\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\nMIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI NHIỄU PHÁT XẠ TẦN SỐ VÔ TUYẾN
\r\nPHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ
\r\n\r\n
\r\n\r\n
ElectroMagnetic\r\nCompatibility (EMC)
\r\nImmunity to radiated, Radio-Frequency, ElectroMagnetic Fields
\r\nMethods of Testing and Measurement
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
\r\n\r\n
NHÀ\r\nXUẤT BẢN BƯU ĐIỆN
\r\n\r\nHÀ\r\nNỘI, 02 - 2001
\r\n\r\nLời nói đầu
\r\n\r\nQuyết định ban hành của Tổng\r\ncục trưởng Tổng cục Bưu điện
\r\n\r\n1. Phạm vi
\r\n\r\n2. Định nghĩa và thuật ngữ
\r\n\r\n3. Mức thử
\r\n\r\n4. Thiết bị thử
\r\n\r\n5. Thiết lập phép thử
\r\n\r\n6. Thủ tục phép thử
\r\n\r\n7. Kết quả phép thử
\r\n\r\nPhụ lục A – Sở cứ để chọn lựa\r\nphương pháp điều chế cho các phép thử liên quan tới việc bảo vệ chống lại nhiễu\r\nphát xạ tần số vô tuyến từ các máy điện thoại vô tuyến số
\r\n\r\nPhụ lục B – Các anten phát\r\ntrường
\r\n\r\nPhụ lục C – Sử dụng các buồng\r\nkhông phản xạ
\r\n\r\nPhụ lục D – Các phương pháp đo\r\nthử khác, ngăn “TEM” và tấm dẫn sóng
\r\n\r\nPhụ lục E - Những phương tiện\r\nphép thử khác
\r\n\r\nPhụ lục F – Hướng dẫn xác định\r\ncác mức thử
\r\n\r\nPhụ lục G – Các cách xử lý đặc\r\nbiệt đối với máy phát cố định
\r\n\r\nPhụ lục H – Lựa chọn các phương\r\npháp thử
\r\n\r\nPhụ lục I – Các loại môi trường\r\nnhiễu
\r\n\r\nTài liệu tham khảo
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương\r\nthích điện từ (EMC). Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến – Phương\r\npháp đo và thử” được xây dựng trên cơ sở chấp thuận áp dụng nguyên vẹn các\r\nyêu cầu về phương pháp thử khả năng miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô\r\ntuyến trong tiêu chuẩn IEC 1000-4-3 (1998) “Tương thích điện từ (EMC). Phần 4:\r\nCác kỹ thuật đo và thử. Chương 3: Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô\r\ntuyến”.
\r\n\r\nTiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương\r\nthích điện từ (EMC). Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến – Phương\r\npháp đo và thử” do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn. Nhóm biên\r\nsoạn do KS. Nguyễn Hữu Hậu chủ trì, với sự tham gia tích cực của KS. Vương\r\nDương Minh, KS. Đoàn Quang Hoan, KS. Phạm Hồng Dương, TS. Nguyễn Văn Dũng và\r\nmột số cán bộ kỹ thuật khác trong Ngành.
\r\n\r\nTiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương\r\nthích điện từ (EMC). Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến- Phương\r\npháp đo và thử” do Vụ Khoa học Công nghệ và Hợp tác Quốc tế đề nghị và được\r\nTổng cục Bưu điện ban hành theo Quyết định số 1247/2000/QĐ-TCBĐ ngày 28 tháng\r\n12 năm 2000.
\r\n\r\nVỤ\r\nKHOA HỌC CÔNG NGHỆ VÀ HỢP TÁC QUỐC TẾ
\r\n\r\n| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
\r\nMIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI NHIỄU PHÁT XẠ TẦN SỐ VÔ TUYẾN
\r\nPHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ
ElectroMagnetic\r\nCompatibility (EMC)
\r\nImmunity to Radiated, Radio-Frequency, ElectroMagnetic Fields
\r\nMethods of Testing and Measurement
(Ban\r\nhành kèm theo Quyết định số 1247/2000/QĐ-TCBĐ ngày 28 tháng 12 năm 2000 của\r\nTổng cục trưởng Tổng cục Bưu điện)
\r\n\r\n\r\n\r\nTiêu chuẩn này xác định mức và\r\nthủ tục cho phép thử khả năng miễn nhiễm của thiết bị viễn thông đối với năng lượng\r\nphát xạ điện từ.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này quy định chuẩn\r\nmực chung để đánh giá các đặc tính của thiết bị viễn thông phải chịu ảnh hưởng\r\ncủa các trường điện từ tần số vô tuyến.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này chỉ đề cập đến\r\ncác phép thứ miễn nhiễm liên quan tới các mục đích chung và đặc biệt là khả\r\nnăng chống nhiễu vô tuyến phát xạ từ các máy điện thoại vô tuyến số.
\r\n\r\nChú ý: Các phương pháp thử\r\ntrong tiêu chuẩn nhằm xác định mức độ ảnh hưởng của nhiễu phát xạ tới thiết bị\r\nđược kiểm tra. Sự mô phỏng và phép đo mức nhiễu phát xạ trong tiêu chuẩn này\r\nchưa đủ chính xác thỏa đáng để đánh giá một cách định lượng các ảnh hưởng. Các\r\nphương pháp thử được xây dựng với mục đích cơ bản là đảm bảo khả năng tái tạo\r\nlại kết quả, với các thiết bị thử khác nhau, để phân tích định tính các ảnh\r\nhưởng.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này không xác định\r\ncác phương pháp thử áp dụng cho các thiết bị hay hệ thống cụ thể. Mục đích\r\nchính là đưa ra một chuẩn mực cơ bản chung cho các thiết bị viễn thông.
\r\n\r\nChú ý: Tiêu chuẩn này có thể\r\náp dụng cho các thiết bị điện, điện tử nói chung.
\r\n\r\n\r\n\r\n2.1. Điều chế biên độ - A.\r\nAmplitude Modulation
\r\n\r\nĐiều chế biên độ là quá trình\r\nthay đổi biên độ của một sóng mang theo một quy luật xác định.
\r\n\r\n2.2. Buồng không phản xạ - A.\r\nAnechoic Chamber
\r\n\r\nBuồng không phản xạ là buồng có\r\nvỏ chắn mà mặt trong được phủ bằng vật liệu hấp thụ sóng vô tuyến để giảm phản\r\nxạ.
\r\n\r\n2.2.1. Buồng không phản xạ hoàn\r\ntoàn - A. Fully Anechoic Chamber
\r\n\r\nBuồng không phản xạ hoàn toàn là\r\nbuồng có vỏ chắn, các bề mặt bên trong đều được phủ hoàn toàn bằng vật liệu hấp\r\nthụ.
\r\n\r\n2.2.2. Buồng bán phản xạ - A.Semi\r\nAnechoic Chamber
\r\n\r\nBuồng bán phản xạ là buồng có vỏ\r\nchắn, các bề mặt bên trong đều được phủ bằng vật liệu hấp thụ ngoại trừ mặt sàn\r\n(có thể là mặt phản xạ).
\r\n\r\n2.2.3. Buồng bán phản xạ cải\r\ntiến – A. Modified Semi – Anechoic Chamber
\r\n\r\nBuồng bán phản xạ cải tiến là\r\nbuồng bán phản xạ có thêm các tấm hấp thụ đặt trên mặt sàn.
\r\n\r\n2.3. Anten
\r\n\r\nAnten là bộ chuyển đổi có chức\r\nnăng phát xạ năng lượng tần số vô tuyến vào không gian từ một nguồn tín hiệu\r\nhoặc thu một trường điện từ tới và chuyển đổi thành một tín hiệu điện.
\r\n\r\n2.4. Balun
\r\n\r\nBalun là thiết bị chuyển đổi một\r\ntín hiệu điện áp không cân bằng thành một tín hiệu điện áp cân bằng hoặc ngược\r\nlại.
\r\n\r\n2.5. Sóng liên tục – A.\r\nContinuous Waves (CW)
\r\n\r\nSóng liên tục là sóng điện từ mà\r\ncác dao động liên tiếp của nó là đồng dạng dưới những điều kiện ổn định. Sóng\r\nđiện từ này có thể bị tạm ngắt hoặc được điều chế để mang thông tin.
\r\n\r\n2.6. Sóng điện từ - A. ElectroMagnetic\r\n(EM) Wave
\r\n\r\nSóng điện từ là năng lượng phát\r\nxạ được tạo ra do sự dao động của hạt mang điện, được đặc tính hóa bằng sự dao\r\nđộng của các trường điện và từ.
\r\n\r\n2.7. Trường xa - A. Fax Field
\r\n\r\nTrường xa là vùng mà trong đó\r\nmật độ thông lượng công suất từ một anten tuân theo luật ngịch đảo bình phương\r\ncủa khoảng cách.
\r\n\r\nVới một anten lưỡng cực thì\r\ntrường xa tương ứng với các khoảng cách lớn hơn ![](\"00902676_files/image001.gif\"){kind=small}
,\r\ntrong đó là bước sóng phát xạ
2.8. Cường độ trường - A.\r\nField Strength
\r\n\r\nKhái niệm “cường độ trường” chỉ\r\náp dụng cho các phép đo thực hiện tại trường xa. Phép đo có thể là thành phần\r\nđiện hoặc thành phần từ của trường và có thể biểu diễn theo đơn vị V/m, A/m\r\nhoặc W/m2 bất kỳ đơn vị nào trong đó cũng có thể biến đổi thành đơn\r\nvị khác bằng công thức).
\r\n\r\nChú ý: Với những phép đo thực\r\nhiện tại trường gần, thì khái niệm “cường độ điện trường” hoặc “cường độ từ\r\ntrường” được sử dụng tương ứng với phép đo trường điện hay trường từ. Trong\r\nvùng trường gần mối quan hệ giữa cường độ điện trường, cường độ từ trường và\r\nkhoảng cách là rất phức tạp và khó dự đoán, việc xác định tùy thuộc vào cấu\r\nhình đặc trưng của đối tượng được kiểm tra. Thường thì không thể xác định được\r\nmối quan hệ về pha giữa không gian và thời gian của các thành phần khác nhau của\r\ntrường phức hợp và tương tự như vậy cũng không thể xác định được mật độ thông\r\nlượng công suất của trường.
\r\n\r\n2.9. Băng tần – A. Frequency\r\nBand
\r\n\r\nBăng tần là dải tần số liên tục\r\ngiữa hai giới hạn.
\r\n\r\n2.10. Trường cảm ứng – A.\r\nInduction Field
\r\n\r\nTrường cảm ứng là trường điện\r\nvà/hoặc trường từ tại khoảng cách d < trong\r\nđó là bước sóng . Kích thước vật lý của\r\nnguồn phải nhỏ hơn nhiều so với khoảng cách d.
2.11. Đẳng hướng - A.\r\nIsorropic
\r\n\r\nĐẳng hướng nghĩa là có các giá\r\ntrị bằng nhau trong tất cả mọi hướng.
\r\n\r\n2.12. Phân cực – A.\r\nPolarization
\r\n\r\nPhân cực là sự định hướng véctơ\r\ntrường điện của trường phát xạ.
\r\n\r\n2.13. Buồng có vỏ chắn – A.\r\nShielded Enclosure
\r\n\r\nBuồng có vỏ chắn là buồng có vỏ\r\nbằng kim loại đặc hoặc dạng lưới, được thiết kế để cách ly bên trong buồng với\r\nmôi trường điện từ bên ngoài. Mục đích chính là ngăn các trường điện từ bên\r\nngoài làm suy giảm chất lượng phép thử và ngăn sự phát xạ bên trong gây nhiễu\r\nlàm ảnh hưởng đến các hoạt động bên ngoài.
\r\n\r\n2.14. Tấm dẫn sóng - A.\r\nStripline
\r\n\r\nTấm dẫn sóng là đường truyền dẫn\r\nbao gồm hai tấm kim loại song song, giữa chúng một sóng được lan truyền theo\r\nphương thức điện từ ngang để tạo ra một trường xác định [IEV 161-04-31].
\r\n\r\n2.15. Phát xạ giả - A.\r\nSpurious Emission
\r\n\r\nPhát xạ giả là bất cứ sự phát xạ\r\nđiện từ không mong muốn nào phát ra từ một thiết bị điện.
\r\n\r\n2.16. Quét – A. Sweep
\r\n\r\nQuét là sự thay đổi tần số liên\r\ntục hoặc theo bước trong một dải tần số.
\r\n\r\n2.17. Thiết bị thu phát – A.\r\nTransceiver
\r\n\r\nThiết bị thu phát là thiết bị tổ\r\nhợp cả hai chức năng thu và phát vô tuyến.
\r\n\r\n2.18. Thiết bị mang trên người –\r\nA. Human body mounted equipment
\r\n\r\nĐịnh nghĩa này bao gồm tất cả\r\ncác thiết bị mang theo người khi sử dụng, ví dụ như thiết bị bỏ túi, các thiết\r\nbị điện tử phụ trợ kèm theo và các thiết bị điện tử cấy ghép vào cơ thể.
\r\n\r\n2.19. Giá trị RMS cực đại - A.\r\nMaximum RMS value
\r\n\r\nGiá trị RMS cực đại là giá trị\r\nRMS ngắn hạn lớn nhất của một tín hiệu tần số vô tuyến (RF) được điều chế trong\r\nkhoảng thời gian quan sát của một chu kỳ điều chế. Giá trị RMS ngắn hạn được\r\nxác định qua một chu kỳ sóng mang đơn. Ví dụ trong hình 1b), điện áp RMS cực\r\nđại là:
\r\n\r\n2.20. Điều chế đường bao thay\r\nđổi - A. Non-constant envelope modulate
\r\n\r\nĐiều chế đường bao thay đổi là\r\ncác phương thức điều chế RF mà trong đó biên độ của sóng mang thay đổi chậm\r\ntheo thời gian khi so sánh với chu kỳ của bản thân sóng mang. Ví dụ như cơ chế điều\r\nbiên thông thường và TDMA.
\r\n\r\n2.21. Đa truy nhập chia theo\r\nthời gian – TDMA – A. Time Devision Multiple Access
\r\n\r\nĐa truy nhập chia theo thời gian\r\nlà một phương thức điều chế ghép kênh theo thời gian, trong đó một số các kênh\r\nthông tin riêng rẽ được ghép trên cùng một sóng mang tại một tần số được ấn\r\nđịnh. Mỗi kênh được ấn định một khe thời gian, trong khe thời gian đó thông tin\r\nđược phát đi như một xung công suất RF khi kênh hoạt động. Nếu kênh không hoạt\r\nđộng thì không có xung nào được phát đi, đo đó đường bao sóng mang không cố\r\nđịnh. Trong khoảng thời gian phát xung tín hiệu thì biên độ là một hằng số và\r\nsóng mang RF được điều chế tần số hoặc pha.
\r\n\r\n\r\n\r\n3.1. Các mức thử với mục đích\r\nchung
\r\n\r\nCác mức thử được quy định trong\r\nbảng 1
\r\n\r\nDải tần: từ 80 đến 1 000 MHz
\r\n\r\nBảng\r\n1 – Các mức thử
\r\n\r\n| \r\n Mức\r\n \r\n | \r\n \r\n Cường\r\n độ trường thử, V/m \r\n | \r\n
| \r\n 1 \r\n2 \r\n3 \r\nx \r\n | \r\n \r\n 1 \r\n3 \r\n10 \r\nĐặc\r\n biệt \r\n | \r\n
| \r\n Chú\r\n ý: x – là mức mở, mức này có thể được cho trong chỉ tiêu kỹ thuật thiết bị. \r\n | \r\n |
Trong bảng 1 là các giá trị\r\ncường độ trường của tín hiệu chưa điều chế. Khi thực hiện phép thử, tín hiệu\r\nnày được điều biên với độ sâu điều chế 80% bằng sóng hình sin tần số 1kHz (xem\r\nhình 1). Mục 6 mô tả chi tiết trình tự thực hiện phép thử.
\r\n\r\nChú ý 1 – Có thể lựa chọn tần\r\nsố chuyển đổi thấp hơn hoặc cao hơn 80 MHz (xem phụ lục H).
\r\n\r\nChú ý 2 – Có thể chọn các\r\nphương thức điều chế khác.
\r\n\r\n3.2. Các mức thử khả năng chống\r\nnhiễu vô tuyến phát xạ từ các máy điện thoại vô tuyến số
\r\n\r\nCác mức thử được quy định trong\r\nbảng 2 với dải tần từ 800 đến 960 MHz và từ 1,4 đến 2,0 GHz.
\r\n\r\nBảng\r\n2 – Các dải tần 800 đến 960 MHz và từ 1,4 đến 2,0 GHz.
\r\n\r\n| \r\n Mức\r\n \r\n | \r\n \r\n Cường\r\n độ trường thử, V/m \r\n | \r\n
| \r\n 1 \r\n2 \r\n3 \r\n4 \r\nx \r\n | \r\n \r\n 1 \r\n3 \r\n10 \r\n30 \r\nĐặc\r\n biệt \r\n | \r\n
| \r\n Chú\r\n ý: x – là mức mở, mức này có thể được cho trong chỉ tiêu kỹ thuật thiết bị. \r\n | \r\n |
Bảng 2 là giá trị cường độ\r\ntrường của tín hiệu sóng mang chưa điều chế. Khi tiến hành phép thử, tín hiệu\r\nsóng mang này được điều biên với độ sâu điều chế 80% bằng sóng hình sin tần số\r\n1 kHz (xem hình 1). Mục 6 mô tả chi tiết trình tự phép thử.
\r\n\r\nNếu sản phẩm thiết bị được chế\r\ntạo nhằm thỏa mãn với những yêu cầu của một Quốc gia nào đó, thì có thể giảm\r\ndải tần thực hiện phép thử từ 1,4 tới 2,0 GHz xuống tới các dải tần được ấn\r\nđịnh cho máy điện thoại di động số ở những Quốc gia đó. Trong trường hợp này\r\ndải tần thực hiện phép thử phải được ghi trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nTrong dải tần số chung được đề\r\ncập ở cả hai bảng 1 và 2, chỉ cần thực hiện phép thử với mức thử cao hơn trong\r\nsố hai mức thử được quy định trong hai bảng.
\r\n\r\nChú ý 1 – Phụ lục A thuyết\r\nminh về việc quyết định sử dụng điều chế sóng hình sin trong các phép thử với\r\nmục đích phòng chống nhiễu vô tuyến phát xạ từ các máy điện thoại vô tuyến số.
\r\n\r\nChú ý 2 – Phụ lục F hướng dẫn\r\nlựa chọn các mức thử
\r\n\r\nChú ý 3 – Các dải tần của\r\nphép thử đối với các bảng 2 là các dải tần thường được ấn định cho các máy điện\r\nthoại vô tuyến số (phụ lục I liệt kê các tần số được ấn định cho các máy điện\r\nthoại vô tuyến số được biết cho đến nay).
\r\n\r\nChú ý 4 – Các ảnh hưởng tại\r\ntần số trên 800 MHz chủ yếu là từ các hệ thống điện thoại vô tuyến. Các hệ\r\nthống khác hoạt động trong dải tần này (ví dụ các mạng LAN vô tuyến hoạt động\r\ntại tần số 2,4 GHz) thường có công suất rất thấp (điển hình là thấp hơn 100 mW)\r\n, vì vậy rất ít khả năng gây ảnh hưởng.
\r\n\r\n\r\n\r\nCác loại thiết bị sau được\r\nkhuyến nghị sử dụng trong phép thử:
\r\n\r\n- Buồng không phản xạ: phải\r\ncó kích thước phù hợp để duy trì được trường đồng nhất theo mọi chiều liên quan\r\nđến thiết bị được kiểm tra (EUT). Có thể sử dụng các mặt hấp thụ phụ trợ để\r\ngiảm phản xạ trong buồng.
\r\n\r\nChú ý: Các phương pháp khác\r\nđể tạo trường EM bao gồm: các ngăn TEM, tấm dẫn sóng, buồng không phản xạ từng\r\nphần, vị trí thử ngoài trời, …
\r\n\r\nNhững thiết bị này có những\r\ngiới hạn về kích thước đối với thiết bị có thể đặt được trong trường đồng nhất,\r\ngiới hạn về dải tần số, hoặc gây ra những vi phạm đối với quy định quản lý, …
\r\n\r\nCần phải lưu ý đặc biệt để\r\nđảm bảo các điều kiện thực hiện phép thử tương đương với các điều kiện trong\r\nbuồng không phản xạ.
\r\n\r\n- Các bộ lọc EMI: phải đảm\r\nbảo các bộ lọc này không được gây hiệu ứng cộng hưởng phụ trên các đường dây\r\nnối tới nó.
\r\n\r\n- Máy phát tín hiệu RF:\r\ncó băng tần đáp ứng được yêu cầu và có thể được điều biên bằng một sóng hình\r\nsin tần số 1 kHz với độ sâu điều chế 80%. Máy phát phải có khả năng quét tự\r\nđộng với tốc độ 1,5 x 10-3 decade/s hay thấp hơn, hoặc trong trường\r\nhợp là máy phát tổ hợp thì phải có khả năng lập trình bước quét theo tần số và\r\ncác khoảng thời gian dừng. Các chức năng này có thể đặt bằng nhân công.
\r\n\r\nNếu cần thiết có thể phải sử\r\ndụng các bộ lọc thông thấp hoặc các bộ lọc thông băng để ngăn các ảnh hưởng của\r\nnhiễu hài tới thiết bị thu tín hiệu với mục đích giám sát – điều khiển.
\r\n\r\n- Các bộ khuếch đại công\r\nsuất: khuếch đại tín hiệu (không điều chế hoặc điều chế) để đáp ứng được\r\nmức thử theo yêu cầu. Các hài và méo do bộ khuếch đại công suất tạo ra phải có\r\nbiên độ thấp hơn so với biên độ sóng mang ít nhất là 15 dB.
\r\n\r\n- Các anten phát (xem thêm\r\nphụ lục B): là các anten biconical, anten chu kỳ logarit hoặc các anten\r\nphân cực tuyến tính thỏa mãn những yêu cầu về tần số.
\r\n\r\n- Anten phân cực ngang và\r\nphân cực đứng hoặc anten giám sát cường độ trường đẳng hướng: là các lưỡng\r\ncực có tổng độ dài 0,1 m hoặc nhỏ hơn, bộ khuếch đại và bộ ghép quang – điện\r\ncủa chúng phải có đủ khả năng miễn nhiễm đối với trường được đo, đồng thời có\r\nđường nối bằng sợi quang tới thiết bị chỉ thị bên ngoài buồng đo. Cũng có thể\r\nsử dụng các đường truyền tín hiệu khác với các bộ lọc thích hợp.
\r\n\r\n- Thiết bị phụ trợ để ghi các\r\nmức công suất cần thiết đối với cường độ trường theo yêu cầu và để điều\r\nkhiển mức phát cho phép thử. Cần phải chú ý đến khả năng miễn nhiễm của thiết\r\nbị phụ trợ.
\r\n\r\n4.1. Mô tả phương tiện thử
\r\n\r\nDo tạo ra các trường có cường độ\r\nlớn nên các phép thử phải được thực hiện trong buồng có vỏ chắn để không gây\r\nnhiễu ảnh hưởng tới các hệ thống thông tin vô tuyến bên ngoài. Ngoài ra, hầu\r\nhết các thiết bị đo đều rất nhạy với trường điện từ xung quanh khi tiến hành\r\nphép thử nên buồng có vỏ chắn sẽ tạo ra “sự cách ly” cần thiết giữa EUT và\r\nthiết bị đo. Phải đảm bảo rằng việc đấu nối cáp qua buồng có vỏ chắn không\r\nnhững làm suy giảm thỏa đáng nhiễu dẫn và nhiễu phát xạ mà còn duy trì được\r\ntính nguyên vẹn của đáp ứng công suất và tín hiệu của EUT.
\r\n\r\nThiết bị thử bao gồm một buồng\r\nthử có vỏ chắn với lớp phủ chất hấp thụ, buồng thử phải đủ lớn để chứa được EUT\r\nvà vẫn cho phép kiểm soát được cường độ trường. Các buồng có vỏ chắn khác chứa\r\ncác thiết bị tạo trường thử, thiết bị giám sát và các thiết bị kích thích EUT\r\n(nếu có). Các buồng thử bao gồm các loại buồng không phản xạ hoặc buồng bán\r\nphản xạ cải tiến như ví dụ trong hình 2.
\r\n\r\nBuồng không phản xạ thường ít có\r\nhiệu quả tại các tần số thấp nên phải đặc biệt quan tâm đến tính đồng nhất của\r\ntrường tại các tần số này. Hướng dẫn cụ thể cho trong phụ lục C.
\r\n\r\n4.2. Hiệu chuẩn trường điện từ
\r\n\r\nMục đích của việc hiệu chuẩn\r\ntrường là đảm bảo độ đồng nhất của trường trên mẫu thử để có kết quả chính xác.\r\nTrong khi thực hiện hiệu chuẩn, không được điều chế tín hiệu thử để đảm bảo sự\r\nchính xác của các bộ cảm biến trường.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này sử dụng khái niệm\r\n“vùng đồng nhất” (xem hình 3). Đó là một mặt phẳng trường thẳng đứng, trong đó\r\nsự biến thiên của trường thấp ở mức chấp nhận được. Vùng đồng nhất này có kích\r\nthước 1,5m x 1,5m, trừ trường hợp khi EUT và các dây dẫn của nó nằm gọn trong\r\nmột mặt phẳng nhỏ hơn; nhưng diện tích đồng nhất không được nhỏ hơn 0,5 m x 0,5\r\nm.
\r\n\r\nKhi thiết lập cấu hình phép thử,\r\nbề mặt được chiếu xạ của EUT phải trùng khớp với mặt phẳng này (xem hình 5 và\r\n6).
\r\n\r\nVì không thể thiết lập được một\r\ntrường đồng nhất gần với gần với mặt đất chuẩn nên vùng được hiệu chuẩn được\r\ntạo ra tại một độ cao không nhỏ hơn 0,8 m phía trên mặt đất chuẩn và nếu có thể\r\nthì EUT cũng được đặt ở độ cao này.
\r\n\r\nĐể xác lập độ khắt khe của phép\r\nthử, đối với EUT và các dây dẫn của nó mà phải được thử gần với mặt đất chuẩn\r\nhoặc EUT có kích thước lớn hơn 1,5 m x 1,5 m, cường độ của trường cũng được ghi\r\ntại độ cao 0,4 m suốt dọc theo chiều rộng và chiều cao của EUT và được ghi\r\ntrong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nVùng đồng nhất được hiệu chuẩn\r\ntrong buồng trống. Cấu hình và vị trí của anten, các tấm hấp thụ (nếu sử dụng),\r\n… phải được ghi và giữ lại. Sau đó có thể sử dụng chúng khi kiểm tra buồng thử,\r\ncông việc này được tiến hành trước mỗi đợt đo thử (xem mục 6). Công việc hiệu\r\nchuẩn phải được tiến hành tối thiểu một năm một lần hoặc khi có sự thay đổi cấu\r\nhình vỏ chắn (như đặt lại tấm hấp thụ, di chuyển vùng đồng nhất, thay đổi thiết\r\nbị, …).
\r\n\r\nAnten phát phải được đặt tại\r\nkhoảng cách đủ lớn để vùng hiệu chuẩn, có kích thước 1,5m x 1,5m, nằm gọn trong\r\nđộ rộng búp của trường phát. Nếu diện tích bề mặt của EUT lớn hơn 1,5 m x 1,5 m\r\nthì phải hiệu chuẩn với các vị trí anten phát xạ khác nhau để sao cho EUT được\r\nrọi toàn bộ trong một loạt các phép thử.
\r\n\r\nCác bộ cảm biến trường phải đặt\r\ncách anten phát ít nhất là 1m. Thông thường khoảng cách giữa anten phát và EUT\r\nlà 3 m. Kích thước này tính từ tâm của anten biconical hoặc từ đầu mút của\r\nanten chu kỳ logarit. Biên bản thử nghiệm phải ghi khoảng cách từ anten phát\r\ntới vùng đồng nhất được hiệu chỉnh.
\r\n\r\nTrong trường hợp có sự không thống\r\nnhất, thì ưu tiên thực hiện phép đo tại khoảng cách 3m.
\r\n\r\nTrường được coi là đồng nhất nếu\r\nbiên độ của nó trong một vùng xác định nằm trong khoảng từ -0 tới + 6 dB của\r\ngiá trị danh định, trên 75% diện tích vùng đã xác định đó (ví dụ tại ít nhất 12\r\ntrong 16 điểm được đo nằm trong mức dung sai cho phép).
\r\n\r\nĐối với vùng đồng nhất nhỏ nhất,\r\ncó kích thước 0,5 m x 0,5 m, thì cường độ trường tại bốn điểm của lưới đều phải\r\nnằm trong mức dung sai cho phép.
\r\n\r\nChú ý – Tại các tần số khác\r\nnhau, thì các điểm đo khác nhau có thể nằm trong mức dung sai cho phép.
\r\n\r\nĐể đảm bảo rằng cường độ trường\r\nkhông nằm dưới mức danh định, mức dung sai phải trong khoảng từ -0 tới + 6 dB.\r\nDung sai 6 dB là mức giá trị tối thiểu phải đạt trong các thiết bị đo thử thực\r\ntế.
\r\n\r\nCho phép mức dung sai lớn hơn +\r\n6dB đến + 10 dB nhưng chỉ với tối đa là 3% các tần số của phép thử. Mức dung\r\nsai thực tế trong phép thử phải được ghi trong biên bản thử nghiệm. Trong\r\ntrường hợp có sự không thống nhất thì sử dụng mức dung sai từ -0 đến + 6dB.
\r\n\r\nCác bước tiến hành hiệu chuẩn,\r\nkhi công suất không đổi, như sau:
\r\n\r\na) Đặt cảm biến trường tại 01\r\ntrong 16 điểm của lưới (xem hình 4);
\r\n\r\nb) Điều chỉnh mức công suất đưa\r\nvào anten phát sao cho đạt được giá trị cường độ trường trong dải từ 3 đến\r\n10V/m trong toàn bộ dải tần của phép thử với bước tần số bằng 1% của tần số\r\nđứng trước tính từ tần số bắt đầu và ghi cả hai giá trị công suất và cường độ\r\ntrường đọc được;
\r\n\r\nc) Với cùng mức công suất đưa\r\nvào anten, đo và ghi lại giá trị cường độ trường tại 15 điểm còn lại;
\r\n\r\nd) Khảo sát tất cả 16 điểm, cho\r\nphép loại bỏ nhiều nhất 25% tổng số điểm (có nghĩa là 4 trong 16 điểm) có độ\r\nlệch lớn nhất so với giá trị trung bình, tính bằng đơn vị V/m;
\r\n\r\ne) Các điểm còn lại phải nằm\r\ntrong phạm vi ±3 dB;
\r\n\r\nf) Trong các điểm còn lại, lấy\r\nvị trí có giá trị cường độ trường thấp nhất làm chuẩn tham chiếu (điều này đảm\r\nbảo thỏa mãn yêu cầu dung sai từ -0 đến +6 dB);
\r\n\r\ng) Từ công suất đưa vào anten và\r\ngiá trị cường độ trường tương ứng có thể tính được công suất ra anten cần thiết\r\nđể đạt được giá trị cường độ trường theo yêu cầu của phép thử (ví dụ, nếu tại\r\nmột điểm đã cho, với mức công suất 80 W sẽ cho cường độ trường tương ứng là 9\r\nV/m, thì phải cần một mức công suất là 8,9 W để có được giá trị cường độ trường\r\nlà 3 V/m);
\r\n\r\nh) Lặp lại các bước từ a) đến g)\r\nđối với cả hai trường hợp phân cực ngang và phân cực đứng;
\r\n\r\nMột thủ tục khác tương đương là\r\nthiết lập một giá trị cường độ trường không đổi trong dải từ 3 đến 10 V/m và\r\nghi mức công suất đưa vào anten phát. Đồng thời phải tuân theo các nguyên tắc\r\ntrong mục a), d), e), f) và h).
\r\n\r\nThao tác hiệu chuẩn này có giá\r\ntrị đối với tất cả các EUT có diện tích bề mặt (bao gồm cả cáp nối) nằm trong\r\n“vùng đồng nhất”
\r\n\r\nCác anten và cáp nối đã sử dụng\r\nđể thiết lập trường hiệu chuẩn phải được sử dụng trong phép thử.
\r\n\r\nVị trí chính xác của các anten\r\nphát và cáp nối phải được ghi lại. Vì chỉ một sự di chuyển nhỏ cũng ảnh hưởng\r\nđáng kể tới trường thử, nên phải sử dụng cùng một vị trí anten phát và cáp nối\r\nđể thực hiện phép thử.
\r\n\r\n\r\n\r\nPhải thực hiện tất cả các phép\r\nthử với cấu hình sao cho gần giống nhất với cấu hình được lắp đặt trong thực\r\ntế. Đấu nối thiết bị phải tuân thủ hướng dẫn của nhà sản xuất và thiết bị được\r\nlắp đầy đủ vỏ và nắp máy như trong hướng dẫn sử dụng trừ khi có hướng dẫn khác.
\r\n\r\nNếu thiết bị được thiết kế để\r\nlắp trên tường, trên giá hoặc cabinet thì phải thực hiện phép thử với cấu hình\r\nđó.
\r\n\r\nKhông yêu cầu phải có mặt đất\r\nchuẩn kim loại trong phép thử. Nếu cần giá đỡ mẫu thử, thì giá đỡ phải là vật\r\nliệu phi kim loại, không dẫn điện. Tuy nhiên, việc nối đất của thiết bị phải\r\ntuân thủ với các khuyến nghị lắp đặt của nhà sản xuất.
\r\n\r\nNếu EUT bao gồm các thiết bị đặt\r\ntrên sàn nhà và để bàn thì phải chú ý đến vị trí tương đối của các thiết bị\r\nnày.
\r\n\r\nCác cấu hình EUT điển hình cho\r\ntrong hình 5 và 6.
\r\n\r\n5.1. Bố trí thiết bị để bàn
\r\n\r\nEUT được đặt trên bàn không dẫn\r\nđiện có độ cao 0,8m.
\r\n\r\nChú ý – Sử dụng các giá đỡ\r\nkhông dẫn điện để ngăn ngừa sự tiếp đất ngẫu nhiên của EUT và không gây méo\r\ntrường. Để đảm bảo không méo trường, giá đỡ phải là một khối phi dẫn, không sử\r\ndụng loại có lớp vỏ cách điện và bên trong là một cấu trúc kim loại.
\r\n\r\nSau đó, thiết bị được nối với\r\ncác dây nguồn và dây tín hiệu tuân thủ theo hướng dẫn lắp đặt của nhà sản xuất.
\r\n\r\n5.2. Bố trí thiết bị đặt trên\r\nsàn nhà.
\r\n\r\nThiết bị đặt trên sàn nhà được\r\nđể trên một giá đỡ không dẫn điện cao hơn mặt phẳng nền 0,1 m. Sử dụng các giá\r\nđỡ phi dẫn để ngăn ngửa sự tiếp đất ngẫu nhiên của EUT và không gây méo trường.\r\nĐể đảm bảo không méo trường, giá đỡ phải là một khối phi dẫn, không sử dụng\r\nloại có lớp vỏ cách điện và bên trong là một cấu trúc kim loại. Có thể bố trí\r\nthiết bị đặt trên sàn nhà trên một bệ cao 0,8 m phi dẫn, nếu thiết bị không quá\r\nlớn, quá nặng và độ cao đó không gây nguy hiểm. Sự thay đổi này phải được ghi\r\nlại trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nSau đó thiết bị được nối với các\r\ndây nguồn và dây tín hiệu tuân thủ theo hướng dẫn lắp đặt của nhà sản xuất.
\r\n\r\n5.3. Bố trí dây nối
\r\n\r\nNếu loại dây nối tới (hoặc từ)\r\nEUT không được xác định trong hướng dẫn sử dụng, thì phải sử dụng các dây dẫn\r\nsong song không vỏ chắn nhiễu.
\r\n\r\nDây nối được đặt vào trường điện\r\ntừ với khoảng cách 1m tính từ EUT. Dây nối giữa các vỏ bao của EUT phải được xử\r\nlý như sau:
\r\n\r\n- Sử dụng các đầu nối và các\r\nloại dây nối do nhà sản xuất xác định;
\r\n\r\n- Nếu trong hướng dẫn sử dụng\r\ncủa nhà sản xuất yêu cầu độ dài dây nối nhỏ hơn hoặc bằng 3m, thì phải sử dụng\r\nđộ dài đó. Dây nối sẽ được bó lại (sao cho có độ tự cảm thấp) tới độ dài 1m;
\r\n\r\n- Nếu độ dài dây nối lớn hơn 3 m\r\nhoặc không xác định rõ, thì độ dài được chiếu xạ phải là 1 m. Phần còn lại được\r\ntách ra, ví dụ qua các ống ferrite suy hao tần số vô tuyến;
\r\n\r\nViệc dùng các bộ lọc EMI phải\r\nsao cho không làm suy giảm chất lượng hoạt động của EUT. Phương pháp sử dụng\r\nphải được ghi lại trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nĐể tối thiểu hóa khả năng miễn\r\nnhiễm, tại mỗi vị trí của EUT, các dây nối phải được đặt song song với vùng\r\nđồng nhất.
\r\n\r\nTrong biên bản thử nghiệm phải\r\ncó phần mô tả đầy đủ về vị trí và định hướng dây nối, thiết bị sao cho có thể\r\nlặp lại được các kết quả này.
\r\n\r\nĐộ dài bó dây của dây nối phải\r\nđược bố trí với cấu hình sao cho mô phỏng được đấu nối chuẩn thực tế; có nghĩa\r\nlà dây nối chạy bên cạnh EUT sau đó chạy lên hoặc chạy xuống tùy theo hướng dẫn\r\nlắp đặt của nhà sản xuất. Bố trí theo chiều ngang hay chiều dọc nhằm mục đích\r\nkhẳng định được các trường hợp xấu nhất.
\r\n\r\n5.4. Bố trí thiết bị mang trên\r\nngười
\r\n\r\nPhép thử đối với thiết bị mang\r\ntrên người cũng tương tự như thiết bị để bàn. Tuy nhiên, phép thử có thể quá hay\r\ndưới mức cần thiết do không tính đến các đặc tính của cơ thể con người. Do đó\r\nnhà sản xuất cần hỗ trợ để xác định việc sử dụng bộ mô phỏng cơ thể con người\r\nvới các đặc tính điện môi tương ứng.
\r\n\r\n\r\n\r\nEUT phải được thử với các điều\r\nkiện hoạt động và điều kiện môi trường như đã được xác định trong hướng dẫn sử\r\ndụng. Nhiệt độ và độ ẩm tương đối phải được ghi lại trong biên bản thử nghiệm.
\r\n\r\nThủ tục phép thử trong mục này\r\ndành cho việc sử dụng các anten biconical, anten chu kỳ logarit và buồng bán\r\nphản xạ cải tiến. Các thủ tục phép thử khác được cho trong phụ lục D.
\r\n\r\nTrước khi tiến hành phép thử,\r\nphải kiểm tra lại cường độ trường bằng cách đặt cảm biến trường vào một điểm\r\nlưới hiệu chuẩn, vị trí anten phát và cáp nối giống như khi tiến hành hiệu\r\nchuẩn và như vậy có thể đo được công suất đưa vào anten cần thiết để tạo cường\r\nđộ trường hiệu chuẩn. Kết quả thu được phải tương tự như giá trị ghi lại trong\r\nkhi hiệu chuẩn. Tiến hành kiểm tra tại một số điểm của lưới hiệu chuẩn trên\r\ntoàn bộ dải tần khảo sát với cả hai loại phân cực.
\r\n\r\nSau khi hiệu chuẩn thì có thể\r\ntạo trường thử bằng các giá trị có được khi hiệu chuẩn (xem mục 4.2).
\r\n\r\nEUT lúc đầu được đặt tại vị trí\r\nsao cho một mặt của nó trùng khớp mặt hiệu chuẩn.
\r\n\r\nThực hiện quét toàn bộ các dải\r\ntần khảo sát với tín hiệu được điều chế biên độ với độ sâu điều chế 80% bằng\r\nsóng hình sin 1 kHz. Tốc độ quét không được vượt quá 1,5 x 103\r\ndecacdes/s. Khi quét tăng thì bước tần số không được vượt quá 1% mức nền, có\r\nnghĩa là tần số sau phải nhỏ hơn hoặc bằng tần số trước sau khi nhân với hệ số\r\n1,01 (với bước là 1%).
\r\n\r\nThời gian dừng tại mỗi tần số\r\nkhông được nhỏ hơn thời gian cần thiết để kích thích và đáp ứng lại của EUT.\r\nCác tần số nhạy cảm (ví dụ tần số xung nhịp) phải được kiểm tra riêng rẽ.
\r\n\r\nPhép thử thường được thực hiện\r\nvới cấu hình là anten phát đối diện với mỗi mặt trong bốn mặt của EUT. Trong\r\ntrường hợp thiết bị được sử dụng với các hướng đặt khác nhau (ví dụ như đặt\r\nngang hoặc thẳng đứng), thì phải thực hiện phép thử với tất cả các mặt.
\r\n\r\nChú ý – Nếu EUT gồm nhiều\r\nkhối, thì cũng không cần thiết phải thay đổi vị trí của mỗi khối trong EUT, chỉ\r\ncần chiếu xạ từ các phía khác nhau.
\r\n\r\nDo sự phân cực của trường nên\r\nphải thực hiện phép thử hai lần với mỗi mặt của EUT, một lần với trường hợp\r\nanten phân cực đứng và một lần với anten phân cực ngang.
\r\n\r\nPhép thử phải được thực hiện\r\ntheo một kế hoạch thử và được ghi lại trong biên bản thử nghiệm, bao gồm:
\r\n\r\n- Kích cỡ của EUT;
\r\n\r\n- Điều kiện làm việc đặc trưng\r\ncủa EUT;
\r\n\r\n- EUT được thử theo cách như\r\nthiết bị để bàn, đặt trên sàn nhà hoặc tổ hợp cả hai. Đối với thiết bị đặt trên\r\nsàn nhà, thì được để trên độ cao 0,1 m hay 0,8 m.
\r\n\r\n- Loại phương tiện được sử dụng\r\nvà vị trí của anten phát xạ;
\r\n\r\n- Loại anten được sử dụng;
\r\n\r\n- Tốc độ quét của tần số và thời\r\ngian dừng tại mỗi bước tần số;
\r\n\r\n- Mức thử được áp dụng;
\r\n\r\n- Loại, số lượng dây nối được sử\r\ndụng và cổng giao diện tương ứng của EUT;
\r\n\r\n- Tiêu chí chất lượng;
\r\n\r\n- Mô tả phương pháp kích thích\r\nEUT.
\r\n\r\nNếu cần thiết có thể thực hiện\r\nmột số phép thử kiểm tra để lập kế hoạch thử chi tiết.
\r\n\r\nTài liệu về phép thử phải bao\r\ngồm điều kiện thử, tình trạng hiệu chuẩn và kết quả phép thử.
\r\n\r\n\r\n\r\nNội dung mục này là hướng dẫn\r\nđánh giá kết quả phép thử.
\r\n\r\nKết quả phép thử phải được phân\r\nloại đánh giá dựa trên điều kiện làm việc và các đặc tính chức năng của EUT như\r\ndưới đây:
\r\n\r\na) Hoạt động bình thường trong\r\nphạm vi giới hạn đã quy định;
\r\n\r\nb) Chức năng hoặc bị mất hoặc bị\r\nsuy giảm tạm thời nhưng tự phục hồi được;
\r\n\r\nc) Chức năng hoặc bị mất hoặc bị\r\nsuy giảm tạm thời, khôi phục lại nhờ tác động của người điều khiển hoặc cài đặt\r\nlại hệ thống;
\r\n\r\nd) Suy giảm hoặc mất chức năng,\r\nkhông thể phục hồi được do hư hỏng thiết bị (hoặc các thành phần nào đó), sai\r\nhỏng phần mềm hay mất số liệu.
\r\n\r\nKết quả phép thử sẽ được đánh\r\ngiá là đạt nếu EUT có khả năng miễn nhiễm trong tất cả các khoảng thời gian\r\nthực hiện phép thử và khi kết thúc phép thử EUT hoàn toàn có thể thực hiện được\r\ncác yêu cầu chức năng như trong chỉ tiêu kỹ thuật thiết bị.
\r\n\r\nTrong chỉ tiêu kỹ thuật thiết bị\r\ncó thể xác định một số các hiệu ứng của EUT, các hiệu ứng này được coi là không\r\nquan trọng và có thể chấp nhận được. Đối với các trường hợp này phải xác định\r\nđược là thiết bị có thể tự phục hồi chức năng khi kết thúc phép thử, và các khoảng\r\nthời gian (nếu có) mà EUT bị mất chức năng phải được ghi lại trong biên bản.
\r\n\r\nBiên bản kết quả phải bao gồm điều\r\nkiện thực hiện phép thử và các kết quả phép thử.
\r\n\r\n\r\n\r\n
| \r\n | \r\n \r\n | \r\n
| \r\n a. Tín hiệu RF chưa điều chế \r\nVp-p = 2,8 V \r\nVrms = 1,0 V \r\n | \r\n \r\n b. Tín hiệu RF được điều chế\r\n 80% AM \r\nVpp = 5,1 V \r\nVrms = 1,12 V \r\nVmax RMS = 1,8 V \r\n | \r\n
Hình\r\n1 – Mức và dạng sóng đầu ra của máy phát tín hiệu thử
\r\n\r\nHình\r\n2 – Ví dụ về phương tiện thử
\r\n\r\nHình\r\n3 – Hiệu chuẩn trường
\r\n\r\nHình\r\n4 – Hiệu chuẩn trường, kích thước của vùng đồng nhất
\r\n\r\nHình\r\n5 – Thiết lập cấu hình phép thử cho thiết bị đặt trên sàn nhà
\r\n\r\nHình\r\n6 – Thiết lập cấu hình phép thử cho thiết bị để bàn
\r\n\r\n\r\n\r\n
A.1. Tóm tắt các phương pháp\r\nđiều chế khác nhau
\r\n\r\nMô phỏng các ảnh hưởng nhiễu tần\r\nsố trên 800 MHz từ các máy điện thoại vô tuyến số thông thường sử dụng dạng\r\nđiều chế đường bao thay đổi. Khi xây dựng tiêu chuẩn này, các phương pháp điều\r\nchế dưới đây đã được xem xét:
\r\n\r\n- Điều biên sóng hình sin, độ\r\nsâu 80%, tần số điều chế 1 kHz,
\r\n\r\n- Điều biên sóng vuông, tỷ lệ\r\nxung 1-2, độ sâu 100%, tần số 200 Hz;
\r\n\r\n- Xung RF mô phỏng gần đúng các đặc\r\ntính của từng hệ thống, ví dụ tỷ lệ xung 1:8 tại tần số 200 Hz đối với GSM, tỷ\r\nlệ xung 1: 24 tại tần số 100 Hz đối với máy xách tay DECT, (xem phụ lục I về\r\nGSM và DECT).
\r\n\r\n- Xung RF mô phỏng chính xác các\r\nđặc tính của từng hệ thống, ví dụ đối với GSM tỷ lệ xung 1:8 tại tần số 200 Hz\r\ncộng với các hiệu ứng thứ cấp như chế độ truyền dẫn gián đoạn (tần số điều chế\r\n2 Hz) và các hiệu ứng đa khung (thành phần tần số 8 Hz).
\r\n\r\nCác ưu nhược điểm của từng\r\nphương pháp được tóm tắt trong bảng A.1
\r\n\r\nBảng\r\nA.1 – So sánh các phương pháp điều chế
\r\n\r\n| \r\n Phương\r\n pháp điều chế \r\n | \r\n \r\n Ưu\r\n điểm \r\n | \r\n \r\n Nhược\r\n điểm \r\n | \r\n
| \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n 2 \r\n | \r\n \r\n 3 \r\n | \r\n
| \r\n Điều\r\n biên sóng hình sin \r\n | \r\n \r\n 1. Thực nghiệm cho thấy có thể\r\n thiết lập mối tương quan chính xác giữa các hiệu ứng nhiễu của các loại điều\r\n chế đường bao biến đổi khác nhau. \r\n | \r\n \r\n 1. Không mô phỏng chính xác\r\n TDMA \r\n | \r\n
| \r\n 2. Không cần thiết phải xác\r\n định (và đo) thời gian tăng của xung TDMA \r\n | \r\n \r\n 2. Hơi khắc khe quá đối với\r\n EUT có đáp ứng tuân theo phương trình vi phân bậc 2 \r\n | \r\n |
| \r\n 3. Sử dụng được trong tiêu\r\n chuẩn này và tiêu chuẩn IEC 61000-4-6 \r\n | \r\n \r\n 3. Có thể bỏ sót một số cơ chế\r\n sai hỏng. \r\n | \r\n |
| \r\n 4. Thiết bị phát trường và\r\n thiết bị giám sát tương đối phổ thông \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n 5. Với thiết bị âm thanh tương\r\n tự, việc giải điều chế trong EUT tạo ra một đáp ứng âm thanh có thể đo được\r\n bằng một đồng hồ đo mức băng hẹp, do đó giảm được nhiễu nền. \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n 6. Đã chứng minh được hiệu quả\r\n trong việc mô phỏng các ảnh hưởng của các kiểu điều chế khác nhau (ví dụ:\r\n điều tần, điều pha, điều xung) tại các tần số thấp hơn. \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Điều\r\n biên sóng vuông \r\n | \r\n \r\n 1. Giống TDMA \r\n | \r\n \r\n 1. Không mô phỏng chính xác TDMA. \r\n | \r\n
| \r\n 2. Có thể áp dụng phổ biến \r\n | \r\n \r\n 2. Đòi hỏi thiết bị phi chuẩn\r\n để phát tín hiệu thử \r\n | \r\n |
| \r\n 3. Có thể phát hiện các cơ chế\r\n sai hỏng “unknown” (nhạy cảm với tốc độ thay đổi lớn của đường bao RF). \r\n | \r\n \r\n 3. Việc giải điều chế trong\r\n EUT tạo ra một đáp ứng âm thanh băng rộng, phải đo bằng một đồng hồ đo mức\r\n băng rộng, do đó làm tăng nhiễu nền. \r\n | \r\n |
| \r\n \r\n | \r\n \r\n 4. Cần phải xác định thời gian\r\n tăng của xung. \r\n | \r\n |
| \r\n Tạo\r\n xung RF \r\n | \r\n \r\n 1. Mô phỏng chính xác TDMA. \r\n | \r\n \r\n 1. Đòi hỏi thiết bị phi chuẩn\r\n để phát tín hiệu thử. \r\n | \r\n
| \r\n 2. Có thể phát hiện các cơ chế\r\n sai hỏng “unknown” (nhạy cảm với tốc độ thay đổi lớn của đường bao RF). \r\n | \r\n \r\n 2. Một số điểm về điều chế\r\n phải thay đổi để phù hợp với các hệ thống khác nhau (GSM, DECT, …). \r\n | \r\n |
| \r\n \r\n | \r\n \r\n 3. Việc giải điều chế trong\r\n EUT tạo ra một đáp ứng âm thanh băng rộng, phải đo bằng một đồng hồ đo mức\r\n băng rộng, do đó làm tăng nhiễu nền. \r\n | \r\n |
| \r\n \r\n | \r\n \r\n 4. Cần phải xác định thời gian\r\n tăng của xung. \r\n | \r\n
A.2. Các kết quả thực nghiệm
\r\n\r\nMột loạt thử nghiệm đã được tiến\r\nhành để đánh giá mối tương quan giữa phương pháp điều chế được sử dụng để tạo\r\ntín hiệu gây nhiễu và nhiễu được tạo ra.
\r\n\r\nCác phương pháp điều chế đã được\r\nnghiên cứu là:
\r\n\r\na) Sóng hình sin 80% AM tại tần\r\nsố 1 kHz;
\r\n\r\nb) Xung RF “giống GSM”, tỷ lệ\r\nxung 1:8 tại tần số 200 kHz;
\r\n\r\nc) Xung RF “giống DECT”, tỷ lệ\r\nxung 1:2 tại tần số 100 kHz (trạm gốc);
\r\n\r\nd) Xung RF “giống DECT”, tỷ lệ\r\nxung 1:24 tại tần số 100 kHz (máy cầm tay).
\r\n\r\nTrong mỗi trường hợp chỉ sử dụng\r\n1 trong các phương pháp điều chế “giống DECT”
\r\n\r\nCác kết quả được tóm tắt trong\r\ncác bảng A.2 và A.3
\r\n\r\nBảng\r\nA.2 – Các mức nhiễu tương đối (chú ý 1)
\r\n\r\n| \r\n Phương\r\n pháp điều chế \r\n(Chú\r\n ý 2) \r\n | \r\n \r\n Sóng\r\n hình sin 80% AM tại tần số 1 kHz, dB \r\n | \r\n \r\n “Giống\r\n GSM” tỷ lệ xung 1:8 tại tần số 200 Hz, dB \r\n | \r\n \r\n “Giống\r\n DECT” tỷ lệ xung 1:24 tại tần số 100 Hz, dB \r\n | \r\n ||
| \r\n ↓ Thiết bị \r\n | \r\n \r\n ↓\r\n Đáp ứng âm thanh \r\n | \r\n ||||
| \r\n Máy trợ thính (Chú ý 3) \r\n | \r\n \r\n Không trọng số 21 Hz – 21 kHz \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n 0 \r\n | \r\n \r\n -3 \r\n | \r\n |
| \r\n Trọng số loại A \r\n | \r\n \r\n 0 \r\n | \r\n \r\n -4 \r\n | \r\n \r\n -7 \r\n | \r\n ||
| \r\n Máy điện thoại tương tự (Chú\r\n ý 5) \r\n | \r\n \r\n Không trọng số \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n -3 \r\n | \r\n \r\n -7 \r\n | \r\n |
| \r\n Trọng số loại A \r\n | \r\n \r\n -1 \r\n | \r\n \r\n -6 \r\n | \r\n \r\n -8 \r\n | \r\n ||
| \r\n Máy thu thanh (Chú ý 6) \r\n | \r\n \r\n Không trọng số \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n +1 \r\n | \r\n \r\n -2 \r\n | \r\n |
| \r\n Trọng số loại A \r\n | \r\n \r\n -1 \r\n | \r\n \r\n -3 \r\n | \r\n \r\n -7 \r\n | \r\n ||
| \r\n Chú ý 1 \r\n | \r\n \r\n - Đáp ứng âm thanh là mức\r\n nhiễu, mức nhiễu thấp có nghĩa là mức miễn nhiễm cao. \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 2 \r\n | \r\n \r\n - Biên độ sóng mang được điều\r\n chỉnh sao cho giá trị RMS cực đại (xem mục 2) của tín hiệu gây nhiễu là giống\r\n nhau đối với tất cả các phương pháp điều chế \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 3 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu được\r\n tạo ra bằng một trường điện từ tần số 900 MHz. Tỷ lệ xung đối với điều chế\r\n “giống DECT” là 1:2 thay vì 1:24. Đáp ứng âm thanh là âm đầu ra được đo bằng\r\n tai giả nối qua một ống PVC 0,5 m. \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 4 \r\n | \r\n \r\n - Trường hợp này được chọn\r\n như là đáp ứng âm thanh chuẩn, có nghĩa là 0 dB \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 5 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu là một\r\n dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp điện thoại. Đáp ứng âm thanh là điện\r\n áp tần số âm tần đo được trên đường dây điện thoại. \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 6 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu là một\r\n dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp nguồn. Đáp ứng âm thanh là âm đầu ra\r\n đo được bằng microphone. \r\n | \r\n ||||
| \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n |
Bảng\r\nA.3 – Các mức miễn nhiễu tương ứng (chú ý 1)
\r\n\r\n| \r\n Phương\r\n pháp điều chế \r\n(chú\r\n ý 2) \r\n | \r\n \r\n Sóng\r\n sin 80% AM tại tần số 1 kHz, dB \r\n | \r\n \r\n “Giống\r\n GSM” tỷ lệ xung 1:8 tại tần số 200 Hz, dB \r\n | \r\n \r\n “Giống\r\n DECT” tỷ lệ xung 1:24 tại tần số 100 Hz, dB \r\n | \r\n ||
| \r\n ↓ Thiết bị \r\n | \r\n \r\n ↓\r\n Đáp ứng \r\n | \r\n ||||
| \r\n Máy thu hình (Chú ý 3) \r\n | \r\n \r\n Nhiễu có thể nhìn thấy rõ \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n -2 \r\n | \r\n \r\n -2 \r\n | \r\n |
| \r\n Nhiễu mạnh \r\n | \r\n \r\n +4 \r\n | \r\n \r\n +1 \r\n | \r\n \r\n +2 \r\n | \r\n ||
| \r\n Màn hình tắt \r\n | \r\n \r\n ~+19 \r\n | \r\n \r\n +18 \r\n | \r\n \r\n +19 \r\n | \r\n ||
| \r\n Đầu cuối số liệu với giao diện\r\n RS232 (Chú ý 5) \r\n | \r\n \r\n Nhiễu trên màn hình video \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n 0 \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n |
| \r\n Lỗi số liệu \r\n | \r\n \r\n >\r\n +16 \r\n | \r\n \r\n >+16 \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n ||
| \r\n Modem RS232 (chú ý 6) \r\n | \r\n \r\n Lỗi số liệu (xâm nhập vào giao\r\n diện thoại) \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n 0 \r\n | \r\n \r\n 0 \r\n | \r\n |
| \r\n Lỗi số liệu (xâm nhập vào giao\r\n diện R232) \r\n | \r\n \r\n >\r\n +9 \r\n | \r\n \r\n >+9 \r\n | \r\n \r\n >+9 \r\n | \r\n ||
| \r\n Nguồn cấp cho phòng thí nghiệm\r\n (Chú ý 7) \r\n | \r\n \r\n Lỗi 2% ở dòng một chiều đầu ra\r\n \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n +3 \r\n | \r\n \r\n +7 \r\n | \r\n |
| \r\n Kết nối chéo SDH (Chú ý 8) \r\n | \r\n \r\n Ngưỡng lỗi bít \r\n | \r\n \r\n 0\r\n | \r\n \r\n 0 \r\n | \r\n \r\n \r\n | \r\n |
| \r\n Chú ý 1 \r\n | \r\n \r\n - Các con số cho trong bảng là\r\n giá trị đo tương đối của mức RMS cực đại (xem mục 2) của tín hiệu gây nhiễu\r\n cần thiết để tạo ra cùng mức nhiễu với tất cả các phương pháp điều chế khác\r\n nhau Mức dB cao nghĩa là độ miễn nhiễm cao \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 2 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu được điều\r\n chỉnh sao cho tạo được đáp ứng (nhiễu) như nhau với tất cả các phương pháp\r\n điều chế \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 3 \r\n | \r\n \r\n Tín hiệu gây nhiễu là một dòng\r\n RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp nguồn Đáp ứng là độ nhiễu tạo thành trên\r\n màn hình \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 4 \r\n | \r\n \r\n - Trường hợp này được chọn là\r\n mức miễn nhiễm chuẩn, có nghĩa là 0 dB \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 5 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu là một\r\n dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp RS232 \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 6 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu là một\r\n dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp điện thoại hoặc cáp RS232 \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 7 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu là dòng\r\n RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp DC đầu ra \r\n | \r\n ||||
| \r\n Chú ý 8 \r\n | \r\n \r\n - Tín hiệu gây nhiễu là trường\r\n điện từ tần số 935 MHz \r\n | \r\n ||||
| \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n | \r\n |
Danh mục các thiết bị đã được\r\nthử, sử dụng cả hai phương pháp điều chế sóng sin AM và điều xung (tỷ lệ xung\r\n1:2) với cường độ trường lên tới 30 V/m:
\r\n\r\n- Máy sấy khô cầm tay điều khiển\r\nbằng vi xử lý;
\r\n\r\n- Modem 2 Mbit/s với cáp đồng\r\ntrục 75 Ω;
\r\n\r\n- Modem 2 Mbit/s với cáp hai dây\r\nxoắn 120 Ω;
\r\n\r\n- Bộ điều khiển công nghiệp sử\r\ndụng vi xử lý, hiển thị video và giao diện RS485;
\r\n\r\n- Hệ thống hiển thị giờ tàu sử\r\ndụng vi xử lý;
\r\n\r\n- Thiết bị đầu cuối thẻ tín dụng\r\ncó đầu ra modem;
\r\n\r\n- Bộ ghép kênh số 2/34 Mbit/s;
\r\n\r\n- Bộ lập Ethernet (10 Mbit/s).
\r\n\r\nA.3. Các hiệu ứng điều chế\r\nthứ cấp
\r\n\r\nĐể mô phỏng chính xác sự điều\r\nchế được sử dụng trong hệ thống điện thoại vô tuyến số thì không chỉ là mô\r\nphỏng sự điều chế sơ cấp mà còn phải xét đến ảnh hưởng của bất kỳ sự điều chế\r\nthứ cấp nào xuất hiện.
\r\n\r\nVí dụ: Đối với GSM và DCS 1800\r\nthì có các hiệu ứng đa khung gây ra bởi sự nén cụm mỗi chu kỳ 120 ms (tạo ra\r\nmột thành phần tần số xấp xỉ 8 Hz). Ngoài ra có thể xuất hiện sự điều chế tần\r\nsố 2 Hz từ phương thức truyền dẫn gián đoạn (DTX).
\r\n\r\nA.4. Kết luận
\r\n\r\nTừ các trường hợp đã nghiên cứu\r\ncó thể thấy rằng các EUT đáp ứng một cách độc lập với phương pháp điều chế được\r\nsử dụng. Khi so sánh các hiệu ứng của các phương pháp điều chế khác nhau, thì\r\nquan trọng là phải đảm bảo rằng mức RMS cực đại của tín hiệu nhiễu là giống\r\nnhau.
\r\n\r\nNếu có sự khác nhau đáng kể giữa\r\ncác hiệu ứng của các kiểu điều chế khác nhau thì là do sóng hình sin AM luôn là\r\ntrường hợp khắc nghiệt nhất.
\r\n\r\nKhi có đáp ứng khác nhau đối với\r\nđiều chế sóng hình sin và TDMA thì có thể điều chỉnh tiêu chí đánh giá trong\r\ntiêu chuẩn sản phẩm.
\r\n\r\nTóm lại, điều chế sóng hình sin\r\ncó các ưu điểm sau:
\r\n\r\n- Đáp ứng tách sóng băng hẹp\r\ntrong các hệ thống tương tự đã giảm được vấn đề nhiễu nền;
\r\n\r\n- Khả năng áp dụng rộng rãi;
\r\n\r\n- Điều chế giống nhau tại tất cả\r\ncác tần số;
\r\n\r\n- Luôn luôn khắc nghiệt hơn điều\r\nchế xung.
\r\n\r\nVới những lý do trên, phương\r\npháp điều chế trong tiêu chuẩn này là điều biên 80% sóng hình sin.
\r\n\r\n\r\n\r\n
B.1. Anten Biconical (20 MHz\r\n– 300 MHz)
\r\n\r\nAnten này bao gồm một bộ biến đổi\r\ncân bằng/không cân bằng (balun) đồng trục và phần tử 3 chiều dải tần rộng, có\r\nthể sử dụng cho cả phát và thu. Đường cong hệ số của anten là một đường tương\r\nđối phẳng, tăng theo tần số.
\r\n\r\nDo kích thước nhỏ gọn nên anten\r\nnày thường được sử dụng trong các vùng có không gian hạn chế như các buồng\r\nkhông phản xạ. Kích thước điển hình là: rộng 1430 mm, sâu 810 mm và đường kính\r\n530 mm.
\r\n\r\nB.2. Anten chu kỳ logarit (80\r\nMHz – 1000 MHz)
\r\n\r\nAnten chu kỳ logarit là một hàng\r\ncác lưỡng cực có độ dài khác nhau được nối tới một đường truyền.
\r\n\r\nCác anten băng rộng này có tăng\r\ních cao và VSWR thấp.
\r\n\r\nKích thước điển hình là cao 60\r\nmm, rộng 1500 mm và sâu 1500 mm.
\r\n\r\nChú ý: Khi chọn anten để phát\r\ntrường, phải thiết lập được cấu hình sao cho balun kiểm soát được mức công suất\r\ncần thiết.
\r\n\r\nB.3. Anten phân cực tròn
\r\n\r\nLà các anten tạo ra trường điện\r\ntừ phân cực tròn, như các anten hình nón xoắn ốc logarit, các anten này có thể\r\nchỉ được sử dụng sau khi tăng công suất đầu ra của bộ khuếch đại công suất 3\r\ndB.
\r\n\r\nB.4. Anten râu và anten dẫn\r\nsóng 2 đỉnh
\r\n\r\nCác anten râu và anten dẫn sóng\r\n2 đỉnh tạo ra trường điện từ được phân cực tuyến tính. Các anten này thường\r\nđược sử dụng tại các tần số trên 1000 MHz.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Buồng bán phản xạ là một buồng\r\ncó vỏ chắn có chất liệu hấp thụ sóng vô tuyến trên tường và trần. Các buồng\r\nkhông phản xạ có cả lớp hấp thụ như vậy ở trên sàn.
\r\n\r\nMục đích của các lớp này là hấp\r\nthụ năng lượng tần số vô tuyến, ngăn ngừa sự phản xạ trở lại vào trong buồng.\r\nNhững phản xạ như vậy do sự giao thoa một cách phức tạp với trường phát xạ trực\r\ntiếp, có thể tạo ra các đỉnh và các đường lõm của cường độ của trường phát.
\r\n\r\nSuy hao phản xạ của vật liệu hấp\r\nthụ, phụ thuộc vào tần số và góc tới của sóng vô tuyến. Sự hấp thụ lớn nhất xảy\r\nra tại phương pháp tuyến và giảm khi góc tới tăng.
\r\n\r\nĐể làm yếu độ phản xạ và tăng độ\r\nhấp thụ, vật liệu hấp thụ thường được tạo dạng hình nêm hoặc hình nón.
\r\n\r\nVới các buồng bán phản xạ, việc\r\ncải tiến bằng cách bổ sung lớp hấp thụ trên sàn sẽ góp phần tạo ra trường đồng\r\nnhất theo yêu cầu tại mọi tần số.
\r\n\r\nVật hấp thụ bổ sung không được\r\nđặt trong đường chiếu xạ trực tiếp từ anten tới EUT, nhưng phải được định vị\r\ntheo vị trí và hướng giống như khi hiệu chuẩn trường.
\r\n\r\nCũng có thể cải thiện tính đồng\r\nnhất bằng cách đặt anten nằm ngoài trục của buồng thử để bất cứ sóng phản xạ\r\nnào cũng không đối xứng.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Tấm dẫn sóng rất có hiệu quả\r\ntrong việc tạo trường tuyến tính cho phép thử các EUT nhỏ (kích thước khoảng\r\n0,3 m x 0,3 m x 0,3 m), tần số từ DC tới 150 MHz. Khi đã tạo được phát xạ biên\r\nthì EUT phải được quay quanh trục của nó để kiểm tra với các trường hợp phân\r\ncực ngang và phân cực đứng.
\r\n\r\nCó thể cải thiện tính đồng nhất\r\nvà giảm trường bên ngoài bằng cách sử dụng vật liệu hấp thụ tần số vô tuyến và\r\nduy trì khoảng cách ít nhất là 2 m giữa tấm dẫn sóng và các vật thể phản xạ\r\nkhác.
\r\n\r\nCác ngăn TEM có ưu điểm về việc\r\ntạo vỏ chắn cho trường phát xạ nhưng chỉ sử dụng được cho các EUT nhỏ với dải\r\ntần từ DC tới 200 MHz. Các thiết kế đặc biệt (ví dụ các ngăn GTEM) có thể có\r\ndải tần cao hơn và có thể chứa được các EUT lớn hơn.
\r\n\r\nCũng tương tự như đối với tấm\r\ndẫn sóng, EUT phải quay quanh trục của nó trong ngăn TEM để kiểm tra với cả hai\r\ntrường hợp phân cực ngang và phân cực đứng.
\r\n\r\nTấm dẫn sóng và ngăn TEM chỉ\r\nđược sử dụng nếu yêu cầu về tính đồng nhất trường được thỏa mãn. Ngoài ra, việc\r\nbố trí EUT và dây nối liên quan không được vượt quá một phần ba khoảng cách\r\ngiữa vách ngăn và dây dẫn ngoài cùng.
\r\n\r\n\r\n\r\n
E.1. Buồng có phủ từng phần\r\nlớp hấp thụ
\r\n\r\nLà buồng cách ly được cải tiến\r\nvới các tấm hấp thụ tần số vô tuyến để giảm hiện tượng cộng hưởng xảy ra như\r\ntrong các buồng không lót, nhưng với giá thành thấp hơn buồng không phản xạ\r\nhoàn toàn hay buồng bán phản xạ. Các tấm hấp thụ được đặt tại những điểm phản\r\nxạ chính trên tường và trần.
\r\n\r\nE.2. Vị trí đo ngoài trời
\r\n\r\nPhương pháp này có thể chấp nhận\r\nđược trong những vùng thưa dân của thành phố, thỏa mãn các điều kiện luật pháp\r\nquy định. Cần phải có các tấm hấp thụ để giảm phản xạ trên sàn.
\r\n\r\nF.1. Giới thiệu
\r\n\r\nCông suất phát của các máy phát\r\nvô tuyến thường được xác định ở dạng ERP (công suất phát xạ hiệu dụng) so với một\r\nlưỡng cực nửa sóng. Đo đó, cường độ trường phát (đối với trường xa) có thể tính\r\nđược trực tiếp bằng công thức lưỡng cực sau:
\r\n\r\n (phương trình F.1)
Trong đó:
\r\n\r\nE là cường độ trường (giá trị\r\nRMS) (V/m);
\r\n\r\nk là một hằng số, có giá trị\r\nbằng 7, đối với lan truyền không gian tự do trong trường xa;
\r\n\r\nP là công suất (ERP) (W)
\r\n\r\nd là khoảng cách tính từ anten\r\n(m).
\r\n\r\nCác vật thể phản xạ và hấp thụ\r\nbên cạnh có thể làm thay đổi cường độ trường.
\r\n\r\nTrong phương trình F.1, nếu\r\nkhông biết được giá trị ERP của máy phát thì có thể dùng công suất vào anten.\r\nTrong trường hợp đó, áp dụng giá trị k = 3 cho các máy phát vô tuyến di động.
\r\n\r\nF.2. Mức thử với các mục đích\r\nchung
\r\n\r\nCác mức thử và dải tần số được\r\nchọn tùy thuộc vào môi trường phát xạ điện từ mà EUT được lắp đặt trên thực tế.\r\nKhi xác định mức thử cần xem xét hậu quả do các hư hỏng của thiết bị. Nếu hậu\r\nquả do các hư hỏng thiết bị là đáng kể thì phải yêu cầu mức thử khắt khe hơn.
\r\n\r\nNếu EUT chỉ được lắp đặt để khai\r\nthác sử dụng tại một số ít các vị trí thì quá trình khảo sát các nguồn RF tại\r\nvùng đó sẽ cho phép tính toán cường độ trường có thể gặp. Nếu không biết được\r\ncông suất của các nguồn, thì phải đo cường độ trường thực tế tại các điểm có\r\nliên quan.
\r\n\r\nVới thiết bị được thiết kế để\r\nhoạt động trong các vị trí khác nhau thì có thể sử dụng những chỉ dẫn sau để\r\nchọn mức thử.
\r\n\r\nCác cấp dưới đây liên quan tới\r\ncác mức thử trong mục 3; các cấp này được xem như là các hướng dẫn chung để\r\nchọn mức thử phù hợp.
\r\n\r\n- Cấp 1: Môi trường phát\r\nxạ điện từ mức thấp. Mức đặc trưng của các trạm phát thanh/truyền hình địa\r\nphương đặt tại khoảng cách trên 1km, và các máy phát/thu công suất thấp.
\r\n\r\n- Cấp 2: Môi trường phát xạ\r\nđiện từ trung bình. Mức của các máy thu – phát cầm tay công suất thấp (điển\r\nhình là công suất nhỏ hơn 1 W) sử dụng gần thiết bị. Điển hình là môi trường\r\nkhu thương mại.
\r\n\r\n- Cấp 3: Môi trường phát\r\nxạ điện từ khắc nghiệt. Mức của các máy thu – phát cầm tay (công suất lớn hơn\r\nhoặc bằng 2 W) tương đối gần thiết bị nhưng không nhỏ hơn 1 m. Các máy phát\r\nquảng quá công suất cao và thiết bị ISM đặt gần đó. Điển hình là môi trường\r\ncông nghiệp.
\r\n\r\n- Cấp x: x là một mức mở\r\ncó thể xác định dựa vào tiêu chuẩn sản phẩm và đặc tính kỹ thuật của thiết bị.
\r\n\r\nF.3. Mức thử với mục đích bảo\r\nvệ chống lại các phát xạ RF từ các máy điện thoại vô tuyến số
\r\n\r\nCác mức thử được chọn tùy thuộc\r\nvào trường điện từ trong thực tế, có nghĩa là phải khảo sát mức công suất của\r\nthiết bị điện thoại vô tuyến và khoảng cách giữa anten phát của nó và thiết bị\r\nđược đo thử. Thường thì các trạm di động sẽ đòi hỏi khắt khe hơn các trạm gốc\r\n(vì các trạm di đồng có xu hướng đặt gần các thiết bị nhạy cảm hơn các trạm\r\ngốc).
\r\n\r\nKhi xác định mức thử cần xem xét\r\nchi phí để đạt được mức miễn nhiễm yêu cầu và các hậu quả do hư hỏng thiết bị\r\ngây ra. Nếu hậu quả do hư hỏng thiết bị gây ra là lớn thì phải yêu cầu mức thử\r\nkhắc khe hơn.
\r\n\r\nMức điện từ trong môi trường cao\r\nhơn mức thử đã được chọn có thể xảy ra trong thực tế nhưng ít xuất hiện. Để\r\nngăn ngừa các sự cố không thể chấp nhận được trong các tình huống đó, thì phải\r\nthực hiện một phép thử thứ hai ở mức cao hơn và chấp nhận mức chỉ tiêu bị suy\r\ngiảm (nghĩa là xác định mức suy giảm chấp nhận được).
\r\n\r\nBảng F.1 đưa ra ví dụ về các mức\r\nthử, tiêu chí chất lượng và các khoảng cách an toàn tương ướng. Khoảng cách an\r\ntoàn là khoảng cách nhỏ nhất chấp nhận được tới một máy điện thoại vô tuyến số,\r\nkhi thực hiện phép thử tại mức thử đầu tiên. Các khoảng cách này được tính từ\r\nphương trình F.1, sử dụng hệ số k = 7 và giả sử tín hiệu thử là sóng hình sin\r\nđược điều biên 80%.
\r\n\r\nBảng\r\nF.1 – Ví dụ về các mức thử, khoảng cách an toàn và tiêu chí chất lượng
\r\n\r\n| \r\n Mức\r\n thử \r\n | \r\n \r\n Cường\r\n độ trường sóng mang, V/m \r\n | \r\n \r\n Cường\r\n độ trường RMS cực đại, V/m \r\n | \r\n \r\n Khoảng\r\n cách an toàn \r\n | \r\n \r\n Tiêu\r\n chí chất lượng \r\n(Chú\r\n ý 3) \r\n | \r\n |||
| \r\n 2\r\n W GSM, m \r\n | \r\n \r\n 8\r\n W GSM, m \r\n | \r\n \r\n ¼\r\n W DECT | \r\n \r\n Ví\r\n dụ 1 (Chú ý 1) \r\n | \r\n \r\n Ví\r\n dụ 2 (Chú ý 2) \r\n | \r\n |||
| \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n 1 \r\n | \r\n \r\n 1,8 \r\n | \r\n \r\n 5,5 \r\n | \r\n \r\n 11 \r\n | \r\n \r\n 1,9 \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n
| \r\n 2 \r\n | \r\n \r\n 3 \r\n | \r\n \r\n 5,4 \r\n | \r\n \r\n 1,8 \r\n | \r\n \r\n 3,7 \r\n | \r\n \r\n 0,6 \r\n | \r\n \r\n a \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n
| \r\n 3 \r\n | \r\n \r\n 10 \r\n | \r\n \r\n 18 \r\n | \r\n \r\n 0,6 \r\n | \r\n \r\n 1,1 \r\n | \r\n \r\n -0,21) \r\n | \r\n \r\n b\r\n \r\n | \r\n \r\n a\r\n \r\n | \r\n
| \r\n 4 \r\n | \r\n \r\n 30 \r\n | \r\n \r\n 54 \r\n | \r\n \r\n -0,21) \r\n | \r\n \r\n 0,4 \r\n | \r\n \r\n -0,11) \r\n | \r\n \r\n - \r\n | \r\n \r\n b \r\n | \r\n
| \r\n Chú ý 1 - Hậu quả sai hỏng\r\n không nghiêm trọng. \r\nChú ý 2 - Hậu quả sai hỏng\r\n nghiêm trọng \r\nChú ý 3 - Tuân thủ mục 7 \r\n | \r\n |||||||
| \r\n 1) Tại đó và các\r\n khoảng cách gần hơn, phương trình trường xa F.1 không chính xác. \r\n | \r\n |||||||
Các vấn đề sau được xét đến khi\r\nlập bảng trên:
\r\n\r\n- Đối với GSM, hầu hết các thiết\r\nbị đầu cuối hiện nay trên thị trường là thuộc lớp 4 (ERP cực đại là 2 W). Một\r\nsố lượng đáng kể các thiết bị đầu cuối di động đang hoạt động là thuộc lớp 3 và\r\n2 (ERP cực đại là 5 W và 8 W). ERP của các thiết bị đầu cuối GSM thường thấp\r\nhơn giá trị cực đại ngoại trừ trong các vùng thu kém;
\r\n\r\n- Thường điều kiện trong nhà kém\r\nhơn ngoài trời, điều đó có nghĩa là giá trị ERP trong nhà thường không được\r\nđiều chỉnh về lớp tối đa. Đó là trường hợp xấu nhất theo quan điểm EMC vì hầu\r\nhết các thiết bị hỏng hóc thường tập trung trong nhà;
\r\n\r\n- Như trong phụ lục A, khả năng\r\nmiễn nhiễm thiết bị có tương quan chặt chẽ với giá trị RMS cực đại của trường\r\nđiều chế. Đo đó nên cường độ trường RMS cực đại phải được thay cho cường độ\r\ntrường sóng mang để tính khoảng cách an toàn trong phương trình F.1;
\r\n\r\n- Khoảng cách cực tiểu để đảm\r\nbảo vận hành, cũng được gọi là khoảng cách an toàn, phải được tính với k = 7\r\ntrong phương trình F.1 và không tính đến sự thăng giáng (mang tính chất thống\r\nkê) của cường độ trường, do phản xạ từ trường, sàn trần ở mức ± 6 dB;
\r\n\r\n- Khoảng cách an toàn theo\r\nphương trình F.1 phụ thuộc vào công suất phát xạ hiệu dụng của máy điện thoại\r\nvô tuyến số và không phụ thuộc vào tần số hoạt động.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Các mức thử trong phụ lục F là các\r\ngiá trị điển hình hiếm khi vượt quá trong các vị trí đã đề cập. Tại một số vị\r\ntrí các giá trị đó có thể sẽ bị vượt quá, ví dụ như các trạm ra-đa, các máy\r\nphát công suất lớn hoặc các thiết bị ISM đặt trong cùng một tòa nhà, … Trong\r\nnhững trường hợp như vậy áp dụng các phương pháp bọc chắn nhiễu, lọc nhiễu các\r\ndây dẫn tín hiệu và dây nguồn sẽ thích hợp hơn là xác định mức miễn nhiễm cao\r\nnhư vậy đối với tất cả các thiết bị.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Phép thử với các tín hiệu nhiễu\r\ndẫn hữu dụng hơn ở các tần số thấp còn các phép thử với tín hiệu nhiễu phát xạ\r\nhữu dụng hơn ở các tần số cao.
\r\n\r\nCó thể sử dụng các phương pháp\r\nthử trong tiêu chuẩn này với các tần số giảm xuống đến 26 MHz. Mục đích của phụ\r\nlục này là hướng dẫn lựa chọn phương pháp thử thích hợp nhất. Các vấn đề cần\r\nquan tâm bao gồm:
\r\n\r\n- Bước sóng của trường phát xạ\r\nso sánh với kích thước của EUT;
\r\n\r\n- Kích thước tương đối của\r\ncabinet và dây dẫn của EUT;
\r\n\r\n- Số lượng dây dẫn và vỏ bọc cấu\r\nthành EUT.
\r\n\r\n\r\n\r\n
I.1. Các điện thoại vô tuyến\r\nsố
\r\n\r\nCác bảng I.1 và I.2 liệt kê các\r\nthông số hệ thống vô tuyến có liên quan tới EMC.
\r\n\r\nCác chữ viết tắt và các định\r\nnghĩa liệt kê sau đây được sử dụng trong các bảng I.1 và I.2:
\r\n\r\n- CT-2 (điện thoại không dây,\r\nthế hệ hai): hệ thống điện thoại không dây, được sử dụng rộng rãi ở một số\r\nnước Châu Âu;
\r\n\r\n- DCS 1800 (hệ thống tế bào\r\nsố): hệ thống viễn thông di động tế bào, giá thành thấp, được sử dụng rộng\r\nrãi trên toàn thế giới;
\r\n\r\n- DECT (hệ thống viễn thông\r\nvô tuyến số): hệ thống viễn thông tế bào không dây, giá thành thấp, được sử\r\ndụng rộng rãi ở châu Âu;
\r\n\r\n- DTX (truyền dẫn gián đoạn):\r\ngiảm cụm tần số lặp để tiết kiệm năng lượng, khi không có thông tin cần phát\r\nđi;
\r\n\r\n- ERP (công suất phát xạ hiệu\r\ndụng): công suất phát xạ hiệu dụng quy cho một lưỡng cực nửa bước sóng;
\r\n\r\n- FDMA (đa truy nhập phân\r\nchia theo tần số): phương pháp ghép kênh trong đó các băng tần riêng rẽ\r\nđược ấn định cho mỗi kênh;
\r\n\r\n- GSM (hệ thống thông tin di\r\nđộng toàn cầu): hệ thống viễn thông di động tế bào, được sử dụng rộng rãi\r\ntrên thế giới;
\r\n\r\n- NADC (hệ thống tế bào số\r\nBắc Mỹ); hệ thống thông tin di động tế bào số, được sử dụng rộng rãi ở Bắc\r\nMỹ. Một khái niệm thông dụng dùng để mô tả các hệ thống tế bào số tuân theo\r\nTiêu chuẩn tạm thời Hiệp hội Công nghiệp Viễn thông – 54; còn được hiểu là\r\nD-AMPS;
\r\n\r\n- PDC (hệ thống tế bào số cá\r\nnhân): hệ thống viễn thông di động tế bào, được sử dụng rộng rãi ở Nhật\r\nBản;
\r\n\r\n- PHS (hệ thống điện thoại\r\ncầm tay cá nhân): hệ thống điện thoại không dây, được sử dụng rộng rãi ở\r\nNhật Bản;
\r\n\r\n- TDMA (đa truy nhập phân\r\nchia theo thời gian): xem mục 2;
\r\n\r\n- TDD (song công chia thời\r\ngian): phương pháp ghép kênh trong đó các khe thời gian khác nhau được ấn\r\nđịnh cho các kênh phát và thu.
\r\n\r\nBảng\r\nI.1 – Các máy cầm tay và máy di động
\r\n\r\n| \r\n Tên\r\n hệ thống \r\n——— \r\nCác\r\n thông số \r\n | \r\n \r\n GSM \r\n | \r\n \r\n DCS\r\n 1800 \r\n | \r\n \r\n DECT \r\n | \r\n \r\n CT-2 \r\n | \r\n \r\n PDC \r\n | \r\n \r\n PHS \r\n | \r\n \r\n NADC \r\n | \r\n
| \r\n Tần số phát \r\n | \r\n \r\n 890 MHz tới 915 MHz \r\n | \r\n \r\n 1,71 GHz tới 1,784 GHz \r\n | \r\n \r\n 1,88 GHz tới 1,96 GHz \r\n | \r\n \r\n 864 MHz tới 868 MHz \r\n | \r\n \r\n 940 MHz tới 956 MHz và 1,429\r\n GHz tới 1,453 GHz \r\n | \r\n \r\n 1,895 GHz tới 1,918 GHz \r\n | \r\n \r\n 825 MHz tới 845 MHz \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu điều chế \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ TDD \r\n | \r\n \r\n FDMA/ TDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ TDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n
| \r\n Tần số lắp theo cụm \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 100 Hz \r\n | \r\n \r\n 500 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n \r\n 200 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n
| \r\n Tỷ lệ xung \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:24 (cả 1:48 và 1:12) \r\n | \r\n \r\n 1:12 \r\n | \r\n \r\n 1:3 \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:3 \r\n | \r\n
| \r\n ERP cực đại \r\n | \r\n \r\n 0,8 W: 2 W: 5 W: 8 W: 20 W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W: 1W: 4W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n < 10 mW \r\n | \r\n \r\n 0,8 W: 2W \r\n | \r\n \r\n 10mW \r\n | \r\n \r\n < 6W \r\n | \r\n
| \r\n Điều chế thứ cấp \r\n | \r\n \r\n 2 Hz (DTX) và 0,16 Hz tới 8,3\r\n Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n 2 Hz (DTX) và 0,16 Hz tới 8,3\r\n Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n
| \r\n Vùng địa lý \r\n | \r\n \r\n Toàn\r\n thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn\r\n thế giới \r\n | \r\n \r\n Châu\r\n Âu \r\n | \r\n \r\n Châu\r\n Âu \r\n | \r\n \r\n Nhật\r\n Bản \r\n | \r\n \r\n Nhật\r\n Bản \r\n | \r\n \r\n Mỹ \r\n | \r\n
| \r\n Chú ý – DECT bao trùm CT -\r\n 3 \r\n | \r\n |||||||
Bảng\r\nI.2 – Các trạm gốc
\r\n\r\n| \r\n Tên\r\n hệ thống \r\n——— \r\nCác\r\n thông số \r\n | \r\n \r\n GSM \r\n | \r\n \r\n DCS\r\n 1800 \r\n | \r\n \r\n DECT \r\n | \r\n \r\n CT-2 \r\n | \r\n \r\n PDC \r\n | \r\n \r\n PHS \r\n | \r\n \r\n NADC \r\n | \r\n
| \r\n Tần số phát \r\n | \r\n \r\n 935 MHz tới 960 MHz \r\n | \r\n \r\n 1,805 GHz tới 1,88 GHz \r\n | \r\n \r\n 1,88 GHz tới 1,96 GHz \r\n | \r\n \r\n 864 MHz tới 868 MHz \r\n | \r\n \r\n 810 MHz tới 826 MHz và 1,477\r\n GHz tới 1,501 GHz \r\n | \r\n \r\n 1,895 GHz tới 1,918 GHz \r\n | \r\n \r\n 870 MHz tới 890 MHz \r\n | \r\n
| \r\n Kiểu điều chế \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ TDD \r\n | \r\n \r\n FDMA/ TDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n \r\n TDMA/ TDD \r\n | \r\n \r\n TDMA \r\n | \r\n
| \r\n Tần số lắp theo cụm \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 217 Hz \r\n | \r\n \r\n 100 Hz \r\n | \r\n \r\n 500 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n \r\n 200 Hz \r\n | \r\n \r\n 50 Hz \r\n | \r\n
| \r\n Tỷ lệ xung \r\n | \r\n \r\n 1:8 tới 8:8 \r\n | \r\n \r\n 1:8 tới 8:8 \r\n | \r\n \r\n 1:2 \r\n | \r\n \r\n 1:2 \r\n | \r\n \r\n 1:3 tới 3:3 \r\n | \r\n \r\n 1:8 \r\n | \r\n \r\n 1:3 tới 3:3 \r\n | \r\n
| \r\n ERP cực đại \r\n | \r\n \r\n 2,5 W tới 320 W \r\n | \r\n \r\n 2,5 W tới 200 W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n 0,25 W \r\n | \r\n \r\n 1 W tới 96W \r\n | \r\n \r\n 10 mW tới 500 mW \r\n | \r\n \r\n 500 W \r\n | \r\n
| \r\n Điều chế thứ cấp \r\n | \r\n \r\n 2 Hz (DTX) và 0,16 Hz tới 8,3\r\n Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n 2 Hz (DTX) và 0,16 Hz tới 8,3\r\n Hz (đa khung) \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n \r\n Không \r\n | \r\n
| \r\n Vùng địa lý \r\n | \r\n \r\n Toàn\r\n thế giới \r\n | \r\n \r\n Toàn\r\n thế giới \r\n | \r\n \r\n Châu\r\n Âu \r\n | \r\n \r\n Châu\r\n Âu \r\n | \r\n \r\n Nhật\r\n Bản \r\n | \r\n \r\n Nhật\r\n Bản \r\n | \r\n \r\n Mỹ \r\n | \r\n
| \r\n Chú ý – DECT bao trùm CT -\r\n 3 \r\n | \r\n |||||||
[1] IEC 61000-4-3: 1998 Basic\r\nElectroMagnetic Compatibility, Testing and Measurement Techniques, Radiated,\r\nRadio-Frequency, ElectroMagnetic Field Immunity Test
\r\n\r\n[2] IEC 60050 (161): 1990\r\nInternational Electrotechnical Vocabulary (IEV) – Chapter 161: Electromagnetic\r\nCompatibility
\r\n\r\n[3] IEC 61000-4-6:1996\r\nElectroMagnetic Compatibility (EMC) – Part 4: Testing and Measurement Tecniques\r\n– Section 6: Immunity conducted Disturbances Induced by Radio-Frequency fields.
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn ngành TCN 68-194:2000 về tương thích điện từ (EMC) – miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến – phương pháp đo và thử do Tổng cục trưởng Tổng cục Bưu điện ban hành đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn ngành TCN 68-194:2000 về tương thích điện từ (EMC) – miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến – phương pháp đo và thử do Tổng cục trưởng Tổng cục Bưu điện ban hành
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Tổng cục Bưu điện |
| Số hiệu | TCN68-194:2000 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn ngành |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2000-12-28 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Hết hiệu lực |