\r\n\r\n
TCN 68 - 209: 2002
\r\n\r\n
TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI CÁC XUNG
\r\n\r\n
PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ
\r\n\r\n
Electromagnetic\r\ncompatibility (EMC)
\r\n\r\n
Surge immunity
\r\n\r\n
Testing and measurement techniques
\r\n\r\n
\r\n\r\n
MỤC LỤC
\r\n\r\n
Lời nói đầu
\r\n\r\n
1. Phạm vi
\r\n\r\n
2. Tài liệu tham chiếu chuẩn
\r\n\r\n
3. Tổng quan
\r\n\r\n
4. Các định nghĩa
\r\n\r\n
5. Các mức thử
\r\n\r\n
6. Thiết bị thử
\r\n\r\n
6.1. Bộ tạo sóng kết hợp (1,2/50 ms – 8/20 ms)
\r\n\r\n
6.2. Bộ tạo tín hiệu thử 10/700 ms theo CCITT
\r\n\r\n
6.3. Mạch tách/ghép
\r\n\r\n
7. Cấu hình thử
\r\n\r\n
7.1. Thiết bị thử
\r\n\r\n
7.2. Cấu hình thử đối với nguồn cung cấp của\r\nEUT
\r\n\r\n
7.3. Cấu hình thử đối với các đường nối không\r\nđối xứng, không có che chắn
\r\n\r\n
7.4. Cấu hình thử đối với các đường viễn\r\nthông/đường nối đối xứng, không có che chắn
\r\n\r\n
7.5. Cấu hình thử đối với các đường dây có lớp\r\nche chắn
\r\n\r\n
7.6. Cấu hình thử đối với hiện tượng chênh lệch\r\nđiện thế
\r\n\r\n
7.7. Cấu hình các phép thử khác
\r\n\r\n
7.8. Các điều kiện thực hiện phép thử
\r\n\r\n
8. Thủ tục thử
\r\n\r\n
8.1. Các điều kiện chuẩn của phòng thử
\r\n\r\n
8.2. Thực hiện phép thử trong phòng thử
\r\n\r\n
9. Kết quả và biên bản thử nghiệm
\r\n\r\n
Phụ lục A (Quy định): Lựa chọn bộ tạo tín hiệu\r\nthử và mức thử
\r\n\r\n
Phụ lục B (Tham khảo): Một số chú ý
\r\n\r\n
\r\n\r\n
LỜI NÓI ĐẦU
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 209: 2002 “Tương thích điện từ (EMC)\r\n- Miễn nhiễm đối với xung - Phương pháp đo và thử” được xây dựng trên cơ sở\r\nchấp thuận áp dụng nguyên vẹn các yêu cầu trong tiêu chuẩn IEC 1000-4-5:1995\r\n“Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4: Các kỹ thuật đo và thử - Chương 5: Phép thử\r\nmiễn nhiễm đối với các xung”.
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 209: 2002 do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu\r\nđiện (RIPT) biên soạn theo đề nghị của Vụ Khoa học - Công nghệ và được Bộ Bưu\r\nchính, Viễn thông ban hành theo Quyết định số 28/2002/QĐ-BBCVT ngày 18/12/2002.
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 209: 2002 được ban hành dưới dạng song\r\nngữ (tiếng Việt và tiếng Anh). Trong trường hợp có tranh chấp về cách hiểu do\r\nbiên dịch, bản tiếng Việt được áp dụng.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC)
\r\n\r\n
MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI XUNG
\r\n\r\n
PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ
\r\n\r\n
(Ban hành kèm theo Quyết định\r\nsố 28/2002/QĐ-BBCVT ngày 18/12/2002 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông)
\r\n\r\n
1. Phạm vi
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này quy định các yêu cầu về khả năng miễn nhiễm, các\r\nphương pháp thử, mức thử khuyến nghị cho thiết bị đối với các xung đơn cực do\r\nhiện tượng quá áp tạo ra khi đóng ngắt mạch hoặc do sét đánh. Các mức thử khác\r\nnhau áp dụng đối với môi trường và các điều kiện lắp đặt khác nhau. Các yêu cầu\r\nnày áp dụng cho thiết bị điện và điện tử.
\r\n\r\n
Mục đích của tiêu chuẩn này là thiết lập một chuẩn chung để đánh\r\ngiá chất lượng hoạt động của thiết bị khi thiết bị chịu tác động của các nguồn\r\nnhiễu năng lượng lớn từ đường dây nguồn và các đường dây liên kết.
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này quy định:
\r\n\r\n
- Các mức\r\nthử;
\r\n\r\n
- Thiết bị\r\nthử;
\r\n\r\n
- Cấu hình\r\nthử;
\r\n\r\n
- Thủ tục\r\nthử.
\r\n\r\n
Nhiệm vụ của phép thử trong phòng thử là xác định phản ứng của EUT\r\nđối với những xung điện áp do ảnh hưởng của hoạt động đóng ngắt mạch và sét ở\r\ncác mức đe dọa nhất định, trong các điều kiện hoạt động xác định.
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này không đề cập đến việc thử khả năng chịu đựng điện\r\náp cao của lớp cách điện cũng như các ảnh hưởng do sét đánh trực tiếp.
\r\n\r\n
Tiêu chuẩn này không quy định các phép thử áp dụng cho thiết bị hoặc\r\nhệ thống cụ thể. Mục đích chính của tiêu chuẩn là đưa ra một chuẩn chung cho\r\ncác cơ quan quản lý chất lượng sản phẩm. Các cơ quan quản lý chất lượng sản phẩm\r\n(hoặc người sử dụng và nhà sản xuất thiết bị) có nhiệm vụ lựa chọn các phép thử\r\nvà mức độ khắc nghiệt thích hợp để áp dụng đối với sản phẩm của mình.
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nTiêu chuẩn này được áp dụng cho các thiết bị viễn thông.
\r\n\r\n
2. Tài liệu tham chiếu chuẩn
\r\n\r\n
[1] IEC\r\n1000-4-5:1995, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4: Testing and measurement\r\ntechniques - Section 5: Surge immunity test.
\r\n\r\n
[2] IEC 50(161):1990, International\r\nElectrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic compatibility.
\r\n\r\n
[3] IEC 60-1:1989, High-voltage\r\ntest techniques - Part 1: General definitions and test requirements.
\r\n\r\n
[4] IEC 469-1:1987, Pulse\r\ntechniques and apparatus - Part 1: Pulse terms and definitions.
\r\n\r\n
3. Tổng quan
\r\n\r\n
3.1. Đột biến\r\ndo đóng ngắt
\r\n\r\n
Hiện tượng đột biến do đóng ngắt hệ thống có thể chia thành các đột\r\nbiến liên quan tới:
\r\n\r\n
a) Nhiễu\r\nsinh ra do đóng ngắt hệ thống nguồn chính, ví dụ đóng ngắt bằng tụ.
\r\n\r\n
b) Hoạt động\r\nđóng ngắt phụ ở gần thiết bị hoặc do sự thay đổi tải trong hệ thống phân phối\r\nnguồn.
\r\n\r\n
c) Hiện tượng\r\ncộng hưởng trong các mạch có các linh kiện đóng ngắt như thyristor.
\r\n\r\n
d) Các hư hỏng\r\ncủa hệ thống như hiện tượng chập mạch, hiện tượng phóng tia lửa điện tới hệ thống tiếp đất của công trình.
\r\n\r\n
3.2. Đột biến\r\ndo sét
\r\n\r\n
Sét tạo ra các xung điện áp theo những cơ chế chủ yếu sau:
\r\n\r\n
a) Sét đánh\r\ntrực tiếp vào mạch ngoài (mạch ở ngoài nhà trạm) phóng dòng điện lớn\r\nqua điện trở đất hoặc trở kháng mạch ngoài tạo ra các điện áp;
\r\n\r\n
b) Sét đánh\r\ngián tiếp (sét đánh giữa hoặc trong các đám mây hay đánh gần các vật thể tạo ra\r\ncác trường điện từ) sinh ra điện áp/dòng điện cảm ứng trên các dây dẫn ở bên ngoài hoặc\r\nbên trong tòa nhà;
\r\n\r\n
c) Sét đánh\r\ntrực tiếp xuống đất gần công trình, sinh ra dòng điện trong hệ thống tiếp đất của\r\ncông trình đó;
\r\n\r\n
Sự thay đổi nhanh của điện áp và dòng điện xảy ra khi thiết bị bảo\r\nvệ được kích hoạt có thể ghép vào các mạch bên trong.
\r\n\r\n
3.3 Mô phỏng\r\nhiện tượng đột biến
\r\n\r\n
a) Bộ tạo\r\ntín hiệu thử: các đặc tính của bộ tạo\r\ntín hiệu thử phải sao cho có thể mô phỏng được các hiện tượng nêu trên một cách\r\nsát thực nhất.
\r\n\r\n
b) Nếu nguồn\r\nnhiễu ở trong cùng một mạch, thí dụ trong mạch cung cấp nguồn (ghép trực tiếp)\r\nthì bộ tạo tín hiệu thử có thể mô phỏng một nguồn trở kháng thấp tại các cổng của\r\nEUT.
\r\n\r\n
c) Nếu nguồn\r\nnhiễu không ở trong cùng một mạch (ghép gián tiếp) như các cổng của thiết bị chịu\r\nnhiễu thì bộ tạo tín hiệu thử có thể mô phỏng một nguồn trở kháng cao hơn.
\r\n\r\n
4. Các định nghĩa
\r\n\r\n
4.1 Các đường\r\ndây cân bằng
\r\n\r\n
Đường dây cân bằng là đôi dây dẫn đối xứng có suy hao chuyển đổi từ\r\nchế độ chênh lệch (dây - dây) sang chế độ chung (dây - đất) nhỏ hơn 20 dB.
\r\n\r\n
4.2 Mạch ghép
\r\n\r\n
Mạch ghép là mạch điện dùng để chuyển năng lượng từ một mạch này đến\r\nmột mạch khác.
\r\n\r\n
4.3 Mạch tách
\r\n\r\n
Mạch tách là mạch điện dùng để ngăn không cho các xung đưa vào EUT\r\nlàm ảnh hưởng đến các dụng cụ, thiết bị hay hệ thống khác không được thử.
\r\n\r\n
4.4 Độ rộng\r\nxung
\r\n\r\n
Độ rộng xung là trị số tuyệt đối của khoảng thời gian mà dạng sóng\r\nhay đặc trưng của sóng còn tồn tại hay tiếp diễn. [IEC 469-1]
\r\n\r\n
4.5 Độ rộng\r\nsườn trước
\r\n\r\n
Xung điện áp: độ rộng\r\nsườn trước T1 của một xung điện áp là tham số được xác định bằng\r\n1,67 lần khoảng thời gian T giữa hai thời điểm khi xung đạt 30% và 90% giá trị\r\nđỉnh (xem hình 2).
\r\n\r\n
Xung dòng điện: độ rộng\r\nsườn trước T1 của một xung dòng điện là tham số được xác định bằng\r\n1,25 lần khoảng thời gian T giữa hai thời điểm khi xung đạt 10% và 90% giá trị\r\nđỉnh (xem hình 3). [IEC 60-1 sửa đổi]
\r\n\r\n
4.6 Miễn nhiễm
\r\n\r\n
Miễn nhiễm là khả năng hoạt động của một dụng cụ, thiết bị hay một\r\nhệ thống mà không bị suy giảm chất lượng khi có nhiễu điện từ. [IEV 161-01-20]
\r\n\r\n
4.7 Hệ thống\r\ntrang thiết bị điện
\r\n\r\n
Hệ thống trang thiết bị điện là một tổ hợp các thiết bị điện thực\r\nhiện một hay nhiều mục đích cụ thể, có các đặc tính liên quan với nhau. [IEV\r\n826-01-01]
\r\n\r\n
4.8 Các dây\r\nliên kết
\r\n\r\n
Các dây liên kết bao gồm:
\r\n\r\n
- Các dây\r\nI/O (vào/ra);
\r\n\r\n
- Các dây\r\nthông tin;
\r\n\r\n
- Các dây\r\ncân bằng.
\r\n\r\n
4.9 Bảo vệ sơ\r\ncấp
\r\n\r\n
Bảo vệ sơ cấp là biện pháp để ngăn không cho phần lớn năng lượng\r\ngây nguy hiểm truyền qua một giao diện đã được chỉ định.
\r\n\r\n
4.10 Thời gian\r\ntăng
\r\n\r\n
Thời gian tăng của xung là khoảng thời gian giữa các thời điểm mà\r\ntại đó lần đầu tiên xung đạt giá trị thấp quy định và sau đó là giá trị cao quy\r\nđịnh.
\r\n\r\n
Chú ý: Nếu\r\nkhông có quy định khác, các giá trị này là 10% và 90% của biên độ xung. [IEV 161-02-05]
\r\n\r\n
4.11 Bảo vệ thứ\r\ncấp
\r\n\r\n
Bảo vệ thứ cấp là biện pháp triệt tiêu phần năng lượng dư sau phần\r\nbảo vệ sơ cấp. Nó có thể là một thiết bị đặc biệt hoặc một đặc tính vốn có của\r\nEUT.
\r\n\r\n
4.12. Xung
\r\n\r\n
Xung là sóng đột biến điện áp, dòng điện hoặc công suất, lan truyền\r\ndọc theo đường dây hoặc mạch điện. Xung được đặc trưng bởi sự tăng rất nhanh\r\nsau đó là giảm chậm. [IEV 161-08-11 sửa đổi]
\r\n\r\n
4.13 Hệ thống
\r\n\r\n
Hệ thống là một tập hợp các phần tử có quan hệ với nhau được thiết\r\nlập để đạt được một mục đích cho trước bằng cách thực hiện một chức năng cụ thể.
\r\n\r\n
Chú ý: Hệ\r\nthống được xem là cách ly với môi trường và các hệ thống ngoài khác bởi một mặt\r\nphẳng\r\ngiả định, mặt phẳng này ngăn cách liên kết giữa chúng và hệ thống đang xét. Qua\r\ncác liên kết này, hệ thống bị ảnh hưởng bởi môi trường bên ngoài và các hệ thống\r\nkhác; hoặc ngược lại.
\r\n\r\n
4.14 Thời gian\r\nđể biên độ xung giảm đi một nửa (T2)
\r\n\r\n
Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa là tham số được xác định\r\nbằng khoảng thời gian giữa thời điểm gốc O1 và thời điểm khi biên độ\r\nxung giảm xuống còn một nửa giá trị đỉnh (xem hình 2, 3). [IEV 60-01 sửa đổi]
\r\n\r\n
4.15 Đột biến
\r\n\r\n
Đột biến chỉ hiện tượng hoặc đại lượng biến đổi giữa hai trạng\r\nthái ổn định liên tiếp trong khoảng thời gian rất ngắn so với khoảng thời\r\ngian quan sát. [IEV 161-02-01]
\r\n\r\n
5. Các mức thử
\r\n\r\n
Dải các mức thử đề xuất được cho trong bảng 1.
\r\n\r\n
Bảng 1 - Các mức thử
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Mức \r\n | \r\n \r\n Điện áp thử hở mạch, ±10%, kV \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n 0,5 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 2 \r\n | \r\n \r\n 1,0 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 3 \r\n | \r\n \r\n 2,0 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 4 \r\n | \r\n \r\n 4,0 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n x \r\n | \r\n \r\n đặc biệt \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Chú ý: x là mức để mở, mức này có thể được quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Các mức thử phải được lựa chọn theo các điều kiện lắp đặt. Việc\r\nphân loại điều kiện lắp đặt được trình bày\r\ntrong mục B.3 phụ lục B.
\r\n\r\n
Thiết bị được thử phải đảm bảo thỏa mãn đối với tất cả các mức điện\r\náp thấp hơn mức thử được chọn (xem mục 8.2).
\r\n\r\n
Để lựa chọn các mức thử đối với các giao diện khác nhau, xem thêm\r\nphụ lục A.
\r\n\r\n
6. Thiết bị thử
\r\n\r\n
6.1 Bộ tạo\r\nsóng kết hợp (1,2/50 ms - 8/20 ms)
\r\n\r\n
Sơ đồ mạch của bộ tạo sóng được trình\r\nbày trong hình 1. Giá trị các thành phần Rs1, Rs2, Rm,\r\nLr và Cc được lựa chọn sao cho bộ tạo sóng tạo ra được\r\nxung điện áp 1,2/50 ms (ở các\r\nđiều kiện hở mạch) và xung dòng điện 8/20 ms (ở điều kiện ngắn mạch), nghĩa là bộ tạo\r\nsóng có trở kháng đầu ra hiệu dụng 2 W.
\r\n\r\n
Thông thường, trở kháng đầu ra hiệu dụng của bộ tạo sóng được xác\r\nđịnh bằng cách tính tỷ số giữa điện áp đầu ra hở mạch (giá trị đỉnh) và dòng điện\r\nngắn mạch (giá trị đỉnh).
\r\n\r\n
Bộ tạo sóng điện áp hở mạch 1,2/50 ms và dòng điện ngắn mạch 8/20 ms này được\r\ngọi là bộ tạo sóng kết hợp (CWG) hay bộ tạo sóng hỗn hợp.
\r\n\r\n
Chú ý:
\r\n\r\n
1- Dạng\r\nsóng điện áp và dòng điện là một hàm của trở kháng đầu vào EUT. Khi đưa xung\r\nvào thiết bị, trở kháng này có thể thay đổi do hiệu quả hoạt động của thiết bị\r\nbảo vệ hoặc do sự phóng điện hoặc đánh hỏng các linh kiện khi thiết bị bảo vệ\r\nkhông hoạt động hoặc không có thiết bị bảo vệ. Vì vậy, cả\r\nsóng điện áp 1,2/50 ms và sóng dòng điện 8/20 ms phải sẵn sàng ở đầu ra của\r\nbộ tạo sóng thử, ngay khi có tải.
\r\n\r\n
2 - Bộ tạo\r\nsóng kết hợp mô tả trong tiêu chuẩn này cũng giống như bộ tạo sóng hỗn hợp quy\r\nđịnh trong một số tiêu chuẩn khác.
\r\n\r\n
6.1.1 Các đặc\r\ntính và chỉ tiêu kỹ thuật của bộ tạo sóng kết hợp
\r\n\r\n
Điện áp đầu ra hở mạch:
\r\n\r\n
Dải điện áp:
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số thấp nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 0,5 kV \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số cao nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 4,0 kV \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dạng sóng điện áp xung \r\n | \r\n \r\n xem hình 2, bảng 2 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dung sai điện áp đầu ra hở mạch \r\n | \r\n \r\n ± 10% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dòng điện đầu ra ngắn mạch: \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dòng điện: \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số thấp nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 0,25 kA \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số cao nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 2,0 kA \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dạng sóng dòng điện xung \r\n | \r\n \r\n xem hình 3, bảng 2 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dung sai dòng điện đầu ra ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n ± 10% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Cực tính \r\n | \r\n \r\n dương/âm \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dịch pha so với góc pha của đường dây AC \r\n | \r\n \r\n 0 ¸ 360o \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Tốc độ lặp lại \r\n | \r\n \r\n ít nhất 1 lần/phút \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Bộ tạo sóng phải có tín hiệu ra ở chế độ "thả nổi" (floating).
\r\n\r\n
Phải có các điện trở phụ (10 W và 40 W) để làm tăng trở kháng nguồn hiệu dụng đối với các điều kiện thử\r\ncụ thể (xem mục 7, B.1 phụ lục B).
\r\n\r\n
Trong trường hợp này, dạng sóng điện áp hở mạch và dạng sóng dòng\r\nđiện ngắn mạch được kết hợp vào mạch tách/ghép nên không còn là dạng sóng\r\n1,2/50 ms và 8/20 ms nữa\r\n(sóng kết hợp).
\r\n\r\n
6.1.2 Kiểm tra\r\ncác đặc tính của bộ tạo sóng
\r\n\r\n
Để so sánh kết quả thử của các bộ tạo sóng thử khác nhau, phải kiểm\r\ntra đặc tính của bộ tạo sóng thử. Do đó, phải thực hiện đo các đặc tính chủ yếu\r\ncủa bộ tạo sóng theo trình tự sau.
\r\n\r\n
Đầu ra bộ tạo sóng thử phải được nối tới hệ thống đo có độ rộng\r\nbăng tần và thang điện áp đủ lớn để kiểm tra các đặc tính của dạng sóng.
\r\n\r\n
Các đặc tính của bộ tạo sóng phải được đo ở các điều kiện hở mạch\r\n(tải lớn hơn hoặc bằng 10 kW) và ở các điều kiện ngắn mạch (tải nhỏ hơn hoặc bằng 0,1 W) với\r\ncùng một mức điện áp nạp.
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nDòng điện ngắn mạch tối thiểu là 0,25 kA đối với điện áp hở mạch 0,5 kV và tối\r\nthiểu là 2,0 kA đối với điện áp hở mạch là 4,0 kV.
\r\n\r\n
6.2 Bộ tạo sóng thử 10/700ms theo CCITT
\r\n\r\n
Sơ đồ mạch của bộ tạo sóng được cho trong hình 4. Trị số của các\r\nthành phần Rc, Cc, Rs, Rm1, Rm2\r\nvà Cs được lựa chọn sao cho bộ tạo sóng tạo ra được dạng xung 10/700\r\nms.
\r\n\r\n
6.2.1 Các đặc\r\ntính và chỉ tiêu kỹ thuật của bộ tạo sóng
\r\n\r\n
Điện áp đầu ra hở mạch:
\r\n\r\n
Dải điện áp:
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số thấp nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 0,5 kV \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số cao nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 4,0 kV \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dạng sóng xung điện áp \r\n | \r\n \r\n Xem hình 5 (IEC 60-1, bảng 3 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dung sai điện áp đầu ra hở mạch \r\n | \r\n \r\n ± 10% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dòng điện đầu ra ngắn mạch: \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dòng điện: \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số thấp nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 12,5 A \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Trị số cao nhất tối thiểu \r\n | \r\n \r\n 100 A \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dạng sóng xung dòng điện \r\n | \r\n \r\n Xem bảng 3 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Dung sai dòng điện đầu ra ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n ± 10% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Cực tính \r\n | \r\n \r\n Dương/âm \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Tốc độ lặp lại \r\n | \r\n \r\n ít nhất 1 lần/phút \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Bộ tạo sóng phải có tín hiệu ra ở chế độ "thả nổi" (floating).
\r\n\r\n
6.2.2. Kiểm tra\r\ncác đặc tính của bộ tạo sóng
\r\n\r\n
Các điều kiên kiểm tra đối với bộ tạo sóng\r\n10/700 ms\r\ngiống như 6.1.2 với chú ý sau đây.
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nDòng điện ngắn mạch tối thiểu là 12,5 A đối với điện áp hở mạch 0,5 kV và tối\r\nthiểu là 100 A đối với điện áp hở mạch là 4,0 kV.
\r\n\r\n
6.3 Các mạch\r\ntách/ghép
\r\n\r\n
Các mạch tách/ghép không được ảnh hưởng đáng kể đến các tham số bộ\r\ntạo sóng, ví dụ điện áp hở mạch, dòng điện ngắn mạch vẫn nằm trong khoảng dung sai quy định.
\r\n\r\n
Ngoại lệ: ghép qua bộ triệt xung.
\r\n\r\n
Các mạch tách/ghép phải thỏa mãn các yêu cầu sau đây:
\r\n\r\n
6.3.1 Mạch\r\ntách/ghép dùng cho các mạch cung cấp nguồn AC/DC (chỉ sử dụng với bộ tạo sóng kết hợp)
\r\n\r\n
Phải kiểm tra độ rộng sườn trước và thời gian để biên độ xung giảm\r\nxuống một nửa đối với điện áp ở các điều kiện hở mạch và dòng điện ở các điều\r\nkiện ngắn mạch.
\r\n\r\n
Đầu ra của bộ tạo tín hiệu thử hoặc mạch ghép của nó phải được nối\r\ntới hệ thống đo có độ rộng băng tần và thang điện áp đủ lớn để kiểm tra dạng sóng điện áp\r\nhở mạch.
\r\n\r\n
Dạng sóng dòng điện ngắn mạch có thể được đo bằng một bộ biến dòng\r\ncó đường nối ngắn mạch giữa các đầu ra của mạch ghép.
\r\n\r\n
Tất cả các dạng sóng cũng như các tham số hoạt động khác của\r\nbộ tạo sóng phải đúng như quy định trong mục 6.1.1 (ở đầu ra của bộ tạo sóng\r\ncũng như đầu ra của mạch tách/ghép).
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nKhi trở kháng bộ tạo sóng tăng từ 2 W lên 12 W hoặc 42 W theo yêu cầu cấu hình thử thì độ rộng xung thử ở đầu ra mạch ghép có thể thay đổi đáng kể.
\r\n\r\n
6.3.1.1 Phương\r\npháp ghép điện dung dùng cho các mạch cung cấp nguồn
\r\n\r\n
Phương pháp ghép điện dung cho phép đưa điện áp thử vào thiết bị\r\nđược thử theo kiểu dây-dây hoặc dây-đất khi mạch tách hệ thống nguồn cũng được\r\nnối. Sơ đồ mạch hệ thống nguồn một pha được cho trong hình 6, 7. Sơ\r\nđồ mạch với hệ thống nguồn 3 pha được cho trong hình 8, 9.
\r\n\r\n
Các đặc tính chủ yếu\r\ncủa mạch tách/ghép bao gồm:
\r\n\r\n
Ghép:
\r\n\r\n
Các tụ ghép: C = 9 mF hoặc 18 mF (xem cấu hình thử)
\r\n\r\n
Tách:
\r\n\r\n
Điện cảm tách đối với điện áp nguồn: L = 1,5 mH
\r\n\r\n
Điện áp xung dư trên các đường dây chưa ghép xung khi đã ngắt EUT\r\nkhông được vượt quá 15% điện áp thử lớn nhất.
\r\n\r\n
Khi\r\nngắt EUT khỏi mạng cung cấp nguồn, điện áp xung dư trên các đầu vào nguồn điện\r\ncủa mạch tách không được vượt quá 15% điện áp thử hoặc hai lần giá trị đỉnh của\r\nđiện áp pha hệ thống nguồn (chọn giá trị lớn hơn).
\r\n\r\n
Các đặc tính nói trên đối với hệ thống nguồn 1 pha (pha, trung\r\ntính, đất bảo vệ) cũng đúng đối với hệ thống nguồn 3 pha (các dây pha, trung\r\ntính và đất bảo vệ).
\r\n\r\n
6.3.1.2. Phương\r\npháp ghép điện cảm dùng cho các mạch cung cấp nguồn
\r\n\r\n
Đang xem xét.
\r\n\r\n
6.3.2 Mạch\r\ntách/ghép dùng cho các đường dây liên kết
\r\n\r\n
Phương pháp ghép được lựa chọn tuỳ theo chức năng của mạch và các\r\nđiều kiện hoạt động. Điều này phải được quy định trong tài liệu kỹ thuật sản phẩm.
\r\n\r\n
Các phương pháp ghép bao gồm:
\r\n\r\n
- Phương\r\npháp ghép điện dung;
\r\n\r\n
- Phương\r\npháp ghép qua bộ triệt xung.
\r\n\r\n
Việc sử dụng các cấu hình thử khác nhau để thử một cổng của EUT có\r\nthể không cho các kết quả tương đương. Cấu hình thích hợp nhất phải được quy định\r\ntrong các tài liệu kỹ thuật sản phẩm hoặc các tiêu chuẩn sản phẩm.
\r\n\r\n
Chú ý: Rl trong các hình từ 10 đến 12 là điện trở của cuộn cảm L có giá trị\r\nphụ thuộc vào sự suy hao tín hiệu truyền dẫn.
\r\n\r\n
6.3.2.1 Phương\r\npháp ghép điện dung đối với các đường dây liên kết
\r\n\r\n
Khi\r\nkhông có ảnh hưởng đến việc liên lạc trên dây, phương pháp ghép điện dung là\r\nphương pháp rất thích hợp đối với các mạch I/O có dây không cân bằng, không có\r\nlớp che chắn. Việc thử được thực hiện theo hình 10 đối với phương pháp ghép kiểu\r\ndây-dây và phương pháp ghép kiểu dây-đất.
\r\n\r\n
Các đặc tính chủ yếu của mạch tách/ghép điện dung:
\r\n\r\n
- Tụ ghép:\r\nC = 0,5 mF
\r\n\r\n
- Cuộn cảm\r\ntách (không bù dòng): L = 20 mH
\r\n\r\n
Chú ý: Cần\r\nxem xét đặc tính dòng tín hiệu, đặc tính này phụ thuộc vào mạch được thử.
\r\n\r\n
6.3.2.2 Phương\r\npháp ghép qua bộ triệt xung
\r\n\r\n
Phương pháp ghép qua bộ triệt xung là phương pháp ghép thích hợp đối\r\nvới các mạch có dây cân bằng, không có lớp che chắn (thông tin, viễn thông) như\r\ntrong hình 12.
\r\n\r\n
Phương pháp này cũng có thể được dùng trong trường hợp không thể\r\nthực hiện ghép điện dung do các vấn đề chức năng gây ra khi nối các tụ với EUT\r\n(xem hình 11).
\r\n\r\n
Mạch ghép còn có nhiệm vụ điều tiết sự phân phối dòng xung trong\r\ntrường hợp các điện áp cảm ứng vào cáp nhiều sợi.
\r\n\r\n
Vì vậy, các điện trở Rm2 trong mạch ghép có n dây ghép\r\nphải là n x 25 W (với n m ³ 2).
\r\n\r\n
Ví dụ: n = 4, Rm2 = 4 x 25 W.\r\nVới trở kháng tổng của bộ tạo sóng khoảng 40 W,\r\nRm2 không được vượt quá 250 W.
\r\n\r\n
Việc ghép qua bộ triệt xung có khí có thể được cải thiện bằng việc\r\nsử dụng các tụ điện mắc song song với các bộ triệt xung.
\r\n\r\n
Ví dụ: C £ 0,1 mF đối với các tần số của tín hiệu truyền dẫn trên dây nhỏ hơn 5 kHz. Ở các tần\r\nsố cao hơn, không dùng tụ điện.
\r\n\r\n
Các đặc tính chủ yếu của mạch ghép/tách:
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n - Điện trở\r\n ghép, Rm2 \r\n | \r\n \r\n n x 2,5 W (n ³ 2) \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n - Bộ triệt\r\n xung có khí \r\n | \r\n \r\n 90 V \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n - Cuộn cảm\r\n tách, L (lõi tròn, có bù dòng) \r\n | \r\n \r\n 20 mH \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Chú ý:
\r\n\r\n
- Trong một số trường hợp, vì các lý do chức năng có thể phải sử dụng\r\ncác bộ triệt xung có điện áp hoạt động cao hơn.
\r\n\r\n
- Có thể sử dụng các phần tử khác ngoài các bộ triệt xung nếu các phần\r\ntử đó không làm ảnh hưởng đến các điều kiện hoạt động.
\r\n\r\n
6.3.3 Các\r\nphương pháp ghép khác
\r\n\r\n
Các phương pháp ghép khác đang được xem xét.
\r\n\r\n
7. Cấu hình thử
\r\n\r\n
7.1 Thiết bị\r\nthử
\r\n\r\n
Cấu hình thử bao gồm các thiết bị chủ yếu sau:
\r\n\r\n
- Thiết bị\r\nđược thử (EUT);
\r\n\r\n
- Thiết bị\r\nphụ trợ (AE);
\r\n\r\n
- Cáp (chủng\r\nloại và chiều dài theo quy định);
\r\n\r\n
- Thiết bị\r\nghép (ghép điện dung hoặc ghép qua các bộ triệt xung);
\r\n\r\n
- Bộ tạo\r\nsóng (bộ tạo sóng kết hợp, bộ tạo sóng 10/700 ms);
\r\n\r\n
- Mạch\r\ntách/các thiết bị bảo vệ;
\r\n\r\n
- Các điện\r\ntrở phụ, 10 W\r\nvà 40 W\r\n(xem B.1 phụ lục B).
\r\n\r\n
7.2 Cấu hình\r\nthử đối với nguồn cung cấp của EUT
\r\n\r\n
Xung được đưa vào các cực nguồn của EUT qua mạch ghép điện dung (xem\r\nhình 6, 7, 8 và 9). Phải sử dụng các mạch tách để không làm ảnh hưởng đến các\r\nthiết bị không được thử có chung dây nguồn và để có trở kháng tách đối với sóng\r\nxung đủ lớn để sóng xung theo quy định có thể đi vào các dây cần thử.
\r\n\r\n
Nếu không có quy định khác, dây nối giữa EUT và mạch tách/ghép phải\r\nnhỏ hơn hoặc bằng 2 m.
\r\n\r\n
Để mô phỏng các trở kháng ghép đặc trưng, trong một số trường hợp\r\nphải sử dụng các điện trở phụ (xem B.1 phụ lục B).
\r\n\r\n
Chú ý: Tại\r\nmột\r\nsố nước (ví dụ, Mỹ), yêu cầu phép thử đối với đường dây điện AC phải thực\r\nhiện theo hình 7 và 9 với trở kháng 2 W, mặc dù phép thử này khắc nghiệt hơn. Thông thường, yêu cầu này\r\nlà 10 W.
\r\n\r\n
7.3 Cấu hình\r\nthử đối với các đường nối không đối xứng, không có che chắn
\r\n\r\n
Thông thường, xung được đưa vào các dây nối bằng phương pháp ghép\r\nđiện dung (hình 10). Mạch tách/ghép không được ảnh hưởng đến điều kiện hoạt động của\r\ncác mạch được thử.
\r\n\r\n
Một cấu hình thử khác (ghép qua các bộ triệt xung) được thể hiện\r\ntrong hình 11 để dùng cho các mạch có tốc độ truyền dẫn cao hơn. Việc lựa chọn phương pháp ghép tùy theo tải\r\nđiện dung tương ứng với tần số truyền dẫn.
\r\n\r\n
Nếu không có quy định khác, dây nối giữa EUT và mạch tách/ghép phải\r\nnhỏ hơn hoặc bằng 2 m.
\r\n\r\n
7.4 Cấu hình\r\nthử đối với các đường viễn thông/đường nối đối xứng, không có che chắn (hình 12)
\r\n\r\n
Thông thường người ta không sử dụng phương pháp ghép điện dung đối\r\nvới các mạch viễn thông/liên kết cân bằng. Trong trường hợp này, việc ghép thực\r\nhiện qua các bộ triệt xung (khuyến nghị K.17 của CCITT). Các mức thử thấp hơn điện áp đánh lửa của các bộ triệt\r\nxung được ghép (khoảng 300 V đối với bộ triệt xung 90 V) không được\r\nquy định (trừ trường hợp thiết bị bảo vệ thứ cấp không có các bộ triệt xung có\r\nkhí).
\r\n\r\n
Chú ý: Cần\r\nxem xét hai cấu hình thử sau:
\r\n\r\n
- Cấu hình thử đối với phép thử khả năng miễn nhiễm mức thiết bị, chỉ\r\ncó thiết bị bảo vệ thứ cấp tại EUT, với mức thử thấp, ví dụ 0,5 kV hoặc 1 kV;
\r\n\r\n
- Cấu hình thử đối với phép thử khả năng miễn nhiễm mức hệ thống, có\r\nthiết bị bảo vệ sơ cấp bổ sung, với mức thử cao hơn, ví dụ 2 kV hoặc 4 kV.
\r\n\r\n
Nếu không có quy định khác, dây nối giữa EUT và mạch tách/ghép phải\r\nnhỏ hơn hoặc bằng 2 m.
\r\n\r\n
7.5 Cấu hình\r\nthử đối với các đường dây có che chắn
\r\n\r\n
Trong trường hợp các đường dây có che chắn, có thể không sử dụng\r\nđược mạch tách/ghép. Vì vậy, xung được đưa vào lớp che chắn của các EUT (vỏ kim\r\nloại) và vỏ của các đường dây theo hình 13. Đối với các lớp che chắn chỉ nối đất\r\nở một đầu, sử dụng hình 14. Để thực hiện tách đối với dây đất an toàn, phải sử\r\ndụng một biến áp cách ly. Thông thường, phải sử dụng loại cáp dài nhất có lớp\r\nche chắn như đã quy định. Tương ứng với phổ của xung, phải sử dụng cáp dài 20 m\r\ncó lớp che chắn và được bó lại sao cho không sinh ra độ tự cảm.
\r\n\r\n
Nguyên tắc để đưa các xung vào các đường dây có lớp che chắn:
\r\n\r\n
a) Đối với lớp\r\nche chắn nối đất ở hai đầu, việc đưa xung thử vào lớp che chắn được thực hiện\r\ntheo hình 13.
\r\n\r\n
b) Đối với lớp\r\nche chắn chỉ nối đất ở một đầu, phép thử phải được thực hiện theo hình 14. C là\r\nđiện dung cáp so với đất, giá trị này có thể tính bằng 100 pF/m. Nếu không có\r\nquy định khác, có thể sử dụng giá trị mẫu 10 nF.
\r\n\r\n
Mức thử đưa vào các lớp che chắn là giá trị dây-đất (trở kháng 2 W).
\r\n\r\n
7.6 Cấu hình\r\nthử đối với hiện tượng chênh lệch điện thế
\r\n\r\n
Nếu cần thử đối với các hiện tượng chênh lệch điện thế (để mô phỏng\r\ncác điện áp có thể xuất hiện trong một hệ thống), các phép thử phải được thực\r\nhiện theo hình 13 đối với các hệ thống dùng dây nối có lớp che chắn (lớp che chắn\r\nnối đất ở cả hai đầu) và theo hình 14 đối với các hệ thống dùng đường dây không\r\ncó lớp che chắn hoặc có lớp che chắn nhưng lớp che chắn chỉ nối đất ở một đầu.
\r\n\r\n
7.7 Các cấu\r\nhình thử khác
\r\n\r\n
Nếu không sử dụng được một trong các phương pháp ghép quy định\r\ntrong cấu hình thử, tiêu chuẩn sản phẩm phải quy định các phương pháp thay thế\r\ntương đương (phù hợp với trường hợp đặc biệt đó).
\r\n\r\n
7.8 Các điều\r\nkiện thực hiện phép thử
\r\n\r\n
Các điều kiện thử và các điều kiện lắp đặt thiết bị phải tuân theo\r\nchỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm và bao gồm:
\r\n\r\n
- Cấu hình\r\nthử (phần cứng);
\r\n\r\n
- Thủ tục\r\nthử (phần mềm).
\r\n\r\n
8. Thủ tục thử
\r\n\r\n
8.1 Các điều\r\nkiện chuẩn của phòng thử
\r\n\r\n
Để giảm thiểu ảnh hưởng của các yếu tố môi trường đến kết quả phép\r\nthử, phép thử phải được thực hiện ở các điều kiện điện từ và khí hậu chuẩn quy\r\nđịnh trong các mục 8.1.1 và 8.1.2.
\r\n\r\n
8.1.1 Điều kiện\r\nkhí hậu
\r\n\r\n
Các điều kiện khí hậu cần tuân thủ bao gồm:
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n - Nhiệt độ phòng \r\n | \r\n \r\n 15 ¸ 35oC \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n - Độ ẩm tương đối \r\n | \r\n \r\n 10 ¸ 75% \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n - Áp suất khí quyển \r\n | \r\n \r\n 86 ¸ 106\r\n kPa (860 ¸ 1060\r\n mbar) \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Chú ý: Chỉ\r\ntiêu kỹ thuật sản phẩm có thể quy định các giá trị khác. EUT cần được hoạt động trong các\r\nđiều kiện khí hậu đã quy định. Nhiệt độ và độ ẩm tương đối cần được ghi lại trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\n
8.1.2 Điều kiện\r\nđiện từ
\r\n\r\n
Môi trường điện từ trong phòng thử không được gây ảnh hưởng đến kết\r\nquả của phép thử.
\r\n\r\n
8.2 Thực hiện\r\nphép thử trong phòng thử
\r\n\r\n
Các đặc tính và chỉ\r\ntiêu kỹ thuật của bộ tạo sóng phải tuân theo quy định trong các mục 6.1.1 và\r\n6.2.1; việc hiệu chỉnh các bộ tạo sóng phải được thực hiện theo các quy định\r\ntrong các mục 6.1.2 và 6.2.2.
\r\n\r\n
Phép thử phải được thực hiện theo kế hoạch thử, trong đó phải quy\r\nđịnh cấu hình thử (xem mục B.2 phụ lục B) bao gồm:
\r\n\r\n
- Bộ tạo\r\nsóng và các thiết bị khác được sử dụng;
\r\n\r\n
- Mức thử\r\n(điện áp/dòng điện) (xem phụ lục A);
\r\n\r\n
- Trở kháng\r\nbộ tạo sóng;
\r\n\r\n
- Cực tính\r\nxung thử;
\r\n\r\n
- Mạch khởi\r\nđộng của bộ tạo sóng trong hoặc ngoài;
\r\n\r\n
- Số lượng\r\nphép thử: ít nhất là 5 lần xung dương và 5 lần xung âm ở các điểm được chọn;
\r\n\r\n
- Tốc độ lặp\r\nlại: lớn nhất là 1 lần/phút;
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nThông thường, các thiết bị bảo vệ đều có khả năng chịu công suất trung bình thấp\r\nmặc dù trị số công suất đỉnh hoặc năng lượng đỉnh cho thấy chúng có thể chịu được\r\ncác dòng điện lớn. Vì vậy, tốc độ lặp lại lớn nhất (khoảng thời gian giữa hai\r\nxung và thời gian phục hồi) phụ thuộc vào các thiết bị bảo vệ bên trong của\r\nEUT.
\r\n\r\n
- Các đầu\r\nvào và đầu ra cần thử;
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nTrong trường hợp có nhiều mạch giống nhau, chỉ cần thực hiện các phép đo trên một\r\nsố mạch đại diện.
\r\n\r\n
- Các điều\r\nkiện hoạt động đặc trưng của EUT;
\r\n\r\n
- Thứ tự\r\nđưa các xung vào mạch;
\r\n\r\n
- Góc pha\r\ntrong trường hợp dùng nguồn điện xoay chiều;
\r\n\r\n
- Các điều\r\nkiện lắp đặt thực tế, ví dụ:
\r\n\r\n
+ AC: trung tính nối đất,
\r\n\r\n
+ DC: (+) hay (-) nối đất để mô phỏng các điều kiện tiếp đất thực tế.
\r\n\r\n
Chế độ thực hiện các phép thử được trình\r\nbày trong mục B.2 phụ lục B.
\r\n\r\n
Nếu không có quy định khác, các xung đưa vào phải đồng bộ với pha\r\ncủa sóng điện áp xoay chiều tại điểm cắt trục hoành (pha 0) và tại giá trị đỉnh\r\n(dương và âm).
\r\n\r\n
Các xung phải được đưa vào dây-dây và giữa các dây với đất. Nếu\r\nchưa được quy định, khi thực hiện thử dây-đất, điện áp thử phải được đưa vào lần\r\nlượt giữa từng dây và đất.
\r\n\r\n
Chú ý:\r\nKhi sử dụng bộ tạo sóng kết hợp để thử hai hay nhiều dây với đất (các dây viễn\r\nthông), độ rộng của xung thử có thể giảm đi.
\r\n\r\n
Thủ tục thử cũng phải được xem xét cùng với các đặc tính điện áp -\r\ndòng điện phi tuyến của thiết bị được thử. Vì vậy, điện áp thử phải tăng từng\r\nbước đến mức thử đã được quy định trong tiêu chuẩn sản phẩm hoặc kế hoạch thử.
\r\n\r\n
Thiết bị được thử phải thỏa mãn các phép thử với tất cả các mức thấp\r\nhơn và bằng mức thử đã chọn. Để thử các thiết bị bảo vệ thứ cấp, điện áp đầu ra\r\nbộ tạo sóng phải tăng đến mức điện áp đánh thủng của bộ bảo vệ sơ cấp (trường hợp\r\nxấu nhất).
\r\n\r\n
Nếu không có nguồn tín hiệu thật, có thể mô phỏng. Trong mọi trường\r\nhợp, mức thử không được vượt quá các quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm.\r\nPhép thử phải được thực hiện theo kế hoạch thử.
\r\n\r\n
Để xác định tất cả các điểm tới hạn trong chu trình\r\nlàm việc của thiết bị, phải sử dụng đủ số xung thử âm và dương. Đối với phép thử\r\nnghiệm thu, phải sử dụng các thiết bị chưa từng phải chịu các tác đông xung hoặc\r\nphải thay thế các thiết bị bảo vệ.
\r\n\r\n
9. Kết quả thử và biên bản thử nghiệm
\r\n\r\n
Mục này trình bày các\r\nhướng dẫn về việc đánh giá kết quả thử và lập biên bản thử nghiệm đối với phép\r\nthử trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n
Sự đa dạng và phức tạp của các hệ thống và thiết bị được thử nghiệm\r\nđã làm cho việc xác định ảnh hưởng của xung lên các hệ thống và thiết bị trở\r\nnên rất khó khăn.
\r\n\r\n
Nếu chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm hay nhà quản lý sản phẩm không đưa\r\nra các chỉ tiêu cụ thể, kết quả thử cần được phân loại theo các điều kiện hoạt\r\nđộng\r\nvà các thông số chức năng của EUT như sau:
\r\n\r\n
a) Đặc tính\r\nnằm trong giới hạn chỉ tiêu kỹ thuật cho phép;
\r\n\r\n
b) Suy giảm\r\nchất lượng hoặc mất chức năng tạm thời nhưng có thể tự phục hồi;
\r\n\r\n
c) Suy giảm\r\nchất lượng hoặc mất các chức năng tạm thời, muốn khôi phục lại cần có sự can\r\nthiệp của người vận hành hoặc khởi động lại hệ thống;
\r\n\r\n
d) Suy giảm\r\nhoặc mất các chức năng nhưng không thể phục hồi do hỏng các bộ phận thiết bị,\r\nphần mềm hoặc mất số liệu.
\r\n\r\n
EUT phải đảm bảo không trở nên nguy hiểm hay mất an toàn khi được\r\nthử theo các quy định trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n
Trong trường hợp các phép thử nghiệm thu, chương trình thử và\r\ncách xử lý kết quả phải được mô tả trong tiêu chuẩn sản phẩm cụ thể.
\r\n\r\n
Theo nguyên tắc chung, kết quả thử là đạt nếu thiết bị thể hiện khả năng miễn nhiễm\r\ntrong suốt thời gian thực hiện phép thử và khi kết thúc phép thử EUT vẫn thỏa mãn\r\ncác yêu cầu chức năng được quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật thiết bị.
\r\n\r\n
Tài liệu kỹ thuật của EUT có thể xác định một số ảnh hưởng được\r\nxem là không quan trọng, vì vậy các ảnh hưởng này có thể được chấp nhận.
\r\n\r\n
Với trường hợp này, khi kết thúc thử phải kiểm tra sự tự phục hồi\r\ncác khả năng hoạt động của thiết bị. Do vậy, phải ghi lại khoảng thời gian thiết bị mất\r\nhoàn toàn chức năng hoạt động. Đây chính là cơ sở để đánh giá kết quả phép thử.
\r\n\r\n
Biên bản thử nghiệm phải bao gồm các điều kiện thử và các kết quả\r\nthử.
\r\n\r\n
![](\"00903941_files/image001.gif\")
\r\n\r\n
U: Nguồn điện áp cao
\r\n\r\n
Rc: Điện trở nạp
\r\n\r\n
Cc: Tụ lưu trữ năng\r\nlượng
\r\n\r\n
Rs: Điện trở định\r\ndạng độ rộng xung
\r\n\r\n
Rm: Điện trở phối hợp\r\ntrở kháng
\r\n\r\n
Lr: Cuộn cảm\r\nđịnh dạng thời gian tăng
\r\n\r\n
Hình 1: Sơ đồ nguyên lý bộ\r\ntạo sóng kết hợp
\r\n\r\n
Bảng 2: Định nghĩa các\r\ntham số dạng sóng 1,2/50 ms
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Định nghĩa \r\n | \r\n \r\n Theo IEC 60-1 \r\n | \r\n \r\n Theo IEC 469-1 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Độ rộng sườn trước, ms \r\n | \r\n \r\n Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa, ms \r\n | \r\n \r\n Thời gian tăng (10%-90%), ms \r\n | \r\n \r\n Độ rộng xung (50%-50%), ms \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Điện áp hở mạch \r\n Dòng điện ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n 1,2 \r\n 8 \r\n | \r\n \r\n 50 \r\n 20 \r\n | \r\n \r\n 1 \r\n 6,4 \r\n | \r\n \r\n 50 \r\n 16 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Chú ý:\r\n Trong các tiêu chuẩn IEC, các dạng sóng 1,2/50 ms và 8/20\r\n ms thường\r\n được định nghĩa theo IEC 60-1 như trong hình 2 và hình 3. Các khuyến nghị\r\n khác của IEC dựa trên định nghĩa dạng sóng theo IEC 469-1 như trong bảng 2.\r\n Cả hai định nghĩa này đều phù hợp với bộ tiêu chuẩn IEC 1000-4-x và chỉ mô tả\r\n là một bộ tạo tín hiệu. \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình 2: Dạng sóng điện áp\r\nhở mạch (1,2/50 ms)
\r\n\r\n
(định nghĩa dạng sóng theo\r\nIEC 60-1)
\r\n\r\n
![](\"00903941_files/image003.gif\")
\r\n\r\n
Hình 3: Dạng sóng dòng điện\r\nngắn mạch (8/20 ms)
\r\n\r\n
(định nghĩa dạng sóng\r\ntheo IEC 60-1)
\r\n\r\n
\r\n\r\n
U: Nguồn điện áp cao
\r\n\r\n
Rc: Điện trở nạp
\r\n\r\n
Cc: Tụ lưu trữ năng\r\nlượng (20 mF)
\r\n\r\n
Rs: Điện trở định\r\ndạng độ rộng xung (50 W)
\r\n\r\n
Rm: Điện trở phối hợp trở kháng (Rm1 = 15W; Rm2 = 25 W)
\r\n\r\n
Cs: Tụ điện định\r\ndạng thời gian tăng (0,2 mF)
\r\n\r\n
S1: Khoá đóng khi dùng các điện trở phối hợp trở\r\nkháng ngoài
\r\n\r\n
Hình 4:\r\nSơ đồ nguyên lý của bộ tạo xung 10/700 ms
\r\n\r\n
(theo ITU-T, hình 1/K.17)
\r\n\r\n
Bảng 3 - Định nghĩa các\r\ntham số dạng sóng 10/700 ms
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Định nghĩa \r\n | \r\n \r\n Theo ITU-T \r\n | \r\n \r\n Theo IEC 469-1 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Độ rộng sườn trước, ms \r\n | \r\n \r\n Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa, ms \r\n | \r\n \r\n Thời gian tăng (10%-90%), ms \r\n | \r\n \r\n Độ rộng xung (50%-50%), ms \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Điện áp hở mạch \r\n Dòng điện ngắn mạch \r\n | \r\n \r\n 10 \r\n - \r\n | \r\n \r\n 700 \r\n - \r\n | \r\n \r\n 6,5 \r\n 4 \r\n | \r\n \r\n 700 \r\n 300 \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Chú ý:\r\n Trong các tiêu chuẩn của IEC và\r\n khuyến nghị của ITU-T, dạng\r\n sóng 10/700 ms thường\r\n được định nghĩa theo IEC 60-1 như trong hình 5. Các\r\n khuyến nghị khác của IEC dựa trên định nghĩa dạng sóng theo IEC 469-1 như\r\n trong bảng 3. Cả hai định nghĩa này đều phù hợp với bộ tiêu chuẩn IEC\r\n 1000-4-x và chỉ mô tả là một bộ tạo tín hiệu. \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Độ rộng sườn\r\ntrước: T1 = 1,67 x T = 10 ms ± 30%
\r\n\r\n
Thời\r\ngian để biên độ xung giảm đi một nửa: T2 = 700 ms ±\r\n20%
\r\n\r\n
Hình 5: Dạng sóng điện áp\r\nhở mạch (10/700 ms) (định nghĩa dạng sóng theo ITU-T)
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
Hình 6: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC/DC; ghép dây-dây (theo\r\nmục 7.2)
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình 7: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC/DC; ghép dây-đất (theo\r\nmục 7.2)
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình 8: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC (3 pha);\r\nghép dây L3-dây L1 (theo mục 7.2)
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình 9: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC (3 pha);\r\nghép dây L3-đất (theo mục 7.2); đầu ra bộ tạo sóng được nối đất
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
Hình 10: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với các đường dây nối không có lớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo\r\nmục 7.3), ghép qua các tụ
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình 11: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với các đường dây không đối xứng, không có lớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo mục 7.3), ghép qua\r\ncác bộ triệt xung
\r\n\r\n
\r\n\r\n
a) Khóa S1
\r\n\r\n
* dây\r\n- đất:\r\nvị trí 0
\r\n\r\n
* dây\r\n- dây: vị trí 1 đến 4 (1 dây được nối đất)
\r\n\r\n
b) Tính\r\nRm2 khi sử dụng CWG (bộ tạo sóng 1,2/50 ms)
\r\n\r\n
Ví dụ với n = 4: Rm2 =\r\n4 x 40 W\r\n= 160 W,\r\ncực đại là 250 W.
\r\n\r\n
Tính Rm2 khi sử dụng bộ\r\ntạo sóng 10/700 ms
\r\n\r\n
Điện trở phối\r\nhợp trong Rm2 (25 W) được thay thế bởi điện trở ngoài Rm2 = n x 25 W trên mỗi\r\ndây (đối với n dây dẫn, n ³ 2).
\r\n\r\n
Ví dụ với n = 4: Rm2 =\r\n4 x 25 W\r\n= 100 W,\r\nRm2 không vượt quá 250 W.
\r\n\r\n
c) C\r\n= 0,1 mF\r\nđối với các tín hiệu truyền dẫn có tần số dưới 5 kHz; ở các tần\r\nsố cao hơn không sử dụng tụ.
\r\n\r\n
d) L\r\n= 20 mH, RL giá trị phụ thuộc vào việc suy hao tín hiệu truyền dẫn
\r\n\r\n
Hình 12: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với các đường dây đối xứng, không có lớp che chắn (các đường viễn\r\nthông); ghép dây-dây/dây-đất (theo mục 7.4), ghép qua các bộ triệt xung
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
Hình 13: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với các phép thử đường dây có lớp che chắn (theo mục 7.5) và hiện tượng\r\nchênh lệch điện thế (theo mục 7.6), ghép dẫn
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
Hình 14: Ví dụ về cấu hình\r\nthử đối với các phép thử đường dây không có lớp che chắn và đường dây có lớp\r\nche chắn (lớp che chắn nối đất một đầu) (theo mục 7.5) và hiện tượng chênh lệch điện thế (theo mục 7.6),\r\nghép dẫn
\r\n\r\n
\r\n\r\n
PHỤ\r\nLỤC A
\r\n\r\n
(Quy định)
\r\n\r\n
LỰA\r\nCHỌN BỘ TẠO TÍN HIỆU THỬ VÀ MỨC THỬ
\r\n\r\n
Việc lựa chọn mức thử phải dựa trên các điều kiện lắp đặt\r\nthiết bị. Vì vậy, nên sử dụng bảng A.1 cùng các thông tin và các ví dụ trong B.3,\r\nphụ lục B. Các loại môi trường lắp đặt thiết bị bao gồm:
\r\n\r\n
Loại 0: Môi trường điện được bảo vệ tốt, thường là bên trong một phòng\r\nđặc biệt.
\r\n\r\n
Loại 1: Môi trường điện được bảo vệ một phần.
\r\n\r\n
Loại 2: Môi trường điện trong đó các cáp đều được cách ly tốt, thậm\r\nchí cả các đoạn cáp ngắn.
\r\n\r\n
Loại 3: Môi trường điện trong đó cáp nguồn và viễn thông đi song\r\nsong với nhau.
\r\n\r\n
Loại 4: Môi trường điện trong đó các đường dây liên kết được đặt\r\nbên ngoài, dọc theo cáp nguồn và cáp dùng cho cả các mạch điện, điện tử.
\r\n\r\n
Loại 5: Môi trường điện dành cho các thiết bị điện tử nối với cáp\r\nviễn thông và đường dây điện lực trên cao ở khu vực có mật độ dân cư\r\nthấp.
\r\n\r\n
Loại x: Các điều kiện đặc biệt quy định trong tài liệu kỹ thuật sản\r\nphẩm.
\r\n\r\n
Các thông tin bổ sung khác được trình\r\nbày trong các hình từ B.1 đến B.3 phụ lục B.
\r\n\r\n
Để đánh giá khả năng miễn nhiễm mức hệ thống có thể thực hiện một\r\nsố biện pháp bảo vệ bổ sung phù hợp với các điều kiện lắp đặt thực tế, ví dụ\r\nnhư bảo vệ sơ cấp.
\r\n\r\n
Việc sử dụng xung sét (và các bộ tạo tín hiệu thử) đối với các môi\r\ntrường khác nhau như sau:
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Loại 1 đến 4: \r\n | \r\n \r\n 1,2/50 ms (8/20 ms). \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Loại 5: \r\n | \r\n \r\n 1,2/50 ms\r\n (8/20 ms) đối với các cổng dành cho đường dây điện lực và\r\n các đường dây/mạch tín hiệu cự ly ngắn. \r\n 10/700 ms đối với các cổng dành cho đường dây/mạch tín hiệu cự\r\n ly dài. \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
Trở kháng nguồn phải được đưa ra trong các hình vẽ cấu hình thử.
\r\n\r\n
Bảng A.1: Lựa chọn\r\nmức thử (theo điều kiện lắp đặt)
\r\n\r\n
\r\n \r\n | \r\n Môi trường \r\n | \r\n \r\n Mức thử \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Nguồn điện \r\n Chế độ ghép \r\n | \r\n \r\n Dây/mạch không cân bằng, LDB \r\n Chế độ ghép \r\n | \r\n \r\n Dây/mạch cân bằng \r\n Chế độ ghép \r\n | \r\n \r\n SDB, DB 1) \r\n Chế độ ghép \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n dây-dây \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-đất, \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-đất, \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-đất, \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-dây \r\n kV \r\n | \r\n \r\n dây-đất, \r\n kV \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 0 \r\n 1 \r\n 2 \r\n 3 \r\n 4 \r\n 5 \r\n X \r\n | \r\n \r\n NA \r\n NA \r\n 0,5 \r\n 1,0 \r\n 2,0 \r\n 2) \r\n | \r\n \r\n NA \r\n 0,5 \r\n 1,0 \r\n 2,0 \r\n 4,0 3) \r\n 2) \r\n | \r\n \r\n NA \r\n NA \r\n 0,5 \r\n 1,0 \r\n 2,0 \r\n 2,0 \r\n | \r\n \r\n NA \r\n 0,5 \r\n 1,0 \r\n 2,0 3) \r\n 4,0 3) \r\n 4,0 3) \r\n | \r\n \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n 0,5 \r\n 1,0 \r\n 2,0 3) \r\n 2,0 3) \r\n 4,0 3) \r\n | \r\n \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n | \r\n \r\n NA \r\n NA \r\n 0,5 \r\n NA \r\n NA \r\n NA \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n 1)\r\n Khoảng cách giới hạn, cấu hình thử đặc biệt, cách bố trí đặc biệt, 10m đến\r\n tối đa 30m; không thử đối với cáp nối ngắn hơn 10 m, chỉ áp dụng đối với môi\r\n trường loại 2. \r\n 2)\r\n Tùy theo loại nguồn điện cung cấp. \r\n 3)\r\n Thường được thử khi có bảo vệ sơ cấp. \r\n | \r\n
\r\n \r\n | \r\n Giải thích: \r\n DB: đường dây số\r\n liệu (data bus) \r\n SDB: đường dây cự\r\n ly ngắn (short-distance bus) \r\n LDB: đường dây cự\r\n lý dài (long-distance bus) \r\n NA: không dùng (not\r\n applicable) \r\n | \r\n
\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
PHỤ LỤC B
\r\n\r\n
(Tham khảo)
\r\n\r\n
MỘT\r\nSỐ CHÚ Ý
\r\n\r\n
B.1 Trở\r\nkháng nguồn
\r\n\r\n
Việc lựa chọn trở kháng nguồn của bộ tạo tín hiệu phụ thuộc vào:
\r\n\r\n
- Loại\r\ncáp/dây dẫn/đường dây (nguồn AC, nguồn DC, dây nối...);
\r\n\r\n
- Chiều dài\r\ncủa cáp/đường dây;
\r\n\r\n
- Các điều\r\nkiện trong/ngoài nhà trạm;
\r\n\r\n
- Việc đưa\r\ncác điện áp thử vào (dây - dây hay dây - đất).
\r\n\r\n
Mức trở kháng 2 W là trở kháng nguồn của mạng điện hạ áp. Sử dụng bộ tạo tín hiệu\r\ncó trở kháng đầu ra hiệu dụng 2 W.
\r\n\r\n
Mức trở kháng 12 W (10 W + 2 W) là trở kháng nguồn giữa mạng điện hạ áp và đất. Sử dụng bộ tạo\r\ntín hiệu có một điện trở phụ 10 W mắc nối tiếp.
\r\n\r\n
Mức trở kháng 42 W (40 W + 2 W) là trở kháng nguồn giữa tất cả các đường dây khác và đất. Sử dụng\r\nbộ tạo tín hiệu có một điện trở phụ 40 W mắc nối tiếp.
\r\n\r\n
Ở một số nước (ví dụ, ở Mỹ), các tiêu chuẩn đối với đường dây AC yêu cầu\r\ncác phép thử phải được thực hiện theo hình 7 và hình 9 với trở kháng 2 W; đây là\r\nmột phép thử khó thực hiện hơn. Thông thường, yêu cầu này là 10 W.
\r\n\r\n
B.2 Thực\r\nhiện các phép thử
\r\n\r\n
Có hai loại phép thử khác nhau cần được phân biệt: phép thử khả\r\nnăng miễn nhiễm mức thiết bị và phép thử khả năng miễn nhiễm mức hệ thống.
\r\n\r\n
B.2.1 Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị
\r\n\r\n
Phép thử được thực hiện đối với một EUT riêng lẻ trong phòng thử.\r\nKhi đó, khả năng miễn nhiễm của EUT gọi là khả năng miễn nhiễm mức thiết bị.
\r\n\r\n
Điện áp thử không được vượt quá điện áp chịu đựng đã quy định của\r\nlớp cách điện.
\r\n\r\n
B.2.2 Khả năng miễn nhiễm mức hệ thống
\r\n\r\n
Phép thử thực hiện trong phòng thử đối với EUT. Khả năng miễn nhiễm\r\nmức thiết bị không đảm bảo khả năng miễn nhiễm của hệ thống trong mọi trường hợp.
\r\n\r\n
Như vậy, nên sử dụng phép thử mức hệ thống vì nó mô phỏng các điều kiện\r\nlắp đặt thực tế. Điều kiện lắp đặt được mô phỏng bao gồm các thiết bị bảo vệ (bộ\r\nphóng điện, varistor, dây có che chắn...), loại và chiều dài thực của dây nối.
\r\n\r\n
Mục đích của phép thử là mô phỏng càng giống các điều kiện lắp đặt\r\nthực tế của EUT càng tốt.
\r\n\r\n
Trường hợp thử khả năng miễn nhiễm trong điều kiện lắp đặt thực tế,\r\nmức thử điện áp cao hơn có thể được sử dụng, nhưng mức năng lượng phải được hạn\r\nchế theo đặc tính giới hạn\r\ndòng của thiết bị bảo vệ.
\r\n\r\n
Phép thử cũng phải chỉ ra rằng các ảnh hưởng thứ cấp được tạo ra bởi\r\ncác thiết bị bảo vệ (sự thay đổi dạng sóng, chế độ, biên độ điện áp hoặc dòng\r\nđiện) không gây ra các ảnh hưởng xấu đến EUT.
\r\n\r\n
B.3 Phân\r\nloại môi trường lắp đặt
\r\n\r\n
Loại 0: Môi trường điện được bảo vệ tốt, thường là bên trong một phòng\r\nđặc biệt.
\r\n\r\n
Tất cả các loại cáp nhập trạm đều được bảo vệ chống quá áp (sơ cấp và thứ cấp). Các bộ phận của thiết\r\nbị điện tử được nối với nhau bằng một hệ thống tiếp đất hợp lý, về cơ bản không\r\nbị ảnh hưởng khi lắp đặt hệ thống thiết bị nguồn hay sét đánh.
\r\n\r\n
Thiết bị điện tử có hệ thống cung cấp nguồn riêng (xem bảng A.1).
\r\n\r\n
Điện áp xung có thể không vượt quá 25 V.
\r\n\r\n
Loại 1: Môi trường điện được bảo vệ một phần.
\r\n\r\n
Tất cả các loại cáp vào phòng này đều được bảo vệ chống quá áp (sơ\r\ncấp). Các bộ phận của thiết bị điện tử được nối với nhau bằng một mạng dây đất, về\r\ncơ bản không bị ảnh hưởng khi lắp đặt hệ thống thiết bị nguồn hay do sét đánh.
\r\n\r\n
Thiết bị điện tử có hệ thống cung cấp nguồn hoàn toàn cách ly với\r\ncác thiết bị khác.
\r\n\r\n
Các thao tác đóng ngắt có thể tạo ra các điện áp nhiễu trong\r\nphòng.
\r\n\r\n
Điện áp xung có thể không vượt quá 500 V.
\r\n\r\n
Loại 2: Môi trường điện trong đó các sợi cáp đều được cách ly thậm\r\nchí cả các đoạn cáp ngắn.
\r\n\r\n
Hệ thống thiết bị được nối đất qua một dây đất cách ly đến hệ thống\r\ntiếp đất của nguồn điện, hệ thống này có thể phải chịu các điện áp nhiễu được tạo\r\nra ngay trong hệ thống hoặc do sét đánh. Hệ thống cung cấp nguồn cho thiết bị\r\nđiện tử được cách ly với các mạch khác, chủ yếu là bằng một biến áp đặc biệt\r\ndùng cho hệ thống nguồn.
\r\n\r\n
Trong hệ thống này có các mạch chưa được bảo vệ, nhưng chúng có số\r\nlượng hạn chế và đã được cách ly hợp lý.
\r\n\r\n
Điện áp xung có thể không vượt quá 1 kV.
\r\n\r\n
Loại 3: Môi trường điện trong đó các sợi cáp nguồn và viễn thông\r\nđi song song với nhau.
\r\n\r\n
Hệ thống thiết bị được nối với hệ thống tiếp đất chung của nguồn điện, hệ thống này\r\ncó thể phải chịu các điện áp nhiễu được tạo ra do việc lắp đặt thiết bị hoặc do sét đánh.
\r\n\r\n
Dòng điện do lỗi đất, các thao tác đóng ngắt và sét đánh trong hệ\r\nthống nguồn có thể tạo ra các điện áp nhiễu tương đối lớn trong hệ thống tiếp đất.\r\nThiết bị điện tử đã được bảo vệ và thiết bị điện có độ nhạy thấp được nối với\r\ncùng một hệ thống nguồn. Cáp nối có thể có một phần ngoài trời, nhưng chúng phải\r\ngần với hệ thống tiếp đất.
\r\n\r\n
Trong hệ thống thiết bị có các tải điện cảm không được triệt xung\r\nvà thường không có sự cách ly giữa các loại cáp khác nhau.
\r\n\r\n
Điện áp xung có thể không vượt quá 2 kV.
\r\n\r\n
Loại 4: Môi trường điện trong đó các đường dây nối ra ngoài đi\r\ncùng cáp điện lực và cáp thường dùng cho cả các mạch điện và điện tử.
\r\n\r\n
Hệ thống thiết bị được nối với hệ thống tiếp đất của nguồn điện, hệ\r\nthống này có thể phải chịu các điện áp nhiễu được tạo ra do việc lắp đặt thiết\r\nbị hoặc do sét đánh.
\r\n\r\n
Dòng điện trong dải kA do lỗi đất, các thao tác đóng ngắt và sét\r\nđánh trong hệ thống nguồn có thể tạo ra các điện áp nhiễu tương đối lớn trong hệ\r\nthống tiếp đất. Thiết bị điện tử và thiết bị điện có thể dùng chung một hệ thống\r\nnguồn. Cáp nối được đi ngoài trời, ngay cả đối với thiết bị có điện áp cao.
\r\n\r\n
Trường hợp đặc biệt của môi trường này là khi thiết bị điện tử được\r\nnối đến mạng viễn thông trong khu vực có mật độ dân cư cao. Trong môi trường loại\r\nnày, không có mạng tiếp đất được xây dựng có tính\r\nhệ thống ở bên ngoài thiết bị được thử mà hệ thống tiếp đất chỉ bao gồm các ống\r\nnước, cáp...
\r\n\r\n
Điện áp xung có thể không vượt quá 4 kV.
\r\n\r\n
Loại 5: Môi trường điện dành cho các thiết bị điện tử nối với cáp\r\nviễn thông và đường dây điện lực trên cao ở khu vực có mật độ dân cư\r\nthấp.
\r\n\r\n
Tất cả các đường dây và cáp đều được bảo vệ chống quá áp (sơ cấp).\r\nPhía ngoài thiết bị điện tử không có hệ thống tiếp đất rộng (công trình không\r\nđược bảo vệ). Điện áp nhiễu do các lỗi đất (dòng điện đến 10 kA) và do sét đánh\r\n(dòng điện đến 100 kA) có thể rất cao.
\r\n\r\n
Yêu cầu của loại môi trường này được quy định bởi mức thử số 4\r\n(xem phụ lục A).
\r\n\r\n
Loại x: Các điều kiện đặc biệt được quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật\r\ncủa sản phẩm.
\r\n\r\n
Các ví dụ về các hệ thống thiết bị điện tử trong các vùng khác\r\nnhau được cho trong các hình B.1, B.2 và B.3.
\r\n\r\n
B.3.1 Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị tại các cổng nối với mạng\r\nđiện
\r\n\r\n
Mức miễn nhiễm tối thiểu đối với việc kết nối vào mạng điện công cộng\r\nlà:
\r\n\r\n
- Ghép dây\r\n- dây: 0,5 kV (cấu hình thử theo các hình 6 và 8).
\r\n\r\n
- Ghép dây\r\n- đất: 1,0 kV (cấu hình thử theo các hình 7 và 9).
\r\n\r\n
B.3.2 Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị tại các cổng nối với các đường\r\ndây liên kết
\r\n\r\n
Các phép thử đối với hiện tượng xung trên các mạch nối chỉ cần thực\r\nhiện đối với các kết nối bên ngoài (phía ngoài khung giá/nhà thiết bị).
\r\n\r\n
Nếu có thể thực hiện thử khả năng miễn nhiễm mức hệ thống (EUT có cáp đã được nối),\r\nthì không cần thử khả năng miễn nhiễm mức thiết bị (ví dụ, các cổng vào/ra\r\ntín hiệu hoặc điều khiển) đặc biệt là trong trường hợp vỏ của cáp nối được coi\r\nlà một phần của các biện pháp bảo vệ. Nếu việc lắp đặt thiết bị không được thực\r\nhiện bởi nhà sản xuất thiết bị, phải quy định điện áp có thể chấp nhận đối với\r\ncác đầu vào/đầu ra của EUT.
\r\n\r\n
Nhà sản xuất thiết bị cần kiểm tra thiết bị trên cơ sở các mức thử\r\nđã được quy định để khẳng định khả năng miễn nhiễm mức thiết bị, ví dụ mức thử\r\n0,5 kV đối với EUT có bảo vệ thứ cấp tại các cổng. Sau đó, người sử dụng hoặc\r\nngười có trách nhiệm đối với hệ thống thiết bị cần áp dụng các biện pháp (như\r\nche chắn, liên kết, tiếp đất bảo vệ) để đảm bảo điện áp nhiễu gây ra do sét\r\nkhông vượt quá mức miễn nhiễm đã chọn.
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình B.1: Ví dụ về việc bảo vệ xung\r\nbằng cách che chắn trong các nhà trạm có hệ thống đất chuẩn chung
\r\n\r\n
![]()
\r\n\r\n
Hình B.2: Ví dụ về việc bảo\r\nvệ xung thứ cấp trong các nhà trạm có hệ thống đất chuẩn chung cách ly
\r\n\r\n
\r\n\r\n
Hình B.3: Ví dụ về bảo vệ\r\nxung sơ cấp và thứ cấp của các thiết bị trong hoặc ngoài nhà trạm
\r\n\r\n
