Lời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 8095-521 : 2009 thay thế TCVN\r\n4273-86 và TCVN 4167-85;
\r\n\r\nTCVN 8095-521 : 2009 hoàn toàn tương\r\nđương với IEC 60050-521 : 2002;
\r\n\r\nTCVN 8095-521 : 2009 do Ban kỹ thuật\r\ntiêu chuẩn quốc gia TCVN/TC/E3 Thiết bị điện tử dân dụng biên soạn, Tổng\r\ncục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\nTCVN 8095-521 : 2009 là một phần của\r\nbộ Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 8095.
\r\n\r\nBộ tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 8095 (IEC\r\n60050) hiện đã có các tiêu chuẩn sau:
\r\n\r\n1) TCVN 8095-212: 2009 (IEC 60050-212:\r\n1990), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 212: Chất rắn, chất lỏng và chất khí\r\ncách điện
\r\n\r\n2) TCVN 8095-436: 2009 (IEC 60050-436:\r\n1990), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 436: Tụ điện công suất
\r\n\r\n3) TCVN 8095-461: 2009 (IEC 60050-461:\r\n2008), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 461: Cáp điện
\r\n\r\n4) TCVN 8095-466: 2009 (IEC 60050-466:\r\n1990), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 466: Đường dây trên không
\r\n\r\n5) TCVN 8095-471: 2009 (IEC 60050-471:\r\n2007), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 471: Cái cách điện
\r\n\r\n6) TCVN 8095-521: 2009 (IEC 60050-521:\r\n2002), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 521: Linh kiện bán dẫn và mạch tích\r\nhợp
\r\n\r\n7) TCVN 8095-845: 2009 (IEC 60050-845:\r\n1987), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 845: Chiếu sáng
\r\n\r\nTiêu chuẩn này nêu các thuật ngữ chung\r\nsử dụng trong các lĩnh vực công nghệ bán dẫn, thiết kế bán dẫn và dùng cho các\r\nloại chất bán dẫn.
\r\n\r\nCác thuật ngữ này nhất quán với các\r\nthuật ngữ được xây dựng trong các phần cụ thể khác của từ vựng kỹ thuật điện\r\nquốc tế (IEV).
\r\n\r\n\r\n\r\nTCVN 8095-151 (IEC 60050-151), Linh\r\nkiện điện và linh kiện từ.
\r\n\r\n\r\n\r\n521-01-01. Hệ thống không lượng tử hóa\r\n(của các hạt)
\r\n\r\nHệ thống các hạt có năng lượng được\r\ngiả thiết là có khả năng biến đổi một cách liên tục và trong hệ thống đó, số\r\nlượng các trạng thái vi mô được xác định bởi vị trí và vận tốc của các hạt ở\r\nmột thời điểm cho trước vì thế là vô hạn.
\r\n\r\n521-01-02. Hệ thống lượng tử hóa (của\r\ncác hạt)
\r\n\r\nHệ thống các hạt mà năng lượng của\r\nchúng chỉ có các giá trị rời rạc.
\r\n\r\n521-01-03. Thống kê Maxwell-Boltzmann
\r\n\r\nPhân bố xác suất ở trạng thái vĩ mô\r\ncủa hệ thống các hạt không lượng tử hóa, được xác định bởi các giá trị trung\r\nbình của các tọa độ của vị trí, vận tốc hoặc năng lượng trong một thể tích rất\r\nnhỏ nhưng hữu hạn của hệ thống.
\r\n\r\n521-01-04. Hệ thức Boltzmann
\r\n\r\nPhương trình chỉ ra rằng ngoài hằng số\r\nthêm vào, entropy của hệ thống các hạt bằng với tích của logarit tự nhiên của\r\nxác suất trạng thái vĩ mô của hệ thống các hạt và hằng số Boltzmann.
\r\n\r\n521-01-05. Luật phân bố vận tốc\r\nMaxwell-Boltzmann
\r\n\r\nPhương trình đại số đưa ra số lượng dN\r\ncác hạt thuộc hệ thống không lượng tử hóa, các thành phần tương ứng của vận tốc\r\ncủa các hạt này nằm trong lần lượt các khoảng (u, u + du),\r\n(v, v + dv), (w, w + dw):
\r\n\r\n![](\"00910217_files/image001.gif\")
trong đó:
\r\n\r\n![](\"00910217_files/image002.gif\")
N là tổng số hạt;
\r\n\r\nm là khối lượng của một hạt
\r\n\r\nT là nhiệt độ nhiệt động
\r\n\r\nk là hằng số Boltzmann.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: dN/N thể hiện xác suất để\r\nmột hạt có các thành phần vận tốc của nó nằm trong các khoảng cần xét.
\r\n\r\n521-01-06. Nguyên tử Bo
\r\n\r\nMô hình nguyên tử dựa trên khái niệm\r\ncủa Bo và Sommerf
CHÚ THÍCH: Với mỗi bậc tự do của\r\nnguyên tử có một chuỗi các trạng thái năng lượng tương ứng, xác định chuỗi phổ\r\nmà nguyên tử có thể phát xạ.
\r\n\r\n521-01-07. Số lượng tử (của một\r\nelectron trong một nguyên tử cho trước)
\r\n\r\nTừng số đặc trung cho mức độ tự do của\r\nmột electron trong một nguyên tử cho trước:
\r\n\r\n- số lượng tử chính n
\r\n\r\n- số lượng tử quỹ đạo l
\r\n\r\n- số lượng tử spin s
\r\n\r\n- số lượng tử mômen góc toàn phần j
\r\n\r\n521-01-08. Số lượng tử chính
\r\n\r\nSố lượng tử thứ nhất
\r\n\r\nSố nguyên dương đặc trưng cho sự thay\r\nđổi quan trọng của mức năng lượng của electron trong một nguyên tử.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Theo mô hình nguyên tử Bo, số\r\nlượng tử chính có thể được xem là đặc trưng cho kích cỡ của một quỹ đạo\r\nelectron.
\r\n\r\n521-01-09. Số lượng tử quỹ đạo
\r\n\r\nSố lượng tử thứ hai
\r\n\r\nSố lượng tử có thể có tất cả các giá\r\ntrị từ 0 đến n-1, n là số lượng tử chính.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Theo mô hình nguyên tử Bo,\r\nsố lượng tử quỹ đạo có thể được xem là đặc trưng cho mômen góc của electron khi\r\nchuyển động trong quỹ đạo của nó xung quanh hạt nhân.
\r\n\r\n521-01-10. (số lượng tử) spin
\r\n\r\nSố lượng tử cho biết mômen góc của\r\nelectron, được xem là một hình cầu nhỏ tích điện quay tuần hoàn quanh trục của\r\nnó.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Spin có thể có hai giá trị:\r\n+1/2 hoặc -1/2.
\r\n\r\n521-01-11. Số lượng tử mômen góc toàn\r\nphần
\r\n\r\nSố lượng tử tạo ra hợp lực của trường\r\ntừ sinh ra bởi electron chuyển động trong quỹ đạo của nó và chuyển động quay\r\nquanh trục của nó.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Các giá trị của số lượng tử\r\nj này tạo thành tập hợp các giá trị nguyên và bán nguyên.
\r\n\r\n521-01-12. Mức năng lượng (của một\r\nhạt)
\r\n\r\nNăng lượng gắn với một trạng thái\r\nlượng tử của một hệ thống vật lý.
\r\n\r\n521-01-13. Biểu đồ mức năng lượng
\r\n\r\nSơ đồ thể hiện các mức năng lượng của\r\ncác hạt thuộc hệ thống lượng tử hóa theo các đường nằm ngang có các tọa độ là\r\nnăng lượng của các hạt này.
\r\n\r\n521-01-14. Nguyên lý loại trừ Pauli-Fermi\r\n
\r\n\r\nNguyên lý Pauli
\r\n\r\nNguyên lý chỉ ra rằng mỗi mức năng\r\nlượng của hệ thống lượng tử hóa có thể không có, có một hoặc hai hạt.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong trường hợp có hai\r\nelectron, các spin có dấu ngược nhau.
\r\n\r\n521-01-15. Thống kê Fermi-Dirac
\r\n\r\nThống kê Fermi
\r\n\r\nTập hợp các xác suất của trạng thái vĩ\r\nmô của hệ thống lượng tử hóa của các hạt, chỉ có các mức năng lượng rời rạc,\r\ntuân theo nguyên lý loại trừ Paulli-Fermi.
\r\n\r\n521-01-16. Hàm Fermi-Dirac
\r\n\r\nHàm biểu diễn xác suất P(E), đối với\r\nmột hạt tuân theo thống kê Fermi, để nó chiếm một mức năng lượng cho phép (E)
\r\n\r\n![](\"00910217_files/image003.gif\")
trong đó:
\r\n\r\nk là hằng số Boltzmann
\r\n\r\nT là nhiệt độ nhiệt động
\r\n\r\nEF
và mức này được lượng tử hóa và có thể\r\ncó 0, 1 hoặc 2 electron.
\r\n\r\n521-01-17. Mức Fermi
\r\n\r\nTrong một vật rắn, mức năng lượng dùng\r\nđể tách các trạng thái bị chiếm chỗ khỏi các trạng thái không bị chiếm chỗ ở\r\nnhiệt độ 0 độ kenvin.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Khi có vùng cấm tách các\r\ntrạng thái bị chiếm chỗ và không bị chiếm chỗ, mức Fermi được ấn định là tâm\r\ncủa vùng cấm.
\r\n\r\n521-01-18. electron đơn độc
\r\n\r\nElectron duy nhất trên một mức năng\r\nlượng.
\r\n\r\n521-01-19. Luật phân bố vận tốc Fermi-Dirac
Phương trình đại số đưa ra số lượng\r\ncác hạt dN thuộc hệ thống lượng tử hóa cân bằng, thành phần vận tốc của các hạt\r\ntương ứng nằm trong các khoảng (u, u + du), (v, v\r\n+ dv), (w, w + dw):
\r\n\r\n![](\"00910217_files/image004.gif\")
trong đó
\r\n\r\nN là tổng số hạt
\r\n\r\nm là khối lượng của hạt
\r\n\r\nT là nhiệt độ nhiệt động
\r\n\r\nk là hằng số Boltzman
\r\n\r\nh là hằng số Plăng
\r\n\r\nE là động năng của một hạt,
\r\n\r\nEM là hàm công nội tại
\r\n\r\ndN/N thể hiện xác suất để một hạt có\r\ncác thành phần của nó trong các khoảng cần xét.
\r\n\r\n521-01-20. Hiệu ứng quang điện
\r\n\r\nHiện tượng điện được tạo thành do hấp\r\nthụ các photon.
\r\n\r\n521-01-21. Hiệu ứng quang điện có lớp\r\nchặn
\r\n\r\nHiệu ứng quang điện trong đó sức điện\r\nđộng được sinh ra do hấp thụ các photon.
\r\n\r\n521-01-22. Hiệu ứng quang dẫn
\r\n\r\nHiệu ứng quang điện được đặc trưng bởi\r\nsự biến đổi độ dẫn điện.
\r\n\r\n521-01-23. Hiệu ứng quang điện từ
\r\n\r\nSự lan tỏa của trường điện vuông góc\r\nvới trường từ và với luồng phần tử mang điện tích được tạo ra nhờ hiệu ứng\r\nquang điện và khuếch tán trong chất bán dẫn, khi một chất bán dẫn chịu trường\r\ntừ và bức xạ điện từ.
\r\n\r\n521-02-01. Chất bán dẫn
\r\n\r\nChất mà độ dẫn điện tổng có được nhờ\r\nvào phần tử mang cả hai loại điện tích trái dấu, thường nằm trong dải giữa chất\r\ndẫ
521-02-02. Chất bán dẫn một nguyên tố hóa\r\nhọc
\r\n\r\nChất bán dẫn mà ở trạng thái tinh\r\nkhiết chỉ có một nguyên tố.
\r\n\r\n521-02-03. Chất bán dẫn hỗn hợp
\r\n\r\nChất bán dẫn mà ở trạng thái tinh\r\nkhiết gồm có một số nguyên tố theo tỉ lệ xấp xỉ với thành phần hợp thức.
\r\n\r\n521-02-04. Tạp chất.
\r\n\r\nCác nguyên tử lạ trong chất bán dẫn\r\nmột nguyên tố hóa học
\r\n\r\nCác nguyên tử lạ hoặc sự thừa hoặc\r\nthiếu các nguyên tử so với thành phần hợp thức của một chất bán dẫn hỗn hợp.
\r\n\r\n521-02-05. Năng lượng kích hoạt tạp\r\nchất
\r\n\r\nKhoảng trống giữa mức năng lượng trung\r\ngian do có tạp chất và vùng năng lượng liền kề.
\r\n\r\n521-02-06. Chất bán dẫn ion
\r\n\r\nChất bán dẫn trong đó độ dẫn do dòng\r\niôn chiếm ưu thế so với độ dẫn do chuyển động của các electron và các lỗ trống.
\r\n\r\n521-02-07. Chất bán dẫn thuần
\r\n\r\nChất bán dẫn gần như tinh khiết và lý\r\ntưởng trong đó mật độ electron dẫn và lỗ trống là gần như bằng nhau trong điều\r\nkiện cân bằng nhiệt.
\r\n\r\n521-02-08. Chất bán dẫn không thuần
\r\n\r\nChất bán dẫn trong đó độ tập trung các\r\nphần tử mang điện tích phụ thuộc vào tạp chất hoặc các khiếm khuyết khác.
\r\n\r\n521-02-09. Chất bán dẫn loại N
\r\n\r\nChất bán dẫn không thuần trong đó mật\r\nđộ electron dẫn lớn hơn mật độ lỗ trống.
\r\n\r\n521-02-10. Chất bán dẫn suy biến
\r\n\r\nChất bán dẫn trong đó mức Fermi nằm\r\ntrong vùng dẫn hoặc vùng hóa trị hoặc ở cách hai vùng này nhưng chưa tới hai\r\nlần tích của hằng số Boltzmann và nhiệt độ nhiệt động.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Phần tử mang điện tích của\r\nchất bán dẫn suy biến tuân theo thống kê Fermi-Dirac.
\r\n\r\n521-02-11. Chất bán dẫn bù trừ
\r\n\r\nChất bán dẫn trong đó các ảnh hưởng do\r\ntạp chất thuộc loại cho trước lên mật độ phần tử mang điện tích sẽ loại bỏ một phần\r\nhoặc hoàn toàn các ảnh hưởng của loại kia.
\r\n\r\n521-02-12. Chất bán dẫn không suy biến
\r\n\r\nChất bán dẫn trong đó mức Fermi nằm\r\ntrong khoảng trống năng lượng cách các đường biên một khoảng ít nhất bằng hai lần\r\ntích của hằng số Boltzmann và nhiệt độ nhiệt động.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Phần tử mang điện tích\r\ntrong chất bán dẫn không suy biến tuân theo thống kê Maxwell-Boltzmann.
\r\n\r\n521-02-13. Chất bán dẫn loại
Chất bán dẫn không thuần trong đó mật\r\nđộ lỗ trống lớn hơn mật độ electron dẫn.
\r\n\r\n521-02-14. Electron dẫn
\r\n\r\nElectron trong vùng dẫn của chất bán\r\ndẫn, chuyển động tự do thành dòng dưới tác động của trường điện.
\r\n\r\n521-02-15. Dòng dẫn
\r\n\r\nChuyển động có hướng của phần tử mang\r\nđiện tích tự do trong một môi chất dưới tác động của trường điện.
\r\n\r\n521-02-16. Chất dẫn
\r\n\r\nChất có các phần tử mang điện tích tự\r\ndo có thể chuyển động bởi trường điện.
\r\n\r\n521-02-17. Lỗ trống
\r\n\r\nKhoảng trống xuất hiện trong vùng năng\r\nlượng bình thường bị lấp đầy có thể di chuyển bởi trường điện như một điện tích\r\ndương cơ bản.
\r\n\r\n521-02-18. Dẫn điện lỗ trống
\r\n\r\nDẫn điện trong một chất bán dẫn, trong\r\nđó, các lỗ trống trong một mạng tinh thể được lan truyền qua mạng này dưới ảnh\r\nhưởng của trường điện.
\r\n\r\n521-02-19. Dẫn điện electron
\r\n\r\nDẫn điện trong một chất bán dẫn trong\r\nđó các electron dẫn trong một mạng tinh thể được lan truyền qua mạng này dưới\r\nảnh hưởng của trường điện.
\r\n\r\n521-02-20. Thuần dẫn
\r\n\r\nDẫn điện trong một chất bán dẫn do\r\nchuyển động của các lỗ trống và các electron dẫn được hình thành do phát nhiệt\r\ncủa các cặp phần tử mang điện tích.
\r\n\r\n521-02-21. Dẫn điện iôn
\r\n\r\nDẫn điện do chuyển động có hướng của\r\ncác điện tích do dịch chuyển của iôn, chuyển động này được duy trì nhờ sự góp\r\nphần liên tục của năng lượng bên ngoài.
\r\n\r\n521-02-22. Vùng dẫn
\r\n\r\nVùng năng lượng được phép bị chiếm một\r\nphần bởi các electron chuyển động tự do dưới ảnh hưởng của trường điện bên\r\nngoài.
\r\n\r\n521-02-23. Vùng hóa trị
\r\n\r\nVùng được phép bị chiếm bởi các\r\nelectron hóa trị.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Vùng hóa trị trong một\r\ntinh thế lý tưởng bị chiếm hoàn toàn ở nhiệt độ 0 độ kenvin.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Thiếu electron trong vùng\r\nhóa trị làm hình thành các lỗ trống dẫn trong vùng hóa trị và các electron dẫn\r\ntrong vùng dẫn.
\r\n\r\n521-02-24. Khoảng trống năng lượng
\r\n\r\nKhoảng trống giữa đường biên năng\r\nlượng phía dưới của vùng dẫn và đương biên năng lượng phía trên của vùng hóa\r\ntrị.
\r\n\r\n521-02-25. Vùng năng lượng
\r\n\r\nVùng Bloch
\r\n\r\nTập hợp gần như liên tục các mức năng\r\nlượng trong một chất.
\r\n\r\n521-02-26. Vùng năng lượng (trong một\r\nchất bán dẫn)
\r\n\r\nDải các mức năng lượng của electron\r\ntrong một chất bán dẫn, bị giới hạn bởi các giá trị năng lượng nhỏ nhất và lớn\r\nnhất.
\r\n\r\n521-02-27. Vùng bị chiếm một phần
\r\n\r\nVùng năng lượng mà không phải là tất\r\ncả các mức của nó đều tương ứng với năng lượng của một trong hai eletron có\r\nspin trái dấu.
\r\n\r\n521-02-28. Chất cách điện
\r\n\r\nChất trong đó vùng hóa trị là vùng đầy\r\nđược cách ly với vùng kích thích đầu tiên bởi vùng cấm có độ rộng đến mức năng\r\nlượng cần thiết để kích thích electron từ vùng hóa trị đến vùng dẫn là rất lớn\r\nlàm đánh thủng chất đó.
\r\n\r\n521-02-29. Vùng được phép
\r\n\r\nVùng năng lượng mà từng mức của nó có\r\nthể bị electron chiếm giữ.
\r\n\r\n521-02-30. Vùng cấm
\r\n\r\nVùng năng lượng mà electron không thể\r\nchiếm giữ.
\r\n\r\n521-02-31. Vùng kích thích
\r\n\r\nVùng năng lượng có dải các mức năng\r\nlượng lân cận tương ứng với các trạng thái kích thích có thể có của các\r\nelectron của một chất.
\r\n\r\n521-02-32. Vùng đầy
\r\n\r\nVùng được phép, ở nhiệt độ bằng 0 độ\r\nkenvin, tất cả các mức năng lượng đều bị electron chiếm giữ.
\r\n\r\n521-02-33. Vùng rỗng
\r\n\r\nVùng được phép, ở nhiệt độ bằng 0 độ\r\nkenvin, không có mức năng lượng nào bị electron chiếm giữ.
\r\n\r\n521-02-34. Vùng tạp
\r\n\r\nVùng năng lượng được tạo thành bởi sự\r\nkết hợp các mức tạp của một loại và toàn bộ hoặc một phần của vùng này nằm\r\ntrong vùng cấm.
\r\n\r\n521-02-35. Mức cục bộ
\r\n\r\nMức năng lượng trong vùng cấm do khiếm\r\nkhuyết của mạng tinh thể trong trường hợp sự tập trung khuyết tật là thấp.
\r\n\r\n521-02-36. Mức tạp
\r\n\r\nMức cục bộ do có tạp chất.
\r\n\r\n521-02-37. Vùng bề mặt
\r\n\r\nVùng được phép hình thành bởi các mức\r\nbề mặt của tinh thể.
\r\n\r\n521-02-38. Chất cho
\r\n\r\nKhiếm khuyết trong mạng tinh thể mà\r\nkhi chiếm ưu thế sẽ cho phép dẫn electron bằng cách cho đi các electron.
\r\n\r\n521-02-39. Chất nhận
\r\n\r\nKhiếm khuyết trong mạng tinh thể mà\r\nkhi chiếm ưu thế sẽ cho phép dẫn lỗ trống bằng cách nhận vào các electron.
\r\n\r\n521-02-40. Năng lượng iôn hóa của chất\r\ncho
\r\n\r\nNăng lượng tối thiểu cần đặt vào\r\neletron ở mức cho để chuyển electron này vào vùng dẫn.
\r\n\r\n521-02-41. Mức nhận
\r\n\r\nMức tạp trung gian sát với vùng hóa\r\ntrị trong chất bán dẫn không thuần.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mức nhận là rỗng ở nhiệt độ\r\nbằng 0 độ kenvin; ở nhiệt độ bất kỳ khác, mức nhận có thể nhận electron từ vùng\r\nhóa trị. Các mức nhận có thể tạo thành các vùng tạp hẹp.
\r\n\r\n521-02-42. Mức bề mặt
\r\n\r\nMức cục bộ gây ra do có tạp chất hoặc\r\ncác khiếm khuyết khác tại bề mặt tinh thể.
\r\n\r\n521-02-43. Mức cho
\r\n\r\nMức tạp trung gian sát với vùng dẫn\r\ntrong chất bán dẫn không thuần.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mức cho bị lấp đầy ở nhiệt\r\nđộ bằng 0 độ kenvin; ở nhiệt độ khác bất kỳ, mức cho có thể cung cấp electron\r\ncho vùng dẫn. Các mức cho có thể tạo thành các vùng tạp hẹp.
\r\n\r\n521-02-44. Năng lượng iôn hóa của chất\r\nnhận
\r\n\r\nNăng lượng tối thiểu cần đặt vào\r\nelectron vùng hóa trị để chuyển electron này đến mức nhận.
\r\n\r\n521-02-45. Tinh thể lý tư
Tinh thể có kết cấu tuần hoàn tuyệt\r\nđối, và do đó, không bị tạp hoặc có các khiếm khuyết khác.
\r\n\r\n521-02-46. Độ dẫn loại N
\r\n\r\nĐộ dẫn do dòng electron chạy từ chất\r\ncho.
\r\n\r\n521-02-47. Khiếm khuyết (của mạng tinh\r\nthể)
\r\n\r\nSự sai lệch về cấu trúc so với mạng\r\ntinh thể lý tưởng.
\r\n\r\n521-02-48. Độ dẫn thuần
\r\n\r\nĐộ dẫn của một chất bán dẫn thuần.
\r\n\r\n521-02-49. Thành phần hợp thức
\r\n\r\nThành phần hóa học của một hợp chất\r\ntrong đó các phần tử tồn tại theo tỉ lệ chính xác được thể hiện bằng công thức hóa\r\nhọc của nó.
\r\n\r\n521-02-50. Độ dẫn loại
Độ dẫn do dòng lỗ trống chạy từ chất\r\nnhận.
\r\n\r\n521-02-51
Electron dẫn hoặc lỗ trống hoặc iôn\r\ntrong một chất bán dẫn.
\r\n\r\n521-02-52. Điều biến dẫn (của chất bán\r\ndẫn)
\r\n\r\nBiến đổi độ dẫn do đưa vào quá mức\r\nhoặc loại ra các phần tử mang điện tích.
\r\n\r\n521-02-53. Phần tử mang thứ yếu (trong\r\nvùng chất bán dẫn)
\r\n\r\nLoại phần tử mang điện tích chiếm ít\r\nhơn một nửa mật độ tổng các phần tử mang điện tích.
\r\n\r\n521-02-54. Phần tử mang quá mức
\r\n\r\nElectron dẫn hoặc lỗ trống vượt quá số\r\nlượng được xác định bằng sự cân bằng nhiệt động.
\r\n\r\n521-02-55. Phần tử mang chủ yếu (trong\r\nvùng chất bán dẫn)
\r\n\r\nLoại phần tử mang điện tích chiếm\r\nnhiều hơn một nửa mật độ tổng các phần tử mang điện tích.
\r\n\r\n521-02-56. Vận tốc tái hợp bề mặt
\r\n\r\nVận tốc mà tại đó các phần tử mang\r\nđiện tích thứ yếu có thể bị trôi lên bề mặt của chất bán dẫn để bù lại tỷ lệ mà\r\ntại đó chúng có xu hướng kết hợp với nhau và do đó, bị mất đi.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Vận tốc tái hợp bề mặt\r\nbằng:
\r\n\r\na) số lượng tái hợp xảy ra tại bề mặt trên\r\nmột đơn vị thời gian và diện tích chia cho
\r\n\r\nb) nồng độ phần tử mang điện tích thứ\r\nyếu vượt quá ở ngay bên dưới bề mặt.
\r\n\r\n521-02-57
Khoảng cách qua đó mật độ của phần tử\r\nmang điện tích thứ yếu giảm đi e lần so với mật độ ban đầu, trong quá trình chúng\r\nkhuếch tán trong chất bán dẫn đồng nhất.
\r\n\r\n521-02-58
Đại lượng bằng tỷ số các môđun vận tốc\r\ntrung bình của phần tử mang điện tích theo chiều trường điện và môđun của cường\r\nđộ trường.
\r\n\r\n521-02-59
Chuyển động của các hạt chỉ do građien\r\nnồng độ.
\r\n\r\n521-02-60
Khoảng thời gian để mật độ cho trước\r\ncủa các phần tử mang điện tích thứ yếu vượt quá trong toàn khối chất bán dẫn\r\nđồng nhất giảm xuống e lần so với giá trị ban đầu của nó do tái hợp.
\r\n\r\n521-02-61
Thương số giữa mật độ dòng khuếch tán\r\nvà građien nồng độ của phần tử mang điện tích.
\r\n\r\n521-02-62
Việc tăng cục bộ nồng độ của phần tử\r\nmang điện tích so với nồng độ có thể có ở trạng thái cân bằng định thiên zêrô.
\r\n\r\n521-02-63. Vùng chuyển tiếp
\r\n\r\nVùng giữa hai vùng bán dẫn đồng nhất,\r\ntrong đó các đặc tính điện thay đổi.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Hai vùng đồng nhất không\r\nnhất thiết là cùng một vật liệu bán dẫn.
\r\n\r\n521-02-64. Tâm tái hợp
\r\n\r\nKhiếm khuyết mạng tinh thể hoặc tạp\r\nchất có mức năng lượng nằm trong vùng cấm của chất bán dẫn và cho phép các\r\nelectron dẫn và lỗ trống tái hợp.
\r\n\r\n521-02-65. Biên PN
\r\n\r\nMặt phân giới trong vùng chuyển tiếp\r\ngiữa vật liệu loại P và vật liệu loại N tại đó nồng độ chất cho và chất nhận là\r\nbằng nhau.
\r\n\r\n521-02-66. Bẫy
\r\n\r\nKhiếm khuyết mạng tinh thể hoặc tạp\r\nchất có mức năng lượng nằm trong vùng cấm của chất bán dẫn và hoạt động như một\r\ntâm để giữ lại các electron hoặc lỗ trống.
\r\n\r\n521-02-67. Vùng chuyển tiếp nồng độ\r\ntạp chất
\r\n\r\nVùng có nồng độ tạp chất thay đổi từ giá\r\ntrị này sang giá trị khác.
\r\n\r\n521-02-68. Vùng trung hòa
\r\n\r\nVùng thực sự trung hòa về điện, các\r\nđiện tích âm của electron và của các nguyên tử iôn hóa của chất nhận cân bằng\r\nvới điện tích dương của lỗ trống và của các nguyên tử iôn hóa của chất cho.
\r\n\r\n521-02-69. Hàng rào điện thế
\r\n\r\nChênh lệch điện thế giữa hai chất tiếp\r\nxúc với nhau hoặc giữa hai vùng đồng nhất có đặc tính điện khác nhau, do khuếch\r\ntán các phần tử mang điện tích từ mỗi phần và hình thành vùng điện tích không\r\ngian.
\r\n\r\n521-02-70. Hàng rào điện thế (của lớp\r\ntiếp giáp PN)
\r\n\r\nHàng rào điện thế giữa hai điểm tương\r\nứng có vị trí trong vùng trung hòa loại P và vùng trung hòa loại N.
\r\n\r\n521-02-71. Hàng rào Schottky
\r\n\r\nLớp tiếp giáp giữa kim loại và chất\r\nbán dẫn trong đó, vùng chuyển tiếp hình thành ở bề mặt của chất bán dẫn, hoạt\r\nđộng như một hàng rào chỉnh
521-02-72. Lớp tiếp giáp
\r\n\r\nLớp tiếp giáp giữa các vùng bán dẫn có\r\ncác đặc tính điện khác nhau hoặc giữa chất bán dẫn và một lớp khác loại, được\r\nđặc trưng bởi hàng rào điện thế làm cản trở chuyển động của các phần tử mang\r\nđiện tích từ vùng này sang vùng kia.
\r\n\r\n521-02-73. Lớp tiếp giáp đột ngột
\r\n\r\nLớp tiếp giáp mà độ rộng của nó theo\r\nhướng građien nồng độ tạp chất nhỏ hơn nhiều so với độ rộng của vùng điện tích\r\nkhông gian.
\r\n\r\n521-02-74. Lớp tiếp giáp tăng dần
\r\n\r\nLớp tiếp giáp mà độ rộng của nó theo\r\nhướng građien nồng độ tạp chất so sánh được với độ rộng của vùng điện tích\r\nkhông gian.
\r\n\r\n521-02-75. Lớp tiếp giáp PN
\r\n\r\nLớp tiếp giáp giữa vật liệu bán dẫn loại\r\nP và loại N.
\r\n\r\n521-02-76. Lớp tiếp giáp khuếch tán
\r\n\r\nLớp tiếp giáp hình thành do khuếch tán\r\ncủa tạp\r\nchất\r\ntrong tinh thể chất bán dẫn.
\r\n\r\n521-02-77
Lớp tiếp giáp hình thành trong quá\r\ntrình tinh thể chất bán dẫn phát triển từ vật liệu chảy.
\r\n\r\n521-02-78
Lớp tiếp giáp được hình thành do tạo\r\nhợp kim một hoặc nhiều vật liệu vào một tinh thể chất bán dẫn.
\r\n\r\n521-02-79
Vùng trong đó mật độ điện tích toàn\r\nphần là khác 0.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Điện tích toàn phần được\r\ntạo ra bởi electron, lỗ trống, chất nhận và chất cho iôn hóa.
\r\n\r\n521-02-80
Vùng điện tích không gian giữa hai\r\nvùng trung hòa loại P và loại N tương ứng.
\r\n\r\n521-02-81
Sự thay đổi điện trở của chất bán dẫn\r\nhoặc chất dẫn do trường từ.
\r\n\r\n521-02-82
Vùng trong đó nồng độ phần tử mang\r\nđiện tích linh động không đủ để trung hòa mật độ điện tích toàn phần cố định\r\ncủa chất cho và chất nhận iôn hóa.
\r\n\r\n521-02-83. Hiệu ứng đường hầm (trong lớp\r\ntiếp giáp PN)
\r\n\r\nQuá trình nhờ đó xuất hiện độ dẫn\r\nxuyên qua hàng rào điện thế của tiếp giáp PN và ở đó các electron đi qua theo\r\ncả hai hướng giữa vùng dẫn thuộc vùng N và vùng hóa trị thuộc vùng
CHÚ THÍCH: Tác dụng của đường hầm,\r\nkhông giống như khuếch tán phần tử mang điện tích, chỉ liên quan đến electron.\r\nThời gian truyền qua trên thực tế là không đáng kể.
\r\n\r\n521-02-84. Trường điện bên trong
\r\n\r\nTrường điện do có các điện tích không\r\ngian bên trong chất bán dẫn.
\r\n\r\n521-02-85. Hiệu ứng áp điện
\r\n\r\nSự thay đổi điện trở của chất bán dẫn\r\nhoặc chất dẫn do ứng suất cơ.
\r\n\r\n521-03-01
Nuôi bằng phương pháp Czochralski
\r\n\r\nTạo một tinh thể đơn bằng cách rút từ\r\ntừ tinh thể đang phát triển ra khỏi vật liệu nóng chảy.
\r\n\r\n521-03-02. Nuôi bằng cách gây chảy\r\nvùng (của tinh thể đơn)
\r\n\r\nTạo một tinh thể đơn có sự hỗ trợ của\r\nmầm đơn tinh thể bằng cách cho vùng nóng chảy đi qua một phần của mầm đơn tinh\r\nthể rồi sau đó di chuyển qua vật liệu bán dẫn đa tinh thể tựa sát với mầm đơn\r\ntinh thể này.
\r\n\r\n521-03-03. Tinh luyện vùng
\r\n\r\nSự di chuyển của một hoặc nhiều vùng\r\nnóng chảy dọc theo một tinh thể bán dẫn nhằm giảm nồng độ tạp chất trong tinh\r\nthể.
\r\n\r\n521-03-04. San bằng vùng
\r\n\r\nSự di chuyển của một hoặc nhiều vùng\r\nnóng chảy qua tinh thể chất bán dẫn để phân bố đồng đều tạp chất trong tinh\r\nthể.
\r\n\r\n521-03-05. Pha thêm (một chất bán dẫn)
\r\n\r\nViệc thêm các tạp chất vào chất bán\r\ndẫn để đạt được độ dẫn loại N hoặc độ dẫn loại P mong muốn.
\r\n\r\n521-03-06. Bù tạp chất
\r\n\r\nViệc thêm các tạp chất cho vào chất\r\nbán dẫn loại P hoặc tạp chất nhận vào chất bán dẫn loại N, dẫn đ
521-03-07
Tạo lớp tiếp giáp PN bằng cách hòa\r\nchất cho hoặc chất nhận vào về mặt của tinh thể chất bán dẫn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Vùng kết tinh lại tạo ra\r\nkhi nguội chứa các nguyên tử tạp chất dẫn đến hình thành độ dẫn loại N hoặc\r\nloại P
CHÚ THÍCH 2: Các tiếp giáp PNP hoặc\r\nNPN thường được hình thành bằng cách tạo hợp kim từ các mặt đối diện của tinh\r\nthể gốc.
\r\n\r\n521-03-08. Kỹ thuật khuếch tán
\r\n\r\nTạo vùng dẫn loại P hoặc loại N trong\r\ntinh thể chất bán dẫn bằng cách khuếch tán các nguyên tử tạp chất vào tinh thể.
\r\n\r\n521-03-09. Kỹ thuật pla-na
\r\n\r\nTạo các vùng loại P hoặc loại N hoặc\r\ncả hai trong một tinh thể chất bán dẫn bằng kỹ thuật khuếch tán qua các khe\r\ntrong lớp bề mặt bảo vệ trên tinh thể.
\r\n\r\n521-03-10. Kỹ thuật vi hợp kim
\r\n\r\nTạo lớp tiếp giáp PN nhỏ bằng cách tạo\r\nhợp kim sau khi làm lắng đọng các vật liệu cho hoặc nhận vào các hố nhỏ bằng\r\nquá trình mạ điện.
\r\n\r\n521-03-11. Kỹ thuật nâng đỉnh phẳng
\r\n\r\nTạo lớp tiếp giáp ở dạng phẳng được\r\nnâng lên bằng cách khuếch tán hoặc tạo hợp kim tạp chất liên tiếp và sau đó ăn\r\nmòn đi các vật liệu trong vùng xung quanh mặt phẳng đó.
\r\n\r\n521-03-12. Epitaxy
\r\n\r\nSự bố trí lớp vật liệu bán dẫn trên\r\nchất nền, lớp này có hướng tinh thể giống như chất nền.
\r\n\r\n521-03-13. Thụ động hóa bề mặt
\r\n\r\nViệc đặt hoặc nuôi lớp bảo vệ lên trên\r\nbề mặt của chất bán dẫn sau khi hình thành các vùng loại
521-03-14. Thổi
\r\n\r\nQuá trình hình thành các màng trong đó\r\nsử dụng việc bắn phá ion hoặc cách dùng năng lượng khác để giải phóng các hạt\r\nkhỏi một nguồn chất rắn để lắng đọng trên bề mặt gần đó.
\r\n\r\n521-03-15. Kỹ thuật lắng đọng pha hơi
\r\n\r\nSự lắng đọng các màng dẫn, cách điện\r\nhoặc bán dẫn trên các lớp nền rắn từ vật liệu gốc ở pha hơi do lắng đọng vật lý\r\nhoặc phản ứng hóa học.
\r\n\r\n521-03-16. Kỹ thuật in lưới
\r\n\r\nSự lắng đọng các màng dẫn, cách điện\r\nhoặc bán dẫn trên các lớp nền rắn bằng cách nén hỗn hợp nhão qua các mắt lưới.
\r\n\r\n521-03-17. Cấy ghép iôn
\r\n\r\nTạo các vùng dẫn loại P, loại N hoặc\r\nvùng dẫn thuần trong tinh thể chất bán dẫn bằng cách cấy ghép các iôn được gia\r\ntốc.
\r\n\r\n521-04-01. Linh kiện bán dẫn
\r\n\r\nLinh kiện mà các đặc tính thiết yếu\r\ncủa nó có được là nhờ dòng các phần tử mang điện tích trong chất bán dẫn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Định nghĩa này bao hàm cả các\r\nlinh kiện mà các đặc tính thiết yếu của nó chỉ một phần có được là nhờ dòng các\r\nphần tử mang điện tích trong một chất bán dẫn nhưng được xem là linh kiện bán\r\ndẫn để đưa ra yêu cầu kỹ thuật.
\r\n\r\n521-04-02. Điốt tín hiệu
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn được dùng cho mục đích\r\ntách hoặc xử lý thông tin chứa trong một tín hiệu điện tử biến đổi theo thời\r\ngian và theo bản chất, có thể là analog hoặc digital.
\r\n\r\n521-04-03. Điốt (bán dẫn)
\r\n\r\nLinh kiện bán dẫn hai chân cắm có đặc\r\ntính điện áp-dòng điện không đối xứng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trừ khi có định nghĩa khác,\r\nthuật ngữ này thường có nghĩa là linh kiện có đặc tính điện áp-dòng điện điển\r\nhình của tiếp giáp PN.
\r\n\r\n521-04-04. Linh kiện (bán dẫn) rời rạc
\r\n\r\nLinh kiện bán dẫn được quy định để\r\nthực hiện chức năng cơ bản và không thể phân chia thành các linh kiện riêng rẽ\r\nhoạt động trong chính bản thân chúng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Không có sự phân định rõ\r\nràng giữa các linh kiện rời rạc và mạch tích hợp.
521-04-05. Điốt đường hầm
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn có tiếp giáp PN ở đó có\r\nhiệu ứng đường hầm làm xuất hiện độ dẫn vi sai âm trong phạm vi nhất định theo\r\nchiều thuận của đặc tính dòng điện-điện áp.
\r\n\r\n521-04-06. Điốt đơn hướng
\r\n\r\nĐiốt ngược
\r\n\r\nĐiốt đường hầm mà các dòng điện đỉnh\r\nvà dòng điện tại điểm lõm xấp xỉ bằng nhau.
\r\n\r\n521-04-07. Điốt điều biến
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn được thiết kế để điều\r\nbiến.
\r\n\r\n521-04-08. Điốt trộn
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn được thiết kế để chuyển\r\nđổi tần số của các tín hiệu bằng bộ dao động nội.
\r\n\r\n521-04-09
Điốt bán dẫn được thiết kế để nhân tần\r\nsố của tín hiệu.
\r\n\r\n521-04-10. Điốt có điện dung biến đổi
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn có điện dung tại chân cắm\r\ncủa nó biến đổi theo cách xác định là hàm của điện áp đặt khi định thiên theo\r\nchiều ngược, và được dùng cho các ứng dụng cụ thể của quan hệ điện dung-điện\r\náp.
\r\n\r\n521-04-11
Điốt bán dẫn được thiết kế để giải\r\nđiều chế.
\r\n\r\n521-04-12
Điốt phục hồi theo nấc
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn tích lũy điện tích khi\r\nđịnh thiên thuận và phục hồi độ dẫn một cách đột ngột từ định thiên ngược tiếp\r\ntheo, vì thế gây chuyển tiếp đột ngột trở kháng chân cắm của nó.
\r\n\r\n521-04-13. Điốt giới hạn vi sóng
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn chuyển tiếp nhanh từ\r\ntrạng thái trở kháng cao sang trạng thái trở kháng thấp và ngược lại, tùy thuộc\r\nvào mức công suất tần số rađiô truyền đến điốt, do đó thể hiện trở kháng cao\r\nhoặc thấp một cách tương ứng, ở các tần số vi sóng, nhờ đó nó có khả năng giới\r\nhạn hoặc chặn năng lượng vi sóng không mong muốn.
\r\n\r\n521-04-14. Điốt đóng cắt vi sóng
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn chuyển tiếp nhanh từ\r\ntrạng thái trở kháng cao sang trạng thái trở kháng thấp và ngược lại, tùy thuộc\r\nvào điện áp hoặc dòng điện định thiên một chiều đặt vào điốt, do đó thể hiện\r\ntrở kháng cao hoặc thấp một cách tương ứng, ở các tần số vi sóng
521-04-15. Điốt chuyển mạch
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn được thiết kế để chuyển\r\ntiếp nhanh từ trạng thái trở kháng cao sang trạng thái trở kháng thấp và ngược\r\nlại, tùy thuộc vào cực tính của điện áp đặt.
\r\n\r\n521-04-16. Điốt điện áp chuẩn
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn hình thành trên các chân\r\ncắm của nó một điện áp chuẩn với độ chính xác quy định, khi được định thiên để\r\nlàm việc trong dải dòng điện quy định.
\r\n\r\n521-04-17. Điốt điều chỉnh điện áp
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn hình thành trên các chân\r\ncắ
521-04-18. Cụm chỉnh lưu (bán dẫn)
\r\n\r\nMột cấu trúc đơn gồm một số điốt chỉnh\r\nlưu bán dẫn cùng với phương tiện lắp đặt đi kèm của chúng, phụ kiện làm mát,\r\nnếu có, và các phương tiện đấu nối điện hoặc cơ.
\r\n\r\n521-04-19. Điốt chỉnh lưu bán dẫn
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn được thiết kế để chỉnh\r\nlưu và bao gồm cả phương tiện lắp đặt đi kèm và phụ kiện làm mát nếu được tích\r\nhợp với điốt.
\r\n\r\n521-04-20. Điốt chỉnh lưu thác đổ
\r\n\r\nĐiốt chỉnh lưu bán dẫn có đặc tính\r\nđiện áp đánh thủng nhỏ nhất quy định và có thông số danh định để triệt tiêu các\r\nđột biến công suất trong thời gian giới hạn trong vùng đánh thủng của đặc tính\r\nngược của nó.
\r\n\r\n521-04-21. Điốt điều chỉnh dòng điện
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn giới hạn dòng điện đến giá\r\ntrị về cơ bản là không đổi trong dải điện áp quy định.
\r\n\r\n521-04-22. Điện trở nhiệt
\r\n\r\nĐiện trở có hệ số nhiệt điện trở lớn\r\n(nhìn chung là giá trị âm) không tuyến tính.
\r\n\r\n521-04-23. Phần tử nhiệt bán dẫn
\r\n\r\nLinh kiện bán dẫn dựa trên hiệu ứng\r\nSeebeck hoặc Peltier và được thiết kế để chuyển đổi trực tiếp năng lượng nhiệt\r\nthành năng lượng điện hoặc ngược lại.
\r\n\r\n521-04-24
Linh kiện hiệu ứng Hall có chứa bộ\r\nphát Hall và cuộn dây là nguồn từ thông, sao cho đại lượng đầu ra tỷ lệ với\r\ntích của dòng điện điều khiển và dòng điện sinh ra từ thông này.
\r\n\r\n521-04-25
Linh kiện hiệu ứng Hall được thiết kế\r\nriêng cho mục đích điều biến.
\r\n\r\n521-04-26
Tấm phẳng Hall, cùng với các dây dẫn\r\nvà, trong\r\ntrường\r\nhợp được sử dụng, vỏ bọc và các tấm có chứa sắt hoặc không chứa sắt.
\r\n\r\n521-04-27
Linh kiện bán dẫn sử dụng hiệu ứng\r\nHall.
\r\n\r\n521-04-28
Từ kế hiệu ứng Hall
\r\n\r\nLinh kiện hiệu ứng Hall được thiết kế\r\nriêng để đo mật độ từ thông.
\r\n\r\n521-04-29
Linh kiện bán dẫn hoặc linh kiện dẫn\r\ntrong đó sử dụng quan hệ phụ thuộc giữa điện trở và mật độ từ thông.
\r\n\r\n521-04-30
Linh kiện sử dụng hiệu ứng quang dẫn.
\r\n\r\n521-04-31
Linh kiện bán dẫn phát ra hoặc phản\r\nứng với bức xạ quang, hoặc sử dụng bức xạ quang cho mục đích bên trong của linh\r\nkiện hoặc thực hiện tổ hợp các chức năng này.
\r\n\r\n521-04-32
Linh kiện quang điện trong đó việc hấp\r\nthụ bức xạ điện từ vào lớp tiếp giáp và vùng xung quanh hoặc ở chỗ tiếp xúc\r\ngiữa chất bán dẫn và kim loại, làm thay đổi điện trở hoặc thay đổi điện áp.
\r\n\r\n521-04-33
Điện trở từ hình đĩa có hai điện cực\r\nlà vùng dẫn ở tâm hình học của đĩa và dải dẫn đồng tâm bao quanh chu vi của\r\nđĩa.
\r\n\r\n521-04-34
Linh kiện sử dụng hiệu ứng quang\r\nvoltaic.
\r\n\r\n521-04-35
Linh kiện quang điện tử chuyển đổi\r\ntrực tiếp năng lượng điện thành năng lượng bức xạ quang.
\r\n\r\n521-04-36
LED
\r\n\r\nĐiốt bán dẫn phát ra bức xạ quang\r\nkhông kết hợp thông qua phát xạ kích thích do tái hợp các electron dẫn và\r\nphoton, khi được kích thích bởi dòng điện.
\r\n\r\n521-04-37
Điốt bán dẫn phát bức xạ quang kết hợp\r\nthông qua phát xạ kích thích do tái hợp các electron dẫn và lỗ trống khi được\r\nkích thích bởi dòng điện lớn hơn dòng điện ngưỡng của điốt.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Điốt laze được lắp trên giá\r\nphụ hoặc trong vỏ có hoặc không có phương tiện ghép nối (ví dụ thấu kính, đầu\r\ndây đã bóc vỏ).
\r\n\r\n521-04-38
Module chứa điốt laze và phương tiện\r\nđể tự động ổn định quang và/hoặc nhiệt của công suất bức xạ đầu ra.
\r\n\r\n521-04-39
Bộ phát quang bán dẫn được thiết kế để\r\nthể hiện thông tin nhìn thấy được.
\r\n\r\n521-04-40
Điốt phát quang phát ra bức xạ hồng ngoại.
\r\n\r\n521-04-41
Linh kiện quang điện tử phản ứng với\r\nbức xạ quang.
\r\n\r\n521-04-42
Linh kiện quang điện tử thiết kế để\r\ntruyền tín hiệu điện bằng cách sử dụng bức xạ quang để ghép nối trong khi đầu\r\nra được cách ly với đầu vào.
\r\n\r\n521-04-43
Linh kiện bán dẫn nhạy sáng sử dụng sự\r\nthay đổi độ dẫn sinh ra do hấp thụ bức xạ quang.
\r\n\r\n521-04-44
Điốt quang làm việc với định thiên\r\nngược sao cho dòng điện quang sơ cấp được khuếch đại bên trong điốt.
\r\n\r\n521-04-45
Linh kiện bán dẫn nhạy sáng sử dụng\r\nhiệu ứng quang điện để tách bức xạ quang.
\r\n\r\n521-04-46
Linh kiện bán dẫn có khả năng khuếch\r\nđại công suất điện và có ba điện cực trở lên.
\r\n\r\n521-04-47
Transistor có ít nhất hai tiếp giáp và\r\nhoạt động của chúng phụ thuộc vào cả phần tử mang điện tích chủ yếu và phần tử\r\nmang điện tích thứ yếu.
\r\n\r\n521-04-48
Transistor trong đó dòng điện sinh ra\r\ndo hiệu ứng quang điện ở vùng lân cận của tiếp giáp phát-gốc đóng vai trò như\r\ndòng điện cực gốc được khuếch đại.
\r\n\r\n521-04-49
Transistor có đặc tính điện về cơ bản\r\nlà giống nhau khi hoán đổi các chân mà bình thường được ký hiệu là cực phát và\r\ncực góp.
\r\n\r\n521-04-50
Transistor bốn điện cực, thường là\r\ntransistor tiếp giáp truyền thống có hai điện cực gốc riêng rẽ và hai chân cực\r\ngốc.
\r\n\r\n521-04-51
Transistor mà hoạt động của nó phụ\r\nthuộc chủ yếu vào phần tử mang điện tích của một cực tính.
\r\n\r\n521-04-52
Transistor trong đó dòng điện chạy qua\r\nkênh dẫn được khống chế bởi
521-04-53
Transistor trường có một hoặc nhiều\r\nvùng cổng tạo thành các tiếp giáp PN với kênh dẫn.
\r\n\r\n521-04-54
Transistor trường có kênh dẫn loại P.
\r\n\r\n521-04-55
MOSFET
\r\n\r\nTransistor trường cổng cách ly, trong\r\nđó lớp cách ly giữa điện cực cổng và kênh dẫn là oxit kim loại.
\r\n\r\n521-04-56
Transistor trường có kênh dẫn loại N.
\r\n\r\n521-04-57
Transistor trường có một hoặc nhiều\r\nđiện cực cổng được cách ly về điện với kênh dẫn.
\r\n\r\n521-04-58
Transistor trường có độ dẫn kênh dẫn\r\nđáng kể khi điện áp cổng-nguồn bằng không tại đó độ dẫn kênh dẫn có thể tăng lên\r\nhoặc giảm xuống theo cực tính của điện áp cổng-nguồn đặt vào.
\r\n\r\n521-04-59
Transistor trường có độ dẫn kênh dẫn\r\nvề cơ
521-04-60
MESFET
\r\n\r\nTransistor trường có một hoặc nhiều\r\nđiện cực cổng hình thành các hàng rào Schottky với kênh dẫn.
\r\n\r\n521-04-61
Linh kiện bán dẫn hai trạng thái ổn\r\nđịnh gồm ba\r\nlớp\r\ntiếp giáp trở lên có thể chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn hoặc\r\nngược lại.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Linh kiện chỉ có ba lớp\r\nnhưng có đặc tính đóng cắt giống với thyristor bốn lớp cũng có thể được gọi là thyristor.
\r\n\r\n521-04-62
Thyristor hai chân không gây chuyển\r\nmạch ở điện áp anốt âm nhưng có trạng thái khóa ngược.
\r\n\r\n521-04-63
Thyristor ba chân không gây chuyển\r\nmạch ở điện áp anốt âm nhưng có trạng thái khóa ngược.
\r\n\r\n521-04-64
Thyristor hai chân không gây chuyển\r\nmạch ở điện áp anốt âm nhưng
521-04-65
Thyristor ba chân không gây chuyển\r\nmạch ở điện áp anốt âm nhưng dẫn dòng điện lớn ở các điện áp có độ lớn tương\r\nđương với điện áp trạng thái dẫn thuận.
\r\n\r\n521-04-66
diac (viết tắt)
\r\n\r\nThyristor hai chân, về cơ bản có cùng\r\nđặc tính chuyển mạch ở góc phần tư thứ nhất và phần tư thứ ba của đường đặc tính\r\ndòng điện-điện áp.
\r\n\r\n521-04-67
triac (viết tắt)
\r\n\r\nThyristor ba chân, về cơ bản có cùng\r\nđặc tính chuyển mạch ở góc phần tư thứ nhất và phần tư thứ ba của đường đặc\r\ntính dòng điện-điện áp.
\r\n\r\n521-04-68
Thyristor có thể chuyển mạch từ trạng\r\nthái dẫn sang trạng thái khóa và ngược lại nhờ tín hiệu điều khiển có cực tính\r\nthích hợp đặt lên chân cổng.
\r\n\r\n521-04-69
Thyristor trong đó chân cổng được nối\r\nvới vùng P gần catốt nhất và bình thường được chuyển mạch sang trạng thái dẫn\r\nbằng cách đặt tín hiệu lên chân cổng dương hơn so với chân catốt.
\r\n\r\n521-04-70
Thyristor trong đó chân cổng được nối\r\nvới vùng N gần anốt nhất và bình thường được chuyển mạch sang trạng thái dẫn\r\nbằng cách đặt tín hiệu âm đến chân cổng âm hơn so với chân anốt.
\r\n\r\n521-04-71
Thyristor triốt chặn ngược có điện áp\r\nngược danh định thấp hơn đáng kể so với điện áp trạng thái cắt danh định của\r\nnó.
\r\n\r\n521-04-72
Thyristor được thiết kế để khởi động\r\nbằng bức xạ quang.
\r\n\r\n521-05-01
Phần tử dẫn có tiếp xúc điện với chất\r\nbán dẫn thực hiện một hoặc nhiều chức năng phát hoặc thu các electron hoặc lỗ\r\ntrống, hoặc khống chế sự dịch chuyển của chúng.
\r\n\r\n521-05-02
Phần tử dẫn để đấu nối bên ngoài.
\r\n\r\n521-05-03
Chiều dòng điện được tạo ra khi vùng\r\nbán dẫn loại P ở điện áp dương so với vùng bán dẫn loại N.
\r\n\r\n521-05-04
Chiều dòng điện được tạo ra khi vùng bán\r\ndẫn loại N có điện áp dương hơn so với vùng bán dẫn loại
521-05-05
Đoạn bất kỳ trong đặc tính điện\r\náp-dòng điện trong đó điện trở vi sai có giá trị âm.
\r\n\r\n521-05-06
Đánh thủng do các electron di chuyển\r\ntừ vùng hóa trị sang vùng dẫn do hiệu ứng đường hầm dưới ảnh hưởng của trường\r\nđiện mạnh trong tiếp giáp PN.
\r\n\r\n521-05-07
Đánh thủng gây ra do tích lũy nhiều\r\nlần các phần tử mang điện tích trong chất bán dẫn dưới tác động của trường điện\r\nmạnh khiến một số phần tử mang đạt đủ năng lượng để giải phóng các cặp lỗ\r\ntrống-electron bằng cách iôn hóa.
\r\n\r\n521-05-08
Điện áp đặt vào mà tại đó xảy ra đánh\r\nthủng thác đổ.
\r\n\r\n521-05-09
Hiện tượng, mà sự khởi đầu của nó được\r\nthấy như một sự chuyển tiếp từ trạng thái điện trở động cao sang trạng thái\r\nđiện trở động thấp hơn để tăng biên độ dòng điện ngược.
\r\n\r\n521-05-10
Điện áp tối thiểu đặt lên tiếp giáp\r\nZener tại đó xảy ra đánh thủng Zener.
\r\n\r\n521-05-11
Đánh thủng gây ra do phát sinh các\r\nphần tử\r\nmang\r\nđiện tích tự do vì có tương tác tích lũy giữa tiêu tán công suất tăng lên và\r\ntăng nhiệt độ lớp tiếp giáp.
\r\n\r\n521-05-12
Tiếp xúc giữa hai vùng điện tích không\r\ngian của hai tiếp giáp PN do sự lan rộng một hoặc cả hai vùng này.
\r\n\r\n521-05-13
Tỷ số của chênh lệch giữa nhiệt độ ước\r\nđịnh của linh kiện và nhiệt độ của điểm chuẩn bên ngoài quy định bằng tiêu hao\r\ncông suất ổn định trong linh kiện.
\r\n\r\n521-05-14
Nhiệt độ bên trong quy đổi (của linh\r\nkiện bán dẫn)
\r\n\r\nNhiệt độ lý thuyết dựa trên sự thể\r\nhiện đơn giản hóa của tính chất nhiệt và tính chất điện của linh kiện bán dẫn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Nhiệt độ ước định không\r\nnhất thiết là nhiệt độ cao nhất trong linh kiện.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Dựa trên tiêu hao công\r\nsuất và điện trở nhiệt hoặc trở kháng nhiệt tương ứng với chế độ vận hành,\r\nnhiệt độ ước định của tiếp giáp có thể được tính từ công thức:
\r\n\r\n521-05-15
Nhiệt độ ước định của lớp tiếp giáp\r\ncủa linh kiện\r\nbán\r\ndẫn.
\r\n\r\n521-05-16
Tỷ số giữa nhiệt năng tích lũy trong\r\nlinh kiện và chênh lệch giữa nhiệt độ ước định của linh kiện và nhiệt độ ước\r\nđịnh của điểm chuẩn bên ngoài quy định.
\r\n\r\n521-05-17
Điện áp giữa chân nối để hở mạch và\r\nđiểm chuẩn khi đặt các điện áp quy định vào tất cả các chân còn lại.
\r\n\r\n521-05-18
Tổng điện tích được phục hồi từ điốt\r\nhoặc thyristor sau khi chuyển từ điều kiện dòng điện thuận quy định sang điều\r\nkiện dòng điện ngược quy định.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Điện tích này bao gồm các\r\nthành phần do sự tích lũy thành phần mang điện tích và do suy giảm điện dung l
521-05-19
Giá trị điện áp tại giao điểm giữa\r\nđường thẳng tiệm cận của đường đặc tính dòng điện-điện áp thuận (trạng thái\r\ndẫn) và trục điện áp.
\r\n\r\n521-05-20
Tần số tại đó độ lớn của một đại lượng\r\nđặc trưng đo được giảm xuống một phần nhỏ quy định của giá trị của nó ở tần số\r\nthấp.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đối với transistor, tần số\r\ncắt thường áp dụng cho tỷ số truyền dòng điện thuận ngắn mạch tín hiệu nhỏ cho\r\nđối với cả cấu hình cực gốc chung và cực phát chung.
\r\n\r\n521-05-21
Khoảng thời gian giữa sự thay đổi hàm\r\nbậc thang của mức tín hiệu đầu vào và thời điểm tại đó độ lớn của tín hiệu đầu\r\nra đi qua giá trị quy định gần với giá trị ban đầu của nó.
\r\n\r\n521-05-22
Khoảng thời gian giữa các thời điểm mà\r\ntại đó độ lớn của xung tại các chân nối đầu ra đạt đến các giới hạn dưới và\r\ngiới hạn trên một cách tương ứng khi linh kiện bán dẫn được chuyển mạch từ\r\ntrạng thái không dẫn sang trạng thái dẫn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giới hạn dưới và giới hạn\r\ntrên thường tương ứng với 10 % và 90 % biên độ cuối của xung đầu ra.
\r\n\r\n521-05-23
Khoảng thời gian giữa thời điểm bắt\r\nđầu đi xuống của xung đặt vào các chân nối đầu vào của linh kiện bán dẫn và thời\r\nđiểm bắt đầu đi xuống của xung phát ra do các phần tử mang điện tích tại các\r\nchân nối đầu ra.
\r\n\r\n521-05-24
Khoảng thời gian giữa các thời điểm mà\r\ntại đó độ lớn của xung tại các chân nối đầu ra đạt đến giới hạn trên và giới\r\nhạn dưới được quy định khi linh kiện bán dẫn được chuyển từ trạng thái dẫn\r\nsang trạng thái không dẫn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Giới hạn dư
521-05-25
Khoảng thời gian yêu cầu để dòng điện\r\nhoặc điện áp phục hồi đến giá trị quy định sau khi chuyển tức thời từ không\r\nhoặc điện áp ngược quy định sang điều kiện định thiên thuận quy định.
\r\n\r\n521-05-26
Khoảng thời gian yêu cầu để dòng điện\r\nhoặc điện áp phục hồi đến giá trị quy định sau khi chuyển tức
521-05-27
Linh kiện rời rạc hoặc mạch tích hợp\r\nmà có thể bị hỏng vĩnh viễn do các điện thế tĩnh điện xuất hiện trong bốc dỡ,\r\nthử nghiệm và vận chuyển thường xuyên.
\r\n\r\n521-05-28
Vật liệu mà linh kiện bán dẫn hoặc\r\nphần tử mạch được chế tạo trên đó hoặc trong đó.
\r\n\r\n521-05-29
Lát mỏng hoặc đĩa phẳng, bằng vật liệu\r\nbán dẫn hoặc vật liệu tương tự được lắng đọng trên chất nền, trong đó có thể xử\r\nlý một hoặc nhiều mạch điện hoặc linh kiện.
\r\n\r\n521-05-30
Phần riêng rẽ (hoặc toàn bộ) lát bán\r\ndẫn được thiết kế để thực hiện một hoặc nhiều chức năng của linh kiện.
\r\n\r\n521-05-31
Vỏ bao ngoài của một hoặc nhiều chíp,\r\nphần tử màng hoặc các thành phần khác, cho phép đấu nối điện và cung cấp bảo vệ\r\ncơ và bảo vệ môi trường.
\r\n\r\n521-05-32
Cách bố trí các phần tử mạch lý tưởng\r\ncó tham số mạch, trong dải quan tâm, tương đương về điện với tham số của mạch\r\nhoặc linh kiện cụ thể.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Để phân tích, dùng mạch\r\nđiện tương đương thay cho mạch hoặc linh kiện phức tạp hơn.
\r\n\r\n521-05-33
Phần tử có thể tách rời hoặc liền với vỏ\r\ngóp phần vào tiêu tán nhiệt sinh ra bên trong vỏ.
\r\n\r\n521-05-34
Giá trị của đại lượng vật lý đặc trưng\r\ncho phần tử mạch điện hoặc mạch điện.
\r\n\r\n521-05-35
Khung kim loại có các đầu nối và\r\nphương tiện đỡ\r\nvề\r\ncơ để định vị chúng.
\r\n\r\n521-05-36
Phần tử mạch điện không mong muốn tức\r\nlà phần tử thêm vào không tránh khỏi của một hoặc nhiều phần tử mạch mong muốn.
\r\n\r\n521-06-01
Điểm trên đường đặc tính dòng\r\nđiện-điện áp của điốt đường hầm ứng với điện áp thấp nhất theo chiều thuận mà\r\nđối với điểm đó độ dẫn vi sai bằng không.
\r\n\r\n521-06-02
Điểm nằm trên đặc tính dòng điện-điện\r\náp của điốt đường hầm ứng với điện áp thấp nhất lớn hơn điện áp điểm đỉnh mà\r\nđối với điểm đó độ dẫn vi sai bằng không.
\r\n\r\n521-06-03
Điểm nằm trên đặc tính dòng điện-điện\r\náp của điốt đường hầm ở đó dòng điện bằng dòng điện điểm đỉnh nh
521-06-04
Tần số tại đó phần thực của độ dẫn nạp\r\ncủa điốt tại các chân của nó là bằng không, ở điểm định thiên quy định.
\r\n\r\n521-06-05
Giá trị của điện trở tính từ độ dốc\r\ncủa đường thẳng tiệm cận với đường đặc tính dòng điện-điện áp thuận.
\r\n\r\n521-07-01
Tiếp giáp giữa vùng cực gốc và vùng\r\ncực phát, thường định thiên theo chiều thuận và qua đó các phần tử mang điện\r\ntích chạy từ vùng mà chúng là phần tử mang chủ yếu sang vùng chúng là phần tử\r\nmang thứ yếu.
\r\n\r\n521-07-02
Tiếp giáp giữa vùng cực gốc và vùng\r\ncực góp, thường định thiên theo chiều ngược và qua đó các phần tử mang điện\r\ntích chạy từ vùng mà chúng là phần tử mang thứ yếu sang vùng chúng là phần tử\r\nmang chủ yếu.
\r\n\r\n521-07-03
Vùng giữa tiếp giáp phát và tiếp giáp\r\ngóp của linh kiện bán dẫn lưỡng cực.
\r\n\r\n521-07-04
Vùng giữa tiếp giáp phát và điện cực\r\nphát.
\r\n\r\n521-07-05
Vùng giữa tiếp giáp góp và điện cực\r\ngóp.
\r\n\r\n521-07-06
Lớp bán dẫn mỏng giữa vùng nguồn và\r\nvùng máng, trong đó dòng điện được khống chế bởi điện thế cổng.
\r\n\r\n521-07-07
Vùng mà từ đó các phần tử mang điện\r\ntích chủ yếu chạy vào kênh dẫn.
\r\n\r\n521-07-08
Vùng trong đó các phần tử mang điện\r\ntích chủ yếu chạy từ kênh dẫn vào.
\r\n\r\n521-07-09
Vùng mà ở đó trường điện có hiệu lực\r\ndo có điện áp cổng điều khiển.
\r\n\r\n521-07-10
Hoạt động của transistor trường sao\r\ncho việc thay đổi điện áp cổng-nguồn từ không đến giá trị xác định làm giảm độ\r\nlớn của dòng máng.
\r\n\r\n521-07-11
Hoạt động của transistor trường sao\r\ncho việc thay đổi điện áp cổng-nguồn từ không đến giá trị xác định làm tăng độ lớn\r\ncủa dòng thoát.
\r\n\r\n521-07-12
Chế độ hoạt động của transistor tiếp\r\ngiáp lưỡng cực trong đó cực góp đóng vai trò là cực phát và chiều dòng tổng của\r\ncác phần tử mang thứ yếu là từ vùng góp sang vùng gốc.
\r\n\r\n521-07-13
Cấu trúc mạch điện trong đó chân nối\r\ncực gốc là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào\r\nlà chân cực phát còn chân nối đầu ra là chân cực góp.
\r\n\r\n521-07-14
Cấu trúc mạch điện trong đó chân nối\r\ncực góp là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào\r\nlà chân nối cực gốc còn chân nối đầu ra là chân cực phát.
\r\n\r\n521-07-15
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực\r\nphát là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là\r\nchân nối cực gốc còn chân nối đầu ra là chân cực góp.
\r\n\r\n521-07-16
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực\r\ngốc là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là\r\nchân nối cực góp còn chân nối đầu ra là chân cực phát.
\r\n\r\n521-07-17
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực\r\ngóp là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là\r\nchân nối cực phát còn chân nối đầu ra là chân cực gốc.
\r\n\r\n521-07-18
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực\r\nphát là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là\r\nchân nối cực góp còn chân nối đầu ra là chân cực gốc.
\r\n\r\n521-07-19
Tỷ số giữa dòng điện xoay chiều đầu ra\r\nvà dòng điện hình sin đầu vào sinh ra nó trong các điều kiện tín hiệu nhỏ, đầu\r\nra được nối tắt trê
521-07-20
Tỷ số giữa dòng điện đầu ra một chiều\r\nvà dòng điện đầu vào một chiều, điện áp đầu ra được giữ không đổi.
\r\n\r\n521-07-21
Tích của giá trị tuyệt đối của tỷ số\r\ntruyền dòng điện phân cực thuận ngắn mạch tín hiệu nhỏ có cực phát chung
521-07-22
Tần số tại đó giá trị tuyệt đối của tỷ\r\nsố truyền dòng điện phân cực thuận ngắn mạch tín hiệu thấp có cực phát chung
521-07-23
Điện áp cổng-nguồn tại đó độ lớn của\r\ndòng máng đạt đến giá trị nhỏ quy định.
\r\n\r\n521-07-24
Điện áp cổng-nguồn tại đó độ lớn của\r\ndòng máng đạt đến giá trị nhỏ quy định.
\r\n\r\n521-07-25
Tỷ số của số gia trong dòng thoát với sự\r\nthay đổi số gia tương ứng của điện áp cổng-nguồn trong khi điện áp máng-nguồn được\r\ngiữ không đổi.
\r\n\r\n521-08-01
Chân phụ để điều khiển hoạt động\r\nchuyển mạch của thyristor.
\r\n\r\n521-08-02
Dòng điện chạy qua linh kiện, không kể\r\ndòng điện cổng.
\r\n\r\n521-08-03
Chân có dòng điện chính chạy qua.
\r\n\r\n521-08-04
Điện áp giữa các chân chính.
\r\n\r\n521-08-05
Hàm số, thường được thể hiện bằng đồ thị,\r\nliên hệ giữa điện áp chính và dòng điện chính, với dòng điện cổng, trong trường\r\nhợp thuộc đối tượng áp dụng, là một tham số.
\r\n\r\n521-08-06
Đặc tuyến anốt
\r\n\r\nHàm số, thường được thể hiện bằng đồ thị,\r\nliên hệ giữa điện áp anốt và dòng điện chính, với dòng điện cổng, trong trường\r\nhợp thuộc đối tượng áp d
521-08-07
Trạng thái của thyristor tương ứng với\r\nđoạn điện áp thấp điện trở thấp của đặc tuyến chính.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Trong trường hợp linh kiện\r\ndẫn ngược, định nghĩa này chỉ áp dụng cho điện áp anốt dương.
\r\n\r\n521-08-08
Trạng thái của thyristor tương ứng với\r\nđoạn của đặc tuyến chính giữa (các) gốc tọa độ và điểm hoặc các điểm đánh\r\nthủng.
\r\n\r\n521-08-09
Trạng thái của thyristor khóa ngược\r\ntương ứng với dòng điện ngược có biên độ thấp hơn dòng điện ở điện áp đánh\r\nthủng ngược.
\r\n\r\n521-08-10
Dòng điện chính tối thiểu cần thiết để\r\nduy trì thyristor ở trạng thái dẫn.
\r\n\r\n521-08-11
Dòng điện chính tối thiểu cần thiết để\r\nduy trì thyristor ở trạng thái dẫn ngay lập tức sau khi chuyển từ trạng thái\r\nkhóa sang trạng thái dẫn và tín hiệu trigger bị loại bỏ.
\r\n\r\n521-08-12
Điểm bất kỳ trên đặc tính chính tại đó\r\nđiện trở vi sai bằng 0 và tại đó điện áp chính đạt đến giá trị lớn nhất.
\r\n\r\n521-08-13
Điện trở bằng với độ dốc của đường\r\nthẳng được sử dụng để xác định điện áp ngưỡng từ đặc tính dòng điện-điện áp.
\r\n\r\n521-08-14
Dòng điện cổng nhỏ nhất yêu cầu để\r\nchuyển thyristor từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn.
\r\n\r\n521-08-15
Điện áp cổng yêu cầu để sinh ra dòng\r\nđiện cổng kích hoạt.
\r\n\r\n521-08-16
Điện áp cổng cao nhất không làm cho thyristor\r\nchuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn.
\r\n\r\n521-08-17
Dòng điện cổng ứng với điện áp cổng\r\nkhông kích hoạt.
\r\n\r\n521-08-18
Giá trị nhỏ nhất của tốc độ tăng điện\r\náp chính gây chuyển mạch từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn trong các điều\r\nkiện quy định.
\r\n\r\n521-08-19
Giá trị cao nhất của tốc độ tăng dòng\r\nđiện ở trạng thái đóng mà thyristor có thể chịu được mà không có ảnh hưởng bất\r\nlợi.
\r\n\r\n521-09-01
Việc tạo ra trong chất dẫn hoặc trong\r\nchất bán dẫn một cường độ trường điện tỷ lệ với tích véctơ giữa mật độ dòng\r\nđiện và mật độ từ thông.
\r\n\r\n521
Hệ số tỷ lệ R
trong đó
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Dấu của phần tử mang điện\r\ntích chủ yếu thường có thể suy ra từ dấu của hệ số Hall.
\r\n\r\n521-09-03
Góc tồn tại khi có hiệu ứng\r\nHall, giữa cường độ trường điện tạo ra và mật độ dòng điện.
\r\n\r\n521-09-04
Tích của hệ số Hall và độ dẫn điện.
\r\n\r\n521-09-05
Điện áp sinh ra bởi hiệu ứng Hall.
\r\n\r\n521-09-06
Các chân nối của bộ phát Hall mà xuất\r\nhiện điện áp Hall giữa chúng.
\r\n\r\n521-09-07
Chân nối của bộ phát Hall mà dòng điện\r\nđiều khiển đi qua đó.
\r\n\r\n521-09-08
Vùng hiệu quả của vòng lặp khép kín\r\nbởi các dây dẫn đến các chân nối Hall và tuyến dẫn liên quan đi qua linh kiện\r\nhiệu ứng Hall.
\r\n\r\n521-09-09
Vùng hiệu quả của vòng lặp khép kín\r\nbởi các dây dẫn dòng điện điều khiển và tuyến dẫn liên quan đi qua tấm Hall nhờ\r\nhiệu ứng Hall.
\r\n\r\n521-09-10
Trường từ gây ra bởi dòng điện điều\r\nkhiển qua vòng lặp tạo bởi các dây dẫn dòng điện điều khiển và tuyến liên quan\r\nđi qua linh kiện hiệu ứng Hall.
\r\n\r\n521-09-11
Dòng điện đi qua tấm Hall phát ra điện\r\náp Hall do tương tác với trường từ.
\r\n\r\n521-09-12
Thương số giữa điện áp Hall và mật độ\r\ntừ thông của dải làm việc tuyến tính của đầu dò Hall.
\r\n\r\n521-09-13
Điện áp cảm ứng trong vòng l
521-09-14
Điện áp tại các chân nối Hall khi có\r\ntrường từ thay đổi theo thời gian và dòng điện điều khiển bằng không.
\r\n\r\n521-09-15
Điện áp tại các chân nối Hall khi có\r\ndòng điện điều khiển chạy qua trong điều kiện không có trường từ đặt vào.
\r\n\r\n521-09-16
Điện áp cảm ứng trong vòng lặp tạo bởi\r\ncác dây\r\ndẫn\r\ndòng điện điều khiển và tuyến dòng điện đi qua tấm Hall được tạo ra do thay đổi\r\nmật độ từ thông.
\r\n\r\n521-09-17
Đường cong điện trở của một từ trở\r\ntheo mậ
521-09-18
Ở mật độ từ thông quy định, hệ số từ trở là\r\nthương số giữa sự biến đổi điện trở với cảm ứng từ của từ trở và điện trở ở mật\r\nđộ từ thông quy định.
\r\n\r\n521-09
Linh kiện điện tử có mật độ phần tử\r\nmạch điện cao và được coi là một khối duy nhất.
\r\n\r\n521-10-01
Lĩnh vực khoa học và kỹ thuật về mạch\r\nđiện tử cực nhỏ và việc sử dụng chúng.
\r\n\r\n521-10-02
Tỉ số của điện trở từ nghiệm ở mật độ\r\ntừ thông quy định với điện trở ở mật độ từ thông bằng 0.
\r\n\r\n521-10-03
Vi mạch trong đó tất cả hoặc một số\r\nlinh kiện\r\nmạch\r\nđiện được kết hợp không tách rời được và được nối điện sao cho mạch này được\r\nxem là không chia tách được cho mục đích cấu tạo và thương mại.
\r\n\r\n521-10-04
Cấu trúc vi mô gồm nhiều linh kiện\r\nkhác nhau được kết cấu riêng rẽ và có thể được thử nghiệm riêng rẽ trước khi\r\nđược lắp ráp và gắn kín lại với nhau.
\r\n\r\n521-10-05
Màng tạo bởi quá trình bồi đắp như sự\r\nlắng đọng ở pha hơi hoặc thổi chân không.
\r\n\r\n521-10-06
Mạch tích hợp mà các phần tử mạch của\r\nchúng, kể cả các mối nối liên kết, là các phần tử dạng màng hình thành trên bề\r\nmặt nền cách điện.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Phần tử màng có thể là phần\r\ntử tích cực hoặc thụ động.
\r\n\r\n521-10-07
Lớp vật liệu rắn hình thành bởi quá\r\ntrình lắng đọng trê
521-10-08
Linh kiện bán dẫn được thiết kế như\r\nmột mạch tích hợp.
\r\n\r\n521-10-09
Màng được tạo ra bởi quá trình tạo\r\nmạch in hoặc kỹ thuật liên quan khác.
\r\n\r\n521-10-10
Mạch tích hợp bán dẫn gồm hai hoặc\r\nnhiều chip.
\r\n\r\n521-11-01
(PLD)
\r\n\r\nMạch tích hợp gồm các phần tử lôgic có\r\ncác dạng thức liên kết, các phần liên kết mà người sử dụng có thể lập trình\r\nđược.
\r\n\r\n521-11-02
Linh kiện lôgic lập trình được trong\r\nđó các phần tử lôgic gồm chủ yếu là các dãy cổng AND và dãy cổng OR.
\r\n\r\n521-11-03
Trạng thái thuận nghịch, trong đó\r\ntuyến dẫn trở kháng thấp được tạo ra và tiếp tục tồn tại theo dòng điện được\r\ntạo ra từ đầu vào, đầu ra hoặc quá điện áp nguồn làm kích hoạt cấu trúc hai cực\r\nbốn lớp ký sinh.
\r\n\r\n521-11-04
Phần chia nhỏ nhất của bộ nhớ trong đó\r\nmột đơn vị dữ liệu được hoặc có thể được nhập vào, lưu giữ hoặc lấy ra.
\r\n\r\n521-11-05
Mạch tích hợp bao gồm các phần tử nhớ\r\nvà thường gồm cả các mạch kết hợp như mạch chọn địa chỉ, khuếch đại, v.v...
\r\n\r\n521-11-06
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu được\r\ngiữ lại khi không có các tín hiệu điều khiển.
\r\n\r\n521-11-07
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu dự\r\nkiến được đọc và sửa đổi trong vận hành bình thường.
\r\n\r\n521-11-08
RAM
\r\n\r\nBộ nhớ cho phép truy cập vào các vị\r\ntrí địa chỉ bất kỳ của nó theo trình tự mong muốn bất kỳ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Theo cách sử dụng chung,\r\nthuật ngữ này thường bao hàm bộ nhớ "đọc/ghi"; nhưng thuật ngữ này\r\ncũng có thể áp dụng cho bộ nhớ “chỉ đọc".
\r\n\r\n521-11-09
ROM
\r\n\r\nBộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu dự\r\nkiến chỉ được đọc mà không được sửa đổi được trong vận hành bình thường.
\r\n\r\n521-11-10
Bộ nhớ trong đó các phần tử nhớ đòi\r\nhỏi phải đặt lặp lại các tí
521-11-11
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu bị\r\nmất khi mất nguồn cung cấp cho nó.
\r\n\r\n521-11-12
Linh kiện truyền điện tích lưu giữ\r\nđiện tích ở các vùng rời rạc trong chất bán dẫn và truyền điện tích này thành\r\nmột gói qua một loạt các linh kiện chuyển mạch liên kết với các vùng này.
\r\n\r\n521-11-13
Bộ nhớ liên kết
\r\n\r\nBộ nhớ đáp ứng với tất cả các dữ liệu\r\ntrong vùng lưu giữ nếu phần dữ liệu này phù hợp với dữ liệu đầu vào của bộ nhớ.
\r\n\r\n521-11-14
Linh kiện bán dẫn mà hoạt động của\r\nlinh kiện phụ thuộc vào sự di chuyển có hiệu quả của các gói điện tích rời rạc\r\ndọc theo hoặc bên dưới bề mặt bán dẫn hoặc thông qua các liên kết trên bề mặt\r\nchất bán dẫn.
\r\n\r\n521-11-15
Bộ nhớ trong đó các vùng lưu giữ chỉ\r\ncó thể được truy cập theo trình tự xác định trước.
\r\n\r\n521-11-16
CCD
\r\n\r\nLinh kiện truyền điện tích lưu giữ\r\nđiện tích trong các giếng điện thế và truyền điện tích này hầu
521-11-17
Linh kiện truyền điện tích trong đó\r\nhình ảnh được biến đổi thành các gói điện tích có thể được truyền như một sự\r\nthể hiện bằng điện của hình ảnh.
\r\n\r\n521-11-18
Sự kết hợp được thiết kế trước của các\r\nphần tử mạch điện với cách bố trí và các chân liên kết cụ thể để thực hiện chức\r\nnăng trong mạch tích hợp.
\r\n\r\n521-11-19
Mạch tích hợp gồm các mạch, phần tử và\r\nvĩ mô được thiết kế trước mà có thể được sử dụng trong quá trình bố trí chip tự\r\nđộng để chế tạo ra mạch điện dùng cho ứng dụng cụ thể.
\r\n\r\n521-11-20
Mạch tích hợp có chứa một mạng cố định\r\ncác phần tử mạch điện được sử dụng để tạo thành các phần tử vĩ mô và các chức\r\nnăng vĩ mô mà được hoặc có thể liên kết để thực hiện chức năng logic.
\r\n\r\n521-11-21
ASIC
\r\n\r\nMạch tích hợp được thiết kế cho các\r\nứng dụng cụ thể.
\r\n\r\n521-11-22
Tập hợp các phần tử có các liên kết cụ\r\nthể.
\r\n\r\n\r\n\r\n
Lời nói đầu
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng
\r\n\r\n2. Tài liệu viện dẫn
\r\n\r\n3. Thuật ngữ và định nghĩa
\r\n\r\nMục 521-01: Giới thiệu về vật lý\r\nnguyên tử
\r\n\r\nMục 521-02: Đặc tính của vật liệu bán\r\ndẫn
\r\n\r\nMục 521-03:
Mục 521-04: Các loại linh kiện bán dẫn\r\n
\r\n\r\nMục 521-05: Thuật ngữ chung dùng cho\r\nlinh kiện bán dẫn
\r\n\r\nMục 521-06: Thuật ngữ riêng dành cho\r\nđiốt
\r\n\r\nMục 521-07: Thuật ngữ riêng dành cho\r\ntranzito
\r\n\r\nMục 521-08: Thuật ngữ riêng dành cho thyristor\r\n
\r\n\r\nMục 521-09: Thuật ngữ riêng dành cho\r\nlinh kiện sử dụng hiệu ứng Hall và từ trở
\r\n\r\nMục 521-10: Thuật ngữ riêng dành cho\r\nmạch tích hợp
\r\n\r\nMục 521-11: Thuật ngữ riêng dành cho\r\nmạch tích hợp digital
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8095-521:2009 (IEC 60050-521 : 2002) về Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế – Phần 521: Linh kiện bán dẫn và mạch tích hợp đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8095-521:2009 (IEC 60050-521 : 2002) về Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế – Phần 521: Linh kiện bán dẫn và mạch tích hợp
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN8095-521:2009 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2009-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |