"\r\n\r\n\r\n\r\n\r\nþÿ\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n

\r\n\r\n

TCVN\r\n6989-1-4:2010

\r\n\r\n

CISPR 16-1-4:2010

\r\n\r\n

YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO\r\nVÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – PHẦN 1-4: THIẾT BỊ ĐO\r\nNHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – ANTEN VÀ VỊ TRÍ THỬ NGHIỆM DÙNG ĐỂ ĐO NHIỄU\r\nBỨC XẠ

\r\n\r\n

Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-4:\r\nRadio disturbance and immunity measuring apparatus – Antennas and test sites\r\nfor radiated disturbance measurements

\r\n\r\n

Lời nói đầu

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-4:2010\r\nhoàn toàn tương đương với CISPR 16-1-4:2010; TCVN 6989-1-4:2010 do Ban kỹ thuật\r\ntiêu chuẩn quốc gia

\r\n\r\n

TCVN/TC/E9 Tương\r\nthích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị,\r\nBộ Khoa học và Công nghệ công bố.

\r\n\r\n

Lời giới thiệu

\r\n\r\n

Bộ tiêu chuẩn TCVN\r\n6989 (CISPR 16) hiện đã có các phần sau:

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-1:2008,\r\nThiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-2:2010,\r\nThiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo phụ trợ – Nhiễu dẫn

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-3:2008,\r\nThiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo phụ trợ – Công suất\r\nnhiễu

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-4:2010,\r\nThiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Anten và vị trí thử nghiệm dùng để\r\nđo nhiễu bức xạ

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-5:2008,\r\nThiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn\r\nanten trong dảI tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

TCVN 6989-2-1:2010,\r\nPhương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Đo nhiễu dẫn

\r\n\r\n

TCVN 6989-2-2:2008,\r\nPhương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Đo công suất nhiễu

\r\n\r\n

TCVN 6989-2-3:2010,\r\nPhương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Đo nhiễu bức xạ

\r\n\r\n

TCVN 6989-2-4:2008,\r\nPhương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Đo miễn nhiễm

\r\n\r\n

Ngoài ra, bộ tiêu\r\nchuẩn quốc tế CISPR 16 còn có các tiêu chuẩn sau:

\r\n\r\n

CISPR 16-3, Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 3:\r\nCISPR technical reports

\r\n\r\n

CISPR 16-4-1, Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-1:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in standardized\r\nEMC tests

\r\n\r\n

CISPR 16-4-3, Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-3:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling – Statistics considerations in\r\nthe determination of EMC compliance of mass-produced products

\r\n\r\n

CISPR 16-4-4, Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-4: Uncertainties,\r\nstatistics and limit modelling – Statistics of compliants and a model for the\r\ncalculation of limits

\r\n\r\n

YÊU\r\nCẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ\r\nRAĐIÔ – PHẦN 1-4: THIẾT BỊ ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – ANTEN VÀ VỊ\r\nTRÍ THỬ NGHIỆM DÙNG ĐỂ ĐO NHIỄU BỨC XẠ

\r\n\r\n

1. Phạm vi áp dụng

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này qui\r\nđịnh các đặc tính và tính năng của thiết bị dùng để đo nhiễu bức xạ trong dải\r\ntần từ 9 kHz đến 18 GHz. Tiêu chuẩn này đề cập đến yêu cầu kỹ thuật đối với\r\nanten và vị trí thử nghiệm.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Theo IEC\r\nGuide 107, tiêu chuẩn này là tiêu chuẩn EMC cơ bản để các ban kỹ thuật sản phẩm\r\ncủa IEC sử dụng. Như được công bố trong Guide 107, các ban kỹ thuật sản phẩm có\r\ntrách nhiệm xác định khả năng ứng dụng của tiêu chuẩn EMC. Ban kỹ thuật CISPR và\r\ncác tiểu ban kỹ thuật của CISPR đã có chương trình phối hợp với các ban kỹ\r\nthuật sản phẩm trong việc đánh giá giá trị của các thử nghiệm EMC riêng rẽ đối\r\nvới các sản phẩm cụ thể.

\r\n\r\n

Yêu cầu của tiêu\r\nchuẩn này phải được tuân thủ ở tất cả các tần số và tất cả các mức nhiễu bức xạ\r\nnằm trong dải chỉ thị CISPR của thiết bị đo.

\r\n\r\n

Phương pháp đo được\r\nnêu trong Phần 2-3, các thông tin khác về nhiễu tần số rađiô được nêu trong\r\nPhần 3 của CISPR 16. Độ không đảm bảo đo, phép thống kê và lập mô hình giới hạn\r\nđược nêu trong Phần 4 của CISPR 16.

\r\n\r\n

2. Tài liệu viện dẫn

\r\n\r\n

Các tài liệu viện dẫn\r\ndưới đây là cần thiết để áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu có ghi\r\nnăm công bố, chỉ áp dụng các bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm\r\ncông bố, áp dụng bản mới nhất (kể cả các sửa đổi).

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-1 (CISPR 16-1-1),\r\nYêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần\r\nsố rađiô – Phần 1-1: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo\r\n

\r\n\r\n

TCVN 6989-1-5:2008\r\n(CISPR 16-1-5:2003), Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo\r\nnhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô\r\n– Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn anten trong dảI tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

TCVN 6989-2-3 (CISPR 16-2-3),\r\nYêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần\r\nsố rađiô – Phần 2-3: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm – Đo nhiễu bức xạ

\r\n\r\n

CISPR 16-3:2003,\r\namendment 1:2005, amendment 2:2006, Specification for radio disturbance and\r\nimmunity measuring apparatus and methods – Part 3: CISPR technical reports (Yêu\r\ncầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số\r\nrađiô – Phần 3: Báo cáo kỹ thuật CISPR)

\r\n\r\n

CISPR 16-4-2, Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2:\r\nUncertainties, statistics and limit modelling –Uncertainty in EMC measurements\r\n(Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần\r\nsố rađiô – Phần 4-2: Độ không

\r\n\r\n

đảm bảo đo, phép\r\nthống kê và lập mô hình giới hạn – Độ không đảm bảo đo đối với phép đo EMC)

\r\n\r\n

IEC 60050-161, International\r\nElectrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic compatibility\r\n(Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Chương 161: Tương thích điện từ)

\r\n\r\n

IEC 61000-4-20, Electromagnetic\r\ncompatibility (EMC) – Part 4-20: Testing and measurement techniques – Emission\r\nand immunity testing in transverse electromagnetic (TEM) waveguides (Tương\r\nthích điện từ (EMC) – Phần 4-20: Kỹ thuật thử nghiệm và đo – Thử nghiệm phát xạ\r\nvà miễn nhiễm trong ống dẫn sóng điện từ ngang (TEM))

\r\n\r\n

3. Thuật ngữ, định\r\nnghĩa và chữ viết tắt

\r\n\r\n

Tiêu chuẩn này áp\r\ndụng các thuật ngữ, định nghĩa và chữ viết tắt dưới đây cùng với TCVN 6989-1-1\r\n(CISPR 16-1-1), TCVN 6989-1-5 (CISPR 16-1-5) và IEC 60050-161.

\r\n\r\n

3.1.\r\nThuật ngữ và định nghĩa

\r\n\r\n

3.1.1. Anten (antenna)

\r\n\r\n

Một phần của hệ thống\r\nphát hoặc thu được thiết kế để bức xạ hoặc thu sóng điện từ theo cách qui định.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Trong\r\ntiêu chuẩn này, bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng là một phần của anten.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Thuật\r\nngữ này đề cập đến các thiết bị khác nhau như anten dây, lưỡng cực cộng hưởng\r\ntrong không gian tự do, anten lai và anten loa.

\r\n\r\n

3.1.2. Bộ biến đổi\r\ncân bằng-không cân bằng (balun)

\r\n\r\n

Mạng điện thụ động để\r\nchuyển đổi đường truyền hoặc thiết bị truyền từ cân bằng sang không cân bằng\r\nhoặc ngược lại.

\r\n\r\n

3.1.3. Vị trí thử nghiệm\r\nhiệu chuẩn\r\n(calibration test site)

\r\n\r\n

CALTS

\r\n\r\n

Vị trí thử nghiệm\r\nthoáng có mặt phẳng nền là kim loại và có đặc tính suy giảm vị trí được qui\r\nđịnh chặt chẽ theo phân cực trường điện ngang và thẳng đứng.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: CALTS\r\nđược dùng để xác định hệ số anten trong không gian tự do của một anten.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Phép đo\r\nsuy giảm vị trí của CALTS được dùng để so sánh với các phép đo suy giảm vị trí\r\ntương ứng của vị trí thử nghiệm sự phù hợp, để đánh giá tính năng của vị trí\r\nthử nghiệm sự phù hợp.

\r\n\r\n

3.1.4. Thiết bị hấp\r\nthụ phương thức chung\r\n(common mode absorption device)

\r\n\r\n

CMAD

\r\n\r\n

Thiết bị, có thể được\r\nđặt vào phần cáp bên ngoài thể tích thử nghiệm trong phép đo phát bức xạ để giảm\r\nđộ không đảm bảo đo phù hợp.

\r\n\r\n

3.1.5. Vị trí thử nghiệm\r\nsự phù hợp\r\n(compliance test site)

\r\n\r\n

COMTS

\r\n\r\n

Môi trường đảm bảo các\r\nkết quả đo có hiệu lực, có khả năng tái lặp kết quả đo cường độ trường nhiễu\r\ngây ra từ thiết bị cần thử nghiệm để so sánh với giới hạn sự phù hợp.

\r\n\r\n

3.1.6. Đáp tuyến phân\r\ncực chéo\r\n(cross-polar response)

\r\n\r\n

Biện pháp loại bỏ bằng\r\nanten của trường phân cực chéo khi anten này quay trong trường điện từ phân cực\r\ntuyến tính, đồng nhất về pha và biên độ qua khẩu độ của anten cần thử nghiệm.

\r\n\r\n

3.1.7. Phòng hấp thụ hoàn\r\ntoàn\r\n(fully anechoic room)

\r\n\r\n

FAR

\r\n\r\n

Phòng hình hộp có chống\r\nnhiễu, các bề mặt bên trong của phòng được lót vật liệu hấp thụ năng lượng tần\r\nsố rađiô (tức là chất hấp thụ RF) để hấp thụ năng lượng điện từ trong dải tần\r\ncần xét.

\r\n\r\n

3.1.8. Lưỡng cực cộng\r\nhưởng trong không gian tự do (free-space-resonant dipole)

\r\n\r\n

Anten dây gồm hai dây\r\ndẫn thẳng đặt thẳng hàng có chiều dài bằng nhau, đặt đối đầu nhau, cách nhau\r\nmột khe hở nhỏ, mỗi dây dài khoảng một phần tư chiều dài bước sóng sao cho ở\r\ntần số qui định, trở kháng vào của anten dây đo được trên khe hở là thuần trở\r\nkhi lưỡng cực này được đặt trong không gian tự do.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Trong tiêu\r\nchuẩn này, anten dây nối với bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng còn được gọi\r\nlà “anten thử nghiệm”.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Anten\r\ndây này còn được gọi là “lưỡng cực điều hưởng”.

\r\n\r\n

3.1.9. Anten lai (hybrid antenna)

\r\n\r\n

Anten giàn lưỡng cực\r\ntheo chu kỳ loga kiểu phần tử dây (LPDA) quy ước với các thanh giằng được kéo\r\ndài ở cuối mạch hở để bổ sung một lưỡng cực dải rộng (ví dụ, hình nón kép hoặc\r\nhình nơ) sao cho bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng vô hạn (thanh giằng) của LPDA\r\nhoạt động như một nguồn điện áp đối với lưỡng cực dải rộng.

\r\n\r\n

Thông thường, cuộn cản\r\nphương thức chung được sử dụng ở cuối cần này để giảm thiểu dòng điện RF tạp\r\ntán (không mong muốn) trên dây phía ngoài của cáp đồng trục chạy vào máy thu.

\r\n\r\n

3.1.10. Tổn hao xen (insertion loss)

\r\n\r\n

Tổn hao do đặt thiết\r\nbị vào đường truyền, được thể hiện bằng tỷ số của điện áp ở ngay trước và sau điểm\r\nđặt thiết bị cần thử nghiệm, trước và sau khi xen vào. Tổn hao này là nghịch\r\nđảo của tham số truyền S, |1/S21|.

\r\n\r\n

3.1.11. Anten có độ\r\nkhông đảm bảo đo thấp\r\n(low uncertainty antenna)

\r\n\r\n

Anten hình nón kép\r\nbền vững hoặc anten LPDA, đáp ứng các yêu cầu về đặc tính cân bằng và đặc tính\r\nphân cực chéo của tiêu chuẩn này và có hệ số anten có độ không đảm bảo đo nhỏ hơn\r\n±0,5 dB, dùng để đo\r\ncường độ trường E tại điểm xác định trong không gian.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Anten này\r\nđược mô tả thêm ở A.2.3.

\r\n\r\n

3.1.12. Vị trí thử nghiệm\r\nkhông gian gần như tự do (quasi-free space test-site)

\r\n\r\n

Phương tiện dùng để\r\nđo phát bức xạ hoặc hiệu chuẩn anten, được thiết kế để đạt được điều kiện không\r\ngian tự do.

\r\n\r\n

Các phản xạ không mong\r\nmuốn từ môi trường xung quanh được giữ ở mức nhỏ nhất để thỏa mãn tiêu chí chấp\r\nnhận được về vị trí, áp dụng cho phép đo phát bức xạ hoặc qui trình hiệu chuẩn\r\nanten cần xét.

\r\n\r\n

3.1.13. Hệ số phản xạ (reflection coefficient)

\r\n\r\n

Tỷ số giữa đại lượng\r\nchung của sóng phản xạ và sóng tới.

\r\n\r\n

Do đó, hệ số phản xạ\r\nđiện áp được xác định là tỷ số giữa điện áp phức của sóng phản xạ và điện áp\r\nphức của sóng tới. Hệ số phản xạ điện áp bằng tham số tán xạ S11.

\r\n\r\n

3.1.14. Tham số tán\r\nxạ (tham số S)\r\n(scattering coefficient (S-parameters))

\r\n\r\n

Tập hợp bốn tham số\r\nđược dùng để mô tả đặc tính của mạng hai cổng được đưa vào đường truyền.

\r\n\r\n

3.1.15. Phòng bán hấp\r\nthụ (semi-anechoic\r\nchamber)

\r\n\r\n

SAC

\r\n\r\n

Phòng hình hộp có chống\r\nnhiễu, trong đó năm trong số sáu bề mặt bên trong được lót vật liệu hấp thụ\r\nnăng lượng tần số rađiô (tức là lớp hấp thụ RF), hấp thụ năng lượng điện từ\r\ntrong dải tần cần xét còn mặt đáy nằm ngang là mặt phẳng nền dẫn để sử dụng với\r\nbố trí thử nghiệm OATS.

\r\n\r\n

3.1.16. Phương pháp\r\nhiệu chuẩn ngắn mạch-hở mạch-tải-truyền qua (short-open-load-through calibration\r\nmethod)

\r\n\r\n

SOLT

\r\n\r\n

Phương pháp hiệu chuẩn\r\ntruyền qua-hở mạch-ngắn mạch-phối hợp (through-open-short-match calibration method)

\r\n\r\n

TOSM

\r\n\r\n

Phương pháp hiệu\r\nchuẩn dùng cho bộ phân tích mạng vectơ bằng cách sử dụng ba chuẩn trở kháng đã biết\r\nlà ngắn mạch, hở mạch và phối hợp/tải, và một chuẩn truyền duy nhất là truyền\r\nqua.

\r\n\r\n

Phương pháp SOLT được\r\nsử dụng rộng rãi và bộ hiệu chuẩn cần thiết có các thành phần trở kháng đặc\r\ntính 50 W là sẵn có. Mô hình\r\nsai số hai cổng đầy đủ bao gồm sáu hạng mục sai số cho từng chiều thuận và\r\nngược trong phạm vi tổng của 12 hạng mục sai số riêng rẽ và cần có 12 phép đo\r\nchuẩn để thực hiện hiệu chuẩn.

\r\n\r\n

3.1.17

\r\n\r\n

Suy giảm vị trí (site attenuation)

\r\n\r\n

Tổn hao nhỏ nhất do\r\nlắp xen vào vị trí đo được giữa hai anten phân cực phối hợp đặt ở vị trí thử\r\nnghiệm khi một anten di chuyển theo chiều thẳng đứng trong dải độ cao qui định\r\nvà anten còn lại được đặt ở độ cao cố định.

\r\n\r\n

3.1.18. Tổn hao do\r\nxen vào vị trí\r\n(site insertion loss)

\r\n\r\n

Tổn hao giữa một cặp\r\nanten được đặt ở các vị trí qui định trong vị trí thử nghiệm khi mối nối điện\r\ntrực tiếp giữa đầu ra máy phát và đầu vào máy thu được thay bằng anten phát và\r\nanten thu đặt ở các vị trí qui định đó.

\r\n\r\n

3.1.19. Thể tích thử nghiệm (test volume)

\r\n\r\n

Thể tích trong phòng hấp\r\nthụ hoàn toàn có đặt EUT.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Trong thể\r\ntích này, điều kiện về không gian gần như tự do được đáp ứng và thể tích này\r\nthường cách vật liệu hấp thụ của phòng hấp thụ hoàn toàn không nhỏ hơn 0,5 m.

\r\n\r\n

3.1.20. Hiệu chuẩn\r\ntruyền qua-phản xạ-đường dây (TRL) (through-reflect-line (TRL) calibration)

\r\n\r\n

Phương pháp hiệu\r\nchuẩn dùng cho bộ phân tích mạng vectơ sử dụng ba chuẩn trở kháng: “truyền\r\nqua”, “phản xạ” và “đường dây” để hiệu chuẩn bên trong hoặc bên ngoài VNA.

\r\n\r\n

Cần bốn phép đo chuẩn\r\ncho phương pháp hiệu chuẩn này.

\r\n\r\n

3.1.21. Bộ phân tích\r\nmạng vectơ\r\n(vector network analyser)

\r\n\r\n

VNA

\r\n\r\n

Bộ phân tích mạng có\r\nthể đo các giá trị phức của bốn tham số S: S₁₁, S₁₂, S₂₁,\r\nS₂₂.

\r\n\r\n

3.2.\r\nChữ viết tắt

\r\n\r\n

EUT Thiết bị cần thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

FSOATS OATS không\r\ngian tự do

\r\n\r\n

LAS Hệ thống anten\r\nvòng

\r\n\r\n

LLA Anten vòng lớn

\r\n\r\n

LPDA Giàn lưỡng cực\r\ntheo chu kỳ loga

\r\n\r\n

NSA Suy giảm vị trí\r\nchuẩn

\r\n\r\n

OATS Vị trí thử\r\nnghiệm thoáng

\r\n\r\n

SA Suy giảm vị trí

\r\n\r\n

SAC Phòng bán hấp thụ

\r\n\r\n

S_VSWR Tỷ\r\nsố điện áp sóng đứng vị trí

\r\n\r\n

VSWR Tỷ số điện áp\r\nsóng đứng

\r\n\r\n

4. Anten để đo nhiễu\r\nbức xạ tần số rađiô

\r\n\r\n

4.1.\r\nYêu cầu chung

\r\n\r\n

Phải sử dụng loại\r\nanten dùng để đo phát bức xạ, đã được hiệu chuẩn, để đo cường độ trường, có tính\r\nđến giản đồ bức xạ và ghép nối tương hỗ với môi trường xung quanh của chúng.\r\nAnten và các mạch xen giữa anten và máy thu đo không được có ảnh hưởng đáng kể\r\nđến đặc tính tổng thể của máy thu đo. Khi anten được nối đến máy thu đo, hệ\r\nthống đo phải phù hợp với các yêu cầu về độ rộng băng tần ở TCVN 6989-1-1\r\n(CISRP 16-1-1) ứng với băng tần cần xét.

\r\n\r\n

Anten phải có phân\r\ncực tuyến tính. Anten phải có khả năng định hướng sao cho có thể đo được tất cả\r\ncác phân cực của bức xạ tới. Độ cao của đường tâm anten so với mặt đất hoặc so\r\nvới lớp hấp thụ trong phòng hấp thụ hoàn toàn có thể cần được điều chỉnh theo qui\r\ntrình thử nghiệm cụ thể.

\r\n\r\n

Độ chính xác của phép\r\nđo cường độ trường của trường đồng nhất của tín hiệu sóng sin phải tốt hơn ±3 dB khi sử dụng anten thỏa mãn các\r\nyêu cầu của điều này cùng với máy thu đo thỏa mãn yêu cầu của TCVN 6989-1-1\r\n(CISRP 16-1-1).

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Yêu cầu\r\nnày không tính đến ảnh hưởng do vị trí thử nghiệm.

\r\n\r\n

Thông tin thêm về\r\ntham số của anten dải rộng xem ở Phụ lục A.

\r\n\r\n

4.2.\r\nTham số vật lý để đo phát bức xạ

\r\n\r\n

Tham số vật lý để đo\r\nphát bức xạ được thực hiện dựa trên giới hạn phát xạ, được tính bằng vôn trên\r\nmét, là cường độ trường E đo tại điểm xác định trong không gian ứng với vị trí của\r\nthiết bị cần thử nghiệm (EUT). Cụ thể hơn, đối với phép đo trong dải tần từ 30\r\nMHz đến 1 000 MHz trong OATS hoặc SAC, đại lượng đo là cường độ trường lớn nhất\r\nlà hàm của phân cực ngang và phân cực thẳng đứng và ở các độ cao từ 1 m đến 4 m\r\nvà ở khoảng cách theo phương ngang cách EUT 10 m, trong khi EUT quay trên tất\r\ncả các góc trong mặt phẳng phương vị.

\r\n\r\n

4.3\r\nDải tần từ 9 kHz đến 150 kHz

\r\n\r\n

4.3.1 Vấn đề chung

\r\n\r\n

Kinh nghiệm cho thấy\r\nrằng, trong dải tần này, thành phần trường từ là thành phần chủ yếu trong các\r\ntrường hợp gây nhiễu quan sát được.

\r\n\r\n

4.3.2 Anten từ

\r\n\r\n

Đối với phép đo thành\r\nphần từ của bức xạ, có thể sử dụng anten vòng có che chắn về điện có kích thước\r\nsao cho có thể phủ hoàn toàn anten bằng một hình vuông có cạnh 60 cm, hoặc\r\nanten thanh-ferrit thích hợp.

\r\n\r\n

Đơn vị của cường độ\r\ntừ trường là mA/m . Theo đơn vị logarit,\r\nH được tính bằng dB(mA/m) hoặc 20 lần loga\r\ncủa mức cường độ trường đo được. Giới hạn phát xạ kết hợp phải được biểu thị\r\ntheo cùng đơn vị.

\r\n\r\n

Chú thích: Phép đo\r\ntrực tiếp có thể thực hiện với cường độ của thành phần từ, tính bằng dB(mA/m) hoặc mA/m của trường phát xạ ở mọi điều\r\nkiện, nghĩa là ở cả trường gần và trường xa. Tuy nhiên, nhiều máy thu đo cường\r\nđộ trường được hiệu chuẩn theo cường độ điện trường sóng phẳng tương đương tính\r\nbằng dB(mV), nghĩa là, giả\r\nthiết rằng tỷ số giữa thành phần E và thành phần H là 120 pW tức là 377 W.\r\nTính H như sau:

\r\n\r\n

H\r\n= (1)

\r\n\r\n

trong đó H thường\r\ntính bằng mA/m và E tính bằng mV/m.

\r\n\r\n

Đối với phép đo tính\r\nbằng dB:

\r\n\r\n

H\r\n= E – 51,5 (2)

\r\n\r\n

trong đó H tính bằng dB(mA/m) và E tính bằng dB(mV/m).

\r\n\r\n

Trở kháng dùng trong phép\r\nchuyển đổi trên, Z = 377 W, với 20 log Z = 51,5\r\ndB(W), là một hằng số bắt\r\nnguồn từ việc hiệu chuẩn thiết bị đo cường độ trường dùng để chỉ thị từ trường\r\ntính bằng mV/m [hoặc dB(mV/m)].

\r\n\r\n

4.3.3. Che chắn anten\r\nvòng

\r\n\r\n

Che chắn không thích hợp\r\nanten vòng có thể xảy ra trong đáp tuyến trường E. Khả năng phân biệt trường E\r\ncủa anten phải được đánh giá bằng cách quay anten trong trường đồng nhất sao\r\ncho mặt phẳng của anten vòng luôn song song với vectơ trường E. Khi mặt phẳng\r\ncủa anten vòng vuông góc với từ thông, quay anten để mặt phẳng của nó song song\r\nvới từ thông, đáp tuyến đo được sẽ giảm ít nhất là 20 dB.

\r\n\r\n

4.4.\r\nDải tần từ 150 kHz đến 30 MHz

\r\n\r\n

4.4.1. Anten điện

\r\n\r\n

Để đo thành phần điện\r\ncủa bức xạ, có thể sử dụng anten cân bằng hoặc không cân bằng. Nếu dùng anten\r\nkhông cân bằng, phép đo chỉ xét đến ảnh hưởng của trường điện lên anten đơn cực\r\n(thanh). Loại anten sử dụng phải được nêu cùng với kết quả của phép đo.

\r\n\r\n

Thông tin liên quan đến\r\ntính toán các đặc tính về tính năng của anten đơn cực (thanh) và đặc tính của\r\nmạng phối hợp của anten được qui định trong Phụ lục B. Phụ lục B chỉ ra rằng hệ\r\nsố anten rút ra từ phương pháp thay thế tụ điện tương đương (ECSM) có độ không đảm\r\nbảo đo lớn hơn đối với các đơn cực có chiều dài lớn hơn 1/8 bước sóng.

\r\n\r\n

4.4.2. Anten từ

\r\n\r\n

Để đo thành phần từ\r\ncủa bức xạ, phải sử dụng anten vòng có che chắn về điện như mô tả trong 4.3.2.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Có thể sử dụng\r\nanten vòng cân bằng về điện có điều hưởng để thực hiện các phép đo cường độ\r\ntrường từ có độ lớn vào khoảng -51,5 dB(mA/m)\r\nbằng cách sử dụng tách sóng QP trong dải tần từ 1,6 MHz đến 30 MHz, tức là thấp\r\nhơn so với khi sử dụng anten vòng có che chắn về điện không điều hưởng khi mức tạp\r\ncao hơn xấp xỉ 25 dB.

\r\n\r\n

4.4.3. Đặc tính cân\r\nbằng/chéo của anten

\r\n\r\n

Nếu sử dụng anten\r\ntrường điện cân bằng thì anten phải phù hợp với yêu cầu ở 4.5.4. Nếu sử dụng nten\r\ntrường từ cân bằng thì anten phải phù hợp với yêu cầu ở 4.3.3.

\r\n\r\n

4.5.\r\nDải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

4.5.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Trong dải tần này,\r\ncác phép đo là đo trường E do đó không tính đến anten trường từ. Anten phải là\r\nloại anten lưỡng cực được thiết kế để đo trường E và phải sử dụng hệ số anten\r\ntrong không gian tự do. Loại anten này bao gồm:

\r\n\r\n

a) anten lưỡng cực có\r\nđiều hưởng có các cặp phần tử là dạng thanh thẳng hoặc dạng nón;

\r\n\r\n

b) giàn lưỡng cực như\r\nanten giàn lưỡng cực theo chu kỳ loga (LPDA) gồm một dãy các bộ phần tử thanh\r\nthẳng xếp lệch nhau;

\r\n\r\n

c) và anten lai.

\r\n\r\n

4.5.2. Sử dụng anten\r\ncó độ không đảm bảo đo thấp khi được cho là không phù hợp với giới hạn trường E

\r\n\r\n

Để có độ không đảm\r\nbảo đo thấp hơn, giá trị của cường độ trường E được ưu tiên đo bằng anten hình\r\nnón kép điển hình hoặc anten LPDA hơn là đo bằng anten lai. Anten hình nón kép\r\nđiển hình và anten LPDA được xác định ở Phụ lục A và chỉ sử dụng anten đã hiệu\r\nchuẩn.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Có thể\r\ncải thiện độ không đảm bảo đo bằng cách sử dụng anten hình nón kép trong dải tần\r\ntừ 30 MHz đến 250 MHz và anten LPDA trong dải tần từ 250 MHz đến 1 GHz. Một\r\ncách khác, có thể sử dụng tần số chuyển giao là 200 MHz nhưng độ không đảm bảo đo\r\ndo biến động tâm pha của LPDA sẽ cao hơn và phải được đưa vào báo cáo độ không đảm\r\nbảo đo phát bức xạ.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Độ không\r\nđảm bảo đo về phát bức xạ từ EUT phụ thuộc vào nhiều yếu tố gây ảnh hưởng khác\r\nnhau như chất lượng của vị trí, thử nghiệm độ không đảm bảo đo của hệ số anten,\r\nloại anten và đặc tính của máy thu đo. Lý do để xác định anten có độ không đảm\r\nbảo đo thấp là để giới hạn các ảnh hưởng khác của anten lên độ không đảm bảo đo\r\nnhư ảnh hưởng do ghép nối tương hỗ với mặt phẳng nền, giản đồ bức xạ liên quan đến\r\nquét theo độ cao và vị trí tâm pha thay đổi. Việc kiểm tra xác nhận tác động\r\ncủa các ảnh hưởng này là so sánh các số đọc của hai anten ở tần số chuyển giao\r\nđược chọn, mà cần đưa ra giá trị của cường độ trường E như nhau trong phạm vi ±1 dB.

\r\n\r\n

4.5.3. Đặc tính của\r\nanten

\r\n\r\n

Vì ở các tần số trong\r\ndải từ 300 MHz đến 1 000 MHz, độ nhạy của anten lưỡng cực đơn giản là thấp nên\r\ncó thể sử dụng anten phức tạp hơn. Anten này phải có đặc tính sau.

\r\n\r\n

a) Anten phải phân\r\ncực tuyến tính, anten này phải được đánh giá bằng cách áp dụng qui trình thử\r\nnghiệm phân cực chéo ở 4.5.5.

\r\n\r\n

b) Anten lưỡng cực\r\ncân bằng, như anten lưỡng cực có điều hưởng và anten hình nón kép, phải có tính\r\nnăng của bộ biến đổi cân bằng/không cân bằng đã được kiểm tra hiệu lực, điều\r\nnày phải được đánh giá bằng cách áp dụng qui trình thử nghiệm cân bằng ở 4.5.4.\r\nĐiều này cũng áp dụng cho anten lai dưới 200 MHz.

\r\n\r\n

c) Vị trí thử nghiệm\r\ncó mặt phẳng nền dẫn được giả định. Biên độ của tín hiệu thu được sẽ giảm nếu\r\nmột trong hai hoặc cả hai tín hiệu trực tiếp và tín hiệu phản xạ với đất từ EUT\r\nđến anten không đi vào búp chính của giản đồ phát xạ của anten tại đỉnh của nó.\r\nĐỉnh này thường theo hướng ngắm của anten.

\r\n\r\n

Độ giảm biên độ được\r\nlấy làm sai số trong phát bức xạ, từ đó dung sai của độ không đảm bảo đo được\r\ndựa vào độ rộng búp sóng, 2j\r\n(xem Hình 1).

\r\n\r\n

Điều kiện để đảm bảo rằng\r\nsai số này không lớn hơn +1 dB được nêu trong điểm 1) dưới đây với vị trí thử\r\nnghiệm 10 m và điểm 2) với vị trí thử nghiệm 3 m. Một cách khác, điều kiện dựa vào\r\nđộ lợi của anten được nêu trong điểm 3) để bỏ qua các điều kiện phức tạp về\r\ngiản đồ bức xạ.

\r\n\r\n

Phép đo phát xạ được\r\nthực hiện với anten phân cực ngang và phân cực thẳng đứng. Nếu anten được chọn để\r\nđo giản đồ bức xạ chỉ trong một mặt phẳng thì phải sử dụng các dạng hẹp hơn như\r\nsau: giản đồ của anten phải được kiểm tra xác nhận trong mặt phẳng nằm ngang\r\ntrong khi anten có hướng để có phân cực ngang.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Các đại\r\nlượng được xác định ở công thức (4).

\r\n\r\n

Hình\r\n1 – Giản đồ bức xạ từ EUT đến anten LPDA trực tiếp và thông qua các phản xạ với\r\nđất trên vị trí thử nghiệm 3 m, thể hiện một nửa độ rộng búp sóng, j, ở tia phản xạ

\r\n\r\n

1) Đối với OATS hoặc\r\nSAC 10 m, đáp tuyến anten theo hướng của tia tới không khác đáng kể so với biên\r\nđộ ngắm khi anten được bố trí để hướng ngắm của nó song song với mặt phẳng nền.\r\nThành phần có tính hướng của độ không đảm bảo đo trong phép đo phát xạ có thể\r\nduy trì nhỏ hơn +1 dB nếu đáp tuyến anten theo hướng của tia phản xạ thấp hơn\r\nkhông quá 2 dB so với đáp tuyến ngắm của anten. Để đảm bảo điều kiện này, độ\r\nrộng búp sóng thẳng đứng tổng 2j\r\ncủa anten đo, tại đó anten có độ lợi nằm trong phạm vi 2 dB so với giá trị lớn\r\nnhất của nó, phải sao cho:

\r\n\r\n

j > tan^-1\r\n (3)

\r\n\r\n

2) Đối với các vị trí\r\ncách nhau dưới 10 m, thường là 3 m, độ rộng búp sóng thẳng đứng tổng 2j của anten đo, tại đó anten có độ lợi\r\nnằm trong phạm vi 1 dB so với giá trị lớn nhất của nó, phải sao cho:

\r\n\r\n

2j > (tan^-1 ) - (tan^-1 ) (4)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

h₁ là độ\r\ncao của thiết bị cần thử nghiệm;

\r\n\r\n

h₂ là độ\r\ncao của anten đo;

\r\n\r\n

d là khoảng cách theo\r\nchiều ngang giữa tâm pha của anten đo và thiết bị cần thử nghiệm.

\r\n\r\n

Nếu không sử dụng anten\r\ndốc xuống được để giảm độ không đảm bảo đo kết hợp thì độ giảm tín hiệu thu\r\nđược phải được tính từ các giản đồ bức xạ và được áp dụng như độ hiệu chỉnh\r\nhoặc độ không đảm bảo đo có tính hướng. Ví dụ về quỹ độ không đảm bảo đo được\r\nnêu trong CISPR 16-4-2.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Giả\r\nthiết là giản đồ bức xạ trường E được chuẩn hóa về 1 trên đường ngắm (= đỉnh\r\ncủa búp chính) ghi lại số đọc trường E ở các góc nghiêng từ anten đối với tia\r\ntới là E_D và tia phản xạ là E_R. Sai số, so sánh với độ\r\nlớn trường E bằng 1 đối với từng tia tới và tia phản xạ, được tính bằng đềxiben\r\nbởi công thức: 20log [2/(E_D+E_R)].

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Việc\r\ngiảm cường độ tín hiệu do giảm tính hướng tại các góc cách xa hướng ngắm anten\r\nlà sai số có tính hệ thống, do đó có thể hiệu chỉnh. Nếu áp dụng hiệu chỉnh\r\nxuất phát từ hiểu biết về các giản đồ bức xạ ở từng tần số và sự phân cực thì\r\nđộ không đảm bảo đo trong cường độ tín hiệu phát xạ có thể giảm tương ứng.

\r\n\r\n

3) Đối với loại anten\r\nđộ rộng búp sóng rộng, được dùng để thử nghiệm phát bức xạ như anten hình nón\r\nkép, anten LPDA và anten lai, độ rộng búp sóng tỉ lệ nghịch với tính hướng của anten.\r\nMột cách khác thay cho tiêu chí dựa trên độ rộng búp sóng ở 1) và 2) ở trên, là\r\nqui định độ lợi lớn nhất của anten và dựa vào dung sai của độ không đảm bảo đo chung\r\nđối với thành phần có tính hướng trong quỹ độ không đảm bảo đo đối với thử\r\nnghiệm phát xạ. Các độ không đảm bảo đo chung, dựa trên độ rộng búp sóng hẹp\r\nnhất trong dải tần sử dụng cho anten đã cho, được nêu trong CISPR 16-4-2. Độ\r\nlợi lớn nhất của anten đẳng hướng đối với anten hình nón kép phải là 2 dB, và\r\nphải là 8 dB đối với anten giàn lưỡng cực theo chu kỳ loga (LPDA) và anten lai.\r\nĐối với anten LPDA loại V có độ rộng búp sóng theo mặt phẳng H bằng với độ rộng\r\nbúp sóng theo mặt phẳng E, độ lợi đẳng hướng cho phép lớn nhất phải là 9 dB.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 3: Độ không\r\nđảm bảo đo có tính hướng nêu trong CISPR 16-4-2 có thể được sử dụng trong phạm\r\nvi cách nhau là 10 m nhưng độ không đảm bảo đo đã soát xét lại là cần thiết cho\r\nkhoảng cách 3 m.

\r\n\r\n

d) Tổn hao đường về\r\ncủa anten có nối với fiđơ của anten không được nhỏ hơn 10 dB. Bộ suy giảm phối\r\nhợp có thể là một phần của fiđơ dùng cho anten nếu cần thiết để đáp ứng yêu cầu\r\nnày.

\r\n\r\n

e) Hệ số hiệu chuẩn\r\nphải được đưa ra để thoả mãn các yêu cầu ở 4.1.

\r\n\r\n

4.5.4. Cân bằng anten

\r\n\r\n

4.5.4.1. Vấn đề chung

\r\n\r\n

Trong phép đo phát\r\nbức xạ, dòng điện phương thức chung (CM) có thể xuất hiện trên cáp gắn với\r\nanten thu (cáp anten). Dòng điện CM này lại tạo ra trường điện từ, có thể được\r\nthu bởi anten thu. Do đó, các kết quả đo phát bức xạ có thể bị ảnh hưởng.

\r\n\r\n

Sự đóng góp chủ yếu\r\nvào dòng điện CM của cáp anten xuất phát từ:

\r\n\r\n

a) trường điện phát\r\nra từ EUT, nếu trường điện này có thành phần song song với cáp anten, và

\r\n\r\n

b) sự chuyển đổi tín\r\nhiệu anten (tín hiệu mong muốn) phương thức vi sai (DM) thành tín hiệu CM do sự\r\nkhông hoàn hảo của bộ chuyển đổi cân bằng/không cân bằng của anten thu.

\r\n\r\n

Nói chung, anten giàn\r\nlưỡng cực theo chu kỳ loga không thể hiện sự chuyển đổi DM/CM đáng kể và áp\r\ndụng kiểm tra dưới đây cho các lưỡng cực, anten hình nón kép và anten lai.

\r\n\r\n

4.5.4.2. Kiểm tra\r\nviệc chuyển đổi DM/CM của bộ biến đổi cân bằng/không cân bằng

\r\n\r\n

Phương pháp dưới đây\r\nmô tả phép đo hai điện áp, U₁ và U₂, trong dải tần sử\r\ndụng anten thu. Tỷ số của các điện áp này, biểu thị bằng cùng một đơn vị (ví dụ\r\ndBmV), là thước đo việc\r\nchuyển đổi DM/CM.

\r\n\r\n

a) Đặt anten thu cần\r\nthử nghiệm để có phân cực thẳng đứng có tâm ở độ cao 1,5 m phía trên mặt phẳng\r\nnền. Rút một đoạn cáp anten có chiều dài 1,5 m ± 0,1 m sau phần tử chủ động nằm phía sau của anten thu ở\r\nđộ cao 1,5 m phía trên mặt phẳng nền rồi sau đó thả rơi theo chiều thẳng đứng\r\nxuống mặt phẳng nền.

\r\n\r\n

b) Đặt anten thứ hai\r\n(anten phát) để có phân cực thẳng đứng cách tâm của anten cần thử nghiệm một\r\nkhoảng 10 m theo chiều ngang. Anten được đặt sao cho đầu của phần tử chủ động\r\nlớn nhất của nó ở độ cao 0,10 m phía trên mặt phẳng nền. Nếu phạm vi vị trí\r\nđược sử dụng để thử nghiệm phát xạ là 3 m thì thực hiện việc kiểm tra này với\r\nkhoảng cách bằng 3 m (nếu việc kiểm tra chuyển đổi đã được thực hiện ở khoảng\r\ncách 10 m và cho thấy chênh lệch giữa U₁ và U₂ nhỏ hơn ±0,5 dB thì không nhất thiết phải thực\r\nhiện phép đo riêng rẽ ở 3 m). Yêu cầu kỹ thuật về anten phát phải bao trùm dải\r\ntần của anten cần thử nghiệm.

\r\n\r\n

c) Nối anten phát với\r\nnguồn tín hiệu, ví dụ, bộ phát sóng quét, đặt mức của bộ phát này sao cho trong\r\ndải tần cần xét, tạp tín hiệu-môi trường ở máy thu lớn hơn 10 dB.

\r\n\r\n

d) Ghi lại điện áp U₁\r\nở máy thu trong dải tần cần xét.

\r\n\r\n

e) Đảo anten thu\r\n(quay anten một góc 180^o) mà không thay đổi bất kỳ điều gì khác\r\ntrong việc bố trí, đặc biệt là cáp anten thu, và không thay đổi chế độ đặt của\r\nnguồn tín hiệu.

\r\n\r\n

f) Ghi lại điện áp U₂\r\nở máy thu trong dải tần cần xét.

\r\n\r\n

g) Việc chuyển đổi\r\nDM/CM là đủ thấp nếu 20log(U₁/U₂) < 1 dB.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Nếu\r\nkhông đáp ứng tiêu chí chuyển đổi DM/CM thì có thể dùng xuyến ferit bao quanh\r\ncáp anten để giảm việc chuyển đổi DM/CM. Việc thêm xuyến ferit vào cáp anten\r\ncũng có thể được dùng để kiểm tra sự góp vào theo điểm a) của 4.5.4.1 có ảnh hưởng\r\nđáng kể hay không. Lặp lại thử nghiệm với bốn xuyến ferit cách nhau khoảng 20\r\ncm. Nếu tiêu chí này được đáp ứng do các xuyến này thì cần sử dụng chúng vào\r\nphép đo phát xạ thực tế. Tương tự như vậy, sự tương tác với cáp cũng có thể\r\ngiảm bằng cách kéo dài cáp vài mét phía sau anten trước khi thả rơi xuống đất.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Nếu cần\r\nsử dụng anten thu trong phòng hấp thụ hoàn toàn thì có thể thực hiện việc kiểm\r\ntra DM/CM trong phòng đó với anten thu ở vị trí bình thường và anten phát đặt ở\r\ntâm của thể tích thử nghiệm của phòng đó. Phòng này phải phù hợp với tiêu chí ±4 dB.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 3: Vị trí\r\nđo mà mặt phẳng nền tạo thành một phần của nó hoặc phòng hấp thụ hoàn toàn cần\r\nphù hợp với các yêu cầu về NSA (suy giảm vị trí chuẩn) tương ứng.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 4: Cần duy\r\ntrì khoảng cách tối thiểu theo chiều ngang là 1,5 m trên đó cáp anten chạy nằm ngang\r\nphía sau tâm của anten trong phép đo phát bức xạ phân cực thẳng đứng thực tế.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 5: Không nhất\r\nthiết phải xác định bố trí thử nghiệm một cách khắt khe vì ảnh hưởng do bố trí thử\r\nnghiệm chịu sự chi phối của tương tác giữa anten và phần cáp đầu vào nằm song song\r\nvới các phần tử anten. Có ảnh hưởng nhỏ hơn nhiều phụ thuộc vào sự đồng nhất\r\ncủa trường tới tác động lên anten thu trong các bố trí EMC bình thường trong\r\nOATS hoặc trong phòng hấp thụ hoàn toàn.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 6: Đối với bộ\r\nchuyển đổi cân bằng/không cân bằng có bộ nối cáp thu lắp về một phía (90^o\r\nso với cần anten), cần sử dụng bộ nối vuông góc để giảm việc xê dịch cáp.

\r\n\r\n

4.5.5. Đáp tuyến phân\r\ncực chéo của anten

\r\n\r\n

Khi anten được đặt trong\r\ntrường điện từ phân cực phẳng, điện áp đầu nối khi anten và trường là phân cực\r\nchéo phải thấp hơn ít nhất là 20 dB so với điện áp đầu nối khi chúng đồng cực.

\r\n\r\n

Thử nghiệm được dự\r\nkiến áp dụng cho anten giàn lưỡng cực theo chu kỳ loga (LPDA) trong đó hai nửa\r\ncủa từng lưỡng cực được xếp theo hình bậc thang. ở đây trình bày phương pháp\r\nthử nghiệm để xác định yêu cầu này đối với các anten LPDA. Đa số các thử nghiệm\r\nvới anten này là thử nghiệm ở tần số trên 200 MHz nhưng yêu cầu áp dụng cho toàn\r\nbộ dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz. Thử nghiệm này không thích hợp cho anten\r\nlưỡng cực và anten hình nón kép thẳng hàng vì độ loại bỏ phân cực chéo lớn hơn\r\n20 dB là bản chất của thiết kế đối xứng của các anten này. Các anten này và\r\nanten loa phải có độ loại bỏ phân cực chéo lớn hơn 20 dB và thử nghiệm điển\r\nhình do nhà chế tạo thực hiện cần khẳng định điều này.

\r\n\r\n

Để đạt được các điều\r\nkiện không gian gần như tự do, có thể sử dụng phòng không vang chất lượng cao\r\nhoặc các tháp có đủ độ cao so với mặt đất ở ngoài trời. Để giảm thiểu các phản xạ\r\nmặt đất, đặt anten phân cực thẳng đứng. Sóng phẳng phải được bố trí tại anten\r\ncần thử nghiệm. Khoảng cách giữa tâm của anten cần thử nghiệm và anten nguồn\r\nphải lớn hơn một bước sóng.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Vị trí thử\r\nnghiệm có chất lượng tốt là cần thiết để bố trí sóng phẳng tại anten cần thử\r\nnghiệm. Sự phân biệt phân cực chéo dựa vào sóng phẳng có thể được chứng minh\r\nbằng cách phát giữa cặp anten loa hoặc ống dẫn sóng hở một đầu và kiểm tra xem\r\nsự kết hợp của sai số vị trí và tính năng phân cực chéo nội tại của một anten\r\nloa có đạt được độ triệt thành phần nằm ngang quá 30 dB không. Nếu sai số vị\r\ntrí rất thấp và nếu các anten loa có tính năng giống nhau thì tính năng phân\r\ncực chéo của một loa thấp hơn xấp xỉ 6 dB so với việc ghép nối phân cực chéo\r\nkết hợp của cặp loa.

\r\n\r\n

Tín hiệu nhiễu có mức\r\nthấp hơn 20 dB so với mức tín hiệu mong muốn sẽ cho sai số lớn nhất trên tín\r\nhiệu mong muốn là ±0,9 dB. Sai số lớn\r\nnhất xuất hiện khi tín hiệu phân cực chéo đồng pha với tín hiệu đồng cực. Nếu\r\nđáp tuyến phân cực chéo của LPDA kém hơn 20 dB thì người vận hành phải tính độ không\r\nđảm bảo đo và công bố cùng kết quả. Ví dụ mức phân cực chéo là 14 dB nghĩa là\r\nđộ không đảm bảo đo lớn nhất là +1,6 dB đến -1,9 dB. Lấy giá trị lớn hơn và giả\r\nthiết là sự phân bố có dạng chữ U khi tính độ không đảm bảo đo tiêu chuẩn.

\r\n\r\n

Để thêm tín hiệu 0 dB\r\nvào tín hiệu khác -14 dB, đầu tiên chuyển thành các điện áp tương đối bằng cách\r\nchia cho 20 và lấy đối logarit. Sau đó thêm tín hiệu nhỏ hơn vào tín hiệu đơn vị.\r\nLấy logarit và nhân với 20. Kết quả là sai số đềxiben dương. Lặp lại nhưng lấy\r\ntín hiệu đơn vị trừ đi tín hiệu nhỏ hơn để có sai số đềxiben âm.

\r\n\r\n

Để tính độ không đảm\r\nbảo đo của phép đo phát bức xạ, nếu mức tín hiệu đo được trong một phân cực\r\nvượt quá tín hiệu đo được trong phân cực vuông góc lớn hơn hoặc bằng 6 dB thì\r\nLPDA có sự phân biệt phân cực chéo chỉ là 14 dB sẽ được xem là đáp ứng yêu cầu\r\n20 dB. Nếu độ chênh lệch giữa các mức tín hiệu phân cực thẳng đứng và phân cực\r\nchéo nhỏ hơn 6 dB thì phải tính độ không đảm bảo đo thêm vào nếu tổng của độ\r\nchênh lệch này và phân cực chéo nhỏ hơn 20 dB.

\r\n\r\n

4.6.\r\nDải tần từ 1 GHz đến 18 GHz

\r\n\r\n

Phép đo phát bức xạ ở\r\ntần số trên 1 GHz phải được thực hiện bằng cách sử dụng anten phân cực tuyến\r\ntính đã hiệu chuẩn. Ví dụ như anten LPDA, anten loa dẫn sóng có gờ kép, anten\r\nloa có độ lợi tiêu chuẩn. “Búp sóng” hoặc búp chính của tất cả các giản đồ\r\nanten phải đủ rộng để bao phủ EUT khi được đặt ở khoảng cách đo, hoặc phải thực\r\nhiện các biện pháp dự phòng cho việc “quét” EUT để định vị hướng hoặc nguồn\r\nphát bức xạ của nó. Độ rộng của búp chính được xác định là độ rộng búp sóng 3\r\ndB của anten, và thông tin để xác định tham số này phải được nêu trong tài liệu\r\nvề anten. Đối với anten loa, điều kiện dưới đây phải được thỏa mãn:

\r\n\r\n

d\r\n³ (5)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

d là khoảng cách đo\r\n(m);

\r\n\r\n

D là kích thước độ mở\r\nlớn nhất của anten (m); và

\r\n\r\n

l là bước sóng trong không gian tự do ở\r\ntần số đo (m).

\r\n\r\n

4.7.\r\nBố trí anten đặc biệt – Hệ thống anten vòng

\r\n\r\n

Trong dải tần từ 9\r\nkHz đến 30 MHz, công suất nhiễu của thành phần từ trường của phát xạ từ một\r\nthiết bị thử nghiệm (EUT) có thể được xác định bằng cách sử dụng hệ thống anten\r\nvòng đặc biệt (LAS). Trong LAS, công suất này được đo theo dòng điện do từ\r\ntrường tạo ra trong anten vòng của LAS. LAS đo dòng điện cảm ứng bởi thành phần\r\ntrường từ của một EUT. LAS cho phép thực hiện phép đo trong phòng.

\r\n\r\n

LAS bao gồm ba anten\r\nvòng lớn vuông góc nhau (LLA), đường kính 2 m, được đỡ bằng một đế phi kim\r\nloại. Mô tả đầy đủ về LAS được nêu trong Phụ lục C.

\r\n\r\n

EUT được đặt ở tâm\r\ncủa LAS. Kích thước lớn nhất của EUT được giới hạn sao cho khoảng cách giữa EUT\r\nvà LLA ít nhất là 0,20 m. Nguyên tắc đi cáp tín hiệu được cho trong Điều C.3, chú\r\nthích 2 và Hình C.6. Cáp phải được đi cùng nhau và cho phép bối dây này nằm trong\r\ncùng quãng tám của lõi và cách các vòng LAS bất kỳ một khoảng không nhỏ hơn 0,4\r\nm.

\r\n\r\n

Ba LLA vuông góc với nhau\r\ncho phép đo công suất nhiễu của tất cả các phân cực của trường bức xạ với độ\r\nchính xác qui định mà không phải quay EUT hoặc thay đổi hướng của các LLA.

\r\n\r\n

Cả ba LLA phải tuân\r\nthủ các yêu cầu kiểm tra hiệu lực nêu trong Điều C.4.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Có thể sử dụng\r\ncác vòng LLA có đường kính khác với đường kính tiêu chuẩn là 2 m, với điều kiện\r\nđường kính của chúng D £ 4 m và khoảng cách\r\ngiữa EUT và anten vòng ít nhất là 0,10 x D, tính bằng mét. Hệ số hiệu chỉnh đối\r\nvới đường kính phi tiêu chuẩn được nêu trong Điều C.6.

\r\n\r\n

5. Vị trí thử nghiệm để\r\nđo cường độ trường nhiễu rađiô trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

5.1.\r\nYêu cầu chung

\r\n\r\n

Môi trường được yêu\r\ncầu phải là môi trường đảm bảo các kết quả đo cường độ trường nhiễu gây ra do\r\nthiết bị là có hiệu lực và có thể lặp lại. Đối với thiết bị chỉ có thể thử\r\nnghiệm tại nơi sử dụng thì phải áp dụng các điều khoản khác.

\r\n\r\n

5.2.\r\nOATS

\r\n\r\n

5.2.1 Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Phép đo cường độ\r\ntrường nhiễu thường được thực hiện tại vị trí thử nghiệm thoáng. OATS là khu\r\nvực có địa thế bằng phẳng, thoáng. Vị trí thử nghiệm này không được có các công\r\ntrình, đường dây điện, hàng rào, cây cối, v.v… và không có cáp ngầm, đường ống,\r\nv.v… trừ khi cần để cấp nguồn và vận hành EUT. Tham khảo Phụ lục D về các\r\nkhuyến cáo về kết cấu cụ thể cho OATS đối với thử nghiệm trường điện từ trong dải\r\ntần từ 30 MHz đến 1 GHz. Qui trình xác định hiệu lực vị trí đối với vị trí thử\r\nnghiệm thoáng được nêu trong 5.2.6 với nội dung chi tiết được nêu trong Phụ lục\r\nE. Phụ lục F đưa ra các tiêu chí chấp nhận.

\r\n\r\n

5.2.2. Vỏ bọc bảo vệ về\r\nthời tiết

\r\n\r\n

Có yêu cầu bảo vệ về\r\nthời tiết nếu vị trí thử nghiệm được sử dụng suốt cả năm. Kết cấu bảo vệ về\r\nthời tiết có thể bảo vệ toàn bộ vị trí thử nghiệm (bao gồm cả EUT và anten đo cường\r\nđộ trường) hoặc chỉ bảo vệ EUT. Vật liệu sử dụng phải trong suốt đối với RF để\r\nkhông gây các phản xạ không mong muốn và không gây suy giảm trường do EUT phát\r\nra (xem 5.3.1).

\r\n\r\n

Kết cấu này phải có\r\nhình dạng cho phép dễ dàng loại bỏ được tuyết, băng hoặc nước. Để biết thêm chi\r\ntiết, xem Phụ lục D.

\r\n\r\n

5.2.3. Khu vực không\r\ncó vật cản

\r\n\r\n

Đối với vị trí thử\r\nnghiệm thoáng, yêu cầu một khu vực không có vật cản xung quanh EUT và anten đo\r\ncường độ trường. Khu vực không có vật cản không được có sự tán xạ đáng kể của trường\r\nđiện từ, và phải đủ rộng sao cho tán xạ bên ngoài khu vực này sẽ ít gây ảnh\r\nhưởng đến trường đo được bằng anten đo cường độ trường. Để xác định sự thích\r\nhợp của khu vực này, cần thực hiện các thử nghiệm về hiệu lực của vị trí.

\r\n\r\n

Do cường độ của trường\r\ntán xạ từ một vật thể phụ thuộc vào nhiều yếu tố (kích thước vật thể, khoảng\r\ncách đến EUT, hướng liên quan đến EUT, độ dẫn điện và hằng số điện môi của vật\r\nthể, tần số, v.v…), nên không thể có qui định về khu vực không có vật cản hợp\r\nlý cần thiết và đầy đủ cho mọi ứng dụng được. Kích thước và hình dạng của khu vực\r\nkhông có vật cản phụ thuộc vào khoảng cách đo và phụ thuộc vào việc có quay EUT\r\nhay không. Nếu vị trí này được trang bị bàn quay thì khu vực không có vật cản khuyến\r\ncáo có hình elip với anten thu và EUT ở hai tiêu điểm, có trục dài bằng hai lần\r\nkhoảng cách đo và trục ngắn bằng tích của khoảng cách đo với căn bậc hai của 3\r\n(xem Hình 2).

\r\n\r\n

Đối với hình elip\r\nnày, đường đi của tia không mong muốn bị phản xạ từ vật thể bất kỳ lên chu vi\r\nelip gấp hai lần chiều dài đường đi của tia tới giữa hai tiêu điểm. Nếu lắp đặt\r\nEUT lớn trên bàn quay, thì khu vực không có vật cản phải được mở rộng sao cho\r\nvẫn có khoảng trống không vật cản tính từ chu vi của EUT.

\r\n\r\n

Nếu vị trí không trang\r\nbị bàn quay, nghĩa là, EUT đặt tĩnh tại, khu vực không có vật cản khuyến cáo là\r\nmột khu vực có hình tròn sao cho khoảng cách theo bán kính từ biên của EUT đến\r\nbiên của khu vực này lớn hơn hoặc bằng khoảng cách đo nhân với 1,5 (xem Hình\r\n3). Trong trường hợp này, anten được dịch chuyển xung quanh EUT ở khoảng phân\r\ncách.

\r\n\r\n

Địa hình trong phạm\r\nvi khu vực không có vật cản phải bằng phẳng. Độ dốc nhỏ để thoát nước là chấp\r\nnhận được. Độ bằng phẳng của mặt phẳng nền bằng kim loại, nếu sử dụng, được nêu\r\ntrong Điều D.2.

\r\n\r\n

Thiết bị đo và người\r\nthử nghiệm phải ở bên ngoài khu vực không có vật cản.

\r\n\r\n

Hình\r\n2 – Khu vực không có vật cản của vị trí thử nghiệm có bàn quay (xem 5.2.3)

\r\n\r\n

Hình\r\n3 – Khu vực không có vật cản có EUT tĩnh tại (xem 5.2.3)

\r\n\r\n

5.2.4. Môi trường tần\r\nsố rađiô xung quanh của vị trí thử nghiệm

\r\n\r\n

Mức tần số rađiô xung\r\nquanh tại vị trí thử nghiệm phải đủ thấp so với mức của phép đo cần thực hiện.\r\nChất lượng của vị trí về mặt này có thể được đánh giá theo bốn tiêu chí liệt kê\r\ndưới đây theo thứ tự ưu tiên:

\r\n\r\n

a) phát xạ xung quanh\r\nlà thấp hơn mức đo 6 dB hoặc hơn nữa;

\r\n\r\n

b) một số phát xạ\r\nxung quanh nằm trong khoảng 6 dB của mức đo;

\r\n\r\n

c) một số phát xạ\r\nxung quanh cao hơn mức đo, nhưng không theo chu kỳ (nghĩa là, có thời gian đủ\r\ndài giữa hai lần truyền để cho phép thực hiện phép đo) hoặc liên tục, nhưng chỉ\r\ntrên các tần số giới hạn xác định được;

\r\n\r\n

d) mức xung quanh cao\r\nhơn mức đo ở phần lớn dải tần số đo và xuất hiện liên tục.

\r\n\r\n

Việc lựa chọn vị trí\r\nthử nghiệm cần đảm bảo duy trì được độ chính xác của phép đo, với môi trường\r\ncho trước và mức độ kỹ năng kỹ thuật sẵn có.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Mức tần số\r\nrađiô xung quanh nhỏ hơn mức phát xạ đo được 20 dB hoặc nhiều hơn được coi là\r\ntối ưu.

\r\n\r\n

5.2.5. Mặt phẳng nền

\r\n\r\n

Mặt phẳng nền có thể\r\nbao gồm một dải rộng vật liệu từ đất đến vật liệu kim loại có độ dẫn cao. Mặt\r\nphẳng này có thể ở mức mặt đất hoặc trên bệ có kích thước thích hợp hoặc đặt\r\ntrên nóc. Ưu tiên mặt phẳng nền kim loại, nhưng đối với thiết bị và các ứng\r\ndụng nhất định, nó có thể không được khuyến cáo bởi tiêu chuẩn sản phẩm cụ thể.\r\nSự thích hợp của mặt phẳng nền kim loại sẽ phụ thuộc vào việc vị trí thử nghiệm\r\ncó thỏa mãn các yêu cầu về hiệu lực của vị trí nêu trong 5.2.6 hay không. Nếu\r\nkhông sử dụng vật liệu kim loại thì cần thận trọng lựa chọn vị trí để không làm\r\nthay đổi các đặc tính phản xạ của nó theo thời gian, điều kiện thời tiết hoặc\r\ndo vật liệu kim loại chôn dưới đất như ống dẫn, cáp điện và vùng đất không đồng\r\nnhất. Những vị trí như vậy thường cho đặc tính suy giảm vị trí khác so với\r\nnhững vị trí có bề mặt kim loại.

\r\n\r\n

5.2.6. Qui trình xác\r\nđịnh hiệu lực OATS

\r\n\r\n

5.2.6.1. Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Qui trình hiệu lực và\r\ncác yêu cầu đối với độ suy giảm vị trí thông thường nêu ở đây được dùng để đánh\r\ngiá chất lượng vị trí thử nghiệm có mặt phẳng nền kim loại. Đối với các vị trí\r\nthử nghiệm khác, qui trình hiệu lực mang tính chất thông tin, và nói chung là\r\ncũng sẽ nhận biết được sự không đồng đều có thể có của vị trí cần nghiên cứu.\r\nQui trình hiệu lực áp dụng cho phòng có lót lớp hấp thụ được nêu ở 5.4.

\r\n\r\n

Hiệu lực của vị trí\r\nthử nghiệm thoáng được thực hiện với hai anten, một định hướng ngang và một định\r\nhướng thẳng đứng so với mặt đất lần lượt như chỉ ra trên Hình 4 và Hình 5. Hình\r\n5 chỉ ra cấu hình đối với phân cực thẳng đứng sử dụng anten lưỡng cực có điều\r\nhưởng. Đối với anten băng rộng, độ cao của anten phải là h₁ = h_2min\r\n= 1 m.

\r\n\r\n

Độ suy giảm vị trí\r\nthử nghiệm thoáng có được từ tỷ số giữa điện áp nguồn, V_i nối đến\r\nanten phát và điện áp thu, V_R đo được trên đầu nối của anten thu.\r\nPhép đo điện áp được thực hiện ở hệ thống 50 W. Cần hiệu chỉnh thích hợp tổn hao cáp nếu V_R và\r\nV_i không được đo tương ứng tại đầu vào và đầu ra của anten phát và\r\nanten thu. Khi đó, lấy tỷ số suy giảm vị trí này chia cho tích các hệ số anten\r\ncủa hai anten sử dụng. Kết quả thu được chính là NSA và được biểu thị bằng dB.\r\nVị trí được coi là phù hợp khi các giá trị NSA theo chiều dọc và chiều ngang\r\nnằm trong khoảng ± 4 dB của các giá trị\r\ncho trong Bảng E.1, E.2 và E.3. Nếu vượt quá tiêu chí ± 4 dB thì vị trí thử nghiệm phải được\r\nxem xét theo Điều E.4.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Cơ sở\r\nđối với tiêu chí chấp nhận vị trí 4 dB được nêu trong Phụ lục F.

\r\n\r\n

Sai lệch giữa giá trị\r\nNSA đo được và giá trị lý thuyết không được dùng làm độ hiệu chỉnh đối với\r\ncường độ trường của EUT đo được. Qui trình này chỉ được dùng để kiểm tra hiệu\r\nlực của vị trí thử nghiệm.

\r\n\r\n

Bảng E.1 dùng cho anten\r\ndải rộng như anten hình nón kép và anten giàn theo chu kỳ loga đặt thẳng hàng theo\r\ncả chiều ngang lẫn chiều dọc so với mặt phẳng nền. Bảng E.2 dùng cho trường hợp\r\nlưỡng cực điều hưởng nửa sóng đặt thẳng hàng theo chiều ngang so với mặt phẳng\r\nnền. Bảng E.3 dùng cho trường hợp lưỡng cực điều hưởng nửa sóng đặt thẳng hàng\r\ntheo chiều dọc so với mặt phẳng nền. Lưu ý là trong Bảng E.3 có hạn chế theo chiều\r\ncao quét h2. Điều này tính đến một thực tế là đỉnh thấp nhất của lưỡng cực thu\r\nđược giữ cách mặt phẳng nền 25 cm hoặc lớn hơn.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Nguyên\r\nnhân của sự khác biệt giữa các Bảng E.1, E.2 và E.3 là các tham số hình học khác\r\nnhau được chọn cho anten dải rộng và lưỡng cực điều hưởng nửa sóng, trước tiên là\r\nvì các hạn chế thực tế cần thiết đối với loại lưỡng cực điều hưởng nửa sóng.

\r\n\r\n

Giá trị NSA đối với\r\ncác tần số không phải là các tần số cho trong các bảng E.1, E.2 và E.3 có thể\r\ntìm được bằng phép nội suy tuyến tính giữa các giá trị được lập thành bảng. Ghi\r\nchú cho mỗi bảng như sau:

\r\n\r\n

d khoảng cách theo phương\r\nnằm ngang giữa hình chiếu của anten phát và anten thu trên mặt phẳng nền (m);

\r\n\r\n

h₁ chiều\r\ncao tâm của anten phát so với mặt phẳng nền (m);

\r\n\r\n

h₂ dải\r\nchiều cao của tâm anten thu so với mặt phẳng nền (m). Tín hiệu thu lớn nhất\r\ntrong dải chiều cao quét này được dùng cho phép đo NSA;

\r\n\r\n

f_M tần số\r\n(MHz);

\r\n\r\n

A_N NSA\r\n(xem công thức (6), phía dưới).

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 3: Khoảng cách\r\nd giữa các anten giàn theo chu kỳ loga được đo từ hình chiếu của điểm giữa trục\r\ndọc của từng anten lên mặt phẳng nền.

\r\n\r\n

* Đối với khoảng cách\r\n30 m.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Ký hiệu\r\nđược xác định ở 5.2.6.1 và 5.2.6.2.

\r\n\r\n

Hình\r\n4 - Cấu hình của thiết bị để đo độ suy giảm vị trí theo phân cực ngang (xem 5.2.6\r\nvà Phụ lục E)

\r\n\r\n

h₁ = h₂\r\n= 1 m (nhỏ nhất) dùng cho anten dải rộng.

\r\n\r\n

* Đối với khoảng cách\r\n30 m.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Ký hiệu\r\nđược xác định ở 5.2.6.1 và 5.2.6.2.

\r\n\r\n

Hình\r\n5 - Cấu hình của thiết bị để đo độ suy giảm vị trí theo phân cực thẳng đứng sử\r\ndụng lưỡng cực điều hưởng (xem 5.2.6 và Phụ lục E)

\r\n\r\n

Khuyến cáo nên thực\r\nhiện phép đo NSA theo phương ngang trước. Vì các phép đo theo phương ngang có\r\nđộ nhạy kém so với các phép đo theo phân cực thẳng đứng trong việc phát hiện\r\ncác bất thường của thử nghiệm, NSA đo được phải nằm trong khoảng ±4 dB của giá trị cho trong các Bảng E.1,\r\nE.2 và E.3. Nếu không thì kiểm tra lại kỹ thuật đo, độ trôi của thiết bị và các\r\nhiệu chuẩn hệ số anten. Nếu vẫn vượt quá tiêu chí ±4 dB thì cần làm rõ điều gây bất thường\r\nđáng kể và thực hiện việc hiệu chỉnh trước khi tiến hành với phép đo NSA phân\r\ncực thẳng đứng.

\r\n\r\n

5.2.6.2. Phép đo NSA\r\nchung

\r\n\r\n

Đối với mỗi phép đo\r\nphân cực, qui trình NSA đòi hỏi hai phép đo điện áp thu VR khác nhau. Số đọc V_R\r\nthứ nhất (V_{trực tiếp}) là với hai cáp đồng trục không nối với hai\r\nanten mà nối với nhau qua bộ phối hợp. Số đọc V_R thứ hai (V_vị\r\ntrí) là với cáp đồng trục được nối lại với anten tương ứng của nó và tín\r\nhiệu lớn nhất đo được khi anten thu được quét theo độ cao (1 m đến 4 m cho\r\nkhoảng cách 3 m và 10 m hoặc 1 m đến 4 m hoặc 2 m đến 6 m cho khoảng cách 30\r\nm). Với cả hai phép đo này, điện áp nguồn tín hiệu, Vi, được giữ không đổi.\r\nChúng được dùng trong công thức (6) dưới đây đối với NSA đo được, AN meas; các\r\nsố hạng được tính bằng dB.

\r\n\r\n

A_N\r\nmeas = V_{trực tiếp} – V_{vị trí} – F_aT – F_aR\r\n– DF_{a TOT} (6)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

F_aT là hệ\r\nsố anten phát;

\r\n\r\n

F_aR là hệ\r\nsố anten thu;

\r\n\r\n

DF_{a TOT} là hệ số hiệu chỉnh\r\ntrở kháng tương hỗ.

\r\n\r\n

Lưu ý là hai số hạng\r\nđầu đại diện cho phép đo độ suy giảm vị trí thực, nghĩa là, V_{trực tiếp}\r\n– V_{vị trí} bằng độ suy giảm vị trí theo quan điểm kinh điển, cấu\r\nthành bởi tổn hao xen kể cả các đặc tính của hai anten sử dụng. Giá trị DF_{a TOT} lý thuyết được cho\r\ntrong Bảng E.4. F_aT và F_aR phải được đo.

\r\n\r\n

Chú ý rằng:

\r\n\r\n

V_{trực\r\ntiếp} = V_i – C_T – C_R (7)

\r\n\r\n

trong đó C_T\r\nvà C_R là tổn hao cáp mà không cần phải đo riêng. Hệ số hiệu chỉnh\r\ntrở kháng tương hỗ trong Bảng E.4 chỉ áp dụng cho vị trí hình học khuyến cáo có\r\nkhoảng cách 3 m, phân cực ngang và sử dụng lưỡng cực điều hưởng nửa sóng.

\r\n\r\n

Để thực hiện các phép\r\nđo NSA này, có thể sử dụng hai phương pháp, tuỳ thuộc vào trang thiết bị sẵn có\r\nvà có dùng lưỡng cực điều hưởng hoặc lưỡng cực dải rộng hay không. Cả hai\r\nphương pháp cho kết quả cơ bản là giống nhau nếu sử dụng đúng như nêu trong Phụ\r\nlục E. Từng phương pháp được mô tả tóm tắt như sau:

\r\n\r\n

a) Phương pháp tần số\r\nrời rạc

\r\n\r\n

Đối với phương pháp\r\nnày, các tần số cụ thể cho trong Bảng E.1, E.2 hoặc E.3 được đo lần lượt. Tại\r\ntừng tần số, anten thu được quét trên dải chiều cao cho trong bảng thích hợp để\r\ntối đa hóa tín hiệu thu. Đưa các giá trị của tham số đo được này vào công thức\r\n(6) để có NSA đo được. Phụ lục E gồm qui trình dự kiến để ghi lại dữ kiện, tính\r\nNSA đo được, và sau đó so sánh với NSA lý thuyết.

\r\n\r\n

b) Phương pháp tần số\r\nrà

\r\n\r\n

Đối với phương pháp\r\nnày, phép đo sử dụng anten dải rộng có thể thực hiện bằng cách dùng thiết bị đo\r\ntự động có khả năng lưu giữ đỉnh (lưu giữ lớn nhất), khả năng lưu giữ, và một máy\r\nphát tự hiệu chỉnh. Trong phương pháp này, cả độ cao anten và tần số được quét\r\nhoặc rà trên toàn bộ dải yêu cầu. Tốc độ rà tần số phải lớn hơn nhiều so với tốc\r\nđộ quét theo độ cao anten. Nếu không thì qui trình này cũng giống như qui trình\r\na). Nội dung qui trình được cho trong Phụ lục E.

\r\n\r\n

5.2.6.3. Xác định hệ\r\nsố anten

\r\n\r\n

Hệ số anten chính xác\r\nlà cần thiết khi đo NSA. Nói chung, hệ số anten được cho cùng anten là không đủ\r\ntrừ khi chúng được đo một cách cụ thể hoặc riêng biệt. Yêu cầu anten phân cực\r\ntuyến tính. Phương pháp hiệu chuẩn anten hữu ích được nêu trong Phụ lục E. Hệ\r\nsố anten của nhà chế tạo có thể tính đến tổn hao do biến đổi cân bằng-không cân\r\nbằng phối hợp trong số các đặc trưng khác. Nếu sử dụng bộ biến đổi cân\r\nbằng-không cân bằng riêng hoặc cáp liên kết tích hợp bất kỳ thì phải tính đến\r\nảnh hưởng của chúng. Công thức dùng cho lưỡng cực nửa sóng có điều hưởng cũng được\r\ncho trong Phụ lục E.

\r\n\r\n

5.2.6.4. Sai lệch suy\r\ngiảm vị trí

\r\n\r\n

Nếu phép đo NSA sai\r\nlệch nhiều hơn ±4 dB thì trước tiên\r\ncần kiểm tra lại một số hạng mục:

\r\n\r\n

a) qui trình đo;

\r\n\r\n

b) độ chính xác của hệ\r\nsố anten;

\r\n\r\n

c) độ trôi của nguồn\r\ntín hiệu hoặc độ chính xác của máy thu hoặc bộ suy giảm đầu vào của bộ phân\r\ntích phổ; và

\r\n\r\n

d) số đọc.

\r\n\r\n

Nếu không tìm thấy\r\nsai lỗi trong a), b), c) và d), thì khi đó vị trí là sai và cần thực hiện việc\r\nnghiên cứu các nguyên nhân có thể của sự thay đổi vị trí. Phụ lục F nêu các sai\r\nlỗi có thể xuất hiện trong phép đo NSA.

\r\n\r\n

Cần chú ý là, do phân\r\ncực thẳng đứng thường là phép đo có tính chất quyết định hơn nên sự bất thường\r\ncủa vị trí cần được nghiên cứu bằng cách sử dụng phép đo nhạy hơn này chứ không\r\nphải là sử dụng kết quả của phân cực ngang. Các hạng mục chủ yếu cần nghiên cứu\r\nbao gồm:

\r\n\r\n

1) sự không thỏa đáng\r\nvề kích thước và kết cấu mặt phẳng nền;

\r\n\r\n

2) các vật thể trong\r\nchu vi của vị trí có thể gây nên sự phân tán không mong muốn;

\r\n\r\n

3) vỏ bọc dùng cho\r\nmọi thời tiết;

\r\n\r\n

4) tính không liên tục\r\ncủa mặt phẳng nền tại chu vi bàn quay khi bề mặt bàn quay là bề mặt dẫn và ở\r\ncùng độ cao với mặt phẳng nền;

\r\n\r\n

5) lớp phủ mặt phẳng\r\nnền là lớp điện môi dày;

\r\n\r\n

6) các khoảng hở trên\r\nmặt phẳng nền dành cho cầu thang.

\r\n\r\n

5.3.\r\nSự thích hợp của vị trí thử nghiệm đối với vị trí thử nghiệm có mặt phẳng nền\r\nkhác

\r\n\r\n

5.3.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Có nhiều vị trí và\r\nphương tiện thử nghiệm khác nhau kết hợp lại với nhau để thực hiện phép đo phát\r\nbức xạ. Hầu hết chúng được bảo vệ khỏi thời tiết và các ảnh hưởng bất lợi của\r\nmôi trường tần số rađiô. Đó là các vị trí thử nghiệm thoáng có vỏ bọc dùng cho\r\nmọi thời tiết và các phòng có lót lớp hấp thụ.

\r\n\r\n

Nếu có vật liệu kết\r\ncấu bao quanh vị trí thử nghiệm thì có khả năng các kết quả của một phép đo độ\r\nsuy giảm vị trí tiêu chuẩn (NSA) đơn lẻ, như qui định trong 5.2.6, là không đủ\r\nđể chứng tỏ vị trí thay thế này là thích hợp.

\r\n\r\n

Để đánh giá sự thích\r\nhợp của vị trí thử nghiệm thay thế, khuyến cáo áp dụng qui trình dưới đây. Qui\r\ntrình này dựa trên việc thực hiện nhiều phép đo NSA trên toàn bộ thể tích mà\r\nEUT chiếm chỗ. Mọi phép đo trên NSA phải nằm trong phạm vi sai số ±4 dB và được đánh giá là thích hợp\r\ntương đương với một vị trí thử nghiệm thoáng.

\r\n\r\n

Vấn đề nêu trong mục\r\nnày liên quan đến vị trí thử nghiệm thay thế có mặt phẳng nền dẫn.

\r\n\r\n

5.3.2. Độ suy giảm vị\r\ntrí tiêu chuẩn đối với vị trí thử nghiệm thay thế

\r\n\r\n

Đối với vị trí thử\r\nnghiệm thay thế, một phép đo NSA đơn lẻ không đủ để thu được phản xạ từ vật\r\nliệu kết cấu và/hoặc vật liệu hấp thụ tần số rađiô bao gồm các vách và trần của\r\nthiết bị. Đối với các vị trí này, “thể tích thử nghiệm” được xác định là thể\r\ntích mà thiết bị hoặc hệ thống lớn nhất cần thử nghiệm vạch ra khi quay 360^o\r\nxung quanh vị trí tâm của nó, ví dụ như quay bằng bàn quay. Trong việc đánh giá\r\nphân cực ngang và phân cực thẳng đứng, như được minh họa trên Hình 6 và Hình 7,\r\ncó thể cần nhiều nhất là 20 phép đo độ suy giảm vị trí riêng biệt, nghĩa là năm\r\nvị trí theo mặt phẳng nằm ngang (ở giữa, bên trái, bên phải, phía trước và phía\r\nsau, được đo với tâm và đường thẳng vạch từ tâm đến vị trí của anten đo), hai\r\nphân cực (ngang và thẳng đứng), và hai độ cao (1 m và 2 m theo chiều ngang, 1 m\r\nvà 1,5 m theo chiều thẳng đứng).

\r\n\r\n

Các phép đo này được\r\ntiến hành với anten dải rộng và các khoảng cách được đo từ tâm của anten. Anten\r\nphát và anten thu phải thẳng hàng, các phần tử anten phải song song với nhau và\r\nvuông góc với trục đo.

\r\n\r\n

Đối với phân cực thẳng\r\nđứng, vị trí bên ngoài tâm của anten phát là tại chu vi của thể tích thử\r\nnghiệm. Ngoài ra, đỉnh thấp hơn của anten phải cách sàn tối thiểu là 25 cm,\r\nđiều này có thể đòi hỏi tâm của anten cao hơn 1 m một chút trong phép đo độ cao\r\nnhỏ nhất.

\r\n\r\n

Đối với phép đo phân\r\ncực ngang theo vị trí trái và phải, nếu vật liệu kết cấu và/hoặc vật liệu hấp\r\nthụ trên các vách bên cách chu vi EUT một khoảng ít nhất là 1 m thì tâm của anten\r\nđược dịch chuyển về khoảng giữa sao cho đỉnh xa nhất của anten hoặc nằm trên\r\nchu vi hoặc cách chu vi không lớn hơn 10 % đường kính thể tích thử nghiệm. Vị\r\ntrí trước và sau là vị trí ở chu vi của thể tích thử nghiệm.

\r\n\r\n

Số lượng phép đo yêu\r\ncầu có thể giảm trong các tình huống sau đây:

\r\n\r\n

a) Có thể bỏ qua phép\r\nđo phân cực thẳng đứng và ngang ở vị trí phía sau nếu vật liệu kết cấu và/hoặc\r\nvật liệu hấp thụ có điểm gần nhất cách biên phía sau của thể tích thử nghiệm\r\nquá 1 m.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Nguồn phát\r\nbức xạ đặt gần với bề mặt điện môi chung cho thấy là có những thay đổi trong\r\nphân bố dòng điện mà có thể ảnh hưởng đến đặc tính bức xạ của nguồn tại vị trí\r\nđó. Trong trường hợp EUT có thể được đặt gần bề mặt chung này, thì yêu cầu bổ\r\nsung thêm phép đo độ suy giảm vị trí.

\r\n\r\n

b) Tổng số phép đo\r\nphân cực ngang theo đường kính thể tích thử nghiệm cùng với các vị trí trái và\r\nphải có thể giảm xuống đến mức tối thiểu cần thiết đối với hình chiếu bằng của anten\r\nbao phủ 90 % đường kính.

\r\n\r\n

c) Phép đo phân cực\r\nthẳng đứng ở độ cao 1,5 m có thể bỏ qua nếu đỉnh của EUT, bao gồm cả bàn lắp đặt\r\nbất kỳ, có độ cao nhỏ hơn 1,5 m.

\r\n\r\n

d) Nếu thể tích thử\r\nnghiệm không quá 1 m chiều sâu, 1,5 m chiều rộng, 1,5 m chiều cao, kể cả bàn,\r\nnếu có, thì phép đo phân cực ngang chỉ cần thực hiện ở vị trí giữa, phía trước\r\nvà phía sau nhưng ở cả hai độ cao 1 m và 2 m. Nếu áp dụng hạng mục a) ở trên\r\nthì vị trí phía sau có thể bỏ qua. Việc này đòi hỏi ít nhất là tám phép đo: bốn\r\nvị trí phân cực thẳng đứng (bên trái, ở giữa, bên phải và phía trước) đối với một\r\nđộ cao, và bốn vị trí phân cực ngang (ở giữa và phía trước) đối với hai độ cao;\r\nxem Hình 8 và Hình 9.

\r\n\r\n

Phép đo NSA phải được\r\nthực hiện với anten phát và anten thu đặt cách nhau một khoảng được giữ không đổi\r\ntheo Bảng 1 và 2. Lưu ý là các bảng này đã được sửa đổi cho phù hợp với phép đo\r\nNSA bằng cách bổ sung các giá trị đối với một độ cao truyền bổ sung và giới hạn\r\nchiều cao quét 30 m xuống còn từ 1 m đến 4 m. Anten thu phải được di chuyển để\r\nduy trì khoảng cách thích hợp dọc theo tuyến hướng về tâm bàn quay (xem Hình 6,\r\n7, 8 và 9). Vị trí thử nghiệm thay thế được xem xét phù hợp để thực hiện thử\r\nnghiệm phát bức xạ nếu tất cả các phép đo NSA mô tả ở trên thỏa mãn các yêu cầu\r\ncủa 5.3.3 và các yêu cầu về mặt phẳng nền ở 5.3.4 dưới đây.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Các\r\nnghiên cứu đang được tiến hành để xác định xem còn cần thêm thử nghiệm nào để\r\nchứng tỏ sự thích hợp của vị trí thử nghiệm thay thế.

\r\n\r\n

Hình\r\n6 - Vị trí anten điển hình đối với vị trí thử nghiệm thay thế - Phép đo NSA\r\nphân cực thẳng đứng

\r\n\r\n

Hình\r\n7 - Vị trí anten điển hình đối với vị trí thử nghiệm thay thế - Phép đo NSA\r\nphân cực ngang

\r\n\r\n

r = Khoảng cách duy\r\ntrì giữa hình chiếu đứng của tâm anten phát và anten thu

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: EUT không vượt\r\nquá thể tích sâu 1 m, rộng 1,5 m, cao 1,5 m với chu vi lớn hơn 1 m tính từ vật\r\nliệu gần nhất có thể gây ra phản xạ không mong muốn.

\r\n\r\n

Hình\r\n8 - Vị trí anten điển hình đối với vị trí thử nghiệm thay thế - Phép đo NSA\r\nphân cực thẳng đứng với EUT nhỏ hơn

\r\n\r\n

r\r\n= Khoảng cách duy trì giữa hình chiếu đứng của tâm anten phát và anten thu

\r\n\r\n

Hình\r\n9 - Vị trí anten điển hình đối với vị trí thử nghiệm thay thế - Phép đo NSA\r\nphân cực ngang với EUT nhỏ hơn

\r\n\r\n

5.3.3. Độ suy giảm vị\r\ntrí

\r\n\r\n

Vị trí đo phải được\r\nxem là chấp nhận được đối với phép đo bức xạ trường điện từ nếu các phép đo NSA\r\ntheo phân cực ngang và dọc đo được nằm trong khoảng ±4 dB của độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn\r\nlý thuyết ở vị trí lý tưởng.

\r\n\r\n

5.3.4. Mặt phẳng nền\r\ndẫn

\r\n\r\n

Vị trí thử nghiệm\r\nphát bức xạ yêu cầu phải có mặt phẳng nền dẫn. Mặt phẳng nền dẫn phải mở rộng về\r\ncác phía ít nhất là 1 m tính từ chu vi của EUT và anten đo lớn nhất và bao phủ toàn\r\nbộ khu vực giữa EUT và anten. Mặt phẳng này phải bằng kim loại có các lỗ hoặc\r\nkhoảng hở có kích thước theo chiều dọc không lớn hơn một phần mười bước sóng\r\ntại tần số đo cao nhất. Có thể cần đến một mặt phẳng nền dẫn có kích thước lớn\r\nhơn nếu phép đo NSA không thỏa mãn tiêu chuẩn ± 4 dB.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Các nghiên\r\ncứu đang được tiến hành có thể chỉ ra sự cần thiết phải qui định kích thước mặt\r\nphẳng nền dẫn nhỏ nhất.

\r\n\r\n

Bảng\r\n1 – Độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn (dạng hình học khuyến cáo đối với lưỡng cực\r\nđiều hưởng nửa sóng theo phân cực ngang)

\r\n Phân cực \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Ngang \r\n
\r\n d \r\n	\r\n 3 m \r\n	\r\n 10 m \r\n	\r\n 30 m \r\n
\r\n h₁ \r\n	\r\n 2 m \r\n	\r\n 2 m \r\n	\r\n 2 m \r\n
\r\n h₂ \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n
\r\n f_M \r\n	\r\n \r\n	\r\n A_N \r\n	\r\n \r\n
\r\n MHz \r\n	\r\n \r\n	\r\n dB \r\n	\r\n \r\n
\r\n 30 \r\n	\r\n 11,0 \r\n	\r\n 24,1 \r\n	\r\n 41,7 \r\n
\r\n 35 \r\n	\r\n 8,8 \r\n	\r\n 21,6 \r\n	\r\n 39,1 \r\n
\r\n 40 \r\n	\r\n 7,0 \r\n	\r\n 19,4 \r\n	\r\n 36,8 \r\n
\r\n 45 \r\n	\r\n 5,5 \r\n	\r\n 17,5 \r\n	\r\n 34,7 \r\n
\r\n 50 \r\n	\r\n 4,2 \r\n	\r\n 15,9 \r\n	\r\n 32,9 \r\n
\r\n 60 \r\n	\r\n 2,2 \r\n	\r\n 13,1 \r\n	\r\n 29,8 \r\n
\r\n 70 \r\n	\r\n 0,6 \r\n	\r\n 10,9 \r\n	\r\n 27,2 \r\n
\r\n 80 \r\n	\r\n -0,7 \r\n	\r\n 9,2 \r\n	\r\n 24,9 \r\n
\r\n 90 \r\n	\r\n -1,8 \r\n	\r\n 7,8 \r\n	\r\n 23,0 \r\n
\r\n 100 \r\n	\r\n -2,8 \r\n	\r\n 6,7 \r\n	\r\n 21,2 \r\n
\r\n 120 \r\n	\r\n -4,4 \r\n	\r\n 5,0 \r\n	\r\n 18,2 \r\n
\r\n 140 \r\n	\r\n -5,8 \r\n	\r\n 3,5 \r\n	\r\n 15,8 \r\n
\r\n 160 \r\n	\r\n -6,7 \r\n	\r\n 2,3 \r\n	\r\n 13,8 \r\n
\r\n 180 \r\n	\r\n -7,2 \r\n	\r\n 1,2 \r\n	\r\n 12,0 \r\n
\r\n 200 \r\n	\r\n -8,4 \r\n	\r\n 0,3 \r\n	\r\n 10,6 \r\n
\r\n 250 \r\n	\r\n -10,6 \r\n	\r\n -1,7 \r\n	\r\n 7,8 \r\n
\r\n 300 \r\n	\r\n -12,3 \r\n	\r\n -3,3 \r\n	\r\n 6,1 \r\n
\r\n 400 \r\n	\r\n -14,9 \r\n	\r\n -5,8 \r\n	\r\n 3,5 \r\n
\r\n 500 \r\n	\r\n -16,7 \r\n	\r\n -7,6 \r\n	\r\n 1,6 \r\n
\r\n 600 \r\n	\r\n -18,3 \r\n	\r\n -9,3 \r\n	\r\n 0 \r\n
\r\n 700 \r\n	\r\n -19,7 \r\n	\r\n -10,6 \r\n	\r\n -1,4 \r\n
\r\n 800 \r\n	\r\n -20,8 \r\n	\r\n -11,8 \r\n	\r\n -2,5 \r\n
\r\n 900 \r\n	\r\n -21,8 \r\n	\r\n -12,9 \r\n	\r\n -3,5 \r\n
\r\n 1 000 \r\n	\r\n -22,7 \r\n	\r\n -13,8 \r\n	\r\n -4,5 \r\n

\r\n\r\n

Bảng\r\n2 – Độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn* (dạng hình học khuyến cáo đối với anten dải\r\nrộng)

\r\n Phân cực \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Dọc \r\n	\r\n Dọc \r\n	\r\n Dọc \r\n	\r\n Dọc \r\n
\r\n d \r\n	\r\n 3 m \r\n	\r\n 10 m \r\n	\r\n 30 m \r\n	\r\n 3 m \r\n	\r\n 3 m \r\n	\r\n 10 m \r\n	\r\n 30 m \r\n
\r\n h₁ \r\n	\r\n 1 m \r\n	\r\n 1 m \r\n	\r\n 1 m \r\n	\r\n 1 m \r\n	\r\n 1,5 m \r\n	\r\n 1 m \r\n	\r\n 1 m \r\n
\r\n h₂ \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n	\r\n 1 m đến 4 m \r\n
\r\n f_M \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n A_N \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n MHz \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n dB \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n 30 \r\n	\r\n 15,8 \r\n	\r\n 29,8 \r\n	\r\n 47,8 \r\n	\r\n 8,2 \r\n	\r\n 9,3 \r\n	\r\n 16,7 \r\n	\r\n 26,0 \r\n
\r\n 35 \r\n	\r\n 13,4 \r\n	\r\n 27,1 \r\n	\r\n 45,1 \r\n	\r\n 6,9 \r\n	\r\n 8,0 \r\n	\r\n 15,4 \r\n	\r\n 24,7 \r\n
\r\n 40 \r\n	\r\n 11,3 \r\n	\r\n 24,9 \r\n	\r\n 42,8 \r\n	\r\n 5,8 \r\n	\r\n 7,0 \r\n	\r\n 14,2 \r\n	\r\n 23,5 \r\n
\r\n 45 \r\n	\r\n 9,4 \r\n	\r\n 22,9 \r\n	\r\n 40,8 \r\n	\r\n 4,9 \r\n	\r\n 6,1 \r\n	\r\n 13,2 \r\n	\r\n 22,5 \r\n
\r\n 50 \r\n	\r\n 7,8 \r\n	\r\n 21,1 \r\n	\r\n 38,9 \r\n	\r\n 4,0 \r\n	\r\n 5,4 \r\n	\r\n 12,3 \r\n	\r\n 21,6 \r\n
\r\n 60 \r\n	\r\n 5,0 \r\n	\r\n 18,0 \r\n	\r\n 35,8 \r\n	\r\n 2,6 \r\n	\r\n 4,1 \r\n	\r\n 10,7 \r\n	\r\n 20 \r\n
\r\n 70 \r\n	\r\n 2,8 \r\n	\r\n 15,5 \r\n	\r\n 33,1 \r\n	\r\n 1,5 \r\n	\r\n 3,2 \r\n	\r\n 9,4 \r\n	\r\n 18,7 \r\n
\r\n 80 \r\n	\r\n 0,9 \r\n	\r\n 13,3 \r\n	\r\n 30,8 \r\n	\r\n 0,6 \r\n	\r\n 2,6 \r\n	\r\n 8,3 \r\n	\r\n 17,5 \r\n
\r\n 90 \r\n	\r\n -0,7 \r\n	\r\n 11,4 \r\n	\r\n 28,8 \r\n	\r\n -0,1 \r\n	\r\n 2,1 \r\n	\r\n 7,3 \r\n	\r\n 16,5 \r\n
\r\n 100 \r\n	\r\n -2,0 \r\n	\r\n 9,7 \r\n	\r\n 27 \r\n	\r\n -0,7 \r\n	\r\n 1,9 \r\n	\r\n 6,4 \r\n	\r\n 15,6 \r\n
\r\n 120 \r\n	\r\n -4,2 \r\n	\r\n 7,0 \r\n	\r\n 23,9 \r\n	\r\n -1,5 \r\n	\r\n 1,3 \r\n	\r\n 4,9 \r\n	\r\n 14,0 \r\n
\r\n 140 \r\n	\r\n -6,0 \r\n	\r\n 4,8 \r\n	\r\n 21,2 \r\n	\r\n -1,8 \r\n	\r\n -1,5 \r\n	\r\n 3,7 \r\n	\r\n 12,7 \r\n
\r\n 160 \r\n	\r\n -7,4 \r\n	\r\n 3,1 \r\n	\r\n 19 \r\n	\r\n -1,7 \r\n	\r\n -3,7 \r\n	\r\n 2,6 \r\n	\r\n 11,5 \r\n
\r\n 180 \r\n	\r\n -8,6 \r\n	\r\n 1,7 \r\n	\r\n 17 \r\n	\r\n -1,3 \r\n	\r\n -5,3 \r\n	\r\n 1,8 \r\n	\r\n 10,5 \r\n
\r\n 200 \r\n	\r\n -9,6 \r\n	\r\n 0,6 \r\n	\r\n 15,3 \r\n	\r\n -3,6 \r\n	\r\n -6,7 \r\n	\r\n 1,0 \r\n	\r\n 9,6 \r\n
\r\n 250 \r\n	\r\n -11,7 \r\n	\r\n -1,6 \r\n	\r\n 11,6 \r\n	\r\n -7,7 \r\n	\r\n -9,1 \r\n	\r\n -0,5 \r\n	\r\n 7,7 \r\n
\r\n 300 \r\n	\r\n -12,8 \r\n	\r\n -3,3 \r\n	\r\n 8,8 \r\n	\r\n -10,5 \r\n	\r\n -10,9 \r\n	\r\n -1,5 \r\n	\r\n 6,2 \r\n
\r\n 400 \r\n	\r\n -14,8 \r\n	\r\n -5,9 \r\n	\r\n 4,6 \r\n	\r\n -14,0 \r\n	\r\n -12,6 \r\n	\r\n -4,1 \r\n	\r\n 3,9 \r\n
\r\n 500 \r\n	\r\n -17,3 \r\n	\r\n -7,9 \r\n	\r\n 1,8 \r\n	\r\n -16,4 \r\n	\r\n -15,1 \r\n	\r\n -6,7 \r\n	\r\n 2,1 \r\n
\r\n 600 \r\n	\r\n -19,1 \r\n	\r\n -9,5 \r\n	\r\n 0 \r\n	\r\n -16,3 \r\n	\r\n -16,9 \r\n	\r\n -8,7 \r\n	\r\n 0,8 \r\n
\r\n 700 \r\n	\r\n -20,6 \r\n	\r\n -10,8 \r\n	\r\n -1,3 \r\n	\r\n -18,4 \r\n	\r\n -18,4 \r\n	\r\n -10,2 \r\n	\r\n -0,3 \r\n
\r\n 800 \r\n	\r\n -21,3 \r\n	\r\n -12,0 \r\n	\r\n -2,5 \r\n	\r\n -20,0 \r\n	\r\n -19,3 \r\n	\r\n -11,5 \r\n	\r\n -1,1 \r\n
\r\n 900 \r\n	\r\n -22,5 \r\n	\r\n -12,8 \r\n	\r\n -3,5 \r\n	\r\n -21,3 \r\n	\r\n -20,4 \r\n	\r\n -12,6 \r\n	\r\n -1,7 \r\n
\r\n 1 000 \r\n	\r\n -23,5 \r\n	\r\n -13,8 \r\n	\r\n -4,4 \r\n	\r\n -22,4 \r\n	\r\n -21,4 \r\n	\r\n -13,6 \r\n	\r\n -3,5 \r\n
\r\n * Dữ liệu này áp dụng cho anten có khoảng\r\n hở mặt phẳng nền ít nhất là 25 cm khi tâm của anten cao hơn 1 m so với mặt\r\n phẳng nền theo phân cực thẳng đứng. \r\n

\r\n\r\n

5.4.\r\nVị trí thử nghiệm thích hợp không có mặt phẳng nền

\r\n\r\n

5.4.1. Lưu ý trong\r\nphép đo đối với vị trí thử nghiệm trong không gian tự do, là một không gian được\r\nbọc kín hoàn toàn bằng lớp hấp thụ

\r\n\r\n

Không gian được bọc\r\nkín hoàn toàn bằng lớp hấp thụ cũng được xem là buồng hấp thụ hoàn toàn (FAC)\r\nhoặc phòng hấp thụ hoàn toàn (FAR), có thể sử dụng cho các phép đo phát bức xạ.\r\nKhi sử dụng phương pháp FAR, các giới hạn phát bức xạ thích hợp phải được xác định\r\ntheo tiêu chuẩn liên quan (tiêu chuẩn chung, tiêu chuẩn sản phẩm hoặc tiêu\r\nchuẩn họ sản phẩm). Sự phù hợp với các yêu cầu (giới hạn) bảo vệ về dịch vụ rađio\r\nphải được thiết lập đối với FAR theo cách giống như đối với thử nghiệm trong\r\nOATS.

\r\n\r\n

FAR được thiết kế để\r\nmô phỏng môi trường không gian tự do sao cho chỉ tia tới anten phát hoặc EUT đến\r\nđược anten thu. Các sóng gián tiếp hoặc phản xạ phải được giảm thiểu bằng cách\r\nsử dụng vật liệu hấp thụ thích hợp trên tất cả các vách, trần và sàn của FAR.

\r\n\r\n

5.4.2. Tính năng vị\r\ntrí

\r\n\r\n

5.4.2.1. Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Tính năng vị trí có thể\r\nđược kiểm tra hiệu lực bằng hai phương pháp được mô tả dưới đây – phương pháp\r\nvị trí chuẩn và phương pháp suy giảm vị trí chuẩn (NSA).

\r\n\r\n

5.4.2.2. Độ suy giảm\r\nvị trí chuẩn theo lý thuyết

\r\n\r\n

Dưới đây mô tả lý\r\nthuyết NSA đối với anten có chiều dài chấn tử nhỏ hơn nhiều so với bước sóng.

\r\n\r\n

Độ suy giảm vị trí\r\n(SA, AS là đại lượng tính bằng dB) là tổn hao truyền đo được giữa bộ nối của hai\r\nanten trong vị trí cụ thể. Với môi trường không gian tự do, AS (tính bằng dB)\r\ncó thể tính xấp xỉ theo công thức (8) [5]1:

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

F_aR, F_aT\r\nlà các hệ số anten của anten thu và anten phát, tính bằng dB/m;

\r\n\r\n

d là khoảng cách giữa\r\ncác tâm pha của cả hai anten, tính bằng mét;

\r\n\r\n

Z₀ là trở\r\nkháng chuẩn (tức là, 50 W);

\r\n\r\n

b được xác định là 2op/l; và

\r\n\r\n

f_M là tần\r\nsố, tính bằng MHz.

\r\n\r\n

Độ suy giảm vị trí\r\ntiêu chuẩn theo lý thuyết (AN lý thuyết) tính bằng dB, được xác định là độ suy\r\ngiảm vị trí trừ đi các hệ số anten tương ứng, do đó:

\r\n\r\n

Dưới 60 Mhz ở khoảng\r\ncách 5 m hoặc 110 MHz ở khoảng cách 3 m, cần áp dụng các hệ số hiệu chỉnh\r\ntrường gần cho từng vị trí thử nghiệm yêu cầu ở Bảng 3 để so sánh với NSA theo lý\r\nthuyết ở Hình 10 và công thức (8). Hệ số hiệu chỉnh trường gần phụ thuộc vào\r\nanten, khoảng cách thử nghiệm, và thể tích thử nghiệm được sử dụng và do đó,\r\nphải thu được bằng cách sử dụng mã theo mô hình số ví dụ như NEC. Một cách\r\nkhác, phương pháp vị trí chuẩn ở 5.4.2.3.2 đưa ra việc loại bỏ hạng mục trường\r\ngần nếu sử dụng các anten giống nhau và tần số giống nhau cho cả phép đo vị trí\r\nchuẩn và kiểm tra hiệu lực FAR.

\r\n\r\n

Đối với khoảng cách\r\nđo bằng 10 m và 30 m, hạng mục trường gần trong công thức (9) có thể được bỏ và\r\ncông thức được đơn giản như sau:

\r\n\r\n

A_{N\r\nlý thuyết}= 20 log(10)

\r\n\r\n

Nếu công thức đơn giản\r\nhóa (10) được sử dụng thay cho công thức (8) thì sai số đưa vào nhỏ hơn $\"Text$ 0,1 dB ở tần số trên\r\n60 MHz với khoảng cách 5 m và trên 110 MHz với khoảng cách 3 m. Sai số sẽ lớn\r\nhơn 0,1 dB ở tần số thấp hơn các tần số này do các hiệu ứng trường gần. Với\r\nkhoảng cách 3 m, sai số lớn nhất là 1 dB ở 30 MHz. Để giảm sai số này, cần sử\r\ndụng công thức (8).

\r\n\r\n

Hình\r\n10 – Đồ thị NSA trong không gian tự do theo lý thuyết là hàm của tần số ở các\r\nkhoảng cách đo khác nhau (xem công thức (10))

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Tần số\r\ndưới 110 MHz đối với khoảng cách đo 3 m và dưới 60 MHz đối với khoảng cách đo 5\r\nm bao gồm các hiệu ứng trường gần. Hiệu ứng này phải được tính toán cho từng vị\r\ntrí thử nghiệm riêng rẽ.

\r\n\r\n

5.4.2.3. Qui trình\r\nkiểm tra hiệu lực vị trí

\r\n\r\n

5.4.2.3.1. Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

NSA phải thoả mãn yêu\r\ncầu ở 5.4.3 trong thể tích thử nghiệm hình trụ được tạo ra bằng cách quay EUT\r\ntrên bàn quay. Trong trường hợp này, “EUT” bao gồm tất cả các thành phần của\r\nEUT nhiều khối và các cáp nối liên kết. Bảng 3 xác định chiều cao và đường kính\r\nlớn nhất (hmax = dmax) của thể tích thử nghiệm là hàm của khoảng cách thử\r\nnghiệm. Tỷ lệ giữa đường kính và khoảng cách thử nghiệm này đảm bảo độ không\r\nđảm bảo đo chấp nhận được trong thử nghiệm phát xạ của EUT.

\r\n\r\n

Bảng\r\n3 – Kích thước lớn nhất của thể tích thử nghiệm so với khoảng cách thử nghiệm

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Đường\r\n kính lớn nhất d_max và chiều cao lớn nhất h_max của thể\r\n tích thử nghiệm \r\n m \r\n	\r\n Khoảng\r\n cách thử nghiệm \r\n D_{danh\r\n nghĩa} \r\n m \r\n
\r\n 1,5 \r\n	\r\n 3,0 \r\n
\r\n 2,5 \r\n	\r\n 5,0 \r\n
\r\n 5,0 \r\n	\r\n 10,0 \r\n

\r\n\r\n

Phép đo SA ở một vị trí\r\nduy nhất có thể không đủ để thu thập các phản xạ có thể có từ vật liệu kết cấu\r\nphòng và/hoặc vật liệu hấp thụ lót vách, sàn, trần và bàn xoay của FAR.

\r\n\r\n

Do đó, phép đo SA\r\ntrong phòng hấp thụ hoàn toàn và việc kiểm tra hiệu lực phải được thực hiện ở\r\n15 vị trí đo đối với cả phân cực ngang và thẳng đứng của anten phát trong thể\r\ntích thử nghiệm (xem Hình 11):

\r\n\r\n

- ở ba độ cao của thể\r\ntích thử nghiệm: đáy, giữa và đỉnh;

\r\n\r\n

- ở năm vị trí trong\r\ntất cả ba mặt phẳng nằm ngang: vị trí chính giữa, trái, phải, phía trước và\r\nphía sau trong từng mặt phẳng nằm ngang. Vị trí sau có thể bỏ qua nếu khoảng\r\ncách giữa vị trí sau và lớp hấp thụ lớn hơn 0,5 m. Trong quá trình thử nghiệm\r\nEUT, vị trí phía sau trên bàn quay cũng quay sang trước và do đó, sự góp phần\r\ncủa phản xạ trở lại sẽ không ảnh hưởng đến tín hiệu lớn nhất.

\r\n\r\n

Đối với phép đo SA,\r\nphải sử dụng hai anten dải rộng: một anten phát có điểm chuẩn ở các vị trí đo\r\ncủa thể tích thử nghiệm và một anten thu bên ngoài thể tích thử nghiệm này ở\r\nhướng và vị trí qui định. Anten phát phải có xấp xỉ dạng mặt phẳng H ở tất cả các\r\nhướng.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Kích\r\nthước lớn nhất không được quá 40 cm đối với khoảng cách thử nghiệm 3 m; ở các\r\nkhoảng cách lớn hơn, kích thước của anten có thể có tỷ lệ tương ứng.

\r\n\r\n

Anten thu điển hình\r\nlà anten lai (kết hợp hình nón kép/LPDA) đối với dải tần từ 30 MHz đến 1 000\r\nMHz, hoặc riêng rẽ [anten hình nón kép (đối với dải tần từ 30 MHz đến 200 MHz)\r\nvà anten LPD (đối với dải tần từ 200 MHz đến 1 000 MHz)].

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Không\r\nnên sử dụng anten lai (kết hợp hình nón kép/LPDA) cho thử nghiệm phát xạ hoặc\r\nkiểm tra hiệu lực phòng ở khoảng cách 3 m, do anten này có kích thước vật lý\r\nlớn.

\r\n\r\n

Anten, cáp, ferit, bộ\r\nsuy giảm, bộ khuếch đại, máy phát tín hiệu và máy thu được sử dụng để đo SA của\r\nFAR cũng phải được dùng để đo SA chuẩn trong vị trí thử nghiệm không gian gần như\r\ntự do (5.4.2.3.3). Anten thu được sử dụng trong quá trình kiểm tra hiệu lực\r\nphòng phải là cùng loại như được sử dụng trong quá trình thử nghiệm phát bức xạ\r\ncủa EUT.

\r\n\r\n

Đối với việc kiểm tra\r\nhiệu lực thể tích thử nghiệm cả ở phân cực ngang và dọc, và đối với tất cả các\r\nvị trí của anten phát trong thể tích thử nghiệm đó, vị trí theo chiều cao của anten\r\nthu trong FAR phải được đặt và duy trì ở mức chính giữa cố định của thể tích\r\nthử nghiệm, như thể hiện trên Hình 11 và Hình 12. Cần phải nghiêng anten để căn\r\nchỉnh trục ngắm thẳng của cả hai anten theo một trục đo. Khoảng cách giữa điểm\r\nchuẩn của anten (được xác định khi hiệu chuẩn anten) và vị trí phía trước của thể\r\ntích thử nghiệm là _{ddanh nghĩa}. Khi anten phát di chuyển sang các vị\r\ntrí khác trong thể tích thử nghiệm thì anten thu phải dịch chuyển dọc trục đo\r\nđể duy trì d_{danh nghĩa}. Trục đo là đường thẳng giữa anten phát và\r\nanten thu, d_{danh nghĩa} được xác định dọc theo trục này. Đối với tất\r\ncả các vị trí và phân cực, anten thu và anten phát phải đối diện nhau với các\r\nphần tử của cả hai anten song song (nghiêng, xem Hình 12). Tất cả các cột của anten\r\nvà sàn đỡ đều phải ở đúng vị trí trong quá trình kiểm tra hiệu lực.

\r\n\r\n

CHÚ GIẢI

\r\n\r\n

· Đo ở vị trí này theo\r\nphân cực thẳng đứng và phân cực ngang

\r\n\r\n

d_{danh nghĩa}\r\nKhoảng cách cố định giữa các điểm chuẩn của anten

\r\n\r\n

Hình\r\n11 – Vị trí đo dùng cho qui trình kiểm tra hiệu lực vị trí

\r\n\r\n

Đối với tất cả các vị\r\ntrí của anten phát trong thể tích thử nghiệm, ở cả phân cực ngang và phân cực\r\nthẳng đứng, anten phát và anten thu phải thẳng hàng trên trục đo.

\r\n\r\n

Cần phải nghiêng\r\nanten để đáp ứng yêu cầu này ở các vị trí nhất định (xem Hình 12).

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n d_{danh nghĩa} \r\n	\r\n \r\n	\r\n là khoảng cách thử\r\n nghiệm cùng với giới hạn; \r\n
		\r\n là khoảng cách\r\n anten cố định trong qui trình kiểm tra hiệu lực; \r\n
		\r\n là khoảng cách của\r\n anten trong qui trình hiệu chuẩn anten. \r\n

\r\n\r\n

Vị trí theo chiều cao\r\ncủa anten phát trong thể tích thử nghiệm phải được xác định như sau:

\r\n\r\n

– “Giữa” là vị trí\r\ndọc theo trục thực được định vị ở giữa chiều cao và giữa chiều rộng của FAR;

\r\n\r\n

– “Đỉnh (h_t)”\r\nvà “đáy (h_b)” bằng nửa h_max (xem Bảng 3) trừ đi nửa kích\r\nthước anten phát (ví dụ, 20 cm đối với anten hình nón kép cỡ nhỏ).

\r\n\r\n

Các vị trí đã điều\r\nchỉnh phải được sử dụng cho cả phân cực ngang và phân cực thẳng đứng. Khoảng\r\ncách giữa mặt phẳng đỉnh và mặt phẳng đáy và lớp hấp thụ trần và sàn tương ứng được\r\ncho bởi đặc tính của lớp hấp thụ như xác định trong thử nghiệm NSA theo thể\r\ntích, nhưng tối thiểu là 0,5 m, để tránh EUT ghép nối với lớp hấp thụ.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Anten phân\r\ncực ngang, vị trí trên bên phải.

\r\n\r\n

Hình\r\n12 – Ví dụ về một vị trí đo và nghiêng anten đối với qui trình kiểm tra hiệu\r\nlực vị trí

\r\n\r\n

Kích cỡ bước tần số\r\nlớn nhất đối với phép đo tần số rời rạc phải như được liệt kê trong Bảng 4:

\r\n\r\n

Bảng\r\n4 – Dải tần và kích cỡ bước

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Dải\r\n tần \r\n MHz \r\n	\r\n Bước\r\n tần số lớn nhất \r\n MHz \r\n
\r\n 30\r\n – 100 \r\n	\r\n 1 \r\n
\r\n 100\r\n – 500 \r\n	\r\n 5 \r\n
\r\n 500\r\n – 1 000 \r\n	\r\n 10 \r\n

\r\n\r\n

Hai phương pháp được\r\nphép để kiểm tra hiệu lực vị trí:

\r\n\r\n

a) phương pháp vị trí\r\nchuẩn, được yêu cầu đối với các khoảng cách thử nghiệm nhỏ hơn 5 m;

\r\n\r\n

b) phương pháp NSA,\r\nđược ưu tiên cho các khoảng cách thử nghiệm lớn hơn hoặc bằng 5 m.

\r\n\r\n

Phương pháp đo SA\r\nnhằm cung cấp độ lệch 0 dB khi thực hiện trong vị trí lý tưởng. Bất kỳ phương\r\npháp nào cũng có thể được thực hiện để giảm độ không đảm bảo đo miễn là các\r\nphương pháp này không mâu thuẫn với bố trí và qui trình đã xác định hoặc làm ẩn\r\nđi các khiếm khuyết vị trí, ví dụ san bằng cộng hưởng.

\r\n\r\n

Có thể làm giảm độ\r\nkhông đảm bảo đo trong kiểm tra hiệu lực vị trí nhờ các biện pháp dưới đây.

\r\n\r\n

- Đối với anten phân\r\ncực thẳng đứng, cáp có chống nhiễu được kéo dài ít nhất là 2 m sau từng anten\r\ntrước khi thả rơi cáp xuống nền. Nếu có thể, cáp phải được kéo thẳng ra phía\r\nsau đến bộ nối nhiều đầu nối trên vách của phòng. Một khả năng khác là sử dụng kẹp\r\nferit trên cáp. Một cách khác để giảm ảnh hưởng của cáp là sử dụng các dây nối\r\nquang.

\r\n\r\n

- Bộ suy giảm ở các\r\nbộ nối anten (ví dụ, 6 dB hoặc 10 dB) sẽ giảm được ảnh hưởng mất phối hợp trở\r\nkháng lớn tại các anten.

\r\n\r\n

- Phải sử dụng anten\r\ncó sự cân bằng tốt của bộ biến đổi cân bằng/không cân bằng (số đọc của máy thu\r\nthay đổi nhỏ hơn ±0,5 dB khi anten quay\r\nmột góc 180^o theo trục ngắm thẳng của nó. Phương pháp kiểm tra hiệu\r\nlực về độ cân bằng anten được mô tả ở 4.5.3).

\r\n\r\n

- Có thể sử dụng anten\r\nhình nón kép và anten LPDA riêng rẽ dùng để đánh giá phòng thử (loại anten thay\r\nđổi ở 200 MHz), nếu sử dụng các anten này cho thử nghiệm EUT. Anten lai (kết\r\nhợp hình nón kép/LPDA) là tổ hợp của hai loại anten này và cũng có thể được sử\r\ndụng nếu các kích thước về cơ là đủ nhỏ đối với khoảng cách đo.

\r\n\r\n

Qui trình kiểm tra\r\nhiệu lực vị trí FAR phải được thực hiện ở các khoảng thời gian đều đặn để phát\r\nhiện các thay đổi dài hạn về đặc tính phòng thử và thời điểm xuất hiện các thay\r\nđổi có thể làm ảnh hưởng đến các đặc tính truyền của sóng điện từ trong phòng hấp\r\nthụ hoàn toàn.

\r\n\r\n

5.4.2.3.2. Phương\r\npháp vị trí chuẩn

\r\n\r\n

Phép đo SA bằng cặp\r\nanten (anten phát và anten thu) trong vị trí thử nghiệm không gian gần như tự\r\ndo được yêu cầu để làm chuẩn. Qui trình để xác định độ suy giảm vị trí chuẩn\r\nnày (A_{S ref}) được mô tả trong 5.4.2.3.3. Phương pháp này tính đến sự\r\nghép nối tương hỗ giữa các anten và hiệu ứng trường gần, có thể có ảnh hưởng\r\nđáng kể ở khoảng cách thử nghiệm 3 m. Độ suy giảm vị trí chuẩn A_{S ref}\r\n(d) được thực hiện ở khoảng cách danh nghĩa, d_{danh nghĩa}, giữa anten\r\nphát và anten thu.

\r\n\r\n

Qui trình kiểm tra\r\nhiệu lực vị trí đối với từng vị trí trong thể tích thử nghiệm được thực hiện\r\ntheo ba bước.

\r\n\r\n

1) M₀ là\r\nmức chuẩn được đo bởi máy thu, tính bằng dB(mV)\r\nvới các cáp nối với nhau, thường thực hiện một lần trước loạt thử nghiệm theo thể\r\ntích.

\r\n\r\n

2) M₁ là\r\nmức đo được bởi máy thu, tính bằng dB(mV)\r\nvới anten đã được lắp đặt.

\r\n\r\n

Độ suy giảm vị trí\r\ncủa vị trí có hiệu lực A_{S val} có thể được tính bởi:

\r\n\r\n

A_S\r\nval = M₀ – M₁ tính bằng dB (11)

\r\n\r\n

3) Độ lệch của độ suy\r\ngiảm vị trí đo được (DA_S) so với\r\nđộ suy giảm vị trí chuẩn A_{S ref}(d) được tính bằng công thức (12).

\r\n\r\n

D A_S = A_S\r\nref (d) - A_{S val} tính bằng dB (12)

\r\n\r\n

5.4.2.3.3. Xác định vị\r\ntrí chuẩn

\r\n\r\n

Để kiểm tra hiệu lực\r\nvị trí chính xác ở khoảng cách nhỏ hơn 5 m, nên sử dụng cặp anten chuyên dụng để\r\nxác định vị trí chuẩn (anten phát và anten thu). Yêu cầu vị trí thử nghiệm\r\nkhông gian gần như tự do. Vị trì này gồm hai cột anten phi kim loại (bằng gỗ\r\nhoặc chất dẻo có e_r £ 2,5, tổn hao thấp, đường kính nhỏ nhất\r\ncó thể nhưng vẫn duy trì độ bền cơ), để cho phép đặt anten ở độ cao nhất định so\r\nvới mặt phẳng nền (Hình 13). Một phương pháp có thể có về nhận biết đặc tính ±1 dB của vị trí chuẩn là chọn độ cao (h)\r\ncủa anten như sau:

\r\n\r\n

h³ d x 8/3 (13)

\r\n\r\n

trong đó d là khoảng\r\ncách của anten.

\r\n\r\n

Độ cao h = d x 8/3\r\nđược khuyến cáo để khử ảnh hưởng của nền hoặc cần đặt trên nền các lớp hấp thụ\r\nlàm việc ở dải tần số xuống đến 30 MHz.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: ở khoảng\r\ncách 3 m ở 30 MHz, có thành phần trường gần đáng kể (1/d²) mà riêng\r\nnó góp phần sai số bằng 0,8 dB ở độ cao 5/3. Việc này được kiểm tra xác nhận\r\nbởi viện đo lường quốc gia của Mỹ và áo. Đối với vị trí chuẩn có độ không đảm\r\nbảo đo nhỏ hơn ±0,5 dB, khuyến cáo sử\r\ndụng độ cao 8/3 nếu không đặt lớp hấp thụ trên nền.

\r\n\r\n

Khoảng cách này phải\r\nbằng khoảng cách thực tế d_{danh nghĩa} giữa các anten được sử dụng trong\r\nFAR. Sử dụng anten có phân cực thẳng đứng (không sử dụng phân cực ngang vì gây\r\nnhiễu mạnh với tín hiệu phản xạ mặt đất). Anten này cũng tạo ra không gian gần\r\nnhư tự do. Khoảng cách đến các công trình, cây, v.v… phải lớn hơn d x 8/3 vì có\r\nthể có ảnh hưởng đến các anten phân cực thẳng đứng.

\r\n\r\n

Cần cẩn thận để fiđơ anten\r\nkhông ảnh hưởng đến kết quả thử nghiệm. Tốt nhất là bố trí cáp như thể hiện\r\ntrên Hình 13 hoặc sử dụng dây nối quang tần số rađiô.

\r\n\r\n

Chất lượng của bố trí\r\nchuẩn ảnh hưởng trực tiếp đến kết quả đánh giá FAR.

\r\n\r\n

Suy giảm vị trí chuẩn\r\n(A_{S ref}) được xác định theo ba bước như sau:

\r\n\r\n

1) M_{0 RS} là\r\nmức chuẩn được đo bởi máy thu, tính bằng dB(mV)\r\nvới các cáp nối với nhau.

\r\n\r\n

2) M_{1 RS} (d)\r\nlà mức đo được bởi máy thu, tính bằng dB(mV)\r\nvới anten đã được lắp đặt ở khoảng cách yêu cầu ddanh nghĩa.

\r\n\r\n

3) A_{S ref}(d)\r\nđược tính bằng công thức (14).

\r\n\r\n

A_S\r\nref(d) = M_{0 RS} – M_{1 RS} (d) tính bằng dB (14)

\r\n\r\n

Để kiểm tra hiệu lực\r\nvị trí 3 m, phải sử dụng độ cao ít nhất là 4 m so với nền, là khả năng điển\r\nhình của các cột anten điều khiển từ xa dùng để đo phát xạ. Trong trường hợp\r\nnày, lớp hấp thụ điện từ phải được đặt trên nền giữa các anten, lớp hấp thụ\r\ntrùm ra ngoài một diện tích tối thiểu các anten theo mọi hướng và phải chứng tỏ\r\nrằng điều kiện không gian gần như tự do như xác định ở 5.4.1 được thỏa mãn. Để\r\nkiểm tra hiệu lực vị trí có d > 3 m, sử dụng công thức h > d x 8/3 hoặc\r\nbố trí thay thế đã được chứng minh là thỏa mãn độ suy giảm vị trí chuẩn ±1 dB.

\r\n\r\n

CHÚ GIẢI

\r\n\r\n

d_{danh nghĩa}\r\nkhoảng cách kiểm tra hiệu lực

\r\n\r\n

h độ cao của anten so\r\nvới mặt phẳng nền hoặc so với mức nền

\r\n\r\n

c_t, c_r\r\nfiđơ đồng trục dùng cho anten phát và anten thu hướng đặt nằm ngang phía sau anten\r\nvới khoảng cách càng sát giá trị 2 m càng tốt. Trong FAR, rải cáp nằm ngang\r\ntrong chừng mực có thể, tốt nhất là xuyên qua lỗ trong vách phòng hoặc sử dụng sợi\r\nquang nối đến liên kết quang tần số rađiô ở đầu ra của anten.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Độ suy\r\ngiảm vị trí chuẩn có được sẽ độc lập với tất cả các dạng hình học của Hình 13.

\r\n\r\n

Hình\r\n13 – Bố trí đo độ suy giảm vị trí chuẩn trong không gian tự do điển hình

\r\n\r\n

5.4.2.3.4. Phương\r\npháp NSA

\r\n\r\n

Hệ số anten trong\r\nkhông gian tự do của anten phát và anten thu được yêu cầu cho qui trình này.\r\nViệc kiểm tra hiệu lực vị trí đối với từng vị trí đo được thực hiện theo bốn bước\r\nsau:

\r\n\r\n

1) M₀ là\r\nmức chuẩn được đo bởi máy thu với các cáp nối với nhau.

\r\n\r\n

2) M₁ là\r\nmức đo được bởi máy thu với anten đã được lắp đặt.

\r\n\r\n

3) NSA cần đo (A_N\r\nmeas) được tính bằng dB theo công thức (15)

\r\n\r\n

A_N\r\nmeas = M₀ – M₁ – F_aT – F_aR tính\r\nbằng dB (15)

\r\n\r\n

trong đó F_aT\r\nvà F_aR là hệ số anten trong không gian tự do, tính bằng dB/m.

\r\n\r\n

4) Độ lệch DA_N được tính bằng dB theo công\r\nthức (16)

\r\n\r\n

DA_N = A_N\r\nmeas – A_{N lý thuyết} (16)

\r\n\r\n

trong đó A_{N lý\r\nthuyết} được tính từ công thức (10) và DA_N\r\nđược so sánh với tiêu chí NSA có thể áp dụng, ví dụ ±4 dB, như qui định ở 5.4.3.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Khoảng cách\r\nd giữa các điểm chuẩn của anten phát và anten thu (được xác định bằng cách hiệu\r\nchuẩn anten) phải được dùng làm d_{danh nghĩa}. Khoảng cách hiệu quả giữa\r\ncác anten biến đổi theo tần số do các vị trí tâm pha của chúng. Tổn hao truyền\r\nphải được bù bằng tỷ số của khoảng cách hiệu quả và d_{danh nghĩa}.

\r\n\r\n

5.4.3. Tiêu chí kiểm\r\ntra hiệu lực vị trí

\r\n\r\n

Vị trí đo phải phù\r\nhợp với các yêu cầu sau:

\r\n\r\n

- độ lệch của SA hoặc\r\nNSA (công thức (12) hoặc công thức (16)) phải nhỏ hơn ±4 dB đối với cả phân cực ngang và phân\r\ncực thẳng đứng và đối với từng vị trí đo và tần số đo;

\r\n\r\n

- quỹ độ không đảm\r\nbảo đo của việc đánh giá vị trí theo khuyến cáo CISPR 16-4-2 phải được ghi vào\r\nbáo cáo và phải có cùng thành phần như yêu cầu đối với phép đo cường độ trường\r\ntrên các vị trí thử nghiệm thay thế cùng với mặt phẳng nền.

\r\n\r\n

5.5.\r\nĐánh giá bàn bố trí thử nghiệm và tháp anten

\r\n\r\n

5.5.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Nói chung, bàn bố trí\r\nthử nghiệm như qui định ở Điều D.5 định vị EUT dùng để đo cường độ trường. Hình\r\ndạng, kết cấu và hằng số điện môi của vật liệu của bàn bố trí thử nghiệm có thể\r\nảnh hưởng đến kết quả đo cường độ trường (xem [2], [6], [7], [10]). Điều 5.5.2 dưới\r\nđây mô tả qui trình xác định ảnh hưởng của bàn bố trí thử nghiệm đối với dải\r\ntần từ 30 MHz đến 18 GHz và để ước tính phần đóng góp liên quan của nó vào độ\r\nkhông đảm bảo đo trong phép đo cường độ trường. Việc đánh giá phải được thực\r\nhiện trên bàn bố trí thử nghiệm bất kỳ với độ cao lớn hơn 0,15 m.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Chỉ sử\r\ndụng anten phát có phân cực ngang phía trên bàn bố trí thử nghiệm để đánh giá. Phân\r\ncực này, ngược với phân cực thẳng đứng, có tính đến các hiệu ứng trường hợp xấu\r\nnhất từ bàn bố trí thử nghiệm.

\r\n\r\n

Không yêu cầu đánh\r\ngiá thêm tháp anten vì bất kỳ ảnh hưởng cản trở nào cũng sẽ được tính đến trong\r\nphép đo NSA (xem 5.2.6) và trong phép đo SVSWR (xem 8.3).

\r\n\r\n

5.5.2. Qui trình đánh\r\ngiá các ảnh hưởng của bàn bố trí thử nghiệm

\r\n\r\n

Để đánh giá ảnh hưởng\r\ncủa bàn bố trí thử nghiệm, thực hiện hai phép đo phát: một phép đo có bàn bố\r\ntrí thử nghiệm và phép đo còn lại không có bàn bố trí thử nghiệm. Trong quá\r\ntrình thực hiện hai phép đo, anten phát được giữ ở bố trí cụ thể. Chênh lệch\r\ngiữa các kết quả đo khi có và không có bàn bố trí thử nghiệm đưa ra ước tính\r\nảnh hưởng do bàn này tạo ra. Qui trình đo như dưới đây.

\r\n\r\n

Bàn bố trí thử nghiệm\r\nphải được đặt ở vị trí điển hình trong vị trí thử nghiệm với kích thước lớn\r\nnhất (tức là đường chéo đối với bàn có mặt trên hình chữ nhật hoặc bán kính đối\r\nvới bàn có mặt trên hình tròn) hướng về phía anten thu (xem Hình 14).

\r\n\r\n

Đối với dải tần đến 1\r\nGHz, phải sử dụng anten hình nón kép cỡ nhỏ có chiều dài ngoài nhỏ hơn 0,40 m.

\r\n\r\n

Đối với tần số trên 1\r\nGHz, phải sử dụng anten phù hợp với 8.3.3.1 (ví dụ lưỡng cực dải rộng).

\r\n\r\n

Xem Hình 14 và Hình\r\n15 về cách đặt anten phát. Anten phải được đặt phía trên bàn bố trí thử nghiệm\r\ntheo phân cực ngang với khoảng cách bằng 0,1 m giữa bề mặt của bàn và điểm\r\nchuẩn của anten (bộ biến đổi cân bằng/không cân bằng). Anten phải được định vị\r\nvới điểm chuẩn ở chính giữa tâm và mép của mặt trên bàn bố trí thử nghiệm theo hướng\r\ncủa anten thu. Máy phát tín hiệu cấp cho anten. Anten phát và anten thu phải\r\nthẳng hàng, với các phần tử anten song song với nhau và vuông góc với trục đo.\r\nTrong quá trình đo, bước tần số phải nhỏ hơn hoặc bằng 0,5 % tần số cao nhất\r\nđược sử dụng. Điện áp của anten thu phải cao hơn mức nhiễu ít nhất là 20 dB của\r\nthiết bị đo. ảnh hưởng của việc đi cáp có thể giảm thiểu bằng cách sử dụng cáp\r\ndài hoặc sử dụng ống ferit. Rải cáp theo phương nằm ngang về phía sau tối thiểu\r\nbằng 2 m là đủ. Trong mọi trường hợp, ảnh hưởng này phải được xem là không đáng\r\nkể nếu điện áp thu không thay đổi quá 0,3 dB khi tuyến cáp thay đổi quá 0,5 m\r\nso với vị trí ban đầu.

\r\n\r\n

VÍ DỤ: Cáp có ống ferit\r\nđược rải nằm ngang với khoảng cách bằng 1,6 m. Để kiểm tra ảnh hưởng của cáp,\r\ncáp được rải lại để thả thẳng đứng từ điểm 2,1 m cách mối nối đến anten. Sau đó,\r\nđo lại cường độ trường để xác định xem ảnh hưởng là không lớn hơn 0,3 dB.

\r\n\r\n

Mục đích là không có\r\nthay đổi trong bố trí đo ngoài việc có hoặc không có bàn bố trí. Anten phát, và\r\ncáp của nó nối đến máy phát tín hiệu phải được đỡ theo cách sao cho chúng được\r\ngiữ ở các vị trí giống nhau trong không gian có hoặc không có bàn. Cột, tháp ba\r\nchân hoặc tháp được sử dụng trong phép đo NSA hoặc S_VSWR phải được\r\ndùng để đỡ anten phát và cáp.

\r\n\r\n

Độ cao và khoảng cách\r\ncủa anten phải như sau:

\r\n\r\n

· Đối với tất cả các tần số, khoảng\r\ncách giữa anten thu và anten phát phải như yêu cầu cho phép đo nhiễu bức xạ.

\r\n\r\n

· Ở tần số từ 1 GHz trở xuống, thực hiện\r\nphép đo ở dải tần ít nhất từ 200 MHz đến 1 GHz. Trong OATS hoặc SAC, anten thu được\r\nquét theo độ cao như yêu cầu trong phép đo nhiễu bức xạ (thường từ 1 m đến 4\r\nm). Trong FAR, anten thu phải được cố định ở độ cao yêu cầu cho phép đo nhiễu\r\nbức xạ.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Dưới 200 MHz,\r\nảnh hưởng của bàn bố trí thử nghiệm được bỏ qua khi áp dụng qui trình kiểm tra\r\nnày.

\r\n\r\n

· Trên 1 GHz, phải thực hiện phép đo\r\ntrên cùng dải tần số (ví dụ, 1 GHz đến 18 GHz) và độ cao anten phải được đặt\r\n(ví dụ, 1 m đến 4 m) như yêu cầu cho phép đo nhiễu bức xạ.

\r\n\r\n

Biên độ chênh lệch\r\ngiữa hai kết quả đo ở từng bước tần số, viết là D(f) và tính bằng dB, phải được tính bằng công thức (17).

\r\n\r\n

D(f) = |V_R/có\r\n(f) – V_{R/không có} (f)| (17)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

V_r/có (f) là\r\nđiện áp lớn nhất ở anten thu ở tần số xác định, tính bằng dB(mV), đo được khi có bàn bố trí thử\r\nnghiệm;

\r\n\r\n

V_{r/không có}\r\n(f) là điện áp lớn nhất ở anten thu ở tần số xác định, tính bằng dB(mV), đo được khi không có bàn bố trí\r\nthử nghiệm.

\r\n\r\n

Biên độ lớn nhất của chênh\r\nlệch giữa hai kết quả đo ghi được trên toàn dải tần số, viết là D_max và tính bằng dB,\r\nphải được sử dụng là sai lệch lớn nhất ước tính. Chênh lệch này phải được tính\r\ntheo công thức (18).

\r\n\r\n

D_max = max|V_R/có\r\n(f) – V_{R/không có} (f)| (18)

\r\n\r\n

Độ không đảm bảo đo\r\ntiêu chuẩn ubàn do bàn bố trí thử nghiệm tạo ra được ước tính bằng cách giả\r\nthiết sự phân bố là hình chữ nhật đối với chênh lệch lớn nhất đo được D_max. Do đó, u_bàn\r\n(tính bằng dB) có thể được tính theo công thức (19).

\r\n\r\n

u_bàn\r\n= D_max(19)

\r\n\r\n

Giá trị u_bàn\r\nphải được đo và xem xét trong quỹ độ không đảm bảo đo (xem CISPR 16-4-2) trong\r\ncác dải tần số dưới đây:

\r\n\r\n

· 200 MHz đến 1 GHz;

\r\n\r\n

· 1 GHz đến 6 GHz;

\r\n\r\n

· 6 GHz đến 18 GHz.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Kết cấu và\r\nloại vật liệu của bàn bố trí thử nghiệm là khác nhau giữa các phòng thử nghiệm.\r\nXác định giá trị trường hợp xấu nhất của D\r\n(tức là V_R/có) trong việc xác định ubàn là đủ.

\r\n\r\n

6. Phòng phản xạ dùng\r\ncho phép đo công suất bức xạ tổng

\r\n\r\n

6.1.\r\nYêu cầu chung

\r\n\r\n

Đối với một số loại\r\nthiết bị làm việc trong dải tần số vi sóng, do sự tồn tại của các giản đồ bức xạ\r\nba chiều phức tạp nhạy với các điều kiện làm việc của thiết bị và môi trường\r\nxung quanh nó, nên phép đo tổng công suất bức xạ được coi là tham số quan trọng\r\nliên quan đến kiểm soát nhiễu. Có thể đo bằng cách đặt thiết bị trong một phòng\r\nthích hợp có vách bằng kim loại. Để tránh ảnh hưởng của sóng đứng có thể gây ra\r\nsự phân bố không đồng nhất mật độ năng lượng với vị trí trong phòng, cần lắp đặt\r\nbộ phận khuấy quay. Với kích thước, hình dạng và vị trí thích hợp, mật độ năng\r\nlượng tại vị trí bất kỳ trong phòng thay đổi ngẫu nhiên với qui luật phân bố\r\nthống kê không đổi về pha, biên độ và phân cực.

\r\n\r\n

6.2.\r\nPhòng thử

\r\n\r\n

6.2.1. Kích thước và\r\nhình dạng phòng thử

\r\n\r\n

Các kích thước thẳng\r\ncủa phòng thử phải đủ lớn so với bước sóng của tần số thấp nhất cần quan tâm.\r\nPhòng thử cũng phải đủ lớn để chứa được thiết bị cần thử nghiệm, bộ phận khuấy\r\nvà anten đo. Thiết bị vi sóng có kích cỡ khác nhau từ lò cỡ nhỏ đặt trên bàn\r\nthể tích khoảng 0,2 m³ đến lò lớn cao 1,7 m, đáy 760 mm. Phòng có thể\r\ncó hình dạng bất kỳ miễn là ba kích thước của nó cùng cấp đơn vị. Tốt nhất là\r\ncó ba trị số kích thước khác nhau. Đối với tần số thấp nhất là 1 GHz, phòng thử\r\nphải có thể tích ít nhất là 8 m³. Kích thước thực tế sẽ phụ thuộc vào\r\ncác đặc tính vật lý của phòng thử. Về phương pháp thử nghiệm sự thích hợp của phòng\r\nthử xem ở 6.2.4.

\r\n\r\n

Các vách và bộ phận\r\nkhuấy phải là kim loại. Các mối nối giữa các thành phần kim loại phải hoàn toàn\r\nbằng cơ khí và có điện trở thấp dọc theo toàn bộ chiều dài, không được có ăn\r\nmòn ở bề mặt. Không được đặt trong phòng thử những vật liệu hấp thụ, ví dụ như\r\ngỗ.

\r\n\r\n

6.2.2. Cửa, các lỗ\r\ntrên vách và giá đỡ

\r\n\r\n

Cửa phòng phải đủ\r\nrộng để cho phép người thao tác đưa thiết bị đi qua. Cửa phải mở ra phía ngoài\r\nvà kín khít để giảm thiểu tổn hao năng lượng. Để thuận tiện cho việc lắp đặt,\r\nanten phát và anten thu bên trong phòng, các giá đỡ có thể được cố định trên\r\nvách.

\r\n\r\n

6.2.3. Bộ phận khuấy

\r\n\r\n

6.2.3.1. Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Dưới đây mô tả hai ví\r\ndụ về bộ phận khuấy. Cho phép bộ phận khuấy có hình dạng khác miễn là hiệu quả\r\nkhuấy thỏa mãn các tiêu chí nêu trong 6.2.4.

\r\n\r\n

6.2.3.2. Chong chóng

\r\n\r\n

Nếu sử dụng chong chóng,\r\nthì hai chong chóng được đặt trên các vách liền kề của phòng thử cách các vách\r\nít nhất là 1/4 bước sóng lớn nhất sử dụng và có độ dày để đủ cứng vững. Các chong\r\nchóng phải có chiều dài lớn nhất mà kích thước vách cho phép, chiều rộng bằng\r\nkhoảng 1/5 chiều dài.

\r\n\r\n

6.2.3.3. Guồng quay

\r\n\r\n

Nếu sử dụng guồng\r\nquay, thì lắp hai hoặc ba guồng trên các vách của phòng. Guồng này phải đặt\r\nvuông góc với guồng kia. Guồng có thể có hình dạng như trên Hình 16 và quay xung\r\nquanh trục song song với chiều dài guồng. Đường kính của khoảng quét hình ống ít\r\nnhất phải bằng bước sóng sử dụng lớn nhất, và chiều dài phải là chiều dài lớn\r\nnhất mà kích thước vách cho phép. Kết cấu phải cứng vững.

\r\n\r\n

Kích\r\nthước tính bằng milimét

\r\n\r\n

Hình\r\n16 - Ví dụ về bộ phận khuấy kiểu guồng quay điển hình

\r\n\r\n

6.2.3.4.Tốc độ quay

\r\n\r\n

Tốc độ quay của bộ phận\r\nkhuấy phải khác nhau. Thời gian dài nhất cho một vòng quay của bộ phận khuấy\r\nphải nhỏ hơn 1/5 thời gian tích hợp của thiết bị đo. Đối với thiết bị đo mô tả\r\ntrong 6.2.5, tốc độ thích hợp là từ 50 r/min đến 200 r/min. Động cơ để quay bộ\r\nphận khuấy, cùng với bộ giảm tốc, cần đặt bên ngoài các vách của phòng.

\r\n\r\n

6.2.4. Thử nghiệm hiệu\r\nquả của bộ phận khuấy

\r\n\r\n

Sự phân bố năng lượng\r\nđồng nhất mong muốn trong phòng thử được thể hiện bằng sự biến đổi đều đặn theo\r\ntần số của độ suy giảm ghép nối (mô tả trong 6.2.5). ở các tần số thấp, do bước\r\nsóng dài hơn, nên khó đạt được sự đồng nhất này hơn và tồn tại các mức cực đại\r\nvà cực tiểu rõ rệt. Hiệu quả của bộ phận khuấy càng lớn thì các mức cực đại và\r\ncực tiểu này càng nhỏ và do đó tần số dùng được sẽ thấp hơn.

\r\n\r\n

Độ suy giảm ghép nối\r\nđược đo trong toàn bộ dải tần sử dụng được của phòng thử. ở các tần số thấp hơn\r\ntrong trường hợp quan sát được mức cực đại và cực tiểu, các giá trị phải được\r\nđo ở các khoảng cách nhau 100 MHz. Sau đó anten thu được giữ cố định, anten\r\nphát được quay theo nấc 45^o, thử nghiệm được lặp lại với mỗi vị trí\r\nvà tại từng tần số. Toàn bộ thử nghiệm phải được lặp lại với anten thu quay theo\r\nnấc 90o. Bộ phận khuấy được coi là thỏa mãn khi: (1) đường bao của đồ thị cực\r\nđại và đồ thị cực tiểu không vượt quá 2 dB ở mọi vị trí của anten phát, và, (2)\r\ngiá trị trung bình của cả bốn đồ thị nằm trong đường bao nhỏ hơn hoặc bằng 2\r\ndB. Kết quả điển hình được chỉ ra trên Hình 17.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Tất cả các\r\nđiểm đo được phải nằm bên trong đường bao 2 dB đánh dấu bằng đường nét đứt.

\r\n\r\n

Hình\r\n17 - Dãy suy giảm ghép nối là hàm số của tần số dùng cho phòng thử có sử dụng\r\nbộ phận khuấy trên Hình 16

\r\n\r\n

6.2.5 Độ suy giảm\r\nghép nối

\r\n\r\n

Độ suy giảm ghép nối\r\ncủa một phòng thử là tổn hao xen đo được giữa các đầu ra của anten phát và\r\nanten thu trong phòng đó. Máy phát tín hiệu được hiệu chuẩn, có công suất đầu\r\nra có thể đo được chính xác, được dùng để cấp nguồn nuôi cho anten phát tổn hao\r\nthấp (ví dụ anten loa) đặt bên trong phòng thử hoặc đặt trên vách. Anten thu có\r\nthể được đặt tại điểm bất kỳ trong phòng thử miễn là cách các vách ít nhất là\r\n1/4 bước sóng và không hướng về phía anten phát, mà hướng về phía vách gần nhất,\r\nhoặc thẳng hàng với trục bất kỳ của phòng.

\r\n\r\n

Bộ khuếch đại tần số\r\nrađiô tạp thấp được nối với anten thu qua bộ lọc thông cao; đầu ra của bộ\r\nkhuếch đại được nối qua một bộ lọc thông dải đến bộ điốt tách sóng. Bộ lọc\r\nthông dải phải được điều hưởng đến tần số nghiên cứu và phải có độ rộng băng\r\ntần qui định. Đầu ra của bộ tách sóng được nối đến vôn mét đọc đỉnh có thời\r\ngian duy trì đỉnh qui định (thời gian duy trì sẽ phụ thuộc vào thiết bị cần\r\nđo). Bộ phân tích phổ cũng có thể dùng cho phép đo này. Công suất hấp thụ bởi\r\nanten phát, P, được ghi lại. Máy phát tín hiệu khi đó được nối đến đầu vào của bộ\r\nkhuếch đại tạp thấp, và đầu ra công suất của nó, p, được điều chỉnh để có cùng\r\nsố đọc trên vôn mét. Công suất hấp thụ bởi bộ khuếch đại tạp thấp được ghi lại.\r\nĐộ suy giảm ghép nối là 10 log (P/p) dB.

\r\n\r\n

7. Phần tử TEM để đo\r\nmiễn nhiễm với nhiễu bức xạ

\r\n\r\n

Phép đo miễn nhiễm\r\nbức xạ có thể thực hiện trong ống dẫn sóng TEM sử dụng phương pháp qui định ở IEC\r\n61000-4-20.

\r\n\r\n

8. Vị trí thử nghiệm để\r\nđo cường độ trường nhiễu rađiô trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz

\r\n\r\n

8.1.\r\nYêu cầu chung

\r\n\r\n

Vị trí thử nghiệm\r\nphải dựa vào điều kiện không có phản xạ. Có thể cần phải sử dụng vật liệu hấp\r\nthụ và/hoặc nâng độ cao của EUT để đạt được điều kiện không gian tự do này.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Trong trường\r\nhợp thử nghiệm thiết bị đặt trên sàn, có thể không đạt được điều kiện không có phản\r\nxạ do ở gần mặt đất.

\r\n\r\n

8.2.\r\nVị trí thử nghiệm chuẩn

\r\n\r\n

Vị trí thử nghiệm\r\nchuẩn phải là vị trí thử nghiệm thoáng, không gian tự do (FSOATS) và có các\r\nbiện pháp phòng ngừa để phép đo không bị ảnh hưởng bởi phản xạ.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: FSOATS là\r\nmột khái niệm về vị trí thử nghiệm. Phép xấp xỉ thực tế là FAR đáp ứng các yêu\r\ncầu về kiểm tra hiệu lực được nêu dưới đây.

\r\n\r\n

8.3.\r\nKiểm tra hiệu lực của vị trí thử nghiệm

\r\n\r\n

8.3.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Vị trí thử nghiệm\r\nphải được xem là chấp nhận được đối với phép đo trường bức xạ điện từ ở tần số\r\ntừ 1 GHz đến 18 GHz nếu nó thoả mãn tiêu chí được nêu ở 8.3.2; 8.3.3 về qui\r\ntrình kiểm tra hiệu lực vị trí. Để thử nghiệm theo các tiêu chuẩn CISPR, phép\r\nđo kiểm tra hiệu lực vị trí phải được thực hiện trong dải tần từ 1 GHz đến tần\r\nsố lớn nhất được sử dụng trong phòng thử nghiệm; tần số lớn nhất phải ít nhất\r\nlà 2 GHz.

\r\n\r\n

Vị trí thử nghiệm\r\ndùng cho phép đo ở dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz phải có thiết kế để giảm thiểu\r\nảnh hưởng của phản xạ lên tín hiệu thu được, ví dụ phòng hấp thụ. Nếu vị trí\r\nkhông được thiết kế để tạo ra các điều kiện hấp thụ hoàn toàn, ví dụ phòng bán\r\nhấp thụ, thì yêu cầu sử dụng vật liệu hấp thụ để che đi một phần mặt phẳng nền\r\nkim loại như mô tả dưới đây.

\r\n\r\n

Trong trường hợp thể\r\ntích thử nghiệm kéo dài từ sàn dẫn của phòng thử nghiệm lên phía trên EUT mà có\r\nthể là điển hình đối với các phòng thử nghiệm sử dụng chủ yếu để thử nghiệm EUT\r\nđặt trên sàn, khi cần, lớp hấp thụ phải được đặt trong thể tích thử nghiệm để\r\nkiểm tra hiệu lực. Để có đủ không gian cho thử nghiệm thiết bị đặt trên sàn mà\r\nthiết bị này không thể định vị được trên mặt phẳng nền, chiếu xạ anten của thể\r\ntích thử nghiệm trong phạm vi độ cao đến 30 cm có thể bị cản trở do có lớp hấp\r\nthụ đặt trên mặt phẳng nền.

\r\n\r\n

Trong quá trình thử\r\nnghiệm phát xạ EUT đặt trên sàn, sàn hấp thụ được sử dụng để kiểm tra hiệu lực\r\nvị trí có thể được lấy ra khỏi khu vực mà EUT đặt lên và mở rộng thêm đến 10 cm\r\nxung quanh khu vực đặt EUT.

\r\n\r\n

Trong các phòng thử\r\nnghiệm có thể tích thử nghiệm cao hơn chiều cao của lớp hấp thụ, vì có thể là\r\nđặc thù của các phòng thử nghiệm dùng để thử nghiệm thiết bị đặt trên bàn, lớp\r\nhấp thụ có thể đặt thấp hơn thể tích thử nghiệm cho cả kiểm tra hiệu lực vị trí\r\nvà thử nghiệm thiết bị. Bức ảnh thể hiện cấu hình vị trí lớp hấp thụ và vị trí\r\nanten phát/thu phải có trong báo cáo kiểm tra hiệu lực vị trí.

\r\n\r\n

Việc kiểm tra hiệu\r\nlực vị trí được thực hiện bằng các phép đo tỷ số điện áp vị trí sóng đứng (S_VSWR).\r\nPhương pháp kiểm tra hiệu lực vị trí đánh giá thể tích thử nghiệm đã cho đối\r\nvới tổ hợp cụ thể của vị trí, anten thu, khoảng cách thử nghiệm (được qui định\r\nở TCVN 6989-2-3 (CISPR 16-2-3)) và vật liệu hấp thụ đặt trên mặt phẳng nền, nếu\r\ncần để đáp ứng tiêu chí ở 8.3.2.

\r\n\r\n

Các ảnh hưởng của cột\r\nanten thu đặt như khi được sử dụng cho thử nghiệm kiểm tra hiệu lực vị trí và\r\ncác vật thể cố định trong thể tích thử nghiệm (như bàn quay được lắp đặt cố định),\r\nđược đánh giá và bao gồm trong qui trình kiểm tra hiệu lực vị trí. Vật thể di\r\nrời được như bàn thử nghiệm di rời được, không yêu cầu phải đặt đúng vị trí\r\ntrong quá trình thử nghiệm kiểm tra hiệu lực vị trí nếu ảnh hưởng của chúng được\r\nđánh giá riêng rẽ sử dụng qui trình bổ sung ở 5.4 của tiêu chuẩn này.

\r\n\r\n

TCVN 6989-2-3 (CISPR\r\n16-2-3) mô tả phương pháp đo EUT được sử dụng để thử nghiệm trong dải tần từ 1\r\nGHz đến 18 GHz. Mục đích của qui trình S_VSWR là để kiểm tra ảnh hưởng\r\ncủa các phản xạ có thể hướng tới EUT có kích cỡ và hình dạng tùy ý đặt bên\r\ntrong thể tích thử nghiệm như được đánh giá theo qui trình này.

\r\n\r\n

S_VSWR là\r\ntỷ số giữa tín hiệu thu lớn nhất và tín hiệu thu nhỏ nhất, gây ra bởi nhiễu\r\ngiữa các tín hiệu tới (có chủ ý) trực tiếp và tín hiệu phản xạ, tức là:

\r\n\r\n

S_VSWR\r\n= =

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

E_max và E_min\r\nlà tín hiệu thu lớn nhất và nhỏ nhất, và

\r\n\r\n

V_max và V_min\r\nlà các điện áp đo tương ứng khi máy thu hoặc bộ phân tích phổ được sử dụng để\r\nthu.

\r\n\r\n

Đối với các qui trình\r\ntiếp theo, dexiben (dB) thường được sử dụng đối với các phép đo và tính toán.

\r\n\r\n

Trong trường hợp này,\r\nS_VSWR được cho bởi:

\r\n\r\n

S_VSWR\r\n= 20log = 20 log =\r\nV_max,dB - V_min,dB= E_max,dB - E_min,dB

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Khi sử\r\ndụng dexiben, S_VSWR,dB có thể được lấy là chênh lệch giữa tín hiệu\r\nlớn nhất và tín hiệu nhỏ nhất nhận được bằng đơn vị dBm, dB(mV) hoặc dBmV/m, nếu thích hợp đối với dụng cụ đo\r\nhoặc bộ tách tín hiệu được sử dụng.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Giá trị\r\ncủa S_VSWR hoặc S_VSWR,dB được tính riêng rẽ từ tín hiệu\r\nlớn nhất và tín hiệu nhỏ nhất thu được ở từng tần số và phân cực đối với tập\r\nhợp sáu phép đo được mô tả ở 8.3.3.

\r\n\r\n

8.3.2. Tiêu chí chấp nhận\r\nđối với kiểm tra hiệu lực vị trí

\r\n\r\n

S_VSWR liên\r\nquan trực tiếp đến ảnh hưởng của phản xạ không mong muốn. Tiêu chí chấp nhận\r\nđối với kiểm tra hiệu lực vị trí trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz là:

\r\n\r\n

S_VSWR\r\n≤ 2:1, hoặc SVSWR,dB ≤ 6,0 dB,

\r\n\r\n

đối với S_VSWR\r\nđo được theo qui trình ở 8.3.3.

\r\n\r\n

8.3.3 Qui trình kiểm\r\ntra hiệu lực vị trí – Đánh giá S_VSWR

\r\n\r\n

8.3.3.1 Yêu cầu đối\r\nvới anten

\r\n\r\n

8.3.3.1.1 Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Để cung cấp chiếu xạ\r\ncho tất cả các bề mặt phản xạ trong quá trình thực hiện thử nghiệm này và để mô\r\nphỏng độ lợi anten có tính hướng thấp có thể có ở nhiều EUT trong thực tế,\r\n8.3.3.1 qui định các đặc tính đối với thiết bị được dùng cho thử nghiệm S_VSWR.\r\nDữ liệu do nhà chế tạo cung cấp có thể được sử dụng để đánh giá xem các yêu cầu\r\nđối với thiết bị thử nghiệm có được đáp ứng hay không.

\r\n\r\n

8.3.3.1.2 Thiết bị\r\nthử nghiệm đối với qui trình S_VSWR tiêu chuẩn (8.3.3.3)

\r\n\r\n

8.3.3.1.2.1 Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Anten thu phải là\r\nphân cực tuyến tính, và cùng loại như được sử dụng cho phép đo phát xạ của EUT.\r\n

\r\n\r\n

Đối với anten phát,\r\ngóc chuẩn 0^o dùng để yêu cầu kỹ thuật về dạng là góc mà anten phát\r\nđối diện với anten thu (các mặt phẳng có độ mở song song); đây cũng được xem là\r\nhướng “ngắm thẳng”, _B.

\r\n\r\n

Anten được sử dụng làm\r\nnguồn phát phải là phân cực tuyến tính và có giản đồ bức xạ giống như lưỡng cực\r\ncó các đặc tính được mô tả chi tiết dưới đây. Dữ liệu về giản đồ bức xạ phải\r\nsẵn có với cỡ bước tần số nhỏ hơn hoặc bằng 1 GHz.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Giả thiết\r\nrằng anten cũng đáp ứng các yêu cầu ở các tần số khác được dùng cho thử nghiệm\r\nS_VSWR.

\r\n\r\n

8.3.3.1.2.2. Giản đồ\r\nbức xạ mặt phẳng E của anten phát

\r\n\r\n

Giản đồ bức xạ mặt\r\nphẳng E đối với một anten phân cực tuyến tính đơn giản có thể đo ở một trong\r\nnhiều mặt phẳng cắt có thể có (mặt phẳng phương vị không đổi) xung quanh hình cầu\r\nbức xạ. Mặt phẳng cắt dùng cho phép đo giản đồ bức xạ phải do nhà chế tạo anten\r\nchọn và được mô tả trong báo cáo đặc tính của anten. Một lựa chọn thuận lợi\r\nđiển hình là mặt phẳng chứa bộ nối và lối cáp.

\r\n\r\n

a) Chọn hướng của búp\r\nchính, được ký hiệu là _M, đối với bên\r\nphải và bên trái của từng giản đồ. _Mphải\r\nnằm tương ứng trong phạm vi giữa 0^o ± 15o và 180^o ± 15^o.

\r\n\r\n

b) Vẽ vùng được gọi\r\nlà vùng cấm, đối xứng với các hướng của búp chính ở cả hai phía của giản đồ bức\r\nxạ2\r\ntrong trường hợp biên độ là ≤ –3 dB đối với ±\r\n15^o.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Giới hạn\r\nnày đảm bảo giản đồ bức xạ bằng phẳng trong vùng ngắm thẳng và có đáp ứng mọi\r\nhướng chấp nhận được.

\r\n\r\n

c) Dạng mặt phẳng E\r\nkhông được đi vào vùng cấm.

\r\n\r\n

Hình 18 thể hiện một\r\nví dụ về giản đồ bức xạ đáp ứng các yêu cầu đã nêu của mặt phẳng E.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Biểu đồ ví\r\ndụ dùng cho anten đáp ứng các yêu cầu về mặt phẳng E của 8.3.3.1.2.2. Các hướng\r\ncủa búp chính, _M dùng cho bên\r\nphải và bên trái của từng giản đồ trong phạm vi tương ứng giữa 0^o ± 15^o và 180^o ± 15^o. Diện tích tô đậm thể\r\nhiện “vùng cấm” trong đó biên độ là ≤ –3 dB đối với ± 15^o của từng búp chính.\r\nDạng anten không đi vào vùng cấm.

\r\n\r\n

Hình\r\n18 – Ví dụ về giản đồ bức xạ mặt phẳng E của anten phát (ví dụ này chỉ dùng để\r\ntham khảo)

\r\n\r\n

8.3.3.1.2.3. Giản đồ\r\nbức xạ mặt phẳng H của anten phát

\r\n\r\n

Chỉ có một mặt phẳng\r\nở đó có thể đo dạng mặt phẳng H của anten lưỡng cực, đó là mặt phẳng vuông góc\r\nvới trục lưỡng cực cắt tâm của lưỡng cực. Mặt phẳng này có thể có bộ biến đổi\r\ncân bằng/không cân bằng, bộ nối đầu vào và cáp đầu vào, tùy thuộc vào việc sử\r\ndụng sợi kim loại hay sợi quang. Nhà chế tạo anten phải mô tả bố trí được sử\r\ndụng để đo giản đồ bức xạ kể cả fiđơ và vị trí bộ nối trong báo cáo thử nghiệm\r\nanten.

\r\n\r\n

a) Lấy trung bình dữ\r\nliệu giản đồ bức xạ (tính bằng dB) trong phạm vi ±135^o (0^o là góc ngắm thẳng, _B). Cỡ bước lớn nhất đối\r\nvới dữ liệu giản đồ bức xạ này là 5^o trong dải tần từ 1 GHz đến 6\r\nGHz, và 1^o trong dải tần từ 6 GHz đến 18 GHz.

\r\n\r\n

b) Giản đồ bức xạ không\r\nđược vượt quá độ lệch dưới đây so với giá trị trung bình ±135^o:

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Dải\r\n góc \r\n	\r\n 1\r\n GHz đến 6 GHz \r\n	\r\n 6\r\n GHz đến 18 GHz \r\n
\r\n -60^o\r\n đến 60^o \r\n	\r\n ±2 dB \r\n	\r\n ±3 dB \r\n
\r\n -60^o\r\n đến -135^o, 60^o đến 135^o \r\n	\r\n ±3 dB \r\n	\r\n ±4 dB \r\n
\r\n -135^o\r\n đến -180^o, 135^o đến 180^o \r\n	\r\n <\r\n +3 dB \r\n	\r\n <\r\n +4 dB \r\n

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Mặc dù\r\nkhông qui định ranh giới dưới trong giản đồ mặt phẳng H ở ngoài ±135^o nhưng mong muốn

\r\n\r\n

đối với giản đồ mặt\r\nphẳng H không thể hiện bằng “0” ở ±180^o\r\nmà càng nhiều hướng càng tốt. Phải tuân theo hướng dẫn do nhà chế tạo anten\r\ncung cấp, nếu sẵn có, về lối đi fiđơ và cột anten để giảm thiểu ảnh hưởng có\r\nthể có trong dạng mặt phẳng H bên ngoài ±135^o.

\r\n\r\n

Hình 19 thể hiện một\r\nví dụ về giản đồ bức xạ đáp ứng các yêu cầu đã nêu của mặt phẳng H.

\r\n\r\n

Hình\r\n19a – Giản đồ bức xạ mặt phẳng H của anten phát – 1 GHz đến 6 GHz

\r\n\r\n

Hình\r\n19b – Giản đồ bức xạ mặt phẳng H của anten phát – 6 GHz đến 18 GHz

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Biểu đồ ví\r\ndụ dùng cho anten đáp ứng các yêu cầu về mặt phẳng H. Diện tích tô đậm thể hiện\r\nđộ lệch cho phép lớn nhất nêu ở 8.3.3.1.2.3. Ví dụ về anten này đáp ứng các yêu\r\ncầu vì dạng này không đi vào vùng tô đậm.

\r\n\r\n

Hình\r\n19 – Ví dụ về giản đồ bức xạ mặt phẳng H của anten phát (ví dụ này chỉ để tham\r\nkhảo)

\r\n\r\n

8.3.3.1.3. Thiết bị\r\nthử nghiệm dùng cho qui trình S_VSWR thuận nghịch (8.3.3.4)

\r\n\r\n

Anten được dùng để\r\nphát từ thể tích thử nghiệm phải là loại giống như được sử dụng để đo phát xạ.\r\nPhải sử dụng đầu dò trường đẳng hướng loại mọi hướng có độ không đẳng hướng\r\nkhông quá 3 dB.

\r\n\r\n

8.3.3.2. Vị trí yêu\r\ncầu để thử nghiệm kiểm tra hiệu lực vị trí

\r\n\r\n

8.3.3.2.1. Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Thử nghiệm kiểm tra\r\nhiệu lực vị trí phải được thực hiện trong một thể tích có dạng hình trụ. Đáy\r\ncủa hình trụ được xác lập bởi bề mặt được dùng để đỡ EUT. Mặt trên cùng của\r\nhình trụ được chọn là độ cao lớn nhất mà EUT và cáp trên không thẳng đứng của\r\nEUT chiếm giữ. Đường kính trụ là đường kính lớn nhất yêu cầu để đặt EUT có cáp.\r\nĐối với cáp đi ra ngoài thể tích thử nghiệm, đoạn 30 cm của các cáp này được\r\nxem là thiết lập các kích thước của thể tích. Để chứa thiết bị đặt trên sàn mà\r\nthiết bị này không thể đặt được trên bề mặt đỡ, cho phép chiếu xạ thể tích thử\r\nnghiệm trong phạm vi độ cao đến 30 cm so với đáy của thể tích thử nghiệm bị cản\r\ntrở bởi lớp hấp thụ đặt trên mặt phẳng nền. Theo qui trình ở 8.3.3.3, S_VSWR\r\nđược đánh giá bằng cách đặt anten thu ở vị trí mà thể tích phải kiểm tra hiệu\r\nlực, và thay đổi vị trí nguồn phát qua các vị trí đã xác định. Một cách khác,\r\nsử dụng qui trình S_VSWR thuận nghịch, các vị trí được qui định trong\r\nđiều này được sử dụng để đặt đầu dò trường trong thể tích thử nghiệm.

\r\n\r\n

Các vị trí yêu cầu để\r\nthực hiện các phép đo S_VSWR phụ thuộc vào các kích thước của thể\r\ntích thử nghiệm. Mô tả chi tiết các yêu cầu về vị trí thử nghiệm có điều kiện\r\nđược nêu ở 8.3.3.5. S_VSWR được đánh giá cho từng vị trí và phân cực\r\nyêu cầu bằng thứ tự sáu phép đo dọc theo đường đến điểm chuẩn của anten thu.\r\nTất cả các vị trí yêu cầu có thể có được minh họa trên Hình 20 và Hình 21, kể\r\ncả các vị trí có điều kiện được mô tả ở 8.3.3.5. Thứ tự sáu phép đo dọc theo\r\nđường đến anten thu được thể hiện bằng các dấu chấm trong các hình này.

\r\n\r\n

CHÚ GIẢI

\r\n\r\n

d khoảng cách thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

Hình\r\n20 – Các vị trí đo S_VSWR trong mặt phẳng nằm ngang (xem 8.3.3.2.2 để\r\ncó bản mô tả)

\r\n\r\n

8.3.3.2.2 Mô tả các\r\nvị trí đo S_VSWR trong mặt phẳng nằm ngang (Hình 20)

\r\n\r\n

Điều này mô tả cách\r\ntìm các vị trí đo S_VSWR trong mặt phẳng nằm ngang được minh họa trên\r\nHình 20.

\r\n\r\n

a) Vị trí phía trước\r\n1-6 (F1 đến F6): Các vị trí phía trước nằm trên đường thẳng tính từ tâm của thể\r\ntích thử nghiệm đến điểm chuẩn của anten thu. Để định vị các vị trí này, đầu\r\ntiên định vị F6 kéo dài về phía trước của thể tích thử nghiệm, trên trục đo\r\ncách điểm chuẩn của anten thu một khoảng thử nghiệm d.

\r\n\r\n

F5 đến F1 được đo so\r\nvới F6 như sau, di chuyển xa dần anten thu:

\r\n\r\n

1) F5 = F6 + 2 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

2) F4 = F6 + 10 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

3) F3 = F6 + 18 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

4) F2 = F6 + 30 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

5) F1 = F6 + 40 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

b) Vị trí bên phải\r\n1-6 (R1 đến R6): Các vị trí này được định vị theo R6. R6 có được bằng cách xác\r\nđịnh phần kéo dài về bên phải của thể tích thử nghiệm (vị trí R1) sau đó di\r\nchuyển trên đường thẳng hướng về điểm chuẩn của anten thu 40 cm (xem Hình 20).

\r\n\r\n

R5 đến R1 được đo so\r\nvới R6 như sau, di chuyển xa dần anten thu:

\r\n\r\n

1) R5 = R6 + 2 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

2) R4 = R6 + 10 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

3) R3 = R6 + 18 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

4) R2 = R6 + 30 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

5) R1 = R6 + 40 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

c) Vị trí bên trái\r\n1-6 (L1 đến L6): Các vị trí này được định vị theo L6. L6 có được bằng cách xác\r\nđịnh phần kéo dài về bên trái của thể tích thử nghiệm (vị trí L1) sau đó di\r\nchuyển trên đường thẳng hướng về điểm chuẩn của anten thu 40 cm (xem Hình 20).

\r\n\r\n

L5 đến L1 được đo so\r\nvới L6 như sau, di chuyển xa dần anten thu:

\r\n\r\n

1) L5 = L6 + 2 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

2) L4 = L6 + 10 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

3) L3 = L6 + 18 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

4) L2 = L6 + 30 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

5) L1 = L6 + 40 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

d) Vị trí giữa 1-6\r\n(C1 đến C6): Các vị trí này được định vị theo C6. Vị trí C6 ở tâm của thể tích\r\nthử nghiệm. Vị trí C1 đến C6 cần phải thử nghiệm khi đường kính thể tích thử\r\nnghiệm lớn hơn 1,5 m (xem 8.3.3.5).

\r\n\r\n

C5 đến C1 được đo so\r\nvới C6 như sau, di chuyển xa dần anten thu:

\r\n\r\n

1) C5 = C6 + 2 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

2) C4 = C6 + 10 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

3) C3 = C6 + 18 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

4) C2 = C6 + 30 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

5) C1 = C6 + 40 cm so\r\nvới anten thu

\r\n\r\n

8.3.3.2.3. Mô tả các\r\nvị trí đo bổ sung S_VSWR (Hình 21)

\r\n\r\n

Ngoài các vị trí được\r\nthể hiện trên Hình 20, có thể yêu cầu mặt phẳng thử nghiệm S_VSWR ở\r\nmặt trên cùng của thể tích thử nghiệm tùy thuộc vào độ cao của thể tích thử\r\nnghiệm. Hình 21 minh họa phép đo độ cao bổ sung đối với phép đo S_VSWR.\r\nThử nghiệm ở độ cao thứ hai chỉ thực hiện ở vị trí phía trước.

\r\n\r\n

Bảng 5 đưa ra tóm tắt\r\ncác vị trí thử nghiệm. Trong Bảng 5, các vị trí được phân nhóm theo độ cao (h₁,\r\nh₂) và vị trí (trước, trái, phải, giữa). Đối với từng vị trí, điểm\r\nchuẩn được ký hiệu để sử dụng trong các phép tính yêu cầu bởi công thức (22).\r\nCác vị trí được ký hiệu là P_mnopq, trong đó chỉ số dưới ứng với tên\r\ngọi vị trí như được liệt kê trong cột thứ nhất của Bảng 5.

\r\n\r\n

CHÚ GIẢI

\r\n\r\n

h_a = phần\r\ncủa thể tích bị chặn bởi lớp hấp thụ đặt trên sàn (lớn nhất là 30 cm).

\r\n\r\n

h₁ = độ\r\ncao giữa thể tích thử nghiệm hoặc 1,0 m so với mặt dưới cùng của thể tích thử\r\nnghiệm, chọn giá trị thấp hơn.

\r\n\r\n

h₂ = độ\r\ncao mặt trên cùng của thể tích thử nghiệm và cần thử nghiệm khi h₂\r\ncách h1 ít nhất là 0,5 m (xem 8.3.3.5 để có mô tả chi tiết).

\r\n\r\n

Hình\r\n21 – Các vị trí S_VSWR (yêu cầu về độ cao)

\r\n\r\n

Bảng\r\n5 – Tên gọi vị trí thử nghiệm S_VSWR

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n Tên\r\n gọi vị trí \r\n	\r\n Vị\r\n trí \r\n	\r\n Độ\r\n cao \r\n	\r\n Phân\r\n cực \r\n	\r\n Vị\r\n trí chuẩn đối với d_ref (xem công thức (22)) \r\n	\r\n Vị\r\n trí so với điểm chuẩn \r\n
\r\n Vị\r\n trí phía trước (phía trước, h₁) ở độ cao thứ nhất \r\n
\r\n F1h1H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +40\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F1h1V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +40\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F2h1H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +30\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F2h1V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +30\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F3h1H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +18\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F3h1V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +18\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F4h1H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +10\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F4h1V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +10\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F5h1H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +2\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F5h1V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n +2\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n F6h1H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n =\r\n Vị trí chuẩn (phía trước, h₁) \r\n
\r\n F6h1V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h1 \r\n	\r\n =\r\n Vị trí chuẩn (phía trước, h₁) \r\n
\r\n Vị trí giữa (giữa,\r\n h₁) ở độ cao thứ nhất (nếu yêu cầu, xem 8.3.3.5) \r\n
\r\n C1h1H \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +40\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C1h1V \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +40\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C2h1H \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +30\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C2h1V \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +30\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C3h1H \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +18\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C3h1V \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +18\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C4h1H \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +10\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C4h1V \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +10\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C5h1H \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +2\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C5h1V \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n +2\r\n cm so với anten thu \r\n
\r\n C6h1H \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n =\r\n Vị trí chuẩn (giữa, h₁ ) \r\n
\r\n C6h1V \r\n	\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n C6h1 \r\n	\r\n =\r\n Vị trí chuẩn (giữa, h₁) \r\n
\r\n Vị trí bên phải ở\r\n độ cao thứ nhất \r\n
\r\n R1h1H \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +40 cm so với anten\r\n thu tại điểm kéo dài bên phải của thể tích thử nghiệm \r\n
\r\n R1h1V \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +40 cm so với anten\r\n thu tại điểm kéo dài bên phải của thể tích thử nghiệm \r\n
\r\n R2h1H \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +30 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R2h1V \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +30 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R3h1H \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +18 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R3h1V \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +18 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R4h1H \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +10 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R4h1V \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +10 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R5h1H \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +2 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R5h1V \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n +2 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n R6h1H \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n = Vị trí chuẩn (bên\r\n phải, h₁) \r\n
\r\n R6h1V \r\n	\r\n Bên\r\n phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n R6h1 \r\n	\r\n = Vị trí chuẩn (bên\r\n phải, h₁) \r\n
\r\n Vị trí bên trái ở\r\n độ cao thứ nhất \r\n				\r\n \r\n	\r\n \r\n
\r\n L1h1H \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +40 cm so với anten\r\n thu tại điểm kéo dài bên trái của thể tích thử nghiệm \r\n
\r\n L1h1V \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +40 cm so với anten\r\n thu tại điểm kéo dài bên trái của thể tích thử nghiệm \r\n
\r\n L2h1H \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +30 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L2h1V \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +30 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L3h1H \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +18 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L3h1V \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +18 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L4h1H \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +10 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L4h1V \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +10 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L5h1H \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +2 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L5h1V \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n +2 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n L6h1H \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n = Vị trí chuẩn (Bên\r\n trái, h₁) \r\n
\r\n L6h1V \r\n	\r\n Bên\r\n trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n L6h1 \r\n	\r\n = Vị trí chuẩn (bên\r\n trái, h₁) \r\n
\r\n Vị trí phía trước ở\r\n độ cao thứ hai (nếu yêu cầu, xem 8.3.3.5) \r\n
\r\n F1h2H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +40 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F1h2V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +40 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F2h2H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +30 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F2h2V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +30 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F3h2H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +18 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F3h2V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +18 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F4h2H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +10 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F4h2V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +10 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F5h2H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +2 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F5h2V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n +2 cm so với anten\r\n thu \r\n
\r\n F6h2H \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n =\r\n Vị trí chuẩn (phía trước, h₂) \r\n
\r\n F6h2V \r\n	\r\n Phía\r\n trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n F6h2 \r\n	\r\n =\r\n Vị trí chuẩn (phía trước, h₂) \r\n
\r\n CHÚ THÍCH: Có thể\r\n tiến hành các phép đo SVSWR theo thứ tự bất kỳ. \r\n

\r\n\r\n

8.3.3.3. Kiểm tra\r\nhiệu lực vị trí S_VSWR – Qui trình thử nghiệm tiêu chuẩn

\r\n\r\n

Trong qui trình dưới\r\nđây, các vị trí được ký hiệu là P_mnopq, trong đó các chỉ số dưới\r\ntương ứng với tên gọi vị trí được liệt kê ở cột đầu tiên của Bảng 5. Tín hiệu\r\nđo dược, M, là trường E thu được hoặc phép đo điện áp ở từng vị trí và được chỉ\r\nra tương tự bằng chỉ số là M_mnopq. Ví dụ, P_F1h1H là vị\r\ntrí F1, ở độ cao 1, phân cực ngang và tín hiệu đo của nó (tính bằng dB) được\r\ngọi là M_F1h1H.

\r\n\r\n

a) Đặt nguồn phát có\r\nđiểm chuẩn ở vị trí 6, độ cao 1, phân cực ngang (P_F6h1H). Đặt anten\r\nthu cũng theo phân cực ngang, ở khoảng cách thử nghiệm d, đo từ nguồn đến điểm\r\nchuẩn của anten thu. Lưu ý rằng độ cao của anten thu phải được đặt giống như độ\r\ncao của nguồn phát đối với tất cả các phép đo.

\r\n\r\n

b) Kiểm tra tín hiệu\r\nthu được hiển thị phải cao hơn ít nhất là 20 dB so với môi trường xung quanh và\r\ncao hơn tạp hiển thị của máy thu đo hoặc máy phân tích phổ trong toàn bộ dải\r\ntần cần đo. Nếu không, có thể sử dụng thiết bị khác (anten, cáp, máy phát tín\r\nhiệu, bộ khuếch đại sơ bộ) và/hoặc sử dụng dải tần thích hợp để duy trì mức 20\r\ndB cao hơn tạp sàn được hiển thị.

\r\n\r\n

c) Ghi lại mức tín\r\nhiệu đo được, M_F6h1H ở từng tần số. Có thể sử dụng phép đo rà hoặc\r\ncác nấc tăng của tần số tăng theo nấc. Nếu sử dụng các nấc tăng thì bước tần số\r\nphải là 50 MHz hoặc nhỏ hơn.

\r\n\r\n

d) Lặp lại bước a) và\r\nb) với nguồn phát ở năm vị trí còn lại như chỉ ra trong Bảng 6 (8.3.3.6) về\r\nphía trước, độ cao 1, phân cực ngang. Tổng cộng có sáu phép đo đối với phía\r\ntrước, độ cao 1, phân cực ngang (M_F1h1H đến M_F6h1H) thay\r\nđổi theo khoảng cách từ anten thu theo bước tăng như thể hiện trong Bảng 5.

\r\n\r\n

e) Thay đổi phân cực\r\ncủa nguồn phát và anten thu thành phân cực thẳng đứng và lặp lại qui trình trên\r\nvới các vị trí từ P_F1h1V đến P_F1h6V để thu được M_F1h1V\r\nđến M_F1h6V.

\r\n\r\n

f) Đối với tất cả các\r\nphép đo, chuẩn hóa dữ liệu trường E hoặc điện áp đo được với khoảng cách của vị\r\ntrí chuẩn được thể hiện trong Bảng 5, sử dụng công thức (22):

\r\n\r\n

M’_mnopq\r\n= M_mnopq+ 20log(dB) (22)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

d_mnopq là\r\nkhoảng cách thực đối với vị trí đo;

\r\n\r\n

d_ref là\r\nkhoảng cách đo được đến vị trí chuẩn;

\r\n\r\n

M_mnopq là\r\ntín hiệu đo được (trường E hoặc điện áp thu được) tính bằng dexiben. Lưu ý rằng\r\ntừng vị trí đo có vị trí chuẩn khác nhau tương ứng với vị trí 6, như chỉ ra\r\ntrong Bảng 5 đối với P_mnopq;

\r\n\r\n

M’_mnopq là\r\ndữ liệu trường E hoặc điện áp đo được bình thường hóa liên quan đến khoảng cách\r\ncủa vị trí chuẩn được thể hiện trong Bảng 5.

\r\n\r\n

g) Sử dụng công thức\r\n(20) hoặc công thức (21), tính S_VSWR đối với phân cực ngang. Sử dụng\r\ncông thức (21), S_VSWR, tính bằng dB có thể thu được bằng cách lấy\r\ntín hiệu thu được lớn nhất M_max,dB trừ đi tín hiệu thu được nhỏ nhất\r\nM_{min, dB} sau khi đã hiệu chỉnh khoảng cách cho sáu vị trí (bước f)).\r\nLặp lại phép tính để có được số đọc sử dụng phân cực thẳng đứng.

\r\n\r\n

h) S_VSWR\r\ncho từng phân cực phải thỏa mãn tiêu chí chấp nhận ở 8.3.2.

\r\n\r\n

i) Lặp lại các bước\r\ntừ a) đến h) cho vị trí trái và phải của thể tích thử nghiệm. Lưu ý rằng khi\r\nanten nguồn phát được di chuyển sang trái hoặc phải, hướng ngắm thẳng phải\r\nhướng tới anten thu. Tuy nhiên, anten thu phải duy trì đối diện với tâm (không\r\nhướng về các vị trí cạnh), giống với hướng mà anten sẽ đối diện trong quá trình\r\nđo được thực hiện trên EUT.

\r\n\r\n

j) Nếu có yêu cầu ở\r\n8.3.3.5, lặp lại qui trình trên đối với các phép đo ở vị trí giữa và đối với\r\ncác phép đo ở độ cao thứ hai. Khi thực hiện các phép đo ở độ cao thứ hai, anten\r\nthu phải ở cùng độ cao với anten phát.

\r\n\r\n

8.3.3.4. Kiểm tra hiệu lực\r\nvị trí V_VSWR – Qui trình thử nghiệm thuận nghịch sử dụng đầu dò\r\ntrường đẳng hướng

\r\n\r\n

Đối với các phòng thử\r\nđược chống nhiễu (tức là phòng hấp thụ hoàn toàn hoặc phòng bán hấp thụ) cho\r\nphép đánh giá S_VSWR sử dụng đầu dò trường đẳng hướng đặt ở vị trí\r\nyêu cầu ở Bảng 5 và chiếu xạ đến thể tích thử nghiệm bằng cùng một anten được\r\nsử dụng làm anten thu sau này trong thử nghiệm phát xạ. Với mục đích của tiêu\r\nchuẩn này, phương pháp này được gọi là phương pháp “thuận nghịch” để xác định S_VSWR.\r\nTrong qui trình thuận nghịch S_VSWR này, anten mà sau này được dùng\r\nlàm anten thu trong thử nghiệm phát xạ EUT được gọi là anten “phát”, vì nó sẽ\r\nđược sử dụng để phát đến đầu dò đặt trong thể tích thử nghiệm. Đầu dò trường\r\nđẳng hướng được yêu cầu để thỏa mãn các yêu cầu kỹ thuật về giản đồ bức xạ ở\r\n8.3.3.1. Đầu dò này phải thẳng hàng với phân cực của anten phát, tức là phải\r\nbiết vị trí và hướng của phần tử cảm biến bên trong đầu dò.

\r\n\r\n

Qui trình thử nghiệm\r\nkiểm tra hiệu lực vị trí S_VSWR thuận nghịch sử dụng đầu dò trường\r\nđẳng hướng như sau:

\r\n\r\n

a) Đặt đầu dò trường\r\nở vị trí phía trước 6, độ cao 1, phân cực ngang (P_F6h1H). Đặt anten\r\nphát ở khoảng cách thử nghiệm d như đo được từ đường bao của thể tích thử\r\nnghiệm đến điểm chuẩn của anten. Độ cao của anten phát phải bằng với độ cao của\r\nđầu dò ở mọi vị trí.

\r\n\r\n

b) Kiểm tra độ lớn\r\ncường độ trường là đủ để đầu dò thực hiện chức năng đúng. Để có hướng dẫn về\r\nthiết bị và qui trình cần thiết để thiết lập cường độ trường đúng, xem các yêu\r\ncầu kỹ thuật về vận hành của nhà chế tạo đối với đầu dò (độ nhạy và độ không\r\nđảm bảo đo thích hợp). Ngoài ra, hệ thống phát và hệ thống đầu dò cần được kiểm\r\ntra tính tuyến tính và các sóng hài phải được triệt đến mức tối thiểu là thấp\r\nhơn tín hiệu ban đầu 1,5 dB. Nên sử dụng bộ ghép nối định hướng để theo dõi\r\ncông suất tới trong quá trình thử nghiệm, vì sự biến đổi mức công suất đầu ra\r\nsẽ tạo nên biến đổi trong kết quả thử nghiệm. Điều quan trọng là cung cấp các\r\ntín hiệu đầu ra ổn định vì bất kỳ sự biến đổi tín hiệu nào do tính không ổn\r\nđịnh của nguồn tín hiệu (ví dụ, mối nối cáp xấu, thay đổi theo thời gian khởi\r\nđộng của bộ khuếch đại sơ độ, v.v…) đều dẫn đến các biến đổi kết quả (tức là\r\nkết quả SVSWR cao không thực tế).

\r\n\r\n

c) Ghi lại mức tín\r\nhiệu đo được, M_F6h1H ở từng tần số. Có thể sử dụng phép đo rà hoặc\r\ntăng tần số theo nấc. Nếu sử dụng tăng tần số theo nấc thì nấc tăng tần số phải\r\nlà 50 MHz hoặc nhỏ hơn.

\r\n\r\n

d) Lặp lại bước c)\r\nvới đầu dò trường ở năm vị trí còn lại như chỉ ra trong Bảng 6 (8.3.3.6) về\r\nphía trước, độ cao 1, phân cực ngang. Tổng cộng có sáu phép đo về phía trước,\r\nđộ cao 1, phân cực ngang (M_F1h1H đến M_F6h1H) thay đổi\r\ntheo khoảng cách từ anten thu theo nấc tăng như thể hiện trong Bảng 5.

\r\n\r\n

e) Thay đổi phân cực\r\ncủa đầu dò trường và anten phát thành phân cực thẳng đứng và lặp lại qui trình\r\ntrên với các vị trí từ P_F1h1V đến P_F1h6V để thu được M_F1h1V\r\nđến M_F6h1V.

\r\n\r\n

f) Đối với tất cả các\r\nphép đo, chuẩn hóa dữ liệu sử dụng công thức (22).

\r\n\r\n

g) Sử dụng công thức\r\n(20) hoặc công thức (21), tính S_VSWR đối với phân cực ngang. Sử dụng\r\ncông thức (21), S_VSWR, dB có thể thu được bằng cách lấy tín hiệu thu\r\nđược lớn nhất M_max,dB trừ đi tín hiệu thu được nhỏ nhất M_min,\r\ndB sau khi đã hiệu chỉnh khoảng cách cho sáu vị trí (bước f)). Lặp lại\r\nphép tính để có được số đọc sử dụng phân cực thẳng đứng.

\r\n\r\n

h) S_VSWR\r\ncho cả hai phân cực phải thỏa mãn tiêu chí chấp nhận ở 8.3.2.

\r\n\r\n

i) Lặp lại qui trình\r\ntrên cho vị trí trái và phải của thể tích thử nghiệm. Lưu ý rằng đối với qui\r\ntrình S_VSWR thuận nghịch này, đầu dò có thể được điều chỉnh để duy\r\ntrì hướng không đổi đối diện với điểm chuẩn của anten phát. Tuy nhiên, anten\r\nphát phải duy trì đối diện với tâm của thể tích thử nghiệm (không hướng về các\r\nvị trí cạnh), giống với hướng mà anten sẽ đối diện trong quá trình đo được thực\r\nhiện trên EUT.

\r\n\r\n

j) Nếu có yêu cầu ở\r\n8.3.3.5, lặp lại qui trình trên đối với các phép đo ở vị trí giữa và đối với\r\ncác phép đo ở độ cao thứ hai. Khi thực hiện các phép đo ở độ cao thứ hai, đầu\r\ndò phải ở cùng độ cao với anten phát.

\r\n\r\n

8.3.3.5. Yêu cầu đối\r\nvới vị trí thử nghiệm có điều kiện

\r\n\r\n

Như chỉ ra trên Hình\r\n20, Hình 21 và Bảng 5, các vị trí thử nghiệm bổ sung đòi hỏi cần thử nghiệm phụ\r\nthuộc vào kích cỡ của thể tích thử nghiệm. Hình 22 thể hiện lưu đồ xác định\r\nviệc yêu cầu các phép đo bổ sung này.

\r\n\r\n

Khi yêu cầu vị trí\r\nthử nghiệm bổ sung thì S_VSWR cần xác định ở từng tần số thử nghiệm\r\ntừ từng nhóm trong sáu phép đo độc lập đối với phân cực ngang và phân cực thẳng\r\nđứng sử dụng qui trình ở 8.3.3.3 hoặc 8.3.3.4.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Không yêu\r\ncầu thực hiện các phép đo này theo thứ tự như được chỉ ra mà có thể thực hiện\r\ntheo bất kỳ thứ tự nào sao cho thu được tất cả các dữ liệu yêu cầu.

\r\n\r\n

Hình\r\n22 – Yêu cầu về vị trí thử nghiệm có điều kiện

\r\n\r\n

8.3.3.6. Báo cáo thử\r\nnghiệm kiểm tra hiệu lực vị trí S_VSWR

\r\n\r\n

Bảng 6 liệt kê bản\r\ntóm tắt tất cả các phép đo và phép tính S_VSWR yêu cầu, kể cả các kết\r\nquả từ các vị trí yêu cầu và vị trí có điều kiện ở 8.3.3.5.

\r\n\r\n

Phép tính S_VSWR\r\ntrước đó và các yêu cầu trong báo cáo áp dụng cho từng tần số thử nghiệm.

\r\n\r\n

Bảng\r\n6 – Yêu cầu trong báo cáo S_VSWR

\r\n Vị\r\n trí \r\n	\r\n Độ\r\n cao \r\n	\r\n Phân\r\n cực \r\n	\r\n Loại \r\n	\r\n S_VSWR \r\n dB \r\n
\r\n Phía trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Yêu\r\n cầu \r\n	\r\n =Max\r\n (M′F1h1H…M′F6h1H) – Min (M′F1h1H…M′F6h1H) \r\n
\r\n Phía trước \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n Yêu\r\n cầu \r\n	\r\n =Max\r\n (M′F1h1V…M′F6h1V) – Min (M′F1h1V…M′F6h1V) \r\n
\r\n Bên phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Yêu\r\n cầu \r\n	\r\n =Max\r\n (M′R1h1H…M′R6h1H) – Min (M′R1h1H…M′R6h1H) \r\n
\r\n Bên phải \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n Yêu\r\n cầu \r\n	\r\n =Max\r\n (M′R1h1V…M′R6h1V) – Min (M′R1h1V…M′R6h1V) \r\n
\r\n Bên trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Yêu\r\n cầu \r\n	\r\n =Max\r\n (M′L1h1H…M′L6h1H) – Min (M′L1h1H…M′L6h1H) \r\n
\r\n Bên trái \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n Yêu\r\n cầu \r\n	\r\n =Max\r\n (M′L1h1V…M′L6h1V) – Min (M′L1h1V…M′L6h1V) \r\n
\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Có\r\n điều kiện \r\n	\r\n =Max\r\n (M′C1h1H…M′C6h1H) – Min (M′C1h1H…M′C6h1H) \r\n
\r\n Giữa \r\n	\r\n h₁ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n Có\r\n điều kiện \r\n	\r\n =Max\r\n (M′C1h1V…M′C6h1V) – Min (M′C1h1V…M′C6h1V) \r\n
\r\n Phía trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Ngang \r\n	\r\n Có\r\n điều kiện \r\n	\r\n =Max\r\n (M′F1h2H…M′F6h2H) – Min (M′F1h2H…M′F6h2H) \r\n
\r\n Phía trước \r\n	\r\n h₂ \r\n	\r\n Thẳng \r\n	\r\n Có\r\n điều kiện \r\n	\r\n =Max (M′F1h2V…M′F6h2V)\r\n – Min (M′F1h2V…M′F6h2V) \r\n

\r\n\r\n

8.3.3.7. Giới hạn của\r\nphương pháp kiểm tra hiệu lực vị trí S_VSWR

\r\n\r\n

Điểm đo được chọn đối\r\nvới 8.3.3.2 và có trong qui trình trước đó nhằm cung cấp thước đo tổng thể của\r\nS_VSWR của vị trí thử nghiệm trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz. Tuy\r\nnhiên, lưu ý rằng S_VSWR đỉnh không phải lúc nào cũng có thể có được\r\nkhi sử dụng qui trình ở 8.3.3.3 hoặc 8.3.3.4 ở tần số qui định f bất kỳ. Do đó,\r\nnên tránh công bố sự phù hợp của S_VSWR dựa vào các phép đo ở tần số\r\nđơn lẻ bất kỳ. Tuy nhiên, đỉnh tìm được bằng qui trình ở trên theo quãng tám\r\nliền kề (0,5f đến 2f) là đại diện điển hình của trường hợp xấu nhất S_VSWR\r\nvới tất cả các tần số có trong dải tần.

\r\n\r\n

Trong trường hợp mong\r\nmuốn kết quả S_VSWR chính xác hơn ở tần số đơn lẻ, phương pháp trên\r\ncó thể được cải thiện bằng cách đo nhiều hơn sáu vị trí dọc theo đường thẳng\r\nđược thể hiện trên Hình 20 và Hình 21. Các điểm thu thập dữ liệu bổ sung cần\r\ncách không đều nhau và được chọn dựa vào khoảng cách truyền của anten nguồn\r\n(hoặc đầu dò trường trong phương pháp S_VSWR thuận nghịch) nhờ sử\r\ndụng các nấc một phần tư bước sóng ở tần số cần xét.

\r\n\r\n

8.4.\r\nVị trí thử nghiệm thay thế

\r\n\r\n

Vị trí đo bất kỳ đạt\r\nđược điều kiện không gian tự do đều có thể là vị trí thử nghiệm thay thế.

\r\n\r\n

9. Thiết bị hấp thụ\r\nphương thức chung

\r\n\r\n

9.1.\r\nYêu cầu chung

\r\n\r\n

Thiết bị hấp thụ\r\nphương thức chung (CMAD) được đặt vào cáp đi ra khỏi thể tích thử nghiệm trong\r\nphép đo phát bức xạ. CMAD được sử dụng trong phép đo phát bức xạ để giảm các\r\nbiến động trong kết quả đo giữa hai vị trí thử nghiệm khác nhau, do các giá trị\r\nkhác nhau có thể có của trở kháng phương thức chung và đối xứng tại điểm cáp đi\r\nra khỏi vị trí thử nghiệm (ví dụ, tâm bàn quay). Đặc tính cơ bản của CMAD có\r\nthể được thể hiện bằng tham số S. Các đại lượng đặc trưng được suy ra như tổn\r\nhao xen hoặc hệ số phản xạ có thể được xác định từ các tham số S này. Điều này\r\nqui định phương pháp đo dùng để kiểm tra hiệu lực tham số S của CMAD.

\r\n\r\n

9.2.\r\nPhép đo tham số S của CMAD

\r\n\r\n

Tham số S đo được\r\ntrong cơ cấu thử nghiệm như qui định ở 9.3 được sử dụng để đặc trưng cho các\r\nđặc điểm của CMAD. Các giá trị của tham số phức S được đánh giá ở các mặt phẳng\r\nchuẩn được chỉ ra trên Hình 23. Phương pháp chuẩn để đo tham số S với độ chính\r\nxác cao nhất có thể sử dụng bộ phân tích mạng vectơ (VNA) và phương pháp hiệu\r\nchuẩn TRL như mô tả ở 9.4.

\r\n\r\n

9.3.\r\nĐồ gá thử nghiệm CMAD

\r\n\r\n

Đồ gá thử nghiệm dùng\r\nđể đo tham số S của CMAD cần thử nghiệm phải là thanh kim loại hình trụ đặt\r\nphía trên mặt phẳng nền bằng kim loại, như chỉ ra trên Hình 23. Thanh kim loại\r\nnằm giữa các mặt bích thẳng đứng của đồ gá thử nghiệm gồm có ba phần: một phần\r\ntạo thành đường truyền trong đồ gá giữa hai mặt phẳng chuẩn và hai phần của bộ\r\nthích nghi giữa các mặt phẳng chuẩn và các cổng của bộ thích nghi.

\r\n\r\n

Các ảnh hưởng lên\r\nphép đo của CMAD từ các phần của bộ thích nghi và các cổng của bộ thích nghi có\r\nthể bị loại bỏ bằng cách sử dụng phương pháp hiệu chuẩn TRL mô tả ở 9.4, tạo ra\r\nđộ không đảm bảo đo thấp đối với phép đo kết thúc. Có thể sử dụng bộ thích nghi\r\nloại bất kỳ để đo theo 9.4. Ví dụ về bộ thích nghi được chỉ ra trên các hình từ\r\nHình 26 đến Hình 28 (xem 9.6).

\r\n\r\n

Đường kính d của\r\nthanh hình trụ phải là 4 mm. Độ cao so với mặt phẳng nền h được xác định theo\r\ncác kích thước của CMAD. Các giá trị điển hình là 30 mm, 65 mm, và 90 mm. Phải\r\nthực hiện phép đo ở độ cao xác định bởi kết cấu của CMAD. Khoảng cách giữa mặt\r\nphẳng chuẩn và mặt bích thẳng đứng của đồ gá (phần của bộ thích nghi) LA phải\r\nít nhất là 2 h (xem Hình 23). Khoảng cách giữa các mặt phẳng chuẩn và các đầu\r\nCMAD, DA và DB, càng nhỏ càng tốt nhưng không lớn hơn h. Mặt phẳng nền bằng kim\r\nloại của cơ cấu thử nghiệm phải lớn hơn (L_jig + 4 h) theo chiều dài\r\nvà lớn hơn 4 h theo chiều rộng.

\r\n\r\n

Trở kháng đặc tính, Z_ref,\r\nđược cho bởi đường kính bên trong của dây, d (mặc định là 4 mm) và bởi độ cao\r\ntính từ tâm của thanh đến mặt phẳng nền, h:

\r\n\r\n

Z_ref\r\n= cosh-1 tính\r\nbằng W (23)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

Z₀ là trở\r\nkháng không gian tự do (120W),\r\ntính bằng W;

\r\n\r\n

d là đường kính ruột\r\ndẫn thử nghiệm (mặc định là 4 mm);

\r\n\r\n

h là độ cao tính từ\r\ntâm của ruột dẫn thử nghiệm đến mặt phẳng nền.

\r\n\r\n

Ví dụ: Giá trị điển\r\nhình của Z_ref đối với các độ cao khác nhau h là:

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n h = 30 mm \r\n	\r\n >> \r\n	\r\n Z_ref =\r\n 204 Ω \r\n
\r\n h = 65 mm \r\n	\r\n >> \r\n	\r\n Z_ref =\r\n 248 Ω \r\n
\r\n h = 90 mm \r\n	\r\n >> \r\n	\r\n Z_ref =\r\n 270 Ω \r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n23 – Xác định mặt phẳng chuẩn bên trong đồ gá thử nghiệm

\r\n\r\n

9.4.\r\nPhương pháp đo sử dụng hiệu chuẩn TRL

\r\n\r\n

Phương pháp hiệu\r\nchuẩn truyền qua-phản xạ-đường dây (TRL) được khuyến cáo để đo tham số S của\r\nCMAD. Sử dụng qui trình hiệu chuẩn này để chọn mặt phẳng chuẩn bên trong cơ cấu\r\nthử nghiệm sao cho mặt phẳng chuẩn ở sát với vị trí sẽ đặt CMAD cần thử nghiệm\r\nvà do đó khoảng cách DA và DB có thể được giảm thiểu (xem Hình 23). Việc hiệu\r\nchuẩn đòi hỏi một thanh kim loại (gọi là “dây”) có đường kính và độ cao bằng\r\nvới phần đường truyền của cơ cấu thử nghiệm. Trở kháng đặc tính và chiều dài\r\ncủa phần đường truyền cần biết chính xác và được đưa vào dữ liệu hiệu chuẩn\r\nđược sử dụng trong phần mềm của VNA hoặc các phép tính hiệu chỉnh bên ngoài.

\r\n\r\n

Chiều dài của phần\r\nđường dây được sử dụng cho qui trình hiệu chuẩn TRL xác định dải tần trong đó\r\nthực hiện việc hiệu chuẩn TRL. Giới hạn tần số này có được từ qui trình toán\r\nhọc được sử dụng trong phương pháp hiệu chuẩn TRL, trong đó, tại một số tần số\r\nđiều kiện “chia cho zero” (hoặc các giá trị vô cùng nhỏ) là có thể xảy ra và\r\ncần phải tránh.

\r\n\r\n

Nếu chiều dài của\r\n“đường dây” chuẩn là L thì dải tần phải được giới hạn từ tần số thấp đến tần số\r\ncao f_Lvà f_H như sau:

\r\n\r\n

f_L\r\n= 0,05 (24)

\r\n\r\n

f_H\r\n= 0,45 (25)

\r\n\r\n

trong đó c = 3x10⁸\r\nm/s. Chiều dài “đường dây” bằng 0,6 m là thích hợp để hiệu chuẩn trong dải tần\r\ntừ 30 MHz đến 200 MHz. Nếu phép đo phải mở rộng đến các tần số cao hơn thì cần\r\nhiệu chuẩn “đường dây” lần thứ hai. Việc hiệu chuẩn thứ hai với chiều dài\r\n“đường dây” bằng 0,12 m là thích hợp cho dải tần từ 150 MHz đến 1 000 MHz.

\r\n\r\n

Cần bốn cấu hình hiệu\r\nchuẩn đối với phương pháp hiệu chuẩn TRL, như sau:

\r\n\r\n

a) “Phản xạ” (cổng\r\nA): Đo giá trị phức S₁₁ của phần của bộ thích nghi và bộ thích nghi\r\nmà không có bất kỳ dây nối nào khác (mô phỏng điều kiện mạch hở) [(Hình 24a)]

\r\n\r\n

b) “Phản xạ” (cổng\r\nB): Đo giá trị phức S₂₂ của phần của bộ thích nghi và bộ thích nghi\r\nmà không có bất kỳ dây nối nào khác (mô phỏng điều kiện mạch hở) [(Hình 24b)]

\r\n\r\n

c) “Truyền qua”: Đo\r\ngiá trị phức S₁₁, S₁₂, S₂₁, S₂₂ có\r\nhai phần của bộ thích nghi và bộ thích nghi được nối trực tiếp với nhau (không\r\ncó phần đường dây ở giữa) [(Hình 24c)]

\r\n\r\n

d) “Đường dây”: Đo\r\ngiá trị phức S₁₁, S₁₂, S₂₁, S₂₂ có\r\nđưa vào phần đường dây [(Hình 24d)]

\r\n\r\n

Các phép đo hiệu\r\nchuẩn cho 10 số phức với từng điểm tần số. Nếu VNA có phần mềm dùng cho phép đo\r\nTRL thì VNA sẽ sử dụng các phép đo chuẩn này để tính các hiệu chỉnh chính xác\r\ncho phép đo TRL. Nếu VNA không hỗ trợ việc hiệu chuẩn TRL thì việc hiệu chỉnh\r\ncần thiết có thể được thực hiện độc lập với VNA theo qui trình được mô tả trong\r\nCISPR/TR 16-3.

\r\n\r\n

Không cần phải biết\r\ncác đặc tính của các phần của bộ thích nghi và các cổng của bộ thích nghi bên\r\nngoài mặt phẳng hiệu chuẩn đối với việc hiệu chuẩn TRL; các đặc tính này được\r\nđo trong qui trình hiệu chuẩn và được bù đúng bởi việc hiệu chuẩn TRL. Các bộ\r\nthích nghi loại khác có thể được sử dụng. Nên sử dụng các bộ thích nghi cùng\r\nloại và phần của bộ thích nghi cùng chiều dài trên cả hai đầu của cơ cấu thử\r\nnghiệm. Khuyến cáo rằng hai phần của bộ thích nghi là cùng chiều dài, tức là L_A\r\n= L_B.

\r\n\r\n

Sau khi hiệu chuẩn,\r\nCMAD cần thử nghiệm được đưa vào phần đường dây của cơ cấu thử nghiệm. Các phần\r\ncủa bộ thích nghi và bộ thích nghi phải giống như được sử dụng cho hiệu chuẩn.\r\nChiều dài của thanh kim loại có thể khác với chiều dài của “đường dây” được sử\r\ndụng để hiệu chuẩn nhưng đường kính (4 mm) và độ cao so với mặt phẳng nền phải\r\ngiống như khi được sử dụng cho việc hiệu chuẩn.

\r\n\r\n

Thanh kim loại bên\r\ntrong CMAD cần được định vị càng chính xác càng tốt ở tâm của cơ cấu hấp thụ\r\nphương thức chung hở. Chiều dài của thanh kim loại có thể chọn sao cho mặt\r\nphẳng chuẩn tương ứng với các đầu vật lý của CMAD (tức là D_A càng\r\nnhỏ càng tốt). CMAD điển hình có chiều dài bằng 0,6 m. Trong trường hợp này,\r\nphần đường thẳng 4 mm có thể được sử dụng để đo CMAD (kể cả dải tần trên 200\r\nMHz, được hiệu chuẩn bằng phần đường dây ngắn hơn). Kết quả đo đối với CMAD cần\r\nthử nghiệm sử dụng phép đo VNA được hiệu chỉnh bằng việc hiệu chuẩn TRL là tập\r\nhợp của bốn tham số S được qui về trở kháng đặc tính của phần đường truyền (cơ\r\ncấu thử nghiệm rỗng, Z_{0_jig}.

\r\n\r\n

Hình\r\n24a: Cấu hình dùng cho phép đo hiệu chuẩn “cổng phản xạ A”

\r\n\r\n

Hình\r\n24b: Cấu hình dùng cho phép đo hiệu chuẩn “cổng phản xạ B”

\r\n\r\n

Hình\r\n24c: Cấu hình dùng cho phép đo hiệu chuẩn “truyền qua”

\r\n\r\n

Hình\r\n24d: Cấu hình dùng cho phép đo hiệu chuẩn “đường thẳng”

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Chiều dài\r\nL của đường chuẩn đối với hiệu chuẩn không cần giống như chiều dài được sử dụng\r\ncho phép đo CMAD. Chiều dài của đường chuẩn dùng cho qui trình hiệu chuẩn được\r\nchọn theo dải tần cần thiết.

\r\n\r\n

Hình\r\n24 – Bốn cấu hình dùng để hiệu chuẩn TRL

\r\n\r\n

9.5.\r\nYêu cầu kỹ thuật của CMAD kiểu kẹp ferit

\r\n\r\n

CMAD kiểu kẹp ferit\r\nđược dùng trong phép đo bức xạ dưới 1 GHz để giảm độ không đảm bảo sự phù hợp.\r\nĐặc tính của CMAD được đo theo các điều khoản của 9.1 đến 9.3 và tham chiếu đến\r\ntrở kháng đặc trưng của đồ gá rỗng Z_0,jig.

\r\n\r\n

So sánh CMAD kiểu kẹp\r\nferit sẵn có chỉ ra rằng biên độ của S₂₁ nhỏ hơn 0,25 được yêu cầu\r\nđể cung cấp đủ khử ghép. Các giá trị này có thể đạt được với CMAD có biên độ\r\nbằng S₁₁, như thể hiện trên Hình 25. CMAD kiểu kẹp ferit phải đáp\r\nứng các yêu cầu kỹ thuật sau:

\r\n\r\n

a) biên độ của S₂₁\r\nphải nhỏ hơn 0,25 ở dải tần từ 30 MHz đến 200 MHz;

\r\n\r\n

b) biên độ của S₁₁\r\nphải nằm trong dải giới hạn dưới đây trong dải tần từ 30 MHz đến 200 MHz:

\r\n\r\n

- giới hạn trên 0,75\r\nở 30 MHz và 0,55 ở 200 MHz (giảm tuyến tính với loga của tần số);

\r\n\r\n

- giới hạn dưới 0,6 ở\r\n30 MHz và 0,4 ở 200 MHz (giảm tuyến tính với loga của tần số).

\r\n\r\n

Hình\r\n25 – Giới hạn dùng cho biên độ bằng S11, đo theo các điều khoản của 9.1 đến 9.3

\r\n\r\n

Không đòi hỏi yêu cầu\r\nkỹ thuật trong dải tần từ 200 MHz đến 1 000 MHz vì phép đo phát bức xạ không bị\r\nảnh hưởng nghiêm trọng bởi các điều kiện của đầu nối cáp ở tần số này.

\r\n\r\n

Lý do để sử dụng tham\r\nsố S cho yêu cầu kỹ thuật của CMAD loại kẹp ferit được nêu ở 4.9 của CISPR/TR\r\n16-3, sửa đổi 2.

\r\n\r\n

9.6\r\nKiểm tra tính năng của CMAD (sự suy giảm) bằng cách sử dụng bộ phân tích phổ\r\n(SA) và bộ phát đồng chỉnh (TG)

\r\n\r\n

Không thể đo tham số\r\nphức S của CMAD mà không sử dụng VNA. Tuy nhiên, dụng cụ đo VNA có thể không\r\nsẵn có trong tất cả các phòng thử nghiệm EMC. Đối với các phòng thử nghiệm\r\nkhông tiếp cận với dụng cụ đo VNA thì phương pháp đơn giản hơn để kiểm tra chức\r\nnăng của CMAD được xác định trong điều này, sử dụng máy phân tích phổ có bộ\r\nphát đồng chỉnh. Bố trí dụng cụ đo này chỉ đo độ lớn của tổn hao xen nhưng giá\r\ntrị đo được này không liên quan trực tiếp đến tham số S được đo ở các mặt phẳng\r\nchuẩn chỉ ra trên Hình 23. Tuy nhiên, phòng thử nghiệm EMC có thể lặp lại định\r\nkỳ cùng một phép đo tổn hao xen với bố trí thử nghiệm trong nhà, sử dụng cùng\r\nđiều kiện như vậy (trở kháng và dạng hình học của bố trí thử nghiệm) và ghi lại\r\nrồi so sánh với các kết quả trước đó để xác định xem CMAD có ở điều kiện chấp\r\nnhận được hay không. Sự suy giảm tính năng của CMAD có thể được phát hiện theo\r\ncách này. Nếu xuất hiện sự suy giảm nào đó thì phép đo chuẩn phải được thực hiện\r\nsử dụng VNA với phương pháp hiệu chuẩn TRL ở 9.4.

\r\n\r\n

Có thể sử dụng kết\r\ncấu bất kỳ của bộ thích nghi (Hình 23, Hình 24, Hình 26 đến Hình 28) để kiểm\r\ntra tính năng/sự suy giảm. Để tránh các hiệu ứng cộng hưởng trong cáp giữa cơ\r\ncấu thử nghiệm và dụng cụ đó, cần thêm hai bộ suy giảm 10 dB gần mối nối của cơ\r\ncấu thử nghiệm trong quá trình kiểm tra tính năng này.

\r\n\r\n

a) Khi sử dụng bộ\r\nthích nghi 50 W (Hình 26), phép đo\r\ntổn hao xen để kiểm tra tính năng/sự suy giảm là chênh lệch tính bằng dB giữa\r\ncác phép đo tổn hao đối với hai cấu hình sau:

\r\n\r\n

1) Cấu hình 1: đấu\r\nnối trực tiếp hai bộ suy giảm mà không có cơ cấu thử nghiệm.

\r\n\r\n

2) Cấu hình 2: hai bộ\r\nsuy giảm nối với cơ cấu thử nghiệm có CMAD.

\r\n\r\n

b) Nếu sử dụng các bộ\r\nthích nghi thích ứng (Hình 27 hoặc Hình 28) thì phép đo tổn hao xen để kiểm tra\r\ntính năng suy giảm là chênh lệch giữa sự suy giảm đo được đối với hai cấu hình\r\nsau:

\r\n\r\n

1) Cấu hình 1: hai bộ\r\nsuy giảm nối với đồ gá thử nghiệm không có CMAD (cơ cấu rỗng);

\r\n\r\n

2) Cấu hình 2: hai bộ\r\nsuy giảm nối với đồ gá thử nghiệm có CMAD.

\r\n\r\n

Kích\r\nthước tính bằng milimét

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Phía đáy\r\ncủa mặt bích thẳng đứng có liên kết điện với mặt phẳng nền bằng kim loại.

\r\n\r\n

Hình\r\n26 – Ví dụ về kết cấu bộ thích nghi 50 W trong mặt bích thẳng đứng của đồ gá thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Nếu nấc\r\ngiữa của cổng cân bằng có nối với vỏ của bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng\r\nthì phải ngắt ra.

\r\n\r\n

Hình\r\n27 – Ví dụ về bộ thích nghi thích ứng với bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng\r\nhoặc máy biến áp

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n h \r\n mm \r\n	\r\n Z_{0_jig} \r\n W \r\n	\r\n R₁ \r\n W \r\n	\r\n R₂ \r\n W \r\n
\r\n 30 \r\n	\r\n 204 \r\n	\r\n 57,6 \r\n	\r\n 177,3 \r\n
\r\n 65 \r\n	\r\n 248 \r\n	\r\n 56,0 \r\n	\r\n 221,6 \r\n
\r\n 90 \r\n	\r\n 270 \r\n	\r\n 55,4 \r\n	\r\n 243,7 \r\n

\r\n\r\n

Hình\r\n28 – Ví dụ về bộ thích nghi thích ứng có mạng phối hợp trở kháng

\r\n\r\n

Phụ lục A

\r\n\r\n

(qui\r\nđịnh)

\r\n\r\n

Tham số của anten

\r\n\r\n

A.1. Qui định chung

\r\n\r\n

Các tài liệu CISPR\r\nkhác nhau qui định các anten cụ thể cần sử dụng để thực hiện phép đo. Có thể sử\r\ndụng các kiểu anten khác với điều kiện là các kết quả là tương đương với các\r\nkết quả thu được với anten được qui định. Việc so sánh các anten này với anten\r\nđược qui định sẽ được thêm vào bằng cách liệt kê các tham số thích hợp. Các\r\ntham số này phải được qui định là một phần của tiêu chí chấp nhận của CISPR bất\r\nkỳ của kiểu anten mới. Nhà chế tạo anten cũng phải sử dụng thông tin này làm\r\nhướng dẫn trong việc qui định các khía cạnh hữu ích nhất của anten khi thực\r\nhiện phép đo phát bức xạ. Nhà chế tạo cần cung cấp các thông tin chung cho từng\r\nmẫu anten bao gồm các tham số sau: hệ số anten trong không gian tự do trong hệ\r\nthống 50 W, tổn hao đường về,\r\ngiản đồ bức xạ ở quãng tần số đủ để chỉ ra các thay đổi đáng kể (bao gồm thông\r\ntin về độ rộng búp sóng), và tần số phụ thuộc vào các giá trị độ không đảm bảo\r\nđo để tính độ lệch từ hệ số anten trong không gian tự do gây ra bởi ghép nối\r\ntương hỗ với mặt phẳng nền khi anten được quét ở độ cao từ 1 m đến 4 m.

\r\n\r\n

A.2. Anten được ưu\r\ntiên

\r\n\r\n

A.2.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Nếu có sự không phù\r\nhợp được đưa ra với giới hạn trường E thì giá trị đo được bằng anten có độ\r\nkhông đảm bảo đo thấp được ưu tiên. Anten có độ không đảm bảo đo thấp là anten\r\nmà với nó cường độ trường trong bố trí thử nghiệm CISPR có thể đo được với độ\r\nkhông đảm bảo đo thấp hơn yêu cầu đối với các anten khác đáp ứng các tiêu chí\r\nđộ chính xác về cường độ trường ở 4.2. Anten có độ không đảm bảo đo thấp được\r\nmô tả ở A.2.3.

\r\n\r\n

A.2.2. Anten tính\r\nđược

\r\n\r\n

Anten lưỡng cực tiêu\r\nchuẩn tính được đạt được độ không đảm bảo đo thấp nhất đối với các phép đo\r\ntrường E. Hệ số anten có thể tính được đối với không gian tự do và ở độ cao và\r\nphân cực bất kỳ bên trên mặt phẳng nền xác định rõ. TCVN 6989-1-5 (CISPR\r\n16-1-5) mô tả nguyên tắc của lưỡng cực tiêu chuẩn tính được, trong đó chỉ mô tả\r\nđiều kiện cộng hưởng. Tuy nhiên, sử dụng mô hình điện từ bằng số có sẵn có thể\r\ntính được hệ số anten đối với một chiều dài lưỡng cực duy nhất trong dải rộng\r\ncủa tần số với độ không đảm bảo đo nhỏ hơn ±0,3\r\ndB. Ví dụ, đối với phép đo ở 30 MHz, có thể sử dụng lưỡng cực cộng hưởng ở 80\r\nMHz. Nguyên tắc này có thể được mở rộng cho anten nhiều dây bao trùm độ rộng\r\nbăng tần rộng hơn.

\r\n\r\n

A.2.3. Anten có độ\r\nkhông đảm bảo đo thấp

\r\n\r\n

Anten độ không đảm\r\nbảo đo thấp là anten hình nón kép và anten LPDA có tham số cơ bản được mô tả\r\ntrong đoạn tiếp theo. Chúng là các anten dải rộng và có độ nhạy hợp lý, tức là\r\nhệ số anten không quá cao. Có thể sử dụng các lưỡng cực tính được và có thể có\r\nđộ không đảm bảo đo thấp nhất. Đáp ứng phân cực chéo phải đáp ứng các yêu cầu ở\r\n4.5.5 và bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng phải đáp ứng các yêu cầu được chỉ\r\nra ở 4.5.4. Hệ số anten phải được xác định bởi phòng thử nghiệm hiệu chuẩn cung\r\ncấp tính liên kết chuẩn cho chuẩn quốc gia và được chọn để giảm thiểu độ không\r\nđảm bảo đo của việc xác định hệ số anten.

\r\n\r\n

Kiểu được phê chuẩn\r\nlà anten hình nón kép được sử dụng trong dải tần từ 30 MHz đến 250 MHz và anten\r\nLPDA trong dải tần từ 250 MHz đến 1 GHz. Lý do đối với tần số chuyển giao này\r\nlà anten LPDA có sai số tâm pha do chiều dài của nó, bị giảm khi bắt đầu ở 250\r\nMHz và hầu hết các anten hình nón kép bị ảnh hưởng bởi cộng hưởng ở tần số trên\r\n290 MHz và thể hiện giản đồ bức xạ biến dạng ở tần số 260 MHz trừ khi sử dụng\r\ncác phần tử kết cấu mở (xách tay hoặc gập được). Tần số chuyển giao giữa anten\r\nhình nón kép và anten LPDA có thể từ 200 MHz đến 250 MHz, với độ tăng nhẹ về độ\r\nkhông đảm bảo đo ở tâm pha kết hợp với anten LPDA ở tần số dưới 250 MHz. Anten\r\nlai, bao trùm toàn dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz, không phải là kiểu được ưu\r\ntiên vì độ không đảm bảo đo cao hơn so với anten hình nón kép và anten LPDA,\r\nchủ yếu là vì chiều dài anten lớn hơn, đặc biệt là khi sử dụng ở khoảng cách 3\r\nm so với nguồn (ngược với 10 m).

\r\n\r\n

Anten hình nón kép có\r\nđộ không đảm bảo đo thấp có chiều dài đầu-đầu của phần tử xấp xỉ 1,35 m ± 0,03 m (tuỳ thuộc vào độ rộng của bộ\r\nbiến đổi cân bằng-không cân bằng), 6 phần tử sợi dây tỏa ra ở dạng hình nón, có\r\nđường kính rộng nhất là xấp xỉ 0,52 m. Bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng phải\r\nlà thiết kế 200 Ω (tỷ số biến áp 200 Ω : 50 Ω), để đảm bảo độ nhạy tốt hơn ở\r\ntần số 30 MHz và ghép nối tương hỗ với môi trường thấp hơn.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Anten hình\r\nnón kép dựa trên nguyên bản trong MIL STD 461A [8], được thiết kế để hoạt động\r\nở tần số từ 20 MHz đến 200 MHz. Thiết kế phần tử gập được cho tính năng tốt hơn\r\nso với thiết kế phần tử kiểu “lồng” kín ở tần số trên 250 MHz.

\r\n\r\n

LPDA có độ không đảm\r\nbảo đo thấp được thiết kế để có tần số thấp nhất là 200 MHz (tức là, phần tử\r\ndài nhất cộng hưởng ở 200 MHz, xấp xỉ 0,75 m) và chiều dài bằng 0,75 m ± 0,12 m, giữa phần tử dài nhất và phần\r\ntử ngắn nhất, phần tử ngắn nhất cộng hưởng ở tần số trên 1 GHz. Lý do để không\r\ncó phần tử dài nhất ở 250 MHz là nó không được giới hạn bởi một giàn và giản đồ\r\nbức xạ bị biến dạng. Chiều dài anten này là 0,75 m phân biệt nó với các anten\r\ncó chiều dài gấp đôi cho độ lợi cao hơn nhưng có sai số tâm pha lớn hơn và các\r\nanten có chiều dài nhỏ hơn 0,6 m ít có khả năng có hệ số anten tăng đều đặn và\r\nđơn điệu với tần số (với độ tăng đột ngột bất kỳ về hệ số anten lệch không quá\r\n1,5 dB so với đường dốc đi qua toàn bộ dải tần).

\r\n\r\n

A.3. Anten lưỡng cực\r\nđơn giản

\r\n\r\n

A.3.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Nếu phòng thử nghiệm\r\nkhông thể có anten đã hiệu chuẩn thì một cách thay thế là sử dụng anten lưỡng\r\ncực ở dạng lưỡng cực tính được hoặc lưỡng cực điều hưởng. Lưỡng cực điều hưởng\r\ncó kết cấu tương đối đơn giản và cho độ không đảm bảo đo thấp đối với phép đo\r\ncường độ trường so với anten mô tả ở A.2. Hệ số anten của lưỡng cực điều hưởng\r\nphải được kiểm tra xác nhận bởi phòng thử nghiệm liên kết chuẩn với chuẩn quốc\r\ngia và cố gắng giảm thiểu độ không đảm bảo đo của việc xác định hệ số anten\r\nhoặc bằng cách đo tổn hao xen vào vị trí giữa cặp lưỡng cực giống nhau bên trên\r\nmặt phẳng nền (phù hợp với Phụ lục D) và so sánh tổn hao này với ghép nối tính\r\nđược, sự cho phép đối với tổn hao của bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng – xem\r\nPhụ lục C của TCVN 6989-1-5 (CISPR 16-1-5). Nhược điểm của lưỡng cực điều hưởng\r\nlà chiều dài của nó ở tần số giới hạn dưới trong dải tần, ví dụ chiều dài 4,8 m\r\nở 30 MHz, mà ở khoảng cách đo bằng 3 m sẽ cho sai số do biên độ và pha và\r\ngradien pha. Lưỡng cực cũng nhạy với môi trường xung quanh nó khi được điều\r\nhưởng do đó trở kháng tương hỗ với ảnh của nó trên mặt phẳng nền có thể thay\r\nđổi hệ số anten đến 6 dB đối với lưỡng cực phân cực ngang 30 MHz được quét ở độ\r\ncao từ 1 m đến 4 m trên mặt phẳng nền. Vì lý do này, lưỡng cực ngắn điều hưởng\r\nđến 80 MHz được khuyến cáo để sử dụng ở tần số dưới 80 MHz.

\r\n\r\n

A.3.2. Lưỡng cực điều\r\nhưởng

\r\n\r\n

Thiết kế thiết thực\r\nvà đơn giản của lưỡng cực điều hưởng gồm lưỡng cực cộng hưởng nửa bước sóng có\r\ntrục bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng đồng trục nối tiếp-song song. Chiều\r\ndài đầu-đầu của lưỡng cực xấp xỉ 0,48 bước sóng, tuỳ thuộc vào bán kính của\r\nphần tử lưỡng cực. Hệ số anten không gian tự do có thể được tính từ công thức\r\ndưới đây, cho hệ số tính bằng dexiben. Công thức này không bao gồm tổn hao của\r\nbộ biến đổi cân bằng-không cân bằng trong đó giá trị trung bình bằng 0,5 dB có\r\nthể được thêm vào hệ số anten và hệ số tổn hao này phải được kiểm tra.

\r\n\r\n

F_a\r\n(dB) = 20 log (f_M) – 31,4

\r\n\r\n

trong đó f_M\r\nlà tần số, tính bằng MHz.

\r\n\r\n

Vì lưỡng cực điều\r\nhưởng nhạy hơn với môi trường xung quanh so với anten dải rộng (trừ ở tần số\r\ncộng hưởng của nó, không kể LPDA) ít có khả năng độ không đảm bảo đo tổng khi\r\nsử dụng lưỡng cực điều hưởng sẽ nhỏ hơn độ không đảm bảo đo của anten có độ\r\nkhông đảm bảo đo thấp ở 4.5.2.

\r\n\r\n

A.3.3. Lưỡng cực ngắn

\r\n\r\n

Có thể sử dụng lưỡng\r\ncực ngắn hơn nửa bước sóng với điều kiện là:

\r\n\r\n

a) chiều dài tổng lớn\r\nhơn 1/10 bước sóng ở tần số đo;

\r\n\r\n

b) lưỡng cực này được\r\nnối đến cáp có phối hợp đủ tốt ở đầu máy thu để đảm bảo tổn hao đường về ở đầu\r\nvào cáp lớn hơn 10 dB. Hiệu chuẩn phải tính đến tổn hao đường về;

\r\n\r\n

c) lưỡng cực này có\r\nsự phân biệt phân cực tương đương với sự phân biệt của lưỡng cực điều hưởng\r\n(xem 4.5.3). Để đạt điều này, sử dụng bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng có\r\nthể có ích;

\r\n\r\n

d) để xác định cường\r\nđộ trường đo được, đường cong hiệu chuẩn (hệ số anten) được xác định và sử dụng\r\ntrong khoảng cách đo (tức là, ở khoảng cách ít nhất là ba lần chiều dài của\r\nlưỡng cực);

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Hệ số\r\nanten thu được từ đó cần có hiệu quả để thỏa mãn yêu cầu của trường sóng sin\r\nđồng nhất với độ chính xác không kém hơn ±\r\n3 dB. Ví dụ về các đường cong hiệu chuẩn được nêu ở Hình A.1, thể hiện mối liên\r\nquan theo lý thuyết giữa cường độ trường và điện áp đầu vào máy thu đối với máy\r\nthu có trở kháng vào bằng 50 W,\r\nvà tỷ số l/d thay đổi. Trên hình này, bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng được\r\nxem là bộ biến đổi lý tưởng 1:1. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng, các đường cong này\r\nkhông tính đến tổn hao của bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng, cáp và sự mất\r\nphối hợp bất kỳ giữa cáp và máy thu.

\r\n\r\n

e) mặc dù tổn hao độ\r\nnhạy của đồng hồ đo cường độ trường do hệ số anten cao góp phần vào chiều dài\r\nđược làm ngắn của lưỡng cực, giới hạn đo của đồng hồ đo cường độ trường (ví dụ,\r\nđược xác định bởi tạp của máy thu và hệ số truyền của lưỡng cực) phải duy trì\r\nít nhất là 10 dB thấp hơn mức của tín hiệu cần đo.

\r\n\r\n

Hình\r\nA.1 – Hệ số anten lưỡng cực ngắn đối với RL = 50 W

\r\n\r\n

A.4. Tham số của\r\nanten dải rộng

\r\n\r\n

A.4.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Anten dải rộng dùng\r\ncho phép đo CISPR là những anten được phân cực tuyến tính và được thiết kế để\r\nsử dụng trên toàn bộ dải tần rộng. Điều này không ngăn cản việc sử dụng anten\r\nđược điều chỉnh độ dài giới hạn và cũng không ngăn cản việc bổ sung các đoạn\r\nchấn tử anten. Trở kháng vào của các anten này điển hình là trở kháng phức. Các\r\ntham số khác có thể qui định được nêu dưới đây.

\r\n\r\n

A.4.2. Kiểu anten

\r\n\r\n

A.4.2.1. Yêu cầu\r\nchung

\r\n\r\n

Các điều dưới đây mô\r\ntả các tham số vật lý của anten dải rộng cần được cung cấp. Lưu ý là một số\r\ntham số có thể không áp dụng cho tất cả các anten.

\r\n\r\n

A.4.2.2. Loại anten\r\ncó chiều dài hoặc đường kính cố định hoặc thay đổi

\r\n\r\n

Nếu anten có chiều\r\ndài thay đổi, qui định số đoạn được cộng vào hoặc trừ đi để thay đổi chiều dài\r\ncố định cơ bản.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Anten điều\r\nhưởng được toàn bộ không được coi là dải rộng và vì thế không được qui định ở\r\nđây. Đường kính của anten vòng thường không thay đổi.

\r\n\r\n

A.4.2.3. Tỷ số chiều\r\ndày trên chiều rộng hoặc đường kính vòng

\r\n\r\n

Kích thước tính bằng\r\nmét. Đối với giàn theo chu kỳ loga, ví dụ, chiều dài của cột dọc theo trục đo\r\nvà chiều rộng của chấn tử lớn nhất phải được cung cấp.

\r\n\r\n

A.4.2.4. Anten tích\r\ncực hoặc thụ động

\r\n\r\n

Anten dải rộng được\r\ncoi là anten tích cực nếu nó chứa bộ khuếch đại, tiền khuếch đại và các cơ cấu\r\nhoạt động phi tuyến khác khuếch đại tín hiệu và/hoặc định dạng đáp tuyến tần\r\nsố.

\r\n\r\n

A.4.2.5. Bố trí giá\r\nlắp đặt

\r\n\r\n

Cung cấp các yêu cầu\r\nvề giá lắp đặt đặc biệt bất kỳ ngoài loại có thể được cung cấp bằng giá ba chân\r\nđiển hình hoặc cơ cấu định vị anten.

\r\n\r\n

A.4.2.6. Kiểu bộ nối

\r\n\r\n

Cần qui định BNC, N,\r\nSMA, v.v… khi thích hợp. Qui định dung sai độ sâu của chân và chỉ ra rằng cần\r\nkiểm tra xác nhận bằng dưỡng kiểm tra độ sâu của chân.

\r\n\r\n

A.4.2.7. Kiểu bộ biến\r\nđổi cân bằng-không cân bằng

\r\n\r\n

Cần qui định bộ biến\r\nđổi cân bằng-không cân bằng là rời rạc, phân phối, điều hưởng, v.v… Qui định tỷ\r\nsố biến đổi của bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng

\r\n\r\n

A.4.3. Qui định kỹ\r\nthuật của anten

\r\n\r\n

A.4.3.1. Dải tần số

\r\n\r\n

Qui định dải tần,\r\ntính bằng mêgahéc hoặc kilôhéc, tại đó anten làm việc trong phạm vi các đặc\r\ntính của nó. Nếu có một đặc tính xác định, tính bằng dexiben trên octa, ở một\r\ntrong hai đầu của dải thì cũng cần qui định.

\r\n\r\n

A.4.3.2. Độ lợi và hệ\r\nsố anten

\r\n\r\n

A.4.3.2.1. Độ lợi

\r\n\r\n

Qui định độ lợi điển\r\nhình và độ lợi thực, tính bằng đềxiben, liên quan đến bộ phát xạ đẳng hướng\r\n(dBi).

\r\n\r\n

A.4.3.2.2. Hệ số\r\nanten

\r\n\r\n

Qui định hệ số anten\r\nđiển hình hoặc hệ số anten thực, tính bằng đềxiben trên mét. Qui trình hiệu\r\nchuẩn anten đang được xem xét và chuẩn bị trong TCVN 6989-1-5 (CISPR 16-1-5).

\r\n\r\n

Cả độ lợi lẫn hệ số\r\nanten cần được đo bằng cách sử dụng qui trình hiệu chuẩn ở A.4.4.

\r\n\r\n

A.4.3.3. Tính hướng\r\nvà giản đồ dùng cho phân cực tuyến tính

\r\n\r\n

Qui định giản đồ\r\nanten và tính hướng, tính bằng độ, theo tọa độ cực theo cả mặt phẳng E và H ở\r\nsố tần số đủ để thể hiện thay đổi đáng kể bất kỳ theo tần số. Đối với anten có\r\ntính hướng kém (ví dụ nhỏ hơn 6 dB), qui định tỷ số trước - sau, tính bằng\r\nđềxiben. Nếu anten nhiều hướng, ví dụ giản đồ lưỡng cực héc thì cũng phải qui\r\nđịnh.

\r\n\r\n

A.4.3.4. VSWR và trở\r\nkháng

\r\n\r\n

Chỉ ra tổn hao đường\r\nvề nhỏ nhất và trở kháng vào danh định, tính bằng ôm. Tổn hao đường về nhỏ nhất\r\nthêm vào có thể được biểu thị là VSWR lớn nhất.

\r\n\r\n

A.4.3.5. Tính năng\r\ncủa anten tích cực

\r\n\r\n

Đối với anten có độ\r\nlợi khuếch đại tích cực, qui định mức kết quả điều biến tương hỗ, mức miễn\r\nnhiễm cường độ điện trường và cường độ từ trường của nó với nhiễu bên ngoài,\r\ncũng như các phép kiểm tra thích hợp để xác định hoạt động quá tải hoặc hoạt\r\nđộng không đúng.

\r\n\r\n

A.4.3.6. Điều khiển\r\ncông suất

\r\n\r\n

Đối với miễn nhiễm,\r\nkhả năng điều khiển công suất lớn nhất hoặc công suất quá độ được qui định,\r\ntính bằng oát.

\r\n\r\n

A.4.3.7. Điều kiện\r\nkhác

\r\n\r\n

Qui định dải nhiệt độ\r\nvà độ ẩm trong đó anten phải làm việc và các biện pháp dự phòng bất kỳ khi sử\r\ndụng ở khu vực không được bảo vệ đối với ảnh hưởng của thời tiết.

\r\n\r\n

A.4.4. Hiệu chuẩn\r\nanten

\r\n\r\n

A.4.4.1. Phương pháp\r\nhiệu chuẩn đối với phép đo phát xạ

\r\n\r\n

Xác định phương pháp\r\ndùng để hiệu chuẩn, tức là:

\r\n\r\n

a) tính toán (dùng\r\ncông thức đã cho);

\r\n\r\n

b) đo (qui định\r\nphương pháp hoặc tiêu chuẩn sử dụng hoặc tìm được phòng thí nghiệm hiệu chuẩn\r\nquốc gia, xem anten có được hiệu chuẩn riêng hay không).

\r\n\r\n

Chú thích: Đối với\r\nphép đo miễn nhiễm, hiệu chuẩn cường độ trường thường được thực hiện bằng cách\r\nsử dụng anten thu đã hiệu chuẩn hoặc đầu dò trường đặt ở vị trí của thiết bị\r\nphải chịu phát xạ. Do đó, không yêu cầu hiệu chuẩn trên anten phát.

\r\n\r\n

A.4.4.2. Quãng tần số

\r\n\r\n

Chỉ ra các tần số,\r\ntính bằng mêgahéc hoặc kilôhéc, sử dụng trong quá trình hiệu chuẩn; nếu sử dụng\r\nqui trình tần số rà thì cũng phải qui định.

\r\n\r\n

A.4.4.3. Độ chính xác\r\ncủa hiệu chuẩn

\r\n\r\n

Qui định độ không đảm\r\nbảo đo của hiệu chuẩn, tính bằng - đềxiben. Chỉ ra độ không đảm bảo đo của\r\ntrường hợp xấu nhất và phần của băng tần xuất hiện trường hợp này.

\r\n\r\n

A.4.4.4. Mối tương\r\nquan với anten ưu tiên hoặc anten qui định

\r\n\r\n

Nếu anten được dùng\r\nđể thay thế cho anten ưu tiên hoặc anten qui định nêu ở tài liệu CISPR thì chỉ\r\nra tất cả các hệ số tương quan, tính bằng đềxiben, để cân bằng các kết quả\r\nanten dải rộng với kết quả của anten ưu tiên hoặc anten qui định. Chỉ ra hệ số\r\nchuyển đổi bất kỳ dùng để chuyển đổi từ cường độ trường từ hoặc ngược lại hoặc\r\nđối với chuyển đổi bất kỳ khác sang đơn vị đo khác với đại lượng cường độ\r\ntrường.

\r\n\r\n

A.4.4.5. Đơn vị

\r\n\r\n

Qui định hiệu chuẩn\r\ntheo đơn vị cần thiết để thực hiện phép đo phát xạ cường độ trường từ hoặc\r\ncường độ trường điện.

\r\n\r\n

A.4.5. Thông tin cho\r\nngười sử dụng anten

\r\n\r\n

A.4.5.1. Sử dụng\r\nanten

\r\n\r\n

Cung cấp mô tả về sử\r\ndụng anten. Đảm bảo rằng các phòng ngừa đặc biệt hoặc các giới hạn được đưa ra\r\nđể tránh sử dụng sai.

\r\n\r\n

A.4.5.2. Giới hạn vật\r\nlý

\r\n\r\n

Chỉ ra nếu có giới\r\nhạn vật lý bất kỳ như dưới đây khi sử dụng anten:

\r\n\r\n

a) chiều cao nhỏ nhất\r\nphía trên mặt phẳng nền;

\r\n\r\n

b) phân cực ưu tiên\r\nso với mặt phẳng nền;

\r\n\r\n

c) sử dụng đặc biệt,\r\nnghĩa là, chỉ sử dụng như một anten thu hoặc anten phát. Thông thường, điểm này\r\ngiới hạn khả năng điều khiển công suất của bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng\r\nđối với anten thụ động hoặc các đặc tính không tương hỗ đối với anten tích cực.\r\nPhải công bố nếu việc điều khiển công suất bị giới hạn bởi hồ quang qua các mối\r\nnối của phần tử anten không hàn;

\r\n\r\n

d) kiểm tra điện trở\r\nthuần để xác định tính toàn vẹn liên tục của anten;

\r\n\r\n

e) khoảng cách nhỏ\r\nnhất của chấn tử anten gần nhất với thiết bị cần đo.

\r\n\r\n

Phụ lục B

\r\n\r\n

(qui\r\nđịnh)

\r\n\r\n

Công thức tính năng của anten đơn cực\r\n(anten thanh 1 m) và đặc tính của mạng phối hợp anten kết hợp

\r\n\r\n

B.1. Mô tả

\r\n\r\n

B.1.1. Giới thiệu về\r\nhệ thống anten đơn cực (thanh 1 m)

\r\n\r\n

Anten đơn cực (anten\r\nthanh) thường được sử dụng ở tần số dưới 30 MHz nhưng đôi khi được sử dụng ở\r\ncác tần số cao hơn. Vì bước sóng dài kết hợp với dải tần thấp nên phương pháp\r\nđược sử dụng để hiệu chuẩn hoặc đặc trưng cho anten ở tần số cao không được áp\r\ndụng. Các kỹ thuật được xác định trong phụ lục này có thể áp dụng cho các tần\r\nsố đến 30 MHz. Với sự cẩn thận thích hợp, phương pháp này được sử dụng trong\r\nthương mại với sai số nhỏ (nhỏ hơn 1 dB).

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Phụ lục\r\nnày dựa vào [12].

\r\n\r\n

Phương pháp chính để\r\nliên kết chuẩn hệ số anten với chuẩn quốc gia là để chiếu xạ toàn bộ anten bằng\r\nsóng phẳng. Phương pháp khác dùng tụ điện thay thế phần tử đơn cực, được nêu\r\ntrong phụ lục này. Mặc dù có thể xác định hệ số anten bằng phương pháp tụ điện\r\nthay thế nhưng đòi hỏi kiến thức chuyên môn để đạt được hệ số anten thực trong phạm\r\nvi sai số ± 1 dB trong quá trình hiệu chuẩn thực.

\r\n\r\n

Đây là trường hợp\r\nriêng khi các cơ cấu thiết kế cho các kiểu anten có phần tử đơn cực không được\r\ngắn bởi bộ nối đồng trục. Cuối cùng, yêu cầu cần cẩn thận khi sử dụng phương\r\npháp tụ điện thay thế đặc biệt là ở tần số trên 10 MHz và đối với anten tích\r\ncực.

\r\n\r\n

B.1.2. Công thức tính\r\nnăng của anten đơn cực (anten thanh)

\r\n\r\n

Các công thức dưới\r\nđây được sử dụng để xác định độ cao hiệu quả, điện dung riêng và hệ số hiệu\r\nchỉnh độ cao của anten thanh hoặc anten đơn cực có kích thước khác thường.

\r\n\r\n

Các công thức này chỉ\r\ncó hiệu lực đối với anten thanh hình trụ ngắn hơn l/8 [8]3.

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

h_e là độ\r\ncao hiệu quả của anten thanh, tính bằng mét;

\r\n\r\n

h là độ cao thực của\r\nanten thanh, tính bằng mét;

\r\n\r\n

l là bước sóng, tính bằng mét;

\r\n\r\n

C_a là điện\r\ndung riêng của anten thanh, tính bằng picô fara;

\r\n\r\n

a là bán kính của\r\nphần tử thanh, tính bằng mét;

\r\n\r\n

C_h là hệ\r\nsố hiệu chỉnh độ cao, tính bằng dBm.

\r\n\r\n

Mô tả chi tiết khác\r\nliên quan đến công thức (B.1) sẵn có trong [12], [13], [14], và đối với công thức\r\n(B.2) trong [14], [15], [16], [17], [18], [19].

\r\n\r\n

B.2. Phương pháp đặc\r\ntính mạng phối hợp

\r\n\r\n

B.2.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

Phương pháp thay thế\r\nđiện dung tương đương sử dung anten giả thay cho phần tử thanh thực tế. Thành\r\nphần chính của anten giả là tụ điện có điện dung riêng bằng với điện dụng riêng\r\ncủa thanh hoặc đơn cực. Anten giả này được nuôi bằng nguồn tín hiệu và đầu ra\r\ntừ mạng phối hợp hoặc đế của anten được đo sử dụng cấu hình thử nghiệm được chỉ\r\nra trên Hình B.1. Hệ số anten (AF), tính bằng dB(1/m) được cho bởi công thức\r\n(B.4).

\r\n\r\n

F_a\r\n= V_D – V_L – C_h (B.4)

\r\n\r\n

trong đó

\r\n\r\n

V_D là đầu\r\nra đo được của máy phát tín hiệu, tính bằng dB(mV);

\r\n\r\n

V_L là đầu\r\nra đo được của mạng phối hợp, tính bằng dB(mV);

\r\n\r\n

C_h là hệ\r\nsố hiệu chỉnh độ cao (đối với độ cao hiệu quả), tính bằng dB(m).

\r\n\r\n

Đối với anten đơn cực\r\n(thanh 1 m) được sử dụng phổ biến trong phép đo EMC, độ cao hiệu quả (h_e)\r\nlà 0,5 m, hệ số hiệu chỉnh độ cao (C_h) là -6 dB(m) và điện dung\r\nriêng (C_a) là 10 pF.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Xem B.1.2\r\nđể tính độ cao hiệu quả, hệ số hiệu chỉnh độ cao và điện dung riêng của anten\r\nthanh có kích thước khác thường.

\r\n\r\n

Phải sử dụng một\r\ntrong hai qui trình sau: phương pháp ở B.2.2. bộ phân tích mạng hoặc phương\r\npháp ở B.2.2, phương pháp máy phát tín hiệu và đồng hồ đo tạp tần số rađiô. Sử\r\ndụng anten giả ở cả hai qui trình. Xem B.3 để có hướng dẫn thực hiện anten giả.\r\nPhải thực hiện các phép đo tại số lượng tần số đủ để đạt được đường cong phẳng\r\ncủa hệ số anten so với tần số trong dải làm việc của anten, hoặc từ 9 kHz đến\r\n30 MHz, chọn giá trị nhỏ hơn.

\r\n\r\n

B.2.2. Qui trình của\r\nbộ phân tích mạng

\r\n\r\n

Phương pháp dùng bộ\r\nphân tích mạng để đặc trưng cho mạng phối hợp anten được mô tả trong điều này.

\r\n\r\n

a) Hiệu chuẩn bộ phân\r\ntích mạng có cáp cần sử dụng trong phép đo.

\r\n\r\n

b) Bố trí mạng phối\r\nhợp cần mô tả và thiết bị đo như thể hiện ở Hình B.1.

\r\n\r\n

c) Lấy mức tín hiệu\r\n(tính bằng dB(mV) trong kênh chuẩn\r\ntrừ đi mức tín hiệu (tính bằng dB(mV)\r\ntrong kênh thử nghiệm và trừ đi C_h (-6 dB đối với thanh 1 m) để có\r\nđược hệ số anten (tính bằng dB(1/m)) của anten.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Không cần\r\ncác đệm của bộ suy giảm cùng với bộ phận tích mạng vì trở kháng của các kênh\r\ntrong bộ phân tích mạng rất gần với 50 W\r\nvà sai số bất kỳ được hiệu chỉnh trong quá trình hiệu chuẩn bộ phân tích mạng.\r\nNếu cần, vẫn có thể sử dụng các đệm của bộ phân tích mạng nhưng đưa chúng vào\r\nsẽ làm phức tạp việc hiệu chuẩn bộ phân tích mạng.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Đặt\r\nanten giả càng gần EUT càng tốt. Đặt bộ nối T càng gần với anten giả càng tốt.\r\nSử dụng các cáp cùng kiểu và cùng chiều dài giữa bộ nối T và đầu vào kênh chuẩn\r\nvà bộ nối T và kênh thử nghiệm cổng đo 50 W.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Không\r\ncần và không nên sử dụng các đệm của bộ suy giảm với bộ phân tích mạng.

\r\n\r\n

Hình\r\nB.1 – Phương pháp sử dụng bộ phân tích mạng

\r\n\r\n

B.2.3. Qui trình của\r\nđồng hồ đo tạp tần số rađiô và máy phát tín hiệu

\r\n\r\n

a) Bố trí mạng phối\r\nhợp cần mô tả và thiết bị đo như thể hiện ở Hình B.2.

\r\n\r\n

b) Với thiết bị được\r\nnối như được chỉ ra và trở kháng đầu cuối 50 W trên bộ nối T (A), đo điện áp tín hiệu thu được VL (tính\r\nbằng dB(mV)) ở cổng RF (B).

\r\n\r\n

c) Để đầu ra RF của\r\nmáy phát tín hiệu không đổi, chuyển trở kháng đầu cuối 50 W đến cổng RF (B) và chuyển cáp đầu vào\r\nmáy thu đến bộ nối T (A). Đo điện áp tín hiệu thu được V_D (tính bằng\r\ndB(mV)).

\r\n\r\n

d) Lấy V_D\r\ntrừ V_L và trừ đi C_h (-6 dB đối với thanh 1 m) để có được\r\nhệ số anten (tính bằng dB(1/m)) của anten.

\r\n\r\n

Trở kháng đầu cuối 50\r\nW phải có tỷ số sóng\r\nđứng rất thấp (SWR) (nhỏ hơn 1,05:1). Đồng hồ đo tạp tần số rađiô phải được\r\nhiệu chuẩn và có SWR thấp (nhỏ hơn 2:1). Đầu ra của máy phát tín hiệu phải ổn\r\nđịnh về tần số và biên độ.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Không cần\r\nhiệu chuẩn máy phát tín hiệu vì nó được sử dụng làm chuẩn truyền.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Đặt\r\nanten giả càng gần EUT càng tốt. Đặt bộ nối T càng gần với anten giả càng tốt.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Nếu VSWR\r\ncủa máy thu và máy phát tín hiệu là thấp thì có thể không cần các đệm hoặc có\r\nthể giảm xuống 6 dB hoặc 3 dB.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 3: Anten\r\ngiả có thể kết hợp với các thành phần phối hợp khác để điều khiển VSWR ở mức\r\nđầu vào và mức tín hiệu máy phát tại các cổng đo.

\r\n\r\n

Hình\r\nB.2 – Phương pháp sử dụng đồng hồ đo tạp tần số rađiô và máy phát tín hiệu

\r\n\r\n

B.3. Lưu ý về anten\r\ngiả

\r\n\r\n

Tụ điện được sử dụng\r\nlàm anten giả phải được lắp trong hộp kim loại cỡ nhỏ hoặc trên khung kim loại\r\ncỡ nhỏ. Các dây phải càng ngắn càng tốt nhưng không dài hơn 8 mm và cách từ 5\r\nmm đến 10 mm so với bề mặt của hộp hoặc khung kim loại. Xem Hình B.3.

\r\n\r\n

Bộ nối T được sử dụng\r\ntrong bố trí đo hệ số anten có thể được lắp bên trong hộp anten giả. Đệm điện\r\ntrở để cung cấp phối hợp trở kháng cho máy phát cũng có thể được lắp trong hộp\r\nanten giả.

\r\n\r\n

Thành phần

\r\n\r\n

C điện dung anten (C_a)\r\nđược tính từ công thức (B.2), dung sai 5 % , bằng mica bạc.

\r\n\r\n

S khoảng cách dây, 5\r\nmm đến 10 mm (10 mm so với tất cả các bề mặt trong hộp).

\r\n\r\n

L chiều dài dây, càng\r\ncàng ngắn càng tốt nhưng không dài hơn 8 mm (tổng chiều dài dây không lớn hơn\r\n40 mm, kể cả dây tụ điện và chiều dài của bộ nối cổng anten thanh).

\r\n\r\n

Hình\r\nB.3 – Ví dụ về lắp đặt tụ điện trong anten giả

\r\n\r\n

B.4. Đặt anten đơn\r\ncực (anten thanh)

\r\n\r\n

Anten thanh đơn cực\r\nthường được thiết kế để sử dụng với lưới đất hoặc được lắp dặt trên mặt phẳng\r\nnền. Để đạt được các giá trị cường độ trường đúng, cần tuân theo các hướng dẫn\r\nhoặc khuyến cáo của nhà chế tạo liên quan đến việc sử dụng lưới đất hoặc mặt\r\nphẳng nền. Nếu anten sử dụng phần tử thanh kiểu ống lồng thì phần tử này phải\r\nđược kéo đến chiều dài qui định trong hướng dẫn của nhà chế tạo.

\r\n\r\n

Rất nhiều tiêu chuẩn\r\nvề phép đo qui định rằng lưới đất của anten đơn cực (thanh) phải được liên kết\r\nvới mặt phẳng nền hoặc mặt phẳng nền của ghế thử nghiệm. Phải đáp ứng các yêu\r\ncầu trong tiêu chuẩn về phép đo.

\r\n\r\n

Phụ lục C

\r\n\r\n

(qui\r\nđịnh)

\r\n\r\n

Hệ thống anten vòng để đo dòng cảm ứng\r\ntrường từ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz

\r\n\r\n

C.1. Giới thiệu

\r\n\r\n

Phụ lục này đưa ra\r\nthông tin và dữ liệu liên quan đến hệ thống anten vòng (LAS) để đo dòng cảm ứng\r\ntrong LAS bằng từ trường phát ra do một EUT, đặt ở tâm của LAS, trong dải tần\r\ntừ 9 kHz đến 30 MHz. LAS này được đề cập ở 4.7 của tiêu chuẩn này và TCVN\r\n6989-2-3 (CISPR 16-2-3). Xem thêm [11].

\r\n\r\n

Mô tả về LAS cũng như\r\nphương pháp kiểm tra hiệu lực anten của LAS được đưa ra. Các hệ số chuyển đổi\r\nđưa ra mối quan hệ giữa dữ liệu về dòng điện cảm ứng từ trường với dữ liệu về\r\ntừ trường có thể có được khi đo trên cùng một EUT có sử dụng anten từ trường\r\nmột vòng đặt ở khoảng cách qui định so với EUT đó.

\r\n\r\n

C.2. Kết cấu của hệ\r\nthống anten vòng (LAS)

\r\n\r\n

LAS (xem Hình C.1),\r\ngồm có ba anten vòng lớn vuông góc nhau (LLAs), mô tả ở Điều C.3. Toàn bộ LAS\r\nđược đỡ bằng một đế phi kim loại.

\r\n\r\n

Cáp đồng trục 50 W nối giữa đầu dò dòng điện của một LLA\r\nvới chuyển mạch đồng trục, và giữa chuyển mạch này với thiết bị đo, phải có trở\r\nkháng truyền bề mặt nhỏ hơn 10 mW/m\r\nở 100 kHz và nhỏ hơn 1 mW/m ở 10 MHz. Yêu cầu\r\nnày được thỏa mãn khi sử dụng, ví dụ, cáp đồng trục RG 223/U bện kép có vỏ bọc.

\r\n\r\n

Tất cả các bộ nối\r\nphải có trở kháng truyền bề mặt so sánh được với trở kháng truyền bề mặt của\r\ncáp đồng trục. Yêu cầu này được thỏa mãn, ví dụ, khi sử dụng bộ nối kiểu khóa\r\nkẹp chất lượng tốt (xem [1]).

\r\n\r\n

Tất cả các cáp phải\r\nđược trang bị lớp hấp thụ ferit, F ở Hình C.1, cung cấp điện trở nối tiếp\r\nphương thức chung Rs > 100 W\r\nở 10 MHz. Yêu cầu này được thỏa mãn khi có kết cấu hình xuyến ferit từ, ví dụ,\r\n12 vòng kiểu 3E1 vật liệu ferit từ mềm (kích thước nhỏ nhất: đường kính ngoài\r\n29 mm x đường kính trong 19 mm x chiều cao 7,5 mm).

\r\n\r\n

C.3. Kết cấu của\r\nanten vòng lớn (LLA)

\r\n\r\n

Anten vòng lớn (LLA)\r\ncủa LAS được kết cấu từ cáp đồng trục có trở kháng truyền bề mặt được qui định\r\nở Điều C.2. Ngoài ra, điện trở dây dẫn trong của LLA phải đủ thấp (xem chú\r\nthích 1). Hai yêu cầu được thỏa mãn, ví dụ, khi sử dụng cáp đồng trục RG 223/U\r\nbện kép có vỏ bọc.

\r\n\r\n

Để giữ vòng ở dạng\r\ntròn và để bảo vệ kết cấu rãnh, như trên ví dụ Hình C.2, cáp được lồng vào\r\ntrong một ống phi kim loại có thành mỏng, có đường kính trong khoảng 25 mm. Có\r\nthể sử dụng các kết cấu phi kim loại khác dùng cho các mục đích tương tự.

\r\n\r\n

Thành phần:

\r\n\r\n

S - rãnh anten

\r\n\r\n

C - đầu dò dòng điện

\r\n\r\n

F - kẹp hấp thụ ferit

\r\n\r\n

Hình\r\nC.1 - Hệ thống anten vòng, bao gồm ba anten vòng lớn vuông góc với nhau

\r\n\r\n

Hình\r\nC.2 - Anten vòng lớn có hai rãnh đối nhau, đặt đối xứng so với đầu dò dòng điện\r\nC

\r\n\r\n

Đường kính vòng được\r\ntiêu chuẩn hóa là D = 2 m. Nếu cần, ví dụ trường hợp EUT lớn, có thể tăng D.\r\nTuy nhiên, trong dải tần đến 30 MHz, đường kính lớn nhất cho phép là 4 m. Việc\r\ntăng thêm đường kính có thể dẫn đến cộng hưởng không tái tạo được của đáp tuyến\r\nLAS ở đầu tần số cao của dải đo.

\r\n\r\n

Cần chú ý rằng bằng\r\ncách tăng đường kính, độ nhạy với tạp âm xung quanh tăng tỷ lệ thuận với đường\r\nkính, và độ nhạy với tín hiệu không mong muốn tỷ lệ nghịch với bình phương\r\nđường kính.

\r\n\r\n

LLA gồm có hai rãnh\r\nđối nhau, đặt đối xứng so với đầu dò dòng điện của LLA (xem Hình C.2). Rãnh,\r\nđược làm ở dây dẫn ngoài của cáp anten đồng trục như chỉ ra trên Hình C.3, phải\r\ncó chiều rộng nhỏ hơn 7 mm. Rãnh được nối bắc cầu bởi hai bộ điện trở mắc song\r\nsong mỗi bộ gồm hai điện trở 100 W\r\nmắc nối tiếp. Điểm giữa của mỗi mạch nối tiếp được nối với dây dẫn trong của\r\ncáp anten đồng trục.

\r\n\r\n

Tại mỗi phía của\r\nrãnh, dây dẫn ngoài của cáp anten đồng trục có thể được gắn với một tấm nối là\r\ntấm mạch in có hai hình vuông bằng đồng, cách nhau ít nhất là khoảng 5 mm, để\r\nđược kết cấu rãnh cứng (xem Hình C.4).

\r\n\r\n

Hình\r\nC.3 – Kết cấu của rãnh Anten

\r\n\r\n

Hình\r\nC.4 - Ví dụ về kết cấu rãnh anten sử dụng tấm mạch in để có được kết cấu vững\r\nchắc

\r\n\r\n

Đầu dò dòng điện ở\r\nkhu vực xung quanh dây dẫn trong của cáp anten đồng trục phải có độ nhạy là 1\r\nV/A trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz. Tổn hao xen do đầu dò dòng điện phải đủ\r\nthấp (xem chú thích 1).

\r\n\r\n

Dây dẫn ngoài của cáp\r\nnày phải được nối với hộp kim loại chứa đầu dò dòng điện (xem Hình C.5). Kích\r\nthước lớn nhất của hộp này như sau: rộng 80 mm, dài 120 mm và cao 80 mm.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Để thu\r\nđược đáp tuyến tần số phẳng của LLA ở đầu thấp hơn của dải tần từ 9 kHz đến 30\r\nMHz, tổn hao R_c do có đầu dò dòng điện cần phải nhỏ hơn nhiều so với\r\n2 p f L_c ở f\r\n= 9 kHz, trong đó Lc đại diện cho điện cảm của đầu dò dòng điện. Ngoài ra, (R_c\r\n+ R_i) << X _i = p\r\nf L ở f = 9 kHz, trong đó R_i là điện trở dây dẫn trong của vòng và L\r\nlà điện cảm vòng. Điện cảm này bằng khoảng 1,5 mH/m chu vi. Vì vậy, đối với LLA tiêu chuẩn hóa, X_i\r\n= 0,5 W ở f = 9 kHz.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Nhằm\r\ntránh ghép nối điện dung không mong muốn giữa EUT và LAS, khoảng cách giữa EUT\r\nvà các thành phần của LLA ít nhất phải bằng 0,10 lần đường kính vòng. Cần phải\r\nchú ý đặc biệt đối với các dây dẫn của EUT. Cáp cần được đi liền nhau và cho\r\nphép thể tích vòng có cùng độ octa của phần tử, không được cách vòng bất kỳ của\r\nLAS ít hơn 0,4 m (xem Hình C.6).

\r\n\r\n

Hình\r\nC.5 - Kết cấu của hộp bằng kim loại chứa đầu dò dòng điện

\r\n\r\n

Hình\r\nC.6 - Ví dụ thể hiện đường đi của một số cáp từ một EUT để đảm bảo rằng không\r\ncó ghép nối điện dung từ các dây dẫn đến vòng

\r\n\r\n

C.4. Hiệu lực của\r\nanten vòng lớn (LLA)

\r\n\r\n

Đánh giá hiệu lực và\r\nhiệu chuẩn anten vòng lớn (LLA) của hệ thống anten vòng được tiến hành bằng\r\ncách đo dòng điện cảm ứng trong LLA do một lưỡng cực cân bằng với máy phát tín\r\nhiệu RF 50 W, mô tả ở Điều C.5.\r\nTừ trường do lưỡng cực này phát ra cho phép kiểm tra độ nhạy với từ trường của\r\nLLA.

\r\n\r\n

Điện trường do lưỡng\r\ncực cân bằng phát ra chứng tỏ rằng độ nhạy điện trường của LLA là đủ thấp.

\r\n\r\n

Dòng điện cảm ứng\r\nphải được đo như một hàm của tần số trong dải từ 9 kHz đến 30 MHz ở 8 vị trí\r\ncủa lưỡng cực cân bằng trên Hình C.7. Trong quá trình đo này, lưỡng cực cân\r\nbằng nằm trên mặt phẳng của LLA cần thử nghiệm.

\r\n\r\n

Ở mỗi vị trí trong số\r\ntám vị trí, tỷ số [tính bằng dB(W)\r\n= 20 log (R₁/R₂)] giữa điện áp hở mạch của máy phát tín\r\nhiệu RF và dòng điện đo được không được sai lệch nhiều hơn ±2 dB so với hệ số hiệu lực được cho\r\ntrong Hình C.8.

\r\n\r\n

Hệ số hiệu lực cho\r\ntrên Hình C.8 là có hiệu lực đối với LLA tròn có đường kính tiêu chuẩn D = 2 m.\r\nNếu đường kính của LLA tròn khác với D = 2 m, thì hệ số hiệu lực đối với LLA\r\nphi tiêu chuẩn có thể được suy ra từ dữ liệu cho trên Hình C.8 và C.11 (Điều\r\nC.6).

\r\n\r\n

Hình\r\nC.7 - Tám vị trí của lưỡng cực cân bằng trong quá trình kiểm tra hiệu lực của\r\nanten vòng lớn

\r\n\r\n

Hình\r\nC.8 - Hệ số hiệu lực đối với anten vòng lớn đường kính 2 m

\r\n\r\n

C.5. Kết cấu của\r\nlưỡng cực cân bằng

\r\n\r\n

Lưỡng cực cân bằng,\r\nHình C.9, được thiết kế để phát ra cả từ trường cần đo bằng LLA và điện trường\r\ncần loại bỏ bằng LLA.

\r\n\r\n

Lưỡng cực cân bằng có\r\nkết cấu từ cáp đồng trục RG 223/U. Lưỡng cực cân bằng có chiều rộng W = 150 cm\r\nvà chiều cao H = 10 cm (khoảng cách từ tâm cáp đến tâm cáp), như mô tả trên\r\nHình C.9.

\r\n\r\n

Rãnh ở dây dẫn ngoài\r\ncủa cáp đồng trục chia lưỡng cực thành hai nửa. Nửa bên phải trên Hình C.9,\r\nđược nối tắt ở gần rãnh và gần bộ nối. Nối tắt nghĩa là dây dẫn trong và dây\r\ndẫn ngoài của cáp đồng trục được nối với nhau về điện. Nửa bên phải được nối\r\nđến điểm đất làm chuẩn của bộ nối BNC. Dây dẫn trong của cáp đồng trục, tạo nên\r\nnửa bên trái của lưỡng cực trên Hình C.9, được nối đến cọc giữa của bộ nối BNC\r\ncòn dây dẫn ngoài của nó nối đến điểm đất làm chuẩn của bộ nối BNC đó.

\r\n\r\n

Một hộp bằng kim loại\r\nnhỏ được dùng để bảo vệ các mối nối gần bộ nối của lưỡng cực. Dây dẫn ngoài của\r\nhai nửa cáp lưỡng cực đồng trục được nối với hộp này, như là điểm đất làm chuẩn\r\ncủa bộ nối BNC.

\r\n\r\n

Để có được kết cấu\r\nvững chắc, lưỡng cực được đỡ bằng một đế không dẫn điện.

\r\n\r\n

Hình\r\nC.9 – Kết cấu của lưỡng cực cân bằng-không cân bằng

\r\n\r\n

C.6. Hệ số chuyển đổi

\r\n\r\n

Điều này đề cập đến\r\nhệ số chuyển đổi dòng điện (I) do EUT gây ra trong LLA sang cường độ từ trường H\r\nở khoảng cách qui định tính từ EUT (xem Hình C.10). Điều này cũng đề cập đến hệ\r\nsố chuyển đổi dòng điện đo được trong LLA với đường kính phi tiêu chuẩn sang\r\ndòng điện có thể được đo bằng cách sử dụng LLA có đường kính tiêu chuẩn D = 2 m\r\n(xem Hình C.11).

\r\n\r\n

Hệ số chuyển đổi ở\r\nHình C.10 áp dụng cho nguồn từ trường đặt ở tâm của LLA với mômen lưỡng cực của\r\nnó vuông góc với mặt phẳng chứa LLA đó. Cần chú ý rằng với anten vòng qui định\r\nở 4.2, anten vòng luôn được đặt trong mặt phẳng thẳng đứng và EUT chỉ quay xung\r\nquanh trục thẳng đứng của anten vòng. Vì vậy, trong trường hợp đó chỉ có mômen\r\nlưỡng cực ngang, nghĩa là mômen lưỡng cực song song với mặt phẳng nền, được đo.\r\nTrong trường hợp mômen lưỡng cực dọc, không thể dùng hệ số chuyển đổi để so\r\nsánh các kết quả của cả hai phương pháp đo. Tuy nhiên, hệ số này có thể được\r\ndùng nếu trong phương pháp đo từ trường, anten vòng được đặt trong mặt phẳng\r\nnằm ngang hoặc nếu trong phương pháp đó, EUT được đặt nghiêng 90^o,\r\nđể mômen lưỡng cực dọc liên quan chuyển thành mômen lưỡng cực ngang.

\r\n\r\n

Nếu vị trí thực của\r\nnguồn nhiễu bên trong EUT cách tâm của LAS tiêu chuẩn ít hơn 0,5 m, thì kết quả\r\nđo sai khác một lượng nhỏ hơn 3 dB so với các kết quả thu được với nguồn nhiễu\r\nđặt ở tâm.

\r\n\r\n

Hình\r\nC.10 - Hệ số chuyển đổi CdA [để chuyển đổi thành dB (mA/m)] và CdV [để\r\nchuyển đổi thành dB (mV/m)]\r\nđối với khoảng cách đo tiêu chuẩn d

\r\n\r\n

Hình\r\nC.11 - Độ nhạy SD của anten vòng lớn có đường kính D quan hệ với anten vòng lớn\r\ncó đường kính 2 m

\r\n\r\n

Quan hệ giữa cường độ\r\ntừ trường H, tính bằng dB(mA/m),\r\nđo được tại khoảng cách d và dòng điện I, tính bằng dB(mA) là:

\r\n\r\n

H = I –| C_dA

\r\n\r\n

trong đó C_dA\r\nlà hệ số chuyển đổi dòng điện sang trường, tính bằng dB(m^-1 ) đối\r\nvới khoảng cách nhất định d khi H tính bằng dB(mA/m), xem thêm chú thích sau công thức dưới đây.

\r\n\r\n

Nói chung, hệ số\r\nchuyển đổi phụ thuộc vào tần số; Hình C.10 thể hiện C_dA đối với\r\nkhoảng cách tiêu chuẩn 3 m và 10 m. Đối với khoảng cách tiêu chuẩn d = 30 m, hệ\r\nsố chuyển đổi đang được xem xét.

\r\n\r\n

Tỷ số S_D,\r\ntính bằng đềxiben, giữa dòng điện đo được trong LLA có đường kính D, tính bằng\r\nmét, và dòng điện có thể được đo với LLA có đường kính tiêu chuẩn D = 2 m, được\r\ncho trên Hình C.11 với một số giá trị D. Sử dụng tỷ số này, công thức cho ở\r\ntrên có thể viết thành:

\r\n\r\n

H\r\n= I - S_D –| C_dA

\r\n\r\n

trong đó, H được tính\r\nbằng dB(mA/m), I được tính\r\nbằng dB(mA), S_D được\r\ntính bằng d_B và C_dA được tính bằng dB(m^-1).

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Đối với\r\nviệc tính toán nhiễu, CISPR dùng cường độ từ trường H tính bằng dB(mA/m) thay cho dB(mV/m). Trong phạm vi này, quan hệ giữa\r\nH, tính bằng dB(mA/m), và E, tính bằng\r\ndB(mV/m), được cho bởi:

\r\n\r\n

E[dB(mV/m)] = H –| 51,5

\r\n\r\n

Trong đó E được tính\r\nbằng dB(mV/m) và H được tính\r\nbằng dB(mA/m). Hằng số 51,5,\r\ntính bằng dB(W) được giải thích ở\r\nchú thích của 4.3.2.

\r\n\r\n

Để thuận tiện cho hệ\r\nsố chuyển đổi C_dV, việc chuyển I [dB(mA)] thành E [dB(mV/m)] được cho trên Hình C.10.

\r\n\r\n

Ví dụ dưới đây giải\r\nthích cho việc sử dụng ba công thức trên và các Hình C.10 và C.11.

\r\n\r\n

a) Cho: tần số đo f =\r\n100 kHz, đường kính vòng D = 2 m, dòng điện chạy trong vòng I = X dB(mA). Từ đó, dùng công thức thứ nhất và\r\nHình C.10, ta được:

\r\n\r\n

tại d = 3 m: H [dB(mA/m)] = X [dB(mA)] + C_3A (dBm-^-1\r\n) = (X - 19,5) dB(mA/m)

\r\n\r\n

tại d = 3 m: H [dB(mV/m)] = X [dB(mA)] + C_3V [dB(W/m)] = [X + (51,5 - 19,5)] dB(mV/m)

\r\n\r\n

b) Cho: tần số đo f =\r\n100 kHz, đường kính vòng D = 4 m, dòng điện trên vòng I = X dB(mA). Từ đó, sử dụng Hình C.11 cũng EUT\r\nđó sẽ cảm ứng một dòng điện:

\r\n\r\n

I [dB(mA)] = X - S₃ (dB) = (X +\r\n13) dB(mA)

\r\n\r\n

trong LLA có đường\r\nkính tiêu chuẩn D = 2 m.

\r\n\r\n

c) Cho: một LLA hiệu\r\nlực có đường kính D = 3 m.

\r\n\r\n

Từ đó, hệ số hiệu lực\r\nđược tính bằng cách cộng tại từng tần số S₃, như cho trên Hình C.11,\r\nvới hệ số hiệu lực, như cho trên Hình C.8. Do đó, nếu tần số đo là 100 kHz, hệ\r\nsố hợp lệ đối với LLA có D = 3 m bằng (73,5 – (-7,5)) = 81 dB(W).

\r\n\r\n

Phụ lục D

\r\n\r\n

(qui\r\nđịnh)

\r\n\r\n

Chi tiết kết cấu đối với vị trí thử\r\nnghiệm thoáng trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

(Điều\r\n5)

\r\n\r\n

D.1. Qui định chung

\r\n\r\n

Từ 5.2.1 đến 5.2.5\r\nnêu các nghiên cứu về kết cấu chính đối với vị trí thử nghiệm thoáng. Việc cụ\r\nthể thêm để đảm bảo vị trí có kết cấu tốt và dùng cho mọi thời tiết được mô tả\r\ntrong phụ lục này. Cách tích cực để đảm bảo sự phù hợp của thông lệ này là thực\r\nhiện phép đo NSA như mô tả trong 5.2.6.

\r\n\r\n

D.2. Kết cấu mặt\r\nphẳng nền

\r\n\r\n

D.2.1. Vật liệu

\r\n\r\n

Kim loại được khuyến\r\ncáo là vật liệu làm mặt phẳng nền cho vị trí thử nghiệm cường độ trường. Tuy\r\nnhiên, vì lý do thực tế, mặt phẳng nền bằng kim loại không thể được qui định\r\nđối với phép đo cho mọi thiết bị. Một số ví dụ về mặt phẳng nền kim loại bao\r\ngồm tấm kim loại không đục lỗ, lá kim loại, kim loại được đục lỗ, kim loại dát\r\nvà kéo thành mắt lưới, lưới thép, lưới dây và lưới kim loại. Mặt phẳng nền\r\nkhông được có lỗ thủng hoặc khe hở có kích thước thẳng là một phần đáng kể của\r\nbước sóng ở tần số đo cao nhất. Kích thước lỗ lớn nhất khuyến cáo đối với mặt\r\nphẳng nền loại lưới, kim loại đục lỗ, lưới kim loại hoặc kim loại dát và kéo\r\nthành mắt lưới là 1/10 bước sóng ở tần số phép đo cao nhất (khoảng 3 cm ở 1 000\r\nMHz). Vật liệu gồm các tấm, cuộn hoặc miếng riêng cần được hàn liền ở các đường\r\nnối nhưng trong mọi trường hợp không được có khe hở lớn hơn 1/10 bước sóng. Lớp\r\nphủ điện môi dày, như cát, nhựa đường hoặc gỗ ở mặt trên mặt phẳng nền kim loại\r\ncó thể dẫn đến các đặc tính độ suy giảm vị trí không chấp nhận được.

\r\n\r\n

D.2.2. Độ nhám

\r\n\r\n

Tiêu chí về độ nhám\r\nRayleigh cung cấp đánh giá hữu ích về độ nhám của mặt phẳng nền hiệu dụng lớn\r\nnhất cho phép (xem Hình D.1). Đối với hầu hết các vị trí thử nghiệm thực tế,\r\nđặc biệt đối với các ứng dụng ở khoảng cách 3 m, độ nhám đến 4,5 cm là không\r\nđáng kể đối với mục đích của phép đo. Thậm chí còn cho phép độ nhám cao hơn đối\r\nvới vị trí 10 m và 30 m. Qui trình kiểm tra hiệu lực vị trí ở 5.2.6 phải được\r\nthực hiện để xác định xem độ nhám có chấp nhận được hay không.

\r\n\r\n

D.3. Dây dẫn đến EUT

\r\n\r\n

Dây dẫn điện hoặc dây\r\nnguồn đi đến EUT phải ở bên dưới mặt phẳng nền ở khoảng cách lớn nhất có thể và\r\nưu tiên ở phía bên phải của trục đo. Tất cả các dây, cáp và dây dọi đến bàn\r\nquay hoặc giá đỡ EUT cũng cần đi bên dưới mặt phẳng nền. Nếu không thể đi ngầm\r\ndưới đất, thì dây dẫn đến EUT cần phải đi trên phần cao nhất của EUT, nhưng\r\nbằng mặt và liên kết mặt phẳng nền.

\r\n\r\n

Hình\r\nD.1 - Tiêu chí Rayleigh đối với độ nhám trên mặt phẳng nền

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

Khoảng\r\n cách đo

\r\n

Chiều\r\n cao nguồn,\r\n h₁

\r\n

Chiều\r\n cao lớn nhất của anten thu, h₂

\r\n

Độ\r\n nhám RMS lớn nhất

\r\n

Theo\r\n bước sóng

\r\n

Ở\r\n 1 000 MHZ

\r\n

0,15

\r\n

0,28

\r\n

0,49

\r\n

4,5

\r\n

8,4

\r\n

14,7

\r\n

\r\n\r\n

Giá trị của b được\r\ntính theo công thức:

\r\n\r\n

b\r\n=

\r\n\r\n

D.4. Kết cấu vỏ bảo\r\nvệ khỏi ảnh hưởng của thời tiết

\r\n\r\n

D.4.1. Vật liệu và\r\nchi tiết kẹp

\r\n\r\n

Ở tần số đến 1 000\r\nMHz, các ngăn làm bằng vật liệu sợi thủy tinh và hầu hết các chất dẻo khác, đặc\r\nbiệt là vật liệu gỗ đã xử lý và vải sẽ không gây suy giảm đáng kể mức phát xạ\r\ncủa EUT. Tuy nhiên, sự hấp thụ hơi ẩm ở một số vật liệu (ví dụ như gỗ và\r\nnilông) có thể gây tổn hao truyền đặc biệt đáng kể nếu mức phát xạ của EUT được\r\nđo thông qua vật liệu như vậy. Cần chú ý để đảm bảo rằng các phần tử dẫn không\r\nkhí lắng đọng, nước và đá ứ đọng không tích tụ trên kết cấu hoặc bên trong vật\r\nliệu tạo nên kết cấu. Cần thực hiện việc kiểm tra định kỳ đối với các đối tượng\r\nngoại lai có thể nằm trong kết cấu gây nên sai số phép đo.

\r\n\r\n

Cần sử dụng ít nhất\r\nkim loại bên trên mặt phẳng nền. Khuyến cáo ở mức cao là nên sử dụng chi tiết\r\nkẹp bằng chất dẻo hoặc vải. Dây néo, cọc chống hoặc các bệ đỡ tương tự bất kỳ\r\ncần phải được di chuyển đủ xa khỏi vị trí thử nghiệm sao cho không ảnh hưởng\r\nđến phép đo.

\r\n\r\n

D.4.2. Bố trí bên\r\ntrong

\r\n\r\n

Tất cả các thành phần\r\ncấu thành phải là loại không phản xạ. Các quạt gió hoặc ống dẫn bất kỳ để làm\r\nnóng, làm lạnh hoặc cung cấp không khí cần đặt bên ngoài vị trí thử nghiệm hoặc\r\nbên ngoài kết cấu, trừ khi chúng được làm bằng vật liệu không dẫn điện hoặc đi\r\nbên dưới mặt phẳng nền kim loại hoặc rất sâu bên dưới mặt phẳng nền phi kim\r\nloại. Có thể cần khống chế nhiệt độ và độ ẩm đối với hoạt động của thiết bị.\r\nMọi tấm ngăn hoặc cửa sổ phải không có giá đỡ hoặc khung bằng kim loại. Tay vịn\r\nhoặc cầu thang phải là loại không dẫn điện nếu được đặt phía trên mặt phẳng\r\nnền.

\r\n\r\n

D.4.3. Kích thước

\r\n\r\n

Kích thước của vỏ bảo\r\nvệ khỏi ảnh hưởng của thời tiết phụ thuộc vào kích thước của EUT, vào việc vỏ\r\ncó chứa toàn bộ anten giàn hay chỉ có vùng bên trên EUT, vùng trên thiết bị đo,\r\nhoặc vùng chứa giá định vị anten thu và phạm vi cao nhất của anten thu khi thực\r\nhiện phép đo phân cực thẳng đứng.

\r\n\r\n

D.4.4. Độ đồng nhất\r\ntheo thời gian và thời tiết

\r\n\r\n

Khuyến cáo thực hiện\r\nđịnh kỳ phép đo độ suy giảm vị trí chuẩn để phát hiện các bất thường do cấu\r\ntrúc bảo vệ dùng với mọi thời tiết bị giảm vì các điều kiện thời tiết (ví dụ\r\nnhư sự hút ẩm) hoặc sự nhiễm bẩn của vật liệu bọc. Phép đo này cũng kiểm tra\r\nviệc hiệu chuẩn cáp RF và trang thiết bị thử nghiệm. Khoảng định kỳ sáu tháng\r\nthường là đủ, trừ khi các dấu hiệu tự nhiên cho thấy vật liệu xuống cấp sớm\r\nhơn, nghĩa là có các thay đổi về màu của vật liệu do các chất gây ô nhiễm trong\r\nkhông khí.

\r\n\r\n

D.5. Bàn quay và bàn\r\nbố trí thử nghiệm

\r\n\r\n

Khuyến cáo sử dụng\r\nbàn quay và một bàn để đỡ EUT để tạo thuận tiện cho việc đo phát xạ điện từ ở\r\nmọi phía của EUT. Bàn quay là một khối quay và bàn bố trí thử nghiệm được sử\r\ndụng để định vị EUT trong vị trí thử nghiệm. Cấu hình ba bàn quay và bàn bố trí\r\nthử nghiệm được xem xét trong điều này.

\r\n\r\n

– Đối với bàn quay có\r\nkhối quay thấp hơn nền, (mặt trên cùng) bề mặt quay phải ngang bằng với mặt\r\nphẳng nền và nối điện đến mặt phẳng nền. Mặt trên cùng quay mang bàn bố trí thử\r\nnghiệm thực tế.

\r\n\r\n

· Đối với thiết bị đặt trên mựat bàn,\r\nchiều cao của bàn bố trí thử nghiệm phải là 0,8 m ± 0,01 m và bàn bố trí thử nghiệm được\r\nđặt sao cho tâm của bàn trong mặt phẳng nằm ngang ở tâm của bàn quay, là thành\r\nphần thực hiện việc quay. Bàn bố trí thử nghiệm phải được lấy ra đối với phép\r\nđo NSA.

\r\n\r\n

· Đối với thiết bị đặt trên sàn, EUT\r\nđược cách điện với bề mặt dẫn của bàn quay (ngang bằng với mặt phẳng nền). Độ\r\ncao của vật đỡ cách điện phải đến 0,15 m hoặc như yêu cầu bởi ủy ban về sản\r\nphẩm. Không yêu cầu vật đỡ cách điện khi có bánh lăn phi kim loại đi kèm sản\r\nphẩm. Vật đỡ cách điện phải được lấy ra đối với phép đo NSA.

\r\n\r\n

– Đối với bàn quay có\r\nkhối quay kết hợp trong bàn bố trí thử nghiệm và được đặt trên bàn quay (ngang\r\nbằng với mặt phẳng nền) hoặc trên mặt phẳng nền mà không có bàn quay, bàn bố\r\ntrí thử nghiệm phải có chiều cao bằng 0,8 m ±\r\n0,01 m đối với thiết bị đặt trên bàn hoặc chiều cao không quá 0,15 m đối với\r\nthiết bị đặt trên sàn. Bàn bố trí thử nghiệm phải được lấy ra đối với phép đo\r\nNSA.

\r\n\r\n

– Trong FAR, chiều\r\ncao của bàn bố trí thử nghiệm dùng cho EUT không được xác định và phụ thuộc vào\r\ntính năng của vật liệu hấp thụ và thể tích thử nghiệm của FAR. Bàn bố trí thử\r\nnghiệm phải được lấy ra đối với phép đo NSA.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: EUT/hệ\r\nthống bao gồm bàn đỡ là một phần của thiết bị cần thử nghiệm thì cần sử dụng\r\nbàn đỡ đi kèm hệ thống mà không sử dụng bàn bố trí thử nghiệm trong vị trí thử\r\nnghiệm.

\r\n\r\n

D.6. Lắp đặt cột\r\nanten thu

\r\n\r\n

Anten thu cần được\r\nđặt trên một giá không dẫn điện cho phép nâng cao anten từ 1 m đến 4 m đối với\r\nkhoảng cách đo là 10 m hoặc ngắn hơn, và từ 1 m đến 4 m, hoặc từ 2 m đến 6 m\r\nđối với khoảng cách lớn hơn 10 m. Cáp phải được nối đến bộ biến đổi cân\r\nbằng-không cân bằng anten sao cho đối với anten phân cực ngang, anten vuông góc\r\nvới trục của phần tử anten ở mọi chiều cao anten để duy trì sự cân bằng với mặt\r\nđất.

\r\n\r\n

Cáp từ bộ biến đổi\r\ncân bằng-không cân bằng anten thu phải hạ xuống theo chiều dọc đến mặt phẳng\r\nnền cách phía sau của anten thu khoảng 1 m hoặc dài hơn. Từ điểm đó cáp được\r\ngiữ ở trên hoặc dưới mặt phẳng nền sao cho không ảnh hưởng đến phép đo. Cáp\r\ngiữa anten và bộ phân tích nhiễu phải càng ngắn càng tốt để đảm bảo mức tín\r\nhiệu thu chấp nhận được ở 1 000 MHz.

\r\n\r\n

Đối với anten kiểu\r\nlưỡng cực phân cực thẳng đứng, đi cáp đến máy thu đo theo chiều ngang, nghĩa là\r\nsong song với mặt phẳng nền, ở khoảng cách xấp xỉ 1 m hoặc dài hơn đến phía sau\r\ncủa anten thu (cách xa EUT) trước khi hạ xuống mặt phẳng nền. Cần anten dài\r\nkhoảng 1 m là đủ. Cáp còn lại đi đến bộ phân tích giống như đối với trường hợp\r\nphân cực ngang.

\r\n\r\n

Trong cả hai trường\r\nhợp, sự có mặt của cơ cấu định vị anten và việc bố trí cáp đồng trục gắn với\r\nanten không được làm ảnh hưởng đến việc hiệu chuẩn hệ số anten.

\r\n\r\n

Phụ lục E

\r\n\r\n

(qui\r\nđịnh)

\r\n\r\n

Qui trình kiểm tra hiệu lực của vị trí\r\nthử nghiệm thoáng trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

(Điều\r\n5)

\r\n\r\n

E.1. Qui định chung

\r\n\r\n

Các yêu cầu và các\r\nqui trình chung để xác định hiệu lực của vị trí sử dụng phép đo độ suy giảm vị\r\ntrí chuẩn được nêu trong 5.6. Phụ lục này cung cấp qui trình theo từng bước để\r\nthực hiện phép đo NSA.

\r\n\r\n

E.2. Phương pháp tần\r\nsố rời rạc

\r\n\r\n

E.2.1. Bố trí thử\r\nnghiệm

\r\n\r\n

Tham khảo Hình 4 và\r\nHình 5 về bố trí thử nghiệm cụ thể. Máy phát tín hiệu được nối đến anten phát\r\nvới đường truyền có độ dài thích hợp. Anten phát được đặt ở vị trí yêu cầu.\r\nChiều cao anten phát được đặt đến h₁ (đối với các giá trị của h₁,\r\nxem Bảng E.1, E.2 và E.3) và chọn phân cực yêu cầu. Nếu sử dụng lưỡng cực điều\r\nhưởng thì chiều dài được điều chỉnh cho tần số yêu cầu.

\r\n\r\n

Anten thu được đặt\r\ntrên cột cho phép quét trên toàn bộ dải chiều cao từ h₂min đến h₂max,\r\ncách anten phát một khoảng R, và được nối đến máy thu đo hoặc bộ phân tích phổ\r\nqua một cáp có chiều dài thích hợp. Chọn phân cực giống như đối với anten phát\r\nvà, nếu dùng lưỡng cực điều hưởng, thì anten được điều chỉnh cho tần số yêu\r\ncầu. Khoảng hở nền 25 cm được duy trì đối với lưỡng cực điều hưởng định hướng dọc\r\n(xem Bảng E.3).

\r\n\r\n

Đối với tất cả các\r\nphép đo NSA sử dụng lưỡng cực điều hưởng, giả thiết là các anten này điều hưởng\r\ncho từng tần số, kể cả các tần số giữa 30 MHz và 80 MHz.

\r\n\r\n

E.2.2. Qui trình đo

\r\n\r\n

Các bước sau đây cần\r\nsử dụng cho mỗi tần số nêu trong các bảng E.1, E.2 và E.3. Đầu tiên thực hiện\r\nphép đo với anten thẳng hàng theo chiều ngang và sau đó với anten thẳng hàng\r\ntheo chiều dọc với chiều cao anten phát đặt ở h1.

\r\n\r\n

1) Điều chỉnh mức đầu\r\nra của máy phát tín hiệu để hiển thị điện áp thu được cao hơn nhiều so với tạp\r\nxung quanh và tạp máy thu đo hoặc tạp của bộ phân tích phổ.

\r\n\r\n

2) Nâng cao anten thu\r\ntrên cột qua chiều cao quét h₂ như nêu trong Bảng E.1, E.2 và E.3,\r\nkhi thích hợp.

\r\n\r\n

3) Ghi lại mức tín\r\nhiệu lớn nhất. Giá trị này là V_{vị trí} trong công thức (6) ở 5.2.6.2.

\r\n\r\n

4) Ngắt cáp truyền và\r\ncáp thu khỏi anten của chúng. Nối trực tiếp các cáp này với bộ chỉnh lưu có san\r\nphẳng.

\r\n\r\n

5) Ghi lại mức tín\r\nhiệu khi nối cáp truyền và cáp thu. Giá trị này là V_{trực tiếp} trong\r\ncông thức (6) ở 5.2.6.2.

\r\n\r\n

6) Tại từng tần số và\r\nvới mỗi phân cực, đưa các giá trị trong bước 3 và bước 5 vào công thức (6) ở\r\n5.2.6.2.

\r\n\r\n

7) Đưa vào hệ số\r\nanten phát và thu ở tần số đo như chỉ ra trong công thức (6).

\r\n\r\n

8) Đưa vào hệ số hiệu\r\nchỉnh trở kháng chung DF_aTOT từ\r\nBảng E.4 mà chỉ áp dụng đối với dạng hình học cụ thể là phân cực ngang dùng các\r\nlưỡng cực điều hưởng cách nhau 3 m. DF_aTOT\r\n= 0 với mọi dạng hình học khác.

\r\n\r\n

9) Tính công thức (6)\r\ncho A_N dùng NSA đối với tần số và phân cực đo.

\r\n\r\n

10) Lấy NSA tương ứng\r\nnêu trong Bảng E.1, E.2 và E.3 trừ đi giá trị ở bước 9, khi thích hợp.

\r\n\r\n

11) Nếu kết quả ở\r\nbước 10 nhỏ hơn ±4 dB thì vị trí được\r\ncoi là có hiệu lực ở tần số và phân cực đó.

\r\n\r\n

12) Lặp lại các bước\r\ntừ 1 đến 11 cho các phối hợp tần số và phân cực tiếp theo.

\r\n\r\n

E.3. Phương pháp tần\r\nsố quét

\r\n\r\n

E.3.1. Bố trí đo

\r\n\r\n

Bố trí tương tự như\r\nnêu trong E.2.1, ngoại trừ là chỉ sử dụng anten dải rộng. Không cần hạn chế\r\nviệc dịch chuyển anten phân cực thẳng đứng do kích thước bao của các anten dải\r\nrộng này là nhỏ.

\r\n\r\n

E.3.2. Qui trình đo

\r\n\r\n

Các bước sau đây cần\r\nthực hiện sử dụng thiết bị đo tự động có duy trì đỉnh (mức duy trì lớn nhất),\r\nkhả năng lưu giữ và bộ tự hiệu chỉnh. Trong phương pháp này, cả chiều cao anten\r\nthu h₂ và tần số được quét trên toàn bộ dải tần yêu cầu. Dải tần số\r\nthường được xác định bởi loại anten dải rộng sử dụng. Tốc độ quét tần số phải\r\nlớn hơn nhiều so với tốc độ quét chiều cao anten. Đặt chiều cao anten phát ở h₁.

\r\n\r\n

1) Điều chỉnh mức đầu\r\nra của bộ tự hiệu chỉnh để đưa ra hiển thị điện áp thu cao hơn nhiều so với mức\r\ntạp âm xung quanh máy thu quét hoặc bộ phân tích phổ.

\r\n\r\n

2) Nâng cao anten thu\r\ntrên cột đến chiều cao lớn nhất của dải quét như thể hiện trong Bảng E.1.

\r\n\r\n

3) Đặt bộ phân tích\r\nphổ để quét dải tần yêu cầu. Đảm bảo rằng bộ phân tích phổ được điều chỉnh sao\r\ncho có thể hiển thị trên cùng một thang biên độ mức tín hiệu cùng loại cao hơn\r\nđến 60 dB. Thang này sẽ chứa các mức cần ghi lại ở bước 5.

\r\n\r\n

4) Từ từ hạ thấp\r\nanten thu đến chiều cao nhỏ nhất trong dải quét như chỉ ra trong các bảng đối\r\nvới vị trí hình học thích hợp. Lưu hoặc ghi lại điện áp thu được lớn nhất VR\r\nhiển thị theo dB(mV). (Thời gian cần\r\nthiết để hạ thấp anten cần phải dài hơn nhiều so với thời gian quét của bộ phân\r\ntích phổ.)

\r\n\r\n

5) Ngắt cáp truyền và\r\ncáp thu rồi nối trực tiếp với bộ chỉnh lưu có san phẳng. Lưu hoặc ghi lại giá\r\ntrị điện áp hiển thị.

\r\n\r\n

6) Tại từng tần số,\r\nlấy điện áp đo được ở bước 5 trừ điện áp đo được ở bước 4. Trừ tương ứng cả hệ\r\nsố anten của anten phát và anten thu, F_aTOT(dB/m) và F_aR(dB/m).\r\n(Hệ số anten là một hàm liên tục của tần số có thể có được bằng cách sử dụng\r\nđường cong tuyến tính đơn giản phù hợp với một tập hợp các giá trị hệ số anten\r\nrời rạc.) Kết quả là NSA đo được trên toàn bộ dải tần sử dụng cần được vẽ thành\r\nđồ thị. Cũng cần vẽ đồ thị độ suy giảm vị trí chuẩn lý thuyết cho một vị trí lý\r\ntưởng cho trong Bảng E.1.

\r\n\r\n

7) Sai lệch giữa NSA\r\nlý thuyết và NSA đo được phải nằm trong khoảng ±4 dB.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH: Đối với cả\r\nhai phương pháp đo NSA, việc không phối hợp trở kháng ở đầu ra nguồn tín hiệu\r\nhoặc ở đầu vào máy thu đo hoặc bộ phân tích phổ có thể dẫn đến các phản xạ gây\r\nnên sai số. Cần tránh việc này bằng cách sử dụng các bộ suy giảm đệm 10 dB; mỗi\r\nbộ ở một đầu ra của cáp anten phát và cáp anten thu. Các bộ suy giảm này phải\r\nđược giữ nguyên trong cáp trong suốt toàn bộ phép đo NSA.

\r\n\r\n

E.4. Nguyên nhân có\r\nthể làm vượt quá giới hạn chấp nhận được của vị trí

\r\n\r\n

Nếu sai lệch vượt quá\r\ntiêu chí ±4 dB, thì kiểm tra\r\nnhư sau:

\r\n\r\n

Trước tiên, kiểm tra\r\nviệc hiệu chuẩn hệ thống đo. Nếu máy phát tín hiệu và dụng cụ đo không bị trôi\r\ntrong quá trình đo, thì nghi ngờ đầu tiên là hệ số anten. Anten cũng có thể có\r\nkhuyết tật. Nếu đã kiểm tra lại tất cả các điểm trên, lặp lại phép đo. Nếu sai\r\nlệch vẫn lớn hơn ±4 dB thì xét đến vị\r\ntrí và khu vực xung quanh. Nhìn chung, độ suy giảm vị trí theo chiều dọc cần\r\nphải nhạy nhất với sự bất thường của vị trí. Nếu như vậy, sử dụng phép đo đó làm\r\ncơ sở để theo dõi vấn đề. Vấn đề có thể bao gồm kết cấu và kích thước của mặt\r\nphẳng nền không thích hợp, đối tượng phản xạ quá gần (hàng rào, toà nhà, toà\r\ntháp, v.v…), suy giảm tính năng của vỏ bọc với mọi thời tiết do phương pháp bảo\r\nquản, kết cấu không thỏa đáng và các ảnh hưởng lâu dài như sự thâm nhập của các\r\ndư lượng gây ô nhiễm dẫn trên không.

\r\n\r\n

E.5. Hiệu chuẩn anten

\r\n\r\n

Hệ số anten của anten\r\ndải rộng dùng để thực hiện phép đo độ suy giảm vị trí cần phải theo tiêu chuẩn\r\nquốc gia. Hệ số anten của nhà chế tạo có thể không đủ chính xác để đạt được sự\r\nphù hợp tốt giữa độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn đo được và tính được.

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 1: Tiêu\r\nchuẩn riêng về hiệu chuẩn anten đang được xây dựng bởi CISPR/A WG1.

\r\n\r\n

Hệ số anten thường\r\ntính cho tổn hao do có bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng. Nếu sử dụng một bộ\r\nbiến đổi cân bằng-không cân bằng riêng, thì phải tính đến ảnh hưởng của nó.\r\nKinh nghiệm cho thấy sự thay đổi hệ số anten theo hình học và phân cực thường\r\nkhông đáng kể đối với loại anten dải rộng dùng phổ biến cho phép đo EMC dưới 1\r\nGHz (ví dụ như lưỡng cực dày, hình nón kép và loga chu kỳ) với điều kiện anten\r\nphát cao hơn mặt phẳng nền ít nhất là 1 m. Nếu nghi ngờ sự thay đổi hệ số anten\r\nlà do sử dụng dạng hình học đo hoặc anten không thông thường, hoặc do các ảnh hưởng\r\nnhư ghép nối chung, hoặc đường truyền phân tán đối với anten phân cực thẳng\r\nđứng, đặc biệt ở khoảng cách đo là 3 m, thì hệ số anten trước tiên cần được đo\r\nbằng cách dùng các dạng hình học này.

\r\n\r\n

Thông thường, độ suy\r\ngiảm vị trí được đo ở hệ thống 50 W,\r\nnghĩa là máy phát tín hiệu và máy thu đo có trở kháng 50 W và trở kháng bức xạ của anten phát và\r\nanten thu đã cân bằng và phối hợp qua một bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng.

\r\n\r\n

Hệ số anten của nhà\r\nchế tạo cũng thường được qui định cho trở kháng 50 W, nghĩa là có hệ số chuyển đổi nhưng\r\nkhông có tổn hao cân bằng của trở kháng 50 W\r\nvới trở kháng bức xạ của anten và, nếu áp dụng được, tổn hao của bộ biến đổi\r\ncân bằng-không cân bằng sử dụng cũng nằm trong hệ số anten đã cho.

\r\n\r\n

Nếu sử dụng lưỡng cực\r\nnửa sóng điều hưởng, thì hệ số anten không gian tự do của lưỡng cực có thể tính\r\nbằng cách sử dụng công thức sau:

\r\n\r\n

F_a\r\n= 20 log (2p/l) + 10 log (73/50) = 20 log (f) - 31,9\r\n(dB) (E.1)

\r\n\r\n

trong đó f tính bằng\r\nMHz

\r\n\r\n

CHÚ THÍCH 2: Trong\r\nthực tế, hệ số anten sẽ bị ảnh hưởng bởi chiều cao của lưỡng cực phía trên mặt\r\nđất do trở kháng chung của lưỡng cực và ảnh của nó trên mặt đất.

\r\n\r\n

Giá trị trung bình\r\ncủa tổn hao bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng đối với lưỡng cực nửa sóng điều\r\nhưởng thiết kế tốt là khoảng 0,5 dB. Do đó công thức (E.1) trở thành

\r\n\r\n

F_a\r\n= 20 log (f) - 31,4 (dB) (E.2)

\r\n\r\n

Tổn hao bộ biến đổi\r\ncân bằng-không cân bằng này cần được đo bằng cách nối ngược lưỡng cực phát và\r\nthu trước khi chúng được lắp đặt trong vỏ bọc. Tổn hao trên một bộ biến đổi cân\r\nbằng-không cân bằng bằng 1/2 tổng tổn hao đo được, giả thiết hai bộ biến đổi\r\ncân bằng-không cân bằng là như nhau.

\r\n\r\n

Điều quan trọng là\r\ncần kiểm tra xem các giá trị tính được này có đại diện cho các giá trị của\r\nlưỡng cực điều hưởng cụ thể dùng cho phép đo NSA hay không. Việc kiểm tra đơn\r\ngiản nhất là đo hệ số sóng đứng với anten được lắp ráp và các phần tử của nó\r\nđược điều hưởng đến cộng hưởng. Anten phải được đặt cao hơn mặt đất ít nhất là\r\n4 m, nếu có thể thì đặt cao hơn, để giảm thiểu ghép nối anten với đất, và các\r\nphần tử của nó được điều chỉnh đến cộng hưởng sử dụng phép đo cho trong Bảng\r\nE.3. Việc kiểm tra hệ số sóng đứng của anten tại các tần số ở đầu thấp, ở giữa\r\nvà đầu cao trong dải tần của chúng là đủ.

\r\n\r\n

Dưới 100 MHz, chức\r\nnăng của các bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng cũng có thể được kiểm tra bằng\r\ncách tháo bỏ các phần tử, đặt điện trở 70 W\r\nqua các đầu nối của phần tử dùng để cố định khối, và đo hệ số sóng đứng của bộ\r\nbiến đổi cân bằng-không cân bằng được nối. hệ số sóng đứng cần nhỏ hơn 1,5 đến\r\n1.

\r\n\r\n

Bảng\r\nE.1 - Độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn ^a

\r\n\r\n

(Dạng\r\nhình học khuyến cáo đối với anten dải rộng)

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

Phân\r\n cực

\r\n

R\r\n (m)

\r\n

h₁\r\n (m)

\r\n

h₂\r\n (m)

\r\n

Ngang

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Ngang

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Ngang

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

Ngang

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Dọc

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Dọc

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Dọc

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

Dọc

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

f_m, MHz

\r\n

A_N,\r\n dB

\r\n

100

\r\n

120

\r\n

140

\r\n

160

\r\n

180

\r\n

200

\r\n

250

\r\n

300

\r\n

400

\r\n

500

\r\n

600

\r\n

700

\r\n

800

\r\n

900

\r\n

1\r\n 000

\r\n

15,8

\r\n

13,4

\r\n

11,3

\r\n

9,4

\r\n

7,8

\r\n

5,0

\r\n

2,8

\r\n

0,9

\r\n

-0,7

\r\n

-2,0

\r\n

-4,2

\r\n

-6,0

\r\n

-7,4

\r\n

-8,6

\r\n

-9,6

\r\n

-11,9

\r\n

-12,8

\r\n

-14,8

\r\n

-17,3

\r\n

-19,1

\r\n

-20,6

\r\n

-21,3

\r\n

-22,5

\r\n

-23,5

\r\n

29,8

\r\n

27,1

\r\n

24,9

\r\n

22,9

\r\n

21,1

\r\n

18,0

\r\n

15,5

\r\n

13,3

\r\n

11,4

\r\n

9,7

\r\n

7,0

\r\n

4,8

\r\n

3,1

\r\n

1,7

\r\n

0,6

\r\n

-1,6

\r\n

-3,3

\r\n

-5,9

\r\n

-7,9

\r\n

-9,5

\r\n

-10,8

\r\n

-12,0

\r\n

-12,8

\r\n

-13,8

\r\n

44,4

\r\n

41,7

\r\n

39,4

\r\n

37,3

\r\n

35,5

\r\n

32,4

\r\n

29,7

\r\n

27,5

\r\n

25,5

\r\n

23,7

\r\n

20,6

\r\n

18,1

\r\n

15,9

\r\n

14,0

\r\n

12,4

\r\n

9,1

\r\n

6,7

\r\n

3,6

\r\n

1,7

\r\n

-1,3

\r\n

-2,5

\r\n

-3,5

\r\n

-4,5

\r\n

47,8

\r\n

45,1

\r\n

42,8

\r\n

40,8

\r\n

38,9

\r\n

35,8

\r\n

33,1

\r\n

30,8

\r\n

28,8

\r\n

23,9

\r\n

21,2

\r\n

15,3

\r\n

11,6

\r\n

8,8

\r\n

4,6

\r\n

1,8

\r\n

-1,3

\r\n

-2,5

\r\n

-3,5

\r\n

-4,4

\r\n

8,2

\r\n

6,9

\r\n

5,8

\r\n

4,9

\r\n

4,0

\r\n

2,6

\r\n

1,5

\r\n

0,6

\r\n

-0,1

\r\n

-0,7

\r\n

-1,5

\r\n

-1,8

\r\n

-1,7

\r\n

-1,3

\r\n

-3,6

\r\n

-7,7

\r\n

-10,5

\r\n

-14,0

\r\n

-16,4

\r\n

-16,3

\r\n

-18,4

\r\n

-20,0

\r\n

-21,3

\r\n

-22,4

\r\n

16,7

\r\n

15,4

\r\n

14,2

\r\n

13,2

\r\n

12,3

\r\n

10,7

\r\n

9,4

\r\n

8,3

\r\n

7,3

\r\n

6,4

\r\n

4,9

\r\n

3,7

\r\n

2,6

\r\n

1,8

\r\n

1,0

\r\n

-0,5

\r\n

-1,5

\r\n

-4,1

\r\n

-6,7

\r\n

-8,7

\r\n

-10,2

\r\n

-11,5

\r\n

-12,6

\r\n

-13,6

\r\n

26,1

\r\n

24,7

\r\n

23,6

\r\n

22,5

\r\n

21,6

\r\n

20,1

\r\n

18,7

\r\n

17,6

\r\n

16,6

\r\n

15,7

\r\n

14,1

\r\n

12,8

\r\n

11,7

\r\n

10,8

\r\n

9,9

\r\n

8,2

\r\n

6,8

\r\n

5,0

\r\n

3,9

\r\n

2,7

\r\n

-0,5

\r\n

-2,1

\r\n

-3,2

\r\n

-4,2

\r\n

26,0

\r\n

24,7

\r\n

23,5

\r\n

22,5

\r\n

21,6

\r\n

18,7

\r\n

17,5

\r\n

16,5

\r\n

15,6

\r\n

14,0

\r\n

12,7

\r\n

11,5

\r\n

10,5

\r\n

9,6

\r\n

7,7

\r\n

6,2

\r\n

3,9

\r\n

2,1

\r\n

0,8

\r\n

-0,3

\r\n

-1,1

\r\n

-1,7

\r\n

-3,5

\r\n

Chú giải

\r\n

d là khoảng cách\r\n nằm ngang giữa hình chiếu của anten phát và anten thu trên mặt phẳng nền (m);\r\n đối với anten băng rộng a, d là khoảng cách giữa các hình chiếu của điểm\r\n chuẩn hai anten.

\r\n

h₁ là độ\r\n cao của tâm anten phát phía trên mặt phẳng nền (m).

\r\n

h₂ là\r\n dải độ cao của tâm anten thu phía trên mặt phẳng nền (m); tín hiệu thu được\r\n lớn nhất ở dải độ cao quét này được dùng cho phép đo NSA.

\r\n

f_M là\r\n tần số, tính bằng MHz.

\r\n

A_N là\r\n NSA.

\r\n

^a Các dữ liệu này\r\n chỉ áp dụng cho anten có khe hở mặt phẳng nền ít nhất là 25 cm khi tâm của anten\r\n cao hơn mặt phẳng nền 1 m theo phân cực thẳng đứng.

\r\n

\r\n\r\n

Bảng\r\nE.2 - Độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn – Dạng hình học khuyến cáo đối với lưỡng\r\ncực nửa sóng điều hưởng, phân cực ngang

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

Phân\r\n cực

\r\n

R\r\n (m)

\r\n

h₁\r\n (m)

\r\n

h₂\r\n (m)

\r\n

Ngang

\r\n

3**

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Ngang

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

Ngang

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

f_m\r\n , MHz

\r\n

A_N,\r\n dB

\r\n

100

\r\n

120

\r\n

140

\r\n

160

\r\n

180

\r\n

200

\r\n

250

\r\n

300

\r\n

400

\r\n

500

\r\n

600

\r\n

700

\r\n

800

\r\n

900

\r\n

1\r\n 000

\r\n

11,0

\r\n

8,8

\r\n

7,0

\r\n

5,5

\r\n

4,2

\r\n

2,2

\r\n

0,6

\r\n

-0,7

\r\n

-1,8

\r\n

-2,8

\r\n

-4,4

\r\n

-5,8

\r\n

-6,7

\r\n

-7,2

\r\n

-8,4

\r\n

-10,6

\r\n

-12,3

\r\n

-14,9

\r\n

-16,7

\r\n

-18,3

\r\n

-19,7

\r\n

-20,8

\r\n

-21,8

\r\n

-22,7

\r\n

24,1

\r\n

21,6

\r\n

19,4

\r\n

17,5

\r\n

15,9

\r\n

13,1

\r\n

10,9

\r\n

9,2

\r\n

7,8

\r\n

6,7

\r\n

5,0

\r\n

3,5

\r\n

2,3

\r\n

1,2

\r\n

0,3

\r\n

-1,7

\r\n

-3,3

\r\n

-5,8

\r\n

-7,6

\r\n

-9,3

\r\n

-10,6

\r\n

-11,8

\r\n

-12,9

\r\n

-13,8

\r\n

38,4

\r\n

35,8

\r\n

33,5

\r\n

31,5

\r\n

29,7

\r\n

26,7

\r\n

24,1

\r\n

21,9

\r\n

20,1

\r\n

18,4

\r\n

15,7

\r\n

13,6

\r\n

11,9

\r\n

10,6

\r\n

9,7

\r\n

7,7

\r\n

6,1

\r\n

3,5

\r\n

1,6

\r\n

-1,3

\r\n

-2,4

\r\n

-3,5

\r\n

-4,4

\r\n

^a Hệ số hiệu chỉnh\r\n trở kháng chung (xem Bảng E.4) đối với các lưỡng cực nửa sóng điều hưởng phân\r\n cực ngang đặt cách nhau 3 m cần được trừ khỏi dữ liệu độ suy giảm vị trí tiêu\r\n chuẩn đo được để so sánh với giá trị độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn lý thuyết\r\n đối với vị trí lý tưởng nêu ở bảng này.

\r\n

\r\n\r\n

Bảng\r\nE.3 - Độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn – Dạng hình học khuyến cáo đối với lưỡng\r\ncực nửa sóng điều hưởng, phân cực thẳng đứng

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

f_m

\r\n

MHz

\r\n

R\r\n = 3 m

\r\n

h₁\r\n = 2,75 m

\r\n

R\r\n = 10 m

\r\n

h₁\r\n = 2,75 m

\r\n

R\r\n = 30 m

\r\n

h₁\r\n = 2,75 m

\r\n

h₂

\r\n

A_N

\r\n

h₂

\r\n

A_N

\r\n

h₂

\r\n

A_N

\r\n

100

\r\n

120

\r\n

140

\r\n

160

\r\n

180

\r\n

200

\r\n

250

\r\n

300

\r\n

400

\r\n

500

\r\n

600

\r\n

700

\r\n

800

\r\n

900

\r\n

1\r\n 000

\r\n

2,75\r\n đến 4

\r\n

2,39\r\n đến 4

\r\n

2,13\r\n đến 4

\r\n

1,92\r\n đến 4

\r\n

1,75\r\n đến 4

\r\n

1,50\r\n đến 4

\r\n

1,32\r\n đến 4

\r\n

1,19\r\n đến 4

\r\n

1,08\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

12,4

\r\n

11,3

\r\n

10,4

\r\n

9,5

\r\n

8,4

\r\n

6,3

\r\n

4,4

\r\n

2,8

\r\n

1,5

\r\n

0,6

\r\n

-0,7

\r\n

-1,5

\r\n

-3,1

\r\n

-4,5

\r\n

-5,4

\r\n

-7,0

\r\n

-8,9

\r\n

-11,4

\r\n

-13,4

\r\n

-14,9

\r\n

-16,3

\r\n

-17,4

\r\n

-18,5

\r\n

-19,4

\r\n

2,75\r\n đến 4

\r\n

2,39\r\n đến 4

\r\n

2,13\r\n đến 4

\r\n

1,92\r\n đến 4

\r\n

1,75\r\n đến 4

\r\n

1,50\r\n đến 4

\r\n

1,32\r\n đến 4

\r\n

1,19\r\n đến 4

\r\n

1,08\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

1\r\n đến 4

\r\n

18,8

\r\n

17,4

\r\n

16,2

\r\n

15,1

\r\n

14,2

\r\n

12,6

\r\n

11,3

\r\n

10,2

\r\n

9,2

\r\n

8,4

\r\n

7,5

\r\n

5,5

\r\n

3,9

\r\n

2,7

\r\n

1,6

\r\n

-0,6

\r\n

-2,3

\r\n

-4,9

\r\n

-6,9

\r\n

-8,4

\r\n

-9,7

\r\n

-10,9

\r\n

-12,0

\r\n

-13,0

\r\n

2,75\r\n đến 6

\r\n

2,39\r\n đến 6

\r\n

2,13\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

2\r\n đến 6

\r\n

26,3

\r\n

24,9

\r\n

23,8

\r\n

22,8

\r\n

21,9

\r\n

20,4

\r\n

19,1

\r\n

18,0

\r\n

17,1

\r\n

16,3

\r\n

15,0

\r\n

14,1

\r\n

13,3

\r\n

12,8

\r\n

12,5

\r\n

8,6

\r\n

6,5

\r\n

3,8

\r\n

1,8

\r\n

0,2

\r\n

-1,0

\r\n

-2,4

\r\n

-3,3

\r\n

-4,2

\r\n

\r\n\r\n

Bảng\r\nE.4 - Hệ số hiệu chỉnh ghép nối chung đối với dạng hình học dùng các lưỡng cực\r\nđiều hưởng được cộng hưởng đặt cách nhau 3 m

\r\n\r\n\r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n \r\n

\r\n

DF_aTOT -\r\n Hệ số hiệu chỉnh tổng, tính bằng đềxiben

\r\n

f_M

\r\n

MHz

\r\n

Phân\r\n cực ngang d = 3 m

\r\n

h₁\r\n = 2 m

\r\n

h₂\r\n = 1 m đến 4 m

\r\n

Phân\r\n cực thẳng đứng d = 3 m

\r\n

h₁\r\n = 2,75 m

\r\n

h₂\r\n = (xem Bảng E.3)

\r\n

100

\r\n

120

\r\n

125

\r\n

140

\r\n

150

\r\n

160

\r\n

175

\r\n

180

\r\n

3,1

\r\n

4,0

\r\n

4,1

\r\n

3,3

\r\n

2,8

\r\n

1,0

\r\n

-0,4

\r\n

-1,0

\r\n

-1,0

\r\n

-1,2

\r\n

-0,4

\r\n

-0,2

\r\n

-0,1

\r\n

-0,9

\r\n

-1,5

\r\n

-1,8

\r\n

-1,0

\r\n

2,9

\r\n

2,6

\r\n

2,1

\r\n

1,6

\r\n

1,5

\r\n

2,0

\r\n

1,5

\r\n

0,9

\r\n

0,7

\r\n

0,1

\r\n

-0,2

\r\n

-0,2

\r\n

0,2

\r\n

0,4

\r\n

0,5

\r\n

-0,2

\r\n

-0,4

\r\n

CHÚ THÍCH 1: Các\r\n giá trị đối với lưỡng cực cộng hưởng được tính bằng cách sử dụng phương pháp\r\n mômen và mã điện từ bằng số (NEC) hoặc hệ thống máy tính MININEC [3], [4],\r\n [9].

\r\n

CHÚ THÍCH 2: Giả\r\n thiết hệ số anten không gian tự do lý thuyết đối với lưỡng cực cộng hưởng lý\r\n tưởng có tổn hao bộ biến đổi cân bằng-không cân bằng là 0,5 dB (với mỗi\r\n anten).

\r\n

CHÚ THÍCH 3: Hệ số\r\n hiệu chỉnh này không mô tả đầy đủ hệ số anten đo được phía trên mặt phẳng\r\n nền, ví dụ ở độ cao 3 m hoặc 4 m, vì hệ số anten này khác với hệ số anten\r\n không gian tự do ở tần số thấp hơn. Tuy nhiên, trong phạm vi sai số nêu ở\r\n bảng M, các giá trị chỉ ra đầy đủ các bất thường của vị trí.

\r\n

CHÚ THÍCH 4: Người\r\n sử dụng cần chú ý là một số anten hoặc lưỡng cực nửa sóng có bộ biến đổi cân\r\n bằng-không cân bằng không thông thường có thể có các đặc tính khác với anten\r\n nêu ở E.5.

\r\n

CHÚ THÍCH 5: Hệ số\r\n hiệu chỉnh ghép nối chung đối với 10 m và 30 m đang được xem xét. Như một qui\r\n trình tạm thời, sự thích hợp của vị trí có thể được đánh giá bằng cách coi hệ\r\n số hiệu chỉnh này bằng không.

\r\n

\r\n\r\n

Phụ lục F

\r\n\r\n

(tham\r\nkhảo)

\r\n\r\n

Cơ sở đối với tiêu chí chấp nhận vị\r\ntrí 4 dB

\r\n\r\n

(Điều\r\n5)

\r\n\r\n

F.1. Qui định chung

\r\n\r\n

Phụ lục này đề cập\r\nđến cơ sở đối với tiêu chí chấp nhận vị trí ±4\r\ndB cho phép đo độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn yêu cầu trong 5.2.6.

\r\n\r\n

F.2. Phân tích sai số

\r\n\r\n

Việc phân tích sai số\r\ntrong Bảng F.1 áp dụng cho các phương pháp đo độ suy giảm vị trí tiêu chuẩn nêu\r\nở 5.2.6. Tổng sai số đánh giá được là cơ sở để chấp nhận tiêu chí vị trí ±4 dB bao gồm khoảng 3 dB cho độ không\r\nđảm bảo đo và 1 dB cho sự không hoàn hảo của vị trí.

\r\n\r\n

Sai số trong Bảng F.1\r\nkhông bao gồm độ không đảm bảo đo về ổn định biên độ của máy phát tín hiệu, máy\r\nphát tín hiệu tự hiệu chỉnh hoặc bộ khuếch đại bất kỳ có thể được sử dụng, và\r\ncũng không bao gồm các sai số tiềm ẩn trong kỹ thuật đo. Mức đầu ra của hầu hết\r\nmáy phát tín hiệu và bộ tự hiệu chỉnh sẽ bị trôi theo thời gian và nhiệt độ, độ\r\nlợi của nhiều bộ khuếch đại sẽ bị trôi khi nhiệt độ thay đổi. Các nguồn gây sai\r\nsố này bắt buộc phải được giữ ở lượng không đáng kể hoặc được hiệu chỉnh khi\r\nthực hiện phép đo, nếu không, vị trí có thể không thỏa mãn tiêu chí chấp nhận\r\nchỉ vì vấn đề thiết bị đo.

\r\n\r\n

Bảng\r\nF.1 - Quỹ sai số

\r\n Hạng\r\n mục sai số \r\n	\r\n Phương\r\n pháp đo \r\n
\r\n Hạng\r\n mục sai số \r\n	\r\n Phương\r\n pháp riêng rẽ \r\n dB \r\n	\r\n Phương\r\n pháp tần số quét \r\n dB \r\n
\r\n Hệ số anten (Tx)^a \r\n	\r\n ±1 \r\n	\r\n ±1 \r\n
\r\n Hệ số anten (Rx)^a \r\n	\r\n ±1 \r\n	\r\n ±1 \r\n
\r\n Vônmét \r\n	\r\n 0 \r\n	\r\n ±1,6^b \r\n
\r\n Bộ suy giảm \r\n	\r\n ±1 \r\n	\r\n 0 \r\n
\r\n Sự không hoàn hảo\r\n của vị trí \r\n	\r\n ±1 \r\n	\r\n ±1 \r\n
\r\n Tổng \r\n	\r\n ±4 \r\n	\r\n ±4,6 \r\n
\r\n ^a ở tần số cao hơn\r\n 800 MHz, sai số F_a có thể lên đến ±1,5 dB. \r\n ^b Từ hướng dẫn thao\r\n tác. \r\n

\r\n\r\n

Từ hướng dẫn thao tác\r\nđối với một số bộ phân tích phổ tự động, ví dụ, nếu mọi thao tác được thực hiện\r\nđể loại bỏ hoặc bù lại tối đa mọi khả năng sai số thì sai số biên độ còn lại\r\nlà:

\r\n\r\n

1) ±0,2 dB độ không đảm bảo của bộ hiệu\r\nchuẩn,

\r\n\r\n

2) ±1,0 dB độ phẳng của đáp tuyến tần số,

\r\n\r\n

3) ±1,0 dB đóng cắt bộ suy giảm đầu vào,

\r\n\r\n

4) ±0,4 dB độ không đảm bảo độ lợi RF và\r\nIF.

\r\n\r\n

Điều này đưa ra tổng\r\nsai số có thể là ±2,6 dB. Sai số này\r\nkhông bao gồm độ trôi nhiệt độ ±0,05\r\ndB/K. Trong thực tế, khi thực hiện phép đo kiểu thay thế, sai số liên quan với\r\nđộ phẳng của đáp tuyến tần số và đóng cắt bộ suy giảm đầu vào thường ít hơn 1\r\ndB, để cho dải sai số tổng đối với bộ phân tích phổ như một vônmét hai đầu ra\r\nlà ±1,6 dB hoặc nhỏ hơn,\r\nnhư được dùng trong Bảng F.1.

\r\n\r\n

Nhiều bộ suy giảm có\r\nđộ chính xác tuyệt đối rất thấp, nhưng một số lại cao hơn. Do đó, giới hạn sai\r\nsố tổng được tăng lên hoặc giảm đi trong các phép đo riêng rẽ. Nếu bộ suy giảm\r\nbên ngoài được dùng với bộ phân tích phổ tự động trong phép đo tần số quét thì\r\ngiới hạn sai số này cũng tăng lên.

\r\n\r\n

Các sai số này không\r\nbao gồm các sai số do thời gian và nhiệt độ gây ra sự trôi độ lợi, mức đầu ra\r\nhoặc đáp tuyến biên độ của thiết bị thử nghiệm. Các sai số này có thể tồn tại\r\nvà phải thực hiện các biện pháp để ngăn ngừa chúng bằng cách tiến hành phép đo\r\ncàng nhanh càng tốt.

\r\n\r\n

Trong thực tế, sai số\r\nnày giải thích cho các trường hợp hiếm gặp nêu trên xảy ra theo cùng một hướng.\r\nThỏa mãn tiêu chí ±4 dB đối với một ví\r\ntrí được định vị và có kết cấu tốt có thể cho phép thay đổi bất thường của vị\r\ntrí nhiều hơn ±1 dB so với lý tưởng.

\r\n\r\n

Thư mục tài liệu tham khảo

\r\n\r\n

[1] IEC 61169-8,\r\nRadio-frequency connectors – Part 8: Sectional specification – RF coaxial\r\nconnectors with inner diameter of outer conductor 6,5 mm (0,256 in) with\r\nbayonet lock – Characteristic impedance 50 W\r\n(type BNC)

\r\n\r\n

ZOMBOLAS, C. The\r\neffects of table material on radiated field strength measurement\r\nreproducibility at open area test sites. IEEE Intl.Symp.Electromg. Compat.,\r\nMontreal. Quebec, Canada, 2001, pp 260- 264.

\r\n\r\n

[2] BEECKMAN, P.A.\r\nThe influence of positioning tables on the results of radiated EMC\r\nmeasurements. IEEE Intl.Symp.Electromg. Compat., Montreal. Quebec, Canada,\r\n2001, pp 280-285.

\r\n\r\n

[3] Berry, J.; Pate,\r\nB.; Knight:”Variations in mutual coupling correction factors for resonant\r\ndipoles used in site attenuation measurements”, Proceeding of IEEE Symposium on\r\nEMC, Washington, DC, 1990.

\r\n\r\n

[4] Burke G.J. và\r\nPoggio A.J., Numerical electromagnetic code – method of moments Lawrence\r\nLivermore, California, January, 1981.

\r\n\r\n

[5] GARBE., H., New\r\nEMC Test facilities for radiation measurements, Review of radio science 1999-\r\n2002, John Wiley & Sons, New York, 2002

\r\n\r\n

[6] MOSSHAMMER, P.\r\nUntersuchung der Einflusse des Messzubehửrs und der Umgebung auf die\r\nMessunsicherheit bei der Messung der Stửrfeldstọrke auf Freifeldmessplọtzen\r\n(Investigation of the influences of the measuring accessories and the\r\nenvironment on the measurement uncertainty with the measurement of the\r\nperturbative field strength on free field measuring positions), Diplomarbeit an\r\nFachhochschle fỹr Technik und Wirtschaft Berlin

\r\n\r\n

(http://www.regtp.de/tech_reg_tele/start/fs_06.html),\r\n(http://www.regtp.de/imperia/md/content/tech_reg_t/emv/studien/diplomarbeit/pdf)\r\n(http://www.regtp.de/tech_reg_tele/in_06-03-02-03-00_m/01/index.html)

\r\n\r\n

[7] ETR 273-1-1:1998,\r\nElectroMagnetic Compatibility and Radio Spectrum Matters (ERM); Improvement of\r\nradiated methods of measurement (using test sites) and evaluation of the\r\ncorresponding measurement uncertainties – Part 1: Uncertainties in the\r\nmeasuremement of mobile radio equipment characteristics – Section 1:\r\nIntroduction; Sub-clause 8.3.4.3: Antenna mast, turntable and mounting fixture,\r\nETSI Technical report, European Telecommunications Standards Institute, Sophia\r\nAntipolis, France.

\r\n\r\n

[8] MIL-STD-461A,\r\nElectromagnetic Interference (EMI) Characteristics requirements for equipment

\r\n\r\n

[9] Rocway J.W.,\r\nLogan J.C., Tam D.W.S., Li S.T., MININEC System: Microcomputer analysis of wire\r\nantennas, artech house, Boston, 1988.

\r\n\r\n

[10] Zombolas, C.,\r\nThe effects of table material on radiated field strength measurement\r\nreproducibility at open area test sites. IEEE International Symposium on\r\nelectromagnetic compatibility, montreal, quebec, Canada, 2001, p.260-264

\r\n\r\n

[11] Bergervoet J.R.\r\nvà Van Veen, H. A Large-loop antenna for magnetic field measurements,\r\nproceedings of the 8^th international Zurich Symposium on\r\nelectromagnetic compatibility, march 1989, ETH Zentrum - IKT, 8092 Zurich,\r\nSwitzerland, p.29-34.

\r\n\r\n

[12] IEEE 291-1991,\r\nIEEE Standard Methods for Measuring Electromagnetic Field Strength of\r\nSinusoidal Continuous Waves, 30 Hz to 30 GHz. IEEE, Inc., 445 Hoes Lane, PO Box\r\n1331, Piscataway, NJ 08855-1331 USA, p. 28-29.

\r\n\r\n

[13] GREENE, FM. NBS\r\nField-Strength Standards and Measurements (30 Hz to 1000 MHz). Proc. IEEE, No.\r\n6, June 1967, vol. 55, p. 974-981.

\r\n\r\n

[14] SCHELKUNOFF, SA.\r\nand FRIIS, HT. Antennas: Theory and Practice. New York: John Wiley and Sons,\r\nInc., 1952, p. 302-331.

\r\n\r\n

[15] SCHELKUNOFF, SA.\r\nTheory of Antennas of Arbitrary Size and Shape. Proc of the IRE, Sept. 1941,\r\nvol. 29, p. 493-592.

\r\n\r\n

[16] WOLFF, EA.\r\nAntenna Analysis. New York: John Wiley and Sons, Inc., 1966, p. 61.

\r\n\r\n

[17] HALLÉN, E.\r\nTheoretical Investigation into the Transmitting and Receiving Qualities of\r\nAntennas. Nova Acta Soc. Sci. Upsaliensis, Ser. IV, 11, No. 4, 1938, p. 1-44.

\r\n\r\n

[18] KING, RWP.,\r\nTheory of Linear Antennas, Harvard University Press, Cambridge, MA, 1956, p.16-\r\n17, 71, 184 and 487.

\r\n\r\n

[19] The Radio\r\nFrequency Interference Meter NAVSHIPS 94810, by The Staff of the Moore School\r\nof Electrical Engineering, University of Pennsylvania, 1962, p. 36-38.

\r\n\r\n

MỤC\r\nLỤC

\r\n\r\n

Lời nói đầu

\r\n\r\n

Lời giới thiệu

\r\n\r\n

1. Phạm vi áp dụng

\r\n\r\n

2. Tài liệu viện dẫn

\r\n\r\n

3. Thuật ngữ, định\r\nnghĩa và chữ viết tắt

\r\n\r\n

4. Anten để đo nhiễu\r\nbức xạ tần số rađiô

\r\n\r\n

4.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

4.2. Tham số vật lý\r\nđể đo phát bức xạ

\r\n\r\n

4.3. Dải tần từ 9 kHz\r\nđến 150 kHz

\r\n\r\n

4.4. Dải tần từ 150\r\nkHz đến 30 MHz

\r\n\r\n

4.5. Dải tần từ 30\r\nMHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

4.6. Dải tần từ 1 GHz\r\nđến 18 GHz

\r\n\r\n

4.7. Bố trí anten đặc\r\nbiệt – Hệ thống anten vòng

\r\n\r\n

5. Vị trí thử nghiệm\r\nđể đo cường độ trường nhiễu rađiô trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz ..

\r\n\r\n

5.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

5.2. OATS

\r\n\r\n

5.3. Sự thích hợp của\r\nvị trí thử nghiệm đối với vị trí thử nghiệm có mặt phẳng nền khác

\r\n\r\n

5.4.Vị trí thử nghiệm\r\nthích hợp không có mặt phẳng nền

\r\n\r\n

5.5. Đánh giá bàn bố\r\ntrí thử nghiệm và tháp anten

\r\n\r\n

6. Phòng phản xạ dùng\r\ncho phép đo công suất bức xạ tổng

\r\n\r\n

7. Phần tử TEM để đo\r\nmiễn nhiễm với nhiễu bức xạ

\r\n\r\n

8. Vị trí thử nghiệm\r\nđể đo cường độ trường nhiễu rađiô trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz

\r\n\r\n

8.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

8.2. Vị trí thử\r\nnghiệm chuẩn

\r\n\r\n

8.3. Kiểm tra hiệu\r\nlực của vị trí thử nghiệm

\r\n\r\n

8.4. Vị trí thử\r\nnghiệm thay thế

\r\n\r\n

9. Thiết bị hấp thụ\r\nphương thức chung

\r\n\r\n

9.1. Yêu cầu chung

\r\n\r\n

9.2. Phép đo tham số\r\nS của CMAD

\r\n\r\n

9.3. Cơ cấu thử\r\nnghiệm CMAD

\r\n\r\n

9.4. Phương pháp đo\r\nsử dụng hiệu chuẩn TRL

\r\n\r\n

9.5. Yêu cầu kỹ thuật\r\ncủa CMAD kiểu kẹp ferit

\r\n\r\n

9.6. Kiểm tra tính\r\nnăng của CMAD (sự suy giảm) bằng cách sử dụng bộ phân tích phổ (SA) và bộ phát\r\nđồng chỉnh (TG)

\r\n\r\n

Phụ lục A (qui định)\r\n– Tham số của anten

\r\n\r\n

Phụ lục B (qui định)\r\n– Công thức tính năng của anten đơn cực (anten thanh 1 m) và đặc tính của mạng\r\nphối hợp anten kết hợp

\r\n\r\n

Phụ lục C (qui định)\r\n– Hệ thống anten vòng để đo dòng cảm ứng trường từ trong dải tần từ 9 kHz đến\r\n30 MHz

\r\n\r\n

Phụ lục D (qui định)\r\n– Chi tiết kết cấu đối với vị trí thử nghiệm thoáng trong dải tần từ 30 MHz đến\r\n1 000 MHz

\r\n\r\n

Phụ lục E (qui định)\r\n– Qui trình kiểm tra hiệu lực của vị trí thử nghiệm thoáng trong dải tần từ 30\r\nMHz đến 1 000 MHz

\r\n\r\n

Phụ lục F (tham khảo)\r\n– Cơ sở đối với tiêu chí chấp nhận vị trí 4 dB

\r\n\r\n

Thư mục tài liệu tham\r\nkhảo

\r\n\r\n

1 Số\r\ntrong dấu ngoặc vuông đề cập đến thư mục tài liệu tham khảo.

\r\n\r\n

2 Giới\r\nhạn này đảm bảo dạng bức xạ bằng phẳng trong vùng ngắm thẳng và có đáp ứng mọi\r\nhướng chấp nhận được

\r\n\r\n

3 Con\r\nsố trong ngoặc vuông đề cập đến tài liệu được trích dẫn ở B.5.

\r\n\r\n

\r\n\r\n\r\n\r\n\r\n"

Từ khóa: Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN6989-1-4:2010, Tiêu chuẩn Việt Nam số TCVN6989-1-4:2010, Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN6989-1-4:2010 của Đã xác định, Tiêu chuẩn Việt Nam số TCVN6989-1-4:2010 của Đã xác định, Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN6989 1 4:2010 của Đã xác định, TCVN6989-1-4:2010

File gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN6989-1-4:2010 (CISPR 16-1-4:2010) về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Anten và vị trí thử nghiệm dùng để đo nhiễu bức xạ đang được cập nhật.

Tiêu chuẩn quốc gia TCVN6989-1-4:2010 (CISPR 16-1-4:2010) về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô – Anten và vị trí thử nghiệm dùng để đo nhiễu bức xạ

- File PDF đang được cập nhật

- File Word Tiếng Việt đang được cập nhật

Cơ quan ban hành	Đã xác định
Số hiệu	TCVN6989-1-4:2010
Loại văn bản	Tiêu chuẩn Việt Nam
Người ký	Đã xác định
Ngày ban hành	2010-01-01
Ngày hiệu lực
Lĩnh vực	Xây dựng - Đô thị
Tình trạng	Còn hiệu lực

TT	Tên sản phẩm	Giá tiền	Đăng ký
1	Gói cơ bản – 1 năm	350.000 ₫	Đăng nhập
2	Gói cơ bản – 2 năm	700.000 ₫	Đăng nhập
3	Gói cơ bản – 3 năm	1.000.000 ₫	Đăng nhập
4	Gói cơ bản – 6 tháng	180.000 ₫	Đăng nhập
5	Gói cơ bản – 5 năm	1.600.000 ₫	Đăng nhập
6	Gói nâng cao – 1 năm	1.100.000 ₫	Đăng nhập
7	Gói nâng cao – 2 năm	2.300.000 ₫	Đăng nhập
8	Gói nâng cao – 3 năm	3.400.000 ₫	Đăng nhập
9	Gói nâng cao – 6 tháng	594.000 ₫	Đăng nhập
10	Gói nâng cao – 5 năm	5.800.000 ₫	Đăng nhập

Xây dựng - Đô thị

Chính sách mới

Tin văn bản

Tóm tắt

NỘI DUNG

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Chọn gói sản phẩm

Xây dựng - Đô thị

Chính sách mới

Tin văn bản

Tóm tắt

NỘI DUNG

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Đăng nhập

Đăng ký

Chọn gói sản phẩm