Exposure\r\nto electric or magnetic fields in the low and intermediate frequency range –\r\nMethods for calculating the current density and internal electric field induced\r\nin the human body – Part 1: General
\r\n\r\nLời nói đầu
\r\n\r\nTCVN 8334-1:2010 hoàn toàn tương\r\nđương với IEC 62226-1:2004;
\r\n\r\nTCVN 8334-1:2010 do Ban kỹ thuật\r\ntiêu chuẩn quốc gia TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục\r\nTiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
\r\n\r\nLời giới thiệu
\r\n\r\nMối quan tâm của công chúng liên\r\nquan đến phơi nhiễm của con người trong trường điện và trường từ khiến các tổ\r\nchức quốc tế và quốc gia cần đề xuất các giới hạn dựa trên ảnh hưởng bất lợi đã\r\nđược thừa nhận.
\r\n\r\nTiêu chuẩn này áp dụng cho dải tần\r\nsố mà trong đó giới hạn phơi nhiễm dựa trên cảm ứng điện áp hoặc dòng điện\r\ntrong cơ thể người khi bị phơi nhiễm trong trường điện hoặc trường từ. Dải tần\r\nsố này bao trùm tần số thấp và tần số trung gian, đến 100 kHz. Một số phương\r\npháp được mô tả trong tiêu chuẩn này có thể được sử dụng ở tần số cao hơn trong\r\ncác điều kiện qui định.
\r\n\r\nGiới hạn phơi nhiễm dựa trên thực\r\nnghiệm sinh học và y học về các hiện tượng cảm ứng cơ bản này, thường được gọi\r\nlà “giới hạn cơ bản”. Các giới hạn cơ bản này chứa đựng cả các yếu tố an toàn.
\r\n\r\nĐại lượng điện cảm ứng không thể đo\r\ntrực tiếp được, vì vậy các giới hạn cũng bắt nguồn từ các đề xuất đơn giản hóa.\r\nCác giới hạn này, được gọi “mức tham chiếu”, được đưa ra dưới dạng trường điện\r\nvà trường từ. Các giới hạn này dựa trên mô hình ghép nối rất đơn giản giữa\r\ntrường bên ngoài và cơ thể. Các giới hạn này cũng mang tính thận trọng.
\r\n\r\nMô hình phức tạp dùng để tính dòng\r\nđiện cảm ứng trong cơ thể đã được sử dụng và đối tượng của nhiều xuất bản khoa\r\nhọc. Các mô hình sử dụng tập hợp các phép tính trường điện từ bằng số ba chiều\r\nvà cấu trúc mô hình chi tiết bên ngoài có các đặc tính điện riêng cho từng\r\nchuỗi liên quan bên trong cơ thể. Tuy nhiên các mô hình này vẫn đang triển\r\nkhai; dữ liệu có sẵn về tính dẫn điện hiện nay có nhiều thiếu sót. Phân tích về\r\nkhông gian của các mô hình vẫn đang được hoàn thiện. Do đó, các mô hình này vẫn\r\nđược tính đến trong phạm vi nghiên cứu khoa học và ở hiện tại, nó không được\r\ncoi là thành quả đạt được từ các mô hình này có thể và đã đóng góp hữu ích cho\r\nquá trình tiêu chuẩn hóa, đặc biệt đối với các tiêu chuẩn sản phẩm mà ở đó trường\r\nhợp phơi nhiễm cụ thể được quan tâm. Khi kết quả từ mô hình này được sử dụng\r\ntrong tiêu chuẩn, vẫn cần định kỳ xem xét lại các kết quả để đảm bảo chúng liên\r\ntục phản ánh tình trạng khoa học đương đại.
\r\n\r\nBộ tiêu chuẩn TCVN 8334 (IEC 62226)\r\nhiện nay có các tiêu chuẩn quốc gia sau:
\r\n\r\n1) TCVN 8334-1:2010 (IEC\r\n62226-1:2004), Phơi nhiễm trong trường điện hoặc trường từ ở dải tần số thấp và\r\ntần số trung gian – Phương pháp tính mật độ dòng điện và trường điện cảm ứng\r\nbên trong cơ thể người – Phần 1: Yêu cầu chung.
\r\n\r\n2) TCVN 8334-3-1:2010 (IEC\r\n62226-3-1:2007), Phơi nhiễm trong trường điện hoặc trường từ ở dải tần số thấp\r\nvà tần số trung gian – Phương pháp tính mật độ dòng điện và trường điện cảm ứng\r\nbên trong cơ thể người – Phần 3-1: Phơi nhiễm trong trường điện – Mô hình giải\r\ntích và mô hình đánh số hai chiều.
\r\n\r\nBộ tiêu chuẩn IEC 62226 còn có tiêu\r\nchuẩn sau:
\r\n\r\nIEC 62226-2-1:2004, Exposure to\r\nelectric or magnetic fields in the low and intermediate frequency range –\r\nMethods for calculating the current density and internal electric field induced\r\nin the human body – Part 2-1: Exposure to magnetic fields – 2D models (Phơi\r\nnhiễm trong trường điện hoặc trường từ ở dải tần số thấp và tần số trung gian –\r\nPhương pháp tính mật độ dòng điện và trường điện cảm ứng bên trong cơ thể người\r\n– Phần 2 – 1: Phơi nhiễm trong trường từ - Mô hình hai chiều).
\r\n\r\n\r\n\r\n
PHƠI\r\nNHIỄM TRONG TRƯỜNG ĐIỆN HOẶC TRƯỜNG TỪ Ở DẢI TẦN SỐ THẤP VÀ TẦN SỐ TRUNG GIAN –\r\nPHƯƠNG PHÁP TÍNH MẬT ĐỘ DÒNG ĐIỆN VÀ TRƯỜNG ĐIỆN CẢM ỨNG BÊN TRONG CƠ THỂ NGƯỜI\r\n– PHẦN 1: YÊU CẦU CHUNG
\r\n\r\nExposure\r\nto electric or magnetic fields in the low and intermediate frequency range –\r\nMethods for calculating the current density and internal electric field induced\r\nin the human body – Part 1: General
\r\n\r\n\r\n\r\nTiêu chuẩn này đưa ra các cách thức\r\nchứng tỏ sự phù hợp với các giới hạn cơ bản về phơi nhiễm của con người trong\r\ntrường điện và trường từ tần số thấp và tần số trung gian được qui định trong\r\ncác tiêu chuẩn hoặc hướng dẫn về phơi nhiễm ví dụ như các tài liệu của IEEE và\r\nICNIRP.
\r\n\r\nMục đích của tiêu chuẩn là:
\r\n\r\n- đưa ra cách tiếp cận thực tế hơn\r\ncho việc lập mô hình về phơi nhiễm của con người trong trường điện và trường từ\r\nở tần số thấp, bằng cách sử dụng tập hợp các mô hình có độ phức tạp tăng dần về\r\nnguồn phát xạ trường hoặc cơ thể con người hoặc cả hai;
\r\n\r\n- đưa ra giá trị tiêu chuẩn hóa cho\r\ncác tham số về điện ở bộ phận trong cơ thể con người: độ dẫn điện, hằng số điện\r\nmôi và mức độ biến đổi của chúng theo tần số.
\r\n\r\nTiêu chuẩn cơ bản này không nhằm\r\nthay thế các định nghĩa và qui trình đã được qui định trong các tiêu chuẩn hoặc\r\ncác hướng dẫn về phơi nhiễm, như các tiêu chuẩn hoặc hướng dẫn của IEEE hoặc\r\nICNIRP, mà tập trung cung cấp các qui trình bổ sung để cho phép đánh giá sự phù\r\nhợp với các tài liệu đó.
\r\n\r\nTiêu chuẩn cơ bản này đưa ra cách\r\nthức để chứng tỏ sự phù hợp với các giới hạn cơ bản mà không phải sử dụng các\r\nmô hình phức tạp. Tuy nhiên, khi các điều kiện về phơi nhiễm có đặc điểm hợp lý\r\n(ví dụ như trong tiêu chuẩn về sản phẩm) và khi có sẵn các kết quả từ các mô\r\nhình này, có thể sử dụng các kết quả đó để chứng tỏ sự phù hợp với các tiêu\r\nchuẩn hoặc hướng dẫn về trường điện từ (EMF).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Ví dụ về sử dụng các\r\nmô hình phức tạp như vậy có thể xem trong bản đánh giá xu hướng công nghệ của\r\nIEC [2]
CHÚ THÍCH 2: Việc tham khảo tài\r\nliệu khoa học được nêu trong thư mục tài liệu tham khảo.
\r\n\r\n2. Dữ liệu\r\nchung về trường điện từ và phơi nhiễm của con người
\r\n\r\n2.1. Yêu cầu chung
\r\n\r\nTrường toàn phần bao gồm trường\r\nđiện và trường từ, được phát ra khi vận hành các thiết bị điện và được gọi là\r\ntrường điện từ. Trường toàn phần được đặc trưng bởi tần số f hoặc bước sóng λ,\r\ntrong đó λ bằng tỉ số của vận tốc ánh sáng trong môi trường chân không (c),\r\nchia cho tần số: λ = c/f.
\r\n\r\nTrong trường hợp bước sóng là lớn\r\nso với
\r\n\r\n- khoảng cách từ cơ thể đến thiết\r\nbị, và
\r\n\r\n- kích thước của cơ thể,
\r\n\r\nthì phơi nhiễm trong các trường còn\r\nđược gọi là “phơi nhiễm trường gần”. Trong các điều kiện này, trường điện và\r\ntrường từ không phụ thuộc nhau và có thể được nghiên cứu riêng. Trong thực tế,\r\nđiều này hợp lý đối với dải tần số được đề cập trong tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n2.2. Trường điện
\r\n\r\nTrường điện làm cho các điện tích\r\ndịch chuyển trong vật dẫn (kể cả cơ thể sống) và do trường này thay đổi, nên\r\nđiện tích này chuyển động qua lại. Kết quả là ở bên trong vật dẫn có dòng điện\r\nxoay chiều “cảm ứng” và trường điện cảm ứng tương ứng.
\r\n\r\nĐiều quan trọng phải lưu ý là, ở\r\nmức độ rất rộng, đối với đối tượng có độ dẫn đồng nhất, dòng điện này không phụ\r\nthuộc vào đối tượng có tính dẫn điện tốt hay xấu. Ngược lại, trường điện cảm\r\nứng kết hợp phụ thuộc nhiều vào tính dẫn điện của cơ thể.
\r\n\r\nDòng điện cảm ứng bởi trường điện\r\nphụ thuộc vào
\r\n\r\n- hình dạng và kích thước của vật\r\ndẫn;
\r\n\r\n- đặc tính (độ lớn, độ phân cực,\r\nmức độ không đồng nhất, v.v…) của trường không xáo trộn (xem định nghĩa 3.1.9);
\r\n\r\n- tần số của trường.
\r\n\r\nDòng điện xoay chiều cảm ứng còn\r\nphụ thuộc vào việc cơ thể có tiếp xúc điện với đất và phụ thuộc vào sự có mặt\r\ncủa vật thể dẫn điện khác ở gần.
\r\n\r\n2.3. Trường từ
\r\n\r\nTrường từ xoay chiều tạo ra trường\r\nđiện xoay chiều và dòng điện kết hợp trong môi trường dẫn. Dòng điện này được\r\ngọi là dòng điện xoáy. Do các mô sống dẫn điện, nên hiện tượng cảm ứng cũng xuất\r\nhiện trong cơ thể con người.
\r\n\r\nDòng điện cảm ứng bởi trường từ phụ\r\nthuộc vào
\r\n\r\n- hình dạng, kích thước và tính dẫn\r\nđiện của vật dẫn;
\r\n\r\n- các đặc tính (độ lớn, phân cực,\r\nmức độ không đồng nhất, v.v…) của trường. Ngược lại với trường điện, trường từ\r\nthường không bị xáo trộn bởi các vật thể ở gần;
\r\n\r\n- tần số của trường.
\r\n\r\nMức của trường từ sẽ giảm theo\r\nkhoảng cách tính từ nguồn của trường từ. Mức độ biến đổi của trường theo khoảng\r\ncách được mô tả cho ba loại nguồn khác nhau.
\r\n\r\n- Dây dẫn đơn (ví dụ đường dây trên\r\nkhông cấp điện cho phương tiện đường sắt): trường từ giảm theo 1/d, trong đó d\r\nlà khoảng cách từ dây dẫn mang điện. (định luật Ampe).
\r\n\r\n- Hệ thống các dây dẫn song song,\r\nđược mang điện bởi hệ thống dòng điện cân bằng (ví dụ mạng điện): trường từ\r\ngiảm theo 1/d2, trong đó d là khoảng cách trung bình tính từ các dây\r\ndẫn mang điện. Định luật theo kinh nghiệm này chỉ có hiệu lực khi d là lớn so\r\nvới khoảng cách giữa các dây dẫn khác nhau.
\r\n\r\n- Nguồn cục bộ (ví dụ: thiết bị\r\nđiện gia dụng) có thể được coi là lưỡng cực từ: trường từ giảm theo 1/d3,\r\ntrong đó d là khoảng cách từ nguồn. Theo cách như trên, qui tắc gần đúng này\r\nchỉ áp dụng khi d là lớn so với kích thước của bản thân nguồn đó.
\r\n\r\n3. Thuật ngữ và\r\nđịnh nghĩa, ký hiệu và chữ viết tắt
\r\n\r\n3.1. Thuật\r\nngữ và định nghĩa
\r\n\r\nTrong tiêu chuẩn, áp dụng các thuật\r\nngữ và định nghĩa được cho dưới đây.
\r\n\r\n3.1.1. Giới hạn cơ bản (basic\r\nrestrictions)
\r\n\r\nTheo thuật ngữ đang được sử dụng\r\ntrong các khuyến cáo y tế liên quan đến phơi nhiễm trong trường điện từ, giới\r\nhạn phơi nhiễm dựa trên các hiệu ứng sinh học được thiết lập bằng thực nghiệm\r\nsinh vật học và y học về các hiện tượng cảm ứng cơ bản này.
\r\n\r\nGiới hạn cơ bản thường bao gồm các\r\nhệ số về an toàn để tính đến độ không đảm bảo của thông tin khoa học khi xác\r\nđịnh ngưỡng đối với ảnh hưởng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Định nghĩa chính xác\r\ncủa thuật ngữ này có thể khác nhau giữa các hướng dẫn y tế về trường điện từ\r\n(EMF).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Đối với dải tần số\r\nđược đề cập trong tiêu chuẩn này, giới hạn cơ bản được đề cập thường biểu thị\r\ndưới dạng mật độ dòng điện cảm ứng hoặc trường điện bên trong. Do giới hạn cơ\r\nbản này là một đại lượng bên trong cơ thể, mà không thể đo được nên mức tham\r\nchiếu tương ứng thường được lấy và sử dụng theo các hướng dẫn y tế về trường\r\nđiện từ (EMF).
\r\n\r\n3.1.2. Hệ số ghép nối K (coupling\r\nfactor K)
\r\n\r\nHệ số này được sử dụng để đánh giá\r\nphơi nhiễm trong trường hợp phơi nhiễm phức tạp, như trường từ không đồng nhất\r\nhoặc trường điện xáo trộn.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Hệ số ghép nối K có\r\ncác cách thể hiện vật lý khác nhau, tùy thuộc vào việc hệ số này liên quan đến\r\nphơi nhiễm trong trường từ hay phơi nhiễm trong trường điện từ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Giá trị của hệ số ghép\r\nnối K phụ thuộc vào mô hình được sử dụng cho nguồn trường và mô hình được sử\r\ndụng cho cơ thể con người. Khi các điều kiện phơi nhiễm được xác định, ví dụ\r\nnhư trong tiêu chuẩn sản phẩm, giá trị chính xác của hệ số ghép nối có thể được\r\nqui định trực tiếp và được sử dụng như đã nêu trong tiêu chuẩn sản phẩm.
\r\n\r\n3.1.3. Mật độ dòng điện (current\r\ndensity)
\r\n\r\nĐại lượng vectơ có độ lớn bằng với\r\nlượng điện tích đi qua một đơn vị diện tích bề mặt vuông góc với dòng điện tích\r\nđó trong một đơn vị thời gian.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Mật độ dòng điện được\r\nbiểu thị bằng ampe trên mét vuông (A/m2).
\r\n\r\n3.1.4. Trường môi trường (environment\r\nfield)
\r\n\r\nTrường điện hoặc trường từ bên\r\nngoài cơ thể, và được đo khi không có người đứng ở đó.
\r\n\r\n3.1.5. Cường độ trường điện E (Electric\r\nfield strength, E)
\r\n\r\nĐộ lớn của trường vectơ xác định lực
![](\"00909702_files/image002.gif\"){kind=small}
trên\r\nmột diện tích tĩnh q:
CHÚ THÍCH: Cường độ trường điện\r\nđược biểu thị bằng vôn trên mét (V/m).
\r\n\r\n3.1.6. Dịch chuyển điện D (electric\r\ndisplacement, D)
\r\n\r\nĐộ lớn của vectơ trường có liên quan tới trường điện
bởi công thức sau:
Trong đó ![](\"00909702_files/image006.gif\"){kind=small}
là\r\nhằng số điện môi tương đối của môi chất còn ![](\"00909702_files/image007.gif\"){kind=small}
là\r\nhằng số điện môi của chân không.
CHÚ THÍCH: Dịch chuyển điện được\r\nbiểu thị bằng culông trên mét vuông (C/m2).
\r\n\r\n3.1.7. Phơi nhiễm (exposure)
\r\n\r\nTình trạng xuất hiện khi con người\r\nbị đặt trong trường điện, trường từ hoặc trường điện từ.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Từ “phơi nhiễm” cũng\r\nthường được sử dụng theo nghĩa “mức phơi nhiễm” (xem 3.1.8).
\r\n\r\n3.1.8. Mức phơi nhiễm (exposure\r\nlevel)
\r\n\r\nGiá trị của đại lượng cần xét khi\r\nmột người bị phơi nhiễm trong trường điện, trường từ hoặc trường điện từ.
\r\n\r\n3.1.9. Phơi nhiễm, bộ phận cơ\r\nthể (exposure, partial-body)
\r\n\r\nPhơi nhiễm do hấp thụ năng lượng\r\ncục bộ.
\r\n\r\n3.1.10. Phơi nhiễm, không đồng\r\nnhất (exposure, non-unifrom)
\r\n\r\nMức phơi nhiễm trong trường không đồng\r\nnhất trên toàn bộ thể tích, tương ứng với toàn bộ cơ thể người.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Xem thêm các
3.1.11. Điểm nóng
Vùng tập trung trường\r\ncao hơn.
\r\n\r\n3.1.12. Cảm ứng
Trường điện hoặc\r\ntrường từ trong môi chất dẫn, gây ra do tác động của trường điện hoặc trường từ\r\nbên ngoài (môi trường) thay đổi theo thời gian.
\r\n\r\n3.1.13. Mật độ từ thông B (magnetic\r\nflux density B)
\r\n\r\nĐộ lớn của vectơ trường tại một điểm trong không gian, để xác\r\nđịnh lực
lên một điện tích q dịch chuyển với\r\nvận tốc
:
CHÚ THÍCH: Mật độ từ thông được\r\nbiểu thị theo đơn vị đo tesla (T). Một tesla bằng 104 gauss (G).
\r\n\r\n3.1.14. Cường độ trường từ H (strength\r\nfield magnetic H)
\r\n\r\nĐộ lớn của vectơ trường liên quan tới mật độ từ thông
bởi công thức sau:
Trong đó ![](\"00909702_files/image013.gif\"){kind=small}
là\r\nđộ từ thẩm tương đối của môi chất còn ![](\"00909702_files/image014.gif\"){kind=small}
là\r\nđộ từ thẩm của không gian tự do.
CHÚ THÍCH: Cường độ trường từ được\r\nbiểu thị bằng ampe trên mét (A/m).
\r\n\r\n3.1.15. Trường không đồng nhất (non-uniform\r\nfield)
\r\n\r\nTrường thay đổi về biên độ, hướng\r\nvà pha trên toàn bộ kích thước của cơ thể hoặc một bộ phận của cơ thể đang được\r\nnghiên cứu.
\r\n\r\n3.1.16. Độ từ thẩm (tuyệt đối)\r\nμ (permeability (absolute) μ)
\r\n\r\nĐại lượng vô hướng hoặc đại lượng\r\ntenxơ mà nếu tích của nó với cường độ trường từ H trong một môi chất nào đó\r\nbằng mật độ từ thông B trong môi chất đó:
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Đối với môi chất đẳng\r\nhướng, độ từ thẩm tuyệt đối là đại lượng vô hướng; đối với môi chất không đẳng\r\nhướng, độ từ thẩm là đại lượng tenxơ.
\r\n\r\n3.1.16.1. Độ từ thẩm tương đối μr\r\n(relative permeability μr)
\r\n\r\nMật độ từ thông B chia cho tích của\r\ntrường từ H và μ0
\r\n\r\n với
![](\"00909702_files/image017.gif\"){kind=small}
Trong đó μ là độ từ thẩm tuyệt đối\r\ncủa môi chất được biểu thị bằng henry trên mét (H/m).
\r\n\r\n3.1.16.2. Độ từ thẩm của chân không\r\nμ0 (permeability of vacuum μ0)
\r\n\r\nĐại lượng vô hướng mà tích của nó\r\nvới cường độ trường từ H trong môi trường chân không bằng mật độ từ thông B:
\r\n\r\n3.1.17. Trường xáo trộn (perturbed\r\nfield)
\r\n\r\nTrường bị thay đổi về độ lớn hoặc\r\nhướng, hoặc cả hai, do đưa vật thể vào.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH: Nhìn chung, trường điện\r\nbị xáo trộn mạnh ở bề mặt của vật thể. Ở các tần số công nghiệp, mật độ từ\r\nthông không xáo trộn đáng kể khi có các vật thể không phải là vật liệu từ.\r\nNgoại trừ các vùng sát với bề mặt của dây dẫn điện dày đặc và các vùng cách xa\r\ndây dẫn điện dày đặc, nếu các dây dẫn này gần với nguồn trường từ. Sự xáo trộn\r\ntrong các trường hợp này là do có các dòng điện xoáy chạy trong dây dẫn tạo ra\r\ntừ trường ngược.
\r\n\r\n3.1.18. Mức tham chiếu (reference\r\nlevel)
\r\n\r\nTheo thuật ngữ sử dụng trong các\r\nkhuyến cáo về y tế liên quan đến phơi nhiễm trong trường điện từ, giá trị của\r\ntrường điện hoặc trường từ đồng nhất, tạo ra giới hạn cơ bản (xem 3.1.1) ở cơ\r\nthể phơi nhiễm trong các trường đó.
\r\n\r\nMức tham chiếu được đưa ra đối với\r\nđiều kiện trường ghép nối tối đa lên cơ thể bị phơi nhiễm, do đó tạo ra mức bảo\r\nvệ tối đa.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Định nghĩa chính xác\r\nvề thuật ngữ này có thể khác nhau giữa các hướng dẫn y tế về trường điện từ\r\n(EMF).
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Mức tham chiếu dùng để\r\nđánh giá phơi nhiễm thực tế khi giới hạn cơ bản có thể bị vượt quá. Khi trường\r\nkhông đồng nhất, thường có khả năng vượt quá mức tham chiếu nhưng không vượt\r\nquá giới hạn cơ bản
3.1.19. Trường không xáo trộn (unperturbed\r\nfield)
\r\n\r\nTrường có thể có tại một điểm mà ở\r\nđó không có người hoặc vật thể di động.
\r\n\r\n3.1.20. Trường đồng nhất\r\n(uniform field)
\r\n\r\nTrường có biên độ, hướng và pha\r\ntương đối không thay đổi theo kích thước cơ thể hoặc bộ phận cơ thể đang được\r\nnghiên cứu.
\r\n\r\n3.1.21. Bước sóng λ (wavelength\r\nλ)
\r\n\r\nKhoảng cách giữa các điểm của pha\r\ntương ứng ở hai chu kỳ liên tiếp của sóng sin.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 1: Bước sóng (λ) của sóng\r\nđiện từ có liên quan đến tần số (f) và vận tốc (c) bởi biểu thức c = f.λ. Vận\r\ntốc của sóng điện từ trong không gian tự do bằng với vận tốc ánh sáng.
\r\n\r\nCHÚ THÍCH 2: Bước sóng được tính\r\nbằng đơn vị mét (m).
\r\n\r\n3.2. Đại\r\nlượng vật lý và đơn vị
\r\n\r\nSử dụng hệ đơn vị quốc tế SI trong\r\ntoàn bộ tiêu chuẩn này.
\r\n\r\n| \r\n Đại\r\n lượng \r\n | \r\n \r\n Ký\r\n hiệu \r\n | \r\n \r\n Đơn\r\n vị \r\n | \r\n \r\n Chữ\r\n viết tắt \r\n | \r\n
| \r\n Mật độ dòng điện \r\n | \r\n \r\n J \r\n | \r\n \r\n Ampe trên mét vuông \r\n | \r\n \r\n A/m2 \r\n | \r\n
| \r\n Cường độ trường điện \r\n | \r\n \r\n E \r\n | \r\n \r\n Vôn trên mét \r\n | \r\n \r\n V/m \r\n | \r\n
| \r\n Tần số \r\n | \r\n \r\n f \r\n | \r\n \r\n Héc \r\n | \r\n \r\n Hz \r\n | \r\n
| \r\n Cường độ trường từ \r\n | \r\n \r\n H \r\n | \r\n \r\n Ampe trên mét \r\n | \r\n \r\n A/m \r\n | \r\n
| \r\n Mật độ từ thông \r\n | \r\n \r\n B \r\n | \r\n \r\n Tesla (Wb/m2 hoặc Vs/m2) \r\n | \r\n \r\n T \r\n | \r\n
| \r\n Độ từ thẩm \r\n | \r\n \r\n μ \r\n | \r\n \r\n Henry trên mét \r\n | \r\n \r\n H/m \r\n | \r\n
| \r\n Hằng số điện môi \r\n | \r\n \r\n ε \r\n | \r\n \r\n Fara trên mét \r\n | \r\n \r\n F/m \r\n | \r\n
| \r\n Mật độ công suất \r\n | \r\n \r\n S \r\n | \r\n \r\n Oát trên mét vuông \r\n | \r\n \r\n W/m2 \r\n | \r\n
| \r\n Bước sóng \r\n | \r\n \r\n λ \r\n | \r\n \r\n Mét \r\n | \r\n \r\n m \r\n | \r\n
| \r\n Độ dẫn \r\n | \r\n \r\n
| \r\n \r\n Simen trên mét \r\n | \r\n \r\n S/m \r\n | \r\n
![](\"00909702_files/image019.gif\"){kind=small}
| \r\n Hằng\r\n số vật lý \r\n | \r\n \r\n Ký\r\n hiệu \r\n | \r\n \r\n Độ\r\n lớn \r\n | \r\n
| \r\n Vận tốc ánh sáng \r\n | \r\n \r\n c \r\n | \r\n \r\n 2,997\r\n x 108 m/s \r\n | \r\n
| \r\n Độ từ thẩm trong chân không \r\n | \r\n \r\n μ0 \r\n | \r\n \r\n 4 | \r\n
| \r\n Hằng số điện môi trong chân không \r\n | \r\n \r\n
| \r\n \r\n 8,854\r\n x 10-12 F/m \r\n | \r\n
![](\"00909702_files/image020.gif\"){kind=small}
x 10-7 H/m4. Qui trình\r\nchung để đánh giá sự phù hợp với các giới hạn an toàn
\r\n\r\nSử dụng biểu đồ thể hiện trong Hình\r\n1 để điều chỉnh đánh giá về phơi nhiễm, bắt đầu từ đánh giá sơ bộ thu được trực\r\ntiếp từ các phép đo trường bên ngoài không xáo trộn.
\r\n\r\nViệc điều chỉnh được thực hiện bằng\r\ncách sử dụng hệ số ghép nối K. Giá trị của hệ số ghép nối phụ thuộc vào mô hình\r\nđược sử dụng cho nguồn trường và phụ thuộc vào mô hình của cơ thể con người.\r\nNói chung, khi các điều kiện phơi nhiễm được xác định rõ, giá trị chính xác của\r\nhệ số ghép nối K có thể được qui định trực tiếp (như trong các tiêu chuẩn sản\r\nphẩm).
\r\n\r\nMột giải pháp khác để sử dụng của\r\nhệ số ghép nối K là tính toán trực tiếp giới hạn cơ bản đối với trường hợp phơi\r\nnhiễm phức tạp.
\r\n\r\nHình\r\n1 – Tổng quan và các phương pháp khác nhau để đánh giá sự phù hợp với các giới\r\nhạn phơi nhiễm
\r\n\r\n\r\n\r\n
THƯ\r\nMỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
\r\n\r\n[1] ANDREUCCETTI, D. induced\r\nbody current measurement and assessment: state of the art”. COST 244,\r\nParis, April 25-26, 1998.
\r\n\r\n[2] BARATON, P., HUTZLER, B. Magnetically\r\ninduced current in the human body. IEC Technology Trend\r\nAssessment, 1995.
\r\n\r\n[3] BARATON, P.,\r\nHUTZLER, B. et RICHARD. Cacul des densités de courant induit dans le corps\r\nhumain lors d’une exposition au champ magnétique 50 Hz. ISH, 1993.
\r\n\r\n[4] BARNES, FS. The effects of time\r\nvarying magnetic fields on biological materials. IEEE Magnetics, 1990, vol.26,\r\nno 5, p.2092-2097.
\r\n\r\n[5] BOSSAVIT, A. A theoretical\r\napproach of the question of biological effects of low frequency field. IEEE magnetics,\r\n1993, vol. 29, no 2, p.1399-1402.
\r\n\r\n[6] BOTTAUSCIO, O., CROTTI, G. A numerical\r\nmethod for the evaluation of induced currents in human models by ELF\r\nelectromagnetic fields. 3rd Workshop on Electric and Magnetic\r\nfields, Liège, 1996, p.141 – 146.
\r\n\r\n[7] BOTTAUSCIO, O., CONTI, R. Magnetically\r\nand electrically induced currents in human body models. 7th ISH,\r\n1997, p.5-8.
\r\n\r\n[8] BURAIS, N., Numerical\r\nmodelisation of Electromagnetic phenomena in human body near an induction\r\nheating system. COST 244, Paris, April 25-26, 1998.
\r\n\r\n[9] BURAIS, N., BARATON, P.,\r\nGASPARD, JY. Numerical modelisation of induce currents in human body by\r\nelectromagnetic apparatus in medium frequency range. CEM 98, Brest, France,\r\nJune 8-11.
\r\n\r\n[10] CHEN, LIN, JS. Biological\r\neffects of electromagnetic fileds. Bioelectromagnetism, Oxford Press,\r\n1995, p. 903-916.
\r\n\r\n[11] CHIBA, ISAKA. Application of\r\nFEM to analysis of induced current densities inside human model exposed to 60\r\nHz electric field. IEEE PAS, 1984, vol. 103, no 7, p.\r\n1895-1901.
\r\n\r\n[12] DAWSON, TW., STUCHLY, MA. High\r\nresolution organ dosimetry for human exposure to low frequency magnetic fields.\r\nIEEE Magnetics, 1998, vol.34, no 3, p.708-718.
\r\n\r\n[13] DAWSON, TW., CAPUTA, K.,\r\nSTUCHLY, MA. High resolution magnetic field numerical dosimetry for live-line\r\nworkers. IEEE Magnetics, 1999, vol. 35, no 3, p.1131-1134.
\r\n\r\n[14] DEFORD, JF., GARDHI, OP. An\r\nimpedance method to calculate currents induced in biological bodies exposed to\r\nstatic electromagenetic fileds. IEEE E Compatibility, 1985, vol.27, no\r\n3, p. 168-173.
\r\n\r\n[15] DYMBYLOW, PJ. Induced currents\r\ndensities from low-frequency magnetic fields in a 2 mm resolution anatomic\r\nrealistic model of the body. Phys. Med. Biol., 1998, no 43,\r\np.210-230.
\r\n\r\n[16] GANDHI, OP., CHEN, JY.\r\nNumerical dosimetry at power-line frequencies using anatomically based model. Bioelectromagnetics,\r\n1992, no 1, p. 43-60.
\r\n\r\n[17] HAMELIN, P., LEGENDRE, S.\r\nBiofields parallel modelling. IEEE Magnetics, 1998, vol. 34, no\r\n5, p.3463-3466.
\r\n\r\n[18] HAYACHI, N.,\r\nISAKA, K., et al. Numerical calculation of induced electric field and\r\ncurrents on simple models of multi – medium biological systems using the\r\nimpedance method. 9th ISH, 1995, p.8355.
\r\n\r\n[19] HORVATH, T. The electric\r\nand magnetic field exposition of biological object due to high voltage values. 9th,\r\n1995, p 8349.
\r\n\r\n[20] KRAWCZYK, A., WIAK, S. et al.\r\nModelling of eddy currents applied to human brain. IEEE Magnetics, 1998,\r\nvol. 34, n 6, p. 3471-3474.
\r\n\r\n[21] MADHY, ANIS, H,. RADWAN, RM et\r\nal. Assessment of field exposed humans near EHV Power lines erected in\r\ndesert. 7th ISH, 1991, p.67-70.
\r\n\r\n[22] MOUCHAWAR, GA.,\r\nNYENHUIS, JA. et al. Magnetic stimulation of excitable tissue:\r\ncalculation of induced eddy – currents with a three dimensional finite element\r\nmodel. IEEE Magnetics, vol. 29, no 6, 1993, p. 3355-3357.
\r\n\r\n[23] NYENHUIS, JA,\r\nMOUCHAWAR, GA. et al. Energy considerations in the magnetics (eddy\r\ncurrent) stimulation of tissues. IEEE Magnetics, 1991, vol. 27, no 1, p.\r\n680-687.
\r\n\r\n[24] RENHART, W., MAGALE, CA., et\r\nal. Modelling and calculation of influnces of RF fields on the human body using\r\nfinite elements method. IEEE Magnetics, 1994, vol.30, no 5, p.3092-3095.
\r\n\r\n[25] RENHART, W., MAGALE, CA., et\r\nal. Application of eddy current fomulations to magnetic resonance imaging. IEEE\r\nMagnetics, 1992, vol 28, no 2, p 1517-1520.
\r\n\r\n[26] FUNAN, S. LUDWIG, R. Two and\r\nthree dimensional numerical analysis of gradient and parasitic gradient fields\r\nof a three channel surface gradient coil for imaging resonance imaging. IEEE\r\nMagnetics, 1996. vol.32, no 1, p. 195-207.
\r\n\r\n[27] STUCHLY, MA., ZHAO, S.\r\nMagnetic field induced currents in the human body in proximity of power lines. IEEE\r\nPower Delivery , 1996, vol.11, no 1, p.102-109.
\r\n\r\n[28] TARAO, H., HAYASHI, N., ISAKA,\r\nK. Improved impedance method for the calculation of electric fields induced\r\nin simple biological structures by ELF magnetic fields. 10th\r\nISH, 1997, p.77-80.
\r\n\r\n[29] WANG, W., EISENBERG, SR. A\r\nthree dimensional finite element method for the computing magnetically induced\r\ncurrents in tissues. IEEE Magnetics, 1994, vol.30, no 6, p.5015-5023.
\r\n\r\n[30] ZYBANOVA, LF., REZINKINA, MM. Numerical\r\ninvestigation of the electrical fields penetration inside biological objects. 10th\r\nISH, 1997, p.105-108.
\r\n\r\n[31] ANSI C95.1:1999, IEEE\r\nStandard for Safety Levels with Respect to Human Exposure to Radio Frequency\r\nElactromagnetic Fields, 3 kHz to 300 GHz (Incorporates IEEE Std C95.1-1991\r\nand IEE Std C95.1a-1998).
\r\n\r\n[32] CENELEC ENV 50166-1:1995,\r\nExposure to electromagnetic fields: Low frequency (0 Hz to 10 kHz).
\r\n\r\n[33] CISPR 11, Industrial,\r\nscientific and medical (ISM) radio-frequency equipment – Electromagnetic\r\ndisturbance characteristics – Limits and methods of measurement.
\r\n\r\n[34] CISPR 14 (all parts), Electromagnetic\r\ncompatibility – Requirements for household appliances, electric tools and\r\nsimilar apparatus.
\r\n\r\n[35] CISPR 16 (all parts), Specification\r\nfor radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods.
\r\n\r\n[36] European Union Council\r\nRecommendation 1999/519/EC of July 12th 1999. Limitation of\r\nexposure of the general public to electromagnetic fields (0 Hz to 300 GHz).
\r\n\r\n[37] Flux3D: Software package for 3D\r\nelectromagnetic fields calculation. Ref: CEDRAT – 10 chemin de pré carré –\r\n38246 Meylan France.
\r\n\r\n[38] ICNIRP, Guidelines for\r\nlimiting exposure to time – varying electric, magnetic and electromagnetic\r\nfields up to 300 GHz. Health Physics, April 1998, vol. 74, no 4, p.494-522.
\r\n\r\n[39] ICNIRP, Response to\r\nquestion and comments on ICNIRP – Guidelines for limiting exposure to time –\r\nvarying electric, magnetic and electromagnetic fields up to 300 GHz. Health\r\nPhysics, October 1998, vol. 75, no 4, p. 438-439.
\r\n\r\n[40] ICNIRP, General approach to\r\nprotection against non-ionizing radiation. Health Physics, April 2002,\r\nvol.82, no 4, p.539-548.
\r\n\r\n[41] ICNIRP, Guidence on\r\ndetermining compliance of exposure to pulsed and complex non-sinusoidal\r\nwaveforms below 100 kHz with ICNIRP guidelines. Heath Physics, March 2003,\r\nvol. 84, no3, p.383-387.
\r\n\r\n[42] IEC 61786:1998, Measurement\r\nof low-frequency magnetic and electric fields with regard to exposure of human\r\nbeings – Special requirements for instruments and guidance for measurements.
\r\n\r\n[43] IEEE C95.3-2002, Recommended\r\nPractice for Measurements and Computations with Respect to Human Exposure to\r\nRadio Frequency Electromagnetic Fields, 100 kHz to 300 GHz.
\r\n\r\n\r\n\r\n
MỤC\r\nLỤC
\r\n\r\nLời nói đầu..............................................................................................................................
\r\n\r\nLời giới thiệu............................................................................................................................
\r\n\r\n1. Phạm vi áp dụng..................................................................................................................
\r\n\r\n2. Dữ liệu chung về trường điện từ\r\nvà phơi nhiễm của con người...............................................
\r\n\r\n2.1. Yêu cầu chung...................................................................................................................
\r\n\r\n2.2. Trường điện......................................................................................................................
\r\n\r\n2.3. Trường từ.........................................................................................................................
\r\n\r\n3. Thuật ngữ và định nghĩa, ký hiệu\r\nvà chữ viết tắt.....................................................................
\r\n\r\n3.1. Thuật ngữ và định nghĩa.....................................................................................................
\r\n\r\n3.2. Đại lượng vật lý và đơn vị..................................................................................................
\r\n\r\n3.3. Hằng số vật lý...................................................................................................................
\r\n\r\n4. Qui trình chung để đánh giá sự\r\nphù hợp với các giới hạn an toàn...........................................
\r\n\r\nThư mục tài liệu tham khảo.......................................................................................................
\r\n\r\n\r\n\r\n
\r\n\r\n
1) Các con số\r\ntrong dấu ngoặc vuông liên quan đến Thư mục tài liệu tham khảo.
\r\n\r\n2) Theo hướng\r\ndẫn ICNIRP 1998 và Khuyến cáo của hội đồng Châu Âu 1999, mức tham chiếu là “\r\nđược cung cấp cho mục đích đánh giá sự phơi nhiễm thực tế để xác định giới hạn\r\ncơ bản có khả năng vượt quá hay không. Một số mức tham chiếu được lấy từ các\r\ngiới hạn cơ bản liên quan bằng cách sử dụng các phép đo và/hoặc kỹ thuật tính\r\ntoán và một mức tham chiếu nhằm vào sự cảm nhận và các ảnh hưởng bất lợi gián\r\ntiếp của phơi nhiễm trong trường điện từ (EMF). Các đại lượng thu được là cường\r\nđộ trường điện (E), cường độ trường từ (H), mật độ từ thông (B), mật độ công\r\nsuất (S) và dòng điện nhánh (IL). Các đại lượng nhằm vào sự cảm nhận\r\nvà các ảnh hưởng gián tiếp khác là dòng điện (tiếp xúc (IC) và đối\r\nvới trường xung là mức hấp thụ năng lượng riêng (SA). Trong bất kỳ trường hợp\r\nphơi nhiễm cụ thể nào, các giá trị đo được hoặc tính được của bất kỳ đại lượng\r\nnào đều có thể được so sánh với mức tham chiếu thích hợp. Mức tham chiếu sẽ đảm\r\nbảo cho giới hạn cơ bản liên quan. Nếu giá trị đo được vượt quá mức tham chiếu,\r\nthì không có nghĩa là giới hạn cơ bản sẽ bị vượt quá. Tuy nhiên, trong trường\r\nhợp này, cần thiết lập giới hạn cơ bản.
\r\n\r\nFile gốc của Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8334-1:2010 (IEC 62226-1:2004) về Phơi nhiễm trong trường điện hoặc trường từ ở dải tần số thấp và tần số trung gian – Phương pháp tính mật độ dòng điện và trường điện cảm ứng bên trong cơ thể người – Phần 1: Yêu cầu chung đang được cập nhật.
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8334-1:2010 (IEC 62226-1:2004) về Phơi nhiễm trong trường điện hoặc trường từ ở dải tần số thấp và tần số trung gian – Phương pháp tính mật độ dòng điện và trường điện cảm ứng bên trong cơ thể người – Phần 1: Yêu cầu chung
Tóm tắt
| Cơ quan ban hành | Đã xác định |
| Số hiệu | TCVN8334-1:2010 |
| Loại văn bản | Tiêu chuẩn Việt Nam |
| Người ký | Đã xác định |
| Ngày ban hành | 2010-01-01 |
| Ngày hiệu lực | |
| Lĩnh vực | Xây dựng - Đô thị |
| Tình trạng | Còn hiệu lực |