m2): Mức giới\r\nhạn phơi nhiễm không do nghề nghiệp (dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóng\r\nphẳng tương đương). SL là mức giới hạn phơi nhiễm nhỏ nhất trong các\r\nmức giới hạn phơi nhiễm tại các tần số phát khác nhau của ăng ten (nếu có).
\r\n\r\nNếu trạm gốc bao gồm nhiều ăng ten phát thì\r\nvùng tuân thủ của trạm gốc là tập hợp các vùng tuân thủ của các ăng ten thành\r\nphần (xem minh họa tại mục A.2 của Phụ lục A).
\r\n\r\n6.2. Vùng thâm nhập
\r\n\r\nVùng thâm nhập được xác định bởi một (hoặc\r\nnhiều) không gian có đáy là mặt sàn nơi người dân tiếp cận và chiều cao là 170\r\ncm (xem minh họa tại hình 6).
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image011.gif\")
6.3. Vùng liên quan
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image012.jpg\")
Đường biên của vùng liên quan của một ăng ten\r\nđược xác định bằng cách nhân 5 lần khoảng cách tính từ điểm tham chiếu (RP) của\r\năng ten đến đường biên của vùng tuân thủ (đường biên tuân thủ - CB) của ăng ten\r\nđó theo một hướng xác định (xem chi tiết tại hình 7, hình 8 và Phụ lục B).
\r\n\r\nNếu trạm gốc bao gồm nhiều ăng ten phát thì\r\nvùng liên quan của trạm gốc là tập hợp các vùng liên quan của các ăng ten thành\r\nphần.
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image013.jpg\")
6.4. Vùng đo
\r\n\r\nVùng đo là vùng con của vùng liên quan nơi\r\nngười dân có thể tiếp cận, là phần giao nhau giữa vùng liên quan và vùng thâm\r\nnhập của trạm gốc (xem minh họa tại hình 9).
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image014.gif\")
7.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\nCó thể sử dụng các thiết bị đo băng thông\r\nrộng (broadband) hoặc thiết bị đo chọn tần (frequency selective) bao gồm một\r\nhoặc nhiều đầu đo (probe) trường điện E hoặc trường từ H để xác định Tỷ lệ phơi\r\nnhiễm ERđo.
\r\n\r\nTrong trường hợp sử dụng đầu đo không đẳng\r\nhướng (non-isotropic), phép đo phải được thực hiện theo các hướng đo khác nhau\r\nnhằm đảm bảo tính đẳng hướng. Ví dụ với trường hợp sử dụng ăng ten lưỡng cực\r\n(dipole), các phép đo phải được thực hiện theo 3 hướng trực giao trong không\r\ngian.
\r\n\r\nTrong trường hợp sử dụng đầu đo đẳng hướng,\r\nchỉ cần thực hiện 1 phép đo duy nhất.
\r\n\r\nĐộ lệch đẳng hướng (isotropy deviation) của\r\nđầu đo trong cả hai trường hợp trên đều phải nhỏ hơn 2 dB tại các tần số lớn\r\nhơn 30 MHz.
\r\n\r\nĐối với thiết bị đo chọn tần thì mức cường độ\r\ntrường điện nhỏ nhất đo được phải nhỏ hơn hoặc bằng 0,05 V/m và mức lớn nhất đo\r\nđược phải lớn hơn hoặc bằng 100 V/m.
\r\n\r\nĐối với thiết bị đo băng thông rộng thì mức\r\ncường độ trường điện nhỏ nhất đo được phải nhỏ hơn hoặc bằng 1 V/m và mức lớn\r\nnhất đo được phải lớn hơn hoặc bằng 100 V/m.
\r\n\r\n7.2. Phép đo Tỷ lệ phơi nhiễm
\r\n\r\n7.2.1. Các yêu cầu cơ bản
\r\n\r\nTùy thuộc vào điều kiện cụ thể của phép đo\r\nthì có thể sử dụng thiết bị đo băng thông rộng hoặc chọn tần. Thông thường các\r\nphép đo chọn tần cho kết quả đo Tỷ lệ phơi nhiễm chính xác hơn. Kết quả đánh\r\ngiá Tỷ lệ phơi nhiễm sử dụng thiết bị đo băng thông rộng theo mục 7.2.2 sẽ vượt\r\nquá giá trị thực tế (overestimate).
\r\n\r\nKhoảng cách giữa đầu đo và người thực hiện đo\r\nhoặc các vật phản xạ tối thiểu phải là 1 m.
\r\n\r\n7.2.2. Điều kiện để áp dụng phép đo băng\r\nthông rộng
\r\n\r\na) Một nguồn bức xạ vô tuyến trội\r\n(predominant)
\r\n\r\nThiết bị đo băng thông rộng có thể được sử\r\ndụng để xác định Tỷ lệ phơi nhiễm và Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng trong trường\r\nhợp có một nguồn bức xạ vô tuyến trội. Một nguồn vô tuyến được coi là trội nếu\r\ncó thể chứng minh rằng tổng công suất của các nguồn bức xạ khác nhỏ hơn 13 dB\r\nso với công suất nguồn đó (có thể sử dụng phương pháp đo phổ - spectrum\r\nmeasurement).
\r\n\r\nb) Đánh giá quá mức mức phơi nhiễm
\r\n\r\nNếu giá trị đo được thấp hơn 13 dB so với mức\r\ngiới hạn phơi nhiễm thấp nhất được áp dụng thì giá trị ERđo sẽ nhỏ\r\nhơn 1 kể cả khi tính đến sự thay đổi về lưu lượng và điều khiển công suất trong\r\ntrạm gốc.
\r\n\r\n7.2.3. Điều kiện để áp dụng phép đo chọn tần
\r\n\r\nCường độ trường đo được liên quan đến một\r\nnguồn bức xạ vô tuyến phải bao hàm tổng công suất của tín hiệu. Do vậy băng\r\nthông phân giải (Resolution Bandwidth - RBW) của thiết bị đo phải rộng hơn băng\r\nthông chiếm dụng (Occupied Bandwidth - OBW) của tín hiệu.
\r\n\r\nTrong trường hợp tín hiệu có phổ tần số rộng\r\nhơn băng thông phân giải thì áp dụng phương pháp cộng tích lũy tổng công suất,\r\ncó tính đến hình dạng của bộ lọc băng thông phân giải (thường được gọi là chế\r\nđộ đo công suất kênh – Channel Power mode).
\r\n\r\nĐối với tín hiệu có hệ số gợn sóng (crest\r\nfactor) lớn thì không nên sử dụng bộ tách sóng đỉnh (peak detector) vì có thể\r\ngây ra sự sai lệch lớn.
\r\n\r\n7.3. Xác định tổng các giá trị Tỷ lệ phơi\r\nnhiễm
\r\n\r\nNếu sử dụng phương pháp băng thông rộng để đo\r\nTỷ lệ phơi nhiễm (mục 7.2.2) sẽ thu được trực tiếp giá trị ERđo.
\r\n\r\nTrong trường hợp có N nguồn bức xạ đơn tần,\r\nTỷ lệ phơi nhiễm của mỗi nguồn đo được theo phương pháp chọn tần (mục 7.2.3) là\r\nERi thì giá trị ERđo sẽ là:
\r\n\r\nTheo quy định tại mục 5, tại mỗi điểm đo giá\r\ntrị ERđo được xác định tại 3 vị trí và lấy giá trị lớn nhất.
\r\n\r\nTỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (TER) tại điểm đo\r\n(PI) là tổng của M giá trị ERđo đo được trong toàn bộ dải tần số từ\r\n30 MHz đến 3 GHz:
\r\n\r\nNếu Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng nhỏ hơn hoặc\r\nbằng một (TER £
Nếu Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng lớn hơn một\r\n(TER > 1) thì trạm gốc không tuân thủ tiêu chuẩn về mức giới hạn phơi nhiễm\r\nkhông do nghề nghiệp.
\r\n\r\n\r\n\r\n
A.1. Xác định đường kính của vùng tuân thủ
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image018.jpg\")
Trên mặt cắt ngang gọi điểm F là điểm xa nhất\r\nso với điểm tham chiếu (RP) theo hướng búp sóng chính của ăng ten định hướng (xem\r\nhình 10a).
\r\n\r\nÁp dụng mô hình truyền sóng trong không gian\r\ntự do, với giả thiết tại điểm F trên đường biên tuân thủ có đặc tính bức xạ\r\ntrường xa, mật độ công suất tại điểm F sẽ là:
\r\n\r\n(W/m2)
Trong đó:
\r\n\r\n- PEIRP (W): Công suất bức xạ đẳng\r\nhướng tương đương của ăng ten;
\r\n\r\n- d (m): Khoảng cách từ điểm tham chiếu (RP)\r\nđến điểm F;
\r\n\r\n- SF (W/m2): Mật độ\r\ncông suất tại điểm F
\r\n\r\nTheo định nghĩa đường biên tuân thủ thì mật\r\nđộ công suất tại điểm F bằng mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng mật độ\r\ncông suất, SF = SL. Vì vậy:
\r\n\r\n(m)
Đường kính của vùng tuân thủ là D = d + 0,1\r\n(m)
\r\n\r\nNhư vậy:
\r\n\r\n(m)
Chọn điểm A là điểm bất kỳ nằm trên đường\r\nbiên tuân thủ của ăng ten đẳng hướng (xem hình 10b).
\r\n\r\nÁp dụng mô hình truyền sóng trong không gian\r\ntự do, với giả thiết tại điểm bất kỳ trên đường biên tuân thủ của ăng ten đẳng\r\nhướng có đặc tính bức xạ trường xa, mật độ công suất tại điểm A sẽ là:
\r\n\r\n(W/m2)
trong đó:
\r\n\r\n- PEIRP (W): Công suất bức xạ đẳng\r\nhướng tương đương của ăng ten;
\r\n\r\n- R (m): Khoảng cách từ điểm tham chiếu (RP)\r\nđến điểm A (chính bằng bán kính của vùng tuân thủ);
\r\n\r\n- SA (W/m2): Mật độ công suất tại\r\nđiểm A.
\r\n\r\nTheo định nghĩa đường biên tuân thủ thì mật\r\nđộ công suất tại điểm A bằng mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng mật độ\r\ncông suất, S A = S L . Vì vậy:
\r\n\r\n(m)
Đường kính của vùng tuân thủ là D = 2R\r\n(m)
\r\n\r\nNhư vậy:
\r\n\r\n(m)
A.2. Hình vẽ minh họa vùng tuân thủ
\r\n\r\nHình 11 minh họa vùng tuân thủ của một trạm\r\ngốc điện thoại di động mặt đất công cộng bao gồm các ăng ten định hướng\r\n(directional).
\r\n\r\nA3. Ví dụ tính toán kích thước vùng tuân thủ
\r\n\r\nMục này nêu một ví dụ tính toán kích thước\r\nvùng tuân thủ cho một ăng ten định hướng. Giả thiết một ăng ten trạm gốc loại\r\nđịnh hướng có các thông số sau :
\r\n\r\n- Tổng công suất phát của các máy phát Pt\r\n= 144 W (tương đương 51,6 dBm);
\r\n\r\n- Tổng suy hao từ các máy phát đến ăng ten L\r\n= 6 dB;
\r\n\r\n- Độ tăng ích của ăng ten theo hướng búp sóng\r\nchính G = 17,5 dBi;
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image025.gif\")
- Mức giới hạn phơi nhiễm không do nghề\r\nnghiệp (dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóng phẳng tương đương) tại tần số\r\nphát của ăng ten SL = 2 W/m2;
\r\n\r\n- Độ dài mặt bức xạ của ăng ten h = 0,8 m.
\r\n\r\nVùng tuân thủ của ăng ten này có dạng hình\r\ntrụ như hình 4.
\r\n\r\nCông suất bức xạ đẳng hướng tương đương:
\r\n\r\nNhư vậy PEIRP = 63,1 dBm (tương\r\nđương 2034 W)
\r\n\r\nĐường kính của vùng tuân thủ:
\r\n\r\nm
Chiều cao của vùng tuân thủ: H = h + 0,2 = 1\r\nm
\r\n\r\n\r\n\r\n
Phụ lục này diễn giải cách xác định đường\r\nbiên của vùng liên quan bằng cách nhân 5 lần khoảng cách giữa điểm tham chiếu\r\ncủa ăng ten và đường biên tuân thủ theo một hướng xác định.
\r\n\r\nKhi xác định đường biên của vùng liên quan\r\ndựa trên đường biên tuân thủ áp dụng các giả thiết sau:
\r\n\r\na) Tại điểm bất kì trong trường xa của trường\r\nbức xạ, cường độ trường điện tỷ lệ nghịch với khoảng cách từ điểm đó đến ăng\r\nten bức xạ;
\r\n\r\nb) Tại mỗi tần số, Tỷ lệ phơi nhiễm tỷ lệ với\r\nbình phương cường độ trường điện.
\r\n\r\n![](\"00904173_files/image027.jpg\")
Xét tại điểm PCB cách ăng ten khoảng cách là\r\nd, giá trị cường độ trường điện đo được là Ed. Nếu Ed = EL\r\n(là giá trị mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng cường độ trường điện)\r\nthì theo định nghĩa đường biên tuân thủ (mục 4.7), điểm PCB sẽ thuộc vào đường\r\nbiên tuân thủ và Tỷ lệ phơi nhiễm tại điểm này sẽ bằng 1 vì:
\r\n\r\nTại điểm PRD cách ăng ten khoảng\r\ncách 5d, cường độ trường điện tương ứng sẽ là Ed/5 và Tỷ lệ phơi\r\nnhiễm tương ứng là:
\r\n\r\nTỷ lệ này (4%) nhỏ hơn so với quy định về\r\ngiới hạn của vùng liên quan (mục 4.23) là 5% và do đó tại vị trí này, ăng ten\r\nbức xạ đang xét không còn được coi là nguồn liên quan. Tập hợp các điểm PRD sẽ\r\ntạo thành biên của vùng liên quan.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Lời nói đầu
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Tài liệu tham chiếu chuẩn
\r\n\r\n3. Hằng số, đơn vị, đại lượng vật lý
\r\n\r\n3.1. Đại lượng vật lý
\r\n\r\n3.2. Hằng số vật lý
\r\n\r\n4. Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\n4.1. Ăng ten
\r\n\r\n4.2. Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương\r\n(EIRP)
\r\n\r\n4.3. Cường độ trường điện (E)
\r\n\r\n4.4. Cường độ trường từ (H)
\r\n\r\n4.5. Điểm đo (PI)
\r\n\r\n4.6. Điểm tham chiếu (RP)
\r\n\r\n4.7. Đường biên tuân thủ (CB)
\r\n\r\n4.8. Mật độ công suất (S)
\r\n\r\n4.9. Mật độ công suất sóng phẳng tương đương
\r\n\r\n4.10. Máy phát
\r\n\r\n4.11. Mức giới hạn phơi nhiễm
\r\n\r\n4.12. Mức hấp thụ riêng (SAR)
\r\n\r\n4.13. Nguồn liên quan (RS)
\r\n\r\n4.14. Phơi nhiễm
\r\n\r\n4.15. Phơi nhiễm không do nghề nghiệp
\r\n\r\n4.16. Thiết bị cần đo kiểm (EUT)
\r\n\r\n4.17. Tính đẳng hướng
\r\n\r\n4.18. Trạm gốc (BS)
\r\n\r\n4.19. Trở kháng không gian tự do
\r\n\r\n4.20. Tỷ lệ phơi nhiễm (ER)
\r\n\r\n4.21. Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (TER)
\r\n\r\n4.22. Vùng đo (DI)
\r\n\r\n4.23. Vùng liên quan (RD)
\r\n\r\n4.24. Vùng thâm nhập (PA)
\r\n\r\n5. Phương pháp xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng\r\ncộng
\r\n\r\n5.1. Mô tả phương pháp
\r\n\r\n5.2. Đánh giá toàn diện Tỷ lệ phơi nhiễm tổng\r\ncộng
\r\n\r\n6. Phương pháp xác định các vùng
\r\n\r\n6.1. Vùng tuân thủ
\r\n\r\n6.2. Vùng thâm nhập
\r\n\r\n6.3. Vùng liên quan
\r\n\r\n6.4. Vùng đo
\r\n\r\n7. Phương pháp đo
\r\n\r\n7.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\n7.2. Phép đo Tỷ lệ phơi nhiễm
\r\n\r\n7.3. Xác định tổng các giá trị Tỷ lệ phơi\r\nnhiễm
\r\n\r\n8. Đánh giá Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng
\r\n\r\nPhụ lục A (Tham khảo) Xác định vùng tuân thủ
\r\n\r\nPhụ lục B (Tham khảo) Xác định đường biên\r\ncủa vùng liên quan
\r\n\r\nĐược hướng dẫn () Xem thêm
Bị hủy bỏ () Xem thêm
Được bổ sung () Xem thêm
Đình chỉ () Xem thêm
Bị đình chỉ () Xem thêm
Bị đinh chỉ 1 phần () Xem thêm
Bị quy định hết hiệu lực () Xem thêm
Bị bãi bỏ () Xem thêm
Được sửa đổi () Xem thêm
Được đính chính () Xem thêm
Bị thay thế () Xem thêm
Được điều chỉnh () Xem thêm
Được dẫn chiếu () Xem thêm
Văn bản hiện tại
| Số hiệu | TCN68-255:2006 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn ngành |
| Cơ quan | Bộ Bưu chính Viễn thông |
| Ngày ban hành | 25/12/2006 |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày hiệu lực | 01/01/1970 |
| Tình trạng | Hết hiệu lực |
Hướng dẫn () Xem thêm
Hủy bỏ () Xem thêm
Bổ sung () Xem thêm
Đình chỉ 1 phần () Xem thêm
Quy định hết hiệu lực () Xem thêm
Bãi bỏ () Xem thêm
Sửa đổi () Xem thêm
Đính chính () Xem thêm
Thay thế () Xem thêm
Điều chỉnh () Xem thêm
Dẫn chiếu () Xem thêm
Văn bản gốc đang được cập nhật
Văn bản Tiếng Việt đang được cập nhật